JP2000114325A - 半導体測定装置 - Google Patents
半導体測定装置Info
- Publication number
- JP2000114325A JP2000114325A JP10283095A JP28309598A JP2000114325A JP 2000114325 A JP2000114325 A JP 2000114325A JP 10283095 A JP10283095 A JP 10283095A JP 28309598 A JP28309598 A JP 28309598A JP 2000114325 A JP2000114325 A JP 2000114325A
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- semiconductor chip
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハ状態のままの半導体チップの裏面の電
気的不具合を検出することが可能な半導体測定装置を提
供する事を目的とする。 【解決手段】 ウェハホルダ−３に外縁部を支持された
ウェハ２内の半導体チップ４の表面側から複数の測定用
探針５を接触し、前記半導体チップ４の裏面側からプロ
−ブ６を接触して電気的特性の測定を行う半導体測定装
置において、前記プロ−ブ６が、被測定半導体チップ４
ａの裏面の面積と等しい接触面積を有するプロ−ブと取
り替え可能な構成であることを特徴とする。
気的不具合を検出することが可能な半導体測定装置を提
供する事を目的とする。 【解決手段】 ウェハホルダ−３に外縁部を支持された
ウェハ２内の半導体チップ４の表面側から複数の測定用
探針５を接触し、前記半導体チップ４の裏面側からプロ
−ブ６を接触して電気的特性の測定を行う半導体測定装
置において、前記プロ−ブ６が、被測定半導体チップ４
ａの裏面の面積と等しい接触面積を有するプロ−ブと取
り替え可能な構成であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の電気
的特性を測定する半導体測定装置に関し、特に、被測定
半導体チップの裏面側から接触するプロ−ブに関するも
のである。
的特性を測定する半導体測定装置に関し、特に、被測定
半導体チップの裏面側から接触するプロ−ブに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の電気的な動作不良を
検出は、例えば、特開平７−１４８９８号によれば、ウ
ェハ表面に測定用探針をあて、ウェハ裏面から光を用い
た光学的手段による不良解析によって行い、また、特開
平５−６７６５５号によれば、個々の半導体チップの表
面側から複数の測定用探針を接触し、前記半導体チップ
の裏面側からプロ−ブを接触して電気的特性測定によっ
て行っている。
検出は、例えば、特開平７−１４８９８号によれば、ウ
ェハ表面に測定用探針をあて、ウェハ裏面から光を用い
た光学的手段による不良解析によって行い、また、特開
平５−６７６５５号によれば、個々の半導体チップの表
面側から複数の測定用探針を接触し、前記半導体チップ
の裏面側からプロ−ブを接触して電気的特性測定によっ
て行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
７−１４８９８号では、被測定半導体チップ裏面に欠陥
があったとしても、それが動作不良となるか否かは判別
が容易でないという問題点があり、一方、特開平５−６
７６５５号は、個々の半導体チップの検査装置であり、
ウェハ状態のままの半導体チップを検査することはでき
ないし、また、裏面からのプロ−ブは点接触であるた
め、接触点に不具合があったときのみしか電気的な動作
不良を検出できないという問題点があった。
７−１４８９８号では、被測定半導体チップ裏面に欠陥
があったとしても、それが動作不良となるか否かは判別
が容易でないという問題点があり、一方、特開平５−６
７６５５号は、個々の半導体チップの検査装置であり、
ウェハ状態のままの半導体チップを検査することはでき
ないし、また、裏面からのプロ−ブは点接触であるた
め、接触点に不具合があったときのみしか電気的な動作
不良を検出できないという問題点があった。
【０００４】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
もので、ウェハ状態のままの半導体チップの裏面の電気
的な動作不良を引き起こす不具合を検出することが可能
な半導体測定装置を提供する事を目的とする。
もので、ウェハ状態のままの半導体チップの裏面の電気
的な動作不良を引き起こす不具合を検出することが可能
な半導体測定装置を提供する事を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、以下の構成を採用した。請求項１に記載の
半導体測定装置は、ウェハホルダ−に外縁部を支持され
たウェハ内の半導体チップの表面側から複数の測定用探
針を接触し、前記半導体チップの裏面側からプロ−ブを
接触して電気的特性の測定を行う半導体測定装置におい
て、前記プロ−ブが、被測定半導体チップの裏面の面積
と等しい接触面積を有するプロ−ブと取り替え可能な構
成であることを特徴とする。
の本発明は、以下の構成を採用した。請求項１に記載の
半導体測定装置は、ウェハホルダ−に外縁部を支持され
たウェハ内の半導体チップの表面側から複数の測定用探
針を接触し、前記半導体チップの裏面側からプロ−ブを
接触して電気的特性の測定を行う半導体測定装置におい
て、前記プロ−ブが、被測定半導体チップの裏面の面積
と等しい接触面積を有するプロ−ブと取り替え可能な構
成であることを特徴とする。
【０００６】この半導体測定装置においては、プロ−ブ
は測定する半導体チップの裏面の面積と等しい接触面積
を有するので、被測定半導体チップの裏面に不具合が生
じている場合は、その半導体チップが動作不良となる不
具合を検出することができる。従来のウェハ裏面全面と
プロ−ブが接触している構造では、電流、電圧の供給が
被測定半導体チップ以外の裏面からも行われるため、被
測定半導体チップの裏面の不具合による動作不良を検出
できない。また、従来の裏面からレ−ザ−等の光学的手
段によって行う検査では、被測定半導体チップ内の何ら
かの欠陥の検出できるが、特に被測定半導体チップの裏
面の不具合が動作不良となるか否かは判別できず、拡散
工程終了後の被測定半導体チップの良、不良判定に用い
ることができない。
は測定する半導体チップの裏面の面積と等しい接触面積
を有するので、被測定半導体チップの裏面に不具合が生
じている場合は、その半導体チップが動作不良となる不
具合を検出することができる。従来のウェハ裏面全面と
プロ−ブが接触している構造では、電流、電圧の供給が
被測定半導体チップ以外の裏面からも行われるため、被
測定半導体チップの裏面の不具合による動作不良を検出
できない。また、従来の裏面からレ−ザ−等の光学的手
段によって行う検査では、被測定半導体チップ内の何ら
かの欠陥の検出できるが、特に被測定半導体チップの裏
面の不具合が動作不良となるか否かは判別できず、拡散
工程終了後の被測定半導体チップの良、不良判定に用い
ることができない。
【０００７】また、ウェハ状態のままで半導体チップの
裏面の電気的不具合を検出できるので、早急な製造の歩
留まりの向上および品質の向上を図ることができる。
裏面の電気的不具合を検出できるので、早急な製造の歩
留まりの向上および品質の向上を図ることができる。
【０００８】さらに、被測定半導体チップが変わるたび
に、測定する半導体チップの裏面の面積と等しい接触面
積を有するプロ−ブを取り替えて使用することにより、
どんなサイズの半導体チップにも対応可能である。
に、測定する半導体チップの裏面の面積と等しい接触面
積を有するプロ−ブを取り替えて使用することにより、
どんなサイズの半導体チップにも対応可能である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体測定装
置の好適な実施の形態を図１および図２を参照して説明
する。
置の好適な実施の形態を図１および図２を参照して説明
する。
【００１０】要部のみ図示した半導体測定装置１におい
て、ウェハ２は、その外縁部をウェハホルダ−３に支持
されており、ウェハ２内の半導体チップ４の表面側から
接触する２本の測定用探針５、５と、前記半導体チップ
４の裏面側から接触するプロ−ブ６を備えている。プロ
−ブ６は、被測定半導体チップ４ａの裏面の面積と等し
い接触面積を有している。このプロ−ブ６は、裏面面積
の異なる半導体チップを測定する場合は、その裏面面積
と等しい接触面積を有するプロ−ブに取り替えることが
できる。
て、ウェハ２は、その外縁部をウェハホルダ−３に支持
されており、ウェハ２内の半導体チップ４の表面側から
接触する２本の測定用探針５、５と、前記半導体チップ
４の裏面側から接触するプロ−ブ６を備えている。プロ
−ブ６は、被測定半導体チップ４ａの裏面の面積と等し
い接触面積を有している。このプロ−ブ６は、裏面面積
の異なる半導体チップを測定する場合は、その裏面面積
と等しい接触面積を有するプロ−ブに取り替えることが
できる。
【００１１】被測定半導体チップ４ａを測定するとき
は、測定用探針５、５を被測定半導体チップ４ａの表面
から接触し、また、プロ−ブ６を裏面から面接触し、次
いで電流を流したり、あるいは、電圧を印加して電気的
測定を実施する。測定が終了すると、測定用探針５、５
とプロ−ブ６は被測定半導体チップ４ａから離し、ウェ
ハホルダ−３に支持されたウェハ２を、ウェハホルダ−
３ごと図示しない移動機構により移動し、次いで新たな
被測定半導体チップを測定用探針５、５の直下でプロ−
ブ６の直上に配置する。以後、同様の動作を繰り返して
ウェハ内の半導体チップのすべての電気的測定を実施す
る。
は、測定用探針５、５を被測定半導体チップ４ａの表面
から接触し、また、プロ−ブ６を裏面から面接触し、次
いで電流を流したり、あるいは、電圧を印加して電気的
測定を実施する。測定が終了すると、測定用探針５、５
とプロ−ブ６は被測定半導体チップ４ａから離し、ウェ
ハホルダ−３に支持されたウェハ２を、ウェハホルダ−
３ごと図示しない移動機構により移動し、次いで新たな
被測定半導体チップを測定用探針５、５の直下でプロ−
ブ６の直上に配置する。以後、同様の動作を繰り返して
ウェハ内の半導体チップのすべての電気的測定を実施す
る。
【００１２】なお、測定用探針の数は２本に限られず、
必要な数を使用できる。また、上記実施形態では、ウェ
ハ２が移動するが、測定用探針５およびプロ−ブ６とウ
ェハ２が相対的に移動する機構であればよい。
必要な数を使用できる。また、上記実施形態では、ウェ
ハ２が移動するが、測定用探針５およびプロ−ブ６とウ
ェハ２が相対的に移動する機構であればよい。
【００１３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る半導体測定装置によれば、以下のような効果を奏す
る。
る半導体測定装置によれば、以下のような効果を奏す
る。
【００１４】本発明に係る半導体測定装置は、プロ−ブ
は測定する半導体チップの裏面の面積と等しい接触面積
を有するので、被測定半導体チップの裏面に不具合が生
じている場合は、その半導体チップが動作不良となる不
具合を検出することができるという効果が得られる。
は測定する半導体チップの裏面の面積と等しい接触面積
を有するので、被測定半導体チップの裏面に不具合が生
じている場合は、その半導体チップが動作不良となる不
具合を検出することができるという効果が得られる。
【００１５】また、ウェハ状態のままで半導体チップの
裏面の電気的不具合を検出できるので、早急な製造の歩
留まりの向上および品質の向上を図ることができるとい
う効果が得られる。
裏面の電気的不具合を検出できるので、早急な製造の歩
留まりの向上および品質の向上を図ることができるとい
う効果が得られる。
【００１６】さらに、異なる裏面面積を有する半導体チ
ップを測定するときは、その裏面面積と等しい接触面積
を有するプロ−ブに取り替えることにより、どんなサイ
ズの半導体チップに対しても、裏面に不具合が生じてい
る場合は、その半導体チップが動作不良となる不具合を
検出することができるという効果が得られる。
ップを測定するときは、その裏面面積と等しい接触面積
を有するプロ−ブに取り替えることにより、どんなサイ
ズの半導体チップに対しても、裏面に不具合が生じてい
る場合は、その半導体チップが動作不良となる不具合を
検出することができるという効果が得られる。
【図１】 本発明に係る半導体測定装置の一実施形態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】 図１におけるＡ−Ａ線矢視断面図である。
１ 半導体測定装置 ２ ウェハ ３ ウェハホルダ− ４ 半導体チップ ４ａ 被測定半導体チップ ５ 測定用探針 ６ プロ−ブ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年８月２７日（１９９９．８．２
７）
７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、以下の構成を採用した。請求項１に記載の
半導体測定装置は、ウェハホルダ−に外縁部を支持され
たウェハ内の半導体チップの表面側から複数の測定用探
針を接触し、前記半導体チップの裏面側からプロ−ブを
接触して電気的特性の測定を行う半導体測定装置におい
て、前記プロ−ブは、前記半導体チップの裏面における
不具合を検出するものであり、該プロ−ブが、被測定半
導体チップの裏面の面積と等しい接触面積を有するプロ
−ブと取り替え可能な構成であることを特徴とする。
の本発明は、以下の構成を採用した。請求項１に記載の
半導体測定装置は、ウェハホルダ−に外縁部を支持され
たウェハ内の半導体チップの表面側から複数の測定用探
針を接触し、前記半導体チップの裏面側からプロ−ブを
接触して電気的特性の測定を行う半導体測定装置におい
て、前記プロ−ブは、前記半導体チップの裏面における
不具合を検出するものであり、該プロ−ブが、被測定半
導体チップの裏面の面積と等しい接触面積を有するプロ
−ブと取り替え可能な構成であることを特徴とする。
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハホルダ−に外縁部を支持されたウ
ェハ内の半導体チップの表面側から複数の測定用探針を
接触し、前記半導体チップの裏面側からプロ−ブを接触
して電気的特性の測定を行う半導体測定装置において、 前記プロ−ブが、被測定半導体チップの裏面の面積と等
しい接触面積を有するプロ−ブと取り替え可能な構成で
あることを特徴とする半導体測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10283095A JP2000114325A (ja) | 1998-10-05 | 1998-10-05 | 半導体測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10283095A JP2000114325A (ja) | 1998-10-05 | 1998-10-05 | 半導体測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114325A true JP2000114325A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17661160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10283095A Pending JP2000114325A (ja) | 1998-10-05 | 1998-10-05 | 半導体測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000114325A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104183512A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶圆监控方法 |
-
1998
- 1998-10-05 JP JP10283095A patent/JP2000114325A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104183512A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶圆监控方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010703 |