JP2000150246A - トロイダルインダクタ - Google Patents
トロイダルインダクタInfo
- Publication number
- JP2000150246A JP2000150246A JP10316502A JP31650298A JP2000150246A JP 2000150246 A JP2000150246 A JP 2000150246A JP 10316502 A JP10316502 A JP 10316502A JP 31650298 A JP31650298 A JP 31650298A JP 2000150246 A JP2000150246 A JP 2000150246A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic flux
- conductor
- toroidal
- conductive wire
- leakage magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Insulating Of Coils (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 漏洩磁束を可能な限り低く抑えること。
【解決手段】 樹脂ケース１、２内にトロイダルコア３
を収容し、その上から導線４を巻く。樹脂ケース１、２
を、高比透磁率のＭｎ−Ｚｎ系フェライト粉末を添加材
料として形成し、その表面に導線４の巻回を案内するた
めに、凹部の深さが導線４の径と同程度の凹凸部５を設
ける。樹脂ケース１、２を高比透磁率の磁性粉末を添加
材料として形成したので、漏洩磁束を低く抑えることが
でき、また樹脂ケース１、２に形成した凹凸部５に沿っ
て導線を巻くことにより、導線の巻き方のばらつきを抑
えることができ、その均一性から無指向特性が得られ、
また僅かに漏洩磁束あっても、それが凹凸部５の凸部に
誘導されるため、漏洩磁束を極めて低く抑えることがで
きる。
を収容し、その上から導線４を巻く。樹脂ケース１、２
を、高比透磁率のＭｎ−Ｚｎ系フェライト粉末を添加材
料として形成し、その表面に導線４の巻回を案内するた
めに、凹部の深さが導線４の径と同程度の凹凸部５を設
ける。樹脂ケース１、２を高比透磁率の磁性粉末を添加
材料として形成したので、漏洩磁束を低く抑えることが
でき、また樹脂ケース１、２に形成した凹凸部５に沿っ
て導線を巻くことにより、導線の巻き方のばらつきを抑
えることができ、その均一性から無指向特性が得られ、
また僅かに漏洩磁束あっても、それが凹凸部５の凸部に
誘導されるため、漏洩磁束を極めて低く抑えることがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度に実装され
て、電源と信号が近接配置される電子機器、または微小
信号を扱う電子機器の電源に使用され、漏洩磁束の極め
て少ないトロイダルインダクタに関する。
て、電源と信号が近接配置される電子機器、または微小
信号を扱う電子機器の電源に使用され、漏洩磁束の極め
て少ないトロイダルインダクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、トロイダルコアに導線を巻いたト
ロイダルインダクタは、ソレノイドコイルを曲げて無端
とした閉じた磁路を持ち、発生する磁界分布がコイルの
周囲の空間に広がらないため、漏洩磁束がなく、信号系
への影響も無視できると考えられていた。
ロイダルインダクタは、ソレノイドコイルを曲げて無端
とした閉じた磁路を持ち、発生する磁界分布がコイルの
周囲の空間に広がらないため、漏洩磁束がなく、信号系
への影響も無視できると考えられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
は、導線には太さがあり、導線近傍では、ＥＩコアを使
用したのと同程度の漏洩磁束が発生しており、しかも巻
き方の不均一性から漏洩磁束に指向性が発生し、高密度
に実装された電子機器または微小信号を扱う電子機器で
は、十分なノイズ除去特性が得られないという問題があ
った。そのため、場合によっては、トロイダルコアをさ
らにシールドケースで覆う構成を取ることにより、高価
なトロイダルコアに加えて、さらにコストが上昇すると
いった問題があった。
は、導線には太さがあり、導線近傍では、ＥＩコアを使
用したのと同程度の漏洩磁束が発生しており、しかも巻
き方の不均一性から漏洩磁束に指向性が発生し、高密度
に実装された電子機器または微小信号を扱う電子機器で
は、十分なノイズ除去特性が得られないという問題があ
った。そのため、場合によっては、トロイダルコアをさ
らにシールドケースで覆う構成を取ることにより、高価
なトロイダルコアに加えて、さらにコストが上昇すると
いった問題があった。
【０００４】本発明は、このような従来の問題を解決す
るものであり、漏洩磁束を極めて低く抑えることのでき
るトロイダルインダクタを提供することを目的とする。
るものであり、漏洩磁束を極めて低く抑えることのでき
るトロイダルインダクタを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、トロイダルコアを収容する樹脂ケースの
上から導線を巻いたトロイダルインダクタにおいて、樹
脂ケースを、高比透磁率の磁性粉末を添加材料として形
成し、その表面に導線の巻回を案内するための凹凸部を
設けたものである。本発明によれば、樹脂ケースを高比
透磁率の磁性粉末を添加材料として形成したので、漏洩
磁束を低く抑えることができ、また樹脂ケースに導線を
案内する凹凸部を設け、この凹凸部に沿って導線を巻く
ことにより、導線の巻き方のばらつきを抑えることがで
き、その均一性から無指向特性が得られ、また僅かに漏
洩磁束あっても、それが凹凸部の凸部に誘導されるた
め、漏洩磁束を極めて低く抑えることができる。
成するために、トロイダルコアを収容する樹脂ケースの
上から導線を巻いたトロイダルインダクタにおいて、樹
脂ケースを、高比透磁率の磁性粉末を添加材料として形
成し、その表面に導線の巻回を案内するための凹凸部を
設けたものである。本発明によれば、樹脂ケースを高比
透磁率の磁性粉末を添加材料として形成したので、漏洩
磁束を低く抑えることができ、また樹脂ケースに導線を
案内する凹凸部を設け、この凹凸部に沿って導線を巻く
ことにより、導線の巻き方のばらつきを抑えることがで
き、その均一性から無指向特性が得られ、また僅かに漏
洩磁束あっても、それが凹凸部の凸部に誘導されるた
め、漏洩磁束を極めて低く抑えることができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、トロイダルコアと、前記トロイダルコアを収容する
樹脂ケースと、前記トロイダルコアを収容した樹脂ケー
スの上から巻かれる導線とからなり、前記樹脂ケース
が、高比透磁率を有する磁性粉末を添加材料として成形
され、その表面に前記導線の巻回を案内するための凹凸
部を形成したことを特徴とするトロイダルインダクタで
あり、トロイダルコアを収容する樹脂ケースが高比透磁
率の磁性粉末を添加材料として形成されているので、漏
洩磁束を低く抑えることができ、また樹脂ケースの表面
には、導線を案内するための凹凸部が形成されているの
で、導線を均一に巻くことができ、その均一性から無指
向特性が得られ、また僅かに漏洩磁束あっても、それが
凹凸部の凸部に誘導されるので、漏洩磁束を極めて低く
抑えることができるという作用を有する。
は、トロイダルコアと、前記トロイダルコアを収容する
樹脂ケースと、前記トロイダルコアを収容した樹脂ケー
スの上から巻かれる導線とからなり、前記樹脂ケース
が、高比透磁率を有する磁性粉末を添加材料として成形
され、その表面に前記導線の巻回を案内するための凹凸
部を形成したことを特徴とするトロイダルインダクタで
あり、トロイダルコアを収容する樹脂ケースが高比透磁
率の磁性粉末を添加材料として形成されているので、漏
洩磁束を低く抑えることができ、また樹脂ケースの表面
には、導線を案内するための凹凸部が形成されているの
で、導線を均一に巻くことができ、その均一性から無指
向特性が得られ、また僅かに漏洩磁束あっても、それが
凹凸部の凸部に誘導されるので、漏洩磁束を極めて低く
抑えることができるという作用を有する。
【０００７】本発明の請求項２に記載の発明は、磁性粉
末が、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト粉末である請求項１記載
のトロイダルインダクタであり、透磁率および飽和磁束
密度が高いので、漏洩磁束を確実に低減できるという作
用を有する。
末が、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト粉末である請求項１記載
のトロイダルインダクタであり、透磁率および飽和磁束
密度が高いので、漏洩磁束を確実に低減できるという作
用を有する。
【０００８】本発明の請求項３に記載の発明は、凹凸部
の凹部の深さが、ほぼ導線の直径に相当する請求項１ま
たは２記載のトロイダルインダクタであり、導線が凹部
の中に埋まるので、漏洩磁束を確実に低減できるという
作用を有する。
の凹部の深さが、ほぼ導線の直径に相当する請求項１ま
たは２記載のトロイダルインダクタであり、導線が凹部
の中に埋まるので、漏洩磁束を確実に低減できるという
作用を有する。
【０００９】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
て説明する。 （実施の形態）図１は本発明の実施の形態におけるトロ
イダルインダクタの組立斜視図、図２はその分解斜視
図、図３はトロイダルインダクタの断面図（ａ）と部分
拡大断面図（ｂ）、図４は樹脂ケースの上ケースの平面
図（ａ）と正面図（ｂ）、図５は樹脂ケースの下ケース
の平面図（ａ）と正面図（ｂ）である。これらの図にお
いて、１は上ケース、２は下ケース、３はケース１、２
の中に収容される断面矩形のトロイダルコア、４はケー
ス１、２内に収容されたトロイダルコア３に巻回される
導線、５は上ケース１および下ケース２の外側表面に形
成された凹凸部である。
て説明する。 （実施の形態）図１は本発明の実施の形態におけるトロ
イダルインダクタの組立斜視図、図２はその分解斜視
図、図３はトロイダルインダクタの断面図（ａ）と部分
拡大断面図（ｂ）、図４は樹脂ケースの上ケースの平面
図（ａ）と正面図（ｂ）、図５は樹脂ケースの下ケース
の平面図（ａ）と正面図（ｂ）である。これらの図にお
いて、１は上ケース、２は下ケース、３はケース１、２
の中に収容される断面矩形のトロイダルコア、４はケー
ス１、２内に収容されたトロイダルコア３に巻回される
導線、５は上ケース１および下ケース２の外側表面に形
成された凹凸部である。
【００１０】上ケース１は、中心部に穴１ａを有するド
ーナツ状円板であり、その一方の面に凹凸部５が形成さ
れている。下ケース２は、上ケース１の穴１ａと同じ内
径を有する内筒２ａと、上ケース１の外径と同じ外径を
有する外筒２ｂと、内筒２ａと外筒２ｂとを連続させる
底板２ｃからなり、内筒２ａの内側面と外筒２ｂの外側
面と底板２ｃの下面にそれぞれ上ケース１と同じ寸法、
ピッチの凹凸部５が形成されている。上ケース１および
下ケース２は、樹脂ペレットにＭｎ−Ｚｎ系フェライト
粉末等の高比透磁率の磁性粉末を添加材料として、射出
成形により形成される。また、凹凸部５における凹部５
ａの深さは、導線４の直径にほぼ相当し、導線４の巻き
数により規定される一定のピッチをもって形成されてい
る。
ーナツ状円板であり、その一方の面に凹凸部５が形成さ
れている。下ケース２は、上ケース１の穴１ａと同じ内
径を有する内筒２ａと、上ケース１の外径と同じ外径を
有する外筒２ｂと、内筒２ａと外筒２ｂとを連続させる
底板２ｃからなり、内筒２ａの内側面と外筒２ｂの外側
面と底板２ｃの下面にそれぞれ上ケース１と同じ寸法、
ピッチの凹凸部５が形成されている。上ケース１および
下ケース２は、樹脂ペレットにＭｎ−Ｚｎ系フェライト
粉末等の高比透磁率の磁性粉末を添加材料として、射出
成形により形成される。また、凹凸部５における凹部５
ａの深さは、導線４の直径にほぼ相当し、導線４の巻き
数により規定される一定のピッチをもって形成されてい
る。
【００１１】以上の構成において、図２に示すように、
下ケース２の中にトロイダルコイル３を収容し、その上
に上ケース１を被せて固定し、導線４を凹凸部５に沿っ
て巻くことにより、トロイダルインダクタが形成され
る。このようにして形成されたトロイダルインダクタ
は、導線４の巻き方にばらつきがなく、均一に巻かれる
ため、均一な製品を大量に容易に製造できるばかりでな
く、その均一性により漏洩磁束の指向性がなく、また漏
洩磁束が凹凸部５の凸部５ｂに誘導されるため、漏洩磁
束を低く抑えることができる。さらに樹脂ケース自体が
磁性粉末を添加して成形されているため、結果として漏
洩磁束を極めて低く抑えることができる。
下ケース２の中にトロイダルコイル３を収容し、その上
に上ケース１を被せて固定し、導線４を凹凸部５に沿っ
て巻くことにより、トロイダルインダクタが形成され
る。このようにして形成されたトロイダルインダクタ
は、導線４の巻き方にばらつきがなく、均一に巻かれる
ため、均一な製品を大量に容易に製造できるばかりでな
く、その均一性により漏洩磁束の指向性がなく、また漏
洩磁束が凹凸部５の凸部５ｂに誘導されるため、漏洩磁
束を低く抑えることができる。さらに樹脂ケース自体が
磁性粉末を添加して成形されているため、結果として漏
洩磁束を極めて低く抑えることができる。
【００１２】
【発明の効果】本発明は、上記実施の形態から明らかな
ように、トロイダルコアを収容する樹脂ケースの上から
導線を巻いたトロイダルインダクタにおいて、樹脂ケー
スを、高比透磁率の磁性粉末を添加材料として形成し、
その表面に導線の巻回を案内するための凹凸部を設けた
ので、漏洩磁束を極めて低く抑えることができるという
効果を有する。
ように、トロイダルコアを収容する樹脂ケースの上から
導線を巻いたトロイダルインダクタにおいて、樹脂ケー
スを、高比透磁率の磁性粉末を添加材料として形成し、
その表面に導線の巻回を案内するための凹凸部を設けた
ので、漏洩磁束を極めて低く抑えることができるという
効果を有する。
【図１】本発明の実施の形態におけるトロイダルインダ
クタの組立斜視図
クタの組立斜視図
【図２】実施の形態におけるトロイダルインダクタの分
解斜視図
解斜視図
【図３】実施の形態におけるトロイダルインダクタの断
面図（ａ）と部分拡大断面図（ｂ）
面図（ａ）と部分拡大断面図（ｂ）
【図４】実施の形態における樹脂ケースの上ケースの平
面図（ａ）と正面図（ｂ）
面図（ａ）と正面図（ｂ）
【図５】実施の形態における樹脂ケースの下ケースの平
面図（ａ）と正面図（ｂ）
面図（ａ）と正面図（ｂ）
１ 上ケース ２ 下ケース ３ トロイダルコア ４ 導線 ５ 凹凸部
Claims (3)
- 【請求項１】 トロイダルコアと、前記トロイダルコア
を収容する樹脂ケースと、前記トロイダルコアを収容し
た樹脂ケースの上から巻かれる導線とからなり、前記樹
脂ケースが、高比透磁率を有する磁性粉末を添加材料と
して成形され、その表面に前記導線の巻回を案内するた
めの凹凸部を形成したことを特徴とするトロイダルイン
ダクタ。 - 【請求項２】 磁性粉末が、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト粉
末である請求項１記載のトロイダルインダクタ。 - 【請求項３】 凹凸部の凹部の深さが、ほぼ導線の直径
に相当する請求項１または２記載のトロイダルインダク
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10316502A JP2000150246A (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | トロイダルインダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10316502A JP2000150246A (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | トロイダルインダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150246A true JP2000150246A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18077828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10316502A Pending JP2000150246A (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | トロイダルインダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150246A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311866A (ja) * | 2003-04-10 | 2004-11-04 | Sekishin Kogyo Kk | チョークコイル |
| JP2007150307A (ja) * | 2005-11-23 | 2007-06-14 | Taida Electronic Ind Co Ltd | インダクタ及びその製造方法 |
| JP2010182850A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Asahi Denki Kenkyusho:Kk | トロイダルコア、トロイダルコアの製造方法及びトロイダルコア製造用の金型 |
| JP2010199413A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Goyo Electronics Co Ltd | 配設方法 |
| JP2012124396A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Nittoku Eng Co Ltd | トロイダルコイル |
| CN103985538A (zh) * | 2014-05-07 | 2014-08-13 | 昆山达功电子有限公司 | 磁环绕线件 |
| CN105471414A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-04-06 | 浙江大维高新技术股份有限公司 | 一种大功率高电压磁开关 |
| JP2016181594A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 株式会社タムラ製作所 | インダクタ |
| CN106298162A (zh) * | 2015-05-11 | 2017-01-04 | 泰耀电子制品(苏州)有限公司 | 扁线立绕电抗器及其制作方法 |
| JP2021082758A (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 株式会社トーキン | ラインフィルタ |
-
1998
- 1998-11-06 JP JP10316502A patent/JP2000150246A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311866A (ja) * | 2003-04-10 | 2004-11-04 | Sekishin Kogyo Kk | チョークコイル |
| JP2007150307A (ja) * | 2005-11-23 | 2007-06-14 | Taida Electronic Ind Co Ltd | インダクタ及びその製造方法 |
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| CN102568813A (zh) * | 2010-12-10 | 2012-07-11 | 日特机械工程株式会社 | 环形线圈 |
| CN103985538A (zh) * | 2014-05-07 | 2014-08-13 | 昆山达功电子有限公司 | 磁环绕线件 |
| JP2016181594A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 株式会社タムラ製作所 | インダクタ |
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| CN105471414B (zh) * | 2015-12-28 | 2019-06-14 | 浙江大维高新技术股份有限公司 | 一种大功率高电压磁开关 |
| JP2021082758A (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 株式会社トーキン | ラインフィルタ |
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