JP2000087231A - ターゲットの製造方法 - Google Patents
ターゲットの製造方法Info
- Publication number
- JP2000087231A JP2000087231A JP10261261A JP26126198A JP2000087231A JP 2000087231 A JP2000087231 A JP 2000087231A JP 10261261 A JP10261261 A JP 10261261A JP 26126198 A JP26126198 A JP 26126198A JP 2000087231 A JP2000087231 A JP 2000087231A
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- Japan
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- target
- backing plate
- pressure welding
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ミクロ組織を変質することなく、ターゲット
材とバッキングプレートとを接合するターゲットの製造
方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、ターゲット材とバッキングプ
レートを摩擦圧接させて一体化することを特徴とするタ
ーゲットの製造方法である。
材とバッキングプレートとを接合するターゲットの製造
方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、ターゲット材とバッキングプ
レートを摩擦圧接させて一体化することを特徴とするタ
ーゲットの製造方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】スパッタリング法等で成膜を
行う際に用いられるターゲットの製造方法に関する。
行う際に用いられるターゲットの製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】スパッタリングによる成膜法は、半導体、
磁気ディスク、液晶などの製品の製造に用いられてお
り、一般的な成膜方法の１つである。スパッタリングの
際に、ターゲットは通常バッキングプレートと呼ばれる
支持部材に固定して、スパッタリングが一般的である。
ターゲットには種々の金属やセラミックなどであるが、
バッキングプレートにはターゲットからの放熱性を確保
するためアルミニウムや銅などの高熱伝導材料が用いら
れる。
磁気ディスク、液晶などの製品の製造に用いられてお
り、一般的な成膜方法の１つである。スパッタリングの
際に、ターゲットは通常バッキングプレートと呼ばれる
支持部材に固定して、スパッタリングが一般的である。
ターゲットには種々の金属やセラミックなどであるが、
バッキングプレートにはターゲットからの放熱性を確保
するためアルミニウムや銅などの高熱伝導材料が用いら
れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】最近、スパッタリング
時の電圧を高くするなどして成膜速度を速くし、生産性
を向上させるようになって来た。このために、ターゲッ
ト全体の温度が１００℃以上に加熱されるようになっ
た。このために、従来から異種の材料を容易に接合でき
るインジウムロウなどを用いたロウ付けでは、ロウ材の
軟化と熱応力によってスパッタリング中にバッキングプ
レートからターゲットが外れてしまうようになった。
時の電圧を高くするなどして成膜速度を速くし、生産性
を向上させるようになって来た。このために、ターゲッ
ト全体の温度が１００℃以上に加熱されるようになっ
た。このために、従来から異種の材料を容易に接合でき
るインジウムロウなどを用いたロウ付けでは、ロウ材の
軟化と熱応力によってスパッタリング中にバッキングプ
レートからターゲットが外れてしまうようになった。
【０００４】上記の問題を解決するために、これまで
に、ホットプレスや熱間静水圧プレスを用いた加熱拡散
接合などが提案されている。この方法では、ターゲット
材とバッキングプレートの接合強度は非常に強く、スパ
ッタリング中にターゲット材が外れるといった問題はな
い。しかし、これらの方法では、ある程度の温度で長時
間保持しなければならない。このために、製造コストが
高いといった問題や、場合によっては拡散接合中にター
ゲット材のミクロ組織が変化するといった問題が生じ
る。
に、ホットプレスや熱間静水圧プレスを用いた加熱拡散
接合などが提案されている。この方法では、ターゲット
材とバッキングプレートの接合強度は非常に強く、スパ
ッタリング中にターゲット材が外れるといった問題はな
い。しかし、これらの方法では、ある程度の温度で長時
間保持しなければならない。このために、製造コストが
高いといった問題や、場合によっては拡散接合中にター
ゲット材のミクロ組織が変化するといった問題が生じ
る。
【０００５】例えば、半導体用に用いられる純ＴｉやＣ
ｕターゲットには、良好な薄膜を得るために、ターゲッ
ト材のミクロ組織が微細粒であることが必要とされる。
この微細粒を得るためには、例えば冷間加工を高加工率
で行い、その後５００℃未満の低温で熱処理を行うとい
う手法を採用することができる。製造条件によっては熱
処理は３００℃未満の極低温の場合もある。これに対し
て、ターゲット材とバッキングプレートとの拡散接合を
現実的な処理時間で行うためには、５００℃以上の温度
で行う必要がある。そのため、従来の拡散接合ではター
ゲット材の微細な結晶粒を保つ製造が出来ない。
ｕターゲットには、良好な薄膜を得るために、ターゲッ
ト材のミクロ組織が微細粒であることが必要とされる。
この微細粒を得るためには、例えば冷間加工を高加工率
で行い、その後５００℃未満の低温で熱処理を行うとい
う手法を採用することができる。製造条件によっては熱
処理は３００℃未満の極低温の場合もある。これに対し
て、ターゲット材とバッキングプレートとの拡散接合を
現実的な処理時間で行うためには、５００℃以上の温度
で行う必要がある。そのため、従来の拡散接合ではター
ゲット材の微細な結晶粒を保つ製造が出来ない。
【０００６】さらに、ターゲットには９９．９９％以上
の純度が必要とされる場合が多く、非常に高価であり、
歩留まりが高いことは、製造コストを低くするためには
絶対に必要となる。しかし、熱間静水圧プレスでは変形
などが生じるために、歩留まりが低いといった問題もあ
る。
の純度が必要とされる場合が多く、非常に高価であり、
歩留まりが高いことは、製造コストを低くするためには
絶対に必要となる。しかし、熱間静水圧プレスでは変形
などが生じるために、歩留まりが低いといった問題もあ
る。
【０００７】
【問題を解決するための手段】本発明者は、摩擦圧接に
より、ターゲット材を接合する製造方法によって、上述
した問題が解決できることを見出した。すなわち本発明
は、ターゲット材とバッキングプレートを摩擦圧接させ
て一体化することを特徴とするターゲットの製造方法で
ある。
より、ターゲット材を接合する製造方法によって、上述
した問題が解決できることを見出した。すなわち本発明
は、ターゲット材とバッキングプレートを摩擦圧接させ
て一体化することを特徴とするターゲットの製造方法で
ある。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明者は、上述した問題を鑑
み、検討を行った。その結果、摩擦圧接によって、ター
ゲットとバッキングプレートの接合を行うことによって
解決できることを見出した。摩擦圧接とは、接合しよう
とする材料を回転させるなどして相対的に運動させなが
ら、かつ加圧させながら接合面を接触し、その際に発生
する摩擦熱によって、材料接合するものである。
み、検討を行った。その結果、摩擦圧接によって、ター
ゲットとバッキングプレートの接合を行うことによって
解決できることを見出した。摩擦圧接とは、接合しよう
とする材料を回転させるなどして相対的に運動させなが
ら、かつ加圧させながら接合面を接触し、その際に発生
する摩擦熱によって、材料接合するものである。
【０００９】この摩擦圧接の特徴でターゲットの接合時
に特に有益なものは、多くの種類の異種材料が容易かつ
高強度に接合できるため、ほとんどのターゲットとバッ
キングプレートなどの組み合わせで適応することが可能
であることである。また、温度が上昇する時間が非常に
短くかつ接触面付近が限定的に温度の影響を受けること
である。すなわち、摩擦圧接では、ターゲットの温度が
上昇する時間が非常に短く、かつ温度が上昇する部分が
少ない。このために、ターゲットの接合時に、ほとんど
のミクロ組織が変化することなく接合することが可能と
なり、ＴｉやＣｕなど再結晶温度が５００℃以下のター
ゲット材において、微細粒の組織を変質させることなく
ターゲット製造可能となる。
に特に有益なものは、多くの種類の異種材料が容易かつ
高強度に接合できるため、ほとんどのターゲットとバッ
キングプレートなどの組み合わせで適応することが可能
であることである。また、温度が上昇する時間が非常に
短くかつ接触面付近が限定的に温度の影響を受けること
である。すなわち、摩擦圧接では、ターゲットの温度が
上昇する時間が非常に短く、かつ温度が上昇する部分が
少ない。このために、ターゲットの接合時に、ほとんど
のミクロ組織が変化することなく接合することが可能と
なり、ＴｉやＣｕなど再結晶温度が５００℃以下のター
ゲット材において、微細粒の組織を変質させることなく
ターゲット製造可能となる。
【００１０】また、摩擦圧接は、数秒程度と非常に短い
接合時間しか必要としないことや、バリなどが若干しか
発生しないといった利点がある。すなわち、接合時間が
短いので、ＨＩＰやホットプレスによる拡散結合と比較
して格段に生産性が高い。また、バリなどが少ないこと
は、接合後の加工時間の短縮につながり、このことも生
産性を向上させる。さらに、バリが少なく、研削加工な
どが少ないということは、純度が高く非常に高価なター
ゲットの滅失向上や歩留まり向上に寄与し、生産コスト
の低減が可能となる。
接合時間しか必要としないことや、バリなどが若干しか
発生しないといった利点がある。すなわち、接合時間が
短いので、ＨＩＰやホットプレスによる拡散結合と比較
して格段に生産性が高い。また、バリなどが少ないこと
は、接合後の加工時間の短縮につながり、このことも生
産性を向上させる。さらに、バリが少なく、研削加工な
どが少ないということは、純度が高く非常に高価なター
ゲットの滅失向上や歩留まり向上に寄与し、生産コスト
の低減が可能となる。
【００１１】
【発明の効果】本発明でターゲットの接合を行うことに
よって、容易にこれまで得られなかったミクロ組織のタ
ーゲットが製造できるようになるだけでなく、製造コス
トを低減することが可能になる。よって、産業上非常に
有益である。
よって、容易にこれまで得られなかったミクロ組織のタ
ーゲットが製造できるようになるだけでなく、製造コス
トを低減することが可能になる。よって、産業上非常に
有益である。
Claims (1)
- 【請求項１】 ターゲット材とバッキングプレートを摩
擦圧接させて一体化することを特徴とするターゲットの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10261261A JP2000087231A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | ターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10261261A JP2000087231A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | ターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000087231A true JP2000087231A (ja) | 2000-03-28 |
Family
ID=17359377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10261261A Pending JP2000087231A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | ターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000087231A (ja) |
-
1998
- 1998-09-16 JP JP10261261A patent/JP2000087231A/ja active Pending
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