JP2000114658A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の接触部（２０１、４０１）と半導体レーザ動作電流とを有する半導体レーザ（２２０、４２０）と、
前記半導体レーザに光学的に結合され、第２の接触部（２１６、４１６）と光検出器動作電流とを有する、光検出器と、
前記半導体レーザ（２２０、４２０）と前記光検出器との境界部分に形成されたｐｎ接合と、
前記ｐｎ接合を分路する第３の接触部（２０７、４０７）とを有する、
低バイアス電圧動作のための半導体レーザ（１２０）及び光検出器の３端子モノリシック集積化構造。
【請求項２】
前記半導体レーザ（２２０、４２０）が、垂直共振器型面発光レーザであることを特徴とする、請求項１に記載の構造。
【請求項３】
前記半導体レーザ（２２０、４２０）及び前記光検出器（１１０）が、全体としてＰＮＰＮ構造を成すことを特徴とする、請求項１に記載の構造。
【請求項４】
全体として３つのｐｎ接合（２０６、２１５、２１２）が含まれることを特徴とする、請求項１に記載の構造。
【請求項５】
前記光検出器（２１０、４１０）及び前記ｐｎ接合（２１５、４１５）が、前記半導体レーザ（２２０、４２０）内に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の構造。
【請求項６】
低バイアス電圧動作のための半導体レーザ及び光検出器の３端子モノリシック集積化構造の製造方法であって、
第１の接触部（２０１、４０１）と半導体レーザ動作電流とを有する半導体レーザ（２２０、４２０）を形成し、
第２の接触部（２１６、４１６）と光検出器動作電流とを有する光検出器（２１０、４１０）を、前記半導体レーザ（２２０、４２０）と共にモノリシック集積化して形成し、その場合、前記半導体レーザ（２２０、４２０）と前記光検出器（２１０、４１０）の境界部分にｐｎ接合（２１５、４１５）が形成され、
前記ｐｎ接合を分路する第３の接触部（２０７、４０７）を形成する、製造方法。
【請求項７】
前記光検出器（２１０、４１０）及び前記ｐｎ接合（２１５、４１５）が、前記半導体レーザ（２２０、４２０）内部に配置されることを特徴とする、請求項６に記載の方法。