JP2007121015A - 半導体検査装置及びウエハチャック - Google Patents

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Abstract

【課題】 本発明は半導体ウエハに形成されたチップの電気的特性の検査において、簡易な構成でウエハ裏面に対するケルビン接続を実現する半導体検査装置及びウエハチャックを提供する。
【解決手段】 半導体検査装置1の試料台10の表面に、半導体ウエハ2の裏面に接触させる2種類以上の電極11f及び11sを設けて構成し、各電極11f、11sは帯状部分12f及び12sをそれぞれ有するように形成され、異なる種類の電極の帯状部分12f及び12sを試料台10の表面上に交互に配置する。
【選択図】 図2

Description

本発明は、半導体ウエハに形成されたチップの電気的特性を検査する半導体検査装置に関し、特に半導体ウエハに形成されたチップ等の表面電極と裏面電極との間に検査電流を流してこのとき現れる両電極間の電圧を測定する半導体検査装置に関する。
半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ上に形成された半導体チップを検査して不良チップを発見し、不良チップについては後の組立工程を行なわないようにすることで製造効率を向上させている。このような検査には各半導体チップの電気的な特性の検査が含まれており、この電気的特性の検査では、半導体チップの表面電極と裏面電極との間に検査電流を流してこのとき現れる両電極間の電圧も測定される(このように測定される電圧を、本明細書における以下の説明で「被測定電圧」と記す)。このような被測定電圧を測定する検査としては、例えば、表面に電界効果型トランジスタのゲート及びソースが形成され裏面にドレインが形成された半導体ウエハにおいて、ウエハ表面に形成されたゲート電極とウエハ裏面との間の順方向電圧(オン抵抗)の測定検査も含まれる。
図1の(A)は上記被測定電圧の電圧測定を行う従来の半導体検査装置の構成図の例である。図1の(A)に示すとおり、半導体検査装置1は、ウエハ2を保持するウエハチャック(試料台)10と、ウエハ2上に形成されたチップ(図示せず)に設けられたパッド(電極)3に接触してパッド3に検査電流を流し電圧測定を行うためのプローブ(針)31f及び31sを備えたプローブカード30と、チップのパッド3から裏面へ検査電流を流してそのときの電圧を測定するテスタ回路40と、を備えている。なお、半導体検査装置1としてはプローブカード30を備えないプローブヘッド形式のものも使用される。
プローブカード30に設けられるプローブ31f及び31sは、これらプローブとパッドとの間の接触抵抗に起因する電圧降下分が測定電圧に影響しないように、フォース用プローブ31fとセンス用プローブ31sとに別個に設けられ、下記特許文献1等に開示されようにケルビン接続が採用されている。
テスタ回路40は、電源42によってフォース用プローブ31fを介してパッド3からウエハ2の裏面へと検査電流を流す一方で、そのときにパッド3とウエハ2の裏面との間に生じる電圧を、センス用プローブ31sを介して電圧計41で測定することにより、半導体チップの表面電極と裏面電極との間の上記被測定電圧を得る。
テスタ40内の電圧計41には、電圧計自身の抵抗値による電圧降下を防ぐためにハイインピーダンスの内部抵抗Riが直列に接続されており、検査電流は殆ど電圧計41を通らない。このためにセンス用プローブ31sとパッド3との間の接触抵抗は測定値へ影響が及ぼさない。
図1の(B)は図1(A)の半導体検査装置1による検査回路の等価回路図である。図1の(B)において、R1fはフォース用プローブ31fとパッド3との間の接触抵抗を示し、R1sはセンス用プローブ31sとパッド3との間の接触抵抗を示し、R2はウエハ2の裏面側の接触抵抗を示す。
図1の(B)から分かるとおり、従来の半導体検査装置1の構成では、電圧計41とパッド3及びウエハ2とを接続する直列回路には、検査電流が流れるウエハ2の裏面側の接触抵抗R2が含まれている。このために接触抵抗R2により生じる電圧降下分が測定結果に含まれることにより測定精度が劣化する問題があった。
この問題を解決するため、下記特許文献2に開示する半導体検査装置では、ウエハを保持するウエハステージに複数の貫通穴を設けて、そのそれぞれにコンタクトピンを配置し背面側からの押圧によってピンの先端がステージ表面からわずかに突出してウエハ裏面に当接するように構成する。一方でステージ裏側にはコンタクトピンを押し上げるためのフォース用コンタクト片及びセンス用コンタクト片を設け、これらコンタクト片が検査対象のチップの直下に移動してそれぞれ別個にコンタクトピンを押圧し、フォース用コンタクト片に接触するピンとセンス用コンタクト片に接触するピンとを別々にウエハ裏面に当接させることにより、ウエハ裏面においてもケルビン接続を実現する。
特開平11−64385号公報 特開2004−311799号公報 特開平2003−322395号公報
しかしながら、上記特許文献2の構成ではウエハに配置される各チップの裏面に、フォース用及びセンス用のピンが少なくとも1つずつ当接することが望まれるため、細かなピッチで多数のコンタクトピンを、背面から押圧された場合にステージ表面に突出しつつ背面から脱落しないように配置する必要がある。また、コンタクトピンを押し上げるコンタクト片を各チップのそれぞれの直下まで移動させる駆動機構をステージに組み込む必要がある。このため、上記特許文献2の構成ではステージ機構が非常に複雑となる問題があった。
上記問題に鑑み、本発明は半導体ウエハに形成されたチップの電気的特性の検査において、簡易な構成でウエハ裏面に対するケルビン接続を実現する半導体検査装置及びウエハチャックを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明では、半導体ウエハに形成されたチップの電気的特性を検査する半導体検査装置で半導体ウエハを保持するために使用される試料台(例えばウエハチャックなど)の表面に、前記半導体ウエハの裏面に接触させる2種類以上の電極を備える。そして、異なる種類の電極を、試料台の表面上に交互に配置する。
そして、試料台表面に設けられる電極のうち1種類の電極をセンス用電極とし、他の種類の電極のうちの1種類の電極をフォース用電極として、チップの電気的特性の検査のために、センス用電極及びフォース用電極を半導体ウエハの裏面に対してケルビン接続させる。
複数種類の電極を交互に配置し、そのうち1種類の電極をセンス用電極とし他の1種類の電極をフォース用電極とすることにより、センス用電極及びフォース用電極が試料台全面に亘って分散される。これによってウエハ上のどの場所のチップを検査していても、テスタから供給される検査電流を効率よくフォース用電極で集電することが可能となり、ウエハの裏面に対するケルビン接続を簡易な構成で実現することが可能となる
さらに、半導体ウエハ上には同じ大きさのチップが規則正しく配置されるのが通常であるから、電極の寸法を適切に設定することにより、全てのチップに対してセンス用電極及びフォース用電極を1つ以上接触させることが可能となる。これによりセンス用電極に流れ込む検査電流を更に低減して検査精度が高めることが容易に実現される。
本発明によって、簡易な構成でウエハ裏面に対するケルビン接続を実現する半導体検査装置及びウエハチャックが実現可能となる。これによって高い精度でチップの電気的特性の検査を行う半導体検査装置及びそのためのウエハチャックを安価に構成することが可能となる。
以下、添付する図面を参照して本発明の実施例を説明する。図2は、本発明の実施例に係る半導体検査装置の概略構成図である。図2に示すとおり、半導体検査装置1には、XY可動テーブル20と、テーブル20上に設けられ半導体ウエハ2を保持する真空チャックなどのウエハチャック(試料台)10が設けられる。
チャック10の上方には、チャック10上に保持されるウエハ2表面に形成されたチップ4上のパッド3に接触してパッド3をテスタ回路40に電気的に接続するためのプローブ31f及び31sを備えたプローブカード30が設けられる。なお、半導体検査装置1としてはプローブカード30を備えないプローブヘッド形式としてもよい。
プローブカード30に設けられたプローブ31fは、パッド3からウエハ2の裏面へ検査電流を流すために、テスタ回路40内の電源42に電気的に接続されパッド3に電圧を印加するためのフォース用プローブであり、プローブ31sは、パッド3とウエハ2の裏面との間の電圧(チップ4に関する上記被測定電圧電圧)を測定するために電圧計41の一方の端子にパッド3を接続するセンス用プローブである。テスタ回路40内の電圧計41にはハイインピーダンスの内部抵抗Riが直列に接続されており、半導体検査装置1は、これらフォース用プローブ31f及びセンス用プローブ31sとパッド3との間をケルビン接続する。
一方でウエハチャック10の表面には、ウエハ2の裏面に接触してウエハ2の裏面をテスタ回路40に電気的に接続するための2種類の電極11f及び11sが設けられる。
チャック10の表面に設けられた一方の種類の電極11fは、テスタ回路40内の電源42に電気的に接続されるフォース用電極11fであり、上記フォース用プローブ31fと共にパッド3とウエハ2の裏面との間に電圧を印加することにより、パッド3とウエハ2の裏面との間に検査電流を流す。これら電極11f及び11sは、ウエハチャック10の表面上に導電体膜として形成することが可能である。
チャック10の表面に設けられた他方の種類の電極11sは、テスタ回路40内の電圧計41の他方の端子に接続されるセンス用電極である。上記センス用プローブ31sによってパッド3が電圧計41の一方の端子に電気的に接続され、センス用電極11sによってウエハ2の裏面が電圧計41の他方の端子に電気的に接続されることにより、パッド3とウエハ2の裏面との間の電位差が測定される。
図2に示すように、フォース用電極11f及びセンス用電極11sは、それぞれ帯状部分12f及び12sを有するように形成されており、かつこれらの電極の帯状部分12f及び12sはチャック10の表面において交互に配置される。このような配置によって、フォース用電極11f及びセンス用電極11sがチャック10の全面に亘って分布するように配置される。
フォース用電極11f及びセンス用電極11sを分散させることによって、ウエハ2上のどの場所のチップ4のパッド3にフォース用プローブ31fから検査電流を流し込んでも効率よくフォース用電極11fで集電することが可能となる。したがってセンス用電極11sへの検査電流の流入が無くなるため、ウエハ2の裏面に対してもフォース用電極11f及びセンス用電極11sによるケルビン接続が実現する。
図3は図2に示す半導体検査装置による検査回路の等価回路図である。図1の(B)に示した従来の等価回路図との対比によって理解されるように、フォース用電極11f及びセンス用電極11sによってウエハ2の裏面に対してケルビン接続が実現することによって、電源42によってパッド3からウエハ2の裏面に電流を流すフォース用回路Cfと、電圧計41によってパッド3とウエハ2の裏面との間の電圧を測定するセンス用回路Csとが分離される。ここに図3に示す抵抗R2fはフォース用電極11fとウエハ2裏面との間の接触抵抗であり、抵抗R2sはセンス用電極11sとウエハ2裏面との間の接触抵抗である。
このため、図1の(B)に示す等価回路を参照して上述した、従来生じていたウエハ裏面の接触抵抗R2に起因する電圧降下分の測定電圧への重畳が防止され、測定精度を向上することが可能となる。
図4の(A)は図2に示すウエハチャック10上の電極配置の第1例を示す図であり、図4の(B)は図4の(A)の電極とチップとの寸法の対比を説明する図である。図4の(A)に示す例では、フォース用電極11f及びセンス用電極11sを、それぞれの帯状部分12f及び12sを歯部分とする櫛状の形状に形成する。そして、一方の電極11fの歯部分(12f)の間に他方の電極11sの歯部分(12s)を配置する。
このように1つの種類の電極11f(11s)を構成する複数の帯状部分12f(12s)を、この帯状部分以外の電極によって連結するように構成することにより、複数の帯状部分を別途配線する必要がなくなるため、チャック10の構成が簡単になる。
電極12f及び12sの寸法及び配置を定めるにあたっては、帯状部分12f及び12sのうちの幅の広い方の帯状部分の寸法wpと、これら電極を隔てる電極間隔wsとの和が、測定されるチップの一辺の寸法よりも小さくなるように設計するのが好適である(図4の(B)参照)。このように電極寸法及び配置を決定することにより、各チップに最低1つずつ帯状部分12f及び12sがそれぞれ接触することとなるため、フォース用電極11fによる検査電流の集電を、さらに効率よく行うことが可能となる。
電極11f及び11sは、必ずしも帯状に形成する必要はない。図5の(A)は図2に示すウエハチャック10上の電極配置の第2例を示す図である。この例では、フォース用電極11f及びセンス用電極11sは矩形形状に形成され、x方向に沿って交互に配置されている。電極11f及び11sの形状は矩形でなくともよく、他の多角形や円などの形状にしてもよい。
各フォース用電極11f間を接続するフォース用電極間接続線17f、及び各センス用電極11f間を接続するフォース用電極間接続線17sは、ウエハ2の裏面に接触しないようにウエハチャック10の内部に配線することとしてもよく、又はウエハチャック10の表面に電極11f及11sと同様に導体膜で形成してウエハ2の裏面に接触していてもよい。
図5の(B)は図2に示すウエハチャック10上の電極配置の第3例を示す図である。図示するようにフォース用電極11f及びセンス用電極11sは市松模様状に、すなわちx方向及びy方向に沿って交互に配置されていてもよい。
図6の(A)は図2に示すウエハチャック上の電極配置の第4例を示す図である。この例では、ウエハチャック10を本体部分15及び上面部材16とで構成し、各々板状に形成した複数のフォース用電極11f及び複数センス用電極11sを交互に並べ、これら電極間に板状の絶縁材14を挟みこんで上面部材16を構成する。このように各電極を板状の部材で形成することによって検査電流の導通を容易にし、大きな検査電流を用いた場合の耐性を高めることが可能となる。
図6の(B)は図2に示すウエハチャック上の電極配置の第5例を示す図である。この例では、各々輪帯状(リング状)に形成した複数のフォース用電極11f及び複数センス用電極11sを交互に同心円状に並べ、これら電極間に帯状の絶縁材14を挟みこんで上面部材16を構成する。
なお上記実施例では、チャック10の表面に、フォース用電極11f及びセンス用電極11sの2種類の電極を設ける実施例のみを示したが、異なる目的の測定に使用するための2種類以上のセンス用電極及びセンス用プローブをそれぞれ別々に設けてもよい。この場合にチャック10の表面に、1種類のフォース用電極及び2種類以上のセンス用電極からなる3種類以上の電極を設けてもよい。
本発明は、半導体ウエハに形成されたチップの電気的特性を検査する半導体検査装置に関し、特に半導体ウエハに形成されたチップ等の表面電極と裏面電極との間に検査電流を流しこのとき現れる両電極間の電圧を測定する半導体検査装置に適用可能である。
(A)は半導体ウエハに形成されたチップ等の表面電極と裏面電極との間に検査電流を流しこのとき現れる両電極間の電圧の測定を行う従来の半導体検査装置の一例の構成図であり、(B)は(A)に示す半導体検査装置による検査回路の等価回路図である。 本発明の実施例に係る半導体検査装置の一例の概略構成図である。 図2に示す半導体検査装置による検査回路の等価回路図である。 (A)は図2に示すウエハチャック上の電極配置の第1例を示す図であり、(B)は(A)の電極とチップとの寸法の対比を説明する図である。 (A)は図2に示すウエハチャック上の電極配置の第2例を示す図であり、(B)は図2に示すウエハチャック上の電極配置の第3例を示す図である。 (A)は図2に示すウエハチャック上の電極配置の第4例を示す図であり、(B)は図2に示すウエハチャック上の電極配置の第5例を示す図である。
符号の説明
1 半導体検査装置
10 ウエハチャック
11f フォース用電極
11s センス用電極
12f、12s 帯状部分
20 ステージ
30 プローブカード
31 プローブ
40 テスタ回路

Claims (14)

  1. 試料台を備え、該試料台上に保持された半導体ウエハに形成されたチップの電気的特性を検査する半導体検査装置において、
    前記試料台の表面に、前記半導体ウエハの裏面に接触させる2種類以上の電極を備え、
    異なる種類の前記電極が、前記試料台の表面上に交互に配置されることを特徴とする半導体検査装置。
  2. 前記電極は、前記試料台の表面上に導電体膜として形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体検査装置。
  3. 前記電極は各々板状に形成され、板状の各電極間に絶縁材を挟んで並べて配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体検査装置。
  4. 前記電極は帯状部分を有するように形成され、異なる種類の前記電極の前記帯状部分が前記試料台の表面上に交互に配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体検査装置。
  5. 2つの前記電極が帯状の歯部分を有する櫛状に各々形成され、一方の前記電極の歯部分の間に他方の電極の歯部分が位置するように配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体検査装置。
  6. 前記電極はリング状に形成され、同心円状に配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体検査装置。
  7. 前記電極のうち1種類の電極をセンス用電極とし、前記電極の他の種類の電極のうちの1種類の電極をフォース用電極として、
    前記チップの電気的特性の検査のために、前記センス用電極及び前記フォース用電極を前記半導体ウエハの裏面に対してケルビン接続させることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体検査装置。
  8. 半導体ウエハに形成されたチップの電気的特性を検査する際に前記半導体ウエハを保持するために用いられるウエハチャックにおいて、
    前記半導体ウエハと接触する表面に2種類以上の電極を備え、
    異なる種類の前記電極が、前記表面上に交互に配置されることを特徴とするウエハチャック。
  9. 前記電極は、前記表面上に導電体膜として形成されることを特徴とする請求項8に記載のウエハチャック。
  10. 前記電極は各々板状に形成され、板状の各電極間に絶縁材を挟んで並べて配置されることを特徴とする請求項8に記載のウエハチャック。
  11. 前記電極は帯状部分を有するように形成され、異なる種類の前記電極の前記帯状部分が前記表面上に交互に配置されることを特徴とする請求項8に記載のウエハチャック。
  12. 2つの前記電極が帯状の歯部分を有する櫛状に各々形成され、一方の前記電極の歯部分の間に他方の電極の歯部分が位置するように配置されることを特徴とする請求項8に記載のウエハチャック。
  13. 前記電極はリング状に形成され、同心円状に配置されることを特徴とする請求項8に記載のウエハチャック。
  14. 前記電極のうち1種類の電極をセンス用電極とし、前記電極の他の種類の電極のうちの1種類の電極をフォース用電極として、
    前記チップの電気的特性の検査のために、前記センス用電極及び前記フォース用電極を前記半導体ウエハの裏面に対してケルビン接続させることを特徴とする請求項8〜13のいずれか一項に記載のウエハチャック。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010050155A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Denso Corp 半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体装置の検査装置
JP2013118320A (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 Micronics Japan Co Ltd 半導体デバイスの検査装置とそれに用いるチャックステージ
CN112083315A (zh) * 2020-09-15 2020-12-15 苏州韬盛电子科技有限公司 一种针对qfn的开尔文测试插座
US20210156902A1 (en) * 2018-09-06 2021-05-27 Changxin Memory Technologies, Inc. Semiconductor chip and circuit and method for electrically testing semiconductor chip
JP7450579B2 (ja) 2021-04-05 2024-03-15 三菱電機株式会社 半導体テスト装置および半導体装置の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010050155A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Denso Corp 半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体装置の検査装置
JP2013118320A (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 Micronics Japan Co Ltd 半導体デバイスの検査装置とそれに用いるチャックステージ
US20210156902A1 (en) * 2018-09-06 2021-05-27 Changxin Memory Technologies, Inc. Semiconductor chip and circuit and method for electrically testing semiconductor chip
CN112083315A (zh) * 2020-09-15 2020-12-15 苏州韬盛电子科技有限公司 一种针对qfn的开尔文测试插座
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