JPS6347064Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6347064Y2 JPS6347064Y2 JP1979151737U JP15173779U JPS6347064Y2 JP S6347064 Y2 JPS6347064 Y2 JP S6347064Y2 JP 1979151737 U JP1979151737 U JP 1979151737U JP 15173779 U JP15173779 U JP 15173779U JP S6347064 Y2 JPS6347064 Y2 JP S6347064Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- base
- temperature
- resistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案はトランジスタ回路、特にプツシユプ
ル増幅器の温度による動作点の変動を補償する温
度補償電圧発生回路に関する。
ル増幅器の温度による動作点の変動を補償する温
度補償電圧発生回路に関する。
従来よりトランジスタの温度補償電圧発生回路
として第１図点線内の様な回路が知られていた。
第１図においてトランジスタ２のベースは入力端
子１２に接続され、エミツタは抵抗８を介して電
源−Ｂに接続され、コレクタはトランジスタ４の
ベース、トランジスタ１のエミツタ及び抵抗１０
の一端に接続される。トランジスタ１のベースは
抵抗１０の他端及び抵抗９の一端に接続され、コ
レクタは抵抗９の他端及びトランジスタ３のベー
スに接続されると共に、抵抗７を介して電源＋Ｂ
に接続される。トランジスタ３及び４のエミツタ
は抵抗５及び６を介して負荷１１に接続され、コ
レクタはそれぞれ電源＋Ｂ及び−Ｂに接続され
る。
として第１図点線内の様な回路が知られていた。
第１図においてトランジスタ２のベースは入力端
子１２に接続され、エミツタは抵抗８を介して電
源−Ｂに接続され、コレクタはトランジスタ４の
ベース、トランジスタ１のエミツタ及び抵抗１０
の一端に接続される。トランジスタ１のベースは
抵抗１０の他端及び抵抗９の一端に接続され、コ
レクタは抵抗９の他端及びトランジスタ３のベー
スに接続されると共に、抵抗７を介して電源＋Ｂ
に接続される。トランジスタ３及び４のエミツタ
は抵抗５及び６を介して負荷１１に接続され、コ
レクタはそれぞれ電源＋Ｂ及び−Ｂに接続され
る。
以上の構成において、出力トランジスタ３及び
４の両ベース間のバイアス電圧Ｅは次式で表わせ
る。
４の両ベース間のバイアス電圧Ｅは次式で表わせ
る。
Ｅ＝VBER9＋R10／R10 …(1)
但しVBEはトランジスタ１のベースエミツタ間
電圧である。そして電圧Ｅの温度係数dE／dTは次式 で表わせる。
電圧である。そして電圧Ｅの温度係数dE／dTは次式 で表わせる。
dE／dT＝R9＋R10／R10 dVBE／dT …(2)
ここで一般にトランジスタのベースエミツタ間
電圧VBEに関し dVBE／dT≒VBE−Vg／Ｔ …(3) 但しVg：エネルギーギヤツプポテンシヤル Ｔ：接合部温度 なる関係がある。（日刊工業新聞社発行「電子物
性と半導体素子」122頁）又 VBE≒KT／ｇln（IE／IS−１） …(4) 但しＫ：ポルツマン定数 ｇ：電子の電荷 IS：エミツタ接合飽和電流 IE：エミツタ電流 と表わせ、エミツタ電流IEを変えるとベースエミ
ツタ間電圧VBEが変ることがわかる。
電圧VBEに関し dVBE／dT≒VBE−Vg／Ｔ …(3) 但しVg：エネルギーギヤツプポテンシヤル Ｔ：接合部温度 なる関係がある。（日刊工業新聞社発行「電子物
性と半導体素子」122頁）又 VBE≒KT／ｇln（IE／IS−１） …(4) 但しＫ：ポルツマン定数 ｇ：電子の電荷 IS：エミツタ接合飽和電流 IE：エミツタ電流 と表わせ、エミツタ電流IEを変えるとベースエミ
ツタ間電圧VBEが変ることがわかる。
第(3)式より例えばシリコントランジスタのベー
スエミツタ間電圧VBEとその温度係数dVBE／dTの関 係を示したものが第２図であり、これによりベー
スエミツタ間電圧VBEの値を変える（則ち(4)式よ
りエミツタ電流IEを変化させる）とベースエミツ
タ間電圧の温度係数dVBE／dTが変化する事が分る。
スエミツタ間電圧VBEとその温度係数dVBE／dTの関 係を示したものが第２図であり、これによりベー
スエミツタ間電圧VBEの値を変える（則ち(4)式よ
りエミツタ電流IEを変化させる）とベースエミツ
タ間電圧の温度係数dVBE／dTが変化する事が分る。
しかし、第１図の様な回路に於てはトランジスタ
２に流れる電流（即ちトランジスタ１のエミツタ
電流）は回路の性能（高域特性、歪み等）や出力
トランジスタのドライヴ等により決定するので、
自由に設定することは出来ず、(4)式によりトラン
ジスタ１のベースエミツタ間電圧VBEの値が決定
され、(1)式より所望のバイアス電圧Ｅに対する
R9＋R10／R10の値が決定される。
２に流れる電流（即ちトランジスタ１のエミツタ
電流）は回路の性能（高域特性、歪み等）や出力
トランジスタのドライヴ等により決定するので、
自由に設定することは出来ず、(4)式によりトラン
ジスタ１のベースエミツタ間電圧VBEの値が決定
され、(1)式より所望のバイアス電圧Ｅに対する
R9＋R10／R10の値が決定される。
従つて(2)，(3)式によりdE／dTはある値に決定され
てしまい変えることが出来ない。この為、温度の
変化による出力トランジスタの動作点の変動を充
分補償出来ないという欠点があつた。
変化による出力トランジスタの動作点の変動を充
分補償出来ないという欠点があつた。
本考案は出力トランジスタの温度上昇による熱
暴走破壊を防止することを目的とし、プツシユプ
ル出力トランジスタの入力電極間に第１及び第２
の抵抗による直列回路を接続し、直列回路の両端
に第１の温度補償用トランジスタのコレクタ及び
エミツタを接続し、第１及び第２の抵抗の共通接
続点と第１の温度補償用トランジスタのベースと
の間にダイオード又は温度補償用トランジスタの
ベース・エミツタを接続し、第１及び第２の抵抗
でバイアス電圧の温度係数の係数を１より大とな
すと共にダイオード又は第２の温度補償用トラン
ジスタの動作電流が第１の温度補償用トランジス
タの略１／hFEに設定できるので温度係数を大き
く設定することができ、バイアス電圧の温度係数
を大きく設定して出力トランジスタの熱暴走によ
る破壊を防止するものである。
暴走破壊を防止することを目的とし、プツシユプ
ル出力トランジスタの入力電極間に第１及び第２
の抵抗による直列回路を接続し、直列回路の両端
に第１の温度補償用トランジスタのコレクタ及び
エミツタを接続し、第１及び第２の抵抗の共通接
続点と第１の温度補償用トランジスタのベースと
の間にダイオード又は温度補償用トランジスタの
ベース・エミツタを接続し、第１及び第２の抵抗
でバイアス電圧の温度係数の係数を１より大とな
すと共にダイオード又は第２の温度補償用トラン
ジスタの動作電流が第１の温度補償用トランジス
タの略１／hFEに設定できるので温度係数を大き
く設定することができ、バイアス電圧の温度係数
を大きく設定して出力トランジスタの熱暴走によ
る破壊を防止するものである。
以下本考案を実施例に従つて詳細に説明する。
第３図は本考案の一実施例であり、第１図と異な
る所は、第１図においてはトランジスタ１のベー
スは抵抗９及び１０の共通接続点１７に直接接続
されているのに対し、第３図においてはトランジ
スタ１のベースはトランジスタ１４のエミツタに
接続されると共に抵抗１３を介してトランジスタ
１のエミツタに接続されている。又第３図におい
てはトランジスタ１４のベースは上記抵抗９，１
０に対応する抵抗９′，１０′の共通接続点１７′
に接続され、コレクタはトランジスタ１のコレク
タに接続されている。他の部分については第１図
と同様なので説明を省略する。
第３図は本考案の一実施例であり、第１図と異な
る所は、第１図においてはトランジスタ１のベー
スは抵抗９及び１０の共通接続点１７に直接接続
されているのに対し、第３図においてはトランジ
スタ１のベースはトランジスタ１４のエミツタに
接続されると共に抵抗１３を介してトランジスタ
１のエミツタに接続されている。又第３図におい
てはトランジスタ１４のベースは上記抵抗９，１
０に対応する抵抗９′，１０′の共通接続点１７′
に接続され、コレクタはトランジスタ１のコレク
タに接続されている。他の部分については第１図
と同様なので説明を省略する。
以上の様な構成において、バイアス電圧E′は、
E′＝（VBE＋VBE′）R9′＋R10′／R10′…(5)
但し、VBE′はトランジスタ１４のベースエミ
ツタ間電圧、R9′，R10′はそれぞれ抵抗９′，１
０′の抵抗値。となり、バイアス電圧E′の温度係
数dE′／dTは dE′／dT ＝R9′＋R10′／R10′（dVBE／dT＋dVBE′／dT）…
(6) となる。
ツタ間電圧、R9′，R10′はそれぞれ抵抗９′，１
０′の抵抗値。となり、バイアス電圧E′の温度係
数dE′／dTは dE′／dT ＝R9′＋R10′／R10′（dVBE／dT＋dVBE′／dT）…
(6) となる。
今トランジスタ１４のエミツタ電流がトランジ
スタ１のエミツタ電流のほぼ１／hFEと見なせる場合 VBE′＜VBEとなり従つて第２図より ｜dVBE′／dT｜＞｜dVBE／dT｜となる。
スタ１のエミツタ電流のほぼ１／hFEと見なせる場合 VBE′＜VBEとなり従つて第２図より ｜dVBE′／dT｜＞｜dVBE／dT｜となる。
従つて、バイアス電圧E′を第１図の場合と同じ
にするとバイアス電圧E′の温度係数dE′／dTの絶対値 は第１図の回路に於るよりも大となる。又抵抗１
３の抵抗値を小さくするに従つてトランジスタ１
４のベースエミツタ間電圧VBE′を大きく出来従
つてバイアス電圧E′の温度係数dE′／dTの絶対値を小 さくすることが出来る。尚第３図ではトランジス
タ１及び１４はダーリントン接続であるが３つ以
上のトランジスタを使用しても本考案の原理はそ
のまゝ生かされる。第４図は本考案による他の実
施例であり第３図のトランジスタ１４の代りにダ
イオード１５が使用されている。ダイオード１５
の順方向に電圧をVDとするとバイアス電圧E′及
びバイアス電圧E′の温度係数dE′／dTは(5)式及び(6)
式 のVBE′をVDにおき換えたものとなり、動作は第
３図の回路と同様である。上記のように本考案に
よると、第２の温度補償用トランジスタ又はダイ
オードの動作電流が第１の温度補償用トランジス
タの動作電力の略１／hFEに小さくでき、又第(6)
式に示すバイアス電圧E′の温度係数dE′／dTの係
数＝｛（第１の抵抗値＋第２の抵抗値）／第２の抵
抗値｝＞１であり結果としてdE′／dTを大きく設
定することができ、出力トランジスタの熱暴走に
よる破壊を防止する温度補償電圧を発生すること
ができる。
にするとバイアス電圧E′の温度係数dE′／dTの絶対値 は第１図の回路に於るよりも大となる。又抵抗１
３の抵抗値を小さくするに従つてトランジスタ１
４のベースエミツタ間電圧VBE′を大きく出来従
つてバイアス電圧E′の温度係数dE′／dTの絶対値を小 さくすることが出来る。尚第３図ではトランジス
タ１及び１４はダーリントン接続であるが３つ以
上のトランジスタを使用しても本考案の原理はそ
のまゝ生かされる。第４図は本考案による他の実
施例であり第３図のトランジスタ１４の代りにダ
イオード１５が使用されている。ダイオード１５
の順方向に電圧をVDとするとバイアス電圧E′及
びバイアス電圧E′の温度係数dE′／dTは(5)式及び(6)
式 のVBE′をVDにおき換えたものとなり、動作は第
３図の回路と同様である。上記のように本考案に
よると、第２の温度補償用トランジスタ又はダイ
オードの動作電流が第１の温度補償用トランジス
タの動作電力の略１／hFEに小さくでき、又第(6)
式に示すバイアス電圧E′の温度係数dE′／dTの係
数＝｛（第１の抵抗値＋第２の抵抗値）／第２の抵
抗値｝＞１であり結果としてdE′／dTを大きく設
定することができ、出力トランジスタの熱暴走に
よる破壊を防止する温度補償電圧を発生すること
ができる。
第１図は従来例を示す回路図、第２図はその動
作説明に用いる図、第３図は本考案の一実施例を
示す回路図、第４図は本考案の他の実施例を示す
回路図である。 図において１，２，３，４及び１４はトランジ
スタ、１５はダイオードである。
作説明に用いる図、第３図は本考案の一実施例を
示す回路図、第４図は本考案の他の実施例を示す
回路図である。 図において１，２，３，４及び１４はトランジ
スタ、１５はダイオードである。
Claims (1)
- エミツタより負荷側に電力を供給すべくプツシ
ユプル接続された第１及び第２の増幅用トランジ
スタの各入力電極間に第１及び第２の抵抗による
直列回路を接続し、上記第１及び第２の抵抗によ
る直列回路の両端にそれぞれ第１の温度補償用ト
ランジスタのコレクタ及びエミツタを接続し、上
記第１及び第２の抵抗の共通接続点と、上記第１
の温度補償用トランジスタのベースとの間に上記
第１の温度補償用トランジスタのベースエミツタ
間の導通方向に合わせてダイオード又は第２の温
度補償用トランジスタのベース・エミツタを接続
したことを特徴とするトランジスタ増幅器の温度
補償電圧発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979151737U JPS6347064Y2 (ja) | 1979-11-01 | 1979-11-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979151737U JPS6347064Y2 (ja) | 1979-11-01 | 1979-11-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5668312U JPS5668312U (ja) | 1981-06-06 |
| JPS6347064Y2 true JPS6347064Y2 (ja) | 1988-12-06 |
Family
ID=29382681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979151737U Expired JPS6347064Y2 (ja) | 1979-11-01 | 1979-11-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6347064Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4829747U (ja) * | 1971-08-14 | 1973-04-12 | ||
| JPS546843U (ja) * | 1977-06-17 | 1979-01-17 |
-
1979
- 1979-11-01 JP JP1979151737U patent/JPS6347064Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5668312U (ja) | 1981-06-06 |
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