JP2000118135A

JP2000118135A - 相変化形光記録媒体

Info

Publication number: JP2000118135A
Application number: JP10288492A
Authority: JP
Inventors: Katsuyuki Yamada; 勝之山田; Yuki Nakamura; 有希中村; Eiji Noda; 英治野田; Kenichi Aihara; 謙一相原; Ippei Ogawa; 一平小川
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1998-10-09
Filing date: 1998-10-09
Publication date: 2000-04-25
Anticipated expiration: 2018-10-09
Also published as: JP3969613B2

Abstract

(57)【要約】【課題】マルチスピードで記録・消去が可能な相変化
形光ディスクを提供する。【解決手段】基板／第１耐熱層／記録層／第２耐熱層
／反射放熱層／紫外線硬化樹脂の順に積層してなる相変
化光記録媒体において、記録層がＡｇ_αＩｎ_βＳｂ_γＴ
ｅ_δＮ／Ｏ_εで、０＜α≦６、３≦β≦１５、５０≦γ
≦６５、２０≦δ≦３５、０≦ε≦１０、α＋β＋γ＋
δ＋ε＝１００であり、反射放熱層の少なくとも１層の
熱伝導率が０．５〜２．０Ｗ／ｃｍ・Ｋである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームを照射す
ることにより記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記
録・再生を行い、かつ、書き換えが可能である相変化形
情報記録媒体に関し、光メモリー関連機器、特に書き換
え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）に応用され
るものである。

【０００２】

【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る記録、再生および消去可能な光メモリー媒体のひとつ
として、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間の転
移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく知られ
ている。特に光磁気メモリーでは困雑な単一ビームによ
るオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系も
より単純であることなどから、最近その研究開発が活発
になっている。その代表的な記録材料として、ＵＳＰ３
５３０４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、ｌｎ−Ｔｅ、Ｓｅ
−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材
料があげられる。また安定性、高速結晶化などの向上を
目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９
２号）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０
号）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号）などを添加し
た材料の提案や、記録／消去のくり返し性能向上を目的
に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成
比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号、特開昭
６３−２２８４３３号）の提案などもなされている。し
かし、そのいずれもが相変化形書換可能な光メモリー媒
体として要求される諸特性のすべてを満足しうるものと
はいえない。特に、記録感度、消去感度の向上、オーバ
ーライト時の消し残りによる消去比低下の防止、ならび
に記録部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題
となっている。

【０００３】特開昭６３−２５１２９０号では結晶状態
が実質的に３元以上の多元化合物単層からなる記録層を
具備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三
元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組成を
持った化合物（例えばＩｎ₃ＳｂＴｅ₂）を記録層中に９
０原子％以上含むものとされている。このような記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるとし
ている。しかしながら消去比が小さい、記録消去に要す
るレーザーパワーが未だ充分に低減されてはいないなど
の欠点を有している。

【０００４】さらに、特開平１−２７７３３８号には
（Ｓｂ_aＴｅ_1-a）_1-yＭ_y（ここで０．４≦ａ≦０．７、
ｙ≦０．２であり、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂ
ｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｅ、Ｓ
ｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１
種である。）で表される組成の合金からなる記録層を有
する光記録媒体が提案されている。この系の基本はＳｂ
₂Ｔｅ₃であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高速消去、
繰り返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速消去を促
進させている。加えて、ＤＣ光による消去比も大きいと
している。しかし、この文献にはオーバーライト時の消
去比は示されておらず（本発明者らの検討結果では消し
残りが認められた）、記録感度も不十分である。

【０００５】同様に、特開昭６０−１７７４４６号では
記録層に（Ｉｎ_1-xＳｂ_x）_1-yＭ_y（０．５５≦ｘ≦０．
８０、０≦ｙ≦０．２０であり、ＭはＡｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｔ
ｅ、Ｓｅ、Ｂｉである。）なる合金を用い、また、特開
昭６３−２２８４３３号では記録層にＧｅＴｅ−Ｓｂ₂
Ｔｅ₃−Ｓｂ（過剰）なる合金を用いているが、いずれ
も感度、消去比等の特性を満足するものではなかった。

【０００６】加えて、特開平４−１６３８３９号には記
録薄膜をＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金にＮを含有させることに
よって形成し、特開平４−５２１８８号には記録薄膜を
Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｅ合金にこれら成分のうちの少なくとも
一つが窒化物となっているものを含有させて形成し、特
開平４−５２１８９号には記録薄膜がＴｅ−Ｇｅ−Ｓｅ
合金にＮを吸着させることによって形成し、これら記録
薄膜をそれぞれ設けた光記録媒体が記載されている。し
かし、これらの光記録媒体でも十分な特性を有するもの
を得ることはできていない。これまでみてきたように、
光記録媒体においては、特に記録感度、消去感度の向
上、オーバーライト時の消し残りによる消去比低下の防
止、並びに記録部、未記録部の長寿命化が解決すべき最
重要課題となっている。

【０００７】一方、近年ＣＤ（コンパクトディスク）の
急速な普及にともない、一回だけの書き込みが可能な追
記型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）が開発され、市場
に普及されはじめた。しかし、ＣＤ−Ｒでは書き込み時
に一度でも失敗すると修正不可能なためそのディスクは
使用不能となってしまい廃棄せざるを得ない。したがっ
て、その欠点を補える書き換え可能なコンパクトディス
クの実用化が待望されていた。研究開発された一つの例
として、光磁気ディスクを利用した書き換え可能なコン
パクトディスクがあるが、オーバーライトの困難さや、
ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒとの互換がとりにくい等といっ
た欠点を有するため、原理的に互換確保に有利な相変化
形光ディスクの実用化開発が活発化してきた。

【０００８】相変化形光ディスクを用いた書き換え可能
なコンパクトディスクの研究発表例としては、古谷
（他）：第４回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿
集，７０（１９９２）、神野（他）：第４回相変化記録
研究会シンポジウム講演予稿集，７６（１９９２）、川
西（他）：第４回相変化記録研究会シンポジウム講演予
稿集，８２（１９９２）、Ｔ．Ｈａｎｄａ（ｅｔａ
ｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．，３２（１９
９３）、米田（他）：第５回相変化記録研究会シンポジ
ウム講演予稿集，９（１９９３）、富永（他）：第５回
相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集，５（１９９
３）のようなものがあるが、いずれも、ＣＤ−ＲＯＭや
ＣＤ−Ｒとの互換性確保、記録消去性能、記録感度、書
き換えの繰り返し可能回数、再生回数、保存安定性等、
総合性能を充分満足させるものではなかった。それらの
欠点は、主に記録材料の組成、構造に起因する消去比の
低さによるところが大きかった。

【０００９】これらの事情から消去比が大きく、高感度
の記録、消去に適する相変化形記録材料の開発、さらに
は高性能で書き換え可能な相変化形コンパクトディスク
が望まれていた。

【００１０】本発明者等は、それらの欠点を解決する新
卒鞘として、ＡｇｌｎＳｂＴｅ系記録材料を見出し提案
してきた。その代表例としては、特開平４−７８０３１
号、特開平４−１２３５５１号、Ｈ．Ｉｗａｓａｋｉ
（ｅｔａｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，
３１（１９９２）４６１、井手（他）：第３回相変化記
録研究会シンポジウム講演予稿集，１０２（１９９
１）、Ｈ．Ｉｗａｓａｋｉ（ｅｔａｌ）：Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２（１９９３）５２４１
等があげられる。また、１９９６年１０月には、書き換
え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）の規格とし
て、オレンジブックパートIII（ｖｅｒ１．０）が発行
された。

【００１１】しかし、オレンジブックパートIII（ｖｅ
ｒ１．０）は、２Ｘ線速度記録（２．４〜２．８ｍ／
ｓ）のＣＤ−ＲＷに対する規格であるが、このような低
線速度の記録では、記録時間が長くかかってしまい、よ
り高速記録の書き換え可能なコンパクトディスクが望ま
れた。一方、ＣＤ−ＲＷは、オーディオ用途として、１
Ｘ線速度記録媒体としても期待されている。これら種々
の記録線速度で用いられる記録媒体は、同一の記録媒体
で対応できることが望ましい。つまり、１Ｘ線速度、２
Ｘ線速度、４Ｘ線速度のマルチスピードで記録可能な記
録媒体が望まれている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】これらの開示技術によ
り、ＡｇＩｎＳｂＴｅを記録層とすることによって極め
て優れた性能を有する２Ｘ線速度で記録可能な相変化形
光記録媒体を獲得できることは既に明らかであったが、
ＣＤ−Ｒとの互換性確保等、上記総合性能を完璧に満足
し、多様な新たな市場を形成しえるに足るマルチスピー
ドで記録可能な相変化形光ディスクの作製技術を完成さ
せるためには、さらなる改良が望まれていた。したがっ
て、本発明の目的は、上記従来技術における問題をすべ
て解消し、速度が１．２ｍ／ｓから５．６ｍ／ｓの領域
で記録消去を行う最適な光記録媒体を提供することにあ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究を
重ねた結果、前記目的に合致する相変化形光記録媒体を
見出した。

【００１４】すなわち、本発明によれば、（１）円盤状
の基板上に第１耐熱層、記録層、第２耐熱層、反射放熱
層、紫外線硬化樹脂の順に積層してなる相変化形光記録
媒体において、記録層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、ＴｅおよびＮあるいは０であり、それぞれの組成比
α、β、γ、δ、ε（原子％）が、０＜α≦６３≦β≦１５５０≦γ≦６５２０≦δ≦３５０≦ε≦１０ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００であり、反射放熱層の少なくとも１層の熱伝導率が０．
５〜２．０Ｗ／ｃｍ・Ｋであることを特徴とするマルチ
スピード記最可能な相変化形光記録媒体、（２）反射放
熱層がＡｌ合金からなり、その添加物および不純物が
１．５ｗｔ％以下であることを特徴とする（１）に記載
のマルチスピード記録可能な相変化形光記録媒体、
（３）反射放熱層が２層以上で構成されていることを特
徴とする（１）に記載のマルチスピード記録可能な相変
化形光記録媒体、（４）２層以上からなる反射放熱層に
おいて、第２耐熱層上の反射放射層より紫外線硬化樹脂
下の反射放熱層の方が熟伝導率が大きいことを特徴とす
る（３）に記載のマルチスピード記録可能な相変化形光
記録媒体、（５）第２耐熱層上の反射放熱層が窒素元素
を含有していることを特徴とする（４）に記載のマルチ
スピード記録可能な相変化形光記録媒体、（６）２層以
上からなる反射放熱層において、第２耐熱層上の反射放
熱層より紫外線硬化樹脂下の反射放熱層の方が熟伝導率
が小さいことを特徴とする（３）に記載のマルチスピー
ド記録可能な相変化形光記録媒体、（７）紫外線硬化樹
脂下の反射放熱層が窒素元素を含有していることを特徴
とする（６）に記載のマルチスピード記録可能な相変化
形光記録媒体、（８）記録層の結晶化温度が１７０〜２
２０℃であることを特徴とする（１）に記載のマルチス
ピード記録可能な相変化形光記録媒体、（９）記録層の
融点が５７０〜６２０℃であることを特徴とする（８）
に記載のマルチスピード記録可態な相変化形光記録媒
体、（１０）第１耐熱層と第２耐熱層の膜厚比（第２耐
熱層膜厚／第１耐熱層膜厚）が０．３〜０．４であるこ
とを特徴とする（１）から（９）のいずれかに記載のマ
ルチスピード記録可能な相変化形光記録媒体、（１１）
酸素元素の含有量が第２耐熱層より第１耐熱層の方が多
いことを特徴とする（１０）に記載のマルチスピード記
録可能な相変化形光記録媒体、（１２）記録線速度が、
１．２〜１．４ｍ／ｓおよぴまたは２．４〜２．８ｍ／
ｓおよびまたは４．８〜５．６ｍ／ｓであることを特徴
とする（１）〜（１１）のいずれかに記載のマルチスピ
ード記録可能な相変化形光記録媒体、が提供される。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１に示
す。基本的な構成は、案内溝を有する基板１上に第１耐
熱層２、記録層３、第２耐熱層４、反射放熱層５、オー
バーコート層６を有する。好ましくは、オーバーコート
層上に印刷層７、基板鏡面に、ハードコート層８を設け
ることもできる。さらに好ましくは、反射放熱層５が２
層（反射放射層ａ、ｂ）以上から構成されている。

【００１６】基板の材料は通常ガラス、セラミックス、
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成型性、コストの点で
好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アク
リロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系
樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられるが、
成型性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネー
ト樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。

【００１７】ただし、本発明の光記録媒体を書き換え可
能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）に応用する場合
には、以下のような特定の条件が付与されることが望ま
しい。その条件は、使用する基板に形成される案内溝
（グルーブ）の幅が０．２５〜０．６５μｍ好適には
０．３０〜０．６０μｍ、その案内溝の深さが２００〜
６５０Å、好適には２５０〜４５０Åとなっていること
である。基板の厚さは、特に制限されるものではない
が、１．２ｍｍ、０．６ｍｍが好適である。

【００１８】記録層としては、Ａｇ、ｌｎ、Ｓｂ、Ｔｅ
を含む４元系の相変化形記録材料を主成分として含有す
る材料が、記録（アモルファス化）感度・速度、消去
（結晶化）感度・速度、及び消去比が極めて良好なため
適している。

【００１９】しかしながら、ＡｇＩｎＳｂＴｅは、その
組成比によって最適な記録線速度が存在する。そのた
め、目的とする記録線速度および線速度領域によって、
ＡｇＩｎＳｂＴｅの組成比を調整する必要がある。これ
までの検討の結果、ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層のＴｅの組
成比が記録線速度に高い相関があることが分かってい
る。

【００２０】図２に、種々の組成比を有するＡｇＩｎＳ
ｂＴｅを記録層として作製した相変化形光ディスクの最
適記録線速度のＴｅ組成比依存性を示す。層構成は、ハ
ードコート層３〜５μｍ／基板１．２ｍｍ／第１耐熱層
９５ｎｍ／ＡｇＩｎＳｂＴｅ２５ｎｍ／第２耐熱層３０
ｎｍ／反射放熱層１４０ｎｍ／オーバーコート層８〜１
０μｍとした。記録は、ＮＡ０．５０、λ７８０ｎｍの
ピックアップを用い、ＥＦＭ変調による記録をした。記
録パルスストラテジは、オレンジブックパートIIIに準
拠した。記録パワー、イレースパワー、バイアスパワー
は、１３ｍＷ、６．５ｍＷ、１ｍＷとした。最適記録線
速とは、オーバーライト回数がもっとも多くなる線速と
した。

【００２１】図２に示すように、最適記録線速と記録層
のＴｅ組成比がＲ²＝０．９１３３の高い相関があるこ
とが分かった。この結果および実験精度±１ａｔ％を考
慮すると、記録線速がどんなに遅くとも（０ｍ／ｓ）、
Ｔｅ組成比は３５ａｔ％以下と推測される。ＣＤ線蓮１
Ｘ、２Ｘ、４Ｘ、８Ｘに対応した光記録媒体を得るため
には、その線速１．２〜１．４ｍ／ｓ、２．４〜２．８
ｍ／ｓ、４．８〜５．６ｍ／ｓ、９．６〜１１．２に対
応するＴｅ組成比は、３３、３０、２７、２０ａｔ％程
度と推測される。

【００２２】一方、ＡｇＩｎＳｂＴｅを記録層とする相
変化形記録媒体は、それらの組成によって、保存信頼性
に影響を与える。Ａｇが６ａｔ％を超えると、オーバー
ライトシェルフの劣化が顕著になる。つまり、製造後数
年たって、記録したときに十分な信号が記録できなくな
ってしまう。また、Ｉｎが１５ａｔ％を超えるとアーカ
イバルの劣化が顕著になる。一方、３ａｔ％より少ない
と、記録感度の低下をもたらす。

【００２３】Ｓｂは、その組成比が大きい方が、オーバ
ーライトの綾り返し特性に優れるが、６５ａｔ％を超え
るとアーカイバル劣化をもたらす。また、アーカイバル
劣化の低減に、Ｎおよびまたは０の添加が効果的であ
る。それによって、アモルファスマークが安定化され
る。それらのメカニズムの詳細は、必ずしも明確ではな
いが、膜中への適量の窒素混入により、膜密度の減少、
微小欠陥の増加等により、構造的には粗の方向に変化す
る。その結果、窒素無添加の状態に比べ、膜の秩序性が
緩和され、アモルファスから結晶への転移は抑制される
方向になる。したがって、アモルファスマークの安定性
が増し、保存寿命が向上する。ＮおよびＯは、Ｔｅおよ
びまたはＳｂに結合していることがＩＲスペクトルから
明らかになっている。

【００２４】好適なＮおよびＯの組成比は、１０ａｔ％
以下である。１０ａｔ％を超えると、記録層の窒化が進
み過ぎてしまい、結晶化が困難になる。その結果、初期
化不足や消去比の低減を生じてしまう。記録層へのＮ、
Ｏの導入はスパッタリング時のアルゴンガスに窒素ガス
や酸素ガスを０ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下混合した
ガスを用いることで得られる。また、窒素ガスとアルゴ
ンガスとの混合ガスを用いることにより記録層へのＮ、
Ｏの導入を可能にする。混合ガスは所望のモル比であら
かじめ混合したガスを用いても、チャンバー導入時に所
望のモル比になるように流量をそれぞれ調整してもよ
い。

【００２５】さらに、ＮおよびＯの添加効果の一つとし
て、最適記録線速度の制御法としても有効である。具体
的には、ＮおよびＯの添加により、最適な記録線速度を
低線速度側に変化させることができる。これは、同一の
ターゲットを使っても、記録膜作製時のＮ₂（Ｏ₂／Ａｒ
ガス混合比の制御のみで、相変化光ディスクの最適記録
線速度を調整することができる。

【００２６】記録膜中のＮおよびＯの化学結合状態とし
ては、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅのいずれか一種以上と結
合していることが望ましいが、特に、Ｔｅに結合した状
態、具体的には、Ｔｅ−Ｎ、Ｔｅ−Ｏ、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎ
といった化学結合が存在した時に、Ｏ／Ｗの繰り返し回
数の向上に、より効果が大きい。そのような化学結合状
態の分析手段としては、ＦＴ−ＩＲやＸＰＳ等の分光分
析注が有効である。例えばＦＴ−ＩＲでは、Ｔｅ−Ｎに
よる吸収帯は５００〜６００ｃｍ^-1付近にそのピークを
もち、Ｓｂ-Ｔｅ−Ｎは、６００〜６５０ｃｍ^-1付近に
そのピークが出現する。

【００２７】さらに、本発明の記録層材料には、さらな
る性能向上、信頼性向上等の目的に他の元素や不純物を
添加することができる。一例としては、特願平４−１４
８８号に記載されている元素（Ｂ、Ｎ、Ｃ、Ｐ、Ｓｉ）
やＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等が
好ましい例として挙げられる。

【００２８】本発明においては、記録層の組成は記録膜
を発光分析法により測定して得られる値を用いたが、そ
の他にもＸ線マイクロアナリシス、ラザフォード後方散
乱、オージェ電子分光、蛍光Ｘ線等の分光法が考えられ
る。その場合は、発光分光法で得られる値との比較検討
をする必要がある。また、一般に発光分析法の場合、測
定値のおよそ±５％は分析誤差と考えられる。２次イオ
ン質量分析法などの質量分析も有効である。

【００２９】記録層中に含まれる物質の観測はＸ線回折
または電子線回折が適している。すなわち結晶状態の判
定として、電子線回折像でスポット状乃至およびまたは
デバイリング状のパターンが観測される場合には結晶状
態、リング状のパターン乃至ハローパターンが観測され
る場合には非結晶（アモルファス）状態とする。結晶子
径はＸ繰回折ピークの半値幅からシェラーの式を用いて
求めることができる。さらに、記録層中の化学結合状態
たとえば酸化物、窒化物等の分析には、ＦＴ−ＩＲ、Ｘ
ＰＳ等の分析手法が有効である。

【００３０】記録層の膜厚としては１０〜１００ｎｍ、
好適には１５〜５０ｎｍとするのがよい。さらに、ジッ
ター等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率を考
慮すると、好適には１５〜３５ｎｍとするのがよい。１
０ｎｍより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層とし
ての役割を果たさなくなる。また、１００ｎｍより厚い
と高速で均一な相変化がおこりにくくなる。このような
記録層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパ
ッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオン
プレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成
できる。なかでも、スパッタリング法が、生産性、膜質
等に優れている。

【００３１】第１耐熱層および第２耐熱層の材料として
は、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔ
ｉＯ₂、Ｉｎ₂Ｉ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂などの金属酸化物、
Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化
物、ＺｎＳ、ｌｎ₂Ｓ₃、ＴａＳ₄などの硫化物、Ｓｉ
Ｃ、ＴａＣ、Ｂ₄Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化
物やダイヤモンド状カーボンあるいは、それらの混合物
があげられる。これらの材料は、単体で保護層とするこ
ともできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要
に応じて不純物を含んでもよい。必要に応じて、耐熱層
を多層化することもできる。ただし、第１耐熱層および
第２耐熱層の融点は記録層よりも高いことが必要であ
る。このような第１耐熱層および第２耐熱層の材料とし
ては、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スバッタ
リング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレ
ーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成でき
る。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に
優れている。

【００３２】第１耐熱層の膜厚は、ＤＶＤ（デジタルビ
デオディスク）の再生波長である６５０ｎｍの反射率に
大きく影響する。７８０ｎｍと６５０ｎｍの再生波長で
ＣＤ−ＲＷディスクの規格である反射率０．１５〜０．
２５を満足するためには、第１耐熱層を６５〜１３０ｎ
ｍとすることが要求される。また、６５０ｎｍの再生波
長でも十分な反射率（１８％程度）を得るためには、第
一耐熱層を１１０ｎｍ以下とすることが望ましい。した
がって、波長７８０ｎｍでの記録再生および６５０ｎｍ
の再生で十分な信号特性を得るためには、第１耐熱層を
８０〜１１０ｎｍとすることが好適と判断される。

【００３３】第２耐熱層の膜厚としては、１５〜４５ｎ
ｍ、好適には２０〜４０ｎｍとするのがよい。１５ｎｍ
より薄くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなく
なる。また、感度の低下を生じる。一方、４５ｎｍより
厚くなると、１．２〜５．６ｍ／ｓの低線速度で使用し
た場合、界面剥離を生じやすくなり、繰り返し記録性能
も低下する。

【００３４】反射放熱層としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｔａなどの金属材料、またはそれらの合金などを
用いることができる。また添加元素としては、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどが使用される。
このような反射放熱層は、各種気相成長法、たとえば真
空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法な
どによって形成できる。反射放熱層の膜厚としては、７
０〜２００ｎｍ、好適には１００〜１８０ｎｍとするの
がよい。

【００３５】反射放熱層の上には、その酸化防止として
オーバーコート層を有することが望ましい。オーバーコ
ート層としては、スピンコートで作製した紫外線硬化樹
脂が一般的である。その厚さは、７〜１５μｍが適当で
ある。７μｍ以下では、オーバーコート層上に印刷層を
設ける場合、エラーの増大が認められることがある。一
方、１５μｍ以上の厚さでは、内部応力が大きくなって
しまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。

【００３６】ハードコート層としては、スピンコートで
作製した紫外線硬化樹脂が一般的である。その厚さは、
２〜６μｍが適当である。２μｍ以下では、十分な耐擦
傷性が得られない。６μｍ以上の厚さでは、内部応力が
大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響
してしまう。その硬度は、布でこすっても大きな傷がつ
かない鉛筆硬度であるＨ以上とする必要がある。必要に
応じて、導電性の材料を混入させ、帯電防止を図り、埃
等の付着を防止することも効果的である。

【００３７】本発明の情報記録媒体の初期化、記録、再
生、消去に用いる電磁波としてはレーザー光、電子線、
Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ波など種々
のものが採用可能である。中でも小型でコンパクトな半
導体レーザーが最適である。以下、本発明をさらに詳細
に説明する。

【００３８】本発明のマルチスピード記録とは、同一の
記録媒体で、２倍以上の記録線速度で記録消去を可能と
するものである。相変化形光記録媒体の記録・消去のメ
カニズムは、一般的に記録層の溶融急冷・結晶化であ
る。したがって、マルチスピード記録を可能とするため
には、異なる記録線速度において、同等の記録層の溶融
急冷・結晶化ができなければならない。しかし、一般的
に、相変化形光記録媒体では、低線速度記録では、結晶
化は容易となるが急冷が困難となる。一方、高線速度記
録では、急冷は容易となるが結晶化は困難となる。本発
明は、この相反する熱特性を記録層の組成、反射放熱層
の材料、熱特性、構造、第１耐熱層と第２耐熱層の膜厚
比等からコントロールした結果得られるマルチスピード
記録可能な相変化形記録媒体を提供するものである。以
下で、ＣＤ１培速度（１Ｘ）、２倍速度（２Ｘ）、４倍
速度（４Ｘ）のマルチスピード記録の場合を例に、本発
明を説明する。もちろん、このほかのマルチスピード記
録についても同様に適応できる。

【００３９】マルチスピード可能な相変化形光記録媒体
の開発にあたっては、１）低線速度記録における記録（記録層のアモルファ
ス化）２）高線速度記録における消去（記録層の結晶化）が最重要課題であった。１）の課題に対しては、実験計
画法などの手法で要因解析した結果、相変化形光記録媒
体のディスク構成をより急冷構造とすることが効果的で
あった。具体的には、反射放熱層の熱伝導率を大きくす
ることで、低線速度での記録が可能となった。

【００４０】表１に、各種熱伝導率を有する反射放熱層
を用いたＣＤ−ＲＷディスクの１Ｘ記録での最適記録パ
ワーとその記録パワーでの３Ｔランドジッターを示す。
ディスク層構成は、基板／ＺｎＳＳｉＯ₂（９５ｎｍ）
／ＡｇＩｎＳｂＴｅ（２０ｎｍ）／ＺｎＳＳｉＯ₂（３
５ｎｍ）／反射放熱層１５０ｎｍとした。記録条件はＣ
Ｄフォーマットによる記録を行った。マルチスピード記
録の場合、低線速度記録の方が高線速度記録よりも１ｍ
Ｗ程度小さい最適記録パワーを選択した。したがって、
マルチスピード記録可能なＣＤ−ＲＷディスクに本発明
を応用する場合、ＣＤ−ＲＷの規格である１５ｍＷ以下
の記録パワーを達成するためには、低線速度記録では、
少なくとも１４ｍＷ以下の記録パワーとしなければなら
ない。また、記録した信号品質を示す３Ｔランドジッタ
ーは、ＣＤ−ＲＷディスクの規格は１Ｘ再生で３５ｎｓ
以下であるが、種々のドライブとのマッチングを考慮す
ると３０ｎｓ以下が望ましい。

【００４１】表１から、反射放熱層の熱伝導率が２．Ｏ
Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下で、最適記録パワーが１４ｍＷ以下と
なり、実際のドライブでマルチスピード記録が可能とな
る。また、反射放熱層の熱伝導率が０．５Ｗ／ｃｍ・Ｋ
以上で、３Ｔランドジッターが実際のドライブで実用可
能な３０ｎｓ以下となる。したがって、マルチスピード
記録を可能とする最適記録パワーと３Ｔランドジッター
を確保するためには、反射放熱層の熱伝導率を０．５〜
２．ＯＷ／ｃｍ・Ｋとすることが望ましい。また、その
熱伝導率を有する材料としては、種々金属材料が選択で
きるが、安価なＡｌ合金が好適である。しかし、上記熱
伝導率のＡｌ合金としては、表１に見られるように、
１．５ｗｔ％以下の添加元素を有するＡｌ合金が望まし
い。

【００４２】

【表１】

【００４３】本発明のマルチスピード記録可能な相変化
形光記録媒体に用いる反射放熱層は、２層以上とするこ
とも可能である。特に、相変化形光記録媒体では、一般
的に反射放熱層が他の層に比べ厚いため、生産において
は２層以上に分けて製膜した方が、生産性が高くなる。
さらに、２層以上の反射放熱層では、それらの界面でＡ
ｌ合金のグレインが分断されることで、より小さなグレ
インサイズとなり、グレインバンダリーが多くなる。そ
れによって、記録消去の熱ストレスが緩和されオーバー
ライト特性が改善される。

【００４４】また、２層以上からなる反射放熱層では、
それぞれの層で機能分離することが可能となる。図３で
は熱伝導率の大きい反射放熱層ａを第２耐熱層上に配置
し、その上に熱伝導率の小さい反射放熱層ｂを配置して
いる。この構成では、記録層の再結晶化速度が大きい場
合に好適であり、低線速度記録に好適である。本発明の
記録層組成では、Ｔｅ組成が２０〜３０原子％の場合に
好適である。一方、熱伝導率の小さい反射放熱層ｂを第
２耐熱層上に配置し、その上に熱伝導率の大きい反射放
熱層ａを配置している図４の構成は、Ｔｅ組成が２５〜
３５原子％の場合に好適であり、光線速度記録に好適で
ある。反射放熱層および反射放熱層ｂの膜厚は、それぞ
れ１０ｎｍから２００ｎｍ、好ましくは２０ｎｍから１
８０ｎｍが好適である。生産性を考慮すると、各反射放
熱層の膜厚が２倍以上の差がないことが望まれる。熱伝
導率の異なる反射放熱層の作製は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌと
いった金属材料の異なる反射放熱層の積層や、ＡｌＴｉ
（１ｗｔ％）、ＡｌＴｉ（１．５ｗｔ％）の積層といっ
た添加元素の添加量を増減することでも可能である。ま
た、ＡｌＴｉ（１ｗｔ％）、ＡｌＴａ（１ｗｔ％）とい
った異なる添加元素のＡｌの積層によっても可能であ
る。また、ＡｌＳｉ（１ｗｔ％）の製膜の際、部分的に
Ｎ₂ガスを添加して製膜する方法も有効である。この方
法では、１種類の反射放熱層材料で、複数の熱伝導率を
有する材料が得られる。例えば、Ａｌのスパッタ製膜の
際、第２耐熱層上にはＡｒガスのみでのスパッタで熱伝
導率の大きいＡｌ膜を形成し、その上には、Ａｒ＋Ｎ₂
ガスのスパッタで熱伝導率の小さい部分的に窒化したＡ
ｌ膜を積層することが可能となる。

【００４５】２）の高線速度記録における消去に対する
課題は、記録層の熱物性を詳細に制御することが重要で
あった。記録層の熱物性としては、融点、結晶化温度の
制御が重要である。相変化光記録媒体では、消去つまり
記録層の結晶化の際、消去パワーが大きいと部分的に記
録層が溶融してしまう。その際、単一線速度記録専用、
あるいは記録線速度が近いマルチスピード記録対応でな
い相変化形光記録媒体では、記録線速度での消去パワー
が大きく、部分的に記録層が溶融しても再結晶化速度が
大きいため結晶状態を維持する。しかし、マルチスピー
ド記録における高線速度記録では、消去パワーが大き
く、部分的に記録層が溶融すると、光線速度では再結晶
化できずに、その部分はアモルファス化してしまう。つ
まり、マルチスピード記録可能な相変化形光記録媒体で
は、高線速度での消去の際、消去パワーが大きいとアモ
ルファス化してしまい、見かけ上消し残りとなってしま
う。高線速度における過剰な消去パワーによる記録層の
アモルファス化は、記録層の融点を高くすることで対応
できる。しかしながら、本発明の組成領域の記録層の融
点は約５６０℃であり、組成にあまり依存しない。記録
層を高融点化するためには、記録膜中にＮあるいはＯを
導入させることが効果的であり、また融点を精度よく制
御可能である。５原子％のＮあるいはＯの導入によっ
て、５０℃程度の融点増大が可能となる。マルチスピー
ド記録における高線速度記録で、消去パワーマージンを
確保するためには、記録層融点を５７０〜６２０℃とす
ることが望ましかった。

【００４６】相変化形光記録媒体の記録層の結晶化温度
は、生産での初期化容易性から２２０℃以下が望まし
い。記録層の結晶化温度が２２０℃を超えると、現在汎
用されている生産用の初期化装置で初期化が困難にな
る。一方、記録層の結晶化温度が低いと保存信頼性に劣
るようになる。また、再生光による信号の劣化も顕著に
なる。その下限の結晶化温度は１７０℃程度であった。
本発明の記録層組成の結晶化温度は、図５に示すよう
に、Ｉｎ組成に相関があり、好適な結晶化温度１７０〜
２２０℃では、Ｉｎ組成４〜１４原子％となる。

【００４７】これまで述べた本発明で、マルチスピード
記録可能な相変化形光記録媒体が得られる。しかし、本
発明を実際の生産に展開した場合、記録感度が変動して
しまう。その原因は、第１耐熱層の膜厚変動と第２耐熱
層の膜厚変動に基因するものだった。第１耐熱層厚の増
大、および第２耐熱層厚の減少は、感度の低下を招い
た。この感度の変動は、第１耐熱層と第２耐熱層の膜厚
の増減を一致させることで相殺されることを見出した。
つまり、第１耐熱層と第２耐熱層の膜厚が一緒に増減さ
せることで、相変化形光記録媒体の感度の変動が低減さ
れた。この膜厚変動は、製膜がスパッタの場合、ターゲ
ットの経時変化によるものであり、生産におけるターゲ
ットの交換サイクルを一致させることで第１耐熱層と第
２耐熱層の膜厚の増減が一致し、相変化形光記録媒体の
感度の変動が低減された。また、本発明のマルチスピー
ド記録可能な相変化形光記録媒体は、その膜厚比（第２
耐熱層厚／第１耐熱層厚）０．３〜０．４で好適な感度
を示した。つまり、膜厚比（第２耐熱層厚／第１耐熱層
厚）が０．３以下では、記録パワーが１５ｍＷを超えて
しまい、膜厚比（第２耐熱層厚／第１耐熱層厚）が０．
４以上では、高感度化は達成されるものの、高線速度記
録における消去の際、記録層が融点を超えてしまい消し
残りを生じてしまう。さらに好ましくは、その膜厚比
（第２耐熱層厚／第１耐熱層厚）０．３３〜０．３８で
感度とマルチスピード記録のオーバーライト特性をバラ
ンスよく有する相変化形光記録媒体が得られた。

【００４８】さらに、ドライブマッチング等の観点か
ら、マルチスピード記録可能な相変化形光記録媒体の面
内反射率分布やディスク間の反射率ばらつきを低減させ
ることが望まれている。反射率分布およびばらつきは、
第１耐熱層の膜厚分布および膜厚ばらつきに基因してい
る。第１耐熱層の膜厚分布およびばらつきによる反射率
分布およびばらつきの影響を緩和させるためには、第１
耐熱層の屈折率を小さくすることが効果的である。具体
的には、第１耐熱層の酸素元素量を微増させることで、
屈折率を低減させることが効果的であった。一般に、酸
化物のスパッタリングでは、酸素欠乏の状態で膜が形成
される。したがって、第１耐熱層が酸化物を含む場合、
酸素が微増することで、化学量論組成により近い膜が形
成されることになる。第１耐熱層の酸素量を微増させる
方法として、第１耐熱層の製膜時に酸素を共存させるこ
とによって達成される。また、第１耐熱層の製膜前に基
板に吸着している水蒸気量をコントロールすることでも
達成される。基板に吸着している水蒸気量は、基板の温
度によってコントロールされる。基板温度が低い方が吸
着水蒸気量は多くなり、第１耐熱層の屈折率を低減させ
ることができる。

【００４９】

【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。実施例１〜１６、比較例１〜３

【００５０】

【表２】

【００５１】幅０．５５μｍ、深さ３２ｎｍのグルーブ
を有する１．２ｍｍ厚のポリカーボネート基板に、実施
例および比較例に示す第１耐熱層（ＺｎＳＳｉＯ₂）、
記録層２０ｎｍ、第２耐熱層（ＺｎＳＳｉＯ₂）、Ａｌ
合金を松葉形スパッタ装置によって、１０秒タクトで連
続製膜した。第１耐熱層は、基板温度４０℃で製膜を開
始させ、基板の水蒸気吸着による酸素含有量の微増を図
った。記録層の結晶化温度は１７０〜２２０℃に、融点
は５７０〜６２０℃に組成およびＮ，Ｏの添加で制御し
た。次いで、紫外線硬化樹脂のスピンコートによるハー
ドコート、オーバーコートを形成し、相変化形光ディス
クを作製した。ついで、大口径のＬＤを有する初期化装
置によって、ディスクの記録層の結晶化処理を行った。
次いで、オーバーコート層の上に、印刷層を形成した。

【００５２】このようにして得た相変化形光ディスクの
評価は、波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピックアップを
搭載した評価機を用いて行った。記録ストラテジは、オ
レンジブックIIIｖｅｒ１．０に準拠した。マルチスピ
ード記録の評価はＣＤ１Ｘ、２Ｘ、４Ｘでの記録信号が
オレンジブックIIIｖｅｒｌ．０の規格を満足するか否
かで判断した。再生パワーは、１．０ｍＷとした。結果
を表２に示す。

【００５３】本発明の結果、実施例１〜１６で示すよう
に、マルチスピード記録可能な相変化形光記録媒体が得
られた。一方、反射放熱層の熱伝導率が０．５Ｗ／ｃｍ
・Ｋ以下である比較例１〜３は、マルチスピード記録が
できなかった。

【００５４】

【発明の効果】以下に、本発明の効果を請求項ごとに示
す。請求項１の相変化形光記録媒体は、円盤状の基板上
に第１耐熱層、記録層、第２耐熱層、反射放熱層、紫外
線硬化樹脂の順に積層してなり、記録層の構成元素を主
にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、ＮあるいはＯとし、それぞ
れの組成比α、β、γ、δ、ε（原子％）を０＜α≦６３≦β≦１５５０≦γ≦６５２０≦δ≦３５０≦ε≦１０ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００とし、反射放熱層の少なくとも１層の熱伝導率を０．５
〜２．ＯＷ／ｃｍ・Ｋとすることで記録線速度で２倍以
上の広い線速度領域で記録が可能となる。

【００５５】請求項２では、反射放熱層の熱伝導率を
０．５〜２．ＯＷ／ｃｍ・Ｋとし、その材料に安価なＡ
ｌ合金を用いるため、より廉価なマルチスピード記録が
可能な相変化形光記録媒体を提供できる。請求項３で
は、よりオーバーライト性能の向上したマルチスピード
記録可能な相変化形光記録媒体を提供できる。

【００５６】請求項４では、２層以上からなる反射放熱
層において、第２耐熱層上の反射放熱層より紫外線硬化
樹脂下の反射放熱層の熟伝導率を大きくすることで、高
感度で高線速度記録のオーバーライト性能に優れるマル
チスピード記録可能な相変化形光記録媒体を提供でき
る。

【００５７】請求項５では、熱伝導率の異なる２層以上
の反射放熱層を作製する際、反射放熱層材料は同一で
も、製膜中の窒素ガスで熱伝導率を制御するため、より
安価な材料から任意の熱伝導率を設定できるようにな
る。その結果、より安価、高感度で高線速度記録のオー
バーライト性能に優れるマルチスピード記録可能な相変
化形光記録媒体を提供できる。請求項６では、２層以上
からなる反射放熱層において、第２耐熱層上の反射放熱
層より紫外線硬化樹脂下の反射放熱層の熱伝導率を小さ
くすることでより高感度で低線速度記録のオーバーライ
ト性能に優れるマルチスピード記録可能な相変化形光記
録媒体を提供できる。

【００５８】請求項７では、熱伝導率の異なる２層以上
の反射放熱層を作製する際、反射放熱層材料は同一で
も、製膜中の窒素ガスで熱伝導率を制御するため、より
安価な材料から任意の熱伝導率を設定できるようにな
る。その結果、より安価、高度度で低線速度記録のオー
バーライト性能に優れるマルチスピード記録可能な相変
化形光記録媒体を提供できる。請求項８では、反射放熱
層の少なくとも１層の熱伝導率を０．５〜２．０Ｗ／ｃ
ｍ・Ｋとし、記録層の結晶化温度を１７０〜２２０℃と
することで、再生光劣化がなく、かつ生産での初期化が
容易となるマルチスピード記録可能な相変化形光記録媒
体を提供できる。

【００５９】請求項９では、反射放熱層の少なくとも１
層の熱伝導率を０．５〜２．０Ｗ／ｃｍ・Ｋとし、記録
層の融点を５７０〜６２０℃とすることで、高線速度記
録で消し残りが低減され、高線速度でのオーバーライト
特性に優れるマルチスピード記録可能な相変化形光記録
媒体を提供できる。請求項１０では、第１耐熱層と第２
耐熱層の膜厚比（第２耐熱層膜厚／第１耐熱層膜厚）を
０．３〜０．４とすることで、記録感度と製造安定性に
優れたマルチスピード記録可能な相変化形光記録媒体を
提供できる。

【００６０】請求項１１では、酸素元素の含有量が第２
耐熱層より第１耐熱層の方が多いことにより、第１耐熱
層の屈折率が低減され、第１耐熱層の膜厚変動による反
射率分布および反射率ばらつきが低減される。その結
果、ドライブとのマッチングに優れた相変化形光記録媒
体を提供できる。

【００６１】請求項１２では、記録線速度を１．２〜
１．４ｍ／ｓおよびまたは２．４〜２．８ｍ／ｓおよび
または４．８〜５．６ｍ／ｓとすることで、ＣＤ互換の
マルチスピード記録可能な相変化形光記録媒体を提供で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の層構成の説明図である。

【図２】本発明における最適記録線速のＴｅ（ａｔ％）
依存性を示すグラフである。

【図３】２層の反射放熱層の配置の説明図である。

【図４】２層の反射放熱層の配置の説明図である。

【図５】本発明におけるＩｎ組成と記録層の結晶化温度
を示すグラフである。

フロントページの続き (72)発明者野田英治東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者相原謙一東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者小川一平東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA33 EA36 FA01 FA11 FA12 FA14 FA15 FA18 FA23 FA28 FA30 FB09 FB12 FB17 FB21 FB24 FB25 FB30 5D029 JA01 JB35 JB48 JC11 MA13 MA16 MA17 MA27

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】円盤状の基板上に第１耐熱層、記録層、
第２耐熱層、反射放熱層、紫外線硬化樹脂の順に積層し
てなる相変化形光記録媒体において、記録層の構成元素
が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、ＴｅおよびＮあるいは０であ
り、それぞれの組成比α、β、γ、δ、ε（原子％）
が、０＜α≦６３≦β≦１５５０≦γ≦６５２０≦δ≦３５０≦ε≦１０ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００であり、反射放熱層の少なくとも１層の熱伝導率が０．
５〜２．０Ｗ／ｃｍ・Ｋであることを特徴とするマルチ
スピード記録可能な相変化形光記録媒体。
【請求項２】反射放熱層がＡｌ合金からなり、その添
加物および不純物が１．５ｗｔ％以下であることを特徴
とする請求項１に記載のマルチスピード記録可能な相変
化形光記録媒体。
【請求項３】反射放熱層が２層以上で構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチスピード記録
可能な相変化形光記録媒体。
【請求項４】２層以上からなる反射放熱層において、
第２耐熱層上の反射放射層より紫外線硬化樹脂下の反射
放熱層の方が熟伝導率が大きいことを特徴とする請求項
３に記載のマルチスピード記録可能な相変化形光記録媒
体。
【請求項５】第２耐熱層上の反射放熱層が窒素元素を
含有していることを特徴とする請求項４に記載のマルチ
スピード記録可能な相変化形光記録媒体。
【請求項６】２層以上からなる反射放熱層において、
第２耐熱層上の反射放熱層より紫外線硬化樹脂下の反射
放熱層の方が熟伝導率が小さいことを特徴とする請求項
３に記載のマルチスピード記録可能な相変化形光記録媒
体。
【請求項７】紫外線硬化樹脂下の反射放熱層が窒素元
素を含有していることを特徴とする請求項６に記載のマ
ルチスピード記録可能な相変化形光記録媒体。
【請求項８】記録層の結晶化温度が１７０〜２２０℃
であることを特徴とする請求項１に記載のマルチスピー
ド記録可能な相変化形光記録媒体。
【請求項９】記録層の融点が５７０〜６２０℃である
ことを特徴とする請求項８に記載のマルチスピード記録
可態な相変化形光記録媒体。
【請求項１０】第１耐熱層と第２耐熱層の膜厚比（第
２耐熱層膜厚／第１耐熱層膜厚）が０．３〜０．４であ
ることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の
マルチスピード記録可能な相変化形光記録媒体。
【請求項１１】酸素元素の含有量が第２耐熱層より第
１耐熱層の方が多いことを特徴とする請求項１０に記載
のマルチスピード記録可能な相変化形光記録媒体。
【請求項１２】記録線速度が、１．２〜１．４ｍ／ｓ
およびまたは２．４〜２．８ｍ／ｓおよびまたは４．８
〜５．６ｍ／ｓであることを特徴とする請求項１〜１１
のいずれかに記載のマルチスピード記録可能な相変化形
光記録媒体。