CN102345100A - 铝铈金属靶材及利用该铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法 - Google Patents

铝铈金属靶材及利用该铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102345100A
CN102345100A CN201010240059XA CN201010240059A CN102345100A CN 102345100 A CN102345100 A CN 102345100A CN 201010240059X A CN201010240059X A CN 201010240059XA CN 201010240059 A CN201010240059 A CN 201010240059A CN 102345100 A CN102345100 A CN 102345100A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cerium
aluminium
metal target
cerium metal
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201010240059XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN102345100B (zh
Inventor
张新倍
陈文荣
蒋焕梧
陈正士
张�成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changsha Xinkang Advanced Material Corp ltd
Original Assignee
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd, Hon Hai Precision Industry Co Ltd filed Critical Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority to CN 201010240059 priority Critical patent/CN102345100B/zh
Publication of CN102345100A publication Critical patent/CN102345100A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102345100B publication Critical patent/CN102345100B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种铝铈金属靶材。该铝铈金属靶材包括一铝板和若干铈块,该铝板上设有若干通孔,该若干铈块镶嵌于该若干通孔内。本发明将铈块以镶嵌的方式安装于铝靶上,通过对通孔的数量的设置而较易改变靶材中的元素的比例,从而,更加灵活控制铝铈金属膜层性能,该铝铈金属靶材加工成本低,工艺简单。此外,本发明还提供一种利用所述铝铈金属靶材制作一铝铈膜的方法。

Description

铝铈金属靶材及利用该铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法
技术领域
本发明涉及一种铝铈金属靶材及利用该铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法。
背景技术
铝合金具有很高的强度以及较低的密度,应用非常广泛。然而,未经过表面处理的铝合金的耐腐蚀性较差。为了提高耐腐蚀性能,通常需要在铝合金表面设置一保护层。
在上世纪八十年代中期,铈转化膜做为一种很有前景的防腐涂层,得到了广泛的研究。但是,现有技术中制作的铈转化膜存在许多不足之处,如涂层不均匀,存在贯穿至基材的微观缺陷等。这些缺陷为腐蚀性介质的传播提供了通路,最终导致材料的腐蚀和失效。
磁控溅射作为一种膜层制备技术,已经得到广泛的应用采用磁控溅射技术制备的铝-铈薄膜作为铝合金的防腐涂层效果显著。但是,现有技术中一般是采用粉末冶金的方法来制作铝铈合金靶材,这种方法对靶材的加工工艺要求高,加工难度大,并且在使用过程中改变合金中的元素的比例困难,还会影响所生成的铝-铈薄膜性能的稳定性。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种铝铈金属靶材,该铝铈金属靶材的制作工艺简单,且靶材中的各金属元素的比例容易控制,加工成本低。
另外,还提供一种利用上述铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法。
一种铝铈金属靶材,该铝铈金属靶材包括一铝板和若干铈块,该铝板上设有若干通孔,该若干铈块镶嵌于该若干通孔内。
一种利用上述铝-铈金属靶材制作铝铈膜的方法,包括以下步骤:
提供一基材,将该基材放入一镀膜机的真空室内,使用铝铈金属靶,设置氩气流量至50~300sccm,对铝铈金属靶施加-100~-400V的偏压,通过磁控溅射镀膜方法在该基材上形成一铝铈膜层。
相较于现有技术,本发明将铈块以镶嵌的方式安装于铝靶上,通过对通孔的数量的设置而较易改变靶材中的元素的比例,该铝一铈靶材成本低,加工简单。
附图说明
图1为本发明一较佳实施例的铝铈金属靶材的分解示意图。
图2为图1中铝铈金属靶材的组合示意图。
图3为本发明一较佳实施例的铝铈膜层的结构示意图。
主要元件符号说明
铝铈金属靶材        100
基材                11
铝铈膜              13
铝板                20
通孔                21
铈块                30
具体实施方式
请参阅图1及图2,本发明一较佳实施方式的铝铈金属靶材100包括一铝板20和若干个铈块30。
该铝板20大致为一长方形,其开设有若干个通孔21。该若干通孔21均匀分布于所述铝板20上。
所述若干铈块30镶嵌并固定于该若干通孔21中。该通孔21的数量可根据所述铝铈金属靶材100中铝与铈的质量比来设定。
本较佳实施方式中所述铈块30占所述铝铈金属靶材100的质量百分含量为5%~40%。所述若干通孔21均匀分布于所述铝板20上,可保证以该铝铈金属靶材100所镀制的膜层的均匀性。
请参阅图3,本发明一较佳实施方式的利用上述铝铈金属靶材100制作一铝铈膜13的方法包括如下步骤:
提供一基材11。所述基材11的材质可以是铝合金、镁合金等材料,也可是陶瓷、玻璃等非金属材料。
对该基材11进行表面预处理。
将基材11放入盛装有乙醇和/或丙酮溶液的超声波清洗器中进行震动清洗,以除去基材11表面的杂质和油污等。
将经上述清洗后的基材11放入一磁控溅射镀膜机(图未示)中,将所述铝铈金属靶材100置于该镀膜机的弧源位置上。该铝铈金属靶材100中铈的质量百分含量为5~40%。
抽真空该磁控溅射镀膜机的真空室至8.0×10-3Pa,通入50~400sccm的高纯氩气(99.999%),对基材11施加-30~-0600V的偏压,对基材11进行离子清洗,清洗时间为5~10分钟。
调节氩气流量至50~300sccm,对铝铈合金靶施加-100~-400V的偏压,开启所述铝铈金属靶材100的电源并设置其功率为2~12kw,于所述基材11上沉积一铝铈膜13。所述铝铈膜13的厚度可为1~5微米。
经过实验验证,所述的铝铈膜13可经受48小时的盐雾测试(3.5%NaCl,25℃)。
应该指出,上述实施方式仅为本发明的较佳实施方式,本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化。这些依据本发明精神所做的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (5)

1.一种铝铈金属靶材,其特征在于:该铝铈金属靶材包括一铝板和若干铈块,该铝板上设有若干通孔,该若干铈块镶嵌于该若干通孔内。
2.如权利要求1所述的铝铈金属靶材,其特征在于:所述若干通孔均匀地分布于铝板上。
3.如权利要求1所述的铝铈金属靶材,其特征在于:所述若干铈块占所述铝铈金属靶材的质量百分含量为5%~40%。
4.一种利用权利要求1-3任意项中的铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法,包括以下步骤:
提供一基材;
将该基材放入一镀膜机的真空室内,使用铝铈金属靶,设置氩气流量至50~300sccm,对铝铈金属靶施加-100~-400V的偏压,通过磁控溅射镀膜的方法在该基材上形成一铝铈膜层。
5.如权利要求4所述的利用铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法,其特征在于:形成的铝铈膜厚度为1~5微米。
CN 201010240059 2010-07-29 2010-07-29 铝铈金属靶材及利用该铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法 Expired - Fee Related CN102345100B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010240059 CN102345100B (zh) 2010-07-29 2010-07-29 铝铈金属靶材及利用该铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010240059 CN102345100B (zh) 2010-07-29 2010-07-29 铝铈金属靶材及利用该铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102345100A true CN102345100A (zh) 2012-02-08
CN102345100B CN102345100B (zh) 2013-10-09

Family

ID=45544165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201010240059 Expired - Fee Related CN102345100B (zh) 2010-07-29 2010-07-29 铝铈金属靶材及利用该铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102345100B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104962870A (zh) * 2015-07-01 2015-10-07 五邑大学 一种可变可调掺杂元素的溅射靶材及其制作过程
CN108385062A (zh) * 2018-03-09 2018-08-10 哈尔滨工业大学 一种(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制备方法
CN111206216A (zh) * 2020-02-27 2020-05-29 电子科技大学 可控制薄膜成分的镶嵌靶材实验设计方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005256175A (ja) * 2005-04-27 2005-09-22 Asahi Glass Ceramics Co Ltd ターゲットおよび該ターゲットによる高屈折率膜の製造方法
CN1849408A (zh) * 2003-09-09 2006-10-18 普莱克斯S·T·技术有限公司 长寿命溅射靶
CN201330279Y (zh) * 2008-12-25 2009-10-21 北京有色金属研究总院 多元素溅射靶材结构
CN101613855A (zh) * 2009-07-23 2009-12-30 中国船舶重工集团公司第十二研究所 一种非平衡磁控溅射稀土类石墨复合膜及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1849408A (zh) * 2003-09-09 2006-10-18 普莱克斯S·T·技术有限公司 长寿命溅射靶
JP2005256175A (ja) * 2005-04-27 2005-09-22 Asahi Glass Ceramics Co Ltd ターゲットおよび該ターゲットによる高屈折率膜の製造方法
CN201330279Y (zh) * 2008-12-25 2009-10-21 北京有色金属研究总院 多元素溅射靶材结构
CN101613855A (zh) * 2009-07-23 2009-12-30 中国船舶重工集团公司第十二研究所 一种非平衡磁控溅射稀土类石墨复合膜及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
巴德纯等: ""中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce3+薄膜的蓝色发光特性"", 《真空科学与技术学报》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104962870A (zh) * 2015-07-01 2015-10-07 五邑大学 一种可变可调掺杂元素的溅射靶材及其制作过程
CN108385062A (zh) * 2018-03-09 2018-08-10 哈尔滨工业大学 一种(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制备方法
CN111206216A (zh) * 2020-02-27 2020-05-29 电子科技大学 可控制薄膜成分的镶嵌靶材实验设计方法
CN111206216B (zh) * 2020-02-27 2022-01-25 电子科技大学 可控制薄膜成分的镶嵌靶材实验设计方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102345100B (zh) 2013-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110055496B (zh) 一种在核用锆合金基底表面制备Cr涂层的制备工艺
CN109365803B (zh) 一种粉末表面稀土改性的铝合金复杂构件增材制造方法
CN1918320A (zh) 减小溅射靶中热应力的方法
CN111005002A (zh) 一种压气机叶片耐冲蚀防腐蚀自洁涂层的制备方法
CN106801216B (zh) 一种电弧离子镀沉积高质量精密涂层的设备和方法
CN107164731B (zh) 一种镁合金表面铝复合防护层的制备方法
US20160186306A1 (en) TiB2 LAYERS AND MANUFACTURE THEREOF
CN106868460B (zh) 一种质量厚度为400~2000μg/cm2自支撑Ir靶的制备工艺
US5403629A (en) Formation of interlayers for application of aluminum diffusion coatings
CN102345100B (zh) 铝铈金属靶材及利用该铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法
CN101994077A (zh) 一种耐高温氧化金属间化合物涂层及其制备方法
CN100552247C (zh) 具有扩散层pvd轴瓦的生产方法
CN105624617B (zh) 电弧离子镀制备致密MCrAlRe型涂层的方法
CN102560349A (zh) 镀膜件及其制备方法
CN102345089A (zh) 镀膜件及其制作方法
CN103774092B (zh) 一种在镁合金表面制备导电且耐腐蚀涂层的方法
CN107881469B (zh) 类金刚石复合涂层及其制备方法与用途以及涂层工具
CN115233144A (zh) 一种喷涂态陶瓷涂层用机械激光交互式抛光强化方法
US8551613B2 (en) Coated article and method for manufacturing same
CN102477528B (zh) 被覆件及其制造方法
CN102634755B (zh) 一种致密氮化物陶瓷涂层及其制备方法
CN102776482A (zh) 灯杯磁控溅射镀膜及表面真空硬化保护层连续生产工艺
CN102560348A (zh) 镀膜件及其制备方法
Gabovich et al. Effect of trampoline sputtering on surface morphology and coatings properties
Song et al. Understanding of deposition mechanism of vanadium on LiF with large mismatch by facing target sputtering (FTS)

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: HONGFUJIN PRECISION ELECTRONICS (ZHENGZHOU) CO., L

Free format text: FORMER OWNER: HONGFUJIN PRECISE INDUSTRY (SHENZHEN) CO., LTD.

Effective date: 20150416

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 518109 SHENZHEN, GUANGDONG PROVINCE TO: 451162 ZHENGZHOU, HENAN PROVINCE

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150416

Address after: 451162 Comprehensive Bonded Zone on the east side of Zhenxing Road, Zhengzhou, Henan

Patentee after: HONGFUJIN PRECISION ELECTRONICS (ZHENGZHOU) Co.,Ltd.

Patentee after: HON HAI PRECISION INDUSTRY Co.,Ltd.

Address before: 518109 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Longhua Town Industrial Zone tabulaeformis tenth East Ring Road No. 2 two

Patentee before: HONG FU JIN PRECISION INDUSTRY (SHENZHEN) Co.,Ltd.

Patentee before: HON HAI PRECISION INDUSTRY Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20170509

Address after: The new road in Hunan Province, Changsha County Langli street 1301001

Patentee after: CHANGSHA XINKANG ADVANCED MATERIAL Corp.,Ltd.

Address before: 451162 Comprehensive Bonded Zone on the east side of Zhenxing Road, Zhengzhou, Henan

Co-patentee before: HON HAI PRECISION INDUSTRY Co.,Ltd.

Patentee before: HONGFUJIN PRECISION ELECTRONICS (ZHENGZHOU) Co.,Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20131009

Termination date: 20210729

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee