JP2000109334A - 光ファイバ用母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ用母材の製造方法Info
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/0144—Means for after-treatment or catching of worked reactant gases
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＶＡＤ法によるスート形成の初期段階におい
て生じるスート堆積体の破損を防止し、品質良好な光フ
ァイバ用多孔質母材を歩留りよく製造することのできる
光ファイバ用母材の製造方法を提供すること。 【解決手段】 上部に空気供給口を有するマッフルを用
い、石英ガラススート合成用バーナで形成させたスート
を出発ロッドに堆積させ棒状のスート堆積体を得るＶＡ
Ｄ法による石英系光ファイバ用多孔質母材の製造方法に
おいて、スート形成開始時からスート形成が定常状態に
なるまでの間、前記上部の空気供給口からの空気導入量
をスート堆積体の成長に応じて増量させることを特徴と
する光ファイバ用母材の製造方法。
て生じるスート堆積体の破損を防止し、品質良好な光フ
ァイバ用多孔質母材を歩留りよく製造することのできる
光ファイバ用母材の製造方法を提供すること。 【解決手段】 上部に空気供給口を有するマッフルを用
い、石英ガラススート合成用バーナで形成させたスート
を出発ロッドに堆積させ棒状のスート堆積体を得るＶＡ
Ｄ法による石英系光ファイバ用多孔質母材の製造方法に
おいて、スート形成開始時からスート形成が定常状態に
なるまでの間、前記上部の空気供給口からの空気導入量
をスート堆積体の成長に応じて増量させることを特徴と
する光ファイバ用母材の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＶＡＤ法による石
英系光ファイバ用多孔質母材の製造方法に関し、特にス
ート形成初期段階における割れ（クラック）の発生の少
ない光ファイバ用母材の製造方法に関する。
英系光ファイバ用多孔質母材の製造方法に関し、特にス
ート形成初期段階における割れ（クラック）の発生の少
ない光ファイバ用母材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】石英ガラススート合成用バーナにより合
成したスートを出発ロッドに堆積させ棒状のスート堆積
体を得るＶＡＤ法によって石英系光ファイバ用多孔質母
材を製造する場合、良好で均一な品質の母材を歩留りよ
く得るためには、スート堆積条件、すなわちスート堆積
体表面の温度や火炎方向、更には、これらに影響を与え
るマッフル内の気流状態等を一定、かつ均一に保持する
ことが必要であり、それらの制御方法が種々検討されて
いる。例えば、特開昭５９−３０３３号公報には、生成
中の母材のスートが堆積しつつある部分またはその近傍
の表面温度を、マッフルに接続した余剰ガス取り入れ口
から導入するガスを加熱又は冷却することによって制御
する方法が、また、特開昭６０−９０８４４号公報に
は、吸気口と排気口を有する反応容器を用いてスート堆
積体を製造する際に、調節弁及びエアフィルタを通して
反応容器内に気体を導入し、該反応容器内の気体状態を
測定して、当該気体流量を一定に保つ方法が、更に特公
平５−２６７３２号公報には、反応容器内にターゲット
及び多孔質ガラス体（スート堆積体）が通る上下方向の
通路部を設け、該通路部の外周に下降気流が生じるよう
に余剰空気を導入する方法が開示されている。
成したスートを出発ロッドに堆積させ棒状のスート堆積
体を得るＶＡＤ法によって石英系光ファイバ用多孔質母
材を製造する場合、良好で均一な品質の母材を歩留りよ
く得るためには、スート堆積条件、すなわちスート堆積
体表面の温度や火炎方向、更には、これらに影響を与え
るマッフル内の気流状態等を一定、かつ均一に保持する
ことが必要であり、それらの制御方法が種々検討されて
いる。例えば、特開昭５９−３０３３号公報には、生成
中の母材のスートが堆積しつつある部分またはその近傍
の表面温度を、マッフルに接続した余剰ガス取り入れ口
から導入するガスを加熱又は冷却することによって制御
する方法が、また、特開昭６０−９０８４４号公報に
は、吸気口と排気口を有する反応容器を用いてスート堆
積体を製造する際に、調節弁及びエアフィルタを通して
反応容器内に気体を導入し、該反応容器内の気体状態を
測定して、当該気体流量を一定に保つ方法が、更に特公
平５−２６７３２号公報には、反応容器内にターゲット
及び多孔質ガラス体（スート堆積体）が通る上下方向の
通路部を設け、該通路部の外周に下降気流が生じるよう
に余剰空気を導入する方法が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、ＶＡＤ
法による光ファイバ用母材の製造方法について更に検討
を進めた結果、出発ロッドに石英ガラスのスートを堆積
させる際に、特に初期のスート形成段階において、堆積
した多孔質体（スート堆積体）が割れて、継続が不可能
になる現象が度々発生する問題があることわかった。本
発明は主としてこのようなＶＡＤ法によるスート形成の
初期段階において生じるスート堆積体の破損を防止し、
品質良好な光ファイバ用多孔質母材を歩留りよく製造す
ることのできる光ファイバ用母材の製造方法を提供しよ
うとするものである。
法による光ファイバ用母材の製造方法について更に検討
を進めた結果、出発ロッドに石英ガラスのスートを堆積
させる際に、特に初期のスート形成段階において、堆積
した多孔質体（スート堆積体）が割れて、継続が不可能
になる現象が度々発生する問題があることわかった。本
発明は主としてこのようなＶＡＤ法によるスート形成の
初期段階において生じるスート堆積体の破損を防止し、
品質良好な光ファイバ用多孔質母材を歩留りよく製造す
ることのできる光ファイバ用母材の製造方法を提供しよ
うとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】図２に従来行われている
ＶＡＤ法による光ファイバ用母材製造時の状態を模式的
に示す。この方法は上部及び側面に空気供給口２及び
３、排気口４を有するマッフル（反応容器）１を用い、
石英ガラススート合成用バーナ５で形成させたスートを
回転する出発ロッド（ターゲット）６に堆積させ、この
出発ロッド６を徐々に引き上げることによって棒状のス
ート堆積体７を得るものである。この方法においては、
通常、マッフル１内に浮遊している石英微粒子（余剰ス
ート）を排気口４から効率よく排出させるためにマッフ
ル１の上部及び側面の空気供給口２及び３からメッシュ
８を介して外気（一般的には清浄空気１５）を導入して
いる。
ＶＡＤ法による光ファイバ用母材製造時の状態を模式的
に示す。この方法は上部及び側面に空気供給口２及び
３、排気口４を有するマッフル（反応容器）１を用い、
石英ガラススート合成用バーナ５で形成させたスートを
回転する出発ロッド（ターゲット）６に堆積させ、この
出発ロッド６を徐々に引き上げることによって棒状のス
ート堆積体７を得るものである。この方法においては、
通常、マッフル１内に浮遊している石英微粒子（余剰ス
ート）を排気口４から効率よく排出させるためにマッフ
ル１の上部及び側面の空気供給口２及び３からメッシュ
８を介して外気（一般的には清浄空気１５）を導入して
いる。
【０００５】本発明者らはこのプロセスにおける、スー
ト堆積体に割れが生じやすいという前記課題を解決すべ
く種々検討を進めた結果、マッフル１内に導入される空
気、特にマッフル１の上部の空気供給口２から導入され
る空気によって、出発ロッド６に酸水素火炎で合成され
堆積したスートが冷却され、これによって生じた熱歪み
で図２に示すような割れ（クラック）９が発生しやすい
こと、この現象は特にマッフル１が十分暖まっていない
スート形成初期段階において、スート堆積体７の最上部
の多孔質密度（かさ密度）の低い堆積層で頻繁に見られ
ること、がわかった。
ト堆積体に割れが生じやすいという前記課題を解決すべ
く種々検討を進めた結果、マッフル１内に導入される空
気、特にマッフル１の上部の空気供給口２から導入され
る空気によって、出発ロッド６に酸水素火炎で合成され
堆積したスートが冷却され、これによって生じた熱歪み
で図２に示すような割れ（クラック）９が発生しやすい
こと、この現象は特にマッフル１が十分暖まっていない
スート形成初期段階において、スート堆積体７の最上部
の多孔質密度（かさ密度）の低い堆積層で頻繁に見られ
ること、がわかった。
【０００６】本発明は、これらの知見に基づいてなされ
たものであって、次の（１）〜（３）の構成を有するも
のである。 （１）上部に空気供給口を有するマッフルを用い、石英
ガラススート合成用バーナで形成させたスートを出発ロ
ッドに堆積させ棒状のスート堆積体を得るＶＡＤ法によ
る石英系光ファイバ用多孔質母材の製造方法において、
スート形成開始時からスート形成が定常状態になるまで
の間、前記上部の空気供給口からの空気導入量をスート
堆積体の成長に応じて増量させることを特徴とする光フ
ァイバ用母材の製造方法。 （２）スート形成開始直後は、上部の空気供給口からの
空気の導入を行わないことを特徴とする前記（１）の光
ファイバ用母材の製造方法。 （３）上部の空気供給口からの空気導入量を増量させる
間、マッフルの内圧が（大気圧−１０Ｐａ）〜（大気圧
−４０Ｐａ）の範囲となるように制御することを特徴と
する前記（１）の光ファイバ用母材の製造方法。
たものであって、次の（１）〜（３）の構成を有するも
のである。 （１）上部に空気供給口を有するマッフルを用い、石英
ガラススート合成用バーナで形成させたスートを出発ロ
ッドに堆積させ棒状のスート堆積体を得るＶＡＤ法によ
る石英系光ファイバ用多孔質母材の製造方法において、
スート形成開始時からスート形成が定常状態になるまで
の間、前記上部の空気供給口からの空気導入量をスート
堆積体の成長に応じて増量させることを特徴とする光フ
ァイバ用母材の製造方法。 （２）スート形成開始直後は、上部の空気供給口からの
空気の導入を行わないことを特徴とする前記（１）の光
ファイバ用母材の製造方法。 （３）上部の空気供給口からの空気導入量を増量させる
間、マッフルの内圧が（大気圧−１０Ｐａ）〜（大気圧
−４０Ｐａ）の範囲となるように制御することを特徴と
する前記（１）の光ファイバ用母材の製造方法。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の１実施態様を示す
図１を参照しながら、本発明の方法を詳細に説明する。
図１において、図２と同じ部位には同一の符号を付し、
説明を省略する。本発明においても光ファイバ用母材の
製造プロセスの大略は前記図２の説明と同様であるが、
スート形成開始時からスート形成が定常状態になるまで
の間、上部の空気供給口２からの空気導入量をスート堆
積体の成長に応じて増量させることを特徴とする。スー
ト合成開始時から出発ロッド６へのスートの堆積が始ま
り、スート堆積体７の径が徐々に増大して行き、所定の
径に達した後はほぼ一定の成長速度（引き上げ速度）及
びほぼ一定の径でスートの堆積が行われ棒状のスート堆
積体が得られるが、前記定常状態とはこのほぼ一定の径
及び成長速度（引き上げ速度）でスートの堆積が行われ
るようになった状態をいう。
図１を参照しながら、本発明の方法を詳細に説明する。
図１において、図２と同じ部位には同一の符号を付し、
説明を省略する。本発明においても光ファイバ用母材の
製造プロセスの大略は前記図２の説明と同様であるが、
スート形成開始時からスート形成が定常状態になるまで
の間、上部の空気供給口２からの空気導入量をスート堆
積体の成長に応じて増量させることを特徴とする。スー
ト合成開始時から出発ロッド６へのスートの堆積が始ま
り、スート堆積体７の径が徐々に増大して行き、所定の
径に達した後はほぼ一定の成長速度（引き上げ速度）及
びほぼ一定の径でスートの堆積が行われ棒状のスート堆
積体が得られるが、前記定常状態とはこのほぼ一定の径
及び成長速度（引き上げ速度）でスートの堆積が行われ
るようになった状態をいう。
【０００８】このようなマッフル構造の場合、マッフル
１内に強制的に送り込まれるガスはスート合成用バーナ
５からのガスだけ（ここで図示していない余剰スートの
付着防止、冷却等のマッフル保護用に使用されるＮ2 等
のシールガスは量が僅かであり、特に考慮しなくてよ
い）であり、また、排気は排気口４からのみ行われる。
定常状態においては、各空気供給口２及び３から、それ
ぞれの製造条件に応じて定められる所定量の空気がマッ
フル１内に導入される。一般に余剰スートの排出を促進
するため、マッフル１からの排気量はスート合成用バー
ナ５への供給ガス量よりかなり多く設定されているの
で、通常の場合、強制的な送風を行うことなく空気供給
口２及び３からの空気の導入が行われる。本発明の方法
においてはスート形成開始時には上部の空気供給口２か
らの空気の導入は行わないか、少量としておき、以後、
定常状態に達するまでの間にスート堆積体の成長に応じ
て導入量を徐々に段階的、あるいは連続的に増大させて
行くようにする。なお、マッフル１が十分に暖まってい
ないスート形成開始直後（スート堆積体の大きさ等によ
り異なるがおよそ６０分以内まで）は上部の空気供給口
２からの空気の導入は行わないようにするのが好まし
い。また、マッフル１の内圧を監視し、これが（大気圧
−１０Ｐａ）〜（大気圧−４０Ｐａ）の範囲となるよう
に制御すれば、より安定した製造が可能となる。
１内に強制的に送り込まれるガスはスート合成用バーナ
５からのガスだけ（ここで図示していない余剰スートの
付着防止、冷却等のマッフル保護用に使用されるＮ2 等
のシールガスは量が僅かであり、特に考慮しなくてよ
い）であり、また、排気は排気口４からのみ行われる。
定常状態においては、各空気供給口２及び３から、それ
ぞれの製造条件に応じて定められる所定量の空気がマッ
フル１内に導入される。一般に余剰スートの排出を促進
するため、マッフル１からの排気量はスート合成用バー
ナ５への供給ガス量よりかなり多く設定されているの
で、通常の場合、強制的な送風を行うことなく空気供給
口２及び３からの空気の導入が行われる。本発明の方法
においてはスート形成開始時には上部の空気供給口２か
らの空気の導入は行わないか、少量としておき、以後、
定常状態に達するまでの間にスート堆積体の成長に応じ
て導入量を徐々に段階的、あるいは連続的に増大させて
行くようにする。なお、マッフル１が十分に暖まってい
ないスート形成開始直後（スート堆積体の大きさ等によ
り異なるがおよそ６０分以内まで）は上部の空気供給口
２からの空気の導入は行わないようにするのが好まし
い。また、マッフル１の内圧を監視し、これが（大気圧
−１０Ｐａ）〜（大気圧−４０Ｐａ）の範囲となるよう
に制御すれば、より安定した製造が可能となる。
【０００９】上部の空気供給口２からの空気の導入量制
御の具体例としては、例えば次のように行う。スート形
成初期段階は、図１に示すように空気導入量制御弁１０
の開度を調整して（図１の状態では開度：０°）、上部
の空気供給口２からの空気の導入は行わず、バイパスさ
せて排気管１１へ流す。もちろんこれは１例であって、
空気を排気管１１へ流さずに大気へ放出し、排気量調整
弁１２と余剰空気取入調整弁１３を調整してマッフル１
の内圧を所望の値に設定することも可能である。この段
階ではスートが堆積する部分が小さく、合成速度もあま
り高くないため、スート合成用バーナ５から噴出する原
料流量や酸水素流量を絞っているので、堆積しない余剰
スート（石英微粒子）の量もあまり多くない。従って、
上部の空気供給口２からの空気の導入は行わなくても余
剰スートは十分排出される。空気導入量制御弁１０とし
てはバタフライバルブ、ボールバルブ、ニードルバル
ブ、ダンパ等の各種形式のものが使用できる。また、空
気供給口２からの空気の導入量制御は制御弁形式が一般
的であるが、必要によりインバーターファン等により強
制的に空気を送り込む形式を採ることもできる。
御の具体例としては、例えば次のように行う。スート形
成初期段階は、図１に示すように空気導入量制御弁１０
の開度を調整して（図１の状態では開度：０°）、上部
の空気供給口２からの空気の導入は行わず、バイパスさ
せて排気管１１へ流す。もちろんこれは１例であって、
空気を排気管１１へ流さずに大気へ放出し、排気量調整
弁１２と余剰空気取入調整弁１３を調整してマッフル１
の内圧を所望の値に設定することも可能である。この段
階ではスートが堆積する部分が小さく、合成速度もあま
り高くないため、スート合成用バーナ５から噴出する原
料流量や酸水素流量を絞っているので、堆積しない余剰
スート（石英微粒子）の量もあまり多くない。従って、
上部の空気供給口２からの空気の導入は行わなくても余
剰スートは十分排出される。空気導入量制御弁１０とし
てはバタフライバルブ、ボールバルブ、ニードルバル
ブ、ダンパ等の各種形式のものが使用できる。また、空
気供給口２からの空気の導入量制御は制御弁形式が一般
的であるが、必要によりインバーターファン等により強
制的に空気を送り込む形式を採ることもできる。
【００１０】スート形成が定常状態（定常引き上げステ
ップ）となった時点で原料流量や酸水素流量は定常状態
の設定量とし、マッフル１の上部の空気供給口２からの
空気は、空気導入量制御弁１０の開度を全開（図１の例
では弁の開度を０°→９０°に傾倒）にして、クリーン
エア発生器１４から供給される所定量の清浄空気の全量
を導入し、マッフル１の内圧が大気圧に対して１０〜４
０Ｐａの負圧になるよう排気量調整弁１２を調整する。
前記スート形成初期段階から定常状態までの間は、空気
導入量調整弁１０の開度を徐々に大きくして空気導入量
を増加させる。その実施方法としては、例えば所定時間
毎（例えば３０分毎）に弁の開度を段階的（例えば２０
％ずつ）開けていく、あるいは、プログラマブルコント
ローラを用いてオートマチックに開度を連続的に大きく
していく方法などがある。
ップ）となった時点で原料流量や酸水素流量は定常状態
の設定量とし、マッフル１の上部の空気供給口２からの
空気は、空気導入量制御弁１０の開度を全開（図１の例
では弁の開度を０°→９０°に傾倒）にして、クリーン
エア発生器１４から供給される所定量の清浄空気の全量
を導入し、マッフル１の内圧が大気圧に対して１０〜４
０Ｐａの負圧になるよう排気量調整弁１２を調整する。
前記スート形成初期段階から定常状態までの間は、空気
導入量調整弁１０の開度を徐々に大きくして空気導入量
を増加させる。その実施方法としては、例えば所定時間
毎（例えば３０分毎）に弁の開度を段階的（例えば２０
％ずつ）開けていく、あるいは、プログラマブルコント
ローラを用いてオートマチックに開度を連続的に大きく
していく方法などがある。
【００１１】このようにスート形成初期段階で余剰スー
トが少量の間は、マッフル１の上部からの空気導入量を
絞ってスート堆積体の冷却を抑制することによって、ス
ート形成初期段階に起こりがちなスート最上部の低かさ
密度層の割れ（クラック）を効果的に防止することがで
き、マッフル１が十分に暖まったスート形成定常状態で
は、上部からの空気導入を増やして余剰スートの排出を
積極的に促すことによって、全体として安定な製造が可
能となる。
トが少量の間は、マッフル１の上部からの空気導入量を
絞ってスート堆積体の冷却を抑制することによって、ス
ート形成初期段階に起こりがちなスート最上部の低かさ
密度層の割れ（クラック）を効果的に防止することがで
き、マッフル１が十分に暖まったスート形成定常状態で
は、上部からの空気導入を増やして余剰スートの排出を
積極的に促すことによって、全体として安定な製造が可
能となる。
【００１２】
【実施例】以下、実施例により本発明の方法をさらに具
体的に説明する。 （実施例）図１の構成の装置を使用して光ファイバ用母
材の製造試験を行った。出発ロッド６としてはコア・ク
ラッド構造を持つ外径約２０ｍｍのロッドを使用し、ス
ート合成用バーナ５に、石英の原料としてＳｉＣｌ4 ：
６ＳＬＭ、火炎原料としてＨ2 ：３２０ＳＬＭとＯ2 ：
４００ＳＬＭ、その他に不活性ガスとしてＮ2 ：５０Ｓ
ＬＭを供給してスート形成を開始した。この時点では空
気導入量調整弁１０の開度を０°とし、マッフル１の上
部の空気供給口２からの清浄空気１５の導入は行わず、
排気管１１へバイパスさせた。また、空気供給口３を介
してスート合成用バーナ５の両脇から清浄空気１５を導
入して、マッフル１の内圧が大気圧に対して１５〜２５
Ｐａ（１．５〜２．５ｍｍＨ2 Ｏ）の負圧になるよう排
気量調整弁１２を調整した。
体的に説明する。 （実施例）図１の構成の装置を使用して光ファイバ用母
材の製造試験を行った。出発ロッド６としてはコア・ク
ラッド構造を持つ外径約２０ｍｍのロッドを使用し、ス
ート合成用バーナ５に、石英の原料としてＳｉＣｌ4 ：
６ＳＬＭ、火炎原料としてＨ2 ：３２０ＳＬＭとＯ2 ：
４００ＳＬＭ、その他に不活性ガスとしてＮ2 ：５０Ｓ
ＬＭを供給してスート形成を開始した。この時点では空
気導入量調整弁１０の開度を０°とし、マッフル１の上
部の空気供給口２からの清浄空気１５の導入は行わず、
排気管１１へバイパスさせた。また、空気供給口３を介
してスート合成用バーナ５の両脇から清浄空気１５を導
入して、マッフル１の内圧が大気圧に対して１５〜２５
Ｐａ（１．５〜２．５ｍｍＨ2 Ｏ）の負圧になるよう排
気量調整弁１２を調整した。
【００１３】スート形成初期段階は上記条件で操作し、
空気導入量調整弁１０の開度を３０分毎に２０％ずつ増
して行き、１５０分後に開度を全開（９０°）とした。
この間、マッフル１の内圧が大気圧に対しておよそ２０
〜３０Ｐａ（２．０〜３．０ｍｍＨ2 Ｏ）の負圧になる
よう排気量調整弁１２を併用して調整した。また、スー
ト合成用バーナ５へのガス供給量も空気導入量調整弁１
０の開度と共に定常段階における供給量まで段階的に変
化させた。この時点でスート形成が定常段階（定常引き
上げステップ）に達したので、スート合成用バーナ５へ
の供給量をＳｉＣｌ4 ：１８ＳＬＭ、Ｈ2 ：４２０ＳＬ
Ｍ、Ｏ2 ：４５０ＳＬＭ、Ｎ2 ：６０ＳＬＭとし、空気
導入量調整弁１０の開度は全開としたままで、マッフル
１の内圧が大気圧に対して２５〜３５Ｐａ（２．５〜
３．５ｍｍＨ2 Ｏ）の負圧になるよう排気量調整弁１２
を調整しながらスートの形成を続行し約１０時間で定常
部のスート堆積層の外径２００ｍｍ、定常部の長さ約６
００ｍｍの光ファイバ用母材を製造した。なお、この例
において、定常段階における上部の空気供給口２及び側
面の空気供給口３から導入される空気量は大略でそれぞ
れ２ｍ3 ／分及び３ｍ3 ／分程度であった。この方法で
多孔質の光ファイバ用母材を１００本作製したところ、
スートのクラック発生は全く発生せず、クラックの発生
率は従来の約３．５％から０％となった。ここにはジャ
ケット合成プロセス、すなわち、出発ロッドとしてコア
・クラッド構造を持つロッドの実施例を示したが、本発
明の方法はコア・クラッド合成プロセスにおいても有用
であることはもちろんである。
空気導入量調整弁１０の開度を３０分毎に２０％ずつ増
して行き、１５０分後に開度を全開（９０°）とした。
この間、マッフル１の内圧が大気圧に対しておよそ２０
〜３０Ｐａ（２．０〜３．０ｍｍＨ2 Ｏ）の負圧になる
よう排気量調整弁１２を併用して調整した。また、スー
ト合成用バーナ５へのガス供給量も空気導入量調整弁１
０の開度と共に定常段階における供給量まで段階的に変
化させた。この時点でスート形成が定常段階（定常引き
上げステップ）に達したので、スート合成用バーナ５へ
の供給量をＳｉＣｌ4 ：１８ＳＬＭ、Ｈ2 ：４２０ＳＬ
Ｍ、Ｏ2 ：４５０ＳＬＭ、Ｎ2 ：６０ＳＬＭとし、空気
導入量調整弁１０の開度は全開としたままで、マッフル
１の内圧が大気圧に対して２５〜３５Ｐａ（２．５〜
３．５ｍｍＨ2 Ｏ）の負圧になるよう排気量調整弁１２
を調整しながらスートの形成を続行し約１０時間で定常
部のスート堆積層の外径２００ｍｍ、定常部の長さ約６
００ｍｍの光ファイバ用母材を製造した。なお、この例
において、定常段階における上部の空気供給口２及び側
面の空気供給口３から導入される空気量は大略でそれぞ
れ２ｍ3 ／分及び３ｍ3 ／分程度であった。この方法で
多孔質の光ファイバ用母材を１００本作製したところ、
スートのクラック発生は全く発生せず、クラックの発生
率は従来の約３．５％から０％となった。ここにはジャ
ケット合成プロセス、すなわち、出発ロッドとしてコア
・クラッド構造を持つロッドの実施例を示したが、本発
明の方法はコア・クラッド合成プロセスにおいても有用
であることはもちろんである。
【００１４】
【発明の効果】本発明（１）の方法によれば、ＶＡＤ法
におけるスート形成初期段階に起こりやすいスート堆積
体最上部の低かさ密度層の割れ（クラック）の発生を効
果的に防止するとともに、スート形成定常段階では余剰
スートの排出を円滑に行うことができる。また、本発明
（２）の方法によれば、マッフルが十分に暖まっていな
い状態で冷たい空気がスート堆積体に当たって冷却する
のを効果的に防止することができ、更に本発明（３）の
方法によれば、マッフルの内圧を監視し、内圧を一定範
囲内に収めることによって、より安定した製造が可能と
なる。
におけるスート形成初期段階に起こりやすいスート堆積
体最上部の低かさ密度層の割れ（クラック）の発生を効
果的に防止するとともに、スート形成定常段階では余剰
スートの排出を円滑に行うことができる。また、本発明
（２）の方法によれば、マッフルが十分に暖まっていな
い状態で冷たい空気がスート堆積体に当たって冷却する
のを効果的に防止することができ、更に本発明（３）の
方法によれば、マッフルの内圧を監視し、内圧を一定範
囲内に収めることによって、より安定した製造が可能と
なる。
【図１】本発明の１実施態様による光ファイバ用母材製
造時の状態を模式的に示す図。
造時の状態を模式的に示す図。
【図２】従来行われているＶＡＤ法による光ファイバ用
母材製造時の状態を模式的に示す図。
母材製造時の状態を模式的に示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 卓 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 Ｆターム(参考） 4G021 EA01 EB11 EB26
Claims (3)
- 【請求項１】 上部に空気供給口を有するマッフルを用
い、石英ガラススート合成用バーナで形成させたスート
を出発ロッドに堆積させ棒状のスート堆積体を得るＶＡ
Ｄ法による石英系光ファイバ用多孔質母材の製造方法に
おいて、スート形成開始時からスート形成が定常状態に
なるまでの間、前記上部の空気供給口からの空気導入量
をスート堆積体の成長に応じて増量させることを特徴と
する光ファイバ用母材の製造方法。 - 【請求項２】 スート形成開始直後は、上部の空気供給
口からの空気の導入を行わないことを特徴とする請求項
１に記載の光ファイバ用母材の製造方法。 - 【請求項３】 上部の空気供給口からの空気導入量を増
量させる間、マッフルの内圧が（大気圧−１０Ｐａ）〜
（大気圧−４０Ｐａ）の範囲となるように制御すること
を特徴とする請求項１に記載の光ファイバ用母材の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28424698A JP2000109334A (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28424698A JP2000109334A (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000109334A true JP2000109334A (ja) | 2000-04-18 |
Family
ID=17676063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28424698A Pending JP2000109334A (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000109334A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002102729A1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Device and method for producing stack of fine glass particles |
| WO2003062159A1 (fr) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Procede de fabrication d'un corps sedimentaire constitue de particules de verre et procede de fabrication de materiau a base de verre |
-
1998
- 1998-10-06 JP JP28424698A patent/JP2000109334A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002102729A1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Device and method for producing stack of fine glass particles |
| EP1405833A1 (en) * | 2001-06-14 | 2004-04-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Device and method for producing stack of fine glass particles |
| EP1405833A4 (en) * | 2001-06-14 | 2012-02-22 | Sumitomo Electric Industries | DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A STACK OF GOOD GLASS PARTICLES |
| WO2003062159A1 (fr) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Procede de fabrication d'un corps sedimentaire constitue de particules de verre et procede de fabrication de materiau a base de verre |
| US7143612B2 (en) | 2002-01-24 | 2006-12-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing glass particulate sedimentary body, and method of manufacturing glass base material |
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