JP2000133448A - 有機電気発光素子の製造方法 - Google Patents
有機電気発光素子の製造方法Info
- Publication number
- JP2000133448A JP2000133448A JP28824899A JP28824899A JP2000133448A JP 2000133448 A JP2000133448 A JP 2000133448A JP 28824899 A JP28824899 A JP 28824899A JP 28824899 A JP28824899 A JP 28824899A JP 2000133448 A JP2000133448 A JP 2000133448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- organic compound
- layer
- substrate
- gas plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 22
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 36
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 3
- VVOPUZNLRVJDJQ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine copper Chemical compound [Cu].C12=CC=CC=C2C(N=C2NC(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2N1 VVOPUZNLRVJDJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 125000000175 2-thienyl group Chemical group S1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJAAWBHHXIWAHM-PHEQNACWSA-N 1,4-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C(C=C1)=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 IJAAWBHHXIWAHM-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- YMRHXVOHLPIMNN-UHFFFAOYSA-N 1-n-(3-methylphenyl)-2-n,2-n-diphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 YMRHXVOHLPIMNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- VVOLVFOSOPJKED-UHFFFAOYSA-N copper phthalocyanine Chemical compound [Cu].N=1C2=NC(C3=CC=CC=C33)=NC3=NC(C3=CC=CC=C33)=NC3=NC(C3=CC=CC=C33)=NC3=NC=1C1=CC=CC=C12 VVOLVFOSOPJKED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOIFRTZBJMZZFO-UHFFFAOYSA-N dysprosium(3+) Chemical compound [Dy+3] IOIFRTZBJMZZFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 pentracene Chemical compound 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 見かけ密度が高く、厚さ均一性および界面接
触が改善された電気発光素子の有機層の改善された有機
発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 透明基板、透明電極、金属電極、および
前記二つの電極の間に位置する有機中間層を含む有機電
気発光素子の製造方法において、前記有機中間層を電子
的活性有機化合物から、ｉ）減圧下、１０ないし２００
Ｗのパワーで、ＲＦ発生機を用いてガスプラズマを生成
し、これを有機化合物と接触して有機化合物の蒸気を生
成する段階、およびii）有機化合物の蒸気を含有するガ
スプラズマを基板と６．５×１０−３ないし５．０×１
０−２ｍｍＨｇの圧力下で１ないし３時間接触して基板
上に有機化合物の薄膜を蒸着する段階によって製造する
ことを特徴とする。
触が改善された電気発光素子の有機層の改善された有機
発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 透明基板、透明電極、金属電極、および
前記二つの電極の間に位置する有機中間層を含む有機電
気発光素子の製造方法において、前記有機中間層を電子
的活性有機化合物から、ｉ）減圧下、１０ないし２００
Ｗのパワーで、ＲＦ発生機を用いてガスプラズマを生成
し、これを有機化合物と接触して有機化合物の蒸気を生
成する段階、およびii）有機化合物の蒸気を含有するガ
スプラズマを基板と６．５×１０−３ないし５．０×１
０−２ｍｍＨｇの圧力下で１ないし３時間接触して基板
上に有機化合物の薄膜を蒸着する段階によって製造する
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機電気発光素子
の製造方法に関する。さらに詳細には、スパッタリング
法を用いて厚さ均一性および界面接触が改善された高密
度の有機層を含有する有機電気発光素子を製造する方法
に関する。
の製造方法に関する。さらに詳細には、スパッタリング
法を用いて厚さ均一性および界面接触が改善された高密
度の有機層を含有する有機電気発光素子を製造する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、有機電気発光素子は、透明電
極、金属電極、および前記二つの電極の間に位置する有
機発光層および任意に正孔輸送層および／または電子輸
送層を含む有機中間層からなる積層構造を有する。
極、金属電極、および前記二つの電極の間に位置する有
機発光層および任意に正孔輸送層および／または電子輸
送層を含む有機中間層からなる積層構造を有する。
【０００３】既存の有機電気発光素子の有機層は、普
通、有機発光物質、正孔輸送物質または電子輸送物質の
ような電子的活性物質をスピンコートまたは真空熱蒸着
して形成する。
通、有機発光物質、正孔輸送物質または電子輸送物質の
ような電子的活性物質をスピンコートまたは真空熱蒸着
して形成する。
【０００４】しかし、スピンコート法は、工程が複雑で
あり、表面が粗く、密度が低く、未反応前駆体および残
留溶媒による汚染のため許容できない純度を有する有機
層を提供する。また、真空熱蒸着法は、大量生産の際時
間当り蒸着収率が低く、有機蒸気源の力学的運動エネル
ギーが低いため、基板にコーティングする場合、接合性
が劣るし、界面接触が悪く、寿命が短い素子をもたら
す。また、蒸着特性が異なる二つの物質を蒸着する場
合、各物質に対して相異な蒸気源を用いなければならな
く、蒸気源に反応性のある場合はこれらが相互作用して
熱異常を起すという問題がある。
あり、表面が粗く、密度が低く、未反応前駆体および残
留溶媒による汚染のため許容できない純度を有する有機
層を提供する。また、真空熱蒸着法は、大量生産の際時
間当り蒸着収率が低く、有機蒸気源の力学的運動エネル
ギーが低いため、基板にコーティングする場合、接合性
が劣るし、界面接触が悪く、寿命が短い素子をもたら
す。また、蒸着特性が異なる二つの物質を蒸着する場
合、各物質に対して相異な蒸気源を用いなければならな
く、蒸気源に反応性のある場合はこれらが相互作用して
熱異常を起すという問題がある。
【０００５】したがって、有機層を含有する有機電気発
光素子の改善された製造方法の開発が要求される。
光素子の改善された製造方法の開発が要求される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、厚さ均一性および界面接触が改善された高密度
の有機層を含有する有機電気発光素子を高生産性で製造
する方法を提供することである。
目的は、厚さ均一性および界面接触が改善された高密度
の有機層を含有する有機電気発光素子を高生産性で製造
する方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施態様によ
って、透明基板、透明電極、金属電極、および前記二つ
の電極の間に位置する有機中間層を含む有機電気発光素
子の製造方法において、前記有機中間層を電子的活性有
機化合物から、ｉ）減圧下、１０ないし２００Ｗのパワ
ーで、ＲＦ発生機を用いてガスプラズマを生成し、これ
を有機化合物と接触して有機化合物の蒸気を生成する段
階、およびii）有機化合物の蒸気を含有するガスプラズ
マを基板と６．５×１０−３ないし５．０×１０−２ｍ
ｍＨｇの圧力下で１ないし３時間接触して基板上に有機
化合物の薄膜を蒸着する段階によって製造することを特
徴とする有機発光素子の製造方法が提供される。
って、透明基板、透明電極、金属電極、および前記二つ
の電極の間に位置する有機中間層を含む有機電気発光素
子の製造方法において、前記有機中間層を電子的活性有
機化合物から、ｉ）減圧下、１０ないし２００Ｗのパワ
ーで、ＲＦ発生機を用いてガスプラズマを生成し、これ
を有機化合物と接触して有機化合物の蒸気を生成する段
階、およびii）有機化合物の蒸気を含有するガスプラズ
マを基板と６．５×１０−３ないし５．０×１０−２ｍ
ｍＨｇの圧力下で１ないし３時間接触して基板上に有機
化合物の薄膜を蒸着する段階によって製造することを特
徴とする有機発光素子の製造方法が提供される。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。
する。
【０００９】本発明は、有機電気発光素子の有機層を特
定条件の下でスパッタリング法によって製造することを
特徴とする。
定条件の下でスパッタリング法によって製造することを
特徴とする。
【００１０】本願に用いられた“スパッタリング”とい
う用語は、減圧の下でガスプラズマの作用によって生成
された有機化合物分子を基板上に蒸着する方法を意味
し、そのような類型の蒸着を“低温蒸着”と称し得る。
スパッタリング工程は、基板上に無機材料を蒸着するこ
とに広く用いられてきたが、有機材料の蒸着においては
好ましい物性を有する薄膜を得ることが困難であった。
本発明者らは鋭意研究した結果、本発明による条件の下
でスパッタリング法を用いて安定な有機層を形成するこ
とができることを発見することに至った。
う用語は、減圧の下でガスプラズマの作用によって生成
された有機化合物分子を基板上に蒸着する方法を意味
し、そのような類型の蒸着を“低温蒸着”と称し得る。
スパッタリング工程は、基板上に無機材料を蒸着するこ
とに広く用いられてきたが、有機材料の蒸着においては
好ましい物性を有する薄膜を得ることが困難であった。
本発明者らは鋭意研究した結果、本発明による条件の下
でスパッタリング法を用いて安定な有機層を形成するこ
とができることを発見することに至った。
【００１１】有機電気発光素子は、ガラスおよびプラス
チックのような透明基板上に、コーティングされたイン
ジウムスズ酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ；
以下、ＩＴＯという）層を予め決定されたパターンに従
って通常の方法でエッチングして製造した陽極と、アル
ミニウム、マグネシウム、カルシウム、銀またはその他
金属または合金で製造した金属電極層と、前記透明電極
層および金属電極層の間に密着して位置する有機発光層
を含む有機中間層とからなる。そのような有機電気発光
素子は交流または直流をもって作動され得、直流作動の
場合、透明電極は陽極となり、金属電極は陰極として作
用する。電機金属電極層は任意に保護層で覆われ得る。
チックのような透明基板上に、コーティングされたイン
ジウムスズ酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ；
以下、ＩＴＯという）層を予め決定されたパターンに従
って通常の方法でエッチングして製造した陽極と、アル
ミニウム、マグネシウム、カルシウム、銀またはその他
金属または合金で製造した金属電極層と、前記透明電極
層および金属電極層の間に密着して位置する有機発光層
を含む有機中間層とからなる。そのような有機電気発光
素子は交流または直流をもって作動され得、直流作動の
場合、透明電極は陽極となり、金属電極は陰極として作
用する。電機金属電極層は任意に保護層で覆われ得る。
【００１２】発光効率を増大させるために、前記有機中
間層はさらに正孔注入物質、正孔輸送物質および電子輸
送物質を多層構造の形態で含み得る。たとえば、ＤＣ駆
動の場合、正孔注入または正孔輸送層を陽極層と有機発
光層との間に密着して位置させ得、または電子輸送層を
有機発光層と陰極層間に位置させ得る。用いられた有機
物質によって、有機電気発光素子の有機中間層は電子的
活性物質、すなわち、正孔注入物質、正孔輸送物質、有
機発光物質および電子輸送物質の様々な組合を含む１
層、２層または３層形態であり得る。
間層はさらに正孔注入物質、正孔輸送物質および電子輸
送物質を多層構造の形態で含み得る。たとえば、ＤＣ駆
動の場合、正孔注入または正孔輸送層を陽極層と有機発
光層との間に密着して位置させ得、または電子輸送層を
有機発光層と陰極層間に位置させ得る。用いられた有機
物質によって、有機電気発光素子の有機中間層は電子的
活性物質、すなわち、正孔注入物質、正孔輸送物質、有
機発光物質および電子輸送物質の様々な組合を含む１
層、２層または３層形態であり得る。
【００１３】本発明の実施において、有機中間層は、電
子的活性有機化合物からスパッタリング法によって製造
することができる。
子的活性有機化合物からスパッタリング法によって製造
することができる。
【００１４】具体的に、減圧下、１０ないし２００Ｗ、
好ましくは、２０ないし５０Ｗのパワーで、ＲＦ発生機
を用いてガスプラズマを生成する。プラズマ生成に用い
られるガスとしては、アルゴンのような不活性ガスだけ
でなく、酸素のような反応性ガスと使用され得る。該プ
ラズマを有機化合物と接触させて有機化合物をスパッタ
ーおよび気化する。ついで、有機化合物の蒸気を含むガ
スプラズマを基板と接触させて基板上に有機化合物の薄
膜を形成させる。前記蒸着は、６．５×１０− ３ないし
５．０×１０−２ｍｍＨｇの圧力下で１ないし３時間行
う。
好ましくは、２０ないし５０Ｗのパワーで、ＲＦ発生機
を用いてガスプラズマを生成する。プラズマ生成に用い
られるガスとしては、アルゴンのような不活性ガスだけ
でなく、酸素のような反応性ガスと使用され得る。該プ
ラズマを有機化合物と接触させて有機化合物をスパッタ
ーおよび気化する。ついで、有機化合物の蒸気を含むガ
スプラズマを基板と接触させて基板上に有機化合物の薄
膜を形成させる。前記蒸着は、６．５×１０− ３ないし
５．０×１０−２ｍｍＨｇの圧力下で１ないし３時間行
う。
【００１５】具体的な有機発光物質は、下記化１に示す
トリス(８−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム（Ａ
ｌｑ３）、４−(ジシアノメチレン)−２−メチル−６−
(４−ジメチルアミノスチリル)−４Ｈ−ピラン（ＤＣ
Ｍ）、１,４−ジスチリルベンゼン、アントラセン、テ
トラセン、ペントラセン、コロネン、ペリレン、ピレ
ン、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（II）、９,１０−
ジフェニルアントラセン、トリス（４,４,４−トリフル
オロ−１−(２−チエニル)−１,３−ブタンジオノ)−
１,１０−フェナントロリンユウロピウム(III)(Ｅｕ
（ＴＴＦＡ）３Ｐｈｅｎ）、トリス(２,４−ペンタジオ
ノ)−１,１０−フェナントロリンテルビウム(III)（Ｔ
ｂ（ＡＣＡＣ）３Ｐｈｅｎ）およびトリス(４,４,４−
トリフルオロ−１−(２−チエニル)−１,３−ブタンジ
オノ)−１,１０−フェナントロリンジスプロシウム（II
I）（Ｄｙ（ＴＴＦＡ）３Ｐｈｅｎ）などを含む。
トリス(８−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム（Ａ
ｌｑ３）、４−(ジシアノメチレン)−２−メチル−６−
(４−ジメチルアミノスチリル)−４Ｈ−ピラン（ＤＣ
Ｍ）、１,４−ジスチリルベンゼン、アントラセン、テ
トラセン、ペントラセン、コロネン、ペリレン、ピレ
ン、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（II）、９,１０−
ジフェニルアントラセン、トリス（４,４,４−トリフル
オロ−１−(２−チエニル)−１,３−ブタンジオノ)−
１,１０−フェナントロリンユウロピウム(III)(Ｅｕ
（ＴＴＦＡ）３Ｐｈｅｎ）、トリス(２,４−ペンタジオ
ノ)−１,１０−フェナントロリンテルビウム(III)（Ｔ
ｂ（ＡＣＡＣ）３Ｐｈｅｎ）およびトリス(４,４,４−
トリフルオロ−１−(２−チエニル)−１,３−ブタンジ
オノ)−１,１０−フェナントロリンジスプロシウム（II
I）（Ｄｙ（ＴＴＦＡ）３Ｐｈｅｎ）などを含む。
【００１６】
【化１】
【００１７】有機発光物質は、陽極上に、または正孔輸
送または正孔注入層が用いられる場合には正孔輸送また
は正孔注入層の表面上に形成される。有機電気発光素子
における有機発光層の厚さは２０ないし３０ｎｍの範囲
である。
送または正孔注入層が用いられる場合には正孔輸送また
は正孔注入層の表面上に形成される。有機電気発光素子
における有機発光層の厚さは２０ないし３０ｎｍの範囲
である。
【００１８】具体的な正孔注入または正孔輸送物質の例
としては、下記化２に示すフタロシアニン銅（ＰＣＣ−
α）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス(３−メ
チルフェニル)−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジ
アミン(ＴＰＤ)、４，４’、４″−トリス(３−メチル
フェニルアミノ)トリフェニルアミン(ｍ−ＭＴＤＡＴ
Ａ)およびＮ，Ｎ’−ジフェニル− Ｎ，Ｎ’−ジナフチ
ル−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（α−
ＮＰＤ）などを挙げることができる。
としては、下記化２に示すフタロシアニン銅（ＰＣＣ−
α）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス(３−メ
チルフェニル)−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジ
アミン(ＴＰＤ)、４，４’、４″−トリス(３−メチル
フェニルアミノ)トリフェニルアミン(ｍ−ＭＴＤＡＴ
Ａ)およびＮ，Ｎ’−ジフェニル− Ｎ，Ｎ’−ジナフチ
ル−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（α−
ＮＰＤ）などを挙げることができる。
【００１９】
【化２】
【００２０】有機発光素子の製造において、正孔輸送層
の厚さは０．５ないし４０ｎｍの範囲である。
の厚さは０．５ないし４０ｎｍの範囲である。
【００２１】電子輸送物質の具体的な例としては、Ａｌ
ｑ３、ＬｉＦ、２−(４−ビフェニル)−５−(４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル)−１,３,４−オキサジアゾール
（Ｂ−ＰＢＤ）、３−(４−ビフェニリル）−４−フェ
ニル−５−(４−ｔ−ブチルフェニル)−１，２，４−ト
リアゾール（ＴＡＺ）、２，５−ビス(１−ナフトリル)
−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）などのよう
なオキサジアゾール誘導体などを含む。電子輸送層は、
有機発光層の製造時と同様な手順に従って２ないし３０
ｎｍの厚さで有機発光層上に電子輸送物質を蒸着して製
造し得る。
ｑ３、ＬｉＦ、２−(４−ビフェニル)−５−(４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル)−１,３,４−オキサジアゾール
（Ｂ−ＰＢＤ）、３−(４−ビフェニリル）−４−フェ
ニル−５−(４−ｔ−ブチルフェニル)−１，２，４−ト
リアゾール（ＴＡＺ）、２，５−ビス(１−ナフトリル)
−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）などのよう
なオキサジアゾール誘導体などを含む。電子輸送層は、
有機発光層の製造時と同様な手順に従って２ないし３０
ｎｍの厚さで有機発光層上に電子輸送物質を蒸着して製
造し得る。
【００２２】本発明によれば、図１に示すような通常の
スパッタリング装置を用いて有機層を製造し得る。
スパッタリング装置を用いて有機層を製造し得る。
【００２３】スパッタリング工程で、基板は７０ないし
９０℃範囲の温度に維持され得、蒸着温度は０．０５な
いし１ｎｍ／秒の範囲であり得る。
９０℃範囲の温度に維持され得、蒸着温度は０．０５な
いし１ｎｍ／秒の範囲であり得る。
【００２４】本発明の方法は、二つ以上の有機物質を混
合物の形態で用いることによって一段階に蒸着できると
いう利点がある。
合物の形態で用いることによって一段階に蒸着できると
いう利点がある。
【００２５】本発明によって製造された有機発光素子は
高い密度、均一な厚さおよび改善された界面接触性を有
する有機層を含む。本発明による有機発光素子は平板パ
ネルディスプレー形態であり得、本発明は、有機電気発
光素子だけでなく、レーザーダイオード、太陽電池、Ｆ
ＥＴ、光ダイオードなどに活用され得る。
高い密度、均一な厚さおよび改善された界面接触性を有
する有機層を含む。本発明による有機発光素子は平板パ
ネルディスプレー形態であり得、本発明は、有機電気発
光素子だけでなく、レーザーダイオード、太陽電池、Ｆ
ＥＴ、光ダイオードなどに活用され得る。
【００２６】
【実施例】以下、本発明を下記実施例によってさらに詳
細に説明する。ただし、下記実施例は本発明を例示する
のみであり、本発明の範囲を制限しない。
細に説明する。ただし、下記実施例は本発明を例示する
のみであり、本発明の範囲を制限しない。
【００２７】（実施例１：スパッタリング法による有機
層の蒸着）透明ガラス基板をエキストラン（Extran）溶
液→アセトン溶液→エタノールで各々１時間超音波洗浄
した後、エタノールに保管した。
層の蒸着）透明ガラス基板をエキストラン（Extran）溶
液→アセトン溶液→エタノールで各々１時間超音波洗浄
した後、エタノールに保管した。
【００２８】フタロシアニン銅(II)（ＰＣＣ−α、正孔
注入物質）を２６０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力下で３０分間
圧縮して直径１２７ｍｍのパレットに成形し、これをタ
ーゲットサンプルとして用いた。同様に、トリス（８−
ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３、有
機発光物質）からなるまた一つのターゲットサンプルを
製造した。
注入物質）を２６０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力下で３０分間
圧縮して直径１２７ｍｍのパレットに成形し、これをタ
ーゲットサンプルとして用いた。同様に、トリス（８−
ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３、有
機発光物質）からなるまた一つのターゲットサンプルを
製造した。
【００２９】図１の装置を用いて次のようにガラス基板
をＰＣＣ−αまたはＡｌｑ３でコーティングした。
をＰＣＣ−αまたはＡｌｑ３でコーティングした。
【００３０】チャンバー１００において、基板ヒーター
５が装着されている基板ホルダー４にガラス基板６を位
置させ、永久磁石２と冷却手段からなるターゲットホル
ダー１にＰＣＣ−αまたはＡｌｑ３のターゲットパレッ
ト７を位置させた。ベント９を通じて排気させることに
よって、チャンバー１００の内圧を８×１０−６トルに
減圧し、その後、注入口８を通じてチャンバー１００に
アルゴンを２ないし８ｓｃｃｍの流速で注入してチャン
バー１００の内圧を２ｘ１０−３トルに維持した。ター
ゲットホルダー１にＲＦパワー（Ａｌｑ３の場合４０
Ｗ、ＰＣＣ−αの場合４５Ｗ）を印加するとともに、オ
ートマッチング手段２００およびＲＦ発生装置３００を
駆動させてアルゴンプラズマー１１を生成させた。生成
されたプラズマーはターゲット７とシャッター１０の間
の領域に局限されているが、ガスプラズマがターゲット
と接触するとガスプラズマはターゲットをスパッターし
て気化させる。
５が装着されている基板ホルダー４にガラス基板６を位
置させ、永久磁石２と冷却手段からなるターゲットホル
ダー１にＰＣＣ−αまたはＡｌｑ３のターゲットパレッ
ト７を位置させた。ベント９を通じて排気させることに
よって、チャンバー１００の内圧を８×１０−６トルに
減圧し、その後、注入口８を通じてチャンバー１００に
アルゴンを２ないし８ｓｃｃｍの流速で注入してチャン
バー１００の内圧を２ｘ１０−３トルに維持した。ター
ゲットホルダー１にＲＦパワー（Ａｌｑ３の場合４０
Ｗ、ＰＣＣ−αの場合４５Ｗ）を印加するとともに、オ
ートマッチング手段２００およびＲＦ発生装置３００を
駆動させてアルゴンプラズマー１１を生成させた。生成
されたプラズマーはターゲット７とシャッター１０の間
の領域に局限されているが、ガスプラズマがターゲット
と接触するとガスプラズマはターゲットをスパッターし
て気化させる。
【００３１】次いで、シャッター１０をオープンしてタ
ーゲット物質の蒸気を含有するガスプラズマを７０ない
し９０℃に維持された基板６に接触させて基板上にター
ゲット物質の３０ｎｍ厚さのコーティングを形成した。
ーゲット物質の蒸気を含有するガスプラズマを７０ない
し９０℃に維持された基板６に接触させて基板上にター
ゲット物質の３０ｎｍ厚さのコーティングを形成した。
【００３２】（比較例１：熱蒸着法による有機層の蒸
着）実施例１の工程と同様であるが、Ａｌｑ３またはＰ
ＣＣ−αの蒸気を２００℃の温度、３×１０−８の減圧
下、真空オーブン内でガラス基板と接触させることによ
って、通常の熱蒸着法に従って、Ａｌｑ３またはＰＣＣ
−α薄膜をガラス基板上に形成させた。
着）実施例１の工程と同様であるが、Ａｌｑ３またはＰ
ＣＣ−αの蒸気を２００℃の温度、３×１０−８の減圧
下、真空オーブン内でガラス基板と接触させることによ
って、通常の熱蒸着法に従って、Ａｌｑ３またはＰＣＣ
−α薄膜をガラス基板上に形成させた。
【００３３】（実施例２：蒸着された有機層薄膜の物性
試験）実施例１のようにスパッタリングによって製造さ
れたＡｌｑ３またはＰＣＣ−α薄膜がスパッタリングに
よって分子構成上の変化が起ったかを調査するために、
これら薄膜の表面とこれら薄膜に原料として用いられた
Ａｌｑ３またはＰＣＣ−α物質のパレット表面に対して
ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐ
ｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析実験を行った。また、比較
用として前記薄膜を比較例１のように熱蒸着法によって
形成した場合に対しても表面分析を行った。その結果を
図２および図３に示すが、図２において、１は比較例１
に従って熱蒸着法によって形成されたＡｌｑ３薄膜、２
は実施例１に従ってスパッタリングによって形成された
Ａｌｑ３薄膜、３はＡｌｑ３パレットを示し、図３にお
いて、１は比較例１に従って熱蒸着法によって形成され
たＰＣＣ−α薄膜、２は実施例１に従ってスパッタリン
グによって形成されたＰＣＣ−α薄膜、３はＰＣＣ−α
パレットを示す。
試験）実施例１のようにスパッタリングによって製造さ
れたＡｌｑ３またはＰＣＣ−α薄膜がスパッタリングに
よって分子構成上の変化が起ったかを調査するために、
これら薄膜の表面とこれら薄膜に原料として用いられた
Ａｌｑ３またはＰＣＣ−α物質のパレット表面に対して
ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐ
ｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析実験を行った。また、比較
用として前記薄膜を比較例１のように熱蒸着法によって
形成した場合に対しても表面分析を行った。その結果を
図２および図３に示すが、図２において、１は比較例１
に従って熱蒸着法によって形成されたＡｌｑ３薄膜、２
は実施例１に従ってスパッタリングによって形成された
Ａｌｑ３薄膜、３はＡｌｑ３パレットを示し、図３にお
いて、１は比較例１に従って熱蒸着法によって形成され
たＰＣＣ−α薄膜、２は実施例１に従ってスパッタリン
グによって形成されたＰＣＣ−α薄膜、３はＰＣＣ−α
パレットを示す。
【００３４】図２および図３は、本発明のスパッタリン
グ法によって製造された薄膜が出発物質および通常の熱
蒸着法によって製造された薄膜と同一な分子組成を有す
ることを示す。
グ法によって製造された薄膜が出発物質および通常の熱
蒸着法によって製造された薄膜と同一な分子組成を有す
ることを示す。
【００３５】
【発明の効果】本発明によって有機電気発光素子の有機
層をスパッタリング法によって形成すれば、高い見かけ
密度の均一な薄膜を形成することができ、また、二つの
物質以上の有機物を蒸着させる場合にも正確な組成比の
有機層を高生産性で形成することができる。
層をスパッタリング法によって形成すれば、高い見かけ
密度の均一な薄膜を形成することができ、また、二つの
物質以上の有機物を蒸着させる場合にも正確な組成比の
有機層を高生産性で形成することができる。
【図１】本発明の方法に適用されるＲＦマグネトロン・
スパッタリング・システムを示す図。
スパッタリング・システムを示す図。
【図２】Ａｌｑ３から形成された有機薄膜層のＸＰＳ分
析結果を示す図。
析結果を示す図。
【図３】ＰＣＣ−αから形成された有機薄膜層のＸＰＳ
分析結果を示す図。
分析結果を示す図。
１…ターゲットホルダー、 ２…永久磁石、 ３…冷却手段、 ４…基板ホルダー、 ５…基板ヒーター、 ６…基板、 ７…ターゲット、 ８…ガス注入口、 ９…ベント（ｖｅｎｔ）、 １１…ガスプラズマ、 １０…シャッター、 １００…チャンバー、 ２００…オートマッチング手段、 ３００…ＲＦ発生装置。
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板、透明電極、金属電極、および
前記二つの電極の間に位置する有機中間層を含む有機電
気発光素子の製造方法において、前記有機中間層を電子
的活性有機化合物から、ｉ）減圧下、１０ないし２００
Ｗのパワーで、ＲＦ発生機を用いてガスプラズマを生成
し、これを有機化合物と接触して有機化合物の蒸気を生
成する段階、およびii）有機化合物の蒸気を含有するガ
スプラズマを基板と６．５×１０−３ないし５．０×１
０−２ｍｍＨｇの圧力下で１ないし３時間接触して基板
上に有機化合物の薄膜を蒸着する段階によって製造する
ことを特徴とする有機電気発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記有機中間層が、有機発光層および任
意に正孔注入または正孔輸送層および／または電子輸送
層を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記電子的活性有機化合物が、トリス
（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウムまたはフ
タロシアニン銅であることを特徴とする請求項１記載の
方法。 - 【請求項４】 二つ以上の有機化合物を混合物の形態で
製造して一段階に蒸着することを特徴とする請求項１記
載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1998-42008 | 1998-10-08 | ||
| KR1019980042008A KR100282024B1 (ko) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 스퍼터링에 의한 유기전기발광소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000133448A true JP2000133448A (ja) | 2000-05-12 |
Family
ID=19553326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28824899A Pending JP2000133448A (ja) | 1998-10-08 | 1999-10-08 | 有機電気発光素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000133448A (ja) |
| KR (1) | KR100282024B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111051565A (zh) * | 2016-10-07 | 2020-04-21 | 苏文淑 | 利用rf溅射装置形成oled用有机薄膜层的方法及rf溅射装置及用于rf溅射装置的靶材成型装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420056B1 (en) * | 1999-07-08 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | Electroluminescent device with dye-containing organic-inorganic hybrid materials as an emitting layer |
-
1998
- 1998-10-08 KR KR1019980042008A patent/KR100282024B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-10-08 JP JP28824899A patent/JP2000133448A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111051565A (zh) * | 2016-10-07 | 2020-04-21 | 苏文淑 | 利用rf溅射装置形成oled用有机薄膜层的方法及rf溅射装置及用于rf溅射装置的靶材成型装置 |
| JP2020530531A (ja) * | 2016-10-07 | 2020-10-22 | パターニア・カンパニー・リミテッドＰａｔｔｅｒｎｉａ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | Ｒｆスパッタリング装置を用いたｏｌｅｄ用有機薄膜層の形成方法及び前記ｒｆスパッタリング装置、並びに前記ｒｆスパッタリング装置で使用されるターゲットを成形する装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000025080A (ko) | 2000-05-06 |
| KR100282024B1 (ko) | 2001-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4526776B2 (ja) | 発光装置及び電子機器 | |
| US6551725B2 (en) | Inorganic buffer structure for organic light-emitting diode devices | |
| JP4932925B2 (ja) | 発光装置 | |
| US6797129B2 (en) | Organic light-emitting device structure using metal cathode sputtering | |
| US20100147220A1 (en) | Evaporation container and vapor deposition apparatus | |
| JP2003017244A (ja) | 有機電界発光素子およびその製造方法 | |
| US20030129447A1 (en) | Sputtered cathode having a heavy alkaline metal halide-in an organic light-emitting device structure | |
| JPH0831573A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JP2007118564A (ja) | ガスバリア材料およびその製造方法、並びに、ガスバリア層の設置方法 | |
| JP2797905B2 (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子 | |
| TW508972B (en) | Method of depositing aluminum-lithium alloy cathode in organic light emitting devices | |
| US7402947B2 (en) | Anode for organic light emitting diode | |
| JPH11126689A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子 | |
| JP3719797B2 (ja) | 有機薄膜表面への導電性薄膜形成方法 | |
| JP2005340225A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2000133448A (ja) | 有機電気発光素子の製造方法 | |
| JPH11242994A (ja) | 発光素子およびその製造方法 | |
| JPH08213171A (ja) | 多色発光装置の製造方法 | |
| JP4124888B2 (ja) | 有機発光素子の製造方法 | |
| JP4527089B2 (ja) | 電界発光素子および前記電界発光素子を用いた発光装置 | |
| JP4443872B2 (ja) | 電界発光素子、発光装置、電気器具 | |
| JP2000164355A (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JP2000133466A (ja) | 表面改質ｉｔｏ膜、その表面処理方法およびそれを用いた電荷注入型発光素子 | |
| JP3868061B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3972584B2 (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 |