JP2000100914A - 基板の吸着装置及び露光装置 - Google Patents

基板の吸着装置及び露光装置

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JP2000100914A
JP2000100914A JP10272108A JP27210898A JP2000100914A JP 2000100914 A JP2000100914 A JP 2000100914A JP 10272108 A JP10272108 A JP 10272108A JP 27210898 A JP27210898 A JP 27210898A JP 2000100914 A JP2000100914 A JP 2000100914A
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JP
Japan
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recess
wafer
substrate
center
annular
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JP10272108A
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English (en)
Inventor
Masahiro Kumagai
正浩 熊谷
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】投影露光装置等の基板を保持するホルダーにお
いて、基板裏面、若しくは端面より持ち込まれた異物を
除去する際に同心円上に凸部が形成されており、かつ材
質が金属、叉はセラミックであるため静電気吸着で取り
難い課題。 【解決手段】同心円上の凸部を千鳥状に切り欠く。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を製造す
るための半導体ウェハを平坦に吸着固定する装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の基板を加工する装置の投
影露光装置においては、基板を真空吸着して所定の平面
内に平坦化矯正する真空吸着ホルダーが使用されてい
る。特にこの装置では極限までの平坦化をする必要があ
る。投影露光装置は半導体の素子が描かれたレチクルを
用い、１／５叉は１／２に縮小し転写するための投影レ
ンズが設けられている。このレンズは広い画角をも持ち
つつ高い解像力を得るために年々高ＮＡ化され、それに
伴って焦点深度が少なくなっている。現在では２２ｍｍ
角の露光エリアで±０．７ｕｍ程度の焦点深度しか取れ
ない状態であり、下地を研磨して平坦化する技術も用い
ている。
【０００３】一方、露光領域全面において±０．７ｕｍ
の焦点深度しかないため、基板上の露光すべき１つの領
域全面は、投影レンズの最良結像面と正確に一致させる
必要がある。ところが、ウェハの表面は数十ｕｍ程度の
段差やそりがあるため確実なパターンを形成することが
困難である。
【０００４】そこで、図２（Ａ）に示すような中心から
同心円上に一定間隔の凸部を有するようなウェハホルダ
ー（真空チャック）１によってウェハＷを平坦化矯正す
ることが考えられている。このウェハホルダー１はステ
ッパーのウェハステージの最上部に投影レンズと対向す
るように設けられ、ウェーハステージとともに、投影レ
ンズ下を２次元移動する。この一連の動作により感光材
の塗られたウェハに素子を転写する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】素子形成を行う為の感
光材塗布工程、叉はそれ以前の処理において基板裏面へ
の異物付着があった場合に真空を用いウェハホルダーへ
基板を固定しているが故に大気開放後にホルダーへ異物
が残ることがある。この異物が次基板の処理において平
坦化を阻害し素子パターンの形成が出来ない事がある。
叉、材質が金属若しくはセラミックで作られてあること
により、静電気を帯びた異物はホルダーに残りやすく除
去が困難である。その為に真空吸着口位置、凸部の配置
等を変え異物によるウェハ平坦化の悪化を防ぐことはお
こなってはいるが、付着した異物の除去性は考慮されて
いない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のウェハチャック
は、中心より同心円上に形成された凸部の一部分へ凹部
を設けたことを特徴する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら実施例
によって詳細に説明する。
【０００８】図１は本発明に関わるウェハホルダの概略
図を示しており、１はウェハホルダー、２は受け渡し用
開口部、１ａは吸着口、１ｂは環状凸部、Ｗはウェハ、
Ｚは環状凹部である。さらに、Ｚ位置については隣接す
る場所が凹とならないように千鳥状に切り欠きを有す
る。なお、最外周凸部においては保持する目的のために
雰囲気圧を減圧としなければならないために同心円上と
しＺを設けない。
【０００９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よればウェハとの接触面を低減しつつも中心付近へ付着
した異物を凹箇所を通して外周方向へスライドさせ除去
することが出来る。ステッパーに組み込んだ場合はウェ
ハ裏面異物は吸着により押しつぶされることにより歩留
まり低下を少なくすることが期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明の実施例による吸着装
置（ホルダー）の構造を示す平面図と断面図。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は従来より考えられていた吸着
装置の構造を示す平面図と断面図。
【符号の説明】
１．ウェーハホルダー ２．受け渡し用開口部 １ａ．吸着口 １ｂ．環状凸部 Ｗ．ウェハ Ｚ．環状凹部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】全面に部分的な凸部が一定間隔で千鳥状に
    複数形成され、かつ基板を載置する載置面を有し、該凸
    部の周辺の凹部を雰囲気圧よりも減圧することによっ
    て、前記基板の裏面を吸着する装置。
  2. 【請求項２】前記複数個の凸部は前記載置面の中心から
    同心円状に配置され、外周へは１本程度の円周の凸部を
    設け、ある間隔で凹部を有する事を特徴とする請求項１
    記載の吸着装置。
  3. 【請求項３】前記凸部の断面は台形型を基本とし、基板
    と接する部位が底面より少である吸着装置。
  4. 【請求項４】前記凹部は、前記載置面の開口部であるこ
    とを特徴とする請求項１記載の吸着装置。
  5. 【請求項５】前記開口部は、前記基板の受け渡し用昇降
    機構が貫通する開口部であることを特徴とする請求項４
    記載の吸着装置。
  6. 【請求項６】前記開口部の周辺は、吸着するために円形
    の凸部を有することを特徴とする吸着装置。
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Effective date: 20060208