JP2000114674A - 伝熱部を備えるプリント回路板およびプリント配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱容量が異なる部品が搭載された際のハンダ
付け特性が改善されたプリント回路板およびプリント配
線基板を提供する。 【解決手段】 多層プリント配線基板ＷＢ１の表面上に
搭載された熱容量が大の電子部品がハンダ付けされる端
子ランド５Ａａの直下を含む領域に、電気絶縁層４を挟
んで、伝熱材から成る内層伝熱部３Ｂａを設け、さらに
内層や表裏面に層状の伝熱部３Ａａ、３Ｂｄなどを設
け、これら伝熱部間を伝熱材から成る連結伝熱部３Ｃに
より連結して構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、伝熱部を備えるプ
リント配線基板およびプリント回路板に関し、とりわけ
伝熱部を備えてリフロー式のハンダ付け工程により製造
されるプリント配線基板およびプリント回路板に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】エレクトロニクス技術・通信技術におい
ては近年、特に高速化と高性能化が要求されるにつれ、
小型化に加えて薄型化によるダウンサイジングが進行し
ている。この結果として、電子機器を構成する部品類の
搭載についても小型化・薄型化を実現するべく更に高い
実装技術が希求されている。

【０００３】電子機器を構成する部品類をプリント配線
基板上に搭載してハンダ付けする実装技術は、当初のピ
ン挿入実装技術（ＴＭＴ）に代わり、性能と特性を維持
しつつ容積の減少を図るために部品孔を使用することな
く導体パターンの表面で電気的接続を行う表面実装技術
（ＳＭＴ）が導入されるに至り、こうした表面実装技術
に適用されるＳＭＴ用電子部品として、ＳＯＰやＱＦＰ
などのガル・ウイング型端子やＪリードなどを用いた半
導体集積回路部品をはじめ、リード線を省略したコンデ
ンサや抵抗器などの表面実装部品（ＳＭＤ）が現在広く
使用されている。

【０００４】さらに、電子機器の小型化および軽量化へ
の要求が高まるにつれて、プリント配線基板も細線化、
配線間隙の狭小化に加えてさらに、配線層の多層化が進
行している。

【０００５】一方、ＱＦＰなどの半導体集積回路部品の
接続技術についても、狭ピッチ端子のハンダ付け接続の
ための一括リフローソルダリング技術が進展し、０．２
５ピッチ以下の実装が可能となっている。またリフロー
ソルダリングの加熱法としては、赤外線加熱法、熱風加
熱法、大気、窒素ガス使用、ＶＰＳをはじめとする各種
の方法とプロセスが、適用環境に応じて適宜実施されて
いる。

【０００６】図１１は、このような一括リフローソルダ
リングが適用される従来のプリント回路板の一例の模式
断面図である。また図１２は、図１１に示されるプリン
ト回路板の端子ハンダ付け強度特性図である。

【０００７】図１１に示されるように、プリント回路板
１０１は多層プリント配線基板１０２の面上に配設され
た複数個の端子ランド１０５Ａに、ＱＦＰ型の半導体チ
ップパッケージ８のガル・ウイング型の端子８Ａが半田
付け接続されている。これは、端子８Ａが端子ランド１
０５Ａ上に載置されたのちリフローソルダリング処理さ
れ、形成された半田フィレットが成長した合金層１０７
Ａにより端子８Ａと端子ランド１０５Ａが電気的および
機械的に接続されているものである。

【０００８】さらに多層プリント配線基板１０２の面上
に配設された複数個の端子ランド１０５Ｂに、コンデン
サや抵抗器といった搭載部品９が半田付け接続されてい
る。これは、搭載部品９の接続部分が端子ランド１０５
Ｂ上に載置されたのちリフローソルダリング処理され、
形成された半田フィレットが成長した合金層１０７Ｂに
より搭載部品９と端子ランド１０５Ｂが電気的および機
械的に接続されているものである。

【０００９】一方、多層プリント配線基板１０２の表裏
面には回路パターン部１０５が形成され、さらに多層プ
リント配線基板１０２の内部には、複数層による絶縁層
１０４によって挟まれた回路パターン部１０５’が形成
されている。

【００１０】回路パターン部１０５’間や、回路パター
ン部１０５’と表裏面の回路パターン部１０５間は、ビ
アホールにより電気的に導通され、また表裏面の回路パ
ターン部１０５間は、スルーホールによって電気的に導
通されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、リフローソ
ルダリングプロセスでのハンダ付け時間は、半田溶融を
含めて約３秒程度となる。このハンダ付け時間は、部品
の耐熱性等と関連させて決定されるが、このような短時
間内での加熱のバラツキを抑制するには、搭載されてい
る部品の熱容量を考慮に入れたリフロー温度プロファイ
ルが重要になる。

【００１２】すなわちリフローソルダリング処理におい
て所定の強度の合金層を形成するには、短時間に各部品
を昇温させ、しかもそれぞれ熱容量が異なる部品の温度
差または温度勾配を小とするように制御がなされねばな
らない。

【００１３】しかしながら、多層プリント配線基板１０
２に搭載される各部品の熱容量に着目すると、各部品の
熱容量がそれぞれ異なり、さらに搭載密度も均一でない
ため、前記のような従来の技術構成によれば、リフロー
ソルダリングにおいて多層プリント配線基板１０２の各
部分を貫通する熱流束も場所によって不均一となる。こ
の結果として多層プリント配線基板１０２の各部分の昇
温速度に差異が生じ、ハンダ付け温度が不均一となって
合金層の生成にバラツキが生じるという問題があった。

【００１４】さらに具体的に説明すると、端子８Ａを備
える半導体チップパッケージ８の熱容量は、一般的にコ
ンデンサまたは抵抗器である搭載部品９の熱容量よりも
大であるから、リフローソルダリング処理において温度
のバラツキが生じることがあった。

【００１５】すなわち、熱容量が小である搭載部品９は
温度上昇速度が大となるが、これに対して熱容量が大で
ある半導体チップパッケージ８を擁するエリアＡｒ１０
１は熱が部品に吸収されることにより立ち上がりが遅
く、温度上昇速度が小さいために端子８Ａが加熱不足に
なり、この温度のバラツキがハンダ付け強度のバラツキ
を発生させることになる。

【００１６】例として図１２に示されるように、図中の
縦軸で示されるハンダ付け強度（ｇｆ）は、横軸で示さ
れるピン位置によって相当大きなバラツキがある。これ
は熱容量が異なる大型部品において昇温が均一でないこ
との証左である。

【００１７】こうしたリフロー時の昇温のバラツキは、
外観検査などで一見、正常なハンダフィレットが生成さ
れていても、加熱不足のためにハンダ構成成分中の錫
と、基板ランドあるいは部品端子の銅などとの合金層が
薄くなり、ハンダ付け強度が低下するという、コールド
ソルダリング状態になる。

【００１８】この結果、機械的に接続強度の不十分な個
所が形成されるのみならず、電気的にも導電性が不良の
部分の発生をまねくことになり、よって何等かの効果的
な対処技術が必要となっていた。

【００１９】本発明は、前記のような従来技術における
問題点を解決するためなされたもので、熱容量が異なる
部品が搭載された際のハンダ付け特性が改善されたプリ
ント回路板およびプリント配線基板を提供することを目
的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】以下、本発明の原理を説
明し、ついで本発明の手段を説明する。前述したよう
に、熱容量が大である搭載部品のハンダ付け部分の昇温
速度が遅い。これは図１１に基づいて以下のように分析
される。ハンダ付け部分を符号Ｐ、熱容量が大である搭
載部品を符号Ｒ、リフローソルダリングで熱の流入点で
あるプリント配線基板の裏面上の位置を符号Ｑとする
と、Ｐ〜Ｒ間は銅箔製の端子ランドと、半田フィレット
と、金属製のリード端子と、このリード端子とパッケー
ジや内部インタポーザとの接続部から構成され、とりわ
け最後の接続部分での伝熱抵抗が大であるものの、総じ
て熱伝導度は比較的大である。一方、Ｑ〜Ｐ間は主とし
てプラスチック製の絶縁基板から構成されるから、伝熱
抵抗が大きく、総じて熱伝導度は小である。

【００２１】この結果、リフローソルダリングで位置Ｑ
から流入する熱の、位置Ｐへの熱伝達が効率的でなく、
昇温の立ち上がりが遅い。しかも、位置Ｐへ達した熱は
熱伝導度が大のＰ〜Ｒ間によって効率的に搭載部品に吸
収されるから、位置Ｐの温度が上昇しない。このよう
に、上記の構造では熱容量が大である搭載部品がヒート
シンクとして作用している。

【００２２】そこで本発明は、Ｑ〜Ｐ間の伝熱抵抗を小
さくして、Ｑ〜Ｐ間の熱伝導度を大とする構成にする。
すなわち、Ｑ〜Ｐ間の領域を、熱伝導度が小であるプラ
スチック製の絶縁基板に替えて、熱伝導度が大である伝
熱機構により構成する。

【００２３】これにより、リフローソルダリングで位置
Ｑから流入する熱の、位置Ｐへの熱伝達が高効率とな
り、昇温の立ち上がりが改善される。さらに、位置Ｐへ
達する熱量は、Ｐ〜Ｒ間によって搭載部品に吸収される
熱量より大となって、位置Ｐの温度が上昇する。

【００２４】さらに本発明は、熱容量が大である搭載部
品の周辺の領域に流入する熱を利用する構成とするもの
である。すなわち図１１で、熱容量が大である搭載部品
８から離れた周辺位置Ｓからプリント配線基板へ流入す
る熱は、この領域にハンダ付けが必要な個所がないか
ら、徒にプリント配線基板の必要のない部分を昇温させ
ている。

【００２５】そこで本発明は、位置Ｓに流入する熱を集
熱するとともに、これを効率的に位置Ｐへ熱伝達する集
熱・伝達機構を導入するものである。これにより、位置
Ｐへの流入熱量が増大して昇温速度が改善されるととも
に、位置Ｓに対応するプリント配線基板の各部分の昇温
の抑制がなされる。

【００２６】以上の原理に基づき、また前記従来技術の
課題を解決するべく、本発明に係るプリント回路板は、
プリント配線基板の表面上に搭載された電子部品の半田
付けランドの少なくとも直下を含む領域に、電気絶縁層
を挟んで、伝熱材から成る複数の層状の伝熱部を設け、
且つ前記複数の層状の伝熱部間を伝熱材から成る連結伝
熱部により連結して構成したことを特徴とする。

【００２７】前記の構成によれば、外部からプリント配
線基板へ流入する熱は層状の伝熱部のうちの手直の伝熱
部を昇温させ、連結伝熱部により他の伝熱部に伝達され
てこれを昇温させ、このようにして熱が半田付けランド
の直下の伝熱部に効率的に伝達され、ついで電気絶縁層
を介して半田付けランドに伝熱がなされて半田付けラン
ドを急速に昇温させる。すなわち層状の伝熱部および連
結伝熱部によって、この領域の熱伝導度が改善される。

【００２８】また、本発明に係るプリント配線基板は、
表面上に電子部品を搭載可能であり、且つ当該電子部品
をハンダ付けするランドを表面上に備えるプリント配線
基板であって、前記搭載される電子部品をハンダ付け接
続する前記ランドの少なくとも直下を含む領域に、電気
絶縁層を挟んで、伝熱材から成る複数の層状の伝熱部を
設け、且つ前記複数の層状の伝熱部間を伝熱材から成る
連結伝熱部により連結して構成したことを特徴とする。

【００２９】前記の構成によれば、外部からプリント配
線基板へ流入する熱は層状の伝熱部のうちの手直の伝熱
部を昇温させ、連結伝熱部により他の伝熱部に伝達され
てこれを昇温させ、このようにして熱が半田付けランド
の直下の伝熱部に効率的に伝達され、ついで電気絶縁層
を介して半田付けランドに伝熱がなされて半田付けラン
ドを急速に昇温させる。すなわち層状の伝熱部および連
結伝熱部によって、この領域の熱伝導度が改善される。

【００３０】本発明に係るするプリント回路板は、プリ
ント配線基板の表面上に搭載された電子部品の半田付け
ランドの少なくとも直下を含む領域に、電気絶縁層を挟
んで、伝熱材から成る複数の層状の伝熱部を設け、且つ
前記複数の層状の伝熱部のうち少なくとも一つの伝熱部
は、前記半田付けランドおよび前記搭載された電子部品
の占める領域を越えた領域に延設され、且つ前記複数の
層状の伝熱部間を伝熱材から成る連結伝熱部により連結
して構成したことを特徴とする。

【００３１】前記の構成によれば、外部からプリント配
線基板へ流入する熱は層状の伝熱部のうちの手直の伝熱
部を昇温させ、連結伝熱部により他の伝熱部に伝達され
てこれを昇温させ、このようにして熱が半田付けランド
の直下の伝熱部に効率的に伝達され、ついで電気絶縁層
を介して半田付けランドに伝熱がなされて半田付けラン
ドを急速に昇温させる。すなわち層状の伝熱部および連
結伝熱部によって、この領域の熱伝導度が改善される。

【００３２】さらに、半田付けランドおよび搭載された
電子部品の占める領域を越えた領域に延設された伝熱部
によって、該当する全領域からの集熱が効果的になさ
れ、半田付けランドへの伝熱量が増大する。

【００３３】本発明に係るプリント配線基板は、表面上
に電子部品を搭載可能であり、且つ当該電子部品をハン
ダ付けするランドを表面上に備えるプリント配線基板で
あって、前記搭載される電子部品をハンダ付け接続する
前記ランドの少なくとも直下を含む領域に、電気絶縁層
を挟んで、伝熱材から成る複数の層状の伝熱部を設け、
且つ前記複数の層状の伝熱部のうち少なくとも一つの伝
熱部は、前記半田付けランドおよび前記搭載される電子
部品の占める領域を越えた領域に延設され、且つ前記複
数の層状の伝熱部間を伝熱材から成る連結伝熱部により
連結して構成したことを特徴とする。

【００３４】前記の構成によれば、外部からプリント配
線基板へ流入する熱は層状の伝熱部のうちの手直の伝熱
部を昇温させ、連結伝熱部により他の伝熱部に伝達され
てこれを昇温させ、このようにして熱が半田付けランド
の直下の伝熱部に効率的に伝達され、ついで電気絶縁層
を介して半田付けランドに伝熱がなされて半田付けラン
ドを急速に昇温させる。すなわち層状の伝熱部および連
結伝熱部によって、この領域の熱伝導度が改善される。

【００３５】さらに、半田付けランドおよび搭載される
電子部品の占める領域を越えた領域に延設された伝熱部
によって、該当する全領域からの集熱が効果的になさ
れ、半田付けランドへの伝熱量が増大する。

【００３６】本発明に係るプリント回路板は、プリント
配線基板の表面上に搭載された電子部品の半田付けラン
ドの少なくとも直下を含む領域に、電気絶縁層を挟ん
で、伝熱材から成る塊状の伝熱部を設けて構成したこと
を特徴とする。

【００３７】前記の構成によれば、外部からプリント配
線基板へ流入する熱は伝熱材から成る塊状の伝熱部を昇
温させ、このようにして熱が半田付けランドの直下に効
率的に伝達され、ついで電気絶縁層を介して半田付けラ
ンドに伝熱がなされて半田付けランドを急速に昇温させ
る。すなわち塊状の伝熱部によって、この領域の熱伝導
度が改善される。

【００３８】本発明に係るプリント配線基板は、表面上
に電子部品を搭載可能であり、且つ当該電子部品をハン
ダ付けするランドを表面上に備えるプリント配線基板で
あって、前記搭載される電子部品をハンダ付け接続する
前記ランドの少なくとも直下を含む領域に、電気絶縁層
を挟んで、伝熱材から成る塊状の伝熱部を設けて構成し
たことを特徴とする。

【００３９】前記の構成によれば、外部からプリント配
線基板へ流入する熱は伝熱材から成る塊状の伝熱部を昇
温させ、このようにして熱が半田付けランドの直下に効
率的に伝達され、ついで電気絶縁層を介して半田付けラ
ンドに伝熱がなされて半田付けランドを急速に昇温させ
る。すなわち塊状の伝熱部によって、この領域の熱伝導
度が改善される。

【００４０】本発明に係るプリント回路板は、プリント
配線基板の表面上に搭載された電子部品の半田付けラン
ドの少なくとも直下に、電気絶縁層を挟んで、伝熱材か
ら成る塊状の伝熱部を設け、且つ当該伝熱部は前記半田
付けランドおよび前記搭載された電子部品の占める領域
を越えた領域に延設されたことを特徴とする。

【００４１】前記の構成によれば、外部からプリント配
線基板へ流入する熱は伝熱材から成る塊状の伝熱部を昇
温させ、このようにして熱が半田付けランドの直下に効
率的に伝達され、ついで電気絶縁層を介して半田付けラ
ンドに伝熱がなされて半田付けランドを急速に昇温させ
る。すなわち塊状の伝熱部によって、この領域の熱伝導
度が改善される。

【００４２】さらに、塊状の伝熱部が半田付けランドお
よび搭載される電子部品の占める領域を越えた領域に延
設されることによって、該当する全領域からの集熱が効
果的になされ、半田付けランドへの伝熱量が増大する。

【００４３】本発明に係るプリント配線基板は、表面上
に電子部品を搭載可能であり、且つ当該電子部品をハン
ダ付けするランドを表面上に備えるプリント配線基板で
あって、前記搭載される電子部品をハンダ付け接続する
前記ランドの少なくとも直下に、電気絶縁層を挟んで、
伝熱材から成る塊状の伝熱部を設け、且つ当該伝熱部は
前記半田付けランドおよび前記搭載される電子部品の占
める領域を越えた領域に延設されたことを特徴とする。

【００４４】前記の構成によれば、外部からプリント配
線基板へ流入する熱は伝熱材から成る塊状の伝熱部を昇
温させ、このようにして熱が半田付けランドの直下に効
率的に伝達され、ついで電気絶縁層を介して半田付けラ
ンドに伝熱がなされて半田付けランドを急速に昇温させ
る。すなわち塊状の伝熱部によって、この領域の熱伝導
度が改善される。

【００４５】さらに、塊状の伝熱部が半田付けランドお
よび搭載される電子部品の占める領域を越えた領域に延
設されることによって、該当する全領域からの集熱が効
果的になされ、半田付けランドへの伝熱量が増大する。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を添付図を参照して詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、この発明の本質的な構成と作用を示すた
めの好適な例の一部であり、したがって技術構成上好ま
しい種々の限定が付されている場合があるが、この発明
の範囲は、以下の説明において特にこの発明を限定する
旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものでは
ない。

【００４７】本発明においてプリント配線基板とは、絶
縁基板の少なくとも一方の表面上に、導体パターン層が
銅箔などの導電性材料のエッチング加工又はダイスタン
ピング加工により形成されたものとして定義される。導
体パターン層は、所謂引き回し配線としての回路パター
ンと、電子部品類の端子等が半田付け接続される電極と
してのランドから構成される。

【００４８】一方、このプリント配線基板面に、能動部
品である半導体集積回路素子や、受動部品である抵抗器
等の電子部品類が搭載・半田付け接合されて、電子回路
としての機能を備える構成とされたものが、プリント回
路板と定義される。したがってプリント回路板は、プリ
ント配線基板に電子部品類を搭載・半田付け接合して製
造される。

【００４９】図１は、本発明に係るプリント回路板の第
一実施形態の模式断面図である。図２は、図１に示され
るプリント回路板の端子ハンダ付け強度特性図である。

【００５０】図１に示されるように、本実施形態に係る
プリント回路板Ｐ１は、多層プリント配線基板ＷＢ１の
面上に配設された複数個の端子ランド５Ａａに、ＱＦＰ
型の、熱容量が大きい半導体チップパッケージ８のガル
・ウイング型の端子８Ａが半田付け接続されている。こ
れは、端子８Ａが端子ランド５Ａａ上に載置されたのち
リフローソルダリング処理され、形成された半田フィレ
ットが成長した合金層７Ａにより端子８Ａと端子ランド
５Ａａが電気的および機械的に接続されているものであ
る。

【００５１】なお、端子形状は上記ガル・ウイング型に
限定されることなく、例えばＪリードを含む表面実装適
応型の端子すべてについて適用される。

【００５２】さらに多層プリント配線基板ＷＢ１の面上
に配設された複数個の端子ランド５Ｂに、コンデンサや
抵抗器といった、上記の半導体チップパッケージ８より
も熱容量が小さい搭載部品９が半田付け接続されてい
る。これは、搭載部品９の接続部分が端子ランド５Ｂ上
に載置されたのちリフローソルダリング処理され、形成
された半田フィレットが成長した合金層７Ｂにより搭載
部品９と端子ランド５Ｂが電気的および機械的に接続さ
れているものである。

【００５３】一方、多層プリント配線基板ＷＢ１の表裏
面および内層には、銅箔などによる回路パターン部５が
形成され、さらにこれら回路パターン部５の占める領域
を避けて、多層プリント配線基板ＷＢ１の裏面上に伝熱
材による表面伝熱部３Ａａ、３Ａｃが、また内層に伝熱
材による内層伝熱部３Ｂｄと３Ｂａが、更におもて面上
の半導体チップパッケージ８の真下にあたる位置に伝熱
材による部品下伝熱部３Ｄが設けられている。

【００５４】これら各伝熱部は熱の良導体である金属
層、例えば銅箔により形成される。とりわけこれら各伝
熱部が、多層プリント配線基板ＷＢ１の表裏面や内層に
設けられている銅箔層を利用して、回路パターン部５を
形成させると同様な工程で形成されたものである場合
は、表面伝熱部３Ａａと内層伝熱部３Ｂｄ間、表面伝熱
部３Ａｃと内層伝熱部３Ｂｄ間、また内層伝熱部３Ｂｄ
と内層伝熱部３Ｂａ間、また内層伝熱部３Ｂａと端子ラ
ンド５Ａａ間、内層伝熱部３Ｂａと部品下伝熱部３Ｄ間
などに、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂シー
トによる電気的な絶縁層４が介在する。

【００５５】ここで、本実施形態の構成においては表面
伝熱部３Ａａと内層伝熱部３Ｂｄ間、表面伝熱部３Ａｃ
と内層伝熱部３Ｂｄ間、また内層伝熱部３Ｂｄと内層伝
熱部３Ｂａ間、また内層伝熱部３Ｂａと部品下伝熱部３
Ｄ間などのそれぞれに、熱伝導のためのビアホールとし
ての連結伝熱部３Ｃを設けて各伝熱部間の熱伝導特性を
改善している。なお熱伝導のためのビアホールは、隣接
した伝熱部間に限らず、さらに離れた伝熱部間に設ける
こともできる。

【００５６】さらに本実施形態の構成の特徴として、内
層伝熱部３Ｂａが絶縁層４を介して端子ランド５Ａａの
真下に位置するように形成されている。

【００５７】上記のように構成することにより、リフロ
ーソルダリング時に表面伝熱部３Ａａ、３Ａｃを主とす
る各伝熱部により熱がとりこまれ、さらに各伝熱部を連
結する連結伝熱部３Ｃにより熱伝達がなされるから、端
子ランド５Ａａの真下に位置する内層伝熱部３Ｂａに熱
が効率的に供給され、したがって絶縁層４を経て端子ラ
ンド５Ａａに流れる熱流束が増加する。また、部品下伝
熱部３Ｄからも絶縁層４を経て端子ランド５Ａａに熱が
流入する。

【００５８】これにより、伝熱部の上方に搭載される半
導体チップパッケージ８の熱容量が大であっても、端子
ランド５Ａａから端子８Ａを伝って半導体チップパッケ
ージ８に吸収される熱量をこえる熱量を端子ランド５Ａ
ａに供給することが可能になり、この結果、端子ランド
５Ａａが、周囲の熱容量が小さい搭載部品９の端子ラン
ド５Ｂと略等しい速度で昇温する。

【００５９】このようにして、熱容量が大の搭載部品の
近傍の端子ランド温度と、熱容量が小さい搭載部品の近
傍の端子ランド温度が均一化され、熱容量が大の搭載部
品の半田付けランドにおいてもハンダフィレットと合金
層を正常に形成させることができ、よって均一な強度の
ハンダ付けがなされたプリント回路板が実現される。

【００６０】この結果、図２に示されるように、図中の
横軸で示される端子すなわちピンの位置が異なっても、
縦軸で示されるハンダ付け強度（ｇｆ）の変動は小さ
く、しかもハンダ付け強度の平均値が大となり、このよ
うにバラツキを抑えて均一かつ正常なハンダ付けがなさ
れていることを確認できる。

【００６１】上記に加えてさらに、本実施形態の構成に
よれば、プリント回路板Ｐ１が作動中に例えば半導体チ
ップパッケージ８において発生する熱が、端子８Ａを伝
って端子ランド５Ａａへ流入すると、昇温した端子ラン
ド５Ａａから熱流束が絶縁層４を経て内層伝熱部３Ｂａ
に流れるが、前述したように層状の伝熱部および連結伝
熱部によって、この領域の熱伝導度が改善されているか
ら、効果的に放熱されるという効果がある。

【００６２】図３は、図１のプリント回路板の製造に適
用可能な本発明に係るプリント配線基板の第一実施形態
の模式断面図である。本実施形態にかかるプリント配線
基板ＷＢ１は、表面上に電子部品を搭載可能であり、こ
の電子部品をハンダ付けする端子ランド５Ａａ、５Ｂを
表面上に備え、端子ランド５Ａａには熱容量が大である
搭載部品がハンダ付け接続され、端子ランド５Ｂには熱
容量が小である搭載部品がハンダ付け接続されるように
なっている。

【００６３】プリント配線基板ＷＢ１のおもて面の、熱
容量が大である搭載部品が搭載される位置の下に、銅箔
から成る層状の部品下伝熱部３Ｄが設けられ、さらに端
子ランド５Ａａの少なくとも直下を含む領域に、例えば
ポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂シートによる電気的
な絶縁層４を挟んで、銅箔から成る層状の内層伝熱部３
Ｂａが設けられ、さらに内層伝熱部３Ｂａが設けられた
層の下に、絶縁層４を挟んで銅箔から成る層状の内層伝
熱部３Ｂｄが設けられ、さらに絶縁層４を挟んでプリン
ト配線基板ＷＢ１の裏面に銅箔から成る表面伝熱部３Ａ
ａ、３Ａｃが設けられている。なお銅箔に限定されるこ
となく、種々の層状の伝熱材を適用することができる。

【００６４】さらに表面伝熱部３Ａａと内層伝熱部３Ｂ
ｄ間、表面伝熱部３Ａｃと内層伝熱部３Ｂｄ間、また内
層伝熱部３Ｂｄと内層伝熱部３Ｂａ間、また内層伝熱部
３Ｂａと部品下伝熱部３Ｄ間のそれぞれに、熱伝導のた
めのビアホールとしての連結伝熱部３Ｃを設けて各伝熱
部間の熱伝導特性を改善している。なお熱伝導のための
ビアホールは、隣接した伝熱部間に限らず、さらに離れ
た伝熱部間に設けることもできる。

【００６５】さらに本実施形態の構成の特徴として、内
層伝熱部３Ｂａが絶縁層４を介して端子ランド５Ａａの
真下に位置するように形成されている。

【００６６】上記のように構成することにより、リフロ
ーソルダリング時に表面伝熱部３Ａａを主とする各伝熱
部により熱がとりこまれ、さらに各伝熱部を連結する連
結伝熱部３Ｃにより熱伝達がなされるから、端子ランド
５Ａａの真下に位置する内層伝熱部３Ｂａに熱が効率的
に供給され、したがって絶縁層４を経て端子ランド５Ａ
ａに流れる熱流束が増加する。

【００６７】これにより、伝熱部の上方に搭載される部
品の熱容量が大であっても、端子ランド５Ａａから端子
８Ａを伝って熱容量が大である搭載部品に吸収される熱
量より多い熱量を端子ランド５Ａａに供給することが可
能になり、この結果、端子ランド５Ａａを周囲に配設さ
れている熱容量が小さい搭載部品９の端子ランド５Ｂと
同等に昇温させることが可能になる。

【００６８】このように、本実施形態の構成のプリント
配線基板ＷＢ１を用いることによって、端子ランド温度
の不均一の発生がなくなり、熱容量が大の搭載部品の端
子ランドにハンダフィレットと合金層を正常に形成させ
ることができるから、よって均一な強度のハンダ付けが
なされたプリント回路板を容易に製造することができ
る。

【００６９】つぎに、本発明のプリント回路板の第二の
実施形態を、図４に基づいて説明する。

【００７０】同図において、本実施形態のプリント回路
板Ｐ２は、多層プリント配線基板ＷＢ２の面上に複数個
の端子ランド５Ａｂと５Ｂが配設されており、端子ラン
ド５Ａｂには例えばＱＦＰ型の、熱容量が大きい半導体
チップパッケージ８のガル・ウイング型の端子８Ａが半
田付け接続されている。これは、端子８Ａが端子ランド
５Ａｂ上に載置されたのちリフローソルダリング処理さ
れ、形成された半田フィレットが成長した合金層７Ｃに
より端子８Ａと端子ランド５Ａｂが電気的および機械的
に接続されているものである。

【００７１】一方、端子ランド５Ｂにはコンデンサや抵
抗器といった、上記の半導体チップパッケージ８よりも
熱容量が小さい搭載部品９が半田付け接続されている。
これは、搭載部品９の接続部分が端子ランド５Ｂ上に載
置されたのちリフローソルダリング処理され、形成され
た半田フィレットが成長した合金層７Ｂにより搭載部品
９と端子ランド５Ｂが電気的および機械的に接続されて
いるものである。

【００７２】また、多層プリント配線基板ＷＢ２の表裏
面および内層には、銅箔などによる回路パターン部５が
形成され、さらにこれら回路パターン部５の占める領域
を避けて、多層プリント配線基板ＷＢ２の裏面上に伝熱
材による表面伝熱部３Ａｂと３Ａｄが、また内層に伝熱
材による内層伝熱部３Ｂｅと３Ｂｂが、更におもて面上
の半導体チップパッケージ８の真下にあたる位置に伝熱
材による部品下伝熱部３Ｄが設けられている。

【００７３】これら各伝熱部は熱の良導体である金属
層、例えば銅箔により形成される。とりわけこれら各伝
熱部が、多層プリント配線基板ＷＢ２の表裏面や内層に
設けられている銅箔層を利用して、回路パターン部５を
形成させると同様な工程で形成されたものである場合
は、表面伝熱部３Ａｂと内層伝熱部３Ｂｅ間、表面伝熱
部３Ａｄと内層伝熱部３Ｂｅ間、また内層伝熱部３Ｂｅ
と内層伝熱部３Ｂｂ間、また内層伝熱部３Ｂｂと端子ラ
ンド５Ａｂ間、内層伝熱部３Ｂｂと部品下伝熱部３Ｄ間
に、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂シートに
よる電気的な絶縁層４が介在する。

【００７４】ここで、本実施形態の構成においては表面
伝熱部３Ａｂと内層伝熱部３Ｂｅ間、表面伝熱部３Ａｄ
と内層伝熱部３Ｂｅ間、また内層伝熱部３Ｂｅと内層伝
熱部３Ｂｂ間、また内層伝熱部３Ｂｂと部品下伝熱部３
Ｄ間のそれぞれに、熱伝導のためのビアホールとしての
連結伝熱部３Ｃを設けて各伝熱部間の熱伝導特性を改善
している。なお熱伝導のためのビアホールは、隣接した
伝熱部間に限らず、さらに離れた伝熱部間に設けること
もできる。

【００７５】さらに本実施形態の構成の特徴として、内
層伝熱部３Ｂｅが端子ランド５Ａｂおよび前記搭載され
た半導体チップパッケージ８の占める領域を越えた、こ
れより外側の領域Ａｒにまで延設されて形成されてい
る。また、内層伝熱部３Ｂｂが絶縁層４を介して端子ラ
ンド５Ａｂの真下に位置するように形成されている。

【００７６】上記のように構成することにより、リフロ
ーソルダリング時に表面伝熱部３Ａｂ、３Ａｄを主とす
る各伝熱部により熱がとりこまれ、さらに各伝熱部を連
結する連結伝熱部３Ｃにより熱伝達がなされるから、端
子ランド５Ａｂの真下に位置する内層伝熱部３Ｂｂに熱
が効率的に供給され、したがって絶縁層４を経て端子ラ
ンド５Ａｂに流れる熱流束が増加する。また、部品下伝
熱部３Ｄからも絶縁層４を経て端子ランド５Ａｂに熱が
流入する。

【００７７】ところでリフローソルダリング時には、熱
源から供給される熱は例えば多層プリント配線基板ＷＢ
２の裏面のすべてに供給されることになるが、昇温が必
要とされる部分は、ハンダ付けがなされる端子ランド５
Ａｂや端子ランド５Ｂである。したがって図中の領域Ａ
ｒのように、昇温が必要とされる端子ランドが存在しな
い部分にも一様に供給される熱は無駄であるばかりか、
昇温を必要としない部分を好ましくない高温状態にする
という畏れもある。

【００７８】そこで本実施形態によれば、前記のように
領域Ａｒまで延設されている内層伝熱部３Ｂｅが、領域
Ａｒに流入する熱を捉え、この熱を連結伝熱部３Ｃを介
して端子ランド５Ａｂへ供給するものである。

【００７９】すなわち、端子ランド５Ａｂおよび半導体
チップパッケージ８の占める領域を越えた領域に延設さ
れた内層伝熱部３Ｂｅによって、該当する領域Ａｒから
の集熱が効果的になされ、端子ランド５Ａｂへの伝熱量
を増大させることができる。

【００８０】これにより、端子ランド５Ａｂに接続され
た半導体チップパッケージ８の熱容量がとりわけ大であ
っても、端子ランド５Ａａから端子８Ａを伝って半導体
チップパッケージ８に吸収される熱量をこえる熱量を端
子ランド５Ａａに供給することが可能になり、この結
果、端子ランド５Ａａを、周囲の熱容量が小さい搭載部
品９の端子ランド５Ｂと略等しい速度で昇温させること
ができる。

【００８１】このようにして、熱容量が大の搭載部品の
近傍の端子ランド温度と、熱容量が小さい搭載部品の近
傍の端子ランド温度が均一化され、熱容量が大の搭載部
品の半田付けランドにおいてもハンダフィレットと合金
層を正常に形成させることができ、よって均一な強度の
ハンダ付けがなされたプリント回路板が実現される。

【００８２】上記に加えてさらに、本実施形態の構成に
よれば、プリント回路板Ｐ２が作動中に例えば半導体チ
ップパッケージ８において発生する熱が、端子８Ａを伝
って端子ランド５Ａｂへ流入すると、昇温した端子ラン
ド５Ａｂから熱流束が絶縁層４を経て内層伝熱部３Ｂｂ
および３Ｂｅに流れるが、前述したように層状の各伝熱
部および各連結伝熱部によって、この領域の熱伝導度が
改善されており、さらに延設された内層伝熱部３Ｂｅに
よって放熱特性が改善されているから、効果的に放熱さ
れるという顕著な効果がある。

【００８３】なお、上記では延設された内層伝熱部を３
Ｂｅとして構成しているが、これに限定されることな
く、他の内層伝熱部や表面伝熱部などを領域Ａｒまで延
設させる構成も可能である。

【００８４】つぎに、本発明のプリント配線基板の第二
の実施形態を、図５に基づいて説明する。同図におい
て、本実施形態にかかるプリント配線基板ＷＢ２は、表
面上に電子部品を搭載可能であり、この電子部品をハン
ダ付けする端子ランド５Ａｂ、５Ｂを表面上に備え、端
子ランド５Ａｂには熱容量が大である搭載部品がハンダ
付け接続され、端子ランド５Ｂには熱容量が小である搭
載部品がハンダ付け接続されるようになっている。

【００８５】プリント配線基板ＷＢ２のおもて面の、熱
容量が大である搭載部品が搭載される位置の下に、銅箔
から成る層状の部品下伝熱部３Ｄが設けられ、さらに端
子ランド５Ａｂの少なくとも直下を含む領域に、例えば
ポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂シートによる電気的
な絶縁層４を挟んで、銅箔から成る層状の内層伝熱部３
Ｂｂが設けられ、さらに内層伝熱部３Ｂｂが設けられた
層の下に、絶縁層４を挟んで銅箔から成る層状の内層伝
熱部３Ｂｅが設けられ、さらに絶縁層４を挟んでプリン
ト配線基板ＷＢ２の裏面に銅箔から成る表面伝熱部３Ａ
ｂ、３Ａｄが設けられている。なお銅箔に限定されるこ
となく、種々の層状の伝熱材を適用することができる。

【００８６】さらに表面伝熱部３Ａｂと内層伝熱部３Ｂ
ｅ間、表面伝熱部３Ａｄと内層伝熱部３Ｂｅ間、また内
層伝熱部３Ｂｅと内層伝熱部３Ｂｂ間、また内層伝熱部
３Ｂｂと部品下伝熱部３Ｄ間のそれぞれに、熱伝導のた
めのビアホールとしての連結伝熱部３Ｃを設けて各伝熱
部間の熱伝導特性を改善している。なお熱伝導のための
ビアホールは、隣接した伝熱部間に限らず、さらに離れ
た伝熱部間に設けることもできる。

【００８７】さらに本実施形態の構成の特徴として、内
層伝熱部３Ｂｅが端子ランド５Ａｂおよび搭載が予定さ
れる熱容量が大の搭載部品（たとえば半導体チップパッ
ケージ）の占める領域を越えた、これより外側の領域Ａ
ｒにまで延設されて形成されている。また、内層伝熱部
３Ｂｂが絶縁層４を介して端子ランド５Ａｂの真下に位
置するように形成されている。

【００８８】上記のように構成することにより、このプ
リント配線基板ＷＢ２にリフローソルダリング加工がな
される時に、表面伝熱部３Ａｂ、３Ａｄを主とする各伝
熱部により熱がとりこまれ、さらに各伝熱部を連結する
連結伝熱部３Ｃにより熱伝達がなされるから、端子ラン
ド５Ａｂの真下に位置する内層伝熱部３Ｂｂに熱が効率
的に供給され、したがって絶縁層４を経て端子ランド５
Ａｂに流れる熱流束が増加する。また、部品下伝熱部３
Ｄからも絶縁層４を経て端子ランド５Ａｂに熱が流入す
る。

【００８９】ところで前記のようなリフローソルダリン
グ加工時には、熱源から供給される熱は例えば多層プリ
ント配線基板ＷＢ２の裏面のすべてに供給されることに
なるが、昇温が必要とされる部分は、ハンダ付けがなさ
れる端子ランド５Ａｂや端子ランド５Ｂである。したが
って図中の領域Ａｒのように、昇温が必要とされる端子
ランドが存在しない部分にも一様に供給される熱は無駄
であるばかりか、昇温を必要としない部分を高温状態に
するというおそれもある。

【００９０】そこで本実施形態によれば、前記のように
領域Ａｒまで延設されている内層伝熱部３Ｂｅが、領域
Ａｒに流入する熱を捉え、この熱を連結伝熱部３Ｃを介
して端子ランド５Ａｂへ供給するものである。

【００９１】すなわち、端子ランド５Ａｂおよび熱容量
が大の搭載部品の占める領域を越えた領域に延設された
内層伝熱部３Ｂｅによって、該当する領域Ａｒからの集
熱が効果的になされ、端子ランド５Ａｂへの伝熱量を増
大させることができる。

【００９２】これにより、端子ランド５Ａｂに接続され
た電子部品の熱容量がとりわけ大であっても、端子ラン
ド５Ａｂから端子８Ａを伝って電子部品に吸収される熱
量をこえる熱量を端子ランド５Ａｂに供給することが可
能になり、この結果、端子ランド５Ａｂを、周囲に配設
されている熱容量が小さい搭載部品の端子ランド５Ｂと
略等しい速度で昇温させることができる。

【００９３】このように、本実施形態の構成のプリント
配線基板ＷＢ２を用いることによって、端子ランド温度
の不均一の発生がなくなり、熱容量が大の搭載部品の端
子ランドにハンダフィレットと合金層を正常に形成させ
ることができるから、よって均一な強度のハンダ付けが
なされたプリント回路板を容易に製造することができ
る。

【００９４】図６は、本発明に係るプリント回路板の第
三実施形態の要部上面図である。また図７は、図６に示
されるプリント回路板およびプリント配線基板の模式断
面図である。

【００９５】両図に示されるように、本実施形態に係る
プリント回路板Ｐ３は、多層プリント配線基板ＷＢ３の
面上に配設された複数個の端子ランド５Ａａに、ＱＦＰ
型の、熱容量が大きい半導体チップパッケージ８のガル
・ウイング型の端子８Ａが半田付け接続されている。こ
れは、端子８Ａが端子ランド５Ａａ上に載置されたのち
リフローソルダリング処理され、形成された半田フィレ
ットが成長した合金層７Ａａにより端子８Ａと端子ラン
ド５Ａａが電気的および機械的に接続されているもので
ある。

【００９６】なお、端子形状は上記ガル・ウイング型に
限定されることなく、例えばＪリードを含む表面実装適
応型の端子すべてについて適用される。

【００９７】さらに多層プリント配線基板ＷＢ３の面上
には、コンデンサや抵抗器といった、熱容量が小さい搭
載部品が半田付け接続された図示されない複数個の端子
ランドが配設されている。

【００９８】一方、多層プリント配線基板ＷＢ３の表裏
面および内層には、銅箔などによる回路パターン部（不
図示）が形成され、さらにこれら回路パターン部の占め
る領域を避けて、端子ランド５Ａａの真下に絶縁層４を
介して伝熱機構２０Ａが配設されている。伝熱機構２０
Ａは、例えば多層プリント配線基板ＷＢ３の厚みに略等
しい厚みを有する塊状の伝熱材として、銅板などで構成
される。

【００９９】上記のように構成することにより、リフロ
ーソルダリング時に伝熱機構２０Ａにより熱がとりこま
れ、伝熱機構２０Ａは伝熱材であるから、端子ランド５
Ａａの真下に熱が効率的に供給され、したがって絶縁層
４を経て端子ランド５Ａａに流れる熱流束が増加する。

【０１００】これにより、伝熱機構２０Ａの上方に搭載
される半導体チップパッケージ８の熱容量が大であって
も、端子ランド５Ａａから端子８Ａを伝って半導体チッ
プパッケージ８に吸収される熱量をこえる熱量を端子ラ
ンド５Ａａに供給することが可能になり、この結果、端
子ランド５Ａａが、周囲の熱容量が小さい搭載部品の端
子ランドと略等しい速度で昇温する。

【０１０１】このようにして、熱容量が大の搭載部品の
近傍の端子ランド温度と、熱容量が小さい搭載部品の近
傍の端子ランド温度が均一化され、熱容量が大の搭載部
品が半田付けされる端子ランドにおいてもハンダフィレ
ットと合金層を正常に形成させることができ、よって均
一な強度のハンダ付けがなされたプリント回路板が実現
される。

【０１０２】上記に加えてさらに、本実施形態の構成に
よれば、プリント回路板Ｐ３が作動中に例えば半導体チ
ップパッケージ８において発生する熱が、端子８Ａを伝
って端子ランド５Ａａへ流入すると、昇温した端子ラン
ド５Ａａから熱流束が絶縁層４を経て伝熱機構２０Ａに
流れるが、伝熱機構２０Ａの熱伝導度が大であるから、
効果的に放熱されるという効果がある。

【０１０３】ここで塊状の伝熱機構２０Ａは、所謂ムク
の伝熱材料で構成されることが好ましいが、あるいはム
クの材料でなく、複数の伝熱部材が良好な熱伝導度を保
って接着または接合されて塊状を形成したものであって
も差し支えない。

【０１０４】さらに、塊状の伝熱機構２０Ａは、例えば
ＱＦＰ型パッケージの半導体チップに対して適用される
場合、四方向に出た端子をほぼ均一に加熱するように、
各辺が閉じた形状に構成することが好ましい。これによ
り、伝熱機構２０Ａ全体に熱伝達がなされて各部分の温
度が均一化され、半田の流動化による表面張力で発生す
る、所謂マンハッタン現象の発生を排除することが可能
となる。

【０１０５】ただし、四辺形状の半導体チップで各隅が
昇温しやすく溶融半田の吸い上げで接合部の半田量が減
少する所謂ウイッキングに対処すべく、各辺が閉じた形
状の伝熱機構２０Ａの各隅部分の断面積と辺中央部の断
面積との比率が調整された形状とすることも有効であ
る。

【０１０６】つぎに、本発明に係るプリント配線基板の
第三実施形態を図７に基づき説明する。

【０１０７】本実施形態にかかるプリント配線基板ＷＢ
３は、表面上に電子部品を搭載可能であり、熱容量が大
である搭載部品がハンダ付け接続される端子ランド５Ａ
ａと、熱容量が小である搭載部品がハンダ付け接続され
る、不図示の端子ランドを備える。

【０１０８】プリント配線基板ＷＢ３のおもて面の、熱
容量が大である搭載部品が搭載される端子ランド５Ａａ
の真下に、ポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂シートに
よる電気的な絶縁層４を介して、伝熱機構２０Ａが配設
されている。伝熱機構２０Ａは、例えば多層プリント配
線基板ＷＢ３の厚みに略等しい厚みを有する塊状の伝熱
材として、銅板などで構成される。

【０１０９】上記のように構成することにより、このプ
リント配線基板ＷＢ３にリフローソルダリング加工がな
される時に、伝熱機構２０Ａにより熱がとりこまれる。
伝熱機構２０Ａは伝熱材であるから、これによって端子
ランド５Ａａの真下に熱が効率的に供給され、したがっ
て絶縁層４を経て端子ランド５Ａａに流れる熱流束が増
加する。

【０１１０】これにより、伝熱機構２０Ａの上方に搭載
される電子部品、例えば図示されているような半導体チ
ップパッケージ８の熱容量が大であっても、端子ランド
５Ａａから端子８Ａを伝って半導体チップパッケージ８
に吸収される熱量をこえる熱量を端子ランド５Ａａに供
給することが可能になり、この結果、端子ランド５Ａａ
を周囲に配設されている熱容量が小さい搭載部品の端子
ランドと同等に昇温させることが可能になる。

【０１１１】このように、本実施形態の構成のプリント
配線基板ＷＢ３を用いることによって、端子ランド温度
の不均一の発生がなくなり、熱容量が大の搭載部品の端
子ランドにハンダフィレットと合金層を正常に形成させ
ることができるから、よって均一な強度のハンダ付けが
なされたプリント回路板を容易に製造することができ
る。

【０１１２】図８は、本発明に係るプリント回路板の第
四の実施形態の要部上面図である。また図９は、図８に
示されるプリント回路板およびプリント配線基板の模式
断面図である。

【０１１３】両図に示されるように、本実施形態に係る
プリント回路板Ｐ４は、多層プリント配線基板ＷＢ４の
面上に配設された複数個の端子ランド５Ａａに、例えば
ＱＦＰ型の、熱容量が大きい半導体チップパッケージ８
の端子８Ａが半田付け接続されている。

【０１１４】さらに多層プリント配線基板ＷＢ４の面上
には、コンデンサや抵抗器といった、熱容量が小さい搭
載部品が半田付け接続された図示されない複数個の端子
ランドが配設されている。

【０１１５】一方、多層プリント配線基板ＷＢ４の表裏
面および内層には、銅箔などによる回路パターン部（不
図示）が形成され、さらにこれら回路パターン部の占め
る領域を避けて、端子ランド５Ａｂの真下に、ポリイミ
ド系樹脂やエポキシ系樹脂シートによる電気的な絶縁層
４を介して伝熱機構２０Ｂが配設されている。

【０１１６】伝熱機構２０Ｂは、例えば多層プリント配
線基板ＷＢ４の厚みに略等しい厚みを有する塊状の伝熱
材として、銅板などで構成され、さらに本実施形態の構
成の特徴として、端子ランド５Ａｂの占める領域を越え
た、これより外側の領域Ａｒ１０にまで延設して形成さ
れている。

【０１１７】上記のように構成することにより、リフロ
ーソルダリング時に伝熱機構２０Ｂにより熱がとりこま
れるが、伝熱機構２０Ｂは伝熱材であるから、端子ラン
ド５Ａａの真下に熱が効率的に供給される。さらに、伝
熱機構２０Ｂは外側の領域Ａｒ１０にまで延設されてい
るから、領域Ａｒ１０に流入する熱も吸収して取り込む
ことが可能になる。この結果、絶縁層４を経て端子ラン
ド５Ａｂに流れる熱流束が増加する。

【０１１８】これにより、伝熱機構２０Ｂの上方に搭載
される半導体チップパッケージ８の熱容量がとりわけ大
であっても、端子ランド５Ａａから端子８Ａを伝って半
導体チップパッケージ８に吸収される熱量をこえる大熱
量を端子ランド５Ａａに供給することが可能になり、こ
の結果、端子ランド５Ａａが、周囲に配設されている熱
容量が小さい搭載部品の端子ランドと略等しい速度で昇
温する。

【０１１９】このようにして、熱容量が大の搭載部品の
近傍の端子ランド温度と、熱容量が小さい搭載部品の近
傍の端子ランド温度が均一化され、熱容量が大の搭載部
品が半田付けされる端子ランドにおいてもハンダフィレ
ットと合金層を正常に形成させることができ、よって均
一な強度のハンダ付けがなされたプリント回路板が実現
される。

【０１２０】上記に加えてさらに、本実施形態の構成に
よれば、半導体チップパッケージ８が作動中に発生させ
る熱量がとりわけ大きい場合であっても、この発生した
熱が端子８Ａを伝って端子ランド５Ａｂへ流入すること
により、昇温した端子ランド５Ａｂから熱流束が絶縁層
４を経て熱伝導度が大である伝熱機構２０Ｂに流れ、こ
れによって効果的に放熱されるという利点がある。

【０１２１】ここで塊状の伝熱機構２０Ｂは、所謂ムク
の伝熱材料で構成されることが好ましいが、あるいはム
クの材料でなく、複数の伝熱部材が良好な熱伝導度を保
って接着または接合されて塊状を形成したものであって
も差し支えない。

【０１２２】さらに、塊状の伝熱機構２０Ｂは、例えば
ＱＦＰ型パッケージの半導体チップに対して適用される
場合、四方向に出た各端子８Ａに接続される各端子ラン
ド５Ａｂをほぼ均一に加熱するように、各辺が閉じた形
状に構成することが好ましい。これにより、伝熱機構２
０Ｂ全体に熱伝達がなされて各部分の温度が均一化さ
れ、半田の流動化による表面張力で発生する、所謂マン
ハッタン現象の発生を排除することが可能となる。

【０１２３】ただし、四辺形状の半導体チップで各隅が
昇温しやすく溶融半田の吸い上げで接合部の半田量が減
少する所謂ウイッキングに対処すべく、各辺が閉じた形
状の伝熱機構２０Ｂの各隅部分の断面積と辺中央部の断
面積との比率が調整された形状とすることも有効であ
る。

【０１２４】つぎに、本発明のプリント配線基板の第四
の実施形態を、図９に基づいて説明する。同図におい
て、本実施形態にかかるプリント配線基板ＷＢ４は、面
上に例えばＱＦＰ型の、熱容量が大きい半導体チップパ
ッケージ８の端子８Ａを半田付け接続可能な複数個の端
子ランド５Ａａが配設されている。

【０１２５】端子ランド５Ａａに加えてさらに、面上に
はコンデンサや抵抗器といった、熱容量が小さい搭載部
品を半田付け接続可能な図示されない複数個の端子ラン
ドが配設されている。

【０１２６】一方、多層プリント配線基板ＷＢ４の表裏
面および内層には、銅箔などによる回路パターン部（不
図示）が形成され、さらにこれら回路パターン部の占め
る領域を避けて、端子ランド５Ａｂの真下に、ポリイミ
ド系樹脂やエポキシ系樹脂シートによる電気的な絶縁層
４を介して伝熱機構２０Ｂが配設されている。

【０１２７】伝熱機構２０Ｂは、例えば多層プリント配
線基板ＷＢ４の厚みに略等しい厚みを有する塊状の伝熱
材として、銅板などで構成され、さらに本実施形態の構
成の特徴として、端子ランド５Ａｂの占める領域を越え
た、これより外側の領域Ａｒ１０にまで延設して形成さ
れている。

【０１２８】上記のように構成することにより、このプ
リント配線基板ＷＢ４にリフローソルダリング加工がな
される時に、外部からプリント配線基板ＷＢ４へ流入す
る熱は伝熱材から成る塊状の伝熱機構２０Ｂによって取
り込まれる。しかも、伝熱機構２０Ｂが端子ランド５Ａ
ｂの占める領域を越えた領域Ａｒ１０に延設されている
から、この領域からも集熱がなされる。

【０１２９】この結果、伝熱機構２０Ｂは急速に昇温す
る。伝熱機構２０Ｂは伝熱材であるから、端子ランド５
Ａｂの真下に熱が効率的に供給され、したがって絶縁層
４を経て端子ランド５Ａｂに流れる熱流束が増加して端
子ランド５Ａｂを急速に昇温させる。すなわち塊状の伝
熱機構２０Ｂによって熱伝導度が改善されるのみなら
ず、広い領域に亘り延設されることで集熱効率も向上す
る。

【０１３０】このように、伝熱機構２０Ｂの上方に搭載
される電子部品、例えば図示されているような半導体チ
ップパッケージ８の熱容量がとりわけ大であっても、端
子ランド５Ａａから端子８Ａを伝って半導体チップパッ
ケージ８に吸収される熱量をこえる大熱量を端子ランド
５Ａａに供給することが可能になり、この結果、端子ラ
ンド５Ａａを周囲に配設されている熱容量が小さい搭載
部品の端子ランドと同等の速度で昇温させることが可能
になる。

【０１３１】このように、本実施形態の構成のプリント
配線基板ＷＢ４を用いることによって、端子ランド温度
の不均一の発生がなくなり、熱容量がとりわけ大の搭載
部品の端子ランドにハンダフィレットと合金層を正常に
形成させることができるから、よって均一な強度のハン
ダ付けがなされたプリント回路板を容易に製造すること
ができる。

【０１３２】ここで塊状の伝熱機構２０Ｂは、所謂ムク
の伝熱材料で構成されることが好ましいが、あるいはム
クの材料でなく、複数の伝熱部材が良好な熱伝導度を保
って接着または接合されて塊状を形成したものであって
も差し支えない。

【０１３３】さらに、塊状の伝熱機構２０Ｂは、例えば
ＱＦＰ型パッケージの半導体チップに対して適用される
場合、四方向に出た各端子８Ａに接続される各端子ラン
ド５Ａｂをほぼ均一に加熱するように、各辺が閉じた形
状に構成することが好ましい。これにより、伝熱機構２
０Ｂ全体に熱伝達がなされて各部分の温度が均一化さ
れ、半田の流動化による表面張力で発生する、所謂マン
ハッタン現象の発生を排除することが可能となる。

【０１３４】ただし、四辺形状の半導体チップで各隅が
昇温しやすく溶融半田の吸い上げで接合部の半田量が減
少する所謂ウイッキングに対処すべく、各辺が閉じた形
状の伝熱機構２０Ｂの各隅部分の断面積と辺中央部の断
面積との比率が調整された形状とすることも有効であ
る。

【０１３５】なお、前記プリント回路板またはプリント
配線基板における伝熱機構２０Ｂは、図９に示されるよ
うなプリント配線基板ＷＢ４の裏面に露出した構成以外
にも、例えば電気的絶縁層によって覆われた構成であっ
ても差し支えない。

【０１３６】また伝熱機構２０Ｂを銅板などの機械的強
度を有する材料で構成する場合は、伝熱機構２０Ｂを筐
体へネジ止め可能に構成することにより、プリント回路
板またはプリント配線基板自体の固定用部品としての機
能を兼備させることもできる。この場合、筐体側にフィ
ン板などの放熱機構を設けることにより、作動中の放熱
をさらに効率的にすることもできる。

【０１３７】図１０は、本発明に係るプリント回路板の
第五の実施形態の模式断面図である。同図に示されるよ
うに、本実施形態に係るプリント回路板Ｐ５は、多層プ
リント配線基板ＷＢ５の面上に配設された複数個の端子
ランド５Ａａに熱容量が大きいＱＦＰ型半導体チップパ
ッケージ８の端子８Ａが半田付け接続されている。

【０１３８】さらに多層プリント配線基板ＷＢ５の面上
に配設された複数個の端子ランド５Ｂに、コンデンサや
抵抗器といった、上記の半導体チップパッケージ８より
も熱容量が小さい搭載部品９が半田付け接続されてい
る。

【０１３９】一方、多層プリント配線基板ＷＢ５の表裏
面および内層には、銅箔などによる回路パターン部５が
形成され、さらにこれら回路パターン部５の占める領域
を避けて、多層プリント配線基板ＷＢ５の裏面上に伝熱
材による表面伝熱部３Ａａが、また内層に伝熱材による
内層伝熱部３Ｂｄと３Ｂａが、更におもて面上の半導体
チップパッケージ８の真下にあたる位置に伝熱材による
部品下伝熱部３Ｄが設けられている。

【０１４０】これら各伝熱部は熱の良導体である金属
層、例えば銅箔により形成される。とりわけこれら各伝
熱部が、多層プリント配線基板ＷＢ５の表裏面や内層に
設けられている銅箔層を利用して、回路パターン部５を
形成させると同様な工程で形成されたものである場合
は、表面伝熱部３Ａａと内層伝熱部３Ｂｄ間、また内層
伝熱部３Ｂｄと内層伝熱部３Ｂａ間、また内層伝熱部３
Ｂａと端子ランド５Ａａ間、内層伝熱部３Ｂａと部品下
伝熱部３Ｄ間などに、例えばポリイミド系樹脂やエポキ
シ系樹脂シートによる電気的な絶縁層４が介在する。

【０１４１】ここで本実施形態の構成においては、表面
伝熱部３Ａａと内層伝熱部３Ｂｄ間、また内層伝熱部３
Ｂｄと内層伝熱部３Ｂａ間、また内層伝熱部３Ｂａと部
品下伝熱部３Ｄ間などのそれぞれに、熱伝導のためのビ
アホールとしての連結伝熱部３Ｃを設けて各伝熱部間の
熱伝導特性を改善している。なお熱伝導のためのビアホ
ールは、隣接した伝熱部間に限らず、さらに離れた伝熱
部間に設けることもできる。

【０１４２】さらに本実施形態の構成の特徴として、内
層伝熱部３Ｂａが絶縁層４を介して端子ランド５Ａａの
真下に位置するように形成され、また、表面伝熱部３Ａ
ａの外面に、波状面を有する伝熱材によるフィン板１０
が接続されている。フィン板１０は表面伝熱部３Ａａと
一体に設けられたものであってもよい。

【０１４３】上記のように構成することにより、リフロ
ーソルダリング時にフィン板１０によって高効率で取り
込まれた熱は、表面伝熱部３Ａａから連結伝熱部３Ｃに
より内層伝熱部３Ｂｄを経て、端子ランド５Ａａの真下
に位置する内層伝熱部３Ｂａへ効率的に熱伝達がなさ
れ、したがって絶縁層４を経て端子ランド５Ａａに流れ
る熱流束が増加する。また、部品下伝熱部３Ｄからも絶
縁層４を経て端子ランド５Ａａに熱が流入する。

【０１４４】これにより、上方に搭載される半導体チッ
プパッケージ８の熱容量がとりわけ大であっても、端子
ランド５Ａａから端子８Ａを伝って半導体チップパッケ
ージ８に吸収される熱量をこえる大熱量を端子ランド５
Ａａに供給することが可能になり、この結果、端子ラン
ド５Ａａを、周囲に配設された熱容量が小さい搭載部品
９の端子ランド５Ｂと略等しい速度で昇温させることが
可能になる。

【０１４５】このようにして、熱容量が大の搭載部品の
近傍の端子ランド温度と、熱容量が小さい搭載部品の近
傍の端子ランド温度が均一化され、熱容量が大の搭載部
品の半田付けランドにおいてもハンダフィレットと合金
層を正常に形成させることができ、よって均一な強度の
ハンダ付けがなされたプリント回路板が実現される。

【０１４６】上記に加えてさらに、本実施形態の構成に
よれば、プリント回路板Ｐ５が作動中に例えば半導体チ
ップパッケージ８において発生する熱が、端子８Ａを伝
って端子ランド５Ａａへ流入すると、昇温した端子ラン
ド５Ａａから熱流束が絶縁層４を経て内層伝熱部３Ｂａ
に流れるが、前述したように層状の伝熱部および連結伝
熱部によって、この領域の熱伝導度が改善されており、
さらにフィン板１０の有する強力な放熱機能によって極
めて効率的に放熱を行うことができるという利点があ
る。

【０１４７】なお、上記の各実施形態では半導体チップ
パッケージを説明の便宜上、ＱＦＰ型として説明した
が、前記から明らかなように本発明は熱容量が大である
大型部品の表面実装におけるハンダ付け特性の改善にあ
るから、対象とする半導体チップパッケージはＱＦＰ型
に限定されることなく、熱容量が大である表面実装型の
種々の半導体チップパッケージに適用可能であることは
言うまでもない。

【０１４８】したがって、半導体チップパッケージとし
てＱＦＰなどの端子突出型に限らず、たとえば熱容量が
大であるヒートスプレッタ付き大型ＢＧＡなどに適用し
て有効である。

【０１４９】さらに本発明は、大型半導体チップパッケ
ージ以外の、熱容量が大である大型部品一般の表面実装
に対しても適用可能である。要は、本発明は熱容量が大
である表面実装型の大型部品すべてを対象として適用可
能である。

【０１５０】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の請求項１
に係るプリント回路板は、プリント配線基板の表面上に
搭載された電子部品の半田付けランドの少なくとも直下
を含む領域に、電気絶縁層を挟んで、伝熱材から成る複
数の層状の伝熱部を設け、さらに複数の層状の伝熱部間
を伝熱材から成る連結伝熱部により連結して構成するも
のである。

【０１５１】したがって、層状の伝熱部および連結伝熱
部によって、この領域の熱伝導度を改善でき、ついで電
気絶縁層を介して半田付けランドに伝熱がなされて半田
付けランドを急速に昇温させることができる。

【０１５２】この結果、熱容量が大の電子部品の半田付
けランドにハンダフィレットと合金層を正常に形成させ
ることができ、よって均一な強度のハンダ付けがなされ
たプリント回路板を実現することができる。

【０１５３】本発明の請求項２に係るプリント配線基板
は、搭載される電子部品をハンダ付け接続するランドの
少なくとも直下を含む領域に、電気絶縁層を挟んで、伝
熱材から成る複数の層状の伝熱部を設け、さらに複数の
層状の伝熱部間を伝熱材から成る連結伝熱部により連結
して構成するものである。

【０１５４】したがって、層状の伝熱部および連結伝熱
部によって、この領域の熱伝導度を改善でき、ついで電
気絶縁層を介して半田付けランドに伝熱がなされて半田
付けランドを急速に昇温させることができる。

【０１５５】この結果、熱容量が大の電子部品の半田付
けランドにハンダフィレットと合金層を正常に形成させ
ることができ、よって本プリント配線基板を用いて均一
な強度のハンダ付けがなされたプリント回路板を製造す
ることができる。

【０１５６】本発明の請求項３に係るプリント回路板
は、プリント配線基板の表面上に搭載された電子部品の
半田付けランドの少なくとも直下を含む領域に、電気絶
縁層を挟んで、伝熱材から成る複数の層状の伝熱部を設
け、しかも複数の層状の伝熱部のうち少なくとも一つの
伝熱部は、半田付けランドおよび搭載された電子部品の
占める領域を越えた領域に延設され、さらに複数の層状
の伝熱部間を伝熱材から成る連結伝熱部により連結して
構成するものである。

【０１５７】これにより、層状の伝熱部および連結伝熱
部によって、この領域の熱伝導度を改善でき、ついで電
気絶縁層を介して半田付けランドに伝熱がなされて半田
付けランドを急速に昇温させることができる。しかも広
い領域から集熱ができ、半田付けランドへの伝熱量を増
大させることができる。

【０１５８】この結果、熱容量が大の電子部品の半田付
けランドにハンダフィレットと合金層を正常に、かつ急
速に形成させることができ、よって均一な強度のハンダ
付けがなされたプリント回路板を実現することができ
る。

【０１５９】本発明の請求項４に係るプリント配線基板
は、搭載される電子部品をハンダ付け接続するランドの
少なくとも直下を含む領域に、電気絶縁層を挟んで、伝
熱材から成る複数の層状の伝熱部を設け、且つ複数の層
状の伝熱部のうち少なくとも一つの伝熱部は、半田付け
ランドおよび搭載される電子部品の占める領域を越えた
領域に延設され、さらに複数の層状の伝熱部間を伝熱材
から成る連結伝熱部により連結して構成するものであ
る。

【０１６０】したがって、層状の伝熱部および連結伝熱
部によって、この領域の熱伝導度を改善でき、ついで電
気絶縁層を介して半田付けランドに伝熱がなされて半田
付けランドを急速に昇温させることができる。しかも広
い領域から集熱ができ、半田付けランドへの伝熱量を増
大させることができる。

【０１６１】この結果、熱容量が大の電子部品の半田付
けランドにハンダフィレットと合金層を正常に、かつ急
速に形成させることができ、よって均一な強度のハンダ
付けがなされたプリント回路板を、本プリント配線基板
を用いて製造することができる。

【０１６２】本発明の請求項５に係るプリント回路板
は、プリント配線基板の表面上に搭載された電子部品の
半田付けランドの少なくとも直下を含む領域に、電気絶
縁層を挟んで、伝熱材から成る塊状の伝熱部を設けて構
成するものである。

【０１６３】したがって、塊状の伝熱部によって、この
領域の熱伝導度を改善でき、ついで電気絶縁層を介して
半田付けランドに伝熱がなされて半田付けランドを急速
に昇温させることができる。

【０１６４】この結果、熱容量が大の電子部品の半田付
けランドにハンダフィレットと合金層を正常に形成させ
ることができ、よって均一な強度のハンダ付けがなされ
たプリント回路板を実現することができる。

【０１６５】本発明の請求項６に係るプリント配線基板
は、搭載される電子部品をハンダ付け接続するランドの
少なくとも直下を含む領域に、電気絶縁層を挟んで、伝
熱材から成る塊状の伝熱部を設けて構成するものであ
る。

【０１６６】したがって、塊状の伝熱部によって、この
領域の熱伝導度を改善でき、ついで電気絶縁層を介して
半田付けランドに伝熱がなされて半田付けランドを急速
に昇温させることができる。

【０１６７】この結果、熱容量が大の電子部品の半田付
けランドにハンダフィレットと合金層を正常に形成させ
ることができ、よって均一な強度のハンダ付けがなされ
たプリント回路板を、本プリント配線基板を用いて製造
することができる。

【０１６８】本発明の請求項７に係るプリント回路板
は、プリント配線基板の表面上に搭載された電子部品の
半田付けランドの少なくとも直下に、電気絶縁層を挟ん
で、伝熱材から成る塊状の伝熱部を設け、且つこの伝熱
部は半田付けランドおよび搭載された電子部品の占める
領域を越えた領域に延設された構成とするものである。

【０１６９】したがって、塊状の伝熱部によって、この
領域の熱伝導度を改善でき、ついで電気絶縁層を介して
半田付けランドに伝熱がなされて半田付けランドを急速
に昇温させることができる。しかも広い領域から集熱が
でき、半田付けランドへの伝熱量を増大させることがで
きる。

【０１７０】この結果、熱容量が大の電子部品の半田付
けランドにハンダフィレットと合金層を正常に、かつ急
速に形成させることができ、よって均一な強度のハンダ
付けがなされたプリント回路板を実現することができ
る。

【０１７１】本発明の請求項８に係るプリント配線基板
は、搭載される電子部品をハンダ付け接続するランドの
少なくとも直下に、電気絶縁層を挟んで、伝熱材から成
る塊状の伝熱部を設け、且つこの伝熱部は半田付けラン
ドおよび搭載される電子部品の占める領域を越えた領域
に延設された構成とするものである。

【０１７２】したがって、塊状の伝熱部によって、この
領域の熱伝導度を改善でき、ついで電気絶縁層を介して
半田付けランドに伝熱がなされて半田付けランドを急速
に昇温させることができる。しかも広い領域から集熱が
でき、半田付けランドへの伝熱量を増大させることがで
きる。

【０１７３】この結果、熱容量が大の電子部品の半田付
けランドにハンダフィレットと合金層を正常に、かつ急
速に形成させることができ、よって均一な強度のハンダ
付けがなされたプリント回路板を、本プリント配線基板
を用いて製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るプリント回路板の第一の実施形態
の模式断面図である。

【図２】図１に示されるプリント回路板の端子ハンダ付
け強度特性図である。

【図３】本発明に係るプリント配線基板の第一の実施形
態の模式断面図である。

【図４】本発明に係るプリント回路板の第二の実施形態
の模式断面図である。

【図５】本発明に係るプリント配線基板の第二の実施形
態の模式断面図である。

【図６】本発明に係るプリント回路板の第三の実施形態
の要部上面図である。

【図７】本発明に係るプリント配線基板の第三の実施形
態の模式断面図である。

【図８】本発明に係るプリント回路板の第四の実施形態
の要部上面図である。

【図９】本発明に係るプリント配線基板の第四の実施形
態の模式断面図である。

【図１０】本発明に係るプリント回路板の第五の実施形
態の模式断面図である。

【図１１】従来のプリント回路板の一例の模式断面図で
ある。

【図１２】図７に示されるプリント回路板の端子ハンダ
付け強度特性図である。

【符号の説明】

Ｐ１……プリント回路板、ＷＢ１……多層プリント配線
基板、３Ａａ……表面伝熱部、３Ａｃ……表面伝熱部、
３Ｂａ……内層伝熱部、３Ｂｄ……内層伝熱部、３Ｃ…
…連結伝熱部、３Ｄ……部品下伝熱部、４……絶縁層、
５……回路パターン部、５Ａａ……端子ランド、５Ｂ…
…端子ランド、７Ａ……合金層、８……半導体チップパ
ッケージ、８Ａ……ガル・ウイング型端子、９……搭載
部品

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プリント配線基板の表面上に搭載された
   電子部品の半田付けランドの少なくとも直下を含む領域
   に、電気絶縁層を挟んで、伝熱材から成る複数の層状の
   伝熱部を設け、 且つ前記複数の層状の伝熱部間を伝熱材から成る連結伝
   熱部により連結して構成したことを特徴とするプリント
   回路板。
2. 【請求項２】 表面上に電子部品を搭載可能であり、且
   つ当該電子部品をハンダ付けするランドを表面上に備え
   るプリント配線基板であって、 前記搭載される電子部品をハンダ付け接続する前記ラン
   ドの少なくとも直下を含む領域に、電気絶縁層を挟ん
   で、伝熱材から成る複数の層状の伝熱部を設け、 且つ前記複数の層状の伝熱部間を伝熱材から成る連結伝
   熱部により連結して構成したことを特徴とするプリント
   配線基板。
3. 【請求項３】 プリント配線基板の表面上に搭載された
   電子部品の半田付けランドの少なくとも直下を含む領域
   に、電気絶縁層を挟んで、伝熱材から成る複数の層状の
   伝熱部を設け、 且つ前記複数の層状の伝熱部のうち少なくとも一つの伝
   熱部は、前記半田付けランドおよび前記搭載された電子
   部品の占める領域を越えた領域に延設され、 且つ前記複数の層状の伝熱部間を伝熱材から成る連結伝
   熱部により連結して構成したことを特徴とするプリント
   回路板。
4. 【請求項４】 表面上に電子部品を搭載可能であり、且
   つ当該電子部品をハンダ付けするランドを表面上に備え
   るプリント配線基板であって、 前記搭載される電子部品をハンダ付け接続する前記ラン
   ドの少なくとも直下を含む領域に、電気絶縁層を挟ん
   で、伝熱材から成る複数の層状の伝熱部を設け、 且つ前記複数の層状の伝熱部のうち少なくとも一つの伝
   熱部は、前記半田付けランドおよび前記搭載される電子
   部品の占める領域を越えた領域に延設され、 且つ前記複数の層状の伝熱部間を伝熱材から成る連結伝
   熱部により連結して構成したことを特徴とするプリント
   配線基板。
5. 【請求項５】 プリント配線基板の表面上に搭載された
   電子部品の半田付けランドの少なくとも直下を含む領域
   に、電気絶縁層を挟んで、伝熱材から成る塊状の伝熱部
   を設けて構成したことを特徴とするプリント回路板。
6. 【請求項６】 表面上に電子部品を搭載可能であり、且
   つ当該電子部品をハンダ付けするランドを表面上に備え
   るプリント配線基板であって、 前記搭載される電子部品をハンダ付け接続する前記ラン
   ドの少なくとも直下を含む領域に、電気絶縁層を挟ん
   で、伝熱材から成る塊状の伝熱部を設けて構成したこと
   を特徴とするプリント配線基板。
7. 【請求項７】 プリント配線基板の表面上に搭載された
   電子部品の半田付けランドの少なくとも直下に、電気絶
   縁層を挟んで、伝熱材から成る塊状の伝熱部を設け、 且つ当該伝熱部は前記半田付けランドおよび前記搭載さ
   れた電子部品の占める領域を越えた領域に延設されたこ
   とを特徴とするプリント回路板。
8. 【請求項８】 表面上に電子部品を搭載可能であり、且
   つ当該電子部品をハンダ付けするランドを表面上に備え
   るプリント配線基板であって、 前記搭載される電子部品をハンダ付け接続する前記ラン
   ドの少なくとも直下に、電気絶縁層を挟んで、伝熱材か
   ら成る塊状の伝熱部を設け、 且つ当該伝熱部は前記半田付けランドおよび前記搭載さ
   れる電子部品の占める領域を越えた領域に延設されたこ
   とを特徴とするプリント配線基板。