JP2000097998A - 半導体試験装置 - Google Patents

半導体試験装置

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JP2000097998A
JP2000097998A JP10264414A JP26441498A JP2000097998A JP 2000097998 A JP2000097998 A JP 2000097998A JP 10264414 A JP10264414 A JP 10264414A JP 26441498 A JP26441498 A JP 26441498A JP 2000097998 A JP2000097998 A JP 2000097998A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、システムLSIの試験が短時間で
できる半導体試験装置を提供する。 【解決手段】 ロジック部の試験パターン発生器と、メ
モリ部の試験パターン発生器と、アナログ部の試験ユニ
ットとを備えて、システムLSIを試験する半導体試験
装置において、ロジック部の前記試験パターン発生器を
制御して、ロジック部の試験を実行する第1のCPU
と、メモリ部の前記試験パターン発生器を制御して、メ
モリ部の試験を実行する第2のCPUと、アナログ部の
前記試験ユニットを制御して、アナログ部の試験を実行
する第3のCPUと、前記第1のCPUと、第2のCP
Uと、第3のCPUとを制御するテスタプロセッサとを
具備して、システムLSIのロジック部と、メモリ部
と、アナログ部とを同時に試験する解決手段。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被試験デバイスの
システムLSIを高スループットで試験できる半導体試
験装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来技術の例について、図3と図4とを
参照して説明する。最初に、従来の半導体試験装置の概
略ブロック構成と、被試験デバイスのシステムLSIに
ついて説明する。図3に示すように、従来の半導体試験
装置は、テスタプロセッサ10と、タイミングジェネレ
ータ21、22と、SQPG31と、ALPG32と、
MIXU33と、フォーマットコントロール41、42
と、デジタルコンペア51、52と、ピンエレクトロニ
クス60とにより構成している。
【0003】そして、被試験デバイスのシステムLSI
を試験している。また、システムLSIは、ロジック部
と、メモリ部と、アナログ部とで構成され、例えば12
8ピンある。但し、図を簡明とするために、図3のシス
テムLSIは、ロジック部のI/Oピンが1ピン、メモ
リ部のI/Oピンが1ピン、アナログ部の入力ピンが1
ピン、アナログ部の出力ピンが1ピンの合計4ピンとし
て、他のピンは省略している。
【0004】一般に、システムLSIの試験項目として
は、ロジック部の試験であるファンクションテストと、
メモリ部の試験であるメモリテストと、アナログ部の試
験であるアナログテストと、その他の試験がある。但
し、図と説明を簡明とするため、その他のテスト項目で
ある各部のピン共通の試験であるコンタクトチェック
と、DCパラメトリックテスト等と、その他の試験項目
に関するユニット等も省略している。次に、各ブロック
についての動作説明をする。
【0005】テスタプロセッサ10は、半導体試験装置
のSQPG31、ALPG32、MIXU33等の制御
をして試験プログラムを実行している。
【0006】タイミングジェネレータ21、22は、試
験のレートとなる基準クロックと、時間の基準となるタ
イミング信号とを発生する。
【0007】SQPG31は、シーケンシャルパターン
ジェネレータであり、試験パターンをバッファ・メモリ
に記憶しておき、バッファの内容を高速に出力して、ラ
ンダムなテストパターンを発生させるパターン発生器
で、ロジック部のパターン発生器として使用する。
【0008】ALPG32は、アルゴリズミックパター
ンジェネレータであり、試験パターンを内部の演算機能
を持ったレジスタを用いて、演算でパターンを発生する
パターン発生器で、メモリ部のパターン発生器として使
用する。
【0009】MIXU33は、ミクスドユニットであ
り、アナログ部の試験をおこなう信号発生ユニットと、
信号測定ユニットとにより構成している。例えば、信号
発生ユニットは、アナログ信号を発生するシンセサイ
ザ、任意波形発生器等がある。また、信号測定ユニット
は、例えばアナログ信号をサンプリングし、演算処理し
て信号解析するデジタイザがある。
【0010】フォーマットコントロール41、42は、
試験パターンを波形整形し、波形整形した試験パターン
をピンエレクトロニクス60に与える。
【0011】ピンエレクトロニクス60は、被試験デバ
イスの各ピンと接続された計測用回路で、ドライバD
と、コンパレータCと、アナログ信号を伝送する回路等
とで構成される。また、ピンエレクトロニクス60は、
試験チャンネルに対応して多数あり、例えば512チャ
ンネルある。
【0012】そして、ピンエレクトロニクス60のドラ
イバDは、試験パターンを所定の試験電圧レベルに増幅
して被試験デバイスの試験ピンに与える。また、ピンエ
レクトロニクス60のコンパレータCは、被試験デバイ
スから出力した出力信号と比較電圧とを比較し、論理レ
ベルのデータとしてデジタルコンペア51またはデジタ
ルコンペア52に出力する。
【0013】デジタルコンペア51は、コンパレータC
からの論理出力と、SQPG31から出力される期待値
の論理データとを論理比較し、その一致、不一致によ
り、被試験デバイスの良否判定を行う。
【0014】デジタルコンペア52は、コンパレータC
からの論理出力と、ALPG32から出力される期待値
の論理データとを論理比較し、その一致、不一致によ
り、被試験デバイスの良否判定を行う。
【0015】次に、被試験デバイスのシステムLSIを
試験する場合の試験ステップについて、図4のフローチ
ャートを参照して、箇条書きで以下説明する。なお、フ
ローチャートの数字はステップ番号である。
【0016】(1)システムLSIのロジック部のファ
ンクションテスト等を実行する(ステップ200)。
【0017】(2)ロジック部のテストがパスであれ
ば、ステップ220へすすみ、フェイルならばステップ
260へすすむ(ステップ210)。
【0018】(3)システムLSIのメモリ部の書き込
みと読み出し等によるメモリテストを実行する(ステッ
プ220)。
【0019】(4)メモリ部のテストがパスであれば、
ステップ240へすすみ、フェイルならばステップ26
0へすすむ(ステップ230)。
【0020】(5)システムLSIのアナログ部の入力
ピンに対する試験信号の発生と、出力ピンからの出力信
号の測定解析等によるテストを実行する(ステップ24
0)。
【0021】(6)アナログ部のテストがパスであれ
ば、ステップ270へすすみ、フェイルならばステップ
260へすすむ(ステップ250)。
【0022】(7)システムLSIの試験結果によりソ
ーティングする(ステップ260)。(4)さらに、次
の被試験デバイスのシステムLSIを試験するときは、
ステップ220にもどって試験を継続し、試験を継続し
ないときは終了(エンド)となる(ステップ270)。
【0023】以上によりシステムLSIの試験をおこな
うが、システムLSIはロジック部とメモリ部とアナロ
グ部とで構成されるので、試験時間が長くなることがあ
る。例えば、ロジック部のファンクションテストが5
秒、メモリ部のメモリテストが15秒、アナログ部のア
ナログテストが10秒であれば、試験時間は合計30秒
必要となる。
【0024】
【発明が解決しようとする課題】上記説明のように、シ
ステムLSIはロジック部とメモリ部とアナログ部とで
構成されるので、試験時間が長くなることがあり実用上
の不便があった。そこで、本発明は、こうした問題に鑑
みなされたもので、その目的は、システムLSIの試験
が短時間で実行できる半導体試験装置を提供することに
ある。
【0025】
【課題を解決するための手段】即ち、上記目的を達成す
るためになされた本発明は、ロジック部の試験パターン
発生器と、メモリ部の試験パターン発生器と、アナログ
部の試験ユニットとを備えて、システムLSIを試験す
る半導体試験装置において、ロジック部の前記試験パタ
ーン発生器を制御して、ロジック部の試験を実行する第
1のCPUと、メモリ部の前記試験パターン発生器を制
御して、メモリ部の試験を実行する第2のCPUと、ア
ナログ部の前記試験ユニットを制御して、アナログ部の
試験を実行する第3のCPUと、前記第1のCPUと、
第2のCPUと、第3のCPUとを制御するテスタプロ
セッサと、を具備して、システムLSIのロジック部
と、メモリ部と、アナログ部とを同時に試験することを
特徴とした半導体試験装置を要旨としている。
【0026】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態は、下記の実
施例において説明する。
【0027】
【実施例】本発明の実施例について、図1と図2とを参
照して説明する。最初に、本発明の半導体試験装置の概
略ブロック構成について説明する。図1に示すように、
本発明の半導体試験装置は、テスタプロセッサ10と、
タイミングジェネレータ21、22と、SQPG31
と、ALPG32と、MIXU33と、フォーマットコ
ントロール41、42と、デジタルコンペア51、52
と、ピンエレクトロニクス60との従来構成に、CPU
11と、CPU12と、CPU13とを追加して構成し
ている。そして、被試験デバイスのシステムLSIを試
験している。
【0028】また、システムLSIの試験項目として
は、ロジック部の試験であるファンクションテストと、
メモリ部の試験であるメモリテストと、アナログ部の試
験であるアナログテストがある。しかし、従来同様、図
と説明を簡明とするため、その他のテスト項目である各
部のピン共通の試験であるコンタクトチェックと、DC
パラメトリックテスト等と、その他の試験項目に関する
ユニット等も省略している。
【0029】従って、従来と同じ構成ブロックについて
の動作についての説明は省略する。
【0030】CPU11は、SQPG31を制御して、
システムLSIのロジック部の試験プログラムを実行す
る第1のプロセッサである。
【0031】CPU12は、ALPG32を制御して、
システムLSIのメモリ部の試験プログラムを実行する
第2のプロセッサである。
【0032】CPU13は、MIXU33を制御して、
システムLSIのアナログ部の試験プログラムを実行す
る第3のプロセッサである。
【0033】また、CPU11、CPU12、及びCP
U13は、テスタプロセッサ10により制御され、シス
テムLSIの試験プログラムを実行する。システムLS
Iの試験プログラムは、ロジック部、メモリ部、アナロ
グ部の各試験を同時に実行できるプログラムとして作成
する。
【0034】次に、被試験デバイスのシステムLSIを
試験する場合の試験ステップについて、図2のフローチ
ャートを参照して、箇条書きで以下説明する。なお、フ
ローチャートの数字はステップ番号である。
【0035】(1)システムLSIのロジック部、メモ
リ部、アナログ部の試験プログラムを実行して同時に試
験する(ステップ100)。
【0036】(2)ロジック部、メモリ部、アナログ部
のテストがすべて終了し、すべてパスしたならばステッ
プ130へすすみ、どれかのテストがフェイルしたなら
ばステップ120へすすむ(ステップ110)。
【0037】(3)システムLSIの試験結果によりソ
ーティングする(ステップ120)。
【0038】(4)さらに、次の被試験デバイスのシス
テムLSIを試験するときは、ステップ100にもどっ
て試験を継続し、試験を継続しないときは終了(エン
ド)となる(ステップ130)。
【0039】以上により、システムLSIの試験をおこ
なうが、システムLSIのロジック部とメモリ部とアナ
ログ部とを同時に試験しているので、試験時間は各部に
おけるテストのうちの最長時間に制限できる。例えば、
ロジック部のファンクションテストが5秒、メモリ部の
メモリテストが15秒、アナログ部のアナログテストが
10秒であれば、試験時間は15秒で終了する。
【0040】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。即ち、
システムLSIのロジック部とメモリ部とアナログ部と
を同時に試験しているので、試験時間は各部におけるテ
ストのうちの最長時間に制限できるので、試験時間が短
縮でき、スループットが向上する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体試験装置のブロック図である。
【図2】本発明の半導体試験のフローチャートである。
【図3】従来の半導体試験装置のブロック図である。
【図4】従来の半導体試験のフローチャートである。
【符号の説明】
10 テスタプロセッサ 11、12、13 CPU 21、22 タイミングジェネレータ 31 SQPG 32 ALPG 33 MIXU 41、42 フォーマットコントロール 51、52 デジタルコンペア 60 ピンエレクトロニクス

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ロジック部の試験パターン発生器と、メ
    モリ部の試験パターン発生器と、アナログ部の試験ユニ
    ットとを備えて、システムLSIを試験する半導体試験
    装置において、 ロジック部の前記試験パターン発生器を制御して、ロジ
    ック部の試験を実行する第1のCPUと、 メモリ部の前記試験パターン発生器を制御して、メモリ
    部の試験を実行する第2のCPUと、 アナログ部の前記試験ユニットを制御して、アナログ部
    の試験を実行する第3のCPUと、 前記第1のCPUと、第2のCPUと、第3のCPUと
    を制御するテスタプロセッサと、 を具備して、システムLSIのロジック部と、メモリ部
    と、アナログ部とを同時に試験することを特徴とした半
    導体試験装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7114110B2 (en) 2002-04-15 2006-09-26 Renesas Technology Corp. Semiconductor device, and the method of testing or making of the semiconductor device

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