JP2000138253A - 基板固定装置及び基板の固定構造 - Google Patents
基板固定装置及び基板の固定構造Info
- Publication number
- JP2000138253A JP2000138253A JP10311123A JP31112398A JP2000138253A JP 2000138253 A JP2000138253 A JP 2000138253A JP 10311123 A JP10311123 A JP 10311123A JP 31112398 A JP31112398 A JP 31112398A JP 2000138253 A JP2000138253 A JP 2000138253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- suction
- stage
- fixing
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/787—Means for aligning
- H01L2224/78703—Mechanical holding means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/787—Means for aligning
- H01L2224/78743—Suction holding means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/787—Means for aligning
- H01L2224/78743—Suction holding means
- H01L2224/78744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
ディングが可能な基板固定装置及び基板の固定構造を提
供することを目的とする。 【解決手段】ベアチップが搭載された基板を固定し、ベ
アチップの端子と基板に形成されたパターンとの間をワ
イヤで接続するワイヤボンディング装置において、吸引
孔が形成され基板をその上面に吸着固定する吸着ステー
ジと、基板より下方に位置するものであって、吸引孔を
有し吸着ステージを貫通するように設けられ上下方向へ
移動可能な吸着筒と、両方の吸引孔を通して基板を吸引
する吸引手段と、吸着筒を基板と吸着ステージとの間で
移動させる上下移動手段とからなり、上下移動手段によ
り、吸着筒が基板の下面まで上昇し基板を直接吸着した
状態で下降し基板を吸着ステージの上面に吸着固定する
ことを特徴とする。
Description
板固定装置及びその基板の固定構造に係り、特に基板に
搭載されたベアチップと基板とを接続するワイヤボンデ
ィングを適用するものに関する。
固定構造を図10を用いて説明する。
概略構成側断面図である。
搭載された基板85を吸着固定し、ベアチップ80の端
子と基板85に形成された接続パターンとの間をワイヤ
ボンディングするために基板85を吸着固定する基板吸
着ステージである。基板吸着ステージ90はステージ本
体91、基板位置決板95及び吸引手段(真空発生装
置、図示省略)等により構成されている。ステージ本体
91には基板85をステージ本体91の基板吸着面92
に吸着する吸引孔93及び基板位置決板95を取り付け
る取付孔等が形成されている。尚、吸引孔93は吸引手
段に接続されている。
決板95に基板85を位置決め載置する。次に、吸引手
段を稼動させ基板85をステージ本体91の基板吸着面
92に吸着固定する。そして、ワイヤボンディングが行
われる。
着ステージ90では基板85の反りが大きい場合には、
基板85をステージ本体91の基板吸着面92に吸着し
きれずに、基板85が基板吸着面92から浮いた不安定
な状態となり、ワイヤボンディング品質の低下につなが
る。また、基板85にスルーホール等の孔があいている
場合にも、基板85を吸着する吸着効率が悪くなり基板
吸着面92に基板85を吸着しきれずに、基板85が基
板吸着面92から浮いた不安定な状態となるので、ワイ
ヤボンディング品質の低下につながる。
板の反りに関係なく特に高品質のワイヤボンディングが
可能な基板固定装置及び基板の固定構造を提供すること
を目的とする。
成するもので、電子部品が搭載された基板を固定する基
板固定装置において、吸引孔が形成され前記基板をその
上面に固定する吸着ステージと、前記基板より下方に位
置するものであって、吸引孔を有し前記吸着ステージを
貫通するように設けられた吸着筒と、前記両方の吸引孔
を通して前記基板を吸引する吸引手段と、前記吸着筒を
上下方向へ移動させる上下移動手段とからなり、前記上
下移動手段により前記吸着筒が前記基板の下面まで上昇
し該基板を直接吸着した状態で下降し該基板を前記吸着
ステージの上面に吸着固定することを特徴とするもので
ある。
置の下方に設けられていることを特徴とするものであ
る。
る基板固定装置において、吸引孔が形成され前記基板を
その上面に固定する吸着ステージと、前記吸引孔を通し
て前記基板を吸引する吸引手段と、前記吸着ステージ及
び前記基板に設けた孔を貫通するように設けられ、前記
基板の上面を押さえて該基板を該吸着ステージに引着す
る基板引着部が形成された基板引着手段と、前記基板引
着手段を上下方向へ移動させる上下移動手段とからな
り、前記上下移動手段により、前記基板引着手段が上昇
すると共に前記基板引着部が前記吸着ステージ及び前記
基板の孔を貫通して該基板の上方に突出した後、該基板
引着手段が下降すると共に該基板引着部が下降して該基
板の上面を押さえて該基板を該吸着ステージの上面に引
着することを特徴とするものである。
さえ部を有するものであって、前記基板の上方で所定角
度回動した後、下降するものであることを特徴とするも
のである。
る基板固定装置において、吸引孔と前記基板に形成され
た孔を塞ぐ凸部とが形成され該基板をその上面に吸着固
定する吸着ステージと、前記吸引孔を通して前記基板を
吸引する吸引手段とからなり、前記凸部により前記基板
に形成された孔を塞いだ状態で該基板を前記吸着ステー
ジの上面に吸着固定することを特徴とするものである。
る基板固定装置において、吸引孔が形成され前記基板を
その上面に吸着固定する吸着ステージと、前記基板に形
成された孔を覆うシートと、前記吸引孔を通して前記基
板を吸引する吸引手段とからなり、前記基板の孔にその
上面より前記シートを被せた状態で該基板を前記吸着ス
テージの上面に吸着固定することを特徴とするものであ
る。
る基板固定装置において、吸引孔が形成され前記基板を
その上面に吸着固定する吸着ステージと、前記吸引孔を
通して前記基板を吸引する吸引手段とからなり、前記吸
着ステージの基板吸着面が前記基板の反りに近い形状に
予め形成されていることを特徴とするものである。
る基板固定装置において、吸引孔が形成され前記基板を
その上面に吸着固定する吸着ステージと、前記吸引孔を
通して前記基板を吸引する吸引手段とからなり、前記吸
着ステージの上方に設けられ前記基板の上面に対して吹
圧するエアーノズルと、前記エアーノズルに高圧エアー
を供給する高圧エアー供給手段とからなり、前記基板の
上面に高圧エアーを吹き付け該基板を前記吸着ステージ
の上面に押圧した状態で該基板を該吸着ステージの上面
に吸着固定することを特徴とするものである。
なることを特徴とするものである。
る基板固定装置において、前記基板をその上面に位置決
め固定するステージと、前記基板の端を前記ステージに
引着する引着爪が形成された基板引着手段と、前記基板
引着手段により前記ステージの上面に位置決めされた前
記基板の下面と該ステージの上面との隙間に充填材を充
填する充填材供給手段とからなることを特徴とするもの
である。
変化する充填部材であることを特徴とするものである。
とするものである。
徴とするものである。
ホールが形成された基板を固定する基板固定装置におい
て、吸引孔が形成され前記基板をその上面に吸着固定す
る吸着ステージと、前記スルーホールの上面を塞ぐ充填
部材と、前記吸引孔を通して前記基板を吸引する吸引手
段とからなり、前記スルーホールの上面を前記充填部材
で塞いだ状態で前記基板を前記吸着ステージの上面に吸
着固定することを特徴とするものである。
とを特徴とするものである。
られることを特徴とするものである。
るものであって、電子部品が搭載されると共にスルーホ
ールが形成された基板の固定構造において、前記吸着ス
テージの上面に吸着固定される前に、予め前記スルーホ
ールの上面が充填部材で塞がれていることを特徴とする
ものである。
とを特徴とするものである。
られることを特徴とするものである。
て、前記固定された基板上において該ベアチップがワイ
ヤボンディングされてなることを特徴とするものであ
る。
る。
の一部を示す概略構成図で、(a)は基板が吸着筒に吸
着された状態を示す側断面図、(b)は基板がステージ
に吸着された状態を示す側断面図である。
搭載された基板を吸着固定し、ベアチップ10の端子と
基板15に形成された接続パターンとの間をワイヤボン
ディングするために基板15を吸着固定する基板吸着ス
テージである。基板吸着ステージ20はステージ本体2
1、吸着筒26、基板位置決板29及び吸引手段(真空
発生装置、図示省略)等により構成されている。
本体21の基板吸着面22に吸着する吸引孔23と吸着
筒26が上下方向へ摺動する孔24及び基板位置決板2
9を取り付ける取付孔等が形成されている。尚、吸引孔
23は吸引手段に接続されている。
27が形成された筒形状をしており、吸着筒26は上下
移動手段(例えばエアシリンダ、図示省略)に接続さ
れ、ステージ本体21の孔24に係合して上下方向(吸
着筒26の吸着面が基板15の下面とステージ本体21
の基板吸着面22との間)へ摺動する。吸着筒26は基
板15の下面まで上昇して基板15を吸着した状態で基
板吸着面22まで下降して基板15を吸着固定する。
決板29の所に基板15を位置決め載置する。次に、吸
着筒26が基板15の下面まで上昇すると同時に、吸引
手段が稼動し基板15が吸着筒26に吸着される。基板
15を吸着した吸着筒26がステージ本体21の上面ま
で下降し、ステージ本体21の吸引孔23と共に基板1
5を吸引してステージ本体21の基板吸着面22に吸着
固定する。そして、ワイヤボンディングが行われる。
着筒26が基板15の下面とステージ本体21の基板吸
着面22との間を移動するので、浮いた基板15の部分
に吸着筒26の吸着面を当接させることができ、基板1
5と吸着筒26の吸着面との隙間が小さくなり基板15
を吸引する吸引効率が向上する。吸引効率が向上するこ
とにより、基板15が反っていても基板15をステージ
本体21の基板吸着面22に密着した状態で吸着固定す
ることができる。従って、安定したワイヤボンディング
が可能となり、ワイヤボンディング品質を向上させるこ
とができる。
説明する。
の一部を示す概略構成図で、(a)は基板固定前の状態
の側断面図、(b)は基板固定後の状態の側断面図であ
る。尚、第2実施例は第1実施例と同じ構成については
同じ符号を付し説明を省略する。
31、基板位置決板29、基板引着部31及び吸引手段
(図示省略)等により構成されている。
本体31の基板吸着面32に吸着する吸引孔33と、基
板引着部35が挿通する孔34及び基板位置決板29を
取り付ける取付孔等が形成されている。尚、吸引孔33
は吸引手段に接続されている。
下動手段(例えばエアシリンダ、図示省略)及び回転手
段(例えば回転式のエアシリンダ、図示省略)等により
構成されている。基板押さえ部36はT字形状をしてお
り、軸37の先端部には基板15を挟着する基板押面3
8が形成されており、軸37の下端部には上下動手段
(図示省略)及び回転手段(図示省略)に接続されてい
る。尚、基板15には基板押さえ部36を通すための孔
17が予め設けられている。
決板29に基板15を載置し位置決めする。次に、基板
引着部35の基板押さえ部36の基板押面38が基板1
5の表面を通過する位置まで上昇し、基板引着部35を
180度回転させ、その状態で上下動手段を稼働させ、
基板押さえ部36を下降させて基板15を基板吸着面3
2に引着すると同時に吸引手段を稼働させて基板15を
吸着固定する。そして、ワイヤボンディングが行われ
る。
基板押面38により基板15をステージ本体31の基板
吸着面32に挟着するので、基板15が反っていても基
板15をステージ本体31の基板吸着面32に密着した
状態で吸着固定することができる。従って、安定したワ
イヤボンディングが可能となり、ワイヤボンディング品
質を向上させることができる。尚、本実施例では基板1
5には基板押さえ部36を通すための孔17を設けた
が、その他に複数枚の基板を並べ基板押さえ部36の基
板押面38で基板15の端部を圧着して固定することも
できる。
説明する。
の一部を示す概略構成図で、(a)は基板固定状態の側
断面図、(b)はA部拡大図である。尚、第3実施例は
第1実施例の一部を変更したものであり、第1実施例と
同じ構成については同じ符号を付し説明を省略する。
テージで、ステージ本体41と基板位置決板29及び吸
引手段(図示省略)等により構成されている。ステージ
本体41には基板15をステージ本体41の基板吸着面
42に吸着する吸引孔43と、基板吸着面42には基板
15に形成された孔(例えば、スルーホール16等)に
挿入する凸部44と、基板位置決板29を取り付ける取
付孔等が形成されている。尚、凸部44はスルーホール
16の全ての孔に対応した位置に形成される。また、吸
引孔43は吸引手段に接続されている。
ステージ本体41の基板吸着面42に基板15に形成さ
れたスルーホール16等の孔に挿入する凸部44が形成
されていおり、凸部44でスルーホール16等の孔が塞
がれるのでステージ本体41の吸引効率が向上する。吸
引効率が向上することにより、基板15にスルーホール
16等の孔が形成されていても基板15を基板吸着面4
2に密着した状態で吸着固定することができる。従っ
て、安定したワイヤボンディングが可能となり、ワイヤ
ボンディング品質を向上させることができる。尚、本実
施例ではスルーホール孔について説明したが、その他の
孔例えば角孔等の孔についても同じように、基板吸着面
42に孔の形状に係合する凸部を形成することにより同
じ効果を得ることができる。
説明する。
の一部を示す概略構成図で、(a)は基板固定状態の側
断面図、(b)はB部拡大図である。尚、第4実施例は
第1実施例と同じ構成については同じ符号を付し説明を
省略する。
テージで、ステージ本体46、基板位置決板29及び吸
引手段(図示省略)等により構成されている。
本体46の基板吸着面47に吸着する吸引孔48と、基
板位置決板29を取り付ける取付孔等が形成されてい
る。尚、吸引孔48は吸引手段に接続されている。
46の基板吸着面47に吸着する際に、基板15に形成
された孔(例えば、スルーホール16等)を塞ぐための
ものである。シート49にはベアチップ10のワイヤボ
ンディング部や、その他の例えば大型の電子部品等の部
分だけ孔が形成されており、基板15のスルーホール1
6の部分はシート49で塞ぐようになっている。シート
49の材料には基板15の表面に沿い易く、また、スル
ーホール16をはじめその他の孔を塞ぎ易いように例え
ば薄いビニルシート等が用いられる。
基板15をステージ本体46の基板吸着面47に吸着さ
せる際に、基板15にシート49を被せることにより、
基板15に形成されたスルーホール16等の孔が図4
(b)に示すように塞がれるので、ステージ本体46の
吸引効率が向上する。吸引効率が向上することにより、
基板15にスルーホール16等の孔が形成されていて
も、基板15を基板吸着面47に密着した状態で吸着固
定することができる。従って、安定したワイヤボンディ
ングが可能となり、ワイヤボンディング品質を向上させ
ることができる。
説明する。
の一部を示す概略構成側断面図である。尚、第5実施例
は第1実施例と同じ構成については同じ符号を付し説明
を省略する。
テージで、ステージ本体51と基板位置決板29及び吸
引手段(図示省略)等により構成されている。ステージ
本体51の基板吸着面52は、基板15の反りの度合に
合わせて略反りに近い形状(本例凸面形状)に予め形成
されている。また、ステージ本体51には基板15を基
板吸着面52に吸着する吸引孔53と、基板位置決板2
9を取り付ける取付孔等が形成されている。尚、吸引孔
53は吸引手段に接続されている。
ステージ本体51の基板吸着面52を、基板15の反り
に略近い形状に形成することにより、基板吸着面52と
基板15との隙間がなくなり、ステージ本体51の吸引
効率が向上するので、基板15が基板吸着面52に密着
した状態で吸着固定される。従って、安定したワイヤボ
ンディングが可能となり、ワイヤボンディング品質を向
上させることができる。尚、本実施例ではステージ本体
51の基板吸着面52を基板15の反りに略近い凸面形
状に形成したが、基板15が本例と逆反りの場合には基
板吸着面52を基板15の反りに略近い凹面形状に形成
にすることにより同じような効果を得ることができる。
説明する。
の一部を示す概略構成側断面図である。尚、第6実施例
は第4実施例の一部を変更したものであり、その他につ
いては第4実施例と略同じであるので同じ構成について
は同じ符号を付し説明を省略する。
で、 基板吸着ステージ45のステージ本体46の上方
に設けられており、ステージ本体46に載置した基板1
5に高圧エアーを吹き付けて、基板15を基板吸着面4
7に密着させるためのものである。エアーノズル55
は、基板15の反りの大きさ、基板15の面積、基板1
5の形状等により設置数量、設置位置及びエアー圧等を
決める。
決板29に基板15を載置し位置決めする。次に、位置
決めされた基板15の上にエアーノズル55から高圧エ
アーを吹き付けて、基板15を基板吸着面47に密着さ
せると同時にステージ本体45の吸引孔48より吸引し
基板吸着面47に吸着固定する。そして、ワイヤボンデ
ィングが行われる。
ステージ本体46に載置した基板15に高圧エアーを吹
き付けるので、基板吸着面47と基板15との隙間がな
くなり、ステージ本体46の吸引効率が向上する。吸引
効率が向上することにより、基板15が反っていても基
板15を基板吸着面47に密着した状態で吸着固定する
ことができる。従って、安定したワイヤボンディングが
可能となり、ワイヤボンディング品質を向上させること
ができる。その他に、常温の高圧エアーの代わりに高温
の高圧エアーを用いることにより、特に、金線を用いた
ワイヤボンディングの品質が向上する。
説明する。
の一部を示す概略構成側断面図である。尚、第7実施例
は第1実施例と同じ構成については同じ符号を付し説明
を省略する。
テージで、ステージ本体61と基板位置決板(図示省
略)、基板押さえ65及び充填材供給手段(図示省略)
等により構成されている。
本体61の基板固定面62との隙間に充填材68を供給
する充填材供給孔63と、基板位置決板を取り付ける取
付孔等が形成されている。尚、充填材供給孔63は充填
材供給手段に接続されている。
決めされた基板15を基板固定面62に押さえ付けるも
ので、基板押部66と垂直部67とからなり垂直部67
の下端が上下方向へ移動する移動手段(例えばエアーシ
リンダ、図示省略)に接続されている。
本体61の基板固定面62との隙間を埋める部材であ
る。充填材68には例えば熱を加えることにより流動化
し、常温で固化する充填材、例えばアピエゾンワックス
(英国アピエゾン社製のワックス)68等が用いられ
る。
部に基板15を載置し、基板押さえ65を下降させ位置
決めされた基板15をステージ本体61の基板固定面6
2に押圧固定する。次に、基板15の下面と基板固定面
62との隙間(基板15の反りにより発生する隙間)
に、充填材供給手段を稼働させ、加熱して流動化したア
ピエゾンワックス68をステージ本体61の充填材供給
孔63から充填し冷却させて固定する。そして、ワイヤ
ボンディングが行われる。尚、ワイヤボンディングが完
了した基板15を取り出し、基板15に付着したアピエ
ゾンワックスは必要により加熱して除去する。
基板15の下面とステージ本体61の基板固定面62と
の隙間を充填材68により埋めることにより隙間がなく
なる。また、基板押さえ65により基板15をステージ
本体61の基板固定面62に密着した状態で固定するこ
とができる。従って、基板15に反りがあっても安定し
たワイヤボンディングが可能となり、ワイヤボンディン
グ品質を向上させることができる。尚、本実施例では充
填材68にアピエゾンワックスを用いたが、その他に例
えば蝋材等を用いることもできる。
説明する。
の一部を示す概略構成側断面図である。尚、第8実施例
は充填材を除き第7実施例と略同じであるので同じ構成
については同じ符号を付し説明を省略する。
テージで、ステージ本体61と基板位置決板(図示省
略)、基板押さえ65及び充填材供給手段(図示省略)
等により構成されている。
本体61の基板固定面62との隙間に充填材70を供給
する充填材供給孔63と、基板位置決板を取り付ける取
付孔等が形成されている。尚、充填材供給手段は充填材
70の吐出及び吸入が可能でステージ本体61の充填材
供給孔63に接続されている。
本体61の基板固定面62との隙間を埋める部材であ
る。充填材70には例えばアルミナ等の粉末が用いられ
る。
板に基板15を載置し、基板押さえ65を下降させ位置
決めされた基板15をステージ本体61の基板固定面6
2に押さえ付ける。次に、基板15の下面と基板固定面
62との隙間(基板15の反りにより発生する隙間)
に、充填材供給手段を稼働させ、ステージ本体61の充
填材供給孔63から充填材(アルミナの粉末)70を充
填する。そして、ワイヤボンディングが行われる。ワイ
ヤボンディングが完了した時点で、充填材供給手段を吸
入モードに切替え、アルミナの粉末70を充填材供給手
段の方へ吸入して回収する。
基板15の下面とステージ本体61の基板固定面62と
の隙間をアルミナの粉末70により埋めることにより該
隙間がなくなる。また、基板押さえ65により基板15
をステージ本体61の基板固定面62に密着した状態で
固定することができる。従って、基板15に反りがあっ
ても安定したワイヤボンディングが可能となり、ワイヤ
ボンディング品質を向上させることができる。また、充
填材70に粉末を用いることにより繰り返しの使用が可
能で作業性もよい。尚、本実施例では充填材70にアル
ミナの粉末を用いたが、その他に例えば、ガラスの粉末
または粉末以外に微小球等を用いることもできる。
説明する。
の一部を示す概略構成図で、(a)は側断面図、(b)
はC部拡大図である。尚、第9実施例は一部を除き第4
実施例と略同じであるので同じ構成については同じ符号
を付し説明を省略する。
子部品を実装するパターン(いずれも図示省略)及びス
ルーホール16等が形成されている。基板15はベアチ
ップ10と基板15に形成された接続パターンとのワイ
ヤボンディングの際に、基板15を基板吸着ステージ4
5のステージ本体46に吸着固定して行うが、図示する
ように基板15に例えばスルーホール16が開いている
と、ステージ本体46の吸引効率が低下し、基板15が
ステージ本体46の基板吸着面47から浮いた状態とな
り、安定したワイヤボンディングができなくなる。この
対策として基板15を加工する段階で他の印刷と同じ工
程でシルクまたはレジスト印刷等により図9(b)の拡
大図で示すようにスルーホール16の表面に蓋76を形
成し予め塞いでいる。
基板15に形成されたスルーホール16が基板製作の段
階で予め塞がれているので、ステージ本体46の吸引効
率が向上する。吸引効率が向上することにより、基板1
5を基板吸着面47に密着した状態で吸着固定すること
ができる。従って、安定したワイヤボンディングが可能
となり、ワイヤボンディング品質を向上させることがで
きる。尚、本実施例では電子部品がベアチップ10であ
るワイヤボンディングに適用したが、その他に表面実装
部品の実装等に適用することも可能である。
板の反りに関係なく基板を安定した状態で所定の位置に
固定することができるので、特に高品質のワイヤボンデ
ィングが可能となる。
す概略構成図である。
す概略構成図である。
す概略構成図である。
す概略構成図である。
す概略構成側断面図である。
す概略構成側断面図である。
す概略構成側断面図である。
す概略構成側断面図である。
す概略構成図である。
断面図である。
ージ 21,31,41,46,51,61・・ステージ本体 22,32,42,47,52・・・・・基板吸着面 23,27,33,43,48,53・・吸引孔 26・・・・・吸着筒 29・・・・・基板位置決板 35・・・・・基板引着部 36・・・・・基板押さえ部 37・・・・・軸 38・・・・・基板押面 44・・・・・凸部 49・・・・・シート 55・・・・・エアーノズル 62・・・・・基板固定面 63・・・・・充填材供給孔 65・・・・・基板押さえ 66・・・・・基板押部 67・・・・・垂直部 68・・・・・充填材(アピエゾンワックス) 70・・・・・充填材(アルミナの粉末) 76・・・・・蓋
Claims (20)
- 【請求項1】 電子部品が搭載された基板を固定する基
板固定装置において、 吸引孔が形成され前記基板をその上面に固定する吸着ス
テージと、 前記基板より下方に位置するものであって、吸引孔を有
し前記吸着ステージを貫通するように設けられた吸着筒
と、 前記両方の吸引孔を通して前記基板を吸引する吸引手段
と、 前記吸着筒を上下方向へ移動させる上下移動手段とから
なり、 前記上下移動手段により前記吸着筒が前記基板の下面ま
で上昇し該基板を直接吸着した状態で下降し該基板を前
記吸着ステージの上面に吸着固定することを特徴とする
基板固定装置。 - 【請求項2】 前記吸引筒は前記電子部品の搭載位置の
下方に設けられていることを特徴とする請求項1記載の
基板固定装置。 - 【請求項3】 電子部品が搭載された基板を固定する基
板固定装置において、 吸引孔が形成され前記基板をその上面に固定する吸着ス
テージと、 前記吸引孔を通して前記基板を吸引する吸引手段と、 前記吸着ステージ及び前記基板に設けた孔を貫通するよ
うに設けられ、前記基板の上面を押さえて該基板を該吸
着ステージに引着する基板引着部が形成された基板引着
手段と、 前記基板引着手段を上下方向へ移動させる上下移動手段
とからなり、 前記上下移動手段により、前記基板引着手段が上昇する
と共に前記基板引着部が前記吸着ステージ及び前記基板
の孔を貫通して該基板の上方に突出した後、該基板引着
手段が下降すると共に該基板引着部が下降して前記基板
の上面を押さえて該基板を該吸着ステージの上面に引着
することを特徴とする基板固定装置。 - 【請求項4】 前記基板引着部はT字形状をなす押さえ
部を有するものであって、前記基板の上方で所定角度回
動した後、下降するものであることを特徴とする請求項
3記載の基板固定装置。 - 【請求項5】 電子部品が搭載された基板を固定する基
板固定装置において、 吸引孔と前記基板に形成された孔を塞ぐ凸部とが形成さ
れ該基板をその上面に吸着固定する吸着ステージと、 前記吸引孔を通して前記基板を吸引する吸引手段とから
なり、前記凸部により前記基板に形成された孔を塞いだ
状態で該基板を前記吸着ステージの上面に吸着固定する
ことを特徴とする基板固定装置。 - 【請求項6】 電子部品が搭載された基板を固定する基
板固定装置において、 吸引孔が形成され前記基板をその上面に吸着固定する吸
着ステージと、 前記基板に形成された孔を覆うシートと、 前記吸引孔を通して前記基板を吸引する吸引手段とから
なり、 前記基板の孔にその上面より前記シートを被せた状態で
該基板を前記吸着ステージの上面に吸着固定することを
特徴とする基板固定装置。 - 【請求項7】 電子部品が搭載された基板を固定する基
板固定装置において、 吸引孔が形成され前記基板をその上面に吸着固定する吸
着ステージと、 前記吸引孔を通して前記基板を吸引する吸引手段とから
なり、 前記吸着ステージの基板吸着面が前記基板の反りに近い
形状に予め形成されていることを特徴とする基板固定装
置。 - 【請求項8】 電子部品が搭載された基板を固定する基
板固定装置において、 吸引孔が形成され前記基板をその上面に吸着固定する吸
着ステージと、 前記吸引孔を通して前記基板を吸引する吸引手段とから
なり、 前記吸着ステージの上方に設けられ前記基板の上面に対
して吹圧するエアーノズルと、 前記エアーノズルに高圧エアーを供給する高圧エアー供
給手段とからなり、 前記基板の上面に高圧エアーを吹き付け該基板を前記吸
着ステージの上面に押圧した状態で該基板を該吸着ステ
ージの上面に吸着固定することを特徴とする基板固定装
置。 - 【請求項9】 前記高圧エアーに熱風が用いられてなる
ことを特徴とする請求項8記載の基板固定装置。 - 【請求項10】 電子部品が搭載された基板を固定する
基板固定装置において、 前記基板をその上面に位置決め固定するステージと、 前記基板の端を前記ステージに引着する引着爪が形成さ
れた基板引着手段と、 前記基板引着手段により前記ステージの上面に位置決め
された前記基板の下面と該ステージの上面との隙間に充
填材を充填する充填材供給手段とからなることを特徴と
する基板固定装置。 - 【請求項11】 前記充填材は温度変化により形態が変
化する充填部材であることを特徴とする請求項10記載
の基板固定装置。 - 【請求項12】 前記充填材は粉体であることを特徴と
する請求項10記載の基板固定装置。 - 【請求項13】 前記充填材は微粒体であることを特徴
とする請求項10記載の基板固定装置。 - 【請求項14】 電子部品が搭載されると共にスルーホ
ールが形成された基板を固定する基板固定装置におい
て、 吸引孔が形成され前記基板をその上面に吸着固定する吸
着ステージと、 前記スルーホールの上面を塞ぐ充填部材と、 前記吸引孔を通して前記基板を吸引する吸引手段とから
なり、 前記スルーホールの上面を前記充填部材で塞いだ状態で
前記基板を前記吸着ステージの上面に吸着固定すること
を特徴とする基板固定装置。 - 【請求項15】 前記充填部材に塗料が用いられること
を特徴とする請求項14記載の基板固定装置。 - 【請求項16】 前記充填部材にレジスト部材が用いら
れることを特徴とする請求項14記載の基板固定装置。 - 【請求項17】 吸着ステージの上面に吸着固定される
ものであって、電子部品が搭載されると共にスルーホー
ルが形成された基板の固定構造において、 前記吸着ステージの上面に吸着固定される前に、予め前
記スルーホールの上面が充填部材で塞がれていることを
特徴とする基板の固定構造。 - 【請求項18】 前記充填部材に塗料が用いられること
を特徴とする請求項17記載の基板の固定構造。 - 【請求項19】 前記充填部材にレジスト部材が用いら
れることを特徴とする請求項17記載の基板の固定構
造。 - 【請求項20】 前記電子部品はベアチップであって、
前記固定された基板上において該ベアチップがワイヤボ
ンディングされてなることを特徴とする請求項1乃至請
求項19記載の基板固定装置又は基板の固定構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31112398A JP3841576B2 (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 基板固定装置及び基板の固定構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31112398A JP3841576B2 (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 基板固定装置及び基板の固定構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000138253A true JP2000138253A (ja) | 2000-05-16 |
JP3841576B2 JP3841576B2 (ja) | 2006-11-01 |
Family
ID=18013425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31112398A Expired - Fee Related JP3841576B2 (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 基板固定装置及び基板の固定構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3841576B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002232136A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Hamamatsu Photonics Kk | プリント基板の表面処理装置 |
JP2002313834A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Sanken Electric Co Ltd | ボンディングステージ、ワイヤボンダ及び回路基板実装体の実装方法 |
KR100895520B1 (ko) | 2006-06-07 | 2009-04-30 | 가부시키가이샤 신가와 | 와이어 본딩 장치, 와이어 본딩 장치의 만곡 회로 기판고정 방법, 및 이를 위한 프로그램을 기억하는 컴퓨터판독가능한 기억매체 |
US7670873B2 (en) | 2006-02-08 | 2010-03-02 | Fujitsu Limited | Method of flip-chip mounting |
US8147646B2 (en) | 2008-06-26 | 2012-04-03 | Fujitsu Limited | Semiconductor device producing method |
JP2012069730A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | ダイボンディング装置及びボンディング方法 |
KR101535739B1 (ko) * | 2014-01-27 | 2015-07-09 | 세메스 주식회사 | 기판 고정 장치 |
KR102161527B1 (ko) * | 2019-06-11 | 2020-10-05 | 세메스 주식회사 | 스테이지 유닛 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103240561B (zh) * | 2013-04-28 | 2014-11-26 | 南京工业大学 | 一种悬空金丝球焊用工作台 |
-
1998
- 1998-10-30 JP JP31112398A patent/JP3841576B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002232136A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Hamamatsu Photonics Kk | プリント基板の表面処理装置 |
JP4526716B2 (ja) * | 2001-02-06 | 2010-08-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | プリント基板の表面処理装置 |
JP2002313834A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Sanken Electric Co Ltd | ボンディングステージ、ワイヤボンダ及び回路基板実装体の実装方法 |
JP4604384B2 (ja) * | 2001-04-16 | 2011-01-05 | サンケン電気株式会社 | 回路基板実装体の実装方法 |
US7670873B2 (en) | 2006-02-08 | 2010-03-02 | Fujitsu Limited | Method of flip-chip mounting |
KR100895520B1 (ko) | 2006-06-07 | 2009-04-30 | 가부시키가이샤 신가와 | 와이어 본딩 장치, 와이어 본딩 장치의 만곡 회로 기판고정 방법, 및 이를 위한 프로그램을 기억하는 컴퓨터판독가능한 기억매체 |
US8147646B2 (en) | 2008-06-26 | 2012-04-03 | Fujitsu Limited | Semiconductor device producing method |
CN101615589B (zh) * | 2008-06-26 | 2012-05-30 | 富士通株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
JP2012069730A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | ダイボンディング装置及びボンディング方法 |
KR101535739B1 (ko) * | 2014-01-27 | 2015-07-09 | 세메스 주식회사 | 기판 고정 장치 |
KR102161527B1 (ko) * | 2019-06-11 | 2020-10-05 | 세메스 주식회사 | 스테이지 유닛 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3841576B2 (ja) | 2006-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000138253A (ja) | 基板固定装置及び基板の固定構造 | |
US6193143B1 (en) | Solder bump forming method and mounting apparatus and mounting method of solder ball | |
JP3801674B2 (ja) | 電子部品の実装方法 | |
US20100307358A1 (en) | Cleaning device for screen printing mask and screen printing machine | |
JP3120714B2 (ja) | 導電性ボールの搭載装置 | |
CN218274552U (zh) | 一种晶圆激光解键合的台面 | |
JPH0825035A (ja) | はんだ転写方法および装置 | |
JP2006032815A (ja) | ウエーハと支持基板の貼り合せ方法及び装置 | |
JP4655269B2 (ja) | 導電性ボールの搭載方法および搭載装置 | |
JPH1187420A (ja) | 接着剤塗布方法、接着剤塗布装置、及び半導体部品実装方法 | |
JP2007090188A (ja) | 印刷材料塗布方法および印刷材料塗布装置 | |
JPH05226890A (ja) | 電子部品移載ヘッド | |
JPH10154671A (ja) | 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2004146698A (ja) | ペースト材料の転写装置及び転写方法 | |
JP3039543B1 (ja) | はんだ印刷装置 | |
JPH08162501A (ja) | ボンディングヘッド | |
JP2000058576A (ja) | 半田バンプの形成方法 | |
JPH08162494A (ja) | 半田ボールの搭載装置 | |
JPH0465848A (ja) | バンプ配列装置 | |
JP3225832B2 (ja) | 導電性ボール搭載装置及び導電性ボール搭載方法 | |
JP2000058586A (ja) | 半田ボールの搭載装置および搭載方法 | |
JPH0817872A (ja) | 部品搭載装置 | |
JP2001127083A (ja) | 半導体実装装置 | |
JPH04334036A (ja) | リードのボンディング装置 | |
JPH04146638A (ja) | 熱圧着用ボンディングヘッド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060124 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060411 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060608 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060801 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060808 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |