JP2000113486A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP2000113486A JP2000113486A JP10276779A JP27677998A JP2000113486A JP 2000113486 A JP2000113486 A JP 2000113486A JP 10276779 A JP10276779 A JP 10276779A JP 27677998 A JP27677998 A JP 27677998A JP 2000113486 A JP2000113486 A JP 2000113486A
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Abstract
チャンネル位置をチップの端にずらしているため、サブ
マウント(ヒートシンク)への放熱性が悪くなり、その
結果レーザチップのエージング寿命が短くなるという欠
点がある。 【解決手段】 異なる波長を有する複数のレーザチップ
を1パッケージに搭載する際、双方のレーザチップから
出射されるレーザ光を、ミラーを用いて反射させて、両
反射光の光軸をほぼ平行に保ってなることを特徴とす
る。
Description
ザチップ及びCD、CD−R、CD−ROM用赤外レー
ザチップの2チップを備えた半導体レーザ装置に関す
る。
レーザチップ2の2チップを搭載した半導体レーザ装置
である。赤色レーザチップ1及び赤外レーザチップ2は
サブマウント4の上に配置されるが、レーザチップのチ
ャンネルの位置をレーザチップの端にずらして形成し、
各々のレーザ光の光軸の間隔を出来る限り近接させる
(100μm以内)必要がある。
ップのチャンネル位置をチップの端にずらしているた
め、サブマウント(ヒートシンク)への放熱性が悪くな
り、その結果レーザチップのエージング寿命が短くなる
という欠点がある。
なされたもので、赤色レーザチップと赤外レーザチップ
を1パッケージ化する場合に、双方のレーザチップから
出射されたレーザ光の光軸を近接(約100μm以内)
と共に、レーザチップのチャンネルをレーザチップの中
心に形成した一般的な構造のレーザチップを搭載するこ
とで、エージング寿命を延ばすことを目的とする。
る半導体レーザ装置は、異なる波長を有する複数のレー
ザチップを1パッケージに搭載する際、双方のレーザチ
ップから出射されるレーザ光を、ミラーを用いて反射さ
せて、両反射光の光軸をほぼ平行に保ってなることによ
って、上記の目的を達成する。
置は、前記ミラーが、前記双方のレーザチップの間に配
置されてなることによって、上記の目的を達成する。
置は、前記ミラーが、三角柱状であって、その底面又は
上面をなす三角形は、直角二等辺三角形であることによ
って、上記の目的を達成する。
とで、従来のように、レーザチップのチャンネルをレー
ザチップの端に形成することなく、赤色レーザチップと
赤外レーザチップから出射されたレーザ光の光軸の間隔
を近接(100μm)させることが可能となる。
チップとを、同一パッケージ内に収め、同パッケージを
DVD及びCD系、両システムにおける共用部品とする
ことが可能になる。
明する。
ための図面である。
するブロック17と、赤外レーザチップ2を搭載するブ
ロック18を備えたステムを用いる。ブロック17とブ
ロック18の間には、45°ミラー14(三角柱状であ
って、その底面又は上面をなす三角形は、直角二等辺三
角形である。直角の対辺をなす四角形をステム側に設
置。)が配置される。45°ミラー14はAgペースト
等の接着剤を用いて精度よく接着する。
う材としてダイボンドしたサブマウント4−2を、速硬
性のAgペースト等の接着剤を用いて、ブロック18の
側面に精度よくダイボンドする。
プ2とサブマウント4−2にコンタクトプローブ19、
20を接触させ、赤外レーザ光を出射させる。このレー
ザ光は、45°ミラー14の反射面で反射され、90°
曲がる。この90°曲がった赤外レーザ光15の光軸2
1を例えばCCDカメラ22等で画像処理を行って求め
る。
に対して100μm以内の距離に赤色レーザ16の光軸
が入射されるように、赤色レーザチップ1をAuSnを
ろう材としてダイボンドしたサブマウント4−1を、ブ
ロック18の側面に、精度よく速硬性Agペーストを用
いてダイボンドする。
プ及び赤色レーザチップをブロックの側面にダイボンド
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図4
に示すように、サブマウント4−1、4−2の上面にダ
イボンドしてもよい。
を用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、違
う方向からミラーに向けて照射されるレーザ光が、10
0μm以下の幅をもって同じ向きに出射するのであれ
ば、どのようなミラーを用いてもよい。また、本実施例
においては、レーザがダイボンドされるブロック又はサ
ブマウントの出射端面サイドは90°に形成され、ステ
ムの水平な面にダイボンドされているが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、ステムがミラーを挟んで傾
斜した面をもつ、及び/又は、ブロック或いはサブマウ
ントのステムとの接着面が傾斜した面をもつものであっ
てもよい。
と赤外レーザチップとから出射されるそれぞれのレーザ
光の光軸の間隔を近接(100μm以内)させる必要が
ある。一般的にレーザチップのチャンネル位置は、レー
ザチップ端面の中心にあるが、前述のレーザ光の光軸の
間隔の問題を解決するために、レーザチップのチャンネ
ル位置をレーザチップ端面の端にずらすことにより、そ
れぞれのレーザ光の光軸の間隔を100μm以内にして
いる。
プのチャンネルの位置がレーザチップ端面の端にあるた
め、レーザチップより発熱された熱をサブマウントへ効
率よく放熱が行えない。その結果、その放熱の悪さか
ら、レーザチップのエージング寿命が短くなるという欠
点が生じる。
で、一般的なレーザチップ(チャンネル位置はレーザチ
ップ端面のほぼ中心にある。)を用いてエージング寿命
を延ばすことができると同時に、それぞれのレーザ光の
光軸の間隔も100μm以内に収めることが可能にな
る。
ある。
イプ)。
ラットタイプ)。
である。
プ発光点(チャンネル位置)) 12 赤外レーザ光(λ=780nm、赤外レーザチッ
プ発光点(チャンネル位置)) 13 電極 14 45°ミラー 15 赤外レーザ光 16 赤色レーザ光 17 ブロック(赤色レーザ用) 18 ブロック(赤外レーザ用) 19、20 コンタクトプローブ 21 光軸 22 CCDカメラ
Claims (3)
- 【請求項1】 異なる波長を有する複数のレーザチップ
を1パッケージに搭載する際、 双方のレーザチップから出射されるレーザ光を、ミラー
を用いて反射させて、両反射光の光軸をほぼ平行に保っ
てなることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項2】 前記ミラーは、前記双方のレーザチップ
の間に配置されてなることを特徴とする請求項1に記載
の半導体レーザ装置。 - 【請求項3】 前記ミラーは、三角柱状であって、その
底面又は上面をなす三角形は、直角二等辺三角形である
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27677998A JP3464921B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27677998A JP3464921B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000113486A true JP2000113486A (ja) | 2000-04-21 |
JP3464921B2 JP3464921B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=17574254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27677998A Expired - Fee Related JP3464921B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3464921B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007184627A (ja) * | 2007-02-22 | 2007-07-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
JP2017211543A (ja) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
JP2018190805A (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2022549941A (ja) * | 2019-09-30 | 2022-11-29 | エイエムエス-オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | レーザーパッケージおよびレーザーパッケージを備えたシステム |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP27677998A patent/JP3464921B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007184627A (ja) * | 2007-02-22 | 2007-07-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
JP2017211543A (ja) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
JP2018190805A (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2022549941A (ja) * | 2019-09-30 | 2022-11-29 | エイエムエス-オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | レーザーパッケージおよびレーザーパッケージを備えたシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3464921B2 (ja) | 2003-11-10 |
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