JP7433898B2 - 光電変換素子、光電変換システム - Google Patents
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Description
前記第1の反射鏡の上に設けられた共振器と、前記共振器の上に設けられた第2の反射鏡と、を有し、前記第1の反射鏡は、複数の半導体層を備えたDBRを有し、前記複数の半導体層の少なくとも1層に、前記光電変換層が設けられていることを特徴とする。
図11に本発明の一実施形態である光電変換装置1101のブロック図を示す。光電変換装置1101は、画素部1102、駆動パルス生成部1103、垂直走査回路1104、信号処理部1105、出力部1106、垂直信号線1107を有している。
共振器102の光学膜厚Lは、式(1)を満たす。
上部反射鏡である第2の反射鏡103は、波長λ0に対し、反射率が高くなるような単層または複数の層で構成される。例えば、金属からなる単層、金属を含む複数層、DBRで構成される。DBRは、屈折率がそれぞれ異なる第1の層と第2の層を交互に積層したものであり、誘電体層を交互に積層したものでも、半導体層を交互に積層したものであってもよい。
Th + Tl = M・λt/2(Mは自然数) (6)
下部反射鏡である第1の反射鏡101は、半導体層からなるDBRから形成される。上記式(6)と同様に、第1の層の光学膜厚と第2の層の光学膜厚を合わせた1ペア分の光学膜厚が、第1の反射鏡101の設定波長λbの半分の自然数倍となっている。第1の反射鏡101の設定波長λbは、波長λ0と異なっていてもよい。ただし、第1の反射鏡101が示す所定の反射率以上の帯域の中にλ0が入るように設計される。例えば、所定の反射率は、10%以上である。より好ましくは15%以上である。
光電変換層104は、波長λ0のフォトンのエネルギーに相当するバンドギャップよりもバンドギャップが小さい材料で形成する。光電変換層104を設ける位置は、光電変換素子として機能させるために逆バイアスの電圧を印加した場合に空乏層が形成される位置とする。このため、光電変換層104の上下には、それぞれ異なる導電型の半導体層を設ける。例えば、光電変換層104の下にn型半導体層を設けた場合には、光電変換層104の上にはp型半導体層が設けられる。逆バイアスの電圧を印加するために、半導体層には、電極(不図示)が設けられている。
ところで、光電変換層104に与えられる影響を低減させるために、共振器102の共振器長を延ばすことも考えられる。しかし、共振器102の共振器長を延ばすと、感度が低下する。共振器長を延ばした場合の影響を確認するために、転送行列法を用いて、光電変換感度曲線を算出するシミュレーションを行った。
本実施例では、第1の反射鏡301を構成する低屈折率層であるInP層306aの一部を光電変換層304に置換した例を説明した。光電変換層304として用いたInGaAs層は屈折率が高いため、この置換により、第1の反射鏡の反射率が低下する可能性がある。反射率低下が問題となる場合には、図2(c)に示すように、高屈折率層であるInGaAsP層307aの一部を光電変換層304に置換してもよい。
上記実施例は、InP基板上に結晶成長可能な半導体材料を用いて構成されている。しかし、共振器型光電変換素子を構成する材料系は、GaAs基板に結晶成長可能な材料系、GaSb基板に結晶成長可能な材料系など、他の半導体材料系でも良い。すなわち、半導体材料系は、検知波長帯などに応じて適宜選択することができる。
本実施形態に係る撮像システムについて、図12を用いて説明する。図12は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
本実施形態に係る撮像システム及び移動体について、図13(A)及び図13(B)を用いて説明する。図13(A)及び図13(B)は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
101 第1の反射鏡(下部反射鏡)
102 共振器
103 第2の反射鏡(上部反射鏡)
104 光電変換層
Claims (13)
- 光電変換層を有する光電変換素子において、
基板上に設けられた第1の反射鏡と、
前記第1の反射鏡の上に設けられた共振器と、
前記共振器の上に設けられた第2の反射鏡と、
を有し、
前記第1の反射鏡は、複数の半導体層を備えたDBRを有し、
前記複数の半導体層の少なくとも1層に、前記光電変換層が設けられており、
前記複数の半導体層を有するDBRは、第1の半導体層と、前記第1の半導体層が有する屈折率とは異なる屈折率を有する第2の半導体層とを有するペアを複数有し、
前記複数のペアのうち少なくとも1つのペアにおいて、前記第1の半導体層および前記第2の半導体層の一部を置換して、前記光電変換層が設けられていることを特徴とする光電変換素子。 - 光電変換層を有する光電変換素子において、
基板上に設けられた第1の反射鏡と、
前記第1の反射鏡の上に設けられた共振器と、
前記共振器の上に設けられた第2の反射鏡と、
を有し、
前記第1の反射鏡は、複数の半導体層を備えたDBRを有し、
前記複数の半導体層の少なくとも1層に、前記光電変換層が設けられており、
前記複数の半導体層を有するDBRは、第1の半導体層と、前記第1の半導体層が有する屈折率とは異なる屈折率を有する第2の半導体層とを有するペアを複数有し、
前記複数のペアのうち少なくとも1つのペアにおいて、前記第1の半導体層は、λ0/4(λ0:前記光電変換素子について感度特性を取得した場合に、最も感度が高い波長)の光学膜厚よりも厚い光学膜厚を有し、
前記λ0/4よりも厚い光学膜厚を有する前記第1の半導体層の一部を置換して、前記光電変換層が設けられていることを特徴とする光電変換素子。 - 光電変換層を有する光電変換素子において、
基板上に設けられた第1の反射鏡と、
前記第1の反射鏡の上に設けられた共振器と、
前記共振器の上に設けられた第2の反射鏡と、
を有し、
前記第1の反射鏡は、複数の半導体層を備えたDBRを有し、
前記複数の半導体層の少なくとも1層に、前記光電変換層が設けられており、
前記光電変換層はi型半導体であり、
前記複数の半導体層は、前記光電変換層の直上の第1層と、前記光電変換層の直下の第2層と、を含み、
前記第1層と前記第2層はi型半導体であることを特徴とする光電変換素子。 - 前記第2の反射鏡は、複数の層を有するDBRであり、
前記複数の層は、第1の層と、前記第1の層が有する屈折率とは異なる屈折率を有する第2の層とからなるペアを複数有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換素子。 - 前記第2の反射鏡は、金属膜を有し、
前記金属膜は、単層または複数層から構成されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換素子。 - 前記光電変換素子で生じる光強度分布の腹に前記光電変換層が配されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記共振器は、第1の共振器と第2の共振器とを有し、
前記第1の共振器の光学膜厚と、前記第2の共振器の光学膜厚が異なることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光電変換素子。 - 前記第1の反射鏡は、第1の波長に対応した第1の反射率ピークと、前記第1の波長とは異なる第2の波長に対応した第2の反射率ピークとを有することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光電変換素子が複数設けられた光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される信号を処理する処理装置と、
を有することを特徴とする撮像システム。 - 移動体であって、
請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光電変換素子が複数設けられた光電変換装置と、
移動装置と、
前記光電変換装置から出力される信号から情報を取得する処理装置と、
前記情報に基づいて前記移動装置を制御する制御装置と、
を有することを特徴とする移動体。
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