JP2000101218A - 回路板製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 絶縁性基板のスルーホール内におけるメッキ
時の断線不良が削減・回避される回路板製造法を提供す
る。 【解決手段】 絶縁性基板１の表面にスタッパリングに
よりメッキ下地層２を形成し、非回路部３となる部分に
電磁波を照射し、残存したメッキ下地層２にメッキを施
して回路部４を形成する回路板製造法において、絶縁性
基板１がスルーホール５を有しており、このスルーホー
ル５の内面に形成される導電性膜ａの膜厚を逆スタッパ
リング等により厚くしたり、メッキ時のエッチングを阻
止する手段を同スルーホール５内に設けたりする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁性基板の表面
にメッキを施して回路部が形成される回路板製造法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、図１６に示す如く、ＭＩＤ基
板の回路形成方法として、樹脂成形品である絶縁性基板
１の表面にメッキ下地層２を形成し、該メッキ下地層２
の非回路部３となる部分に電磁波であるレーザＬを照射
して同メッキ下地層２を除去した後、残存した同メッキ
下地層２にメッキを施して回路部４を形成する回路板製
造法が知られている。

【０００３】この場合、銅のスタッパリングを行って、
絶縁性基板１の表面に銅の薄膜でなるメッキ下地層２が
形成され、該メッキ下地層２に銅、ニッケル、金等のメ
ッキが施されるものである。又、図１７に示す如く、レ
ーザＬは絶縁性基板１の非回路部３となる部分の所定位
置に、メッキ下地層２の上から正確なパターンとなるよ
うに移動されながら照射される。すなわち、レーザ発生
機L1からガルバノミラーL2を介しＦθレンズL3を通し走
査されて、絶縁性基板１上にレーザＬは正確に移動され
ながら照射される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術においては、次のような問題が発生していた。
すなわち、図１８（ａ）に示す如く、絶縁性基板１がス
ルーホール５を有するものである場合に、該スルーホー
ル５の内面に導電性膜ａが形成されない箇所が現出して
断線不良を生じていた。

【０００５】その原因としては、次のようなことが考え
られる。 １）スタッパリングによってスルーホール５の内面に形
成されるメッキ下地層２としての導電性膜ａの膜厚が、
特に、絶縁性基板１の厚さ方向における中程部分で薄く
なる〔図１８（ｂ）〕 ２）メッキの前処理として行われる硫酸処理によって、
前記導電性膜ａの特に膜厚の薄い部分がエッチング除去
されてしまう〔図１８（ｃ）〕 ３）スルーホール５の内部ではメッキが成長し難い 本発明は、上記各原因に着目し、上記従来の技術におけ
る問題を悉く解決するために発明されたもので、その課
題は、絶縁性基板がスルーホールを有するものである場
合に、該スルーホール内でのメッキ時における断線不良
が削減・回避される回路板製造法を提供することであ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
回路板製造法は、絶縁性基板の表面にスタッパリングに
よりメッキ下地層を形成し、該メッキ下地層の非回路部
となる部分に電磁波を照射して同メッキ下地層を除去し
た後、残存した同メッキ下地層にメッキを施して回路部
を形成する回路板製造法において、絶縁性基板がスルー
ホールを有するものであり、メッキを施す以前に、スタ
ッパリングを行うのと同一の導電性材料でなるトレー上
に絶縁性基板を載置し、該トレーを逆スタッパリングし
て同スルーホールの内面に導電性膜を形成することを特
徴とする。

【０００７】したがって、この場合、メッキを施す以前
に通常のスタッパリングとは別に、該スタッパリングを
行うのと同一の導電性材料でなるトレー上に絶縁性基板
が載置され、該トレーが逆スタッパリングされて同スル
ーホールの内面に導電性膜が形成されるので、該導電性
膜の膜厚を厚くすることができ、メッキ液によるエッチ
ングのダメージがあっても、回路断線モード不良を軽減
することができる。

【０００８】本発明の請求項２記載の回路板製造法は、
上記請求項１記載の回路板製造法において、トレーにこ
れと同一材料でなる凸起を突設し、該凸起をスルーホー
ルに挿入させた状態で逆スタッパリングを行うことを特
徴とする。

【０００９】したがって、この場合は特に、上記の場合
において、トレーにこれと同一材料でなる凸起が突設さ
れ、該凸起がスルーホールに挿入された状態で逆スタッ
パリングが行われるので、同スルーホールの内面には確
実により厚く導電性膜が形成され、回路断線モード不良
を更に軽減することができる。

【００１０】本発明の請求項３記載の回路板製造法は、
絶縁性基板の表面にスタッパリングによりメッキ下地層
を形成し、該メッキ下地層の非回路部となる部分に電磁
波を照射して同メッキ下地層を除去した後、残存した同
メッキ下地層にメッキを施して回路部を形成する回路板
製造法において、絶縁性基板がスルーホールを有するも
のであり、スタッパリングを行う際のターゲットにこれ
と同一材料でなる凸片を突設し、該凸片をスルーホール
に挿入させた状態でスタッパリングを行うことを特徴と
する。

【００１１】したがって、この場合、スタッパリングを
行う際のターゲットにこれと同一材料でなる凸片が突設
され、該凸片がスルーホールに挿入された状態でスタッ
パリングが行われるので、同スタッパリングによってス
ルーホールの内面にも確実に導電性膜が厚く形成され、
メッキ液によるエッチングのダメージがあっても、回路
断線モード不良を軽減することができ、工程が複雑化す
ることもない。

【００１２】本発明の請求項４記載の回路板製造法は、
絶縁性基板の表面にスタッパリングによりメッキ下地層
を形成し、該メッキ下地層の非回路部となる部分に電磁
波を照射して同メッキ下地層を除去した後、残存した同
メッキ下地層にメッキを施して回路部を形成する回路板
製造法において、絶縁性基板がスルーホールを有するも
のであり、スタッパリングを行う際に、まず、絶縁性基
板の全表面にスタッパリングにより所望層厚のメッキ下
地層を形成した後、同表面のスルーホールの内面以外の
部分をマスクした状態で該スルーホールの内面のみを再
びスタッパリングして、該内面に導電性膜を形成するこ
とを特徴とする。

【００１３】したがって、この場合、スタッパリングが
行われる際に、まず、絶縁性基板の全表面にスタッパリ
ングにより所望層厚のメッキ下地層が形成された後、同
表面のスルーホールの内面以外の部分がマスクされた状
態で該スルーホールの内面のみが再びスタッパリングさ
れて、該内面に導電性膜が形成されるので、他のメッキ
下地層は所望層厚のままにして、スルーホールの内面に
のみ導電性膜を厚く形成することができ、メッキ液によ
るエッチングのダメージがあっても、回路断線モード不
良を軽減することができ、マスクが使用されるだけで従
前の構造設備をそのまま活用することができる。

【００１４】本発明の請求項５記載の回路板製造法は、
絶縁性基板の表面にスタッパリングによりメッキ下地層
を形成し、該メッキ下地層の非回路部となる部分に電磁
波を照射して同メッキ下地層を除去した後、残存した同
メッキ下地層にメッキを施して回路部を形成する回路板
製造法において、絶縁性基板がスルーホールを有するも
のであり、スタッパリングを行う際に、まず、絶縁性基
板の全表面にスタッパリングにより所望層厚のメッキ下
地層を形成した後、スルーホール内に同スタッパリング
を行うのと同一の導電性材料でなるワイヤーを挿通し、
この状態で該ワイヤーに大電流を流し真空加熱蒸着させ
て同スルーホール該内面に導電性膜を形成することを特
徴とする。

【００１５】したがって、この場合、スタッパリングが
行われる際に、まず、絶縁性基板の全表面にスタッパリ
ングにより所望層厚のメッキ下地層が形成された後、ス
ルーホール内に同スタッパリングを行うのと同一の導電
性材料でなるワイヤーが挿通され、この状態で該ワイヤ
ーに大電流が流され真空加熱蒸着されて同スルーホール
の内面に導電性膜が形成されるので、アスペクト比が大
きいスルーホールであっても、該スルーホールの内面に
導電性膜を確実に厚く形成することができ、メッキ液に
よるエッチングのダメージがあっても、回路断線モード
不良を軽減することができる。

【００１６】本発明の請求項６記載の回路板製造法は、
絶縁性基板の表面にスタッパリングによりメッキ下地層
を形成し、該メッキ下地層の非回路部となる部分に電磁
波を照射して同メッキ下地層を除去した後、残存した同
メッキ下地層にメッキを施して回路部を形成する回路板
製造法において、絶縁性基板がスルーホールを有するも
のであり、スルーホール内にメッキ液が入り込むのを阻
止する詰体を埋設し、この状態でメッキを施すことを特
徴とする。

【００１７】したがって、この場合、スルーホール内に
メッキ液が入り込むのを阻止する詰体が埋設された状態
でメッキが施されるので、メッキ時にメッキ液がスルー
ホール内に入り込まないようになって、同メッキ液によ
るエッチングが回避され、回路断線モード不良を軽減す
ることができる。

【００１８】本発明の請求項７記載の回路板製造法は、
絶縁性基板の表面にスタッパリングによりメッキ下地層
を形成し、該メッキ下地層の非回路部となる部分に電磁
波を照射して同メッキ下地層を除去した後、残存した同
メッキ下地層にメッキを施して回路部を形成する回路板
製造法において、絶縁性基板がスルーホールを有するも
のであり、スルーホールの内面にエッチングされ難い材
料でなる保護膜を形成し、この状態でメッキを施すこと
を特徴とする。

【００１９】したがって、この場合、スルーホールの内
面にエッチングされ難い材料でなる保護膜が形成された
状態でメッキが施されるので、メッキ時にメッキ液がス
ルーホール内に入り込んでも、同メッキ液によるエッチ
ングのダメージは起こり難くなり、回路断線モード不良
を軽減することができる。

【００２０】本発明の請求項８記載の回路板製造法は、
絶縁性基板の表面にスタッパリングによりメッキ下地層
を形成し、該メッキ下地層の非回路部となる部分に電磁
波を照射して同メッキ下地層を除去した後、残存した同
メッキ下地層にメッキを施して回路部を形成する回路板
製造法において、絶縁性基板がスルーホールを有するも
のであり、メッキを施す際のメッキアノードにバー状部
を形成し、該バー状部をスルーホールに挿通させた状態
でメッキを施すことを特徴とする。

【００２１】したがって、この場合、メッキを施す際の
メッキアノードにバー状部が形成され、該バー状部がス
ルーホールに挿通された状態でメッキが施されるので、
該スルーホール内の金属イオンの減少が防止されて、そ
の内部でもメッキは成長し易くなり、同スルーホールの
内部でのメッキ効率が向上されて、メッキ液によるエッ
チングのダメージは起こり難くなり、回路断線モード不
良を軽減することができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の請求項１に対応
する一実施形態を示しており、該実施形態の回路板製造
法は、絶縁性基板１の表面にスタッパリングによりメッ
キ下地層２を形成し、該メッキ下地層２の非回路部３と
なる部分に電磁波を照射して同メッキ下地層２を除去し
た後、残存した同メッキ下地層２にメッキを施して回路
部４を形成する回路板製造法において、絶縁性基板１が
スルーホール５を有するものであり、メッキを施す以前
に、スタッパリングを行うのと同一の導電性材料でなる
トレー６上に絶縁性基板１を載置し、該トレー６を逆ス
タッパリングして同スルーホール５の内面に導電性膜ａ
を形成することを特徴とするものである。

【００２３】絶縁性基板１はＭＩＤ基板となるもので、
ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー等の電気絶縁性材料を用い、射出成形によって３
次元形状に形成されている。図１（ａ）に示す如く、絶
縁性基板１は断面円形状のスルーホール５を有している
が、該スルーホール５は断面多角形状であっても良い
し、同絶縁性基板１に上下方向で貫通するように設けら
れるものであればその形状は限定されない。ここで、射
出成形された成形品は、アルカリ脱脂されてその表面に
付着した油分等を除去する洗浄が行われる。

【００２４】次に、図１（ｂ）に示す如く、成形品であ
る絶縁性基板１が銅製のトレー６上に載置されて、逆ス
タッパリングが行われる。この場合、上極板17との間で
スルーホール５内に発生したアルゴンプラズマがトレー
６をスタッパして、該スルーホール５の内面に銅膜でな
る導電性膜ａが選択的に形成される。該導電性膜ａが所
望膜厚 0.1〜2.0 μm となるまで成膜されるように、同
逆スタッパリングは行われる。

【００２５】続いて、図１（ｃ）に示す如く、スタッパ
リング、例えば、ＤＣスタッパリング法或いはＲＦスタ
ッパリング法によって、絶縁性基板１の表面に銅膜で導
電性膜となるメッキ下地層２が形成される。この場合、
下極台16上に絶縁性基板１は載置され、上側の銅製のタ
ーゲット８との間でスタッパリングが行われる。絶縁性
基板１の表面に形成されるメッキ下地層２の層厚は、
0.1〜2.0 μm 程度であることが好ましい。これによっ
て、該絶縁性基板１の表面に形成されるメッキ下地層２
の層厚はそのままで、前記逆スタッパリングによって、
スルーホール５の内面の導電性膜ａの膜厚のみを大きく
することが可能となっている。

【００２６】次に、従来の技術におけると同様に、図１
６、１７に示す如く、メッキ下地層２が形成された絶縁
性基板１の表面に電磁波であるレーザＬが照射される。
この場合、レーザ発生機L1としては、第２或いは第３高
調波ＹＡＧレーザ、ＹＡＧレーザ等が好ましい。又、ガ
ルバノミラーL2で走査されることにより、メッキ下地層
２が形成された絶縁性基板１の表面のうち回路を形成す
る箇所である回路部４以外の部分、すなわち、回路部４
間の絶縁スペースとなる非回路部３においてレーザＬは
正確に移動されながら照射される。その際、非回路部３
の少なくとも回路部４との境界領域に非回路部３のパタ
ーンに沿ってレーザＬを照射することにより、非回路部
３の回路部４との境界領域のメッキ下地層２が除去され
る。

【００２７】次に、回路部４に給電を行い、電気銅メッ
キ、電気ニッケルメッキ、電気金メッキ等がこの順で施
されて、図１（ｄ）に示す如く、所定厚の金属膜でなる
回路部４が形成された回路板が得られる。なお、非回路
部４に残存した金属膜は、必要に応じてソフトエッチン
グ等で除去されても良い。以上の方法により、スルーホ
ール５内で断線不良を生じることなく歩留り良くＭＩＤ
基板を製造することができる。

【００２８】したがって、該実施形態の回路板製造法に
おいては、メッキを施す以前に通常の図１（ｃ）のスタ
ッパリングとは別にその前に、図１（ｂ）に示す如く、
該スタッパリングを行うのと同一材料の銅でなるトレー
６上に絶縁性基板１が載置され、該トレー６が逆スタッ
パリングされて同スルーホール５の内面に導電性膜ａが
形成されるので、該導電性膜ａの膜厚を表面のメッキ下
地層２とは別途に厚くすることができ、メッキ液による
エッチングのダメージがあっても、回路断線モード不良
を軽減することができる。

【００２９】又、同実施形態の回路板製造法において、
図２に示す如く、トレー６にこれと同一材料でなる凸起
７を突設し、該凸起７をスルーホール５に挿入させた状
態で逆スタッパリングを行っても良い。この場合は、本
発明の請求項２にも対応する実施形態となり、スルーホ
ール５の内面には確実により厚く導電性膜ａが形成され
て、回路断線モード不良を更に軽減することができるよ
うになる。なお、それ以外は、上記図１におけると同様
であるのでその説明を省略する。

【００３０】又、同実施形態の回路板製造法において、
図３に示す如く、トレー６のスルーホール５と対応する
位置にマグネットＭを埋設しても良い。この場合は、プ
ラズマの回り込み性が良好となって、スルーホール５の
内面に導電性膜ａが付き回り易くなり、該導電性膜ａの
膜厚の均一化が図られるようになる。なお、それ以外
は、上記図１におけると同様であるのでその説明を省略
する。

【００３１】又、同実施形態の回路板製造法において、
図４に示す如く、トレー６のスルーホール５と対応する
部分のみを、スタッパリングを行うのと同一の導電性材
料で形成し、すなわち、同部分の表面に銅片61を埋設し
ても良い。この場合は、トレー６の一部分だけが導電性
材料で形成されて、ランニングコストの低減が図られる
ようになる。なお、それ以外は、上記図１におけると同
様であるのでその説明を省略する。

【００３２】図５は、本発明の請求項３に対応する別の
実施形態を示しており、該実施形態の回路板製造法は、
絶縁性基板１の表面にスタッパリングによりメッキ下地
層２を形成し、該メッキ下地層２の非回路部３となる部
分に電磁波を照射して同メッキ下地層２を除去した後、
残存した同メッキ下地層２にメッキを施して回路部４を
形成する回路板製造法において、絶縁性基板１がスルー
ホール５を有するものであり、スタッパリングを行う際
のターゲット８にこれと同一材料でなる凸片９を突設
し、該凸片９をスルーホール５に挿入させた状態でスタ
ッパリングを行うことを特徴とするものである。

【００３３】絶縁性基板１はＭＩＤ基板となるもので、
ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー等の電気絶縁性材料を用い、射出成形によって３
次元形状に形成されている。図５（ａ）に示す如く、絶
縁性基板１は断面円形状のスルーホール５を有している
が、該スルーホール５は断面多角形状であっても良い
し、同絶縁性基板１に上下方向で貫通するように設けら
れるものであればその形状は限定されない。ここで、射
出成形された成形品は、アルカリ脱脂されてその表面に
付着した油分等を除去する洗浄が行われる。

【００３４】続いて、図５（ｂ）に示す如く、スタッパ
リング、例えば、ＤＣスタッパリング法或いはＲＦスタ
ッパリング法によって、絶縁性基板１の表面に銅膜で導
電性膜となるメッキ下地層２が形成される。この場合、
下極台16上に絶縁性基板１は載置され、上側の銅製のタ
ーゲット８との間でスタッパリングが行われるが、その
際、同ターゲット８に垂下突設された凸片９がスルーホ
ール５に挿入された状態でスタッパリングは行われる。
これによって、スルーホール５の内面にも付き回り良く
メッキ下地層２となる導電性膜が形成される。なお、絶
縁性基板１の表面に形成されるメッキ下地層２の層厚
は、 0.1〜2.0 μm 程度であることが好ましい。

【００３５】次に、従来の技術におけると同様に、図１
６、１７に示す如く、メッキ下地層２が形成された絶縁
性基板１の表面に電磁波であるレーザＬが照射される。
この場合、レーザ発生機L1としては、第２或いは第３高
調波ＹＡＧレーザ、ＹＡＧレーザ等が好ましい。又、ガ
ルバノミラーL2で走査されることにより、メッキ下地層
２が形成された絶縁性基板１の表面のうち回路を形成す
る箇所である回路部４以外の部分、すなわち、回路部４
間の絶縁スペースとなる非回路部３においてレーザＬは
正確に移動されながら照射される。その際、非回路部３
の少なくとも回路部４との境界領域に非回路部３のパタ
ーンに沿ってレーザＬを照射することにより、非回路部
３の回路部４との境界領域のメッキ下地層２が除去され
る。

【００３６】次に、回路部４に給電を行い、電気銅メッ
キ、電気ニッケルメッキ、電気金メッキ等がこの順で施
されて、図５（ｃ）に示す如く、所定厚の金属膜でなる
回路部４が形成された回路板が得られる。なお、非回路
部４に残存した金属膜は、必要に応じてソフトエッチン
グ等で除去されても良い。以上の方法により、スルーホ
ール５内で断線不良を生じることなく歩留り良くＭＩＤ
基板を製造することができる。

【００３７】したがって、該実施形態の回路板製造法に
おいては、図５（ｂ）に示す如く、スタッパリングを行
う際のターゲット８にこれと同一材料でなる凸片９が突
設され、該凸片９がスルーホール５に挿入された状態で
同スタッパリングが行われるので、該スタッパリングに
よってスルーホール５の内面にも確実に導電性膜が厚く
形成され、メッキ液によるエッチングのダメージがあっ
ても、回路断線モード不良を軽減することができ、上記
実施形態におけるような逆スタッパリングを行うことな
く一度に処理が行われて、工程が複雑化することもな
い。

【００３８】図６は、本発明の請求項４に対応する更に
別の実施形態を示しており、該実施形態の回路板製造法
は、絶縁性基板１の表面にスタッパリングによりメッキ
下地層２を形成し、該メッキ下地層２の非回路部３とな
る部分に電磁波を照射して同メッキ下地層１を除去した
後、残存した同メッキ下地層２にメッキを施して回路部
４を形成する回路板製造法において、絶縁性基板１がス
ルーホール５を有するものであり、スタッパリングを行
う際に、まず、絶縁性基板１の全表面にスタッパリング
により所望層厚のメッキ下地層２を形成した後、同表面
のスルーホール５の内面以外の部分をマスク10でマスキ
ングした状態で該スルーホール５の内面のみを再びスタ
ッパリングして、該内面に導電性膜ａを形成することを
特徴とするものである。

【００３９】絶縁性基板１はＭＩＤ基板となるもので、
ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー等の電気絶縁性材料を用い、射出成形によって３
次元形状に形成されている。図６（ａ）に示す如く、絶
縁性基板１は断面円形状のスルーホール５を有している
が、該スルーホール５は断面多角形状であっても良い
し、同絶縁性基板１に上下方向で貫通するように設けら
れるものであればその形状は限定されない。ここで、射
出成形された成形品は、アルカリ脱脂されてその表面に
付着した油分等を除去する洗浄が行われる。

【００４０】続いて、図６（ｂ）に示す如く、スタッパ
リング、例えば、ＤＣスタッパリング法或いはＲＦスタ
ッパリング法によって、絶縁性基板１の表面に銅膜で導
電性膜となるメッキ下地層２が形成される。この場合、
下極台16上に絶縁性基板１は載置され、上側の銅製のタ
ーゲット８との間でスタッパリングが行われる。絶縁性
基板１の表面に形成されるメッキ下地層２の層厚は、
0.1〜2.0 μm 程度であることが好ましい。

【００４１】更に、図６（ｃ）に示す如く、スルーホー
ル５の部分以外の表面がマスク10でマスキングされて、
再度、前記と同様にスタッパリングが行われ、同スルー
ホール５の内面に導電性膜ａが形成される。該導電性膜
ａが所望膜厚 0.1〜2.0 μmとなるまで成膜されるよう
に、同スタッパリングは行われる。

【００４２】次に、従来の技術におけると同様に、図１
６、１７に示す如く、メッキ下地層２が形成された絶縁
性基板１の表面に電磁波であるレーザＬが照射される。
この場合、レーザ発生機L1としては、第２或いは第３高
調波ＹＡＧレーザ、ＹＡＧレーザ等が好ましい。又、ガ
ルバノミラーL2で走査されることにより、メッキ下地層
２が形成された絶縁性基板１の表面のうち回路を形成す
る箇所である回路部４以外の部分、すなわち、回路部４
間の絶縁スペースとなる非回路部３においてレーザＬは
正確に移動されながら照射される。その際、非回路部３
の少なくとも回路部４との境界領域に非回路部３のパタ
ーンに沿ってレーザＬを照射することにより、非回路部
３の回路部４との境界領域のメッキ下地層２が除去され
る。

【００４３】次に、回路部４に給電を行い、電気銅メッ
キ、電気ニッケルメッキ、電気金メッキ等がこの順で施
されて、図６（ｄ）に示す如く、所定厚の金属膜でなる
回路部４が形成された回路板が得られる。なお、非回路
部４に残存した金属膜は、必要に応じてソフトエッチン
グ等で除去されても良い。以上の方法により、スルーホ
ール５内で断線不良を生じることなく歩留り良くＭＩＤ
基板を製造することができる。

【００４４】したがって、該実施形態の回路板製造法に
おいては、まず、図６（ｂ）に示す如く、絶縁性基板１
の全表面にスタッパリングにより所望層厚のメッキ下地
層２が形成された後、図６（ｃ）に示す如く、同表面の
スルーホール５の内面以外の部分がマスク10でマスキン
グされた状態で該スルーホール５の内面のみが再びスタ
ッパリングされて、該内面に導電性膜ａが形成されるの
で、他のメッキ下地層２は所望層厚のままにして、スル
ーホール２の内面にのみ導電性膜ａを厚く形成すること
ができ、メッキ液によるエッチングのダメージがあって
も、回路断線モード不良を軽減することができ、マスク
10が使用されるだけで従前の構造設備をそのまま活用す
ることができ、工法も単純である。

【００４５】又、同実施形態の回路板製造法において、
図７に示す如く、図５に示した上記実施形態におけると
同様に、ターゲット８にこれと同一材料でなる凸片９を
突設し、該凸片９をスルーホール５に挿入させた状態で
再度のスタッパリングを行っても良い。この場合は、請
求項３及び４に対応する実施形態となって、両請求項
３、４に係る作用効果が奏されるようになる。なお、そ
れ以外は、上記図５におけると同様であるのでその説明
を省略する。

【００４６】図８は、本発明の請求項５に対応する更に
別の実施形態を示しており、該実施形態の回路板製造法
は、絶縁性基板１の表面にスタッパリングによりメッキ
下地層２を形成し、該メッキ下地層２の非回路部３とな
る部分に電磁波を照射して同メッキ下地層２を除去した
後、残存した同メッキ下地層２にメッキを施して回路部
４を形成する回路板製造法において、絶縁性基板１がス
ルーホール５を有するものであり、スタッパリングを行
う際に、まず、絶縁性基板１の全表面にスタッパリング
により所望層厚のメッキ下地層２を形成した後、スルー
ホール５内に同スタッパリングを行うのと同一の導電性
材料でなるワイヤー11を挿通し、この状態で該ワイヤー
11に大電流を流し真空加熱蒸着させて同スルーホール５
の内面に導電性膜ａを形成することを特徴とするもので
ある。

【００４７】絶縁性基板１はＭＩＤ基板となるもので、
ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー等の電気絶縁性材料を用い、射出成形によって３
次元形状に形成されている。図８（ａ）に示す如く、絶
縁性基板１は断面円形状のスルーホール５を有している
が、該スルーホール５は断面多角形状であっても良い
し、同絶縁性基板１に上下方向で貫通するように設けら
れるものであればその形状は限定されない。ここで、射
出成形された成形品は、アルカリ脱脂されてその表面に
付着した油分等を除去する洗浄が行われる。

【００４８】続いて、図８（ｂ）に示す如く、スタッパ
リング、例えば、ＤＣスタッパリング法或いはＲＦスタ
ッパリング法によって、絶縁性基板１の表面に銅膜で導
電性膜となるメッキ下地層２が形成される。この場合、
下極台16上に絶縁性基板１は載置され、上側の銅製のタ
ーゲット８との間でスタッパリングが行われる。絶縁性
基板１の表面に形成されるメッキ下地層２の層厚は、
0.1〜2.0 μm 程度であることが好ましい。

【００４９】更に、図８（ｃ）に示す如く、スルーホー
ル５内にスタッパリングを行うのと同一の導電性材料で
ある銅で形成されたワイヤー11が挿通され、この状態で
該ワイヤー11に大電流が流され真空加熱蒸着が行われ
て、同スルーホール５の内面に導電性膜ａが形成され
る。該導電性膜ａが所望膜厚 0.1〜2.0 μm となるまで
成膜されるように、同真空加熱蒸着は行われる。この場
合、絶縁性基板１が載置される下極台16に開口部18が形
成されており、該開口部18においてワイヤー11がスルー
ホール５内に挿通されている。

【００５０】次に、従来の技術におけると同様に、図１
６、１７に示す如く、メッキ下地層２が形成された絶縁
性基板１の表面に電磁波であるレーザＬが照射される。
この場合、レーザ発生機L1としては、第２或いは第３高
調波ＹＡＧレーザ、ＹＡＧレーザ等が好ましい。又、ガ
ルバノミラーL2で走査されることにより、メッキ下地層
２が形成された絶縁性基板１の表面のうち回路を形成す
る箇所である回路部４以外の部分、すなわち、回路部４
間の絶縁スペースとなる非回路部３においてレーザＬは
正確に移動されながら照射される。その際、非回路部３
の少なくとも回路部４との境界領域に非回路部３のパタ
ーンに沿ってレーザＬを照射することにより、非回路部
３の回路部４との境界領域のメッキ下地層２が除去され
る。

【００５１】次に、回路部４に給電を行い、電気銅メッ
キ、電気ニッケルメッキ、電気金メッキ等がこの順で施
されて、図８（ｄ）に示す如く、所定厚の金属膜でなる
回路部４が形成された回路板が得られる。なお、非回路
部４に残存した金属膜は、必要に応じてソフトエッチン
グ等で除去されても良い。以上の方法により、スルーホ
ール５内で断線不良を生じることなく歩留り良くＭＩＤ
基板を製造することができる。

【００５２】したがって、該実施形態の回路板製造法に
おいては、まず、図８（ｂ）に示す如く、絶縁性基板１
の全表面にスタッパリングにより所望層厚のメッキ下地
層２が形成された後、図８（ｃ）に示す如く、スルーホ
ール５内に同スタッパリングを行うのと同一の導電性材
料で形成されたワイヤー11が挿通され、この状態で該ワ
イヤーに11大電流が流され真空加熱蒸着されて同スルー
ホール５の内面に導電性膜ａが形成されるので、アスペ
クト比が大きいスルーホール５であっても、該スルーホ
ール５の内面に導電性膜ａを確実に厚く形成することが
でき、メッキ液によるエッチングのダメージがあって
も、回路断線モード不良を軽減することができる。

【００５３】図９は、本発明の請求項６に対応する更に
別の実施形態を示しており、該実施形態の回路板製造法
は、絶縁性基板１の表面にスタッパリングによりメッキ
下地層２を形成し、該メッキ下地層２の非回路部３とな
る部分に電磁波を照射して同メッキ下地層２を除去した
後、残存した同メッキ下地層２にメッキを施して回路部
４を形成する回路板製造法において、絶縁性基板１がス
ルーホール５を有するものであり、スルーホール５内に
メッキ液が入り込むのを阻止する詰体12を埋設し、この
状態でメッキを施すことを特徴とするものである。

【００５４】絶縁性基板１はＭＩＤ基板となるもので、
ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー等の電気絶縁性材料を用い、射出成形によって３
次元形状に形成されている。図９（ａ）に示す如く、絶
縁性基板１は断面円形状のスルーホール５を有している
が、該スルーホール５は断面多角形状であっても良い
し、同絶縁性基板１に上下方向で貫通するように設けら
れるものであればその形状は限定されない。ここで、射
出成形された成形品は、アルカリ脱脂されてその表面に
付着した油分等を除去する洗浄が行われる。

【００５５】続いて、図９（ｂ）に示す如く、スタッパ
リング、例えば、ＤＣスタッパリング法或いはＲＦスタ
ッパリング法によって、絶縁性基板１の表面に銅膜で導
電性膜となるメッキ下地層２が形成される。この場合、
下極台16上に絶縁性基板１は載置され、上側の銅製のタ
ーゲット８との間でスタッパリングが行われる。絶縁性
基板１の表面に形成されるメッキ下地層２の層厚は、
0.1〜2.0 μm 程度であることが好ましい。その後、図
９（ｃ）に示す如く、前記導電性膜が形成されたスルー
ホール５に対して、その内面と隙間なく密着する、例え
ば、Ａ1203等のセラミックスでなる詰体12が圧入されて
埋設される。

【００５６】次に、従来の技術におけると同様に、図１
６、１７に示す如く、メッキ下地層２が形成された絶縁
性基板１の表面に電磁波であるレーザＬが照射される。
この場合、レーザ発生機L1としては、第２或いは第３高
調波ＹＡＧレーザ、ＹＡＧレーザ等が好ましい。又、ガ
ルバノミラーL2で走査されることにより、メッキ下地層
２が形成された絶縁性基板１の表面のうち回路を形成す
る箇所である回路部４以外の部分、すなわち、回路部４
間の絶縁スペースとなる非回路部３においてレーザＬは
正確に移動されながら照射される。その際、非回路部３
の少なくとも回路部４との境界領域に非回路部３のパタ
ーンに沿ってレーザＬを照射することにより、非回路部
３の回路部４との境界領域のメッキ下地層２が除去され
る。

【００５７】次に、回路部４に給電を行い、電気銅メッ
キ、電気ニッケルメッキ、電気金メッキ等がこの順で施
されて、図９（ｄ）に示す如く、所定厚の金属膜でなる
回路部４が形成された回路板が得られる。その際、スル
ーホルー５には上記詰体12が埋設されていて、該スルー
ホール５内にメッキ液が入り込むのことを防止すること
ができ、酸洗処理等でエッチングされることなくメッキ
が施される。なお、非回路部４に残存した金属膜は、必
要に応じてソフトエッチング等で除去されても良い。以
上の方法により、スルーホール５内で断線不良を生じる
ことなく歩留り良くＭＩＤ基板を製造することができ
る。

【００５８】したがって、該実施形態の回路板製造法に
おいては、図９（ｃ）（ｄ）に示す如く、スルーホール
５内にメッキ液が入り込むのを阻止する詰体12が埋設さ
れた状態でメッキが施されるので、メッキ時にメッキ液
がスルーホール５内に入り込まないようになって、同メ
ッキ液によるエッチングが回避され、回路断線モード不
良を軽減することができる。

【００５９】又、同実施形態の回路板製造法において
は、図９（ｃ）に示す如く、スルーホール５内に詰体12
を埋設するに際し、同スルーホール５内にその周面が密
着する棒状の固体物を圧入してかしめているが、図１０
（ｃ）に示す如く、スルーホール５内に樹脂を流し込み
これを硬化させ詰体12として埋設しても良い。この場合
の樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性
樹脂を使用することができる。又、この場合にあって
は、アスペクト比が大きいスルーホール５にも対応する
ことができ、同スルーホール５の形状に対しての自由度
が増す。なお、それ以外は、図１０（ａ）〜（ｄ）に示
す如く、上記図９におけると同様であるのでその説明を
省略する。

【００６０】又、同実施形態の回路板製造法において
は、詰体12を導電体で形成することによって、回路の電
気抵抗の低いことを要求される場合に有効となる。これ
は、図９に示す如く、詰体12が圧入される固体物である
場合、図１０に示す如く、樹脂が流し込まれ硬化されて
詰体12となる場合、いずれの場合においても同様に有効
となる。

【００６１】図１１は、本発明の請求項７に対応する更
に別の実施形態を示しており、該実施形態の回路板製造
法は、絶縁性基板１の表面にスタッパリングによりメッ
キ下地層２を形成し、該メッキ下地層２の非回路部３と
なる部分に電磁波を照射して同メッキ下地層２を除去し
た後、残存した同メッキ下地層２にメッキを施して回路
部４を形成する回路板製造法において、絶縁性基板１が
スルーホール５を有するものであり、スルーホール５の
内面にエッチングされ難い材料でなる保護膜13を形成
し、この状態でメッキを施すことを特徴とするものであ
る。

【００６２】絶縁性基板１はＭＩＤ基板となるもので、
ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー等の電気絶縁性材料を用い、射出成形によって３
次元形状に形成されている。図１１（ａ）に示す如く、
絶縁性基板１は断面円形状のスルーホール５を有してい
るが、該スルーホール５は断面多角形状であっても良い
し、同絶縁性基板１に上下方向で貫通するように設けら
れるものであればその形状は限定されない。ここで、射
出成形された成形品は、アルカリ脱脂されてその表面に
付着した油分等を除去する洗浄が行われる。続いて、図
１１（ｂ）に示す如く、スタッパリング、例えば、ＤＣ
スタッパリング法或いはＲＦスタッパリング法によっ
て、絶縁性基板１の表面に銅膜で導電性膜となるメッキ
下地層２が形成される。この場合、下極台16上に絶縁性
基板１は載置され、上側の銅製のターゲット８との間で
スタッパリングが行われる。絶縁性基板１の表面に形成
されるメッキ下地層２の層厚は、 0.1〜2.0 μm 程度で
あることが好ましい。その後、図１１（ｃ）に示す如
く、前記導電性膜が形成されたスルーホール５に対し、
その内面にエッチングされ難い材料、例えば、金等でな
る保護膜13が形成される。

【００６３】次に、従来の技術におけると同様に、図１
６、１７に示す如く、メッキ下地層２が形成された絶縁
性基板１の表面に電磁波であるレーザＬが照射される。
この場合、レーザ発生機L1としては、第２或いは第３高
調波ＹＡＧレーザ、ＹＡＧレーザ等が好ましい。又、ガ
ルバノミラーL2で走査されることにより、メッキ下地層
２が形成された絶縁性基板１の表面のうち回路を形成す
る箇所である回路部４以外の部分、すなわち、回路部４
間の絶縁スペースとなる非回路部３においてレーザＬは
正確に移動されながら照射される。その際、非回路部３
の少なくとも回路部４との境界領域に非回路部３のパタ
ーンに沿ってレーザＬを照射することにより、非回路部
３の回路部４との境界領域のメッキ下地層２が除去され
る。

【００６４】次に、回路部４に給電を行い、電気銅メッ
キ、電気ニッケルメッキ、電気金メッキ等がこの順で施
されて、図１１（ｄ）に示す如く、所定厚の金属膜でな
る回路部４が形成された回路板が得られる。その際、ス
ルーホルー５の内面には上記保護膜13が形成されてい
て、該スルーホール５内にメッキ液が入り込んでも、酸
洗処理等でエッチングされることなくメッキが施され
る。なお、非回路部４に残存した金属膜は、必要に応じ
てソフトエッチング等で除去されても良い。以上の方法
により、スルーホール５内で断線不良を生じることなく
歩留り良くＭＩＤ基板を製造することができる。

【００６５】したがって、該実施形態の回路板製造法に
おいては、図１１（ｃ）（ｄ）に示す如く、スルーホー
ル５の内面にエッチングされ難い材料でなる保護膜13が
形成された状態でメッキが施されるので、メッキ時にメ
ッキ液がスルーホール５内に入り込んでも、同メッキ液
によるエッチングのダメージは起こり難くなり、回路断
線モード不良を軽減することができる。

【００６６】又、同実施形態の回路板製造法において、
スルーホール５の内面にエッチングされ難い材料でなる
保護膜13を形成するに際しては、図１〜４に示した逆ス
タッパリング法を採用し、トレー６（トレー６のスルー
ホール５に対応する部分のみでも可）をエッチングされ
難い材料、例えば、金等で形成して、該逆スタッパリン
グを通常のスタッパリングを行った後、メッキを施す前
に行うことによって保護膜13を形成しても良い。この場
合、上記図１〜４に示した逆スタッパリング法における
と同様の作用効果が奏される。又、スルーホール５の内
面にエッチングされ難い材料でなる保護膜13を形成する
に際し、図６〜８に示した、通常のスタッパリングの後
に行われる再度のスタッパリング法、或いは、真空加熱
蒸着法を採用し、該再度のスタッパリングにおけるター
ゲット８（凸片９を含む）或いは真空加熱蒸着における
ワイヤー11をエッチングされ難い材料、例えば、金等で
形成して、通常のスタッパリングを行った後、メッキを
施す前に同再度のスタッパリング或いは真空加熱蒸着を
行うことによって保護膜13を形成しても良い。この場
合、上記図６〜８に示した再度のスタッパリング法、或
いは、真空加熱蒸着法におけると同様の作用効果が奏さ
れる。

【００６７】又、同実施形態の回路板製造法において
は、スルーホール５の内面にエッチングされ難い材料で
なる保護膜13を形成するに際して、図１２（ｃ）（ｄ）
に示す如く、電磁波が照射されて回路形成された後、回
路部４に給電を行いフラッシュ金メッキを施すことによ
って、スルーホール５の内面を含めた絶縁性基板１の全
表面に保護膜13を形成し、その後に、通常通り電気銅メ
ッキ、電気ニッケルメッキ、電気金メッキ等のメッキを
施しても良い。この場合、スルーホール５の内面には極
薄い金メッキによる保護膜13が形成されて、メッキの前
処理として行われる硫酸処理等によってエッチングされ
ることがなくなる。なお、それ以外は、図１２（ａ）〜
（ｄ）に示す如く、上記図１１におけると同様であるの
でその説明を省略する。

【００６８】又、同実施形態の回路板製造法において
は、スルーホール５の内面に保護膜13を形成するに際し
て、図１３（ｃ）（ｄ）に示す如く、同保護膜13をエッ
チングされることのないSiO₂等でなる不導体膜として形
成しても良い。この場合にあっても、図１〜４に示した
逆スタッパリング法を採用し、トレー６（トレー６のス
ルーホール５に対応する部分のみでも可）をSiO₂等の不
導体で形成して、該逆スタッパリングを通常のスタッパ
リングを行った後、メッキを施す前に行うことによって
保護膜13を形成しても良い。この場合も、上記図１〜４
に示した逆スタッパリング法におけると同様の作用効果
が奏される。又、図６、７に示した、通常のスタッパリ
ングの後に行われる再度のスタッパリング法を採用し、
該再度のスタッパリングにおけるターゲット８（凸片９
を含む）をSiO₂等の不導体で形成して、通常のスタッパ
リングを行った後、メッキを施す前に同再度のスタッパ
リングを行うことによって保護膜13を形成しても良い。
この場合も、上記図６、７に示した再度のスタッパリン
グ法におけると同様の作用効果が奏される。なお、それ
以外は、図１３（ａ）〜（ｄ）に示す如く、上記図１１
におけると同様であるのでその説明を省略する。

【００６９】又、同実施形態の回路板製造法において、
スルーホール５の内面にエッチングされることのないSi
O₂等でなる不導体膜として保護膜13を形成する場合、図
１４（ｃ）（ｄ）に示す如く、通常のスタッパリングを
行った後、絶縁性基板１の表面のスルーホール５の内面
以外の部分をマスク10でマスキングした状態とし、チャ
ンバー28内にTEOS(Si(OC₂H₅)₄)ガスと0₂ガスをある混合
比で注入して、該チャンバー28内でＲＦプラズマＣＶＤ
法により同スルーホール５の内面にSiO₂膜として成膜さ
れる保護膜13を形成しても良い。この場合、アスペクト
比が大きいスルーホール５であっても、該スルーホール
５の内面に不導体でなる保護膜13を確実に厚く形成する
ことができる。なお、それ以外は、図１４（ａ）〜
（ｄ）に示す如く、上記図１１におけると同様であるの
でその説明を省略する。

【００７０】図１５は、本発明の請求項８に対応する更
に別の実施形態を示しており、該実施形態の回路板製造
法は、絶縁性基板１の表面にスタッパリングによりメッ
キ下地層２を形成し、該メッキ下地層２の非回路部３と
なる部分に電磁波を照射して同メッキ下地層２を除去し
た後、残存した同メッキ下地層２にメッキを施して回路
部４を形成する回路板製造法において、絶縁性基板１が
スルーホール５を有するものであり、メッキを施す際の
メッキアノード14にバー状部15を形成し、該バー状部15
をスルーホール５に挿通させた状態でメッキを施すこと
を特徴とするものである。

【００７１】絶縁性基板１はＭＩＤ基板となるもので、
ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー等の電気絶縁性材料を用い、射出成形によって３
次元形状に形成されている。図１５（ａ）に示す如く、
絶縁性基板１は断面円形状のスルーホール５を有してい
るが、該スルーホール５は断面多角形状であっても良い
し、同絶縁性基板１に上下方向で貫通するように設けら
れるものであればその形状は限定されない。ここで、射
出成形された成形品は、アルカリ脱脂されてその表面に
付着した油分等を除去する洗浄が行われる。

【００７２】続いて、図１５（ｂ）に示す如く、スタッ
パリング、例えば、ＤＣスタッパリング法或いはＲＦス
タッパリング法によって、絶縁性基板１の表面に銅膜で
導電性膜となるメッキ下地層２が形成される。この場
合、下極台16上に絶縁性基板１は載置され、上側の銅製
のターゲット８との間でスタッパリングが行われる。絶
縁性基板１の表面に形成されるメッキ下地層２の層厚
は、 0.1〜2.0 μm 程度であることが好ましい。

【００７３】次に、従来の技術におけると同様に、図１
６、１７に示す如く、メッキ下地層２が形成された絶縁
性基板１の表面に電磁波であるレーザＬが照射される。
この場合、レーザ発生機L1としては、第２或いは第３高
調波ＹＡＧレーザ、ＹＡＧレーザ等が好ましい。又、ガ
ルバノミラーL2で走査されることにより、メッキ下地層
２が形成された絶縁性基板１の表面のうち回路を形成す
る箇所である回路部４以外の部分、すなわち、回路部４
間の絶縁スペースとなる非回路部３においてレーザＬは
正確に移動されながら照射される。その際、非回路部３
の少なくとも回路部４との境界領域に非回路部３のパタ
ーンに沿ってレーザＬを照射することにより、非回路部
３の回路部４との境界領域のメッキ下地層２が除去され
る。

【００７４】次に、回路部４に給電され電気銅メッキが
行われるが、その際、図１５（ｃ）に示す如く、メッキ
液19が貯められたメッキ槽20内に絶縁性基板１は浸漬支
持されて、メッキアノード14に形成されたバー状部15が
スルーホール５に挿通された状態で同メッキは施され
る。この場合、バー状部15がスルーホール５の内面と平
行な極板となるので、該スルーホール５の内面における
銅の析出性が向上し、よって、メッキの成長し難い同ス
ルーホール５内の断線不良を防止することができる。そ
の後、通常通りに、電気ニッケルメッキ、電気金メッキ
等がこの順で施されて、図１５（ｄ）に示す如く、所定
厚の金属膜でなる回路部４が形成された回路板が得られ
る。なお、非回路部４に残存した金属膜は、必要に応じ
てソフトエッチング等で除去されても良い。以上の方法
により、スルーホール５内で断線不良を生じることなく
歩留り良くＭＩＤ基板を製造することができる。

【００７５】したがって、該実施形態の回路板製造法に
おいては、電気銅メッキが施される際、図１５（ｃ）に
示す如く、メッキアノード14に形成されたバー状部15が
スルーホール５に挿通された状態で同メッキが施される
ので、該スルーホール５内の金属イオンの減少が防止さ
れて、その内部でもメッキは成長し易くなり、同スルー
ホール５の内部でのメッキ効率が向上されて、メッキ液
によるエッチングのダメージは起こり難くなり、回路断
線モード不良が軽減される。

【００７６】

【発明の効果】上述の如く、本発明の請求項１記載の回
路板製造法においては、メッキを施す以前に通常のスタ
ッパリングとは別に、逆スタッパリングによってスルー
ホールの内面に導電性膜を厚く形成することができ、メ
ッキ液によるエッチングのダメージがあっても、回路断
線モード不良を軽減することができる。

【００７７】又、本発明の請求項２記載の回路板製造法
においては、上記の場合に、トレーに突設された凸起が
スルーホールに挿入された状態で逆スタッパリングが行
われて、同スルーホールの内面には確実により厚く導電
性膜が形成され、回路断線モード不良を更に軽減するこ
とができる。

【００７８】又、本発明の請求項３記載の回路板製造法
においては、ターゲットに突設された凸片がスルーホー
ルに挿入された状態でスタッパリングが行われ、該スタ
ッパリングによってスルーホールの内面にも確実に導電
性膜が厚く形成され、メッキ液によるエッチングのダメ
ージがあっても、回路断線モード不良を軽減することが
でき、工程が複雑化することもない。

【００７９】又、本発明の請求項４記載の回路板製造法
においては、他のメッキ下地層はマスキングにより所望
層厚のままにして、スルーホールの内面にのみ導電性膜
を厚く形成することができ、メッキ液によるエッチング
のダメージがあっても、回路断線モード不良を軽減する
ことができ、マスクが使用されるだけで従前の構造設備
をそのまま活用することができる。

【００８０】又、本発明の請求項５記載の回路板製造法
においては、アスペクト比が大きいスルーホールであっ
ても、該スルーホールの内面に真空加熱蒸着によって導
電性膜を確実に厚く形成することができ、メッキ液によ
るエッチングのダメージがあっても、回路断線モード不
良を軽減することができる。

【００８１】又、本発明の請求項６記載の回路板製造法
においては、スルーホール内に詰体が埋設された状態で
メッキが施され、メッキ時にメッキ液がスルーホール内
に入り込まないようになって、同メッキ液によるエッチ
ングが回避され、回路断線モード不良を軽減することが
できる。

【００８２】又、本発明の請求項７記載の回路板製造法
においては、スルーホールの内面にエッチングされ難い
材料でなる保護膜が形成された状態でメッキが施され、
メッキ時にメッキ液がスルーホール内に入り込んでも、
同メッキ液によるエッチングのダメージは起こり難くな
り、回路断線モード不良を軽減することができる。

【００８３】又、本発明の請求項８記載の回路板製造法
においては、メッキアノードに形成されたバー状部がス
ルーホールに挿通された状態でメッキが施されて、該ス
ルーホールの内部でもメッキは成長し易くなり、メッキ
液によるエッチングのダメージは起こり難くなって、回
路断線モード不良を軽減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である回路板製造法の各工
程における絶縁性基板の状態を示し、（ａ）は斜視図と
断面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は断面図、（ｄ）は断
面図と斜視図。

【図２】同実施形態に関連する回路板製造法を示す概略
断面図。

【図３】同実施形態に関連する別の回路板製造法を示す
概略断面図。

【図４】同実施形態に関連する更に別の回路板製造法を
示す概略断面図。

【図５】別の実施形態である回路板製造法の各工程にお
ける絶縁性基板の状態を示し、（ａ）は斜視図と断面
図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は断面図と斜視図。

【図６】更に別の実施形態である回路板製造法の各工程
における絶縁性基板の状態を示し、（ａ）は斜視図と断
面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は断面図、（ｄ）は断面
図と斜視図。

【図７】同実施形態に関連する回路板製造法を示す概略
断面図。

【図８】更に別の実施形態である回路板製造法の各工程
における絶縁性基板の状態を示し、（ａ）は斜視図と断
面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は断面図、（ｄ）は断面
図と斜視図。

【図９】更に別の実施形態である回路板製造法の各工程
における絶縁性基板の状態を示し、（ａ）は斜視図と断
面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は過程を説明する二つの
要部断面図、（ｄ）は断面図と斜視図。

【図１０】更に別の実施形態である回路板製造法の各工
程における絶縁性基板の状態を示し、（ａ）は斜視図と
断面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は過程を説明する二つ
の要部断面図、（ｄ）は断面図と斜視図。

【図１１】更に別の実施形態である回路板製造法の各工
程における絶縁性基板の状態を示し、（ａ）は斜視図と
断面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は要部断面図、（ｄ）
は断面図と斜視図。

【図１２】更に別の実施形態である回路板製造法の各工
程における絶縁性基板の状態を示し、（ａ）は斜視図と
断面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は要部断面図、（ｄ）
は断面図と斜視図。

【図１３】更に別の実施形態である回路板製造法の各工
程における絶縁性基板の状態を示し、（ａ）は斜視図と
断面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は要部断面図、（ｄ）
は断面図と斜視図。

【図１４】更に別の実施形態である回路板製造法の各工
程における絶縁性基板の状態を示し、（ａ）は斜視図と
断面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は断面図と要部断面
図、（ｄ）は断面図と斜視図。

【図１５】更に別の実施形態である回路板製造法の各工
程における絶縁性基板の状態を示し、（ａ）は斜視図と
断面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は断面図、（ｄ）は断
面図と斜視図。

【図１６】回路板製造法の概略工程を示す概略断面図。

【図１７】回路板製造法におけるレーザ照射装置を示す
概略斜視図。

【図１８】従来例である回路板製造法の問題となる過程
を示し、（ａ）（ｂ）（ｃ）各々各過程における要部断
面図。

【符号の説明】

１ 絶縁性基板 ２ メッキ下地層 ３ 非回路部 ４ 回路部 ５ スルーホール ６ トレー ７ 凸起 ８ ターゲット ９ 凸片 10 マスク 11 ワイヤー 12 詰体 13 保護膜 14 メッキアノード 15 バー状部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武藤 正英 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 浅岡 茂樹 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB03 BB12 BB13 BB15 CC33 CD27 CD32 GG20 5E343 AA07 AA16 AA18 BB23 BB24 BB44 DD23 DD25 DD43 ER25 GG20

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板の表面にスタッパリングによ
   りメッキ下地層を形成し、該メッキ下地層の非回路部と
   なる部分に電磁波を照射して同メッキ下地層を除去した
   後、残存した同メッキ下地層にメッキを施して回路部を
   形成する回路板製造法において、絶縁性基板がスルーホ
   ールを有するものであり、メッキを施す以前に、スタッ
   パリングを行うのと同一の導電性材料でなるトレー上に
   絶縁性基板を載置し、該トレーを逆スタッパリングして
   同スルーホールの内面に導電性膜を形成することを特徴
   とする回路板製造法。
2. 【請求項２】 トレーにこれと同一材料でなる凸起を突
   設し、該凸起をスルーホールに挿入させた状態で逆スタ
   ッパリングを行うことを特徴とする請求項１記載の回路
   板製造法。
3. 【請求項３】 絶縁性基板の表面にスタッパリングによ
   りメッキ下地層を形成し、該メッキ下地層の非回路部と
   なる部分に電磁波を照射して同メッキ下地層を除去した
   後、残存した同メッキ下地層にメッキを施して回路部を
   形成する回路板製造法において、絶縁性基板がスルーホ
   ールを有するものであり、スタッパリングを行う際のタ
   ーゲットにこれと同一材料でなる凸片を突設し、該凸片
   をスルーホールに挿入させた状態でスタッパリングを行
   うことを特徴とする回路板製造法。
4. 【請求項４】 絶縁性基板の表面にスタッパリングによ
   りメッキ下地層を形成し、該メッキ下地層の非回路部と
   なる部分に電磁波を照射して同メッキ下地層を除去した
   後、残存した同メッキ下地層にメッキを施して回路部を
   形成する回路板製造法において、絶縁性基板がスルーホ
   ールを有するものであり、スタッパリングを行う際に、
   まず、絶縁性基板の全表面にスタッパリングにより所望
   層厚のメッキ下地層を形成した後、同表面のスルーホー
   ルの内面以外の部分をマスクした状態で該スルーホール
   の内面のみを再びスタッパリングして、該内面に導電性
   膜を形成することを特徴とする回路板製造法。
5. 【請求項５】 絶縁性基板の表面にスタッパリングによ
   りメッキ下地層を形成し、該メッキ下地層の非回路部と
   なる部分に電磁波を照射して同メッキ下地層を除去した
   後、残存した同メッキ下地層にメッキを施して回路部を
   形成する回路板製造法において、絶縁性基板がスルーホ
   ールを有するものであり、スタッパリングを行う際に、
   まず、絶縁性基板の全表面にスタッパリングにより所望
   層厚のメッキ下地層を形成した後、スルーホール内に同
   スタッパリングを行うのと同一の導電性材料でなるワイ
   ヤーを挿通し、この状態で該ワイヤーに大電流を流し真
   空加熱蒸着させて同スルーホールの内面に導電性膜を形
   成することを特徴とする回路板製造法。
6. 【請求項６】 絶縁性基板の表面にスタッパリングによ
   りメッキ下地層を形成し、該メッキ下地層の非回路部と
   なる部分に電磁波を照射して同メッキ下地層を除去した
   後、残存した同メッキ下地層にメッキを施して回路部を
   形成する回路板製造法において、絶縁性基板がスルーホ
   ールを有するものであり、スルーホール内にメッキ液が
   入り込むのを阻止する詰体を埋設し、この状態でメッキ
   を施すことを特徴とする回路板製造法。
7. 【請求項７】 絶縁性基板の表面にスタッパリングによ
   りメッキ下地層を形成し、該メッキ下地層の非回路部と
   なる部分に電磁波を照射して同メッキ下地層を除去した
   後、残存した同メッキ下地層にメッキを施して回路部を
   形成する回路板製造法において、絶縁性基板がスルーホ
   ールを有するものであり、スルーホールの内面にエッチ
   ングされ難い材料でなる保護膜を形成し、この状態でメ
   ッキを施すことを特徴とする回路板製造法。
8. 【請求項８】 絶縁性基板の表面にスタッパリングによ
   りメッキ下地層を形成し、該メッキ下地層の非回路部と
   なる部分に電磁波を照射して同メッキ下地層を除去した
   後、残存した同メッキ下地層にメッキを施して回路部を
   形成する回路板製造法において、絶縁性基板がスルーホ
   ールを有するものであり、メッキを施す際のメッキアノ
   ードにバー状部を形成し、該バー状部をスルーホールに
   挿通させた状態でメッキを施すことを特徴とする回路板
   製造法。