JP2000109649A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびに半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびに半導体装置Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】良好な流動性を有するとともに、優れた耐半田
性を備えた半導体装置を得ることのできる半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】エポキシ樹脂とフェノール樹脂と、下記の
（Ｃ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。（Ｃ）下記の平均粒径（ｘ），（ｙ），（ｚ）を有
する３種類の溶融シリカ粉末の混合物で、（ｘ）のシリ
カ粉末が５０〜９２重量％、（ｙ）のシリカ粉末が５〜
４０重量％、（ｚ）のシリカ粉末が３〜１５重量％に設
定されている。 （ｘ）平均粒径２０〜６０μｍ。 （ｙ）上記（ｘ）から選択使用した溶融シリカ粉末の平
均粒径をαとした場合、０．１α≦平均粒径（μｍ）≦
０．２αで表される平均粒径。 （ｚ）上記（ｘ）から選択使用した溶融シリカ粉末の平
均粒径をαとした場合、０．０１α≦平均粒径（μｍ）
＜０．１αで表される平均粒径。
性を備えた半導体装置を得ることのできる半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】エポキシ樹脂とフェノール樹脂と、下記の
（Ｃ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。（Ｃ）下記の平均粒径（ｘ），（ｙ），（ｚ）を有
する３種類の溶融シリカ粉末の混合物で、（ｘ）のシリ
カ粉末が５０〜９２重量％、（ｙ）のシリカ粉末が５〜
４０重量％、（ｚ）のシリカ粉末が３〜１５重量％に設
定されている。 （ｘ）平均粒径２０〜６０μｍ。 （ｙ）上記（ｘ）から選択使用した溶融シリカ粉末の平
均粒径をαとした場合、０．１α≦平均粒径（μｍ）≦
０．２αで表される平均粒径。 （ｚ）上記（ｘ）から選択使用した溶融シリカ粉末の平
均粒径をαとした場合、０．０１α≦平均粒径（μｍ）
＜０．１αで表される平均粒径。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐半田性および流
動性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそ
の製法、ならびにそれを用いて得られる信頼性の高い半
導体装置に関するものである。
動性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそ
の製法、ならびにそれを用いて得られる信頼性の高い半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体
素子は、通常、エポキシ樹脂組成物を用いてトランスフ
ァー成形により樹脂封止される。この種のパッケージと
して、従来から各種形態のパッケージが開発されてい
る。
素子は、通常、エポキシ樹脂組成物を用いてトランスフ
ァー成形により樹脂封止される。この種のパッケージと
して、従来から各種形態のパッケージが開発されてい
る。
【０００３】上記樹脂封止の際に用いられるエポキシ樹
脂組成物としては、通常、エポキシ樹脂を主体とし、こ
れに硬化剤成分としてのフェノール樹脂と、無機質充填
剤を含有するものが用いられている。そして、このエポ
キシ樹脂組成物からなる封止材料において、例えば、良
好な耐半田性を示すことが望まれている。しかしなが
ら、上記耐半田性を良好なものとした場合、その一方
で、成形性が低下するという問題が生じる。
脂組成物としては、通常、エポキシ樹脂を主体とし、こ
れに硬化剤成分としてのフェノール樹脂と、無機質充填
剤を含有するものが用いられている。そして、このエポ
キシ樹脂組成物からなる封止材料において、例えば、良
好な耐半田性を示すことが望まれている。しかしなが
ら、上記耐半田性を良好なものとした場合、その一方
で、成形性が低下するという問題が生じる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】例えば、上記耐半田性
を良好なものとするためには、通常、封止材料の一構成
成分である無機質充填剤の含有量をより多くする方法が
採られるが、このように無機質充填剤の含有量を多くす
ると成形時の流動性が悪くなるという問題が生じる。
を良好なものとするためには、通常、封止材料の一構成
成分である無機質充填剤の含有量をより多くする方法が
採られるが、このように無機質充填剤の含有量を多くす
ると成形時の流動性が悪くなるという問題が生じる。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、良好な流動性を有するとともに、優れた耐半田
性を備えた半導体装置を得ることのできる半導体封止用
エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびに半導体装置
の提供をその目的とする。
もので、良好な流動性を有するとともに、優れた耐半田
性を備えた半導体装置を得ることのできる半導体封止用
エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびに半導体装置
の提供をその目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を第１の要旨とする。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）下記の平均粒径（ｘ），（ｙ），（ｚ）を有する
３種類の溶融シリカ粉末の混合物であって、上記平均粒
径（ｘ）を有する溶融シリカ粉末が混合物全体の５０〜
９２重量％、上記平均粒径（ｙ）を有する溶融シリカ粉
末が混合物全体の５〜４０重量％、上記平均粒径（ｚ）
を有する溶融シリカ粉末が混合物全体の３〜１５重量％
に設定されている。 （ｘ）平均粒径２０〜６０μｍ。 （ｙ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもの
のうちから選択使用した溶融シリカ粉末の平均粒径をα
とした場合、０．１α≦平均粒径（μｍ）≦０．２αで
表される平均粒径。 （ｚ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもの
のうちから選択使用した溶融シリカ粉末の平均粒径をα
とした場合、０．０１α≦平均粒径（μｍ）＜０．１α
で表される平均粒径。
め、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を第１の要旨とする。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）下記の平均粒径（ｘ），（ｙ），（ｚ）を有する
３種類の溶融シリカ粉末の混合物であって、上記平均粒
径（ｘ）を有する溶融シリカ粉末が混合物全体の５０〜
９２重量％、上記平均粒径（ｙ）を有する溶融シリカ粉
末が混合物全体の５〜４０重量％、上記平均粒径（ｚ）
を有する溶融シリカ粉末が混合物全体の３〜１５重量％
に設定されている。 （ｘ）平均粒径２０〜６０μｍ。 （ｙ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもの
のうちから選択使用した溶融シリカ粉末の平均粒径をα
とした場合、０．１α≦平均粒径（μｍ）≦０．２αで
表される平均粒径。 （ｚ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもの
のうちから選択使用した溶融シリカ粉末の平均粒径をα
とした場合、０．０１α≦平均粒径（μｍ）＜０．１α
で表される平均粒径。
【０００７】また、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分を配合して
溶融混合する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法を
第２の要旨とする。
溶融混合する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法を
第２の要旨とする。
【０００８】そして、上記半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を第
３の要旨とする。
成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を第
３の要旨とする。
【０００９】すなわち、本発明者らは、良好な流動性と
ともに信頼性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を得るために一連の研究を重ねた。その結果、前記異
なる平均粒径を有する３種類の溶融シリカ粉末をそれぞ
れ特定の割合で混合してなる混合物からなる溶融シリカ
粉末を用いると、例えば、無機質充填剤である溶融シリ
カ粉末を多量に用いたとしても著しい粘度の上昇が抑制
され、系全体の低粘度化を維持し成形時の良好な流動性
を得るとともに、耐半田性等の信頼性にも優れた封止材
料が得られるようになることを見出し本発明に到達し
た。
ともに信頼性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を得るために一連の研究を重ねた。その結果、前記異
なる平均粒径を有する３種類の溶融シリカ粉末をそれぞ
れ特定の割合で混合してなる混合物からなる溶融シリカ
粉末を用いると、例えば、無機質充填剤である溶融シリ
カ粉末を多量に用いたとしても著しい粘度の上昇が抑制
され、系全体の低粘度化を維持し成形時の良好な流動性
を得るとともに、耐半田性等の信頼性にも優れた封止材
料が得られるようになることを見出し本発明に到達し
た。
【００１０】そして、エポキシ樹脂として前記一般式
（１）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂を用いた場
合、粘度の低下、低吸湿性の向上、高温における弾性率
の大幅な低下により、良好な流動性と耐半田性が得られ
るようになる。
（１）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂を用いた場
合、粘度の低下、低吸湿性の向上、高温における弾性率
の大幅な低下により、良好な流動性と耐半田性が得られ
るようになる。
【００１１】また、上記フェノール樹脂として前記一般
式（２）で表されるフェノール樹脂を用いた場合も、上
記と同様、低吸湿性の向上、高温における弾性率の大幅
な低下により、良好な耐半田性が得られるようになる。
式（２）で表されるフェノール樹脂を用いた場合も、上
記と同様、低吸湿性の向上、高温における弾性率の大幅
な低下により、良好な耐半田性が得られるようになる。
【００１２】そして、上記フェノール樹脂として前記一
般式（３）で表されるフェノール樹脂を用いた場合も、
前記一般式（２）で表されるフェノール樹脂を用いた場
合と同様、低吸湿性の向上、高温における弾性率の大幅
な低下により、良好な耐半田性が得られるようになる。
般式（３）で表されるフェノール樹脂を用いた場合も、
前記一般式（２）で表されるフェノール樹脂を用いた場
合と同様、低吸湿性の向上、高温における弾性率の大幅
な低下により、良好な耐半田性が得られるようになる。
【００１３】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態につ
いて詳しく説明する。
いて詳しく説明する。
【００１４】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、フェノール樹脂（Ｂ成
分）と、異なる平均粒径を有する３種類の溶融シリカ粉
末の混合物（Ｃ成分）を用いて得られるものであって、
通常、粉末状もしくはこれを打錠したタブレット状にな
っている。
は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、フェノール樹脂（Ｂ成
分）と、異なる平均粒径を有する３種類の溶融シリカ粉
末の混合物（Ｃ成分）を用いて得られるものであって、
通常、粉末状もしくはこれを打錠したタブレット状にな
っている。
【００１５】本発明に用いるエポキシ樹脂（Ａ成分）
は、特に限定されるものではなく通常用いられるエポキ
シ樹脂が用いられる。例えば、クレゾールノボラック
型、フェノールノボラック型、ビスフェノールＡ型、ビ
フェニル型やナフタレン型等の各種エポキシ樹脂があげ
られる。これらは、単独で使用できるほか、２種以上を
併用してもよい。なかでも、低吸湿性という点から、ビ
フェニル型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。特
に、下記の一般式（１）で表されるビフェニル型エポキ
シ樹脂を用いることが好適である。
は、特に限定されるものではなく通常用いられるエポキ
シ樹脂が用いられる。例えば、クレゾールノボラック
型、フェノールノボラック型、ビスフェノールＡ型、ビ
フェニル型やナフタレン型等の各種エポキシ樹脂があげ
られる。これらは、単独で使用できるほか、２種以上を
併用してもよい。なかでも、低吸湿性という点から、ビ
フェニル型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。特
に、下記の一般式（１）で表されるビフェニル型エポキ
シ樹脂を用いることが好適である。
【００１６】
【化７】
【００１７】上記一般式（１）中のＲ1 〜Ｒ8 で表され
る、−Ｈ（水素）または炭素数１〜５のアルキル基のう
ち、上記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の直
鎖状または分岐状の低級アルキル基があげられ、特に水
素原子、メチル基が好ましく、上記Ｒ1 〜Ｒ8 は互いに
同一であっても異なっていてもよい。なかでも、低吸湿
性および反応性という観点から、上記式（１）における
繰り返し数ｎが０であり、かつＲ5 〜Ｒ8 が全てメチル
基である下記の構造式（４）で表される構造のビフェニ
ル型エポキシ樹脂（油化シェル社製のＹＸ４０００Ｈ
等）や、式（１）における繰り返し数ｎが０であり、か
つＲ5 〜Ｒ 8 が全てメチル基となるビフェニル型エポキ
シ樹脂とＲ5 〜Ｒ8 が全て水素原子となるビフェニル型
エポキシ樹脂が１：１（混合重量比）の混合物（油化シ
ェル社製のＹＬ６１２Ｈ等）を用いることが特に好適で
ある。
る、−Ｈ（水素）または炭素数１〜５のアルキル基のう
ち、上記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の直
鎖状または分岐状の低級アルキル基があげられ、特に水
素原子、メチル基が好ましく、上記Ｒ1 〜Ｒ8 は互いに
同一であっても異なっていてもよい。なかでも、低吸湿
性および反応性という観点から、上記式（１）における
繰り返し数ｎが０であり、かつＲ5 〜Ｒ8 が全てメチル
基である下記の構造式（４）で表される構造のビフェニ
ル型エポキシ樹脂（油化シェル社製のＹＸ４０００Ｈ
等）や、式（１）における繰り返し数ｎが０であり、か
つＲ5 〜Ｒ 8 が全てメチル基となるビフェニル型エポキ
シ樹脂とＲ5 〜Ｒ8 が全て水素原子となるビフェニル型
エポキシ樹脂が１：１（混合重量比）の混合物（油化シ
ェル社製のＹＬ６１２Ｈ等）を用いることが特に好適で
ある。
【００１８】
【化８】
【００１９】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とともに用い
られるフェノール樹脂（Ｂ成分）は、エポキシ樹脂の硬
化剤として作用するものであって特に限定するものでは
なく従来公知の各種フェノール樹脂が用いられる。従来
公知のフェノール樹脂としては、例えば、フェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノ
ールＡ型ノボラック樹脂等があげられる。さらに、低吸
湿性および低高温弾性率による良好な耐半田性が得られ
るという点から下記の一般式（２）、下記の一般式
（３）で表されるフェノール樹脂が好適に用いられる。
これらフェノール樹脂は単独でもしくは２種以上併せて
用いられる。
られるフェノール樹脂（Ｂ成分）は、エポキシ樹脂の硬
化剤として作用するものであって特に限定するものでは
なく従来公知の各種フェノール樹脂が用いられる。従来
公知のフェノール樹脂としては、例えば、フェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノ
ールＡ型ノボラック樹脂等があげられる。さらに、低吸
湿性および低高温弾性率による良好な耐半田性が得られ
るという点から下記の一般式（２）、下記の一般式
（３）で表されるフェノール樹脂が好適に用いられる。
これらフェノール樹脂は単独でもしくは２種以上併せて
用いられる。
【００２０】
【化９】
【００２１】
【化１０】
【００２２】上記式（２）において、繰り返し数ｍは０
以上の整数である。また、上記式（２）で表されるフェ
ノール樹脂は、軟化点は５０〜９０℃であることが好ま
しい。例えば、三井化学社製のＸＬＣ−３Ｌ等があげら
れる。
以上の整数である。また、上記式（２）で表されるフェ
ノール樹脂は、軟化点は５０〜９０℃であることが好ま
しい。例えば、三井化学社製のＸＬＣ−３Ｌ等があげら
れる。
【００２３】また、上記式（３）おいて、繰り返し数
ｐ，ｑはそれぞれ、１以上の整数であり、式（３）で表
されるフェノール樹脂は、軟化点は５０〜９０℃である
ことが好ましい。なお、上記（３）で表されるフェノー
ル樹脂における、繰り返し単位ｐ，ｑは、ブロック，ラ
ンダム，交互等の態様のいずれであってもよい。例え
ば、住金ケミカル社製のＨＥ５１０等があげられる。
ｐ，ｑはそれぞれ、１以上の整数であり、式（３）で表
されるフェノール樹脂は、軟化点は５０〜９０℃である
ことが好ましい。なお、上記（３）で表されるフェノー
ル樹脂における、繰り返し単位ｐ，ｑは、ブロック，ラ
ンダム，交互等の態様のいずれであってもよい。例え
ば、住金ケミカル社製のＨＥ５１０等があげられる。
【００２４】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とフェノール
樹脂（Ｂ成分）の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキ
シ基１当量あたり、フェノール樹脂成分中の水酸基当量
が０．５〜２．０当量となるように配合することが好ま
しい。より好ましくは０．８〜１．２当量である。
樹脂（Ｂ成分）の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキ
シ基１当量あたり、フェノール樹脂成分中の水酸基当量
が０．５〜２．０当量となるように配合することが好ま
しい。より好ましくは０．８〜１．２当量である。
【００２５】上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられ
る溶融シリカ粉末の混合物（Ｃ成分）は、下記の平均粒
径（ｘ）〜（ｚ）を有する３種類の溶融シリカ粉末の混
合物である。上記平均粒径は、レーザー散乱式粒度分布
測定装置により測定した。 （ｘ）平均粒径２０〜６０μｍ。 （ｙ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもの
のうちから選択使用した溶融シリカ粉末の平均粒径をα
とした場合、０．１α≦平均粒径（μｍ）≦０．２αで
表される平均粒径。 （ｚ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもの
のうちから選択使用した溶融シリカ粉末の平均粒径をα
とした場合、０．０１α≦平均粒径（μｍ）＜０．１α
で表される平均粒径。
る溶融シリカ粉末の混合物（Ｃ成分）は、下記の平均粒
径（ｘ）〜（ｚ）を有する３種類の溶融シリカ粉末の混
合物である。上記平均粒径は、レーザー散乱式粒度分布
測定装置により測定した。 （ｘ）平均粒径２０〜６０μｍ。 （ｙ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもの
のうちから選択使用した溶融シリカ粉末の平均粒径をα
とした場合、０．１α≦平均粒径（μｍ）≦０．２αで
表される平均粒径。 （ｚ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもの
のうちから選択使用した溶融シリカ粉末の平均粒径をα
とした場合、０．０１α≦平均粒径（μｍ）＜０．１α
で表される平均粒径。
【００２６】すなわち、このような３種類の平均粒径、
平均粒径の大きな溶融シリカ粉末（ｘ）と、中程度の粒
径の溶融シリカ粉末（ｙ）と、小さい粒径の溶融シリカ
粉末（ｚ）をそれぞれ、下記に示す割合〜に配合す
る必要がある。このような割合となるよう混合すること
により、上記溶融シリカ粉末の混合物を含む無機質充填
剤を高充填しても、流動性の低下が少なく、良好な流動
性と、無機質充填剤の高充填による低吸湿性・強度の向
上が図られ、良好な耐半田性が得られる。
平均粒径の大きな溶融シリカ粉末（ｘ）と、中程度の粒
径の溶融シリカ粉末（ｙ）と、小さい粒径の溶融シリカ
粉末（ｚ）をそれぞれ、下記に示す割合〜に配合す
る必要がある。このような割合となるよう混合すること
により、上記溶融シリカ粉末の混合物を含む無機質充填
剤を高充填しても、流動性の低下が少なく、良好な流動
性と、無機質充填剤の高充填による低吸湿性・強度の向
上が図られ、良好な耐半田性が得られる。
【００２７】平均粒径２０〜６０μｍ（ｘ）の溶融シ
リカ粉末が混合物全体の５０〜９２重量％。 ０．１α≦平均粒径（μｍ）≦０．２αで表される平
均粒径（ｙ）の溶融シリカ粉末が混合物全体の５〜４０
重量％。 ０．０１α≦平均粒径（μｍ）＜０．１αで表される
平均粒径（ｚ）の溶融シリカ粉末が混合物全体の３〜１
５重量％。〔ただし、αは上記（ｘ）における平均粒径
２０〜６０μｍのもののうちから選択使用した溶融シリ
カ粉末の平均粒径である。〕
リカ粉末が混合物全体の５０〜９２重量％。 ０．１α≦平均粒径（μｍ）≦０．２αで表される平
均粒径（ｙ）の溶融シリカ粉末が混合物全体の５〜４０
重量％。 ０．０１α≦平均粒径（μｍ）＜０．１αで表される
平均粒径（ｚ）の溶融シリカ粉末が混合物全体の３〜１
５重量％。〔ただし、αは上記（ｘ）における平均粒径
２０〜６０μｍのもののうちから選択使用した溶融シリ
カ粉末の平均粒径である。〕
【００２８】そして、上記３種類の異なる平均粒径を有
する溶融シリカ粉末の混合物における平均の真円度（母
集団から所定個数を抽出して測定した平均値）が０．７
以上であることが好ましい。特に好ましくは平均の真円
度が０．８以上であることである。すなわち、溶融シリ
カ粉末混合物全体が真円度０．７以上であることによ
り、より一層流動性の向上が図られる。
する溶融シリカ粉末の混合物における平均の真円度（母
集団から所定個数を抽出して測定した平均値）が０．７
以上であることが好ましい。特に好ましくは平均の真円
度が０．８以上であることである。すなわち、溶融シリ
カ粉末混合物全体が真円度０．７以上であることによ
り、より一層流動性の向上が図られる。
【００２９】なお、上記真円度は、つぎのようにして算
出される。すなわち、図１（ａ）に示すように、真円度
の測定対象となる対象物の投影像１において、その実面
積をαとし、上記投影像１の周囲の長さをＰＭとした場
合、図１（ｂ）に示すように、上記投影像１と周囲の長
さが同じＰＭとなる真円の投影像２を想定する。そし
て、上記投影像２の面積α′を算出する。その結果、上
記投影像１の実面積αと投影像２の面積α′の比（α／
α′）が真円度を示し、この値（α／α′）は下記の数
式（Ａ）により算出される。したがって、真円度が１．
０とは、この定義からも明らかなように、真円であると
いえる。そして、対象物の外周に凹凸が多ければ多いほ
どその真円度は１．０よりも順次小さくなる。なお、本
発明において、溶融シリカ粉末混合物の真円度とは、測
定対象となる混合物（母集団）から一部を抽出し上記方
法にて測定して得られる値であり、通常、平均の真円度
をいう。
出される。すなわち、図１（ａ）に示すように、真円度
の測定対象となる対象物の投影像１において、その実面
積をαとし、上記投影像１の周囲の長さをＰＭとした場
合、図１（ｂ）に示すように、上記投影像１と周囲の長
さが同じＰＭとなる真円の投影像２を想定する。そし
て、上記投影像２の面積α′を算出する。その結果、上
記投影像１の実面積αと投影像２の面積α′の比（α／
α′）が真円度を示し、この値（α／α′）は下記の数
式（Ａ）により算出される。したがって、真円度が１．
０とは、この定義からも明らかなように、真円であると
いえる。そして、対象物の外周に凹凸が多ければ多いほ
どその真円度は１．０よりも順次小さくなる。なお、本
発明において、溶融シリカ粉末混合物の真円度とは、測
定対象となる混合物（母集団）から一部を抽出し上記方
法にて測定して得られる値であり、通常、平均の真円度
をいう。
【００３０】
【数１】
【００３１】このような平均粒径の異なる３種類の溶融
シリカ粉末の混合物（Ｃ成分）全体の配合量は、エポキ
シ樹脂組成物全体の８０重量％以上であることが好まし
く、より好ましくは８０〜９２重量％の範囲である。す
なわち、８０重量％未満のように少なすぎると、耐半田
性に劣る傾向がみられるからである。
シリカ粉末の混合物（Ｃ成分）全体の配合量は、エポキ
シ樹脂組成物全体の８０重量％以上であることが好まし
く、より好ましくは８０〜９２重量％の範囲である。す
なわち、８０重量％未満のように少なすぎると、耐半田
性に劣る傾向がみられるからである。
【００３２】なお、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物に配合される無機質充填剤としては、上記平均粒
径の異なる３種類の溶融シリカ粉末の混合物（Ｃ成分）
のみから構成されてもよいし、Ｃ成分以外の無機質充填
剤を併用してもよい。上記Ｃ成分以外の無機質充填剤と
しては、例えば、結晶性シリカ粉末、タルク、アルミナ
粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化珪素粉末等があげら
れる。そして、上記Ｃ成分とともにＣ成分以外の無機質
充填剤を併用する場合、上記Ｃ成分である平均粒径の異
なる３種類の溶融シリカ粉末混合物の占める割合は、無
機質充填剤全体（Ｃ成分＋Ｃ成分以外の無機質充填剤）
中の少なくとも８０重量％であることが好ましい。
組成物に配合される無機質充填剤としては、上記平均粒
径の異なる３種類の溶融シリカ粉末の混合物（Ｃ成分）
のみから構成されてもよいし、Ｃ成分以外の無機質充填
剤を併用してもよい。上記Ｃ成分以外の無機質充填剤と
しては、例えば、結晶性シリカ粉末、タルク、アルミナ
粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化珪素粉末等があげら
れる。そして、上記Ｃ成分とともにＣ成分以外の無機質
充填剤を併用する場合、上記Ｃ成分である平均粒径の異
なる３種類の溶融シリカ粉末混合物の占める割合は、無
機質充填剤全体（Ｃ成分＋Ｃ成分以外の無機質充填剤）
中の少なくとも８０重量％であることが好ましい。
【００３３】本発明では、上記Ａ〜Ｃ成分に加えて、低
応力化の向上を図る目的から、各種ゴム粒子や、シリコ
ーン化合物を用いてもよい。
応力化の向上を図る目的から、各種ゴム粒子や、シリコ
ーン化合物を用いてもよい。
【００３４】さらに、本発明の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物には、上記Ａ〜Ｃ成分および各種ゴム粒子、シ
リコーン化合物以外に必要に応じて硬化促進剤、ブロム
化エポキシ樹脂等のハロゲン系の難燃剤や三酸化アンチ
モン等の難燃助剤、カーボンブラック等の顔料、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシランカッ
プリング剤等他の添加剤が適宜に用いられる。
脂組成物には、上記Ａ〜Ｃ成分および各種ゴム粒子、シ
リコーン化合物以外に必要に応じて硬化促進剤、ブロム
化エポキシ樹脂等のハロゲン系の難燃剤や三酸化アンチ
モン等の難燃助剤、カーボンブラック等の顔料、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシランカッ
プリング剤等他の添加剤が適宜に用いられる。
【００３５】上記硬化促進剤としては、アミン型，リン
型等のものがあげられる。アミン型としては、２−メチ
ルイミダゾール等のイミダゾール類、トリエタノールア
ミン，ジアザビシクロウンデセン等の三級アミン類等が
あげられる。また、リン型としては、トリフェニルホス
フィン、トリフェニルホスホニウム塩等があげられる。
これらは単独でもしくは併せて用いられる。そして、こ
の硬化促進剤の配合割合は、エポキシ樹脂組成物全体の
０．１〜２．０重量％の割合に設定することが好まし
い。さらに、エポキシ樹脂組成物の流動性を考慮すると
好ましくは０．１５〜０．３５重量％である。
型等のものがあげられる。アミン型としては、２−メチ
ルイミダゾール等のイミダゾール類、トリエタノールア
ミン，ジアザビシクロウンデセン等の三級アミン類等が
あげられる。また、リン型としては、トリフェニルホス
フィン、トリフェニルホスホニウム塩等があげられる。
これらは単独でもしくは併せて用いられる。そして、こ
の硬化促進剤の配合割合は、エポキシ樹脂組成物全体の
０．１〜２．０重量％の割合に設定することが好まし
い。さらに、エポキシ樹脂組成物の流動性を考慮すると
好ましくは０．１５〜０．３５重量％である。
【００３６】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、上記Ａ，Ｂ成分とともに、前記３種類の平均粒
径を有する溶融シリカ粉末を混合してなる混合物（Ｃ成
分）および必要に応じてブタジエン系ゴム粒子やシリコ
ーン化合物、ならびに他の添加剤を配合し混合した後、
ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で溶融混
合し、これを室温に冷却した後、公知の手段によって粉
砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により製
造することができる。なお、上記各成分の配合に際し、
上記ブタジエン系ゴム粒子を配合する場合、予め上記Ａ
成分およびＢ成分の少なくとも一方とブタジエン系ゴム
粒子を予備混合し、ついで残りの成分を配合してもよ
い。
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、上記Ａ，Ｂ成分とともに、前記３種類の平均粒
径を有する溶融シリカ粉末を混合してなる混合物（Ｃ成
分）および必要に応じてブタジエン系ゴム粒子やシリコ
ーン化合物、ならびに他の添加剤を配合し混合した後、
ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で溶融混
合し、これを室温に冷却した後、公知の手段によって粉
砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により製
造することができる。なお、上記各成分の配合に際し、
上記ブタジエン系ゴム粒子を配合する場合、予め上記Ａ
成分およびＢ成分の少なくとも一方とブタジエン系ゴム
粒子を予備混合し、ついで残りの成分を配合してもよ
い。
【００３７】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
半導体素子の封止は、特に制限するものではなく、通常
のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行
うことができる。
半導体素子の封止は、特に制限するものではなく、通常
のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行
うことができる。
【００３８】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
明する。
【００３９】下記に示す各成分を準備した。
【００４０】〔エポキシ樹脂ａ〕前記式（４）で表され
るビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９２、融
点１０７℃）
るビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９２、融
点１０７℃）
【００４１】〔エポキシ樹脂ｂ〕ｏ−クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９５、軟化点８０
℃）
ック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９５、軟化点８０
℃）
【００４２】〔エポキシ樹脂ｃ〕ノボラック型ブロム化
エポキシ樹脂（エポキシ当量２７５、軟化点８４℃）
エポキシ樹脂（エポキシ当量２７５、軟化点８４℃）
【００４３】〔フェノール樹脂ａ〕フェノールノボラッ
ク樹脂（水酸基当量１０５、軟化点８３℃）
ク樹脂（水酸基当量１０５、軟化点８３℃）
【００４４】〔フェノール樹脂ｂ〕前記一般式（２）で
表されるフェノール樹脂（水酸基当量１７０、軟化点８
３℃）
表されるフェノール樹脂（水酸基当量１７０、軟化点８
３℃）
【００４５】〔フェノール樹脂ｃ〕前記一般式（３）で
表されるフェノール樹脂（水酸基当量１５７、軟化点７
６℃）
表されるフェノール樹脂（水酸基当量１５７、軟化点７
６℃）
【００４６】〔無機質充填剤ａ〜ｄ〕下記の表１に示す
各種シリカ粉末を準備した。
各種シリカ粉末を準備した。
【００４７】
【表１】
【００４８】〔カップリング剤〕γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン
ピルトリメトキシシラン
【００４９】〔硬化促進剤〕トリフェニルホスフィン
【００５０】〔カルナバワックス〕
【００５１】
【実施例１〜９、比較例１〜７】下記の表２および表３
に示す各原料を、同表に示す割合で配合し、この配合物
をミキシングロール機にかけ、加熱状態で溶融混練し
た。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタ
ブレット状に打錠することにより半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を得た。
に示す各原料を、同表に示す割合で配合し、この配合物
をミキシングロール機にかけ、加熱状態で溶融混練し
た。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタ
ブレット状に打錠することにより半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を得た。
【００５２】
【表２】
【００５３】
【表３】
【００５４】このようにして得られた実施例および比較
例のエポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法に従ってス
パイラルフロー値、ゲルタイムおよびフローテスター粘
度を測定した。その結果を後記の表４〜表６に併せて示
す。
例のエポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法に従ってス
パイラルフロー値、ゲルタイムおよびフローテスター粘
度を測定した。その結果を後記の表４〜表６に併せて示
す。
【００５５】〔スパイラルフロー値〕上記各エポキシ樹
脂組成物を粉末状のまま用い、これを予め規定温度（１
７５±５℃）に加熱した渦巻状のスパイラルフロー用金
型のポットの奥まで挿入し、型締めして型締め圧力を２
１０±１０ｋｇ／ｃｍ2 まで上げた。つぎに、型締め圧
力が２１０±１０ｋｇ／ｃｍ2 に達した時点で、プラン
ジャーでエポキシ樹脂組成物を注入し、注入圧力７０±
５ｋｇ／ｃｍ2 に到達した後、２分間注入圧力をかけ
た。ついで、トランスファー成形機のプランジャー圧力
を抜き、さらに型締め圧力を抜いて金型を開いた。そし
て、成形物の渦巻き長さを最小２．５ｍｍまで測定する
ことによりスパイラルフロー値を得た（ＥＭＭＩ １−
６６に準ずる）。
脂組成物を粉末状のまま用い、これを予め規定温度（１
７５±５℃）に加熱した渦巻状のスパイラルフロー用金
型のポットの奥まで挿入し、型締めして型締め圧力を２
１０±１０ｋｇ／ｃｍ2 まで上げた。つぎに、型締め圧
力が２１０±１０ｋｇ／ｃｍ2 に達した時点で、プラン
ジャーでエポキシ樹脂組成物を注入し、注入圧力７０±
５ｋｇ／ｃｍ2 に到達した後、２分間注入圧力をかけ
た。ついで、トランスファー成形機のプランジャー圧力
を抜き、さらに型締め圧力を抜いて金型を開いた。そし
て、成形物の渦巻き長さを最小２．５ｍｍまで測定する
ことによりスパイラルフロー値を得た（ＥＭＭＩ １−
６６に準ずる）。
【００５６】〔ゲルタイム〕規定温度（１７５℃）の熱
平板上に試料（２００〜５００ｍｇ）を載せ、攪拌しな
がら熱板上に薄く引き伸ばし、試料が熱板上に溶融した
点から硬化するまでの時間を読み取りゲル化時間とし
た。
平板上に試料（２００〜５００ｍｇ）を載せ、攪拌しな
がら熱板上に薄く引き伸ばし、試料が熱板上に溶融した
点から硬化するまでの時間を読み取りゲル化時間とし
た。
【００５７】〔フローテスター粘度〕上記各エポキシ樹
脂組成物を２ｇ精秤し、タブレット状に成形した。そし
て、これを高化式フローテスターのポット内に入れ、１
０ｋｇの荷重をかけて測定した。溶融したエポキシ樹脂
組成物がダイスの穴（直径１．０ｍｍ×１０ｍｍ）を通
過して押し出されるときのピストンの移動速度からサン
プルの溶融粘度を求めた。
脂組成物を２ｇ精秤し、タブレット状に成形した。そし
て、これを高化式フローテスターのポット内に入れ、１
０ｋｇの荷重をかけて測定した。溶融したエポキシ樹脂
組成物がダイスの穴（直径１．０ｍｍ×１０ｍｍ）を通
過して押し出されるときのピストンの移動速度からサン
プルの溶融粘度を求めた。
【００５８】〔成形性〕 金線流れ 上記実施例および比較例で得られたエポキシ樹脂組成物
を用い、半導体素子をトランスファー成形（条件：１７
５℃×９０秒）し、１７５℃×５時間で後硬化すること
により半導体装置を得た。この半導体装置は、ＬＱＦＰ
（サイズ：２０×２０×厚み１．４ｍｍ）であり、銅製
のリードフレームで、ダイパッドサイズは８×８ｍｍ、
チップサイズは７．５×７．５ｍｍである。
を用い、半導体素子をトランスファー成形（条件：１７
５℃×９０秒）し、１７５℃×５時間で後硬化すること
により半導体装置を得た。この半導体装置は、ＬＱＦＰ
（サイズ：２０×２０×厚み１．４ｍｍ）であり、銅製
のリードフレームで、ダイパッドサイズは８×８ｍｍ、
チップサイズは７．５×７．５ｍｍである。
【００５９】すなわち、上記半導体装置の作製時におい
て、図２に示すように、上記で用いた８ｍｍ角のダイパ
ッド１０を有するＬＱＦＰのパッケージフレームに金線
ワイヤー１４を張り、これを用い上記エポキシ樹脂組成
物により樹脂封止してパッケージを作製した。図２にお
いて、１５は半導体チップ、１６はリードピンである。
そして、作製したパッケージを軟Ｘ線解析装置を用い
て、金線流れ量を測定した。測定は、各パッケージから
１０本ずつ金線を選定して測定し、図３に示すように、
正面方向からの金線ワイヤー１４の流れ量を測定した。
そして、金線ワイヤー１４の流れ量の最大部分となる値
をそのパッケージの金線流れ量の値（ｄｍｍ）とし、金
線流れ率〔（ｄ／Ｌ）×１００〕を算出した。なお、Ｌ
は金線ワイヤー１４間の距離（ｍｍ）を示す。各エポキ
シ樹脂組成物について５個のパッケージを測定し、その
平均値を金線流れの発生量とした。
て、図２に示すように、上記で用いた８ｍｍ角のダイパ
ッド１０を有するＬＱＦＰのパッケージフレームに金線
ワイヤー１４を張り、これを用い上記エポキシ樹脂組成
物により樹脂封止してパッケージを作製した。図２にお
いて、１５は半導体チップ、１６はリードピンである。
そして、作製したパッケージを軟Ｘ線解析装置を用い
て、金線流れ量を測定した。測定は、各パッケージから
１０本ずつ金線を選定して測定し、図３に示すように、
正面方向からの金線ワイヤー１４の流れ量を測定した。
そして、金線ワイヤー１４の流れ量の最大部分となる値
をそのパッケージの金線流れ量の値（ｄｍｍ）とし、金
線流れ率〔（ｄ／Ｌ）×１００〕を算出した。なお、Ｌ
は金線ワイヤー１４間の距離（ｍｍ）を示す。各エポキ
シ樹脂組成物について５個のパッケージを測定し、その
平均値を金線流れの発生量とした。
【００６０】ダイシフト 上記金線流れと同様の条件にて半導体装置を作製した。
すなわち、図４に示す形状の、半導体チップ１５が搭載
された８ｍｍ角のダイパッド１０を有するＬＱＦＰのパ
ッケージ１１を成形し、このパッケージ１１を切断（一
点鎖線で切断面を示す）して、その切断面を観察し、ダ
イパッドの設計値との差によりダイパッドの変形量を測
定した。すなわち、図５（ａ）に示すように、ダイパッ
ドシフトが発生した状態のパッケージについて、ダイパ
ッド１０の四隅の下の樹脂層の厚み（厚みａμｍ）を測
定した。一方、図５（ｂ）に示すように、ダイパッドシ
フトが発生してない正常な状態のパッケージにおいて、
ダイパッド１０の四隅の下の樹脂層の厚み（厚みｂμ
ｍ）を測定した。このような測定をダイパッド１０の四
隅全てで行い、これら測定値と上記正常品との差（ａ−
ｂ）を絶対値で求め、これを平均値で示した。
すなわち、図４に示す形状の、半導体チップ１５が搭載
された８ｍｍ角のダイパッド１０を有するＬＱＦＰのパ
ッケージ１１を成形し、このパッケージ１１を切断（一
点鎖線で切断面を示す）して、その切断面を観察し、ダ
イパッドの設計値との差によりダイパッドの変形量を測
定した。すなわち、図５（ａ）に示すように、ダイパッ
ドシフトが発生した状態のパッケージについて、ダイパ
ッド１０の四隅の下の樹脂層の厚み（厚みａμｍ）を測
定した。一方、図５（ｂ）に示すように、ダイパッドシ
フトが発生してない正常な状態のパッケージにおいて、
ダイパッド１０の四隅の下の樹脂層の厚み（厚みｂμ
ｍ）を測定した。このような測定をダイパッド１０の四
隅全てで行い、これら測定値と上記正常品との差（ａ−
ｂ）を絶対値で求め、これを平均値で示した。
【００６１】ボイドの発生 上記と同様にして半導体装置を作製した。この半導体装
置について、軟Ｘ線解析装置および超音波探傷装置を用
いてボイドの発生を調べた。ボイドの発生は、半導体装
置２０個中、直径０．３ｍｍ以上のボイドが発生したも
のの個数を調べた。
置について、軟Ｘ線解析装置および超音波探傷装置を用
いてボイドの発生を調べた。ボイドの発生は、半導体装
置２０個中、直径０．３ｍｍ以上のボイドが発生したも
のの個数を調べた。
【００６２】エアベントバリの長さ 上記半導体装置の製造において、得られるパッケージの
各コーナー部に対してそれぞれ溝深さ２５μｍのスリッ
トを備えた各金型を用い、上記と同様の条件にてパッケ
ージを成形した。その際の溝に流れ込んだエポキシ樹脂
組成物の流動長さを測定しエアベント長さとした。
各コーナー部に対してそれぞれ溝深さ２５μｍのスリッ
トを備えた各金型を用い、上記と同様の条件にてパッケ
ージを成形した。その際の溝に流れ込んだエポキシ樹脂
組成物の流動長さを測定しエアベント長さとした。
【００６３】〔耐半田性〕上記半導体装置を用い、下記
の条件（ａ），（ｂ）にて吸湿させた後、赤外線リフロ
ー（条件：２４０℃×１０秒間）の評価試験（耐半田
性）を行った。そして、クラックが発生した個数（２０
個中）を測定した。 （ａ）８５℃／６０％ＲＨ×１６８時間 （ｂ）８５℃／８５％ＲＨ×１６８時間
の条件（ａ），（ｂ）にて吸湿させた後、赤外線リフロ
ー（条件：２４０℃×１０秒間）の評価試験（耐半田
性）を行った。そして、クラックが発生した個数（２０
個中）を測定した。 （ａ）８５℃／６０％ＲＨ×１６８時間 （ｂ）８５℃／８５％ＲＨ×１６８時間
【００６４】これらの評価結果を下記の表４〜表６に併
せて示す。
せて示す。
【００６５】
【表４】
【００６６】
【表５】
【００６７】
【表６】
【００６８】上記表４〜表６から、実施例品は、スパイ
ラルフロー、ゲルタイムおよびフローテスター粘度の各
値から良好な流動性を備えており、成形性評価における
金線流れ、ダイシフト量、ボイドの発生およびバリ長さ
においても良好な結果が得られた。さらに、耐半田性試
験においても優れた評価結果が得られ、信頼性の高い半
導体装置が得られたことがわかる。これに対して、比較
例品では、良好な流動性は得られたものは耐半田性に劣
っており、良好な流動性が得られなかったものは、ダイ
シフトの発生により、耐半田性レベルが著しく悪くなる
結果となり、両者を満足することはできなかった。
ラルフロー、ゲルタイムおよびフローテスター粘度の各
値から良好な流動性を備えており、成形性評価における
金線流れ、ダイシフト量、ボイドの発生およびバリ長さ
においても良好な結果が得られた。さらに、耐半田性試
験においても優れた評価結果が得られ、信頼性の高い半
導体装置が得られたことがわかる。これに対して、比較
例品では、良好な流動性は得られたものは耐半田性に劣
っており、良好な流動性が得られなかったものは、ダイ
シフトの発生により、耐半田性レベルが著しく悪くなる
結果となり、両者を満足することはできなかった。
【００６９】
【発明の効果】以上のように、本発明は、前記のような
異なる平均粒径を有する３種類の溶融シリカ粉末の混合
物（Ｃ成分）を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成
物である。このため、例えば、耐半田性を良好なものと
するために無機質充填剤である溶融シリカ粉末を高充填
に設定しても、良好な流動性を確保することができ、優
れた成形性を得ることができる。したがって、上記半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止
することにより、耐半田性等の信頼性に優れた半導体装
置を得ることができる。
異なる平均粒径を有する３種類の溶融シリカ粉末の混合
物（Ｃ成分）を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成
物である。このため、例えば、耐半田性を良好なものと
するために無機質充填剤である溶融シリカ粉末を高充填
に設定しても、良好な流動性を確保することができ、優
れた成形性を得ることができる。したがって、上記半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止
することにより、耐半田性等の信頼性に優れた半導体装
置を得ることができる。
【００７０】そして、上記エポキシ樹脂として、前記一
般式（１）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂を用い
ることにより、粘度の低下、低吸湿性の向上、高温にお
ける弾性率の大幅な低下により、良好な流動性と耐半田
性が得られる。
般式（１）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂を用い
ることにより、粘度の低下、低吸湿性の向上、高温にお
ける弾性率の大幅な低下により、良好な流動性と耐半田
性が得られる。
【００７１】また、上記フェノール樹脂として、前記一
般式（２）で表されるフェノールアラルキル樹脂を用い
ることにより、上記と同様、低吸湿性の向上、高温にお
ける弾性率の大幅な低下により、良好な耐半田性が得ら
れる。
般式（２）で表されるフェノールアラルキル樹脂を用い
ることにより、上記と同様、低吸湿性の向上、高温にお
ける弾性率の大幅な低下により、良好な耐半田性が得ら
れる。
【００７２】さらに、上記フェノール樹脂として、前記
一般式（３）で表されるフェノール樹脂を用いることに
より、前記一般式（２）で表されるフェノール樹脂を用
いた場合と同様、低吸湿性の向上、高温における弾性率
の大幅な低下により、良好な耐半田性が得られる。
一般式（３）で表されるフェノール樹脂を用いることに
より、前記一般式（２）で表されるフェノール樹脂を用
いた場合と同様、低吸湿性の向上、高温における弾性率
の大幅な低下により、良好な耐半田性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）および（ｂ）は無機質充填剤である溶融
シリカ粉末の真円度の測定方法を示す説明図である。
シリカ粉末の真円度の測定方法を示す説明図である。
【図２】金線流れ量を測定するために用いるパッケージ
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図３】金線流れ量の測定方法を示す説明図である。
【図４】ダイシフト量を測定するために用いるパッケー
ジを示す正面図である。
ジを示す正面図である。
【図５】ダイシフトの測定方法を示す説明図であり、
（ａ）はダイシフトが発生した状態を示す断面図であ
り、（ｂ）は正常な状態を示す断面図である。
（ａ）はダイシフトが発生した状態を示す断面図であ
り、（ｂ）は正常な状態を示す断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 3/36 Ｃ０８Ｋ 3/36 Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (72)発明者 首藤 伸一朗 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 Ｆターム(参考） 4J036 AD01 AD07 AF06 AF08 AF10 DC41 FA05 FB08 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB13 EB19 EC03 EC04 EC05 EC20
Claims (11)
- 【請求項１】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）下記の平均粒径（ｘ），（ｙ），（ｚ）を有する
３種類の溶融シリカ粉末の混合物であって、上記平均粒
径（ｘ）を有する溶融シリカ粉末が混合物全体の５０〜
９２重量％、上記平均粒径（ｙ）を有する溶融シリカ粉
末が混合物全体の５〜４０重量％、上記平均粒径（ｚ）
を有する溶融シリカ粉末が混合物全体の３〜１５重量％
に設定されている。 （ｘ）平均粒径２０〜６０μｍ。 （ｙ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもの
のうちから選択使用した溶融シリカ粉末の平均粒径をα
とした場合、０．１α≦平均粒径（μｍ）≦０．２αで
表される平均粒径。 （ｚ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもの
のうちから選択使用した溶融シリカ粉末の平均粒径をα
とした場合、０．０１α≦平均粒径（μｍ）＜０．１α
で表される平均粒径。 - 【請求項２】 上記（Ｃ）成分である溶融シリカ粉末の
混合物の含有量が、エポキシ樹脂組成物全体中８０重量
％以上に設定されている請求項１記載の半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 上記（Ａ）成分であるエポキシ樹脂が、
下記の一般式（１）で表されるビフェニル型エポキシ樹
脂である請求項１または２記載の半導体封止用エポキシ
樹脂組成物。 【化１】 - 【請求項４】 上記（Ｂ）成分であるフェノール樹脂
が、下記の一般式（２）で表されるフェノール樹脂であ
る請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物。 【化２】 - 【請求項５】 上記（Ｂ）成分であるフェノール樹脂
が、下記の一般式（３）で表されるフェノール樹脂であ
る請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物。 【化３】 - 【請求項６】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を配合して溶
融混合することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物の製法。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）下記の平均粒径（ｘ），（ｙ），（ｚ）を有する
３種類の溶融シリカ粉末の混合物であって、上記平均粒
径（ｘ）を有する溶融シリカ粉末が混合物全体の５０〜
９２重量％、上記平均粒径（ｙ）を有する溶融シリカ粉
末が混合物全体の５〜４０重量％、上記平均粒径（ｚ）
を有する溶融シリカ粉末が混合物全体の３〜１５重量％
に設定されている。 （ｘ）平均粒径２０〜６０μｍ。 （ｙ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもの
のうちから選択使用した溶融シリカ粉末の平均粒径をα
とした場合、０．１α≦平均粒径（μｍ）≦０．２αで
表される平均粒径。 （ｚ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもの
のうちから選択使用した溶融シリカ粉末の平均粒径をα
とした場合、０．０１α≦平均粒径（μｍ）＜０．１α
で表される平均粒径。 - 【請求項７】 上記（Ｃ）成分である溶融シリカ粉末の
混合物の含有量が、エポキシ樹脂組成物全体中８０重量
％以上に設定されている請求項６記載の半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物の製法。 - 【請求項８】 上記（Ａ）成分であるエポキシ樹脂が、
下記の一般式（１）で表されるビフェニル型エポキシ樹
脂である請求項６または７記載の半導体封止用エポキシ
樹脂組成物の製法。 【化４】 - 【請求項９】 上記（Ｂ）成分であるフェノール樹脂
が、下記の一般式（２）で表されるフェノール樹脂であ
る請求項６〜８のいずれか一項に記載の半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物の製法。 【化５】 - 【請求項１０】 上記（Ｂ）成分であるフェノール樹脂
が、下記の一般式（３）で表されるフェノール樹脂であ
る請求項６〜８のいずれか一項に記載の半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物の製法。 【化６】 - 【請求項１１】 請求項１〜５のいずれか一項に記載の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28706298A JP2000109649A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28706298A JP2000109649A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびに半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000109649A true JP2000109649A (ja) | 2000-04-18 |
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ID=17712567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28706298A Pending JP2000109649A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000109649A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007169655A (ja) * | 2007-01-22 | 2007-07-05 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| WO2013080654A1 (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-06 | 住友ベークライト株式会社 | 固定用樹脂組成物、ロータ、自動車、及びロータの製造方法 |
| CN105038129A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-11-11 | 江苏中鹏新材料股份有限公司 | 一种倒装芯片封装的环氧树脂组合物 |
-
1998
- 1998-10-08 JP JP28706298A patent/JP2000109649A/ja active Pending
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| US9997968B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-06-12 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Fixing resin composition, rotor, automobile, and method of manufacturing rotor |
| CN105038129A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-11-11 | 江苏中鹏新材料股份有限公司 | 一种倒装芯片封装的环氧树脂组合物 |
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