JP2000114823A - Ｎｒｄガイドガン発振器 - Google Patents
Ｎｒｄガイドガン発振器Info
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- JP2000114823A JP2000114823A JP10286892A JP28689298A JP2000114823A JP 2000114823 A JP2000114823 A JP 2000114823A JP 10286892 A JP10286892 A JP 10286892A JP 28689298 A JP28689298 A JP 28689298A JP 2000114823 A JP2000114823 A JP 2000114823A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特殊なマウントを使用せず、作製容易で特性
のばらつきの少ないＮＲＤガイドガン発振器を提供す
る。 【解決手段】 ２枚の金属板からなる平行平板１、２を
使用周波数の波長の１／２以下の間隔で配置し、平行平
板１、２の間に誘電体ストリップ線路３を挟持したＮＲ
Ｄガイド回路とガンダイオードとを組合せてなるＮＲＤ
ガイドガン発振器において、信号線路１２の両端に接続
された二つの信号電極およびそれぞれの信号電極に対し
て絶縁された接地電極が表面に形成された絶縁性又は半
絶縁性の平板基板１１と、同一面にアノード電極および
カソード電極が形成され、該両電極の一方が平板基板１
１の前記信号電極に接続され他方が前記接地電極に接続
された二つのガンダイオード２０と、平板基板１１の裏
面を平行平板２に対して支持するヒートシンク３０とを
具備し、平板基板１１の信号線路１２の略中央を誘電体
ストリップ線路３に電磁的に結合する。
のばらつきの少ないＮＲＤガイドガン発振器を提供す
る。 【解決手段】 ２枚の金属板からなる平行平板１、２を
使用周波数の波長の１／２以下の間隔で配置し、平行平
板１、２の間に誘電体ストリップ線路３を挟持したＮＲ
Ｄガイド回路とガンダイオードとを組合せてなるＮＲＤ
ガイドガン発振器において、信号線路１２の両端に接続
された二つの信号電極およびそれぞれの信号電極に対し
て絶縁された接地電極が表面に形成された絶縁性又は半
絶縁性の平板基板１１と、同一面にアノード電極および
カソード電極が形成され、該両電極の一方が平板基板１
１の前記信号電極に接続され他方が前記接地電極に接続
された二つのガンダイオード２０と、平板基板１１の裏
面を平行平板２に対して支持するヒートシンク３０とを
具備し、平板基板１１の信号線路１２の略中央を誘電体
ストリップ線路３に電磁的に結合する。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、ＮＲＤガイド（No
n Radiative Die1ectic Wave Guide:非放射性誘電体ガ
イド）回路とガンダイオードとを組合せて構成したＮＲ
Ｄガイドガン発振器に関するものである。
n Radiative Die1ectic Wave Guide:非放射性誘電体ガ
イド）回路とガンダイオードとを組合せて構成したＮＲ
Ｄガイドガン発振器に関するものである。
【０００１】
【従来の技術】ＮＲＤガイド回路は、マイクロストリッ
プ線路に比べて伝搬損失が低く、また導波管に比べて伝
搬路の制作が容易であるところから、マイクロ波、特に
３０ＧＨｚ以上のミリ波帯の伝送線路として注目されて
いる。このＮＲＤガイド回路は、電磁波が伝搬する誘電
体ストリップ線路を、導電性金属の2枚の平行平板で挟
んだ構造であり、この平行平板の対面間隔が使用周波数
波長の１／２以下に設定されているので、この誘電体ス
トリップ線路以外の場所では電磁波が遮断されてその放
射が抑制されるため、誘電体ストリップ線路に沿って電
磁波を低損失で伝搬させることができる。このＮＲＤガ
イド回路とガンダイオードを組合せて構成した３５ＧＨ
ｚ帯および６０ＧＨｚ帯の発振器が開発され、導波管に
匹敵する発振出力が得られている。
プ線路に比べて伝搬損失が低く、また導波管に比べて伝
搬路の制作が容易であるところから、マイクロ波、特に
３０ＧＨｚ以上のミリ波帯の伝送線路として注目されて
いる。このＮＲＤガイド回路は、電磁波が伝搬する誘電
体ストリップ線路を、導電性金属の2枚の平行平板で挟
んだ構造であり、この平行平板の対面間隔が使用周波数
波長の１／２以下に設定されているので、この誘電体ス
トリップ線路以外の場所では電磁波が遮断されてその放
射が抑制されるため、誘電体ストリップ線路に沿って電
磁波を低損失で伝搬させることができる。このＮＲＤガ
イド回路とガンダイオードを組合せて構成した３５ＧＨ
ｚ帯および６０ＧＨｚ帯の発振器が開発され、導波管に
匹敵する発振出力が得られている。
【０００２】図５の（ａ）は従来のＮＲＤガイドガン発
振器の構成を示す図である。これは、平行平板１、２の
間のスペースに、誘電体ストリップ線路３とともにガン
ダイオード１１０を搭載したマウント１２０を設置した
ものであり、ガンダイオード１１０で発振した高周波出
力が、共振器１３０を経由して誘電体ストリップ線路３
に導出される。なお、図５（ａ）では、図の理解のため
平行平板１の一部を切り欠いて表示してある。
振器の構成を示す図である。これは、平行平板１、２の
間のスペースに、誘電体ストリップ線路３とともにガン
ダイオード１１０を搭載したマウント１２０を設置した
ものであり、ガンダイオード１１０で発振した高周波出
力が、共振器１３０を経由して誘電体ストリップ線路３
に導出される。なお、図５（ａ）では、図の理解のため
平行平板１の一部を切り欠いて表示してある。
【０００３】図５の（ｂ）は共振器１３０の代表的な例
を示す図であり、テフロン銅張稜層基板の銅箔をエッチ
ングでパターニングした銅箔部分１３１を有するように
したものである。この銅箔部分１３１の幅や長さを調整
することにより発振周波数を調整することができる。図
６はマウント１２０の構成を示す図である。ガンダイオ
ード１１０は円筒部１２１の中に納められており、その
円筒部１２１の隣に接続されたバイアスチョーク１４０
を介してバイアス電圧が印加される。バイアスチョーク
１４０はテフロン銅張積層板をエッチングによりパター
ニングし、さらに円筒部１２１における接続部用リッド
１４１となる銅箔部分が残るように積層板部分を削り取
ったものである。ガンダイオード１１０は、そのカソー
ド電極がマウント１２０の放熱基台１２２にロウ付けさ
れている。この放熱基台１２２は、リッド１４１との間
が円筒形のセラミック１４２によって絶縁分離されてお
り、このリッド１４１がガンダイオード１１０のアノー
ド電極にリボン１４３によって接続されている。
を示す図であり、テフロン銅張稜層基板の銅箔をエッチ
ングでパターニングした銅箔部分１３１を有するように
したものである。この銅箔部分１３１の幅や長さを調整
することにより発振周波数を調整することができる。図
６はマウント１２０の構成を示す図である。ガンダイオ
ード１１０は円筒部１２１の中に納められており、その
円筒部１２１の隣に接続されたバイアスチョーク１４０
を介してバイアス電圧が印加される。バイアスチョーク
１４０はテフロン銅張積層板をエッチングによりパター
ニングし、さらに円筒部１２１における接続部用リッド
１４１となる銅箔部分が残るように積層板部分を削り取
ったものである。ガンダイオード１１０は、そのカソー
ド電極がマウント１２０の放熱基台１２２にロウ付けさ
れている。この放熱基台１２２は、リッド１４１との間
が円筒形のセラミック１４２によって絶縁分離されてお
り、このリッド１４１がガンダイオード１１０のアノー
ド電極にリボン１４３によって接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記したＮ
ＲＤガイドガン発振器は、特殊なマウント１２０を使用
しているためにその作製が困難であり、特にバイアスチ
ョーク１４０は基板を削ってリッド１４１を露出させな
ければならないので、作業効率が非常に悪いという問題
があった。また、ガンダイオード１１０のアノード電極
とリッド１４１をリボン１４３によって接続するため、
寄生インダクタンスが発生し、特性がばらつくという問
題もあった。本発明は以上のような問題点を解消したＮ
ＲＤガイドガン発振器を提供することを目的とする。
ＲＤガイドガン発振器は、特殊なマウント１２０を使用
しているためにその作製が困難であり、特にバイアスチ
ョーク１４０は基板を削ってリッド１４１を露出させな
ければならないので、作業効率が非常に悪いという問題
があった。また、ガンダイオード１１０のアノード電極
とリッド１４１をリボン１４３によって接続するため、
寄生インダクタンスが発生し、特性がばらつくという問
題もあった。本発明は以上のような問題点を解消したＮ
ＲＤガイドガン発振器を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、２枚の金属板からなる平行平板を使用周
波数の波長の１／２以下の間隔で配置し、該平行平板の
間に誘電体ストリップ線路を挟持したＮＲＤガイド回路
とガンダイオードとを組合せてなるＮＲＤガイドガン発
振器において、信号線路の両端に接続された二つの信号
電極およびそれぞれの信号電極に対して絶縁された接地
電極が表面に形成された絶縁性又は半絶縁性の平板基板
と、同一面にアノード電極およびカソード電極が形成さ
れ、該両電極の一方が前記平板基板の信号電極に接続さ
れ他方が前記接地電極に接続された二つのガンダイオー
ドと、前記平板基板の裏面を前記平行平板に対して支持
するヒートシンクとを具備し、前記平板基板の前記信号
線路の略中央を前記誘電体ストリップ線路に電磁的に結
合するよう構成した。
め、本発明は、２枚の金属板からなる平行平板を使用周
波数の波長の１／２以下の間隔で配置し、該平行平板の
間に誘電体ストリップ線路を挟持したＮＲＤガイド回路
とガンダイオードとを組合せてなるＮＲＤガイドガン発
振器において、信号線路の両端に接続された二つの信号
電極およびそれぞれの信号電極に対して絶縁された接地
電極が表面に形成された絶縁性又は半絶縁性の平板基板
と、同一面にアノード電極およびカソード電極が形成さ
れ、該両電極の一方が前記平板基板の信号電極に接続さ
れ他方が前記接地電極に接続された二つのガンダイオー
ドと、前記平板基板の裏面を前記平行平板に対して支持
するヒートシンクとを具備し、前記平板基板の前記信号
線路の略中央を前記誘電体ストリップ線路に電磁的に結
合するよう構成した。
【０００６】第２の発明は、第１の発明において、前記
信号線路の長さが該信号線路の波長のほぼ１／２である
か、その整数倍であるよう構成した。
信号線路の長さが該信号線路の波長のほぼ１／２である
か、その整数倍であるよう構成した。
【０００７】第３の発明は、第１または第２の発明にお
いて、前記ガンダイオードが接続搭載された平板基板が
前記平行平板に垂直であり、前記信号線路の略中央を前
記誘電体ストリップの終端部と電磁的に結合するように
構成した。
いて、前記ガンダイオードが接続搭載された平板基板が
前記平行平板に垂直であり、前記信号線路の略中央を前
記誘電体ストリップの終端部と電磁的に結合するように
構成した。
【０００８】第４の発明は、第３の発明において、前記
ガンダイオードが接続搭載された前記平板基板の姿勢
を、前記平行平板に対して垂直から平行に代えて構成し
た。
ガンダイオードが接続搭載された前記平板基板の姿勢
を、前記平行平板に対して垂直から平行に代えて構成し
た。
【０００９】第５の発明は、第１乃至第４の発明におい
て、前記信号線路がサスペンデッド線路またはマイクロ
ストリップ線路またはコープレーナ線路であるように構
成した。
て、前記信号線路がサスペンデッド線路またはマイクロ
ストリップ線路またはコープレーナ線路であるように構
成した。
【００１０】第６の発明は、第１乃至第５の発明におい
て、前記平板基板が、裏面に接地用の電極を有し、該接
地用の電極と前記接地電極がヴィアホールで接続されて
いるように構成した。
て、前記平板基板が、裏面に接地用の電極を有し、該接
地用の電極と前記接地電極がヴィアホールで接続されて
いるように構成した。
【００１１】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態のＮＲ
Ｄガイドガン発振器の構造を示す図である。ＮＲＤガイ
ド回路は２枚の金属の平行平板１、２の間に誘電体スト
リップ線路３を挟んだ構造であり、従来例と同じであ
る。本実施の形態では、線路基板１０にガンダイオード
２０を２つ搭載して、これらを平行平板２に対して接
地、放熱およびヒートシンク３０を介して支持してい
る。
Ｄガイドガン発振器の構造を示す図である。ＮＲＤガイ
ド回路は２枚の金属の平行平板１、２の間に誘電体スト
リップ線路３を挟んだ構造であり、従来例と同じであ
る。本実施の形態では、線路基板１０にガンダイオード
２０を２つ搭載して、これらを平行平板２に対して接
地、放熱およびヒートシンク３０を介して支持してい
る。
【００１２】線路基板１０は図２の（ａ）、（ｂ）に示
すように、半絶縁性又は絶縁性(例えば、比抵抗が１０
６Ωｃｍ程度以上で、熱伝導率が１４０Ｗ／ｍＫ程度以
上のＡｌＮ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ダイアモンド等)の平板基
板１１の表面に、信号線路１２、その信号線路１２に直
流バイアスを印加するチョーク部１３、その信号線路１
２の両端に接続した２つの信号電極１４、２つの信号電
極１４をそれぞれ挟むように配置した二対の表面接地電
極１５が形成され、裏面には接地電極１６が形成され、
表面接地電極１５は接地電極１６に対してヴィアホール
１７により接続されている。この線路基板１０は、その
信号線路１２の裏面には接地電極がなく、サスペンディ
ド線路を形成している。
すように、半絶縁性又は絶縁性(例えば、比抵抗が１０
６Ωｃｍ程度以上で、熱伝導率が１４０Ｗ／ｍＫ程度以
上のＡｌＮ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ダイアモンド等)の平板基
板１１の表面に、信号線路１２、その信号線路１２に直
流バイアスを印加するチョーク部１３、その信号線路１
２の両端に接続した２つの信号電極１４、２つの信号電
極１４をそれぞれ挟むように配置した二対の表面接地電
極１５が形成され、裏面には接地電極１６が形成され、
表面接地電極１５は接地電極１６に対してヴィアホール
１７により接続されている。この線路基板１０は、その
信号線路１２の裏面には接地電極がなく、サスペンディ
ド線路を形成している。
【００１３】ガンダイオード２０は図３の（ａ）、
（ｂ）に示すように、半導体基板２１の上面に、第１の
コンタクト層２２、活性層２３、第２のコンタクト層２
４、および金属層２５を積層して、中央に丸形状の凹部
２６を金属層２５から第１のコンタクト層２２にほぼ達
するように形成することにより、その金属層２５をアノ
ード電極２５Ａとカソード電極２５Ｋに区画し、そのア
ノード電極２５Ａの上に熱圧着しやすいＡｕのバンプ２
７を、カソード電極２５Ｋの上に同じＡｕのバンプ２８
を、各々同じレベルの高さとなるように形成したもので
ある。このバンプ２７、２８もアノード電極２５Ａ、カ
ソード電極２５Ｋと等価である。一例として、半導体基
板２１は不純物濃度が１〜２×１０１８ａｔｏｍ／ｃｍ
３のｎ型ガリウム砒素からなり、第１のコンタクト層２
２は不純物濃度が２×１０１８ａｔｏｍ／ｃｍ３で厚さ
１．５μｍのｎ型ガリウム砒素からなり、活桂層２３は
不純物濃度が１．２×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ３で厚さ
１．６μｍのｎ型ガリウム砒素からなり、第２のコンタ
クト層２４は不純物濃度が１×１０１８ａｔｏｍ／ｃｍ
３で厚さ０．３μｍのｎ型ガリウム砒素からなる。ガリ
ウム砒素に代えてインジウムリン等の他の化合物半導体
を使用することもできる。このガンダイオード２０は、
アノード電極２５Ａに対応する区画部分の活性層の面積
が、ガンダイオードの所定の動作電流が得られる面積
(横方向断面積)となるよう設定される。
（ｂ）に示すように、半導体基板２１の上面に、第１の
コンタクト層２２、活性層２３、第２のコンタクト層２
４、および金属層２５を積層して、中央に丸形状の凹部
２６を金属層２５から第１のコンタクト層２２にほぼ達
するように形成することにより、その金属層２５をアノ
ード電極２５Ａとカソード電極２５Ｋに区画し、そのア
ノード電極２５Ａの上に熱圧着しやすいＡｕのバンプ２
７を、カソード電極２５Ｋの上に同じＡｕのバンプ２８
を、各々同じレベルの高さとなるように形成したもので
ある。このバンプ２７、２８もアノード電極２５Ａ、カ
ソード電極２５Ｋと等価である。一例として、半導体基
板２１は不純物濃度が１〜２×１０１８ａｔｏｍ／ｃｍ
３のｎ型ガリウム砒素からなり、第１のコンタクト層２
２は不純物濃度が２×１０１８ａｔｏｍ／ｃｍ３で厚さ
１．５μｍのｎ型ガリウム砒素からなり、活桂層２３は
不純物濃度が１．２×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ３で厚さ
１．６μｍのｎ型ガリウム砒素からなり、第２のコンタ
クト層２４は不純物濃度が１×１０１８ａｔｏｍ／ｃｍ
３で厚さ０．３μｍのｎ型ガリウム砒素からなる。ガリ
ウム砒素に代えてインジウムリン等の他の化合物半導体
を使用することもできる。このガンダイオード２０は、
アノード電極２５Ａに対応する区画部分の活性層の面積
が、ガンダイオードの所定の動作電流が得られる面積
(横方向断面積)となるよう設定される。
【００１４】また、カソード電極２５Ｋに対応する活性
層の面積については、アノード電極２５Ａに対応する活
性層の面積の１０倍以上として、そのカソード電極２５
Ｋの下層の半導体積層部の電気抵抗をアノード電極２５
Ａのそれの１／１０以下とすることで、この部分をガン
ダイオードとして機能させず、実質的に低抵抗として機
能させている。
層の面積については、アノード電極２５Ａに対応する活
性層の面積の１０倍以上として、そのカソード電極２５
Ｋの下層の半導体積層部の電気抵抗をアノード電極２５
Ａのそれの１／１０以下とすることで、この部分をガン
ダイオードとして機能させず、実質的に低抵抗として機
能させている。
【００１５】なお、このガンダイオード２０は、図３の
（ｃ）に示すように、図３の（ｂ）におけるカソード電
極２５Ｋの下層の第２のコンタクト層２４と活性層２３
を除去した構造のガンダイオード２０'に置換し、第１
のコンタクト層２２に直接カソード電極２５Ｋを彼着し
そのバンプ２８をアノード電極２５Ａのバンプ２７と上
面が同一となるレベルの高さに設けたものであってもよ
い。
（ｃ）に示すように、図３の（ｂ）におけるカソード電
極２５Ｋの下層の第２のコンタクト層２４と活性層２３
を除去した構造のガンダイオード２０'に置換し、第１
のコンタクト層２２に直接カソード電極２５Ｋを彼着し
そのバンプ２８をアノード電極２５Ａのバンプ２７と上
面が同一となるレベルの高さに設けたものであってもよ
い。
【００１６】さて、線路基板１０の平板基板１１へのガ
ンダイオード２０の実装搭載は、そのアノード電極２５
Ａのバンプ２７が信号電極１４に接続され、カソード電
極２５Ｋの一対のバンプ２８が一対の表面接地電極１５
に接続されるように、熱圧着で行う。そして、線路基板
１０の接地電極１６の部分がヒートシンク３０に接続さ
れるようにして、このヒートシンク３０を介して平板２
に接地されるようにする。もう１つのガンダイオードに
ついても同様にする。
ンダイオード２０の実装搭載は、そのアノード電極２５
Ａのバンプ２７が信号電極１４に接続され、カソード電
極２５Ｋの一対のバンプ２８が一対の表面接地電極１５
に接続されるように、熱圧着で行う。そして、線路基板
１０の接地電極１６の部分がヒートシンク３０に接続さ
れるようにして、このヒートシンク３０を介して平板２
に接地されるようにする。もう１つのガンダイオードに
ついても同様にする。
【００１７】線路基板１０のＮＲＤガイド回路への実装
は、図１に示すように、線路基板１０の平板基板１１が
平行平板１、２に対して垂直となり、信号線路１２の中
央部が誘電体ストリップ線路３の基部に対して垂直方向
から近接するように行う。チョーク部１３に電圧を印加
すると、チョーク１３に近いほうのガンダイオード２０
には信号電極１４から、遠いほうのガンダイオード２０
には信号線路１２を介して信号電極１４から、ヴィアホ
ール１７、裏面の接地電極１６、ヒートシンク３０、平
板２の経路で電流が流れ、二つのガンダイオード２０で
電磁波(マイクロ波)が発生する。発生した電磁波は信号
線路１２で共振し、その一部が誘電体ストリップ線路３
と結合し、伝搬してゆく。
は、図１に示すように、線路基板１０の平板基板１１が
平行平板１、２に対して垂直となり、信号線路１２の中
央部が誘電体ストリップ線路３の基部に対して垂直方向
から近接するように行う。チョーク部１３に電圧を印加
すると、チョーク１３に近いほうのガンダイオード２０
には信号電極１４から、遠いほうのガンダイオード２０
には信号線路１２を介して信号電極１４から、ヴィアホ
ール１７、裏面の接地電極１６、ヒートシンク３０、平
板２の経路で電流が流れ、二つのガンダイオード２０で
電磁波(マイクロ波)が発生する。発生した電磁波は信号
線路１２で共振し、その一部が誘電体ストリップ線路３
と結合し、伝搬してゆく。
【００１８】本実施の形態では、チョーク部１３を平板
基板１１に形成しているので、これを信号線路１２、信
号電極１４、表面接地電極１５と同時にエッチングによ
り形成できるので、基板を切除する必要はなく組立は容
易であり、その作業効率が向上する。
基板１１に形成しているので、これを信号線路１２、信
号電極１４、表面接地電極１５と同時にエッチングによ
り形成できるので、基板を切除する必要はなく組立は容
易であり、その作業効率が向上する。
【００１９】また、ガンダイオード２０が平板基板１１
に対してフェースダウンの姿勢で直接搭載されるので、
リボンを使用する場合に問題となる寄生インダクタンス
は発生しない。
に対してフェースダウンの姿勢で直接搭載されるので、
リボンを使用する場合に問題となる寄生インダクタンス
は発生しない。
【００２０】また、ガンダイオード２０で発生した熱は
バンプ２７、２８や熱伝導性の良好な平板基板１１を介
してヒートシンク３０に伝えられるので、放熱効果が高
くなる。また、ガンダイオード２０は両側のカソード電
極２５Ｋのバンプ２８で支持されるので、ガンダイオー
ドとして実質的に機能する中央の半導体積層部分に過度
の荷重が加わることが防止される。
バンプ２７、２８や熱伝導性の良好な平板基板１１を介
してヒートシンク３０に伝えられるので、放熱効果が高
くなる。また、ガンダイオード２０は両側のカソード電
極２５Ｋのバンプ２８で支持されるので、ガンダイオー
ドとして実質的に機能する中央の半導体積層部分に過度
の荷重が加わることが防止される。
【００２１】なお、以上では線路基板１０の信号線路１
２をサスペンディド線路としたが、平板基板１１の裏面
全面に接地電極１６を設ければマイクロストリップ線路
となる。また、この線路は平板基板１１の上面の中央に
信号線路を設け、その信号線路を挟むように一対の接地
電極を同一面に設けたコプレーナ線路とすることもでき
る。このときは、ガンダイオード２０は、そのアノード
電極２５Ａのバンプ２７を中央の信号線路に接続し、カ
ソード電極２５Ｋの両側のバンプ２８を接地電極に接続
すればよい。
２をサスペンディド線路としたが、平板基板１１の裏面
全面に接地電極１６を設ければマイクロストリップ線路
となる。また、この線路は平板基板１１の上面の中央に
信号線路を設け、その信号線路を挟むように一対の接地
電極を同一面に設けたコプレーナ線路とすることもでき
る。このときは、ガンダイオード２０は、そのアノード
電極２５Ａのバンプ２７を中央の信号線路に接続し、カ
ソード電極２５Ｋの両側のバンプ２８を接地電極に接続
すればよい。
【００２２】更に、ガンダイオード２０のアノード電極
２５Ａ、カソード電極２５Ｋは活性層の濃度勾配によっ
て反対になることもあり、この場合はチョーク部１３に
印加する電圧の極性を適宜選定すればよい。
２５Ａ、カソード電極２５Ｋは活性層の濃度勾配によっ
て反対になることもあり、この場合はチョーク部１３に
印加する電圧の極性を適宜選定すればよい。
【００２３】図４は線路基板１０を平行平板１、２に対
して垂直になるように搭載したものである。
して垂直になるように搭載したものである。
【００２４】
【発明の効果】以上から本発明によれば、バイアスを印
加するためのチョークとガンダイオードとの接続が単純
となって組立が容易となり、その作業効率が向上する。
加するためのチョークとガンダイオードとの接続が単純
となって組立が容易となり、その作業効率が向上する。
【００２５】また、ガンダイオードの搭載にリボンが不
要であり寄生インダクタンスは発生しない。
要であり寄生インダクタンスは発生しない。
【図１】本発明の実施の形態のＮＲＤガイドガン発振器
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】（ａ）は線路基板の平面図、（ｂ）は裏面図で
ある。
ある。
【図３】（ａ）はガンダイオードの平面図、（ｂ）は断
面図、（ｃ）は変形例のガンダイオードの断面図であ
る。
面図、（ｃ）は変形例のガンダイオードの断面図であ
る。
【図４】本発明の別の実施の形態のＮＲＤガイドガン発
振器の斜視図である。
振器の斜視図である。
【図５】（ａ）は従来のＮＲＤガイドガン発振器の斜視
図、（ｂ）は共振器の斜視図である。
図、（ｂ）は共振器の斜視図である。
【図６】（ａ）は図６に示したＮＲＤガイドガン発振器
のマウントの斜視図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図で
ある。
のマウントの斜視図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図で
ある。
１，２：金属の平行平板、３：誘電体ストリップ線路、
１０：線路基板、１１：平板基板、１２：信号線路、１
３：チョーク部、１４：信号電極、１５：表面接地電
極、１６：接地電極、１７：ヴィアホール、２０：ガン
ダイオード、２１：半導体基板、２２：第１のコンタク
ト層、２３：活性層、２４：第２のコンタクト層、２
５：金属層、２５Ａ：アノード電極、２５Ｋ：カソード
電極、２６：凹部、２７，２８：バンプ、３０：ヒート
シンク、１１０：従来例のガンダイオード、１２０：マ
ウント、１２１：マウントの円筒部、１２２：放熱基
台、１３０：共振器、１３１：共振器の銅箔部分、１４
０：バイアスチョーク、１４１：リッド、１４２：円筒
形のセラミック、１４３：リボン。
１０：線路基板、１１：平板基板、１２：信号線路、１
３：チョーク部、１４：信号電極、１５：表面接地電
極、１６：接地電極、１７：ヴィアホール、２０：ガン
ダイオード、２１：半導体基板、２２：第１のコンタク
ト層、２３：活性層、２４：第２のコンタクト層、２
５：金属層、２５Ａ：アノード電極、２５Ｋ：カソード
電極、２６：凹部、２７，２８：バンプ、３０：ヒート
シンク、１１０：従来例のガンダイオード、１２０：マ
ウント、１２１：マウントの円筒部、１２２：放熱基
台、１３０：共振器、１３１：共振器の銅箔部分、１４
０：バイアスチョーク、１４１：リッド、１４２：円筒
形のセラミック、１４３：リボン。
Claims (6)
- 【請求項１】 ２枚の金属板からなる平行平板を使用周
波数の波長の１／２以下の間隔で配置し、該平行平板の
間に誘電体ストリップ線路を挟持したＮＲＤガイド回路
とガンダイオードとを組合せてなるＮＲＤガイドガン発
振器において、信号線路の両端に接続された二つの信号
電極およびそれぞれの信号電極に対して絶縁された接地
電極が表面に形成された絶縁性又は半絶縁性の平板基板
と、同一面にアノード電極およびカソード電極が形成さ
れ、該両電極の一方が前記平板基板の信号電極に接続さ
れ他方が前記接地電極に接続された２つ以上のガンダイ
オードと、 前記平板基板の裏面を前記平行平板に対して支持するヒ
ートシンクとを具備し、前記平板基板の前記信号線路の
略中央を前記誘電体ストリップ線路に電磁的に結合させ
たことを特徴とするＮＲＤガイドガン発振器。 - 【請求項２】 前記信号線路の長さが該信号線路内波長
のほぼ１／２であるか、その整数倍であることを特徴と
する請求項１に記載のＮＲＤガイドガン発振器。 - 【請求項３】 前記ガンダイオードが接続搭載された前
記平板基板が前記平行平板に垂直であり、前記信号線路
の略中央を前記誘電体ストリップの終端部と電磁的に結
合させたことを特徴とする、請求項１または２に記載の
ＮＲＤガイドガン発振器。 - 【請求項４】 前記ガンダイオードが接続搭載された前
記平板基板の姿勢を、前記平行平板に対して垂直から平
行に代えたことを特徴とする請求項３に記載のＮＲＤガ
イドガン発振器。 - 【請求項５】 前記信号線路がサスペンデッド線路また
はマイクロストリップ線路またはコープレーナ線路であ
ることを特徴とする、請求項１乃至４に記載のＮＲＤガ
イドガン発振器。 - 【請求項６】 前記平板基板が、裏面に接地用の電極を
有し、該接地用の電極と前記接地電極がヴィアホールで
接続されることを特徴とする、請求項１乃至５に記載の
ＮＲＤガイドガン発振器。
Priority Applications (15)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28689298A JP3869131B2 (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | Ｎｒｄガイドガン発振器 |
| US09/299,017 US6344658B1 (en) | 1998-04-28 | 1999-04-26 | Gunn diode, NRD guide gunn oscillator, fabricating method of gunn diode and structure for assembly of the same |
| KR10-1999-0014953A KR100523131B1 (ko) | 1998-04-28 | 1999-04-27 | 건 다이오드, 엔알디 가이드 건 발진기와 그 제조방법 및 실장구조 |
| DE69934933T DE69934933T2 (de) | 1998-04-28 | 1999-04-27 | Gunndiode, NRD Leitungsschaltung und Verfahren zur Herstellung |
| EP03025204.3A EP1388931B1 (en) | 1998-04-28 | 1999-04-27 | NRD guide Gunn oscillator |
| EP99108231A EP0954039B1 (en) | 1998-04-28 | 1999-04-27 | Gunn diode, NRD guide gunn oscillator and fabricating method |
| EP03025205.0A EP1388902B1 (en) | 1998-04-28 | 1999-04-27 | Fabricating method of Gunn diode |
| EP03025203.5A EP1388901B1 (en) | 1998-04-28 | 1999-04-27 | Structure for assembly of a Gunn diode |
| CNB2004100016222A CN1278398C (zh) | 1998-04-28 | 1999-04-28 | 耿氏二极管制造方法以及耿氏振荡器 |
| CNB991053869A CN100364111C (zh) | 1998-04-28 | 1999-04-28 | 耿氏二极管及其安装结构 |
| US09/540,041 US6426511B1 (en) | 1998-04-28 | 2000-03-31 | Gunn diode, NRD guide gunn oscillator, fabricating method of gunn diode and structure for assembly of the same |
| US09/541,097 US6514832B1 (en) | 1998-04-28 | 2000-03-31 | Gunn diode, NRD guide Gunn oscillator, fabricating method of Gunn diode and structure for assembly of the same |
| US09/540,040 US6369663B1 (en) | 1998-04-28 | 2000-03-31 | NRD guide Gunn oscillator |
| KR10-2005-0045357A KR100503694B1 (ko) | 1998-04-28 | 2005-05-30 | 건 다이오드, 엔알디 가이드 건 발진기와 그 제조방법 및실장구조 |
| KR1020050045356A KR20050061415A (ko) | 1998-04-28 | 2005-05-30 | 건 다이오드, 엔알디 가이드 건 발진기와 그 제조방법 및실장구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28689298A JP3869131B2 (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | Ｎｒｄガイドガン発振器 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114823A true JP2000114823A (ja) | 2000-04-21 |
| JP2000114823A5 JP2000114823A5 (ja) | 2004-09-09 |
| JP3869131B2 JP3869131B2 (ja) | 2007-01-17 |
Family
ID=17710357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28689298A Expired - Lifetime JP3869131B2 (ja) | 1998-04-28 | 1998-10-08 | Ｎｒｄガイドガン発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3869131B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001185781A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | New Japan Radio Co Ltd | ガンダイオード及びその製造方法 |
| JP2001185780A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | New Japan Radio Co Ltd | インジウム燐ガンダイオード及びその製造方法 |
| WO2002067366A1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-08-29 | Nrdtech Co., Ltd | Coupling structure for sma connector-nrd guide |
| WO2002069439A1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-09-06 | Nrdtech Co., Ltd. | Fm modulator for nrd guide circuit |
-
1998
- 1998-10-08 JP JP28689298A patent/JP3869131B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001185781A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | New Japan Radio Co Ltd | ガンダイオード及びその製造方法 |
| JP2001185780A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | New Japan Radio Co Ltd | インジウム燐ガンダイオード及びその製造方法 |
| JP4493773B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2010-06-30 | 新日本無線株式会社 | ガンダイオード及びその製造方法 |
| JP4493772B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2010-06-30 | 新日本無線株式会社 | インジウム燐ガンダイオード及びその製造方法 |
| WO2002067366A1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-08-29 | Nrdtech Co., Ltd | Coupling structure for sma connector-nrd guide |
| WO2002069439A1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-09-06 | Nrdtech Co., Ltd. | Fm modulator for nrd guide circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3869131B2 (ja) | 2007-01-17 |
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