JP2000124744A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2000124744A5
JP2000124744A5 JP1998289832A JP28983298A JP2000124744A5 JP 2000124744 A5 JP2000124744 A5 JP 2000124744A5 JP 1998289832 A JP1998289832 A JP 1998289832A JP 28983298 A JP28983298 A JP 28983298A JP 2000124744 A5 JP2000124744 A5 JP 2000124744A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
bipolar transistor
current
circuit
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1998289832A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000124744A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP10289832A priority Critical patent/JP2000124744A/ja
Priority claimed from JP10289832A external-priority patent/JP2000124744A/ja
Priority to US09/416,372 priority patent/US6285245B1/en
Publication of JP2000124744A publication Critical patent/JP2000124744A/ja
Publication of JP2000124744A5 publication Critical patent/JP2000124744A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のダイオードを構成する第１のバイポーラトランジスタと上記第１のダイオードの両端の電圧を増幅して所定の電圧を出力する増幅回路とを含む電圧発生回路と、
上記第１のダイオードに電流を供給する基準電流源回路と、
上記第１のダイオードに流れる電流をバイパスする電流制御回路と、
を有する定電圧発生回路。
【請求項２】
上記電流制御回路は、第１の電源端子と第２の電源端子と間に直列に接続されている第１の抵抗素子、第２のバイポーラトランジスタ及び第３のバイポーラトランジスタと、上記第１のダイオードに並列に接続されている第４のバイポーラトランジスタとを含み、上記第２のバイポーラトランジスタのベースがそのコレクタに接続されて第２のダイオードが構成され、上記第３のバイポーラトランジスタのベースと上記第４のバイポーラトランジスタのベースとが上記第３のバイポーラトランジスタのコレクタに接続されて第１のカレントミラー回路が構成されている請求項１に記載の定電圧発生回路。
【請求項３】
上記基準電流源回路は、上記第１の電源端子と上記第１のダイオードのアノードとの間に接続されている第１のＭＯＳトランジスタと、ゲート及びドレインが上記第１のＭＯＳトランジスタのゲートに接続されている第２のＭＯＳトランジスタとを含み、上記第１のＭＯＳトランジスタと上記第２のＭＯＳトランジスタとで第２のカレントミラー回路が構成されている請求項１又は２記載の定電圧発生回路。
【請求項４】
上記基準電流回路は、上記第１の電源端子と上記第２の電源端子との間に直列に接続されている第２の抵抗素子及び第５のバイポーラトランジスタと、上記第２のＭＯＳトランジスタのドレインと上記第２の電源端子との間に接続されている第６のバイポーラトランジスタと、上記第１の電源端子と上記第２の電源端子との間に直列に接続されている第３の抵抗素子、第７のバイポーラトランジスタ及び第８のバイポーラトランジスタと、上記第５のバイポーラトランジスタに並列に接続されている第９のバイポーラトランジスタと、上記第１の電源端子と上記第２の電源端子との間に直列に接続されている第１０のバイポーラトランジスタ及び第４の抵抗素子とを含み、上記第５のバイポーラトランジスタのベースと上記第６のバイポーラトランジスタのベースとが上記第５のバイポーラトランジスタのコレクタに接続されて第３のカレントミラー回路が構成され、上記第７のバイポーラトランジスタのベースと上記第１０のバイポーラトランジスタのベースとが上記第７のバイポーラトランジスタのコレクタに接続されて第４のカレントミラー回路が構成され、上記第８のバイポーラトランジスタのベースと上記第９のバイポーラトランジスタのベースとが上記第１０のバイポーラトランジスタと上記第４の抵抗素子との接続中点に接続されている請求項３記載の定電圧発生回路。
【請求項５】
第１のダイオードとして接続された第１のバイポーラトランジスタと、
第１のバイポーラトランジスタに結合され、上記第１のトランジスタを横切る電圧を増幅して出力端子に所定の電圧を供給する増幅回路と、
上記第１のトランジスタに対して電流を与える基準電流源回路と、
上記第１のトランジスタに結合され、上記出力端子における負の温度係数を有する上記所定の電圧を保障するために上記第１のトランジスタから電流を分流する制御回路と、
を有する定電圧発生回路。
【請求項６】
上記出力端子の電圧を受けるように結合されたＥＣＬ回路を更に有し、
上記出力電圧の負の温度係数が上記ＥＣＬ回路の熱暴走を防止する請求項５に記載の定電圧発生回路。
更には、基準電流回路は、上記第１の電源端子と上記第２の電源端子との間に直列に接続されている第２の抵抗素子及び第５のバイポーラトランジスタと、上記第２のＭＯＳトランジスタのドレインと上記第２の電源端子との間に接続されている第６のバイポーラトランジスタと、上記第１の電源端子と上記第２の電源端子との間に直列に接続されている第３の抵抗素子、第７のバイポーラトランジスタ及び第８のバイポーラトランジスタと、上記第５のバイポーラトランジスタに並列に接続されている第９のバイポーラトランジスタと、上記第１の電源端子と上記第２の電源端子との間に直列に接続されている第１０のバイポーラトランジスタ及び第４の抵抗素子とを含み、上記第５のバイポーラトランジスタのベースと上記第６のバイポーラトランジスタのベースとが上記第５のバイポーラトランジスタのコレクタに接続されて第３のカレントミラー回路が構成され、上記第７のバイポーラトランジスタのベースと上記第１０のバイポーラトランジスタのベースとが上記第７のバイポーラトランジスタのコレクタに接続されて第４のカレントミラー回路が構成され、上記第８のバイポーラトランジスタのベースと上記第９のバイポーラトランジスタのベースとが上記第１０のバイポーラトランジスタと上記第４の抵抗素子との接続中点に接続されている。
また、第１のダイオードとして接続された第１のバイポーラトランジスタと、第１のバイポーラトランジスタに結合され、上記第１のトランジスタを横切る電圧を増幅して出力端子に所定の電圧を供給する増幅回路と、上記第１のトランジスタに対して電流を与える基準電流源回路と、上記第１のトランジスタに結合され、上記出力端子における負の温度係数を有する上記所定の電圧を保障するために上記第１のトランジスタから電流を分流する制御回路とを有する定電圧発生回路を提供する。
さらに、上記出力端子の電圧を受けるように結合されたＥＣＬ回路を更に有し、上記出力電圧の負の温度係数が上記ＥＣＬ回路の熱暴走を防止する請求項５に記載の定電圧発生回路を提供する。
電流源回路１０の概略動作を述べる。
トランジスタＱＡ２のベースにはトランジスタＱＡ１のコレクタ電圧が印加され、トランジスタＱＡ１のベースには抵抗素子ＲＡ２の端子電圧が印加されている。
トランジスタＱＡ２に流れる電流ｉ(QA2) は抵抗素子ＲＡ２の抵抗値RA2 によって規定され、ｉ(QA2) ＝ＶBE(QA1) ／RA2 である。ここで、トランジスタＱＡ１のベース・エミッタ間電圧ＶBE(QA1) と抵抗素子ＲＡ２の抵抗値RA2 とは共に温度係数が負であり、温度上昇に伴って値が小さくなるから、ＶBE／RA2 は打ち消しあい大きな温度係数にはならない。すなわち、トランジスタＱＡ１に流れる電流ｉ(QA1) の温度係数は大きな値とはならず、温度依存性がないと考えることができる。
トランジスタＭＰ１とトランジスタＭＰ２とはカレントミラー型定電流源回路を構成しているから、トランジスタＭＰ２にはトランジスタＭＰ１に流れる電流と同じ電流が流れる。すなわち、トランジスタＭＰ２からｉ(MP2) ＝ＶBE(QA1)／ＲＡ２の電流が電圧発生回路３０のノードＮ１に流れる。
このように、電流源回路１０は一定の電流ｉ(MP2) を電圧発生回路３０に提供する基準電流源回路として機能する。
トランジスタＱＡ１４と同じ電流がトランジスタＱＡ１３に流れる。よって、トランジスタＱＡ１３は、そこに流れる電流分だけノードＮ２から電流を引き抜く。また、抵抗素子ＲＡ１１に流れる電流は、ｉ（ＲＡ１１）＝（Ｖcc−Ｖ BE ）／ＲＡ11と表わすことができる。
第２のカレントミラー型定電流源回路を構成しているトランジスタＱＡ１１に流れる電流は抵抗素子ＲＡ１１に流れる電流からトランジスタＱＡ１３に流れる電流を引いた電流であるから、抵抗素子ＲＡ１１とＲＡ１２とを等しい抵抗値に設定することにより、下記式で規定される。
JP10289832A 1998-10-12 1998-10-12 定電圧発生回路 Pending JP2000124744A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10289832A JP2000124744A (ja) 1998-10-12 1998-10-12 定電圧発生回路
US09/416,372 US6285245B1 (en) 1998-10-12 1999-10-12 Constant voltage generating circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10289832A JP2000124744A (ja) 1998-10-12 1998-10-12 定電圧発生回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000124744A JP2000124744A (ja) 2000-04-28
JP2000124744A5 true JP2000124744A5 (ja) 2005-11-24

Family

ID=17748357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10289832A Pending JP2000124744A (ja) 1998-10-12 1998-10-12 定電圧発生回路

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6285245B1 (ja)
JP (1) JP2000124744A (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7216064B1 (en) * 1993-09-21 2007-05-08 Intel Corporation Method and apparatus for programmable thermal sensor for an integrated circuit
JP2000331490A (ja) * 1999-05-18 2000-11-30 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP2002270768A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Nec Corp Ｃｍｏｓ基準電圧回路
US6667608B2 (en) * 2002-04-22 2003-12-23 King Billion Electronics Co., Ltd. Low voltage generating circuit
EP1865398A1 (en) * 2006-06-07 2007-12-12 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH A temperature-compensated current generator, for instance for 1-10V interfaces
JP2011258033A (ja) 2010-06-10 2011-12-22 Panasonic Corp 定電圧回路
JP5782346B2 (ja) * 2011-09-27 2015-09-24 セイコーインスツル株式会社 基準電圧回路
JP6028431B2 (ja) * 2012-07-12 2016-11-16 セイコーＮｐｃ株式会社 Ｅｃｌ出力回路

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8400637A (nl) * 1984-02-29 1985-09-16 Philips Nv Kaskode-stroombronschakeling.
US4795918A (en) * 1987-05-01 1989-01-03 Fairchild Semiconductor Corporation Bandgap voltage reference circuit with an npn current bypass circuit
US5038053A (en) * 1990-03-23 1991-08-06 Power Integrations, Inc. Temperature-compensated integrated circuit for uniform current generation
KR940003406B1 (ko) * 1991-06-12 1994-04-21 삼성전자 주식회사 내부 전원전압 발생회로
US5304918A (en) * 1992-01-22 1994-04-19 Samsung Semiconductor, Inc. Reference circuit for high speed integrated circuits
US7216064B1 (en) * 1993-09-21 2007-05-08 Intel Corporation Method and apparatus for programmable thermal sensor for an integrated circuit
JP3374541B2 (ja) * 1994-08-22 2003-02-04 富士電機株式会社 定電流回路の温度依存性の調整方法
JP3039454B2 (ja) * 1997-06-23 2000-05-08 日本電気株式会社 基準電圧発生回路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005526412A5 (ja)
JP2000124744A5 (ja)
JP2000124744A (ja) 定電圧発生回路
JP4479309B2 (ja) 基準電流発生回路及び基準電圧発生回路
JPS5827540Y2 (ja) 電力増幅器
CN220290114U (zh) 恒流源电路及电池保护板测试机
CN203133550U (zh) 集成电路、电机控制系统及发动机电子控制单元
JPH09270641A (ja) 電界効果トランジスタ用バイアス回路
JPH0331084Y2 (ja)
JPS6347064Y2 (ja)
JPS6223278Y2 (ja)
JP3736077B2 (ja) 電圧比較回路
JPS6145625Y2 (ja)
JPH0438568Y2 (ja)
KR100577552B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 내부 전압 변환회로
JP3329201B2 (ja) 電源装置
JPS6246330Y2 (ja)
JP2749159B2 (ja) 定電圧回路
JP4469017B1 (ja) 電気増幅回路
JPS589289Y2 (ja) 定電流回路
JPH0248896Y2 (ja)
JPS6119543Y2 (ja)
SU1185319A1 (ru) "ctaбилизatop пoctoяhhoгo haпpяжehия"
CN117348669A (zh) 一种可降低恒流源内晶体管功耗的电路
JPS6035294Y2 (ja) 出力トランジスタの過負荷保護回路