JP7357826B1

JP7357826B1 - 光半導体検査装置

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Publication number: JP7357826B1
Application number: JP2023533692A
Authority: JP
Inventors: 哲宏深尾; 洋平見上; 崇之大仲; 元良小柳
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2023-01-16
Filing date: 2023-01-16
Publication date: 2023-10-06
Anticipated expiration: 2043-01-16

Abstract

中継基板（１０４）を用いて、光部品を有する光半導体（１００）を検査する光半導体検査装置が、中継基板上にプローブ用パッド（１０５）を挟むように平行に載置され電流通電端子（１０２）には接続されない複数のダミープローブ用パッド（１０７）、隣接するダミープローブ用パッド間に配置されダミープローブ用パッド（１０７）に直列接続される抵抗（１１０）、光半導体（１００）の検査を行う際、複数のダミープローブ用パッド（１０７）に各別に接触する複数のダミープローブ（１０８）、を備え、ダミープローブ用パッド（１０７）とダミープローブ（１０８）を接触させた際、複数のダミープローブ間の抵抗値を知ることによって、プローブ用パッド（１０５）と光半導体検査装置本体のプローブ（１０６）との接触が正しく行えることを確認するようにした。

Description

本願は、光半導体検査装置に関するものである。

光通信技術の進化に伴い、通信に用いる光半導体においてもその機能が多様化しており、例えば出力光波長を可変とするレーザダイオード（以下、ＬＤとも呼ぶ）が大容量通信において使用される。そのＬＤの実現方法の一つとして、出力波長が異なるＬＤを１チップ内に複数本用意し、チップ温度と発光させるＬＤを制御回路にて制御することによって、出力光波長可変を実現する方式が用いられることがある（例えば、特許文献１参照）。
ここで、システムから要求される波長精度が高くなるにつれて、１チップ内に用意するＬＤ数が増加していっており、それに伴い、ＬＤチップの製造、あるいは、その検査が困難になりつつある。

ここで起こりうる困難は、複数あるＬＤを検査する際、個々のＬＤを検査するためのプローブを同時に接触させる必要がある場合において、一般的に、その接触状態が正常であるか否かを知ることが困難であるために、接触状態によっては、製品を製造する際に、製品の歩留りが低下する問題が発生する可能性があることである。

上記問題に対して、従来の試みでは、プローブ接触面に３個のダミーパッドを配置した上で、それら全てに対して、正常な接触となっているか否かの判断が可能な接触子による判断を行うことによって、プローブ接触面に存在する複数の端子に対する適切な接触を担保していた（例えば、特許文献２参照）。

特開２０１５－１０９３７７号公報特開平１１－１４２４７２号公報

１チップ内に集積するＬＤの本数が増加することにより、それらを検査するためのプローブで決まる面とパッドもしくは接触用パターンにより決まる面との関係、あるいは、複数のプローブの中心位置を結ぶ線と、パッドもしくは接触用パターンが当該複数のプローブと接触する各点を結ぶ線との関係が、互いに平行であるなどの関係（以下、簡略化して平行関係とも言う）、言い換えると、検査上の、両者（プローブ、およびパッドもしくは接触用パターンの両者）の適切な相対位置関係が、プローブの載せ置かれる位置のばらつき等によって崩れた場合には、プローブと、パッドもしくは接触用パターンと、の接触が正常に行われなくなる。

また、検査時において、塵埃等が、チップ裏面に付着した等の理由により、プローブ先端面（複数プローブの先端の点で決められる面）とチップ表面との平行関係が崩れた場合には、前例と同様に、プローブと、パッドもしくは接触用パターンと、の接触が正常に行われなくなることがある。

さらに、検査対象がＬＤチップである場合には、当該チップに電流を通電した状態でその光出力強度、あるいは、その波長を確認する必要がある。そのため、当該チップの周囲のうち、少なくとも一部分（例えば、チップが矩形の場合には、その一辺）の外側には、光出力確認のための計測装置用のスペースを確保する必要上、上述のプローブ等の構造物を配置することはできない。それに対して、当該チップの周囲のうち、上記少なくとも一部分を除く、言い換えると、上記少なくとも一部分以外の、当該チップの周囲とその外側を、ここでは、（当該チップの）外周部分と呼ぶ。

本願は、上記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、光半導体の検査の際には当該光半導体の端子に直接には接続されないダミープローブ用パッドおよびダミープローブを用いて、当該ダミープローブ用パッドとダミープローブとの接触状態を知ることにより、光半導体を検査する際に、使用されるプローブ用パッドと検査用プローブとが、正常な接触状態にあるか否かを検知することができる光半導体検査装置を提供することを目的とする。

本願に開示される光半導体検査装置は、
光半導体を検査する光半導体検査装置本体、
前記光半導体と前記光半導体検査装置本体とを電気的に接続する中継基板、
この中継基板上に載置され、かつ、検査時に前記光半導体の光部品の電流通電端子に導通される複数のプローブ用パッド、
前記光半導体検査装置本体に取り付けられ、前記光半導体の検査時に、複数の前記プローブ用パッドに各別に接触する複数の検査用プローブ、
前記中継基板上で前記プローブ用パッドを挟むように載置された複数のダミープローブ用パッド、
隣接する前記ダミープローブ用パッド間に配置され、当該ダミープローブ用パッドに直列に接続される抵抗、
前記光半導体検査装置本体に取り付けられ、前記光半導体の検査時に、複数の前記ダミープローブ用パッドに各別に接触する複数のダミープローブ、
前記検査用プローブと前記ダミープローブとを固定支持するプローブ固定装置、
前記プローブ固定装置を、駆動軸を介して軸回りに回転させる回転駆動体、
前記プローブ固定装置を所望の設置角度位置に設置するため、前記回転駆動体の前記駆動軸の回転角度を制御する制御回路、
を備え、
前記制御回路は、前記光半導体の検査時、複数の前記ダミープローブ用パッドと複数の前記ダミープローブとを各別に接触させ、前記ダミープローブ用パッドと前記ダミープローブ間の抵抗値を複数計測し、計測した異なるダミープローブ間の抵抗値を基に前記プローブ固定装置を所望の設置角度位置に設置するよう制御するとともに、計測した複数の抵抗値が規定の値を満足するか否かにより、複数の前記検査用プローブと複数の前記プローブ用パッドとの接触状態の良否を判断することを特徴とするものである。

本願に開示される光半導体検査装置によれば、光半導体の検査の際には当該光半導体の端子に直接には接続されないダミープローブ用パッドおよびダミープローブを用いて、当該ダミープローブ用パッドとダミープローブとの接触状態を知ることにより、光半導体を検査する際に、使用されるプローブ用パッドと検査用プローブとが、正常な接触状態にあるか否かを検知することができる光半導体検査装置を提供することができる。

実施の形態１に係る光半導体検査装置の要部および被測定体を示す上面図である。実施の形態１に係る光半導体検査装置の要部を示す側面図である。実施の形態２に係る光半導体検査装置の要部、およびその制御方法を説明するための図である。実施の形態２に係る光半導体検査装置の要部の制御動作を説明するための図であって、制御前の要部の状態を説明するための図である。実施の形態２に係る光半導体検査装置の要部の制御動作を説明するための図であって、制御完了後の状態を説明するための図である。実施の形態２に係る光半導体検査装置の要部の制御動作を説明するための図であって、要部の接触検知回路で測定された抵抗値の一例を示す図である。実施の形態３に係る光半導体検査装置に係る、抵抗値のタイミング計測が可能な制御方式を説明するための図である。実施の形態３に係る光半導体検査装置の接触検知回路の反応時間を説明するための図である。実施の形態３に係る光半導体検査装置のダミープローブ間の抵抗値測定反応時間の計測例を示した図である。

実施の形態１．
本願は、光半導体検査装置に関わり、特に、多数（多ピン）の光半導体を検査するのに好適な装置、および多数（多ピン）の光半導体を検査する方法に関するものである。

一般的に、ＬＳＩ等の半導体集積回路の製造においては、ウェハ上に多数個のＬＳＩの形成が完成した段階で、ウェハを個々のＬＳＩチップに切り離す前にＬＳＩテスタを用いてＬＳＩチップの全数テストを行う。この際、被検査品であるＬＳＩチップの主検査装置であるＬＳＩテスタとＬＳＩチップとをプローブカードで電気的に接続する。ここで、プローブカードとは、具体的には、接続用治具（探針、あるいはプローブを有する治具）である。また、テスト装置は、上記ＬＳＩテスタ、上記プローブカードの他、ウェハプローバと呼ばれる、上記ウェハと上記ＬＳＩテスタとを上記プローブカードを介して電気的、かつ機械的に接続するための位置決め用ハンドリング装置を備え、
多数個のＬＳＩチップを全数検査する。

上記に倣い、本願においては、上記ウェハプローバのプローブ（探針）とＬＳＩチップの接続電極（パッド）の相対的位置関係において、多数のＬＳＩチップを多ピンのチップに変更した多ピンの光半導体とプローブとの相対的位置関係に変更して、これに着目した。そして、この相対的位置関係が上記合致位置からずれる要因について分析して対策を施し、上記合致位置で正確に位置決めできる検査装置として本願の光半導体検査装置を実現した。以下では、この光半導体検査装置のうち、特に上記位置決め用ハンドリング装置に相当する部分（以下、光半導体検査装置の要部とも呼ぶ）に注目しつつ、図を用いて詳しく説明する。

図１は、実施の形態１に係る光半導体検査装置の要部全体を上面より見た図である。この図１において、光半導体１００（上述のチップに該当）は、出力波長の異なる複数のＬＤ１０１（レーザダイオード１０１）により構成され、このＬＤ１０１のそれぞれの駆動電流は、このＬＤ１０１に対応した電流通電端子１０２を通じて通電される。この電流通電端子１０２はＬＤ１０１の構成本数分だけ存在するため、光半導体１００全体として見た場合には多ピン構造となっている。
また、中継基板１０４（以下、評価基板１０４とも呼ぶ）は、光半導体１００を検査するために設計された検査用補助部品であり、ワイヤ１０３によって上記ＬＤ１０１の個々の電流通電端子１０２と接続されて、上記ＬＤ１０１にそれぞれ個別に、駆動電流が通電される。また、この評価基板１０４には、元々の（従来の検査装置に備わる）プローブ用パッド（プローブ用パッドは、以下、配線とも呼ぶ）に加え、新たに、抵抗１１０を含む接触検知回路と、この接触検知回路を構成するダミープローブ用パッド１０７（以下、ダミー配線１０７とも呼ぶ）とが構成部品として追加されている。
さらに、このワイヤ１０３の接続先であるプローブ用パッド１０５はＬＤ１０１の検査を個別に行うために用意された配線用部品であり、検査用プローブ１０６（以下、単に、プローブ１０６とも呼ぶ）を通じて各プローブ用パッドに電流を通電することにより、その電流-光出力特性等の測定を実施することが可能となる。なお、点線の矢印で示した光半導体１００の光経路２０１は、各ＬＤからの光出力の向きを示しており、前述の電流-光出力特性は、その出力強度等をそれぞれのＬＤについて個別に測定することによって検査される。

また、図１において、ダミープローブ用パッド１０７と点線で示したダミープローブ１０８は、本願における検査容易化のための追加部品であり、ダミープローブ用パッド１０７は、ＬＤ１０１には接続されず、抵抗１１０に接続される。ここで、ダミープローブとは、元々必要な検査用のプローブに追加された、接触検知回路を作動させるための作動用のプローブである。なお、光半導体が有する光部品は上述のＬＤに限られるものではなく、ＬＥＤ、フォトダイオード、フォトトランジスタなどの光部品であっても良い。

図２は、実施の形態１における光半導体１００の検査装置の上記要部の一部を側面より図示したものである。
この図２において、評価基板１０４とプローブとが接触する接触点１０９は、詳しくは、プローブ１０６とプローブ用パッド１０５とが接触する箇所、またはダミープローブ１０８とダミープローブ用パッド１０７とが接触する箇所、であり、図１に示した、中継基板１０４の表面と、複数のプローブ１０６が接触する複数のプローブの先端の点および複数のダミープローブ１０８が接触する複数のダミープローブの先端の点で形成される面、との互いの配置関係が正常に保持されている場合（例えば、上記２つの面の配置が互いに平行に保たれている場合）の接触点である。このような場合には、それぞれの接触が正常に行われる。

一方、光半導体１００の検査装置において、プローブ１０６と中継基板１０４との互いの配置関係が正常に保持されていない場合（例えば、互いの配置が平行に保たれていない場合）には、接触点１０９が正常の場合に接触するプローブ用パッド１０５の位置からずれ、最終的にはプローブ用パッド間の短絡を生じることがある。

また、光半導体１００の検査装置において、プローブを用いた検査は、一般的に金属でできた検査ステージの面上に被検査対象である基板を置いて実施するが、その際に、基板の裏面に塵埃などの異物が介在することによって、基板と検査ステージとの平行状態が保持されなくなることによって、プローブと基板との間に間隙が発生して、その結果、プローブとプローブ用パッドとの不良な接続状態を生じることがある。

そこで、一般的に、半導体を検査する際には、そのチップ薄さに起因するハンドリング性の困難さ、または放熱性の観点から、半導体チップの特性検査時には、例えば、検査される半導体チップに、直接、プローブを当てるのでなく、ポリイミド等で作成される伝送基板を中継させて、その基板（すなわち中継基板）にプローブを当てて、間接的に各種測定を行う手法が採用されている。

ここで、半導体チップの機能の複雑化、もしくは半導体チップの入出力ピンの数が多くなる（いわゆる多ピン化）につれて、ピン間のピッチが微小化することなどにより、検査装置におけるプロービングの容易さが重要な課題となる。とりわけ、光半導体チップに関しては、光入出力がチップの重要な機能となるため、光経路の確保も同時に達成しなければならない重要な課題となる。ここで、プロービングとは半導体チップの検査を行うためにプローブをパッド等に（正常に）接触させることを言う。

特に、被測定体が多ピンの場合のプロービングにおいては、複数ある全てのプローブと評価基板との互いの接触位置を精度よく保持する必要がある。仮に、互いの接触位置が１箇所でもずれた場合には、隣接するプローブ用パッドがほぼ等間隔に並行して配置されているプローブ用パッド１０５の間隙に、プローブが載せ置かれてしまうような場合が生じ、例えば、隣接する２つのプローブ用パッド１０５の両方の表面に、１つのプローブが接触しまうことにより、当該２つのプローブ用パッド間で短絡が発生して、適性でない検査結果を生ずることになり、結果として、製品の歩留り（以降、簡略化して製品歩留りとも呼ぶ）の悪化につながる。

また、光半導体チップにおいては、前述したように光経路の確保も課題であることから、通常の半導体と違い、例えば、光半導体チップの形状が矩形状であった場合、矩形状の辺の少なくとも一辺は、光入出力のために開放しなければならない。このように、製品歩留りの保持と光経路の確保を同時に満たした光半導体の検査装置が必要となる。

本実施の形態１の光半導体検査装置は、上記のような課題を解決した上で、コストの増加、または半導体チップの設計変更を伴わない検査装置であることが特徴である。そして、この実施の形態１の光半導体検査装置では、評価基板１０４上に、通常使用される検査用プローブの接触検知回路用の配線として機能するダミープローブ用パッド１０７を、一定の間隔で追加配置し、検査時において、そのダミープローブ用パッド１０７に対応するようにダミープローブ１０８を配置される。すなわち、多ピンの光半導体の検査の際、ダミープローブ用パッド１０７およびそのダミープローブ用パッド１０７に対応するようにダミープローブ１０８を配置して、これらを使用しても、光半導体のＬＤ光の入出力のための光経路は確保されている（図１参照）。

そして、評価基板１０４の複数のダミープローブ用パッド１０７の間の（隙間）位置に、さらに抵抗１１０を追加配置して、ダミープローブ１０８間で、その抵抗値が再現するか否かを確認することにより、上記検査用プローブが正常に接触しているか否かの判定が可能となる。

ここで、プローブ用パッド１０５は、ワイヤ１０３を介して、通常のチップ入出力端子である電流通電端子１０２に接続するための配線の機能を有し、このプローブ用パッド１０５に対応するように、通常の検査用プローブ１０６を配置する。また、ダミープローブ用パッド１０７を電流通電端子１０２とは接続させないことによって、チップ入出力数の変更が不要となり、この形態においても光半導体１００の設計を変更する必要はない。

また、本実施の形態１の光半導体検査装置の検査用プローブを用いてプロービングを実施した場合には、仮に、複数のプローブ１０６、または複数のダミープローブ１０８の先端表面で形成される面と評価基板１０４の表面との平行がとれておらず、例えば、複数のパッド間で短絡状態が生じたような場合には、一定間隔に配置したダミープローブ１０８間の抵抗値が一定値とならず、高い抵抗値が観測されるため、正常にプロービングがなされていないことが分かるようになる。

具体的には、例えば抵抗１１０の抵抗値を１００Ωに設定した場合においては、１ｋΩ以上の抵抗値が観測された場合に、プローブの接触状態が不良（以下、略して、プローブ不良とも呼ぶ）と判断してよい。このプローブ不良を測定前に検知できることによって、再プロービングの手間を防ぐと共に、不正確な測定による製品歩留りの低下を防ぐ効果が得られる。

実施の形態２．
図３は実施の形態２の光半導体検査装置における光半導体１００の検査装置のうち、特徴的な部分を抜き出して、上面から見た場合の図（上面図）である。なお、この図においては、評価基板１０４より右側の構成は、図１と同一であるので、省略して図示している。

図３において、検査用プローブ１０６とダミープローブ１０８を固定支持するプローブ固定装置２０２は、回転駆動体２０６の駆動軸を回転中心にして、評価基板１０４全体の回転制御が可能なように構成されている。また、配線ワイヤ２０３は、ダミープローブ１０８に接続されている電気信号線であり、評価基板１０４との接触が正常になされている場合には、抵抗１１０の両端に電気的に接続される。計測器２０４は、それぞれ隣り合うダミープローブ間の抵抗を計測する装置であり、その結果を制御回路２０５に伝達する。制御回路２０５は、回転駆動体２０６を制御することにより、プローブ１０６とダミープローブ１０８の位置を調整することができる。

図４および図５は、前述したプローブ１０６とダミープローブ１０８の位置制御方法を説明するための、光半導体検査装置の要部の側面図である。これらの図において、評価基板１０４と検査ステージ１１１との間に塵埃などの異物１１２が介在することにより、通常はプローブ１０６と評価基板上のプローブ用パッド１０５との間に、図４に示したような明瞭な間隙１１３が発生するが、本実施の形態２の光半導体検査装置の検査用プローブによれば、プローブ固定装置２０２を回転制御することにより、図５に示すように、間隙１１３は明瞭な形態では発生しないことがわかる。すなわち、プローブ固定装置２０２は、回転制御される前は、その上面が角度θ１の位置にあり間隙１１３が発生しているが、回転駆動体２０６によりプローブ固定装置２０２の回転が開始されて角度Δθだけ回転され、その上面が角度θ２の位置まで回転移動する回転制御がなされることにより、プローブ１０６とプローブ用パッド１０５との上記間隙１１３（あるいは、ダミープローブとダミープローブ用パッド間の上記間隙１１３）は発生しなくなる。

半導体をプロービングする際には、複数のプローブ先端で形成される面（以下、プローブ先端面と呼ぶ）と評価基板の表面とが検査時に互いに平行になるように保持して、プローブ先端面と評価基板の表面とを接触させる必要があるが、評価基板の裏面に塵埃等の異物が付着する等により、プローブ先端面と評価基板の表面とが非平行となり、複数のプローブのうちの一部のプローブを基板に接触させることができず、その結果、不正確な検査を実施することとなり、このことに起因した製品歩留りの悪化を生じさせるという問題が発生することになる。

本実施の形態２の光半導体検査装置の検査用プローブを用いた検査においては、たとえ異物が基板に付着してプローブ先端面と評価基板の表面とが非平行な配置状態になったとしても、正確な測定を実施できる。

本実施の形態２の光半導体検査装置の検査用プローブを用いた検査によれば、実施の形態１に加えて、プローブ固定装置２０２の回転角度を制御して所望の設置角度位置に設置することによって、目的とする機能を実現することができる。

そして、正常にプロービングができている状態では、ダミープローブ間の抵抗値はほぼ一定値を示すのに対し、図４に示すような、評価基板１０４と検査ステージ１１１との間に異物１１２が介在した場合には、図６に示すように、評価基板とプローブ間の抵抗値は、測定に供されるダミープローブ間の距離が大きいほど高抵抗値を示すなど、測定に用いられるダミープローブによって異なる値が測定値として検出される場合が生ずる。

そこで、この高抵抗値の情報を、制御回路２０５を通じて、回転駆動体２０６により、プローブ固定装置２０２を高抵抗値のプローブが接触する向きに回転（図は、例として、時計回りの回転を示す）させることにより、間隙１１３を無くして、プローブと評価基板の接触を確実に確保することが可能となる。そして、プローブ固定装置２０２を回転駆動体２０６により回転させた後、最初にプローブと評価基板の接触が確実に確保することが可能となった位置が、上述のプローブ固定装置２０２の所望の設置角度位置に相当する。

実施の形態３．
実施の形態２と同様の問題を解決するために、図７に示したような、抵抗値の観測タイミング計測が可能な制御方式を用いた制御を実施することによって、同等の効果を得ることが可能である。

上記のように、ダミープローブ１０８間の抵抗測定においては、基板とプローブとが正常に接触している状態においては、ほぼ同時に規定の抵抗値（図８Ａに示したように、例えばＲΩ（オーム））を検出するが、図４に示したような評価基板下の異物に起因して基板が傾いているような場合には、ダミープローブの端側での抵抗値測定の検出タイミングがずれ、例えば、図８Ａに示したように、検出タイミング前においては、ダミープローブ１０８間の抵抗値は規定の抵抗値に比べ、はるかに大きな値（具体的には、図８Ａに示したように無限大の値：∞Ω）を示し、反応時間が一定値（図８Ｂで点線で示した反応時間：ｔ０）より大きくなる。言い換えると、測定に使用されるダミープローブ１０８（の組合せ）により、反応時間ｔに違いが生じるようになる。
ここで反応時間ｔとは、図８Ａに示したように、ダミープローブの下降開始時ｔ_ｓからダミープローブと接触検知回路のダミープローブ用パッドとが接触する時間ｔ_ｃまでの時間のことである（つまり、ｔ＝ｔ_ｃ―ｔ_ｓである）。

そこで、この検出タイミングの情報を基に、上記反応時間が一定値より大きい側のダミープローブを特定するとともに、この特定されたダミープローブを、回転駆動体２０６を用いて上記基板に接触するように移動させてダミープローブ用パッドに接触させることにより、特定されたダミープローブとダミープローブ用パッドとの間隙１１３（図４参照）を無くすことができ、これにより、確実に、検査用プローブと評価基板の接触を確保することが可能となる。

本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、１つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。

具体的には、図１においては、矩形状の光半導体１００の一辺およびその近傍である左側部分に、光半導体１００の電流通電端子１０２を集中して載置することにより、光半導体１００の検査の際、光半導体１００に載置された複数のＬＤの光経路２０１を光半導体１００の一辺である下側部分に確保することができているが、この図の配置に限らず、上記電流通電端子１０２は、上記左側部分に加え、矩形状の光半導体１００の一辺およびその近傍である、矩形状の光半導体１００の上側部分、および右側部分にも併せて載置しても良いし、矩形状の光半導体１００の上側部分、または右側部分のどちらか一方のみに併せて載置しても良い。またワイヤ１０３は、最も短い距離で電流通電端子１０２とプローブ用パッド１０５とをつなぐように配置されているが、繋ぐ距離は最も短い距離位置で繋ぐものに限られない（上記左側部分は上側部分であっても良い）。

１００光半導体、１０１レーザダイオード（ＬＤ）、１０２電流通電端子、１０３ワイヤ、１０４評価基板（中継基板）、１０５プローブ用パッド、１０６検査用プローブ、１０７ダミープローブ用パッド、１０８ダミープローブ、１０９接触点、１１０抵抗、１１１検査ステージ、１１２異物、１１３間隙、２０１光経路、２０２プローブ固定装置、２０３配線ワイヤ、２０４計測器、２０５制御回路、２０６回転駆動体

Claims

光半導体を検査する光半導体検査装置本体、
前記光半導体と前記光半導体検査装置本体とを電気的に接続する中継基板、
この中継基板上に載置され、かつ、検査時に前記光半導体の光部品の電流通電端子に導通される複数のプローブ用パッド、
前記光半導体検査装置本体に取り付けられ、前記光半導体の検査時に、複数の前記プローブ用パッドに各別に接触する複数の検査用プローブ、
前記中継基板上で前記プローブ用パッドを挟むように載置された複数のダミープローブ用パッド、
隣接する前記ダミープローブ用パッド間に配置され、当該ダミープローブ用パッドに直列に接続される抵抗、
前記光半導体検査装置本体に取り付けられ、前記光半導体の検査時に、複数の前記ダミープローブ用パッドに各別に接触する複数のダミープローブ、
前記検査用プローブと前記ダミープローブとを固定支持するプローブ固定装置、
前記プローブ固定装置を、駆動軸を介して軸回りに回転させる回転駆動体、
前記プローブ固定装置を所望の設置角度位置に設置するため、前記回転駆動体の前記駆動軸の回転角度を制御する制御回路、
を備え、
前記制御回路は、前記光半導体の検査時、複数の前記ダミープローブ用パッドと複数の前記ダミープローブとを各別に接触させ、前記ダミープローブ用パッドと前記ダミープローブ間の抵抗値を複数計測し、計測した異なるダミープローブ間の抵抗値を基に前記プローブ固定装置を所望の設置角度位置に設置するよう制御するとともに、計測した複数の抵抗値が規定の値を満足するか否かにより、複数の前記検査用プローブと複数の前記プローブ用パッドとの接触状態の良否を判断することを特徴とする光半導体検査装置。
前記光半導体を検査する際、前記中継基板の複数のプローブ用パッドと前記光部品の複数の電流通電端子と、を各別に接続するワイヤを有するとともに、
当該ワイヤは、前記光部品の光経路を除く前記光半導体の外周部分で前記電流通電端子と前記プローブ用パッドとを接続する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光半導体検査装置。
複数の前記ダミープローブ、複数の前記ダミープローブ用パッド、および複数の前記抵抗とで構成される接触検知回路の異なるダミープローブ間における抵抗値測定の際の反応時間を基に、前記プローブ固定装置の前記所望の設置角度位置を決定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光半導体検査装置。
複数の前記ダミープローブ、複数の前記ダミープローブ用パッド、および複数の前記抵抗とで構成される接触検知回路の異なるダミープローブ間の抵抗値の検出タイミングのずれが発生した際、当該検出タイミングのずれが発生したダミープローブを特定するとともに、特定された前記ダミープローブを前記ダミープローブ用パッドに接触するように移動させ、前記プローブ固定装置を前記所望の設置角度位置に設置する制御を行う、
ことを特徴とする請求項１に記載の光半導体検査装置。