JP5734841B2 - 垂直共振器面発光レーザ - Google Patents
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Description
−上部のnドープAlxGa1−xAs層6:約2μmの厚さ、4.2*1018(1/cm3)のドープ濃度。
−pドープAlxGa1−xAs層7:約2μmの厚さ、2.0*1019(1/cm3)のドープ濃度。
−真性AlxGa1−xAs層8:約2μmの厚さ、ドープなし
−底部のnドープAlxGa1−xAs層9:基板を形成する約650μmの厚さ、3.1*1018(1/cm3)のドープ濃度。
2 フォトダイオードの層のシーケンス
3 下部DBR
3a 底部DBRの上部分
3b 底部DBRの中間部分
3c 底部DBRの底部分
4 上部DBR
5 活性領域
6 上部のnドープAlxGa1−xAs層
7 pドープAlxGa1−xAs層
8 真性AlxGa1−xAs層
9 下部のnドープAlxGa1−xAs層
10 抵抗n接点
11 抵抗n接点
12 抵抗p接点
13 nドープ基板
14 吸収量子井戸
15 フィルタ量子井戸
Claims (11)
- 垂直共振器面発光レーザであって前記レーザにより発せられた光の強度を測定するように構成されたフォトダイオードが一体化されたレーザを有する垂直共振器面発光レーザ装置であって、前記フォトダイオードは、半導体物質の第1のnドープ領域、pドープ領域、真性領域及び第2のnドープ領域の層シーケンスから形成され、
前記フォトダイオードと前記レーザとは、前記第1のnドープ領域における抵抗n接点として実現される共通電極を共有し、
前記レーザ装置は、第1の分布ブラッグ反射器と第2の分布ブラッグ反射器との間に埋め込まれた活性領域を含む第1の層構造を有し、前記フォトダイオードの前記第1のnドープ領域、前記pドープ領域、前記真性領域及び前記第2のnドープ領域は、前記第2の分布ブラッグ反射器に組み込まれ、
前記フォトダイオードの前記第1のnドープ領域は、前記第2の分布ブラッグ反射器の第1のnドープ部分から形成され、前記フォトダイオードの前記pドープ領域は、前記第2の分布ブラッグ反射器の第2のpドープ部分から形成され、前記フォトダイオードの前記第2のnドープ領域は、前記第2の分布ブラッグ反射器の第3のnドープ部分から形成され、前記フォトダイオードの前記真性領域は、前記第2の分布ブラッグ反射器の前記第2のpドープ部分と前記第3のnドープ部分との間に配置された、
垂直共振器面発光レーザ装置。 - 垂直共振器面発光レーザであって前記レーザにより発せられた光の強度を測定するように構成されたフォトダイオードが一体化されたレーザを有する垂直共振器面発光レーザ装置であって、前記フォトダイオードは、半導体物質の第1のpドープ領域、nドープ領域、真性領域及び第2のpドープ領域の層シーケンスから形成され、
前記フォトダイオードと前記レーザとは、前記第1のpドープ領域における抵抗p接点として実現される共通電極を共有し、
第1の分布ブラッグ反射器と第2の分布ブラッグ反射器との間に埋め込まれた活性領域を含む第1の層構造を有し、前記フォトダイオードの前記第1のpドープ領域、前記nドープ領域、前記真性領域及び前記第2のpドープ領域は、前記第2の分布ブラッグ反射器に組み込まれ、
前記フォトダイオードの前記第1のpドープ領域は、前記第2の分布ブラッグ反射器の第1のpドープ部分から形成され、前記フォトダイオードの前記nドープ領域は、前記第2の分布ブラッグ反射器の第2のnドープ部分から形成され、前記フォトダイオードの前記第2のpドープ領域は、前記第2の分布ブラッグ反射器の第3のnドープ部分から形成され、前記フォトダイオードの前記真性領域は、前記第2の分布ブラッグ反射器の前記第2のpドープ部分と前記第3のnドープ部分との間に配置された、
垂直共振器面発光レーザ装置。 - pドープ分布ブラッグ反射器とnドープ分布ブラッグ反射器との間に埋め込まれた活性領域を含む第1の層構造を有し、前記フォトダイオードは、前記第1のnドープ領域が前記nドープ分布ブラッグ反射器に面するように前記第1の層構造の延長として形成される、請求項1に記載のレーザ装置。
- pドープ分布ブラッグ反射器とnドープ分布ブラッグ反射器との間に埋め込まれた活性領域を含む第1の層構造を有し、前記フォトダイオードは、前記第1のpドープ領域が前記pドープ分布ブラッグ反射器に面するように前記第1の層構造の延長として形成される、請求項2に記載のレーザ装置。
- 前記共通電極は、前記レーザの陰極及び前記フォトダイオードの陽極を形成する、請求項1又は3に記載のレーザ装置。
- 前記共通電極は、前記レーザの陽極及び前記フォトダイオードの陰極を形成する、請求項2又は4に記載のレーザ装置。
- 前記真性領域と前記pドープ領域との間にスペクトルフィルタリング層が形成され、前記フィルタリング層は、前記真性領域に伝播することが可能な自発光の量を低減させるように構成された、請求項1に記載のレーザ装置。
- 前記真性領域と前記nドープ領域との間にスペクトルフィルタリング層が形成され、前記フィルタリング層は、前記真性領域に伝播することが可能な自発光の量を低減させるように構成された、請求項2に記載のレーザ装置。
- 前記フォトダイオードは量子井戸構造から形成された、請求項1又は2に記載のレーザ装置。
- 前記真性領域は、前記レーザにおいて共振する光波の定常波パターンが最大値を持つ位置に配置された、請求項1又は2に記載のレーザ装置。
- 物体により反射させられたときにレーザ空洞に再び入り前記フォトダイオードにより測定される自己混合効果を生成する測定ビームを発する、少なくとも1つの請求項1又は2に記載のレーザ装置を含む、距離及び/又は動きを測定するための光学センサモジュール。
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