JP2000100724A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP2000100724A JP2000100724A JP26372798A JP26372798A JP2000100724A JP 2000100724 A JP2000100724 A JP 2000100724A JP 26372798 A JP26372798 A JP 26372798A JP 26372798 A JP26372798 A JP 26372798A JP 2000100724 A JP2000100724 A JP 2000100724A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- quartz boat
- boat
- quartz
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Abstract
(57)【要約】
【課題】反応管内において減圧下で半導体基板上に所要
物質の膜を化学的に気相成長させる装置において、半導
体基板を支持する石英ボートからの堆積膜の膜剥がれを
防止する。 【解決手段】石英ボート表面にブラスト処理と呼ばれる
加工を行うことで、表面に粗さを持たせる。 【効果】表面が滑らかな石英ボートに対し表面粗さを持
たせることで、石英ボートとボートに堆積した生成膜の
熱膨張係数の違いから生まれる界面の引張応力が緩和さ
れるため膜剥がれが起きにくくなり、パーティクルの発
生が抑えられる効果がある。
物質の膜を化学的に気相成長させる装置において、半導
体基板を支持する石英ボートからの堆積膜の膜剥がれを
防止する。 【解決手段】石英ボート表面にブラスト処理と呼ばれる
加工を行うことで、表面に粗さを持たせる。 【効果】表面が滑らかな石英ボートに対し表面粗さを持
たせることで、石英ボートとボートに堆積した生成膜の
熱膨張係数の違いから生まれる界面の引張応力が緩和さ
れるため膜剥がれが起きにくくなり、パーティクルの発
生が抑えられる効果がある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の、反応管内において減圧下で半導
体基板上に所要物質の膜を化学的に気相成長させる装置
では耐熱性が高く、熱膨張係数が低く、ガスに対する腐
食性が無く、そして高純度の材質のもの、主に石英を材
質とした図１に示すようなボートと呼ばれるものに半導
体基板を搭載し処理を行う。ボートはＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ
4、ＰＯＬＹ−Ｓｉ等化学的に気相成長される膜の種類
に限らず石英製のものを用い、表面は非常に滑らかなも
のを使用していた。
体基板上に所要物質の膜を化学的に気相成長させる装置
では耐熱性が高く、熱膨張係数が低く、ガスに対する腐
食性が無く、そして高純度の材質のもの、主に石英を材
質とした図１に示すようなボートと呼ばれるものに半導
体基板を搭載し処理を行う。ボートはＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ
4、ＰＯＬＹ−Ｓｉ等化学的に気相成長される膜の種類
に限らず石英製のものを用い、表面は非常に滑らかなも
のを使用していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】石英ボートは反応管内
において化学気相反応雰囲気に晒される為、半導体基板
上に成膜される物質と同じものが表面に堆積する。石英
ボートと同じ材質であるＳｉＯ2膜以外を堆積させた場
合、反応管から取り出す際に高温から室温まで冷却され
るため熱膨張係数の違いから石英ボート、堆積膜間に引
張応力が生じる。この引張応力により石英ボート表面に
堆積した膜が剥がれ、パーティクル発生の原因となって
いた。
において化学気相反応雰囲気に晒される為、半導体基板
上に成膜される物質と同じものが表面に堆積する。石英
ボートと同じ材質であるＳｉＯ2膜以外を堆積させた場
合、反応管から取り出す際に高温から室温まで冷却され
るため熱膨張係数の違いから石英ボート、堆積膜間に引
張応力が生じる。この引張応力により石英ボート表面に
堆積した膜が剥がれ、パーティクル発生の原因となって
いた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応管内にお
いて減圧下で半導体基板上に所要物質の膜を化学的に気
相成長させる半導体製造装置において、半導体基板を搭
載させるために用いられるボートの表面を加工すること
で膜剥がれを起こりにくくし、パーティクルの発生を抑
えるものである。滑らかなボートの表面にブラスト処理
を施し、予め表面にある程度の粗さを持たせておくこと
を特徴とする。
いて減圧下で半導体基板上に所要物質の膜を化学的に気
相成長させる半導体製造装置において、半導体基板を搭
載させるために用いられるボートの表面を加工すること
で膜剥がれを起こりにくくし、パーティクルの発生を抑
えるものである。滑らかなボートの表面にブラスト処理
を施し、予め表面にある程度の粗さを持たせておくこと
を特徴とする。
【０００５】
【作用】半導体基板を搭載させるボートの表面に予め粗
さを持たせておくことにより、ボート表面と化学的に気
相成長した膜の界面の接触表面積が増大する。これによ
り両者の熱膨張係数の違いから生じる引張応力が緩和さ
れ、膜剥がれが発生する現象を抑えることが可能とな
る。
さを持たせておくことにより、ボート表面と化学的に気
相成長した膜の界面の接触表面積が増大する。これによ
り両者の熱膨張係数の違いから生じる引張応力が緩和さ
れ、膜剥がれが発生する現象を抑えることが可能とな
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を説明する。
【０００７】図２は請求項１と２に記載の発明に係る半
導体製造装置の形態を示す図である。半導体基板は石英
ボートの溝部分に搭載される。反応管内に搬送されたボ
ートと基板表面には化学的気相成長により膜が生成され
る。このボート表面にブラスト処理と呼ばれる粒径１５
〜２０ミクロン程度の大きさの微細な粒子で磨くこと
で、図３に示すように表面に粗さを持たせておく。ただ
し、ボート底面にはブラスト処理は施さないでおく。こ
れはボートの下に通称キャップと呼ばれる断熱を目的と
した別の石英ユニットが装着されるためで、ボートとキ
ャップの擦れによるパーティクルの発生を起こさないた
めである。処理後室温まで冷やされると、石英に対しＳ
ｉＯ2以外の生成膜は熱膨張係数が大きいため界面に引
張応力が生じる。この引張応力をブラスト処理で緩和さ
せることでボートからの膜剥がれ、つまりパーティクル
の発生を抑えることが可能となる。
導体製造装置の形態を示す図である。半導体基板は石英
ボートの溝部分に搭載される。反応管内に搬送されたボ
ートと基板表面には化学的気相成長により膜が生成され
る。このボート表面にブラスト処理と呼ばれる粒径１５
〜２０ミクロン程度の大きさの微細な粒子で磨くこと
で、図３に示すように表面に粗さを持たせておく。ただ
し、ボート底面にはブラスト処理は施さないでおく。こ
れはボートの下に通称キャップと呼ばれる断熱を目的と
した別の石英ユニットが装着されるためで、ボートとキ
ャップの擦れによるパーティクルの発生を起こさないた
めである。処理後室温まで冷やされると、石英に対しＳ
ｉＯ2以外の生成膜は熱膨張係数が大きいため界面に引
張応力が生じる。この引張応力をブラスト処理で緩和さ
せることでボートからの膜剥がれ、つまりパーティクル
の発生を抑えることが可能となる。
【０００８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体製造
装置によれば、石英ボート表面に堆積した生成膜の膜剥
がれが防止され、パーティクル発生を抑えるという効果
がある。
装置によれば、石英ボート表面に堆積した生成膜の膜剥
がれが防止され、パーティクル発生を抑えるという効果
がある。
【図１】本発明の半導体製造装置における半導体基板を
搭載する石英ボートを示す図。
搭載する石英ボートを示す図。
【図２】本発明の実施の形態を示す反応管、石英類の全
体図。
体図。
【図３】本発明の実施の形態を示すブラスト処理後のボ
ート表面図。
ート表面図。
１ ボート ２ 支柱 ３ 半導体基板 ４ 反応管 ５ ヒーター ６ キャップ ７ 堆積膜 ８ ボート表面
Claims (2)
- 【請求項１】反応管内において減圧下で半導体基板上に
所要物質の膜を化学的に気相成長させる装置において、
半導体基板を支持する手段として石英ボートを使用する
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】反応管内において減圧下で半導体基板上に
所要物質の膜を化学的に気相成長させる装置において、
半導体基板を支持する石英ボート上に基板を複数搭載す
るバッチ処理を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26372798A JP2000100724A (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26372798A JP2000100724A (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000100724A true JP2000100724A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17393473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26372798A Pending JP2000100724A (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000100724A (ja) |
-
1998
- 1998-09-17 JP JP26372798A patent/JP2000100724A/ja active Pending
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