CN1849408A - 长寿命溅射靶 - Google Patents

长寿命溅射靶 Download PDF

Info

Publication number
CN1849408A
CN1849408A CNA2004800258554A CN200480025855A CN1849408A CN 1849408 A CN1849408 A CN 1849408A CN A2004800258554 A CNA2004800258554 A CN A2004800258554A CN 200480025855 A CN200480025855 A CN 200480025855A CN 1849408 A CN1849408 A CN 1849408A
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
insert
stand
described target
recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2004800258554A
Other languages
English (en)
Inventor
R·佩罗特
T·J·洪特
H·J·柯尼希斯曼
P·S·吉尔曼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Praxair ST Technology Inc
Praxair Technology Inc
Original Assignee
Praxair ST Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Praxair ST Technology Inc filed Critical Praxair ST Technology Inc
Publication of CN1849408A publication Critical patent/CN1849408A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/02Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a press ; Diffusion bonding
    • B23K20/023Thermo-compression bonding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

提供了一种制造溅射靶组件(20)的方法及其产品。所述方法包括制造靶座(26),所述靶座具有平面顶表面和其中的圆柱形凹部。随后制造接近最终形状的靶插入件(22),所述靶插入件具有对应于所述靶座(26)的所述圆柱形凹部(28)的截锥形后表面(24)和前表面。所述靶插入件(22)具有大于所述靶座(26)的屈服强度的屈服强度,和大于所述靶座(26)中的所述圆柱形凹部的深度的高度。其后,所述靶插入件(22)被热压进入所述靶座(26)的所述圆柱形凹部(28)内达到塑性变形状态以便将所述靶插入件(22)扩散结合到所述靶座(26)上并形成所述靶组件(20)。所述靶插入件(22)突出到所述靶座(26)的所述平面前表面之上。

Description

长寿命溅射靶
技术领域
本发明涉及凹进溅射靶的领域,且具体而言,本发明涉及一种制造凹进溅射靶的方法。
背景技术
在溅射靶的制造领域中,多种装置将靶材结合到靶座(backingplate)上。在历史上,靶制造者将靶焊接到靶座上。参见图1,通过将靶插入件12结合到靶座14上而形成常规溅射靶组件10。随着溅射温度的增高和靶尺寸的增加,焊接不能提供必要的结合,这是由于存在以下缺点:1)低熔化温度限制了室操作温度;2)焊料的高蒸气压力将杂质引入室内;和3)尤其是在高温条件下的低结合强度导致偶尔产生结合失效。由于脱落的靶不仅可损伤晶片,而且可损伤其支承静电卡盘,因此最重要的是避免产生结合失效。事实上,结合完整性对于溅射靶制造者而言如此重要以使得Hunt等在美国专利No.6,092,427中开发了一种专门用于制备和测试结合界面测评样品的方法。该方法用于测评溅射靶与靶座之间的结合强度。通过在一端形成的第一开口和被形成以将第一开口分成两个开口的螺纹开口去除材料样品。在这些开口上车螺纹并拉动螺纹开口实现对结合强度的测量。
鉴于上述问题,商业靶制造商已提出用于实现固体结合的多种解决方案。例如,H.Zhang在美国专利No.6,071,389中披露了使用钛中间层以将钴靶扩散结合到铝或铜靶座上。该工艺通过电镀、溅射、化学镀或等离子体喷涂沉积钛中间层。沉积出的钛结合到钴和靶座材料上。该工艺还依靠在靶和靶座内机加工出的用以进一步改进结合性能的沟槽。
Hunt等在美国专利Nos.5,836,506和6,073,830中披露了一种用于使圆柱形靶的背表面和侧表面粗糙化且将靶的背表面和侧表面扩散结合到靶座上的方法。该方法形成了固态结合且已经证明对于将靶紧固到靶座上最为有效。遗憾的是,由于靶优先从中心进行溅射,因此圆柱形靶在溅射过程中的产量或利用率远达不到百分之百。由于优先在中心区域进行溅射所致的低产量为改进的靶利用率留下了机会。
因此,为了开发具有改进的产量以及靶插入件与靶座之间的必要结合的溅射靶,本发明的一个目的在于增加溅射靶的材料利用率,由此降低了与频繁进行设计、制造和更换溅射设备中的溅射靶组件相关联的总成本。
本发明的另一个目的在于提供一种具有令人满意的构型且满足半导体工业总体需求的溅射靶组件。
本发明的又一个目的在于在由相似和不相似的材料制成的靶插入件与靶座之间提供令人满意的固态结合。
在阅读说明书、附图和所附权利要求之后,本领域的技术人员将易于理解本发明的其它目的和优点。
发明内容
通过本发明的方法和设备可满足前述目的。根据本发明的第一个方面,提供了一种制造溅射靶组件的方法。所述方法包括制造靶座,所述靶座具有平面顶表面和其中的圆柱形凹部。所述凹部具有一定深度和直径,且所述靶座具有一定屈服强度。随后制造出接近最终形状的靶插入件。所述靶插入件具有对应于所述靶座的所述圆柱形凹部的截锥形后表面和前表面。所述靶插入件进一步具有大于所述靶座屈服强度的屈服强度,和大于所述靶座中的所述圆柱形凹部的所述深度的高度。其后,所述靶插入件被热压进入所述靶座的所述圆柱形凹部内达到塑性变形状态以便将所述靶插入件扩散结合到所述靶座上并形成所述靶组件。所述靶插入件突出到所述靶座的所述平面前表面之上。
在本发明的另一个方面中,提供了一种溅射靶组件。所述组件包括具有平面前表面和所述前表面内的凹部的圆柱形靶座以及靶插入件。所述靶插入件具有大于所述靶座的所述凹部的深度的高度。所述靶插入件具有前表面和后表面,所述后表面至少约百分之五十的表面积是锥形的且所述后表面被结合到所述靶座上以将所述靶插入件紧固到所述靶座上。所述凹部塑性变形形成所述靶插入件的形状,从而形成所述靶组件且所述靶插入件突出到所述靶座的所述平面前表面之上。
在本发明的又一个方面中,提供了一种溅射靶组件。所述组件包括圆柱形靶座,所述圆柱形靶座具有平面前表面和所述前表面内的凹部,以及在所述靶座的所述凹部内结合到所述靶座上的靶插入件。所述靶插入件具有截锥形状的前表面和截锥形状的后表面,所述后表面至少约百分之六十的表面积是截锥形的且所述后表面被结合到所述靶座上以将所述靶插入件紧固到所述靶座上。所述凹部塑性变形形成所述靶插入件的形状,从而形成所述靶组件。
附图说明
通过结合附图对本发明的优选实施例进行的以下详细描述将更易于理解本发明的目的和优点,在所述附图中:
图1是示出了用于制造常规溅射靶组件的工艺的示意图;
图2是示出了制造长寿命溅射靶组件的工艺的示意图;
图3是图2所示靶组件的剖视示意图;和
图4是示出了根据另一个实施例的制造长寿命靶组件的工艺的示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种用于形成具有固态结合的溅射靶组件的方法。如图2所示,该工艺依靠具有锥形后表面24的靶插入件22和具有部分配合的圆柱形凹部28的靶座26。靶插入件22的高度优选高于凹部28的深度,由此靶插入件突出到靶座26的平面表面25之上。按照这种方式,靶的总厚度增加了约20%至约35%,而可利用的溅射靶材比相关靶组件增加了约50%至约100%。
在形成溅射靶组件中的靶的过程中,插入件22被压入圆柱形凹部28内且使靶座26变形,从而形成靶/靶座组件20。在该步骤中,截锥形表面24保持其形状且形成结合。所述结合将靶插入件22的锥形或截锥形后部24紧固到靶座26上。靶组件的溅射寿命延长至约1,400kWh与约1,600kWh之间,而常规靶组件具有约1,000kWh与约1,200kWh之间的溅射寿命。
生产渐缩或成一定角度的表面29的制造方法可包括但不限于机加工、锻造、压制、铸造、热等静压(HIP)粉末和旋压。有利地,该工艺包括将靶插入件直接压制成其锥形或部分锥形形状以消除机加工所导致产生的材料损失。最适当的方法取决于靶材。多种靶材适用于使靶热压或甚至冷压成形。这免去了机加工步骤且增加了产量。高产量对于高成本靶材,如高纯钨和钽而言非常重要。对于这些材料而言,将靶组件直接压制成其插件形状是生产靶的最有利的工艺路线。对于这些材料而言,与在对应于渐缩靶座的表面上机加工出渐缩靶插入件的方式相比,这显示出成本和时间上的明显节约。
此外,使用高纯度粉末如钨粉末允许制造者将粉末直接压缩成接近最终形状的靶插入件。
有利地,在压制过程中保持靶插入件和靶座的温度高于200℃达至少一小时改进了结合性能。最有利地,在至少400℃的温度下进行压制以进一步改进靶插入件的后表面与靶座之间的结合性能。
靶座26包含通过对靶座进行机加工而形成的圆柱形凹部28。最有利地,展性金属或合金如铝、铜、铝基合金或铜基合金形成了靶座。铝基合金如合金6061提供了必要的延性。此外,靶座在压制过程中应该具有小于靶材屈服强度的屈服强度。可选地,靶座凹部28中可包含正方形、渐缩或圆角。凹部28具有约等于渐缩插入件12的体积的体积。这提供了充分的结合,而不会诱发靶座产生过度变形。有利地,凹部28具有至少为渐缩插入件22体积的百分之九十的体积以防止在将渐缩插入件22压入凹部28内的过程中产生过度变形。相似地,凹部28有利地具有小于约百分之百的渐缩插入件22体积的体积以允许进行充分压制。最有利地,凹部28具有约等于渐缩靶插入件的体积的体积以限制应力和使结合性能达到最大限度。
将渐缩靶插入件压入凹部内形成了靶组件。在压制后,靶材保持其原始截锥形状。该步骤依靠热压,如真空热压或热等静压工艺,以形成最终组件。当所述组件在压力下受到加热时,靶座材料达到塑性变形状态,所述状态有利于形成坚固的固态结合。高温压制促进靶材与靶座进行反应。对于一些系统,即钛靶和铝靶座而言,使材料扩散和反应在一起有利于形成有助于结合强度的反应产物。
在压制后,靶组件准备进行精加工操作如最终靶机加工、抛光、清洗和在靶座内机加工出螺纹安装开口。
如图3所示,靶组件30有利地包含沿锥形界面34和截锥形界面36结合到靶座38上的靶插入件32。截锥形界面具有直径D且锥形界面形成了长度为L的环。长度L平行于截锥形界面36进行延伸。截锥形界面36包括至少约百分之五十的靶插入件与靶座之间的结合表面积。最有利地,其包括至少约百分之六十的靶插入件的总结合表面积。靶使用了达约百分之十五且高达百分之二十更少的材料以降低制造成本且实现与标准靶组件相同的利用率和设置。
图4示出了另一个可选实施例。靶插入件42在前表面和后表面上均具有靶组件40的截锥形构型。
结合界面不便于使用相配合的机加工沟槽,这是因为机加工沟槽可能与靶座的塑性变形产生抵触。然而,有利地,表面处理步骤使靶插入件和圆柱形凹部的侧表面和渐缩表面粗糙化以在要进行结合的表面上形成不均匀的表面形貌。容许的表面粗糙化技术包括,但不限于,颗粒喷射、喷丸处理和蚀刻。颗粒喷射技术中使用颗粒可选自包括,但不限于:粗砂、砂粒、玻璃珠和钢丸的组群。当部件在压制过程中受到加热时,该工艺导致相关结合表面产生细微破坏。最有利地,该工艺使用喷砂使靶插入件粗糙化从而促进形成所希望的固态结合。
接近最终形状的靶插入件42具有截锥形后部形状,所述形状沿前面提到的界面50与靶座48配合。根据本实施例,该接近最终形状的靶插入件42具有渐缩或成一定角度的前表面44。该前表面优选是截锥形的。此外,靶插入件42具有大于靶座48屈服强度的屈服强度,和大于靶座48中的圆柱形凹部的深度的高度。如上面讨论地,用于靶座和靶插入件的材料可以是结合前面的实施例提到的材料中的任一种材料。在通过热压工艺(例如真空热压、热等静压工艺)将靶插入件42压入靶座48内之后,靶座材料达到塑性变形状态,这使得其间形成了坚固结合。最终溅射靶组件中的靶插入件突出到靶座48的平面表面49之上。因此,与提供约1,000kWh至1,200kWh的溅射寿命的常规靶组件相对地,靶的溅射寿命增加至2,400kWh。将结合下列实例对本发明的方法和溅射靶组件进行进一步详细地描述,然而,所述实例不应被解释为是对本发明的限制。
实例
具有13.572″(34.5cm)的直径×0.750″(1.9cm)的厚度的商用99.99%纯的钛盘在后结合表面上加工出3°的角度。该圆盘的后结合表面形成类似锥形的形状。钛盘被安放在6061-T6铝盘内机加工出的圆柱形凹部中。该凹部包含等于钛靶插入件体积的体积。在15ksi(103MPa)且在510℃的温度下进行达2小时的热等静压工艺,将插入件结合到靶座上。铝盘在热等静压循环过程中变得具有塑性且与渐缩钛靶的3°角度的形状相一致。在热等静压工艺过程中发生的塑性变形确保了紧固固态结合。通过超声波试验、拉伸试验和金相方法对该结合性能进行测评确认结合完整性和强度。
在热等静压后进行的超声波试验分析显示靶座与靶之间存在百分之百结合。此外,超声波试验显示在靶的边缘区域中存在微小孔隙。
金相分析显示存在一致结合界面,所述界面具有由于凹进靶座的正方形角未完全挤压出或变形所致的一个小孔隙。该孔隙的位置和尺寸对于靶的性能不会产生影响。此外,底壁和侧壁结合等效于通过扩散结合技术实现的一体固态结合。此外,随后的试验表明位于凹部侧壁处的圆角消除了任何孔隙。
根据双螺纹开口样品方法进行的两次拉伸试验证实存在优良结合。切过结合界面的两个样品均具有铝断口。第一个样品在1,920lbs(13.2MPa)的压力下断裂。第二个样品在1,830lbs(12.6MPa)的压力下断裂。
尽管给出了钛靶的实例,但值得注意的是,该工艺对于适用作溅射靶的任何合金或组合物如铝、钛、铜、铬、钴、镍和钽的溅射靶具有相似的有效性。此外,该工艺对于靶材和靶座是相似或不相似合金的情况都有效。例如,有可能将铝合金靶安放在铝靶座中或铜靶座中。
所述渐缩的靶设计使用制造友好的工艺使相应的靶座凹进且易于适合多种类型的制造设备。该工艺还消除了对靶座坯料进行专门的成本密集型机加工的需要且减少了制造所需的时间。此外,其允许制造在边缘处具有减少(通常为20-35%)的厚度的溅射靶。由于该靶组件优先从其中心进行溅射,因此该靶无需改变标准工作状态。可选地,与常规圆柱形靶插入件相比,该设计增加了靶材的厚度,而没有改变溅射系统的标准溅射过程。此外,其通过降低所需的靶材用量而增加了溅射工具生产率,由此降低了成本。最后,该工艺还有利于形成坚固的真空相容结合。这些结合可比实际靶座本身具有更高的强度。最后,该工艺减少了新型设计和产品所需的设计和制造时间。
可在不偏离本发明的范围的情况下,作出本发明的多种可能的实施例和溅射靶构型,因此应该理解在此阐述的所有内容应被解释为是示例性的且不以任何方式进行限制。

Claims (10)

1、一种制造溅射靶组件的方法,包括以下步骤:
a)制造靶座,所述靶座具有平面顶表面和其中的圆柱形凹部,所述凹部具有一定深度和直径,且所述靶座具有一定屈服强度;
b)制造接近最终形状的靶插入件,其中所述靶插入件具有对应于所述靶座的所述圆柱形凹部的截锥形后表面和前表面,所述靶插入件进一步具有大于所述靶座屈服强度的屈服强度,和大于所述靶座中的所述圆柱形凹部的所述深度的高度;并且
c)将所述靶插入件热压进入所述靶座的所述圆柱形凹部内达塑性变形状态以便将所述靶插入件扩散结合到所述靶座上并形成所述靶组件,其中所述靶插入件突出到所述靶座的所述平面前表面之上。
2、根据权利要求1所述的方法,其中至少百分之五十的所述截锥形后表面结合到所述靶座上。
3、根据权利要求1所述的方法,包括保持所述靶插入件和所述靶座的温度高于200℃达至少一小时以改进所述靶插入件的所述截锥形后表面与所述靶座之间的结合性能的附加步骤。
4、根据权利要求1所述的方法,其中所述圆柱形凹部具有一定体积且所述靶插入件具有一定体积;且所述圆柱形凹部具有约百分之九十与约百分之百之间的所述靶插入件的所述体积的体积。
5、一种溅射靶组件,包括:
圆柱形靶座,所述圆柱形靶座具有平面前表面和所述前表面内的凹部;和
靶插入件,所述靶插入件具有大于所述靶座的所述凹部的深度的高度,所述靶插入件具有前表面和后表面,所述后表面至少约百分之五十的表面积是锥形的且所述后表面被结合到所述靶座上以将所述靶插入件紧固到所述靶座上,其中所述凹部塑性变形形成所述靶插入件的形状,从而形成所述靶组件,且其中所述靶插入件突出到所述靶座的所述平面前表面之上。
6、根据权利要求5所述的溅射靶,其中所述凹部具有与所述靶插入件的所述形状相符合的形状。
7、根据权利要求5所述的溅射靶,其中锥形界面将所述靶插入件结合到所述靶座上。
8、一种溅射靶组件,包括:
圆柱形靶座,所述圆柱形靶座具有平面前表面和所述前表面内的凹部;和
在所述靶座的所述凹部内结合到所述靶座上的靶插入件,所述靶插入件具有截锥形状的前表面和截锥形状的后表面,所述后表面至少约百分之六十的表面积是锥形的且所述后表面被结合到所述靶座上以将所述靶插入件紧固到所述靶座上且形成所述靶组件,其中所述凹部塑性变形形成所述靶插入件的形状,从而形成所述靶组件。
9、根据权利要求8所述的溅射靶,其中所述凹部具有与所述靶插入件的所述形状相符合的形状。
10、根据权利要求8所述的溅射靶,其中所述靶插入件的所述前表面突出到所述靶座的所述平面顶表面之上。
CNA2004800258554A 2003-09-09 2004-08-26 长寿命溅射靶 Pending CN1849408A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/657,085 2003-09-09
US10/657,085 US20050051606A1 (en) 2003-09-09 2003-09-09 Method of manufacturing an extended life sputter target assembly and product thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1849408A true CN1849408A (zh) 2006-10-18

Family

ID=34226490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2004800258554A Pending CN1849408A (zh) 2003-09-09 2004-08-26 长寿命溅射靶

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20050051606A1 (zh)
EP (1) EP1670967B1 (zh)
JP (1) JP4902860B2 (zh)
KR (1) KR101117415B1 (zh)
CN (1) CN1849408A (zh)
DE (1) DE602004023630D1 (zh)
IL (1) IL173989A (zh)
SG (1) SG149008A1 (zh)
TW (1) TWI352130B (zh)
WO (1) WO2005026406A1 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101811209A (zh) * 2010-04-14 2010-08-25 宁波江丰电子材料有限公司 靶材组件的制作方法
CN101745734B (zh) * 2009-12-18 2011-09-07 北京有色金属研究总院 一种大面积靶材与背板的快速焊接方法
CN102345100A (zh) * 2010-07-29 2012-02-08 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 铝铈金属靶材及利用该铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法
CN103343321A (zh) * 2012-03-12 2013-10-09 有研亿金新材料股份有限公司 一种制造溅射靶材的方法
CN104125870A (zh) * 2012-02-14 2014-10-29 东曹Smd有限公司 低偏转溅射靶组件及其制造方法
CN106462789A (zh) * 2014-05-30 2017-02-22 东曹Smd有限公司 用于溅射靶的射频识别的金属体内安装和隔离物
CN108350566A (zh) * 2016-07-13 2018-07-31 住友化学株式会社 溅射靶的制造方法及溅射靶
CN108350565A (zh) * 2016-07-13 2018-07-31 住友化学株式会社 溅射靶的制造方法及溅射靶

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1715077A4 (en) * 2003-12-25 2010-09-29 Nippon Mining Co ARRANGEMENT OF COPPER OR COPPER ALLOY STARGET AND COPPER ALLOY CARRIER PLATE
US8123107B2 (en) * 2004-05-25 2012-02-28 Praxair S.T. Technology, Inc. Method for forming sputter target assemblies
US20070251819A1 (en) * 2006-05-01 2007-11-01 Kardokus Janine K Hollow cathode magnetron sputtering targets and methods of forming hollow cathode magnetron sputtering targets
US8206646B2 (en) * 2006-12-22 2012-06-26 Praxair Tecnology, Inc. Method for consolidating and diffusion-bonding powder metallurgy sputtering target
US8702919B2 (en) * 2007-08-13 2014-04-22 Honeywell International Inc. Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof
JP2009144186A (ja) * 2007-12-12 2009-07-02 Takeuchi Kogyo:Kk スパッタリング用ターゲット部材およびその製造法
CA2730028A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-14 Engineered Products Switzerland Ag A fusion welding process to join aluminium and titanium
US8992747B2 (en) * 2010-03-12 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for improved darkspace gap design in RF sputtering chamber
US10138544B2 (en) 2011-06-27 2018-11-27 Soleras, LTd. Sputtering target
WO2013005827A1 (ja) * 2011-07-07 2013-01-10 住友化学株式会社 スパッタリングターゲット
JP2015229782A (ja) * 2014-06-04 2015-12-21 日新電機株式会社 スパッタリングターゲット収納容器、およびスパッタリング装置
KR102015609B1 (ko) * 2015-07-24 2019-08-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 열 민감성 접합 금속 타겟들의 냉각 및 활용도 최적화
JP7201595B2 (ja) * 2017-08-01 2023-01-10 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜の成膜方法、およびバッキングプレート
CN110029316A (zh) * 2018-01-11 2019-07-19 合肥江丰电子材料有限公司 长寿命lcd靶材组件及其形成方法
KR102602409B1 (ko) 2019-03-28 2023-11-16 제이엑스금속주식회사 스퍼터링 타깃 제품 및 스퍼터링 타깃 제품의 재생품을 제조하는 방법
US11754691B2 (en) 2019-09-27 2023-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Target measurement device and method for measuring a target
US11492699B2 (en) * 2021-02-17 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Substrate temperature non-uniformity reduction over target life using spacing compensation
CN113275731A (zh) * 2021-05-19 2021-08-20 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种钼靶材与背板的扩散焊接方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5215639A (en) * 1984-10-09 1993-06-01 Genus, Inc. Composite sputtering target structures and process for producing such structures
US5226469A (en) * 1987-07-01 1993-07-13 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Composite structures and methods of manufacturing the same
JPH06128738A (ja) * 1992-10-20 1994-05-10 Mitsubishi Kasei Corp スパッタリングターゲットの製造方法
US5522535A (en) * 1994-11-15 1996-06-04 Tosoh Smd, Inc. Methods and structural combinations providing for backing plate reuse in sputter target/backing plate assemblies
US6073830A (en) * 1995-04-21 2000-06-13 Praxair S.T. Technology, Inc. Sputter target/backing plate assembly and method of making same
US5674367A (en) * 1995-12-22 1997-10-07 Sony Corporation Sputtering target having a shrink fit mounting ring
US5836505A (en) * 1996-05-07 1998-11-17 Commissariat A L'energie Atomique Joining by brazing of ceramic materials containing silicon carbide
US6071389A (en) * 1998-08-21 2000-06-06 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonded sputter target assembly and method of making
DE69930859T2 (de) * 1998-09-11 2007-05-16 Tosoh SMD, Inc., Grove City Verbindungsverfahren für ein niedrigtemperatursputtertarget und so hergestelltes niedrigtemperatursputtertarget
US6092427A (en) * 1999-09-15 2000-07-25 Praxair S.T. Technology, Inc. Method of testing a bond interface
US6599405B2 (en) * 2001-05-30 2003-07-29 Praxair S.T. Technology, Inc. Recessed sputter target

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101745734B (zh) * 2009-12-18 2011-09-07 北京有色金属研究总院 一种大面积靶材与背板的快速焊接方法
CN101811209A (zh) * 2010-04-14 2010-08-25 宁波江丰电子材料有限公司 靶材组件的制作方法
CN102345100A (zh) * 2010-07-29 2012-02-08 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 铝铈金属靶材及利用该铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法
CN102345100B (zh) * 2010-07-29 2013-10-09 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 铝铈金属靶材及利用该铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法
CN104125870A (zh) * 2012-02-14 2014-10-29 东曹Smd有限公司 低偏转溅射靶组件及其制造方法
US9831073B2 (en) 2012-02-14 2017-11-28 Tosoh Smd, Inc. Low deflection sputtering target assembly and methods of making same
CN103343321A (zh) * 2012-03-12 2013-10-09 有研亿金新材料股份有限公司 一种制造溅射靶材的方法
CN106462789A (zh) * 2014-05-30 2017-02-22 东曹Smd有限公司 用于溅射靶的射频识别的金属体内安装和隔离物
CN108350566A (zh) * 2016-07-13 2018-07-31 住友化学株式会社 溅射靶的制造方法及溅射靶
CN108350565A (zh) * 2016-07-13 2018-07-31 住友化学株式会社 溅射靶的制造方法及溅射靶
TWI637074B (zh) * 2016-07-13 2018-10-01 日商住友化學股份有限公司 濺鍍靶之製造方法及濺鍍靶
CN108350566B (zh) * 2016-07-13 2019-08-23 住友化学株式会社 溅射靶的制造方法及溅射靶
US10737352B2 (en) 2016-07-13 2020-08-11 Sumitomo Chemical Company, Limited Process for producing sputtering target and sputtering target
CN108350565B (zh) * 2016-07-13 2021-05-18 住友化学株式会社 溅射靶的制造方法及溅射靶
CN113215540A (zh) * 2016-07-13 2021-08-06 住友化学株式会社 溅射靶及溅射靶制造用接合体
TWI772313B (zh) * 2016-07-13 2022-08-01 日商住友化學股份有限公司 濺鍍靶之製造方法、濺鍍靶、及濺鍍靶製造用接合體
CN113215540B (zh) * 2016-07-13 2023-12-08 住友化学株式会社 溅射靶及溅射靶制造用接合体

Also Published As

Publication number Publication date
EP1670967A4 (en) 2007-07-25
EP1670967A1 (en) 2006-06-21
KR20060073616A (ko) 2006-06-28
DE602004023630D1 (de) 2009-11-26
JP2007505217A (ja) 2007-03-08
US20050051606A1 (en) 2005-03-10
EP1670967B1 (en) 2009-10-14
TWI352130B (en) 2011-11-11
TW200514862A (en) 2005-05-01
IL173989A0 (en) 2006-07-05
SG149008A1 (en) 2009-01-29
JP4902860B2 (ja) 2012-03-21
WO2005026406A1 (en) 2005-03-24
KR101117415B1 (ko) 2012-02-29
IL173989A (en) 2010-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1849408A (zh) 长寿命溅射靶
CN1229515C (zh) 带凹槽的溅射靶
JP7094285B2 (ja) 多峰性の粒径分布を有するスパッタトラップ
KR101920170B1 (ko) 스퍼터링용 타깃재와 그 제조 방법
JPH10158829A (ja) スパッタリングターゲット組立体の製造方法
US20120228131A1 (en) Method for consolidating and diffusion-bonding powder metallurgy sputtering target
KR20010075045A (ko) 스퍼터링 타겟트
US20040009087A1 (en) Physical vapor deposition targets, and methods of forming physical vapor deposition targets
TWI684660B (zh) TiW合金靶材及其製造方法
KR20050098002A (ko) 스퍼터링 대상물용 금속 블랭크를 형성하는 방법
EP3080330B1 (en) Diffusion bonded copper sputtering target assembly.
US20040134776A1 (en) Assemblies comprising molybdenum and aluminum; and methods of utilizing interlayers in forming target/backing plate assemblies
US6723213B2 (en) Titanium target assembly for sputtering and method for preparing the same
JPH09209136A (ja) スパッタリング用チタンターゲット組立体の製造方法およびスパッタリング用チタンターゲット組立体
CN115090716A (zh) 一种碳碳化硅方形靶材组件的热校正方法
JP2000087231A (ja) ターゲットの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20061018