CN201330279Y - 多元素溅射靶材结构 - Google Patents

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CN201330279Y CNU2008201245843U CN200820124584U CN201330279Y CN 201330279 Y CN201330279 Y CN 201330279Y CN U2008201245843 U CNU2008201245843 U CN U2008201245843U CN 200820124584 U CN200820124584 U CN 200820124584U CN 201330279 Y CN201330279 Y CN 201330279Y
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古宏伟
屈飞
杨坚
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Abstract

本实用新型公布一种多元素溅射靶材结构，属薄膜材料制备领域。金属元素薄板靶材通过焊接层焊接在圆形的金属背板上，在靶材的溅射环区域内主元靶材和次元靶材各以6～12个扇形面交替等间隔镶嵌在靶材溅射环区域内。特别适用于贵金属靶材结构。本实用新型各组元在溅射环区域呈同心扇形分布，其组元成份比例均匀、稳定、易于控制。通过调整靶材溅射环中各组元区域面积的大小，可调整靶材成份。只在溅射区域有价格昂贵的贵金属材料，降低了靶材成本，各组元未合金化，因此有利于靶材废料回收。本实用新型用于磁控溅射薄膜材料制备设备。

Description

多元素溅射靶材结构
技术领域
本实用新型属薄膜材料制备领域，涉及一种多元素溅射靶材结构。
背景技术
磁控溅射是薄膜材料制备的重要手段之一，广泛应用于科研和生产中，因此磁控溅射用靶材的制备尤为重要。合金靶材即可用于合金薄膜的制备，也可通过反应溅射制备陶瓷薄膜，应用于诸多领域。通常情况下，多采用熔炼铸造技术或粉末冶金技术制备合金靶材，但这两种技术不适宜制备组元熔点差异较大、或部分组元易于挥发及凝固过程中合金成份发生较大偏析的合金靶材。实用新型专利(200520114360.0)设计了一种多元素溅射靶材结构，该结构适于制备多元素溅射靶材，并在实验中广泛使用，但由于靶材使用效率较低，造成原材料浪费，增加了生产成本。本实用新型通过改变溅射靶材结构，在不影响使用的前提下降低了原材料成本，并有利于剩余靶材的回收。
实用新型内容
本实用新型的目的是为解决背景技术要求实现不受组元熔点差异和组元挥发影响，成分分布均匀，成份可调，节省原材料的磁控溅射用靶材结构，提供一种多元素溅射靶材结构，其特征在于，靶材溅射环区域2是与圆形的金属背板5同圆心的圆环，金属元素溅射靶材3镶嵌在靶材溅射环区域2内，并通过焊接层4焊接在圆形的金属背板5上，贱金属薄板靶材胎体1通过焊接层4焊接在圆形的金属背板5的其余部分。
所述金属元素溅射靶材3为A贵金属薄板圆环6。
所述金属元素溅射靶材3为各以6～12个B贵金属薄板扇形面7和C贵金属薄板扇形面8等间隔交替镶嵌在溅射环区域2的圆环内。
本实用新型用于单元素溅射靶材时，将一种贵金属材料镶嵌在溅射环区域2内，并通过焊接层4与金属背板5连接。
对于多元素溅射靶材，根据薄膜成份及溅射元素性质计算靶材中主元靶材和次元靶材贵金属组分比例关系，并按此比例计算各组元在溅射环区域所占比例，再将每个组元面积分割为6～12等份扇形面，最后加工出各溅射组元的扇形块，并将各组元材料交替等间隔镶嵌于溅射环区域2。
本实用新型的有益效果为，各组元在溅射环区域呈同心扇形分布，因此其组元成份比例均匀、稳定、易于控制；通过调整靶材溅射环中各组元区域面积的大小，可以方便调整靶材成份；由于只在溅射环区域有价格昂贵的材料，降低了靶材成本；本结构中各组元未合金化，因此有利于靶材废料回收。
附图说明
图1为本实用新型靶面结构示意图；
图2为溅射靶材结构焊接示意图；
图3为单元素溅射靶材结构示意图；
图4为多元素溅射靶面结构示意图；
图中，1为贱金属薄板靶材胎体，2为溅射环区域，3为金属元素溅射靶材，4为焊接层，5为金属背板，6为A贵金属薄板圆环，7为B贵金属薄板扇形面，8为C贵金属薄板扇形面
具体实施方式
以下结合附图，说明本实用新型的具体实施方式。图1为本实用新型靶面结构示意图，靶材溅射环区域2是与圆形的金属背板5同圆心的圆环，贱金属薄板靶材胎体1和溅射环区域2组成的圆面全部覆盖圆形的金属背板5。如图2所示，金属元素溅射靶材3通过焊接层4焊接在圆形的金属背板5上。图3为单元素溅射靶材结构示意图，对于单一贵金属溅射靶材，可采用图3所示结构。图4为多元素溅射靶面结构示意图，对于多元素贵金属溅射靶材，根据薄膜成份及溅射元素性质计算靶材中主元靶材和次元靶材组分比例关系，并按此比例关系计算各组元在溅射区域所占比例，再把每个组元面积分割为6～12等份的B贵金属薄板扇形面7和C贵金属薄板扇形面8，最后加工出各溅射组元的扇形块，并将各组元材料镶嵌于溅射环区域，溅射环区域2以外部分为贱金属薄板靶材胎体1，通过焊接层4与金属背板5连接，用以固定溅射材料各扇形块。
本实用新型用于磁控溅射薄膜材料制备设备。

Claims (3)

1.一种多元素溅射靶材结构，其特征在于：靶材溅射环区域(2)是与圆形的金属背板(5)同圆心的圆环，金属元素溅射靶材(3)镶嵌在靶材溅射环区域(2)内，并通过焊接层(4)焊接在圆形的金属背板(5)上，贱金属薄板靶材胎体(1)通过焊接层(4)焊接在圆形的金属背板(5)的其余部分。
2.根据权利要求1所述的一种多元素溅射靶材结构，其特征在于，所述金属元素溅射靶材(3)为A贵金属薄板圆环(6)。
3.根据权利要求1所述的一种多元素溅射靶材结构，其特征在于，所述金属元素溅射靶材(3)为各以6～12个B贵金属薄板扇形面(7)和C贵金属薄板扇形面(8)等间隔交替镶嵌在溅射环区域(2)的圆环内。
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Cited By (6)

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