JP2000086385A5

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Filing date: 1998-09-16
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Description

【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、第１発明は、ルツボ（２００）内にチャージされたメルト（２０２）にシード（２０４）を浸漬し、該浸漬したシード（２０４）を引き上げて結晶体（２０６）を成長させながら、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを検出するメルト深さ検出装置において、前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）と、前記ルツボ（２００）内に最初にチャージした前記メルト（２０２）の総重量を記憶するメルト初期重量記憶手段（１２）と、前記結晶体（２０６）が成長した重量を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、前記メルト初期重量記憶手段（１２）が記憶したメルト初期重量（ＭＩＷ）と前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出するメルト重量算出手段（１６）と、前記メルト重量算出手段（１６）が算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定する該当区間判定手段（２０）と、前記該当区間判定手段（２０）が判定した判定区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定するメルト深さ決定手段（２２）とを具備することを特徴とする。

また、第２発明は、第１発明において、前記メルト深さ決定手段（２２）は、前記判定区間を直線で近似し、該近似した直線に前記メルト重量算出手段（１６）が算出したメルト重量（ＭＷ）を当てはめて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを算出することを特徴とする。

また、第３発明は、第１発明または第２発明において、前記ルツボ形状テーブル（１０）は、前記分割した各区間の節点に前記ルツボ（２００）の深さを格納するルツボ深さ格納フィールド（２４）と、前記ルツボ深さ格納フィールド（２４）に格納されたルツボ深さ（ＣＤ）に対応する前記ルツボ（２００）の内径を格納するルツボ内径格納フィールド（２６）と、前記分割した各区間内でチャージされるメルト区間重量（ΔＭＷ）を格納するメルト区間重量格納フィールド（２８）とを具備することを特徴とする。

また、第４発明は、第３発明において、前記メルト区間重量格納フィールド（２８）は、
（式１）

ｆ（Ｘ）：近似関数、ＣＩ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納されたルツボ内径、ＣＩ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納されたルツボ内径、ＣＤ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納されたルツボ深さ、ＣＤ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納されたルツボ深さ
（式２）

ΔＭＷ［ｉｔ−１］：区間ｉｔ−１内でチャージされるメルト区間重量、Ｄｍｅｌｔ：メルトの密度、π：円周率、ＣＤ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納されたルツボ深さ、ＣＤ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納されたルツボ深さ、ｆ（Ｘ）：式１に示す近似関数
上記各式を解いて得られるΔＭＷ［ｉｔ−１］を前記ルツボ形状テーブル（１０）の節点ｎｔに格納することを特徴とする。

また、第５発明は、第３発明または第４発明において、前記メルト深さ決定手段（２２）は、
（式３）

ＭＷ：メルト重量、ΔＭＷ［ｋ］：区間ｋのメルト区間重量、Ｄｍｅｌｔ：メルトの密度、π：円周率、ＣＤ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納されたルツボ深さ、ｆ（Ｘ）：式１に示す近似関数
（式４）

ＭＤ：メルト深さ、Ｘ：式３の解
上記各式を解いて得られるＭＤを前記メルト深さ（ＭＤ）とすることを特徴とする。

また、第６発明は、第１発明乃至第５発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記結晶体（２０６）が成長した重量を測定する重量センサ（２１４）を具備し、前記重量センサ（２１４）が測定した値を前記結晶成長重量（ＧＷ）として出力することを特徴とする。

また、第７発明は、第６発明において、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記重量センサ（２１４）の後段に接続されたフィルタ部（２１６）をさらに具備し、前記フィルタ部（２１６）の出力を前記結晶成長重量（ＧＷ）とすることを特徴とする。

また、第８発明は、第１発明乃至第５発明のいずれかにおいて、前記シード（２０４）が上昇した高さを検出するシード上昇高さ検出手段（３０）と、前記ルツボ（２００）が上昇した高さを検出するルツボ上昇高さ検出手段（３２）と、前記メルト（２０２）が前記ルツボ（２００）内で下降した深さを検出するメルト下降深さ検出手段（３４）と、前記シード上昇高さ検出手段（３０）が検出したシード上昇高さ（ＳＬＨ）と、前記ルツボ上昇高さ検出手段（３２）が検出したルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）と、前記メルト下降深さ検出手段（３４）が検出したメルト下降深さ（ＭＤＤ）とを用いて、前記結晶体（２０６）が成長した長さを算出する結晶成長長さ算出手段（３６）とをさらに具備し、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を用いて前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を予測する結晶成長重量予測手段（３８）を具備し前記結晶成長重量予測手段（３８）が予測した値を前記結晶成長重量（ＧＷ）として使用することを特徴とする。

また、第９発明は、第８発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて記憶する結晶直径記憶手段（４０）をさらに具備し、前記結晶成長重量予測手段（３８）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を前記結晶直径記憶手段（４０）から取得する結晶直径取得手段（４２）と、前記結晶直径取得手段（４２）が取得した結晶直径（ＧＤ）を用いて、前記予測重量（ＧＰＷ）を算出する予測重量算出手段（４４）とを具備することを特徴とする。

また、第１０発明は、第９発明において、前記予測重量算出手段（４４）は、
（式５）

ＧＰＷ：予測重量、Ｄｃｒｙｓｔａｌ：結晶体の密度、π：円周率、ＧＬ：結晶成長長さ、ＧＤ（Ｌ）：長さＬにおける結晶直径
上式に基づいて算出されたＧＰＷを前記予測重量とするを具備することを特徴とする。

また、第１１発明は、第８発明乃至第１０発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記結晶体（２０６）の重量を測定する重量センサ（２１４）と、前記重量センサ（２１４）が測定した値と前記結晶成長重量予測手段（３８）が予測した予測重量（ＧＰＷ）との差を求めて重量偏差（ＧＷＤ）を算出する重量偏差算出手段（４６）と、前記重量偏差算出手段（４６）が算出した重量偏差（ＧＷＤ）を用いて、前記予測重量（ＧＰＷ）を補正する予測重量補正手段（４８）とを具備することを特徴とする。

また、第１２発明は、第１１発明において、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記重量偏差算出手段（４６）と前記予測重量補正手段（４８）との間に介在するフィルタ部（２１６）をさらに具備することを特徴とする。

また、第１３発明は、第８発明乃至第１２発明のいずれかにおいて、前記結晶成長長さ算出手段（３６）は、
（式６）

ＧＬ：結晶成長長さ、ＳＬＨ：シード上昇高さ、ＣＬＨ：ルツボ上昇高さ、ＭＤＤ：メルト下降深さ
上式を解いて得られたＧＬを前記結晶成長長さ（ＧＬ）とすることを特徴とする。

また、第１４発明は、第８発明乃至第１３発明のいずれかにおいて、前記メルト下降深さ検出手段（３４）は、前記ルツボ（２００）内に前記メルト（２０２）を最初にチャージしたときに、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定した値をメルト初期深さ（ＭＩＤ）として記憶するメルト初期深さ記憶手段（５０）と、前記メルト初期深さ記憶手段（５０）が記憶したメルト初期深さ（ＭＩＤ）と、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定したメルト深さ（ＭＤ）とを用いて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を算出するメルト下降深さ算出手段（５２）とを具備することを特徴とする。

また、第１５発明は、第１４発明において、前記メルト下降深さ算出手段（５２）は、
（式７）

ＭＤＤ：メルト下降深さ、ＭＩＤ：メルト初期深さ、ＭＤ：メルト深さ
上式を解いて得られたＭＤＤを前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）とすることを特徴とする。

また、第１６発明は、第８発明乃至第１５発明のいずれかにおいて、前記シード上昇高さ検出手段（３０）は、前記シード（２０４）の上昇速度をパルス信号に変換するシードエンコーダ（２１８）と、前記シードエンコーダ（２１８）が生成したパルス信号をカウントするシードカウンタ（２２０）とを具備し、前記シードカウンタ（２２０）の値を前記シード上昇高さ（ＳＬＨ）として出力し、前記ルツボ上昇高さ検出手段（３２）は、前記ルツボ（２００）の上昇速度をパルス信号に変換するルツボエンコーダ（２２４）と、前記ルツボエンコーダ（２２４）が生成したパルス信号をカウントするルツボカウンタ（２２６）とを具備し、前記ルツボカウンタ（２２６）の値を前記ルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）として出力することを特徴とする。

また、第１７発明は、第８発明乃至第１６発明のいずれかにおいて、前記シード（２０４）を引き上げるワイヤー（２０８）と、前記ワイヤー（２０８）を巻き取るワイヤードラム（２１０）と、前記ワイヤー（２０８）が伸びた長さを検出する伸び長検出手段（５４）と、前記伸び長検出手段（５４）が検出した伸び長（ＷＥＬ）を用いて、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を補正する結晶成長長さ補正手段（５６）とをさらに具備することを特徴とする。

また、第１８発明は、第１７発明において、前記伸び長検出手段（５４）は、前記シード（２０４）を前記メルト（２０２）に浸漬したときの前記ワイヤー（２０８）の長さを記憶するワイヤー初期長記憶手段（５８）と、前記ワイヤードラム（２１０）が前記ワイヤー（２０８）を巻き取った長さを検出するワイヤー巻き取り長検出手段（６０）と、前記ワイヤー初期長記憶手段（５８）が記憶したワイヤー初期長（ＷＩＬ）と、前記ワイヤー巻き取り長検出手段（６０）が検出したワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）とを用いて、前記ワイヤードラム（２１０）から垂下したワイヤー（２０８）の無負荷状態での長さを算出するワイヤー無負荷長算出手段（６２）と、前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）と、前記ワイヤー無負荷長算出手段（６２）が算出したワイヤー無負荷長（ＷＮＬ）と、前記ワイヤー（２０８）の伸び率（ε）とを用いて、該ワイヤーの伸び長（ＷＥＬ）を算出する伸び長算出手段（６４）と、を具備することを特徴とする。

また、第１９発明は、第１８発明において、前記シード（２０４）と前記ワイヤー（２０８）との間に介在するシードチャック（２１２）をさらに具備し、前記伸び長算出手段（６４）は、前記シード（２０４）の重量と前記シードチャック（２１２）の重量を考慮して前記伸び長（ＷＥＬ）を算出することを特徴とする。

また、第２０発明は、第１８発明または第１９発明において、前記伸び長算出手段（６４）は、前記伸び長（ＷＥＬ）を前記ワイヤー（２０８）にかかる重量の関数として算出することを特徴とする。

また、第２１発明は、第２０発明において、前記ワイヤー巻き取り長検出手段（６０）は、前記ワイヤードラム（２１０）の回転角度を検出するドラム回転角度検出手段（６６）と、前記ドラム回転角度検出手段（６６）の検出間隔を設定する検出区間設定手段（６８）と、前記検出区間設定手段（６８）が設定した区間ごとに前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）の変化量を算出するワイヤー巻き取り長変化量算出手段（７０）と、前記ワイヤー巻き取り長変化量算出手段（７０）が算出した変化量を積算するワイヤー巻き取り長変化量積算手段（７２）とを具備し、前記ワイヤー巻き取り長変化量積算手段（７２）が積算した値を前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）として出力することを特徴とする。

また、第２２発明は、第２１発明において、前記ワイヤー巻き取り長変化量算出手段（７０）は、
（式８）

ΔＷＲＬ［ｉ−１］：区間ｉ−１内でのワイヤー巻き取り長の変化量、ｒ：ワイヤードラムの半径、ω（ｔ）：ワイヤードラムの回転角速度
上式を解いて得られるΔＷＲＬ［ｉ−１］を前記ワイヤー巻き取り長変化量積算手段（７２）に出力し、前記ワイヤー巻き取り長変化量積算手段（７２）は、
（式９）

ＷＲＬ［ｎ］：節点ｎにおけるワイヤー巻き取り長、ΔＷＲＬ［ｋ］：区間ｋ内でのワイヤー巻き取り長の変化量
上式を解いて得られるＷＲＬ［ｎ］を前記ワイヤー無負荷長算出手段（６２）に出力し、前記ワイヤー無負荷長算出手段（６２）は、
（式１０）

ＷＮＬ［ｎ］：節点ｎにおけるワイヤー無負荷長、ＷＩＬ：ワイヤー初期長、ＷＲＬ［ｎ］：前記ワイヤー巻き取り長変化量積算手段（７２）が出力したワイヤー巻き取り長
上式を解いて得られるＷＮＬ［ｎ］を前記伸び長算出手段（６４）に出力し、前記伸び長算出手段（６４）は、
（式１１）

ＷＥＬ［ｎ］：節点ｎにおける伸び長、ＷＮＬ［ｎ］：前記ワイヤー無負荷長算出手段（６２）が出力したワイヤー無負荷長、ε（ＧＷ）：伸び関数、ＧＷ［ｎ］：節点ｎにおける結晶成長重量
上式を解いて得られるＷＥＬ［ｎ］を前記結晶成長長さ補正手段（５６）に出力し、前記結晶成長長さ補正手段（５６）は、
（式１２）

ＧＬ：補正後の結晶成長長さ、ＧＬ［ｎ］：節点ｎにおける結晶成長長さ、ＷＥＬ［ｎ］：前記伸び長算出手段（６４）が出力した伸び長
上式を解いて得られるＧＬを出力することを特徴とする。

また、第２３発明は、第２０発明乃至第２２発明のいずれかにおいて、前記ワイヤー巻き取り長検出手段（６０）は、前記ワイヤードラム（２１０）が巻き取った部分の伸びを考慮して前記ワイヤー巻き取り長を検出することを特徴とする。

また、第２４発明は、第２３発明において、前記ワイヤー巻き取り長変化量算出手段（７０）は、
（式１４）

ΔＷＲＬ［ｉ−１］：区間ｉ−１内でのワイヤー巻き取り長の変化量、ｒ：ワイヤードラムの半径、ω（ｔ）：ワイヤードラムの回転角速度、ε（ＧＷ）：伸び関数、ＧＷ［ｎ］：節点ｎにおける結晶成長重量、ＧＷ［ｎ−１］：節点ｎー１における結晶成長重量
上式を解いて得られるΔＷＲＬ［ｉ−１］を前記ワイヤー巻き取り長の変化量とすることを特徴とする。

また、第２５発明は、ルツボ（２００）内にチャージされたメルト（２０２）にシード（２０４）を浸漬し、該浸漬したシード（２０４）を引き上げて成長させた結晶体（２０６）の結晶成長長さ（ＧＬ）を検出する結晶成長長さ検出装置において、前記シード（２０４）が上昇した高さを検出するシード上昇高さ検出手段（３０）と、前記ルツボ（２００）が上昇した高さを検出するルツボ上昇高さ検出手段（３２）と、前記メルト（２０２）が前記ルツボ（２００）内で下降した深さを検出するメルト下降深さ検出手段（３４）と、前記シード上昇高さ検出手段（３０）が検出したシード上昇高さ（ＳＬＨ）と、前記ルツボ上昇高さ検出手段（３２）が検出したルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）と、前記メルト下降深さ検出手段（３４）が検出したメルト下降深さ（ＭＤＤ）とを用いて、前記結晶成長長さ（ＧＬ）を検出する結晶成長長さ算出手段（３６）とを具備することを特徴とする。

また、第２６発明は、第２５発明において、前記結晶成長長さ算出手段（３６）は、
（式６）

また、第２７発明は、第２５発明または第２６発明において、前記シード上昇高さ検出手段（３０）は、前記シード（２０４）の上昇速度をパルス信号に変換するシードエンコーダ（２１８）と、前記シードエンコーダ（２１８）が生成したパルス信号をカウントするシードカウンタ（２２０）とを具備し、前記シードカウンタ（２２０）の値を前記シード上昇高さ（ＳＬＨ）として出力し、前記ルツボ上昇高さ検出手段（３２）は、前記ルツボ（２００）の上昇速度をパルス信号に変換するルツボエンコーダ（２２４）と、前記ルツボエンコーダ（２２４）が生成したパルス信号をカウントするルツボカウンタ（２２６）とを具備し、前記ルツボカウンタ（２２６）の値を前記ルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）として出力することを特徴とする。

また、第２８発明は、第２５発明乃至第２７発明のいずれかにおいて、前記シード（２０４）を引き上げるワイヤー（２０８）と、前記ワイヤー（２０８）を巻き取るワイヤードラム（２１０）と、前記ワイヤー（２０８）が伸びた長さを検出する伸び長検出手段（５４）と、前記伸び長検出手段（５４）が検出した伸び長（ＷＥＬ）を用いて、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を補正する結晶成長長さ補正手段（５６）とをさらに具備することを特徴とする。

また、第２９発明は、第２８発明において、前記伸び長検出手段（５４）は、前記シード（２０４）を前記メルト（２０２）に浸漬したときの前記ワイヤー（２０８）の長さを記憶するワイヤー初期長記憶手段（５８）と、前記ワイヤードラム（２１０）が前記ワイヤー（２０８）を巻き取った長さを検出するワイヤー巻き取り長検出手段（６０）と、前記ワイヤー初期長記憶手段（５８）が記憶したワイヤー初期長（ＷＩＬ）と、前記ワイヤー巻き取り長検出手段（６０）が検出したワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）とを用いて、前記ワイヤードラム（２１０）から垂下したワイヤー（２０８）の無負荷状態での長さを算出するワイヤー無負荷長算出手段（６２）と、前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）と、前記ワイヤー無負荷長算出手段（６２）が算出したワイヤー無負荷長（ＷＮＬ）と、前記ワイヤー（２０８）の伸び率（ε）とを用いて、該ワイヤーの伸び長（ＷＥＬ）を算出する伸び長算出手段（６４）と、を具備することを特徴とする。

また、第３０発明は、第２９発明において、前記シード（２０４）と前記ワイヤー（２０８）との間に介在するシードチャック（２１２）をさらに具備し、前記伸び長算出手段（６４）は、前記シード（２０４）の重量と前記シードチャック（２１２）の重量を考慮して前記伸び長（ＷＥＬ）を算出することを特徴とする。

また、第３１発明は、第２９発明または第３０発明において、前記伸び長算出手段（６４）は、前記伸び長（ＷＥＬ）を前記ワイヤー（２０８）にかかる重量の関数として算出することを特徴とする。

また、第３２発明は、第３１発明において、前記ワイヤー巻き取り長検出手段（６０）は、前記ワイヤードラム（２１０）の回転角度を検出するドラム回転角度検出手段（６６）と、前記ドラム回転角度検出手段（６６）の検出間隔を設定する検出区間設定手段（６８）と、前記検出区間設定手段（６８）が設定した区間ごとに前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）の変化量を算出するワイヤー巻き取り長変化量算出手段（７０）と、前記ワイヤー巻き取り長変化量算出手段（７０）が算出した変化量を積算するワイヤー巻き取り長変化量積算手段（７２）とを具備し、前記ワイヤー巻き取り長変化量積算手段（７２）が積算した値を前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）として出力することを特徴とする。

また、第３３発明は、第３２発明において、前記ワイヤー巻き取り長変化量算出手段（７０）は、
（式８）

また、第３４発明は、第３１発明乃至第３３発明のいずれかにおいて、前記ワイヤー巻き取り長検出手段（６０）は、前記ワイヤードラム（２１０）が巻き取った部分の伸びを考慮して前記ワイヤー巻き取り長を検出することを特徴とする。

また、第３５発明は、第３４発明において、ワイヤー巻き取り長変化量算出手段（７０）は、
（式１４）

また、第３６発明は、第２５発明乃至第３５発明のいずれかにおいて、前記メルト下降深さ検出手段（３４）は、前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）と、前記ルツボ（２００）内に最初にチャージした前記メルト（２０２）の総重量を記憶するメルト初期重量記憶手段（１２）と、前記結晶体（２０６）が成長した重量を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、前記メルト初期重量記憶手段（１２）が記憶したメルト初期重量（ＭＩＷ）と前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出するメルト重量算出手段（１６）と、前記メルト重量算出手段（１６）が算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定する該当区間判定手段（２０）と、前記該当区間判定手段（２０）が判定した判定区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定するメルト深さ決定手段（２２）と、前記ルツボ（２００）内に前記メルト（２０２）を最初にチャージしたときに、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定した値をメルト初期深さ（ＭＩＤ）として記憶するメルト初期深さ記憶手段（５０）と、前記メルト初期深さ記憶手段（５０）が記憶したメルト初期深さ（ＭＩＤ）と、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定したメルト深さ（ＭＤ）とを用いて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を算出するメルト下降深さ算出手段（５２）とを具備することを特徴とする。

また、第３７発明は、第３６発明において、前記メルト下降深さ算出手段（５２）は、
（式７）

また、第３８発明は、第３６発明または第３７発明において、前記メルト深さ決定手段（２２）は、前記判定区間を直線で近似し、該近似した直線に前記メルト重量算出手段（１６）が算出したメルト重量（ＭＷ）を当てはめて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを算出することを特徴とする。

また、第３９発明は、第３６発明乃至第３８発明のいずれかにおいて、前記ルツボ形状テーブル（１０）は、前記分割した各区間の節点に前記ルツボ（２００）の深さを格納するルツボ深さ格納フィールド（２４）と、前記ルツボ深さ格納フィールド（２４）に格納されたルツボ深さ（ＣＤ）に対応する前記ルツボ（２００）の内径を格納するルツボ内径格納フィールド（２６）と、前記分割した各区間内でチャージされるメルト区間重量（ΔＭＷ）を格納するメルト区間重量格納フィールド（２８）とを具備することを特徴とする。

また、第４０発明は、第３９発明において、前記メルト区間重量格納フィールド（２８）は、
（式１）

また、第４１発明は、第３９発明または第４０発明において、前記メルト深さ決定手段（２２）は、
（式３）

また、第４２発明は、第３６発明乃至第４１発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記結晶体（２０６）が成長した重量を測定する重量センサ（２１４）を具備し、前記重量センサ（２１４）が測定した値を前記結晶成長重量（ＧＷ）として出力することを特徴とする。

また、第４３発明は、第４２発明において、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記重量センサ（２１４）の後段に接続されたフィルタ部（２１６）をさらに具備し、前記フィルタ部（２１６）の出力を前記結晶成長重量（ＧＷ）とすることを特徴とする。

また、第４４発明は、第３６発明乃至第４３発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を用いて前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を予測する結晶成長重量予測手段（３８）を具備し、前記結晶成長重量予測手段（３８）が予測した値を前記結晶成長重量（ＧＷ）として使用することを特徴とする。

また、第４５発明は、第４４発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて記憶する結晶直径記憶手段（４０）をさらに具備し、前記結晶成長重量予測手段（３８）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を前記結晶直径記憶手段（４０）から取得する結晶直径取得手段（４２）と、前記結晶直径取得手段（４２）が取得した結晶直径（ＧＤ）を用いて、前記予測重量（ＧＰＷ）を算出する予測重量算出手段（４４）とを具備することを特徴とする。

また、第４６発明は、第４５発明において、前記予測重量算出手段（４４）は、
（式５）

また、第４７発明は、第４４発明乃至第４６明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記結晶体（２０６）の重量を測定する重量センサ（２１４）と、前記重量センサ（２１４）が測定した値と前記結晶成長重量予測手段（３８）が予測した予測重量（ＧＰＷ）との差を求めて重量偏差（ＧＷＤ）を算出する重量偏差算出手段（４６）と、前記重量偏差算出手段（４６）が算出した重量偏差（ＧＷＤ）を用いて、前記予測重量（ＧＰＷ）を補正する予測重量補正手段（４８）とを具備することを特徴とする。

また、第４８発明は、第４７発明において、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記重量偏差算出手段（４６）と前記予測重量補正手段（４８）との間に介在するフィルタ部（２１６）をさらに具備することを特徴とする。

また、第４９発明は、ルツボ（２００）内にチャージされたメルト（２０２）にシード（２０４）を浸漬し、該浸漬したシード（２０４）を引き上げて結晶体（２０６）を成長させる結晶体の製造装置において、前記シード（２０４）が上昇した高さを検出するシード上昇高さ検出手段（３０）と、前記ルツボ（２００）が上昇した高さを検出するルツボ上昇高さ検出手段（３２）と、前記メルト（２０２）が前記ルツボ（２００）内で下降した深さを検出するメルト下降深さ検出手段（３４）と、前記シード上昇高さ検出手段（３０）が検出したシード上昇高さ（ＳＬＨ）と、前記ルツボ上昇高さ検出手段（３２）が検出したルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）と、前記メルト下降深さ検出手段（３４）が検出したメルト下降深さ（ＭＤＤ）とを用いて、前記結晶成長長さ（ＧＬ）を検出する結晶成長長さ算出手段（３６）と前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に基づいて、前記結晶体（２０６）の引き上げ条件を決定する引き上げ条件決定手段（７６）とを具備することを特徴とする。

また、第５０発明は、第４９発明において、前記結晶成長長さ算出手段（３６）は、
（式６）

また、第５１発明は、第４９発明または第５０発明において、前記シード上昇高さ検出手段（３０）は、前記シード（２０４）の上昇速度をパルス信号に変換するシードエンコーダ（２１８）と、前記シードエンコーダ（２１８）が生成したパルス信号をカウントするシードカウンタ（２２０）とを具備し、前記シードカウンタ（２２０）の値を前記シード上昇高さ（ＳＬＨ）として出力し、前記ルツボ上昇高さ検出手段（３２）は、前記ルツボ（２００）の上昇速度をパルス信号に変換するルツボエンコーダ（２２４）と、前記ルツボエンコーダ（２２４）が生成したパルス信号をカウントするルツボカウンタ（２２６）とを具備し、前記ルツボカウンタ（２２６）の値を前記ルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）として出力することを特徴とする。

また、第５２発明は、第４９発明乃至第５１発明のいずれかにおいて、前記シード（２０４）を引き上げるワイヤー（２０８）と、前記ワイヤー（２０８）を巻き取るワイヤードラム（２１０）と、前記ワイヤー（２０８）が伸びた長さを検出する伸び長検出手段（５４）と、前記伸び長検出手段（５４）が検出した伸び長（ＷＥＬ）を用いて、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を補正する結晶成長長さ補正手段（５６）とをさらに具備することを特徴とする。

また、第５３発明は、第５２発明において、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記伸び長検出手段（５４）が検出した伸び長（ＷＥＬ）を用いて、該伸び長に基づくシード上昇速度（ＳＬ）の操作量を算出するシード上昇速度操作量算出手段（７８）と、前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出した伸び長に基づくシード上昇速度操作量を用いて、前記シード上昇速度（ＳＬ）を決定するシード上昇速度決定手段（７９）とを具備することを特徴とする。

また、第５４発明は、第５３発明において、前記伸び長検出手段（５４）は、前記シード（２０４）を前記メルト（２０２）に浸漬したときの前記ワイヤー（２０８）の長さを記憶するワイヤー初期長記憶手段（５８）と、前記ワイヤードラム（２１０）が前記ワイヤー（２０８）を巻き取った長さを検出するワイヤー巻き取り長検出手段（６０）と、前記ワイヤー初期長記憶手段（５８）が記憶したワイヤー初期長（ＷＩＬ）と、前記ワイヤー巻き取り長検出手段（６０）が検出したワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）とを用いて、前記ワイヤードラム（２１０）から垂下したワイヤー（２０８）の無負荷状態での長さを算出するワイヤー無負荷長算出手段（６２）と、前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）と、前記ワイヤー無負荷長算出手段（６２）が算出したワイヤー無負荷長（ＷＮＬ）と、前記ワイヤー（２０８）の伸び率（ε）とを用いて、該ワイヤーの伸び長（ＷＥＬ）を算出する伸び長算出手段（６４）と、を具備することを特徴とする。

また、第５５発明は、第５４発明において、前記シード（２０４）と前記ワイヤー（２０８）との間に介在するシードチャック（２１２）をさらに具備し、前記伸び長算出手段（６４）は、前記シード（２０４）の重量と前記シードチャック（２１２）の重量を考慮して前記伸び長（ＷＥＬ）を算出することを特徴とする。

また、第５６発明は、第５４発明または第５５発明において、前記伸び長算出手段（６４）は、前記伸び長（ＷＥＬ）を前記ワイヤー（２０８）にかかる重量の関数として算出することを特徴とする。

また、第５７発明は、第５６発明において、前記ワイヤー巻き取り長検出手段（６０）は、前記ワイヤードラム（２１０）の回転角度を検出するドラム回転角度検出手段（６６）と、前記ドラム回転角度検出手段（６６）の検出間隔を設定する検出区間設定手段（６８）と、前記検出区間設定手段（６８）が設定した区間ごとに前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）の変化量を算出するワイヤー巻き取り長変化量算出手段（７０）と、前記ワイヤー巻き取り長変化量算出手段（７０）が算出した変化量を積算するワイヤー巻き取り長変化量積算手段（７２）とを具備し、前記ワイヤー巻き取り長変化量積算手段（７２）が積算した値を前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）として出力することを特徴とする。

また、第５８発明は、第５７発明において、前記ワイヤー巻き取り長変化量算出手段（７０）は、
（式８）

また、第５９発明は、第５８発明において、前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）は、
（式１３）

ＳＬＣ（ＷＥＬ）［ｎ］：節点ｎにおける伸び長に基づくシード上昇速度操作量、ΔＷＥＬ［ｉ−１］：区間ｉ−１内での伸び長の変化量、Δｔ［ｉ−１］：区間ｉ−１内の時間
上式を解いて得られるＳＬＣ（ＷＥＬ）［ｎ］を前記伸び長に基づくシード上昇速度操作量とすることを特徴とする。

また、第６０発明は、第５６発明乃至第５９発明のいずれかにおいて、前記ワイヤー巻き取り長検出手段（６０）は、前記ワイヤードラム（２１０）が巻き取った部分の伸びを考慮して前記ワイヤー巻き取り長を検出することを特徴とする。

また、第６１発明は、第６０発明において、前記ワイヤー巻き取り長変化量算出手段（７０）は、
（式１４）

また、第６２発明は、第４９発明乃至第６１発明のいずれかにおいて、前記メルト下降深さ検出手段（３４）は、前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）と、前記ルツボ（２００）内に最初にチャージした前記メルト（２０２）の総重量を記憶するメルト初期重量記憶手段（１２）と、前記結晶体（２０６）が成長した重量を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、前記メルト初期重量記憶手段（１２）が記憶したメルト初期重量（ＭＩＷ）と前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出するメルト重量算出手段（１６）と、前記メルト重量算出手段（１６）が算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定する該当区間判定手段（２０）と、前記該当区間判定手段（２０）が判定した判定区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定するメルト深さ決定手段（２２）と、前記ルツボ（２００）内に前記メルト（２０２）を最初にチャージしたときに、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定した値をメルト初期深さ（ＭＩＤ）として記憶するメルト初期深さ記憶手段（５０）と、前記メルト初期深さ記憶手段（５０）が記憶したメルト初期深さ（ＭＩＤ）と、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定したメルト深さ（ＭＤ）とを用いて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を算出するメルト下降深さ算出手段（５２）とを具備することを特徴とする。

また、第６３発明は、第６２発明において、前記メルト下降深さ算出手段（５２）は、
（式７）

また、第６４発明は、第６２発明または第６３発明において、前記メルト深さ決定手段（２２）は、前記判定区間を直線で近似し、該近似した直線に前記メルト重量算出手段（１６）が算出したメルト重量（ＭＷ）を当てはめて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを算出することを特徴とする。

また、第６５発明は、第６２発明乃至第６４発明のいずれかにおいて、前記ルツボ形状テーブル（１０）は、前記分割した各区間の節点に前記ルツボ（２００）の深さを格納するルツボ深さ格納フィールド（２４）と、前記ルツボ深さ格納フィールド（２４）に格納されたルツボ深さ（ＣＤ）に対応する前記ルツボ（２００）の内径を格納するルツボ内径格納フィールド（２６）と、前記分割した各区間内でチャージされるメルト区間重量（ΔＭＷ）を格納するメルト区間重量格納フィールド（２８）とを具備することを特徴とする。

また、第６６発明は、第６５発明において、前記メルト区間重量格納フィールド（２８）は、
（式１）

また、第６７発明は、第６５発明または第６６発明において、前記メルト深さ決定手段（２２）は、
（式３）

また、第６８発明は、第６２発明乃至第６７発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記結晶体（２０６）が成長した重量を測定する重量センサ（２１４）を具備し、前記重量センサ（２１４）が測定した値を前記結晶成長重量（ＧＷ）として出力することを特徴とする。

また、第６９発明は、第６８発明において、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記重量センサ（２１４）の後段に接続されたフィルタ部（２１６）をさらに具備し、前記フィルタ部（２１６）の出力を前記結晶成長重量（ＧＷ）とすることを特徴とする。

また、第７０発明は、第６２発明乃至第６９発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を用いて前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を予測する結晶成長重量予測手段（３８）を具備し、前記結晶成長重量予測手段（３８）が予測した値を前記結晶成長重量（ＧＷ）として使用することを特徴とする。

また、第７１発明は、第７０発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて記憶する結晶直径記憶手段（４０）をさらに具備し、前記結晶成長重量予測手段（３８）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を前記結晶直径記憶手段（４０）から取得する結晶直径取得手段（４２）と、前記結晶直径取得手段（４２）が取得した結晶直径（ＧＤ）を用いて、予測重量（ＧＰＷ）を算出する予測重量算出手段（４４）とを具備することを特徴とする。

また、第７２発明は、第７１発明において、前記予測重量算出手段（４４）は、
（式５）

また、第７３発明は、第７０発明乃至第７２発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記結晶体（２０６）の重量を測定する重量センサ（２１４）と、前記重量センサ（２１４）が測定した値と前記結晶成長重量予測手段（３８）が予測した予測重量（ＧＰＷ）との差を求めて重量偏差（ＧＷＤ）を算出する重量偏差算出手段（４６）と、前記重量偏差算出手段（４６）が算出した重量偏差（ＧＷＤ）を用いて、前記予測重量（ＧＰＷ）を補正する予測重量補正手段（４８）とを具備することを特徴とする。

また、第７４発明は、第７３発明において、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記重量偏差算出手段（４６）と前記予測重量補正手段（４８）との間に介在するフィルタ部（２１６）をさらに具備することを特徴とする。

また、第７５発明は、第４９発明乃至第７４発明のいずれかにおいて、前記引き上げ条件決定手段（７６）が決定した引き上げ条件に基づいて、前記結晶体（２０６）の結晶直径（ＧＤ）を制御する直径制御手段（８０）をさらに具備することを特徴とする。

また、第７６発明は、第７５発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて記憶する結晶直径記憶手段（４０）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を前記結晶直径記憶手段（４０）から取得する結晶直径取得手段（４２）を具備し、前記結晶直径取得手段（４２）が取得した結晶直径（ＧＤ）に基づいて前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第７７発明は、第７５発明または第７６発明において、前記直径制御手段（８０）は、前記結晶体（２０６）の成長速度を制御する結晶成長速度制御手段（８２）を具備することを特徴とする。

また、第７８発明は、第７７発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶成長速度（ＧＲ）とを対応させて記憶する結晶成長速度記憶手段（８４）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶成長速度（ＧＲ）を前記結晶成長速度記憶手段（８４）から取得する結晶成長速度取得手段（８６）を具備し、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）に基づいて前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第７９発明は、第７８発明において、前記結晶成長速度制御手段（８２）は、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）に基づいて、前記シード（２０４）の上昇速度を制御するシード上昇速度制御手段（８８）を具備することを特徴とする。

また、第８０発明は、第７９発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするメルト位置（ＭＰ）とを対応させて記憶するメルト位置記憶手段（１１４）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）を前記メルト位置記憶手段（１１４）から取得するメルト位置取得手段（１１５）をさらに具備し、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）と、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得したメルト位置（ＭＰ）とに基づいて、前記シード（２０４）の上昇速度を決定することを特徴とする。

また、第８１発明は、第７８発明において、前記直径制御手段（８０）は、前記ルツボ（２００）の上昇速度を制御するルツボ上昇速度制御手段（９０）を具備することを特徴とする。

また、第８２発明は、第８１発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて記憶する結晶直径記憶手段（４０）をさらに具備し、前記メルト下降深さ検出手段（３４）は、前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）と、前記ルツボ（２００）内に最初にチャージした前記メルト（２０２）の総重量を記憶するメルト初期重量記憶手段（１２）と、前記結晶体（２０６）が成長した重量を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、前記メルト初期重量記憶手段（１２）が記憶したメルト初期重量（ＭＩＷ）と前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出するメルト重量算出手段（１６）と、前記メルト重量算出手段（１６）が算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定する該当区間判定手段（２０）と、前記該当区間判定手段（２０）が判定した判定区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定するメルト深さ決定手段（２２）と、前記ルツボ（２００）内に前記メルト（２０２）を最初にチャージしたときに、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定した値をメルト初期深さ（ＭＩＤ）として記憶するメルト初期深さ記憶手段（５０）と、前記メルト初期深さ記憶手段（５０）が記憶したメルト初期深さ（ＭＩＤ）と、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定したメルト深さ（ＭＤ）とを用いて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を算出するメルト下降深さ算出手段（５２）とを具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を前記結晶直径記憶手段（４０）から取得する結晶直径取得手段（４２）と、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定したメルト深さ（ＭＤ）に対応するルツボ内径（ＣＩ）を前記ルツボ形状テーブル（１０）から取得するルツボ内径取得手段（９２）と、前記結晶直径取得手段（４２）が取得した結晶直径（ＧＤ）と、前記ルツボ内径取得手段（９２）が取得したルツボ内径（ＣＩ）と、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）とを用いて、前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）を算出するルツボ上昇速度算出手段（９４）を具備することを特徴とする。

また、第８３発明は、第８２発明において、前記ルツボ上昇速度算出手段（９４）は、
（式１５）

ＣＬ：ルツボ上昇速度、Ｄｃｒｙｓｔａｌ：結晶体の密度、ＧＤ：前記結晶直径取得手段（４２）が取得した結晶直径、Ｄｍｅｌｔ：メルトの密度、ＣＩ：前記ルツボ内径取得手段（９２）が取得したルツボ内径、ＧＲ：前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度
上式を解いて得られるＣＬを前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）とすることを特徴とする。

また、第８４発明は、第８１発明乃至第８３発明のいずれかにおいて、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするメルト位置（ＭＰ）とを対応させて記憶するメルト位置記憶手段（１１４）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）を前記メルト位置記憶手段（１１４）から取得するメルト位置取得手段（１１５）をさらに具備し、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）と、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得したメルト位置（ＭＰ）とに基づいて、前記ルツボ（２００）の上昇速度を決定することを特徴とする。

また、第８５明は、第７５発明乃至第８４発のいずれかにおいて、前記直径制御手段（８０）は、不足熱量を制御する不足熱量制御手段（９６）を具備することを特徴とする。

また、第８６発明は、第８５発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする前記メルト（２０２）への供給熱量（ＱＩＮ）とを対応させて記憶する供給熱量記憶手段（１００）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する供給熱量（ＱＩＮ）を前記供給熱量記憶手段（１００）から取得する供給熱量取得手段（１０１）を具備し、前記供給熱量取得手段（１０１）が取得した供給熱量（ＱＩＮ）に基づいて前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第８７発明は、第４９発明乃至第８６発明のいずれかにおいて、前記引き上げ条件決定手段（７６）が決定した引き上げ条件に基づいて、前記結晶体（２０６）の酸素濃度を制御する酸素濃度制御手段（１０２）をさらに具備することを特徴とする。

また、第８８発明は、第８７発明において、前記酸素濃度制御手段（１０２）は、前記シード（２０４）の回転速度を制御するシード回転速度制御手段（１０４）を具備することを特徴とする。

また、第８９発明は、第８８発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするシード回転速度とを対応させて記憶するシード回転速度記憶手段（１０６）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するシード回転速度（ＳＲ）を前記シード回転速度記憶手段（１０６）から取得するシード回転速度取得手段（１０７）を具備し、前記シード回転速度取得手段（１０７）が取得したシード回転速度（ＳＲ）に基づいて前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第９０発明は、第８７発明乃至第８９発明のいずれかにおいて、前記酸素濃度制御手段（１０２）は、前記ルツボ（２００）の回転速度を制御するルツボ回転速度制御手段（１０８）を具備することを特徴とする。

また、第９１発明は、第９０発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするルツボ回転速度とを対応させて記憶するルツボ回転速度記憶手段（１１０）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するルツボ回転速度（ＣＲ）を前記ルツボ回転速度記憶手段（１１０）から取得するルツボ回転速度取得手段（１１１）を具備し、前記ルツボ回転速度取得手段（１１１）が取得したルツボ回転速度（ＣＲ）に基づいて前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第９２発明は、第８７発明乃至第９１発明のいずれかにおいて、前記酸素濃度制御手段（１０２）は、前記メルト（２０２）の位置を制御するメルト位置制御手段（１１２）を具備することを特徴とする。

また、第９３発明は、第９２発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするメルト位置とを対応させて記憶するメルト位置記憶手段（１１４）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）を前記メルト位置記憶手段（１１４）から取得するメルト位置取得手段（１１５）を具備し、前記メルト位置取得手段（１１５）が取得したメルト位置（ＭＰ）に基づいて前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第９４発明は、第８７発明乃至第９３発明のいずれかにおいて、前記酸素濃度制御手段（１０２）は、前記メルト（２０２）周辺の熱環境を制御する熱環境制御手段（９８）を具備することを特徴とする。

また、第９５発明は、第９４発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするヒーター位置（ＨＰ）とを対応させて記憶するヒーター位置記憶手段（１４３）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するヒーター位置（ＨＰ）を前記ヒーター位置記憶手段（１４３）から取得するヒーター位置取得手段（１４４）を具備し、前記ヒーター位置取得手段（１４４）が取得したヒーター位置（ＨＰ）に基づいて前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第９６発明は、第８７発明乃至第９５発明のいずれかにおいて、前記酸素濃度制御手段（１０２）は、前記メルト（２０２）の表面に沿って流す不活性ガスの流れを制御するガス流制御手段（１１６）を具備することを特徴とする。

また、第９７発明は、第９６発明において、前記ガス流制御手段（１１６）は、前記不活性ガスの供給量を制御するガス供給量制御手段（１１８）を具備することを特徴とする。

また、第９８発明は、第９７発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする前記不活性ガスの供給量とを対応させて記憶するガス供給量記憶手段（１２０）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する不活性ガスの供給量を前記ガス供給量記憶手段（１２０）から取得するガス供給量取得手段（１２１）を具備し、前記ガス供給量取得手段（１２１）が取得した供給量に基づいて前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第９９発明は、第９６発明または第９７発明において、前記ガス流制御手段（１１６）は、前記結晶体（２０６）の周囲に配設された整流板（２５４）の位置を制御する整流板位置制御手段（１２２）を具備することを特徴とする。

また、第１００発明は、第９９発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする整流板位置（ＶＰ）とを対応させて記憶する整流板位置記憶手段（１２３）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する整流板位置（ＶＰ）を前記整流板位置記憶手段（１２３）から取得する整流板位置取得手段（１２４）を具備し、前記整流板位置取得手段（１２４）が取得した整流板位置（ＶＰ）に基づいて前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第１０１発明は、第８７発明乃至第１００発明のいずれかにおいて、前記酸素濃度制御手段（１０２）は、磁界を印加する磁界印加手段（１２５）と、前記磁界印加手段（１２５）が印加する磁界の状態を制御する磁界制御手段（１２６）を具備することを特徴とする。

また、第１０２発明は、第１０１発明において、前記磁界印加手段（１２５）は、前記ルツボ（２００）の側壁に直交する磁束を発生させる横磁界を生成する横磁界生成手段（１２８）を具備することを特徴とする。

また、第１０３発明は、第１０１発明または第１０２発明において、前記磁界印加手段（１２５）は、前記メルト（２０２）の表面に直交する磁束を発生させる垂直磁界を生成する垂直磁界生成手段（１３０）を具備することを特徴とする。

また、第１０４発明は、第１０１発明乃至第１０３発明のいずれかにおいて、前記磁界印加手段（１２５）は、放物線状の磁束を発生させるカスプ磁界を生成するカスプ磁界生成手段（１３２）を具備することを特徴とする。

また、第１０５発明は、第１０１発明乃至第１０４発明のいずれかにおいて、前記磁界制御手段（１２６）は、前記磁界印加手段（１２５）が印加する磁界の位置を制御する磁界印加位置制御手段（１３４）を具備することを特徴とする。

また、第１０６発明は、第１０５発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする磁界印加位置（ＦＰ）とを対応させて記憶する磁界印加位置記憶手段（１３６）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する磁界印加位置（ＦＰ）を前記磁界印加位置記憶手段（１３６）から取得する磁界印加位置取得手段（１３７）を具備し、前記磁界印加位置取得手段（１３７）が取得した磁界印加位置（ＦＰ）に基づいて前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第１０７発明は、第１０１発明乃至第１０６発明のいずれかにおいて、前記磁界制御手段（１２６）は、前記磁界印加手段（１２５）が印加する磁界の強度を制御する磁界印加強度制御手段（１３８）を具備することを特徴とする。

また、第１０８発明は、第１０７発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする磁界印加強度（ＦＩ）とを対応させて記憶する磁界印加強度記憶手段（１４０）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する磁界印加強度（ＦＩ）を前記磁界印加強度記憶手段（１４０）から取得する磁界印加強度取得手段（１４１）を具備し、前記磁界印加強度取得手段（１４１）が取得した磁界印加強度（ＦＩ）に基づいて前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第１０９発明は、第４９発明乃至第１０８発明のいずれかにおいて、前記引き上げ条件決定手段（７６）が決定した引き上げ条件に基づいて、前記結晶体（２０６）の欠陥状態を制御する欠陥制御手段（１４２）をさらに具備することを特徴とする。

また、第１１０発明は、第１０９発明において、前記欠陥制御手段（１４２）は、前記結晶体（２０６）の成長速度を制御する結晶成長速度制御手段（８２）を具備することを特徴とする。

また、第１１１発明は、第１１０発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶成長速度（ＧＲ）とを対応させて記憶する結晶成長速度記憶手段（８４）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶成長速度（ＧＲ）を前記結晶成長速度記憶手段（８４）から取得する結晶成長速度取得手段（８６）を具備し、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）に基づいて前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第１１２発明は、第１１１発明において、前記結晶成長速度制御手段（８２）は、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）に基づいて、前記シード（２０４）の上昇速度を制御するシード上昇速度制御手段（８８）を具備することを特徴とする。

また、第１１３発明は、第１１０発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするメルト位置（ＭＰ）とを対応させて記憶するメルト位置記憶手段（１１４）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）を前記メルト位置記憶手段（１１４）から取得するメルト位置取得手段（１１５）をさらに具備し、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）と、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得したメルト位置（ＭＰ）とに基づいて、前記シード（２０４）の上昇速度を決定することを特徴とする。

また、第１１４発明は、第１１１発明において、前記欠陥制御手段（１４２）は、前記ルツボ（２００）の上昇速度を制御するルツボ上昇速度制御手段（９０）を具備することを特徴とする。

また、第１１５発明は、第１１４発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて記憶する結晶直径記憶手段（４０）をさらに具備し、前記メルト下降深さ検出手段（３４）は、前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）と、前記ルツボ（２００）内に最初にチャージした前記メルト（２０２）の総重量を記憶するメルト初期重量記憶手段（１２）と、前記結晶体（２０６）が成長した重量を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、前記メルト初期重量記憶手段（１２）が記憶したメルト初期重量（ＭＩＷ）と前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出するメルト重量算出手段（１６）と、前記メルト重量算出手段（１６）が算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定する該当区間判定手段（２０）と、前記該当区間判定手段（２０）が判定した判定区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定するメルト深さ決定手段（２２）と、前記ルツボ（２００）内に前記メルト（２０２）を最初にチャージしたときに、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定した値をメルト初期深さ（ＭＩＤ）として記憶するメルト初期深さ記憶手段（５０）と、前記メルト初期深さ記憶手段（５０）が記憶したメルト初期深さ（ＭＩＤ）と、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定したメルト深さ（ＭＤ）とを用いて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を算出するメルト下降深さ算出手段（５２）とを具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を前記結晶直径記憶手段（４０）から取得する結晶直径取得手段（４２）と、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定したメルト深さ（ＭＤ）に対応するルツボ内径（ＣＩ）を前記ルツボ形状テーブル（１０）から取得するルツボ内径取得手段（９２）と、前記結晶直径取得手段（４２）が取得した結晶直径（ＧＤ）と、前記ルツボ内径取得手段（９２）が取得したルツボ内径（ＣＩ）と、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）とを用いて、前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）を算出するルツボ上昇速度算出手段（９４）を具備することを特徴とする。

また、第１１６発明は、第１１５発明において、前記ルツボ上昇速度算出手段（９４）は、
（式１５）

また、第１１７発明は、第１１４発明乃至第１１６発明のいずれかにおいて、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするメルト位置（ＭＰ）とを対応させて記憶するメルト位置記憶手段（１１４）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）を前記メルト位置記憶手段（１１４）から取得するメルト位置取得手段（１１５）をさらに具備し、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）と、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得したメルト位置（ＭＰ）とに基づいて、前記ルツボ（２００）の上昇速度を決定することを特徴とする。

また、第１１８発明は、第１０９発明乃至第１１７のいずれかにおいて、前記欠陥制御手段（１４２）は、前記結晶体（２０６）の温度勾配を制御する温度勾配制御手段（１４６）を具備することを特徴とする。

また、第１１９発明は、第１１８発明において、前記温度勾配制御手段（１４６）は、前記結晶体（２０６）周辺の熱環境を制御する熱環境制御手段（９８）を具備することを特徴とする。

また、第１２０発明は、第１１９発明において、前記熱環境制御手段（９８）は、前記メルト（２０２）の位置を制御するメルト位置制御手段（１１２）を具備することを特徴とする。

また、第１２１発明は、第１２０発明において、前記結晶体（２０６）の引き上げ軸方向の位置と、前記結晶成長長さ（ＧＬ）が該位置に該当したときに制御目標とするメルト位置（ＭＰ）とを対応させて記憶するメルト位置記憶手段（１１４）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）を前記メルト位置記憶手段（１１４）から取得するメルト位置取得手段（１１５）を具備し、前記メルト位置取得手段（１１５）が取得したメルト位置（ＭＰ）に基づいて前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第１２２発明は、第１１９発明において、前記熱環境制御手段（９８）は、前記結晶体（２０６）の周囲に配設された輻射板（２７０）の位置を制御する輻射板位置制御手段（１５０）を具備することを特徴とする。

また、第１２３発明は、第１２２発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする輻射板位置（ＰＰ）とを対応させて記憶する輻射板位置記憶手段（１５２）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する輻射板位置（ＰＰ）を前記輻射板位置記憶手段（１５２）から取得する輻射板位置取得手段（１５３）を具備し、前記輻射板位置取得手段（１５３）が取得した輻射板位置（ＰＰ）に基づいて前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第１２４発明は、第４９発明乃至第１２３発明のいずれかにおいて、前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を用いて前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を予測する結晶成長重量予測手段（３８）と、前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）と前記結晶成長重量予測手段（３８）が予測した予測重量（ＧＰＷ）との差を求める重量偏差算出手段（４６）とをさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記重量偏差算出手段（４６）が算出した重量偏差（ＧＷＤ）に基づいて、前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第１２５発明は、第１２４発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて記憶する結晶直径記憶手段（４０）をさらに具備し、前記結晶成長重量予測手段（３８）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を前記結晶直径記憶手段（４０）から取得する結晶直径取得手段（４２）と、前記結晶直径取得手段（４２）が取得した結晶直径（ＧＤ）を用いて、前記予測重量（ＧＰＷ）を算出する予測重量算出手段（４４）とを具備することを特徴とする。

また、第１２６発明は、第１２５発明において、前記予測重量算出手段（４４）は、
（式５）

また、第１２７発明は、第１２４発明乃至第１２６発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記結晶体（２０６）の重量を測定する重量センサ（２１４）を具備し、前記重量偏差算出手段（４６）は、前記重量センサ（２１４）が測定した値と、前記結晶成長重量予測手段（３８）が予測した予測重量（ＧＰＷ）とを用いて、前記重量偏差（ＧＷＤ）を算出することを特徴とする。

また、第１２８発明は、第１２７発明において、前記重量偏差算出手段（４６）の後段に接続されたフィルタ部（２１６）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記フィルタ部（２１６）の出力に基づいて、前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第１２９発明は、第４９発明乃至第１２８発明のいずれかにおいて、前記結晶体（２０６）の結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶成長速度（ＧＲ）および該結晶体（２０６）の品質を制御する品質制御パラメータとを対応させて記憶する制御テーブル（１５４）をさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）が前記制御テーブル（１５４）のどの区間に属するのかを判定する所属区間判定手段（１５６）と、前記所属区間判定手段（１５６）が判定した判定区間に所属する結晶成長速度（ＧＲ）を取得する結晶成長速度取得手段（８６）と、前記所属区間判定手段（１５６）が判定した判定区間に所属する品質制御パラメータを取得する品質制御パラメータ取得手段（１６０）とを具備し、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）と、前記品質制御パラメータ取得手段（１６０）が取得した品質制御パラメータとを用いて、前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第１３０発明は、第１２９発明において、前記制御テーブル（１５４）は、前記分割した各区間の節点に前記結晶成長長さ（ＧＬ）を格納する結晶成長長さ格納フィールド（１６２）と、前記結晶成長長さ格納フィールド（１６２）に格納された結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶成長速度（ＧＲ）を格納する結晶成長速度格納フィールド（１６４）と、前記結晶成長長さ格納フィールド（１６２）に格納された結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する品質制御パラメータを格納する品質制御パラメータ格納フィールド（１６６）とを具備することを特徴とする。

また、第１３１発明は、第１３０発明において、前記品質制御パラメータ格納フィールド（１６６）は、前記結晶体（２０６）が前記結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするメルト位置（ＭＰ）を格納し、前記品質制御パラメータ取得手段（１６０）は、前記品質制御パラメータ格納フィールド（１６６）に格納されたメルト位置（ＭＰ）を取得するメルト位置取得手段（１１５）と、前記メルト位置取得手段（１１５）が取得したメルト位置に対応する結晶成長長さ（ＧＬ）を取得する結晶成長長さ取得手段（１５８）とを具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）と、前記メルト位置取得手段（１１５）が取得したメルト位置（ＭＰ）と、前記結晶成長長さ取得手段（１５８）が取得した結晶成長長さ（ＧＬ）とを用いて、メルト位置移動速度（ＭＰＳ）を決定するメルト位置移動速度決定手段（１５９）を具備することを特徴とする。

また、第１３２発明は、第１３１発明において、前記結晶成長速度取得手段（８６）は、前記所属区間判定手段（１５６）が判定した判定区間を直線で近似し、該近似した直線に前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を当てはめて、前記結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶成長速度（ＧＲ）を算出する結晶成長速度算出手段（１６８）を具備し、前記メルト位置取得手段（１１５）は、前記所属区間判定手段（１５６）が判定した判定区間を直線で近似し、該近似した直線に前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を当てはめて、前記結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）を算出するメルト位置算出手段（１６９）を具備することを特徴とする。

また、第１３３発明は、第１３２発明において、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）と、前記メルト位置取得手段（１１５）が取得したメルト位置（ＭＰ）とを用いて、前記シード（２０４）の上昇速度を決定するシード上昇速度決定手段（７９）をさらに具備し、前記シード上昇速度決定手段（７９）が決定したシード上昇速度（ＳＬ）を前記引き上げ条件の一つとして決定することを特徴とする。

また、第１３４発明は、第１３２発明または第１３３発明において、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）と、前記メルト位置取得手段（１１５）が取得したメルト位置（ＭＰ）とを用いて、前記ルツボ（２００）の上昇速度を決定するルツボ上昇速度決定手段（１７０）をさらに具備し、前記ルツボ上昇速度決定手段（１７０）が決定したルツボ上昇速度（ＣＬ）を前記引き上げ条件の一つとして決定することを特徴とする。

また、第１３５発明は、第１３４発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて記憶する結晶直径記憶手段（４０）をさらに具備し、前記メルト下降深さ検出手段（３４）は、前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）と、前記ルツボ（２００）内に最初にチャージした前記メルト（２０２）の総重量を記憶するメルト初期重量記憶手段（１２）と、前記結晶体（２０６）が成長した重量を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、前記メルト初期重量記憶手段（１２）が記憶したメルト初期重量（ＭＩＷ）と前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出するメルト重量算出手段（１６）と、前記メルト重量算出手段（１６）が算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定する該当区間判定手段（２０）と、前記該当区間判定手段（２０）が判定した判定区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定するメルト深さ決定手段（２２）と、前記ルツボ（２００）内に前記メルト（２０２）を最初にチャージしたときに、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定した値をメルト初期深さ（ＭＩＤ）として記憶するメルト初期深さ記憶手段（５０）と、前記メルト初期深さ記憶手段（５０）が記憶したメルト初期深さ（ＭＩＤ）と、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定したメルト深さ（ＭＤ）とを用いて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を算出するメルト下降深さ算出手段（５２）とを具備し、前記ルツボ上昇速度決定手段（１７０）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を前記結晶直径記憶手段（４０）から取得する結晶直径取得手段（４２）と、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定したメルト深さ（ＭＤ）に対応するルツボ内径（ＣＩ）を前記ルツボ形状テーブル（１０）から取得するルツボ内径取得手段（９２）と、前記結晶直径取得手段（４２）が取得した結晶直径（ＧＤ）と、前記ルツボ内径取得手段（９２）が取得したルツボ内径（ＣＩ）と、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長長さ（ＧＬ）とを用いて、前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）を算出するルツボ上昇速度算出手段（９４）を具備することを特徴とする。

また、第１３６発明は、第１３５発明において、前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を用いて前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を予測する結晶成長重量予測手段（３８）と、前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）と前記結晶成長重量予測手段（３８）が予測した予測重量（ＧＰＷ）との差を求める重量偏差算出手段（４６）とをさらに具備し、前記引き上げ条件決定手段（７６）は、前記重量偏差算出手段（４６）が算出した重量偏差（ＧＷＤ）に基づいて、前記引き上げ条件を決定することを特徴とする。

また、第１３７発明は、第１３６発明において、前記結晶成長重量予測手段（３８）は、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を前記結晶直径記憶手段（４０）から取得する結晶直径取得手段（４２）と、前記結晶直径取得手段（４２）が取得した結晶直径（ＧＤ）を用いて、前記予測重量（ＧＰＷ）を算出する予測重量算出手段（４４）とを具備することを特徴とする。

また、第１３８発明は、第１３７発明において、前記予測重量算出手段（４４）は、
（式５）

ＰＷ：予測重量、Ｄｃｒｙｓｔａｌ：結晶体の密度、π：円周率、ＧＬ：結晶成長長さ、ＧＤ（Ｌ）：長さＬにおける結晶直径
上式に基づいて算出されたＧＰＷを前記予測重量とするを具備することを特徴とする。

また、第１３９発明は、第１３６発明乃至第１３８発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量検出手段（１４）は、前記結晶体（２０６）の重量を測定する重量センサ（２１４）を具備し、前記重量偏差算出手段（４６）は、前記重量センサ（２１４）が測定した値と、前記結晶成長重量予測手段（３８）が予測した予測重量（ＧＰＷ）とを用いて、前記重量偏差（ＧＷＤ）を算出することを特徴とする。

また、第１４０発明は、第１３９発明において、前記重量偏差算出手段（４６）の後段に接続されたフィルタ部（２１６）をさらに具備し、前記シード上昇速度決定手段（７９）は、前記フィルタ部（２１６）の出力に基づいて、前記シード上昇速度（ＳＬ）を決定することを特徴とする。

また、第１４１発明は、第１３６発明乃至第１４０発明のいずれかにおいて、前記シード上昇速度決定手段（７９）は、前記所属区間判定手段（１５６）が判定した判定区間の経過に要する時間を算出する所要時間算出手段（１７２）と、前記品質制御パラメータ取得手段（１６０）が取得したメルト位置（ＭＰ）と、前記所要時間算出手段（１７２）が算出した所要時間（Ｔ）とを用いて、該メルト位置に基づくシード上昇速度（ＳＬ）の操作量を算出するとともに、前記重量偏差算出手段（４６）が算出した重量偏差（ＧＷＤ）を用いて、該重量偏差に基づくシード上昇速度（ＳＬ）の操作量を算出するシード上昇速度操作量算出手段（７８）と、前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出したメルト位置に基づくシード上昇速度操作量と、該シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出した重量偏差に基づくシード上昇速度操作量と、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）とを用いて、前記シード上昇速度（ＳＬ）を算出するシード上昇速度算出手段（１７４）とを具備することを特徴とする。

また、第１４２発明は、第１４１発明において、前記所要時間算出手段（１７２）は、前記所属区間判定手段（１５６）が判定した判定区間の節点に格納された結晶成長長さ（ＧＬ）と結晶成長速度（ＧＲ）とを用いて、前記所要時間（Ｔ）を算出することを特徴とする。

また、第１４３発明は、第１４２発明において、前記所要時間算出手段（１７２）は、
（式１６）

Ｔ［ｉｔー１］：区間ｉｔ−１の所要時間、ＧＬ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長長さ、ＧＬ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長長さ、ＧＲ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長速度、ＧＲ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長速度
上式を解いて得られたＴ［ｉｔー１］を前記所要時間とすることを特徴とする。

また、第１４４発明は、第１４２発明において、前記所要時間算出手段（１７２）は、
（式１７）

また、第１４５発明は、第１４２発明において、前記結晶成長速度算出手段（１６８）は、
（式１８）

ＧＲ（ＧＬ）：前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さに対応する結晶成長速度、ＧＲ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長速度、ＧＲ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長速度、ＧＬ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長長さ、ＧＬ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長長さ
上式を解いて得られたＧＲ（ＧＬ）を前記結晶成長速度とし、前記所要時間算出手段（１７２）は、
（式１９）

Ｔ［ｉｔー１］：区間ｉｔ−１の所要時間、ＧＬ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長長さ、ＧＬ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長長さ、ＧＲ（ＧＬ）：前記結晶成長速度算出手段（１６８）が算出した結晶成長速度、ＳＬＣ（ＧＷＤ）：前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出した重量偏差に基づくシード上昇速度操作量
上式を解いて得られたＴ［ｉｔー１］を前記所要時間とすることを特徴とする。

また、第１４６発明は、第１４２発明乃至第１４５発明のいずれかにおいて、前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）は、
（式２０）

ＳＬＣ（ＭＰ）：メルト位置に基づくシード上昇速度の操作量、ＭＰ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納されたメルト位置、ＭＰ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納されたメルト位置、Ｔ［ｉｔー１］：区間ｉｔ−１の所要時間
上式を解いて得られたＳＬＣ（ＭＰ）を前記メルト位置に基づくシード上昇速度操作量とし、前記シード上昇速度算出手段（１７４）は、
（式２１）

ＳＬ：シード上昇速度、ＧＲ（ＧＬ）：前記結晶成長速度算出手段（１６８）が算出した結晶成長速度、ＳＬＣ（ＭＰ）：前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出したメルト位置に基づくシード上昇速度操作量、ＳＬＣ（ＧＷＤ）：前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出した重量偏差に基づくシード上昇速度操作量
上式に基づいて、前記シード上昇速度（ＳＬ）を算出することを特徴とする。

また、第１４７発明は、第１４６発明において、前記ルツボ上昇速度算出手段（９４）は、
（式２２）

ＣＬ：ルツボ上昇速度、Ｄｃｒｙｓｔａｌ：結晶体の密度、ＧＤ：前記結晶直径取得手段（４２）が取得した結晶直径、Ｄｍｅｌｔ：メルトの密度、ＣＩ：前記ルツボ内径取得手段（９２）が取得したルツボ内径、ＧＲ（ＧＬ）：前記結晶成長速度算出手段（１６８）が算出した結晶成長速度、ＳＬＣ（ＧＷＤ）：前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出した重量偏差に基づくシード上昇速度操作量、ＳＬＣ（ＭＰ）：前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出したメルト位置に基づくシード上昇速度操作量
上式を解いて得られたＣＬを前記ルツボ上昇速度とすることを特徴とする。

また、第１４８発明は、第１４７発明において、前記シード（２０４）を引き上げるワイヤー（２０８）と、前記ワイヤー（２０８）を巻き取るワイヤードラム（２１０）と、前記ワイヤー（２０８）が伸びた長さを検出する伸び長検出手段（５４）とをさらに具備し、前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）は、前記伸び長検出手段（５４）が検出した伸び長（ＷＥＬ）を用いて、該伸び長に基づくシード上昇速度（ＳＬ）の操作量を算出することを特徴とする。

また、第１４９発明は、第１４８発明において、前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）は、
（式１３）

また、第１５０発明は、第１４９発明において、前記シード上昇速度算出手段（１７４）は、
（式２３）

ＳＬ：シード上昇速度、ＧＲ（ＧＬ）：前記結晶成長速度算出手段（１６８）が算出した結晶成長速度、ＳＬＣ（ＭＰ）：前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出したメルト位置に基づくシード上昇速度操作量、ＳＬＣ（ＧＷＤ）：前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出した重量偏差に基づくシード上昇速度操作量、ＳＬＣ（ＷＥＬ）：前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出した伸び長に基づくシード上昇速度操作量
上式に基づいて前記シード上昇速度（ＳＬ）を算出することを特徴とする。

また、第１５１発明は、ルツボ（２００）内にチャージされたメルト（２０２）にシード（２０４）を浸漬し、該浸漬したシード（２０４）を引き上げて結晶体（２０６）を成長させながら、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを検出するメルト深さ検出方法において、前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）を予め作成しておき、前記ルツボ（２００）内にメルト（２０２）をチャージするとともに、該チャージしたメルトの重量をメルト初期重量（ＭＩＷ）として記憶した後、前記シード（２０４）を該チャージしたメルト（２０２）の表面に浸漬し、該浸漬したシード（２０４）を引き上げながら、該シード（２０４）の下に成長した結晶体（２０６）の重量を結晶成長重量（ＧＷ）として検出し、前記記憶したメルト初期重量（ＭＩＷ）と前記検出した結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出し、該算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定し、該判定した判定区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定することを特徴とする。

また、第１５２発明は、第１５１発明において、前記メルト深さ（ＭＤ）の決定は、前記判定区間を直線で近似し、該近似した直線に前記算出したメルト重量（ＭＷ）を当てはめて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを算出して行うことを特徴とする。

また、第１５３発明は、第１５１発明または第１５２発明において、前記ルツボ形状テーブル（１０）は、前記分割した各区間の節点ごとに、前記ルツボ（２００）の深さと、該ルツボ（２００）の内径と、該各区間内でチャージされるメルト区間重量（ΔＭＷ）とを対応させて格納することを特徴とする。

また、第１５４発明は、第１５３発明において、前記ルツボ形状テーブル（１０）の節点ｎｔには、
（式１）

ΔＭＷ［ｉｔ−１］：区間ｉｔ−１内でチャージされるメルト区間重量、Ｄｍｅｌｔ：メルトの密度、π：円周率、ＣＤ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納されたルツボ深さ、ＣＤ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納されたルツボ深さ、ｆ（Ｘ）：式１に示す近似関数
上記各式を解いて得られるΔＭＷ［ｉｔ−１］を格納することを特徴とする。

また、第１５５発明は、第１５３発明または第１５４発明において、前記メルト深さ（ＭＤ）の決定は、
（式３）

ＭＤ：メルト深さ、Ｘ：式３の解
上記各式を実行して行うことを特徴とする。

また、第１５６発明は、第１５１発明乃至第１５５発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量（ＧＷ）の検出は、重量センサ（２１４）を用いて行うことを特徴とする。

また、第１５７発明は、第１５６発明において、前記結晶成長重量（ＧＷ）の検出は、前記重量センサ（２１４）の出力信号に含まれたノイズ成分を除去してから行うことを特徴とする。

また、第１５８発明は、第１５１発明乃至第１５５発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量（ＧＷ）の検出は、前記シード（２０４）を引き上げながら、該シード（２０４）が上昇した高さと、前記ルツボ（２００）が上昇した高さと、前記メルト（２０２）が前記ルツボ（２００）内で下降した深さとを検出し、該検出したシード上昇高さ（ＳＬＨ）と、ルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）と、メルト下降深さ（ＭＤＤ）とを用いて、前記結晶体（２０６）の成長長さを算出し、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を用いて、前記結晶体（２０６）が成長した重量を予測して行うことを特徴とする。

また、第１５９発明は、第１５８発明において、前記予測重量（ＧＰＷ）の算出は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を取得し、該取得した結晶直径（ＧＤ）を用いて、予測重量（ＧＰＷ）を算出し、該算出した予測重量（ＧＰＷ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第１６０発明は、第１５９発明において、前記予測重量（ＧＰＷ）の算出は、
（式５）

ＧＰＷ：予測重量、Ｄｃｒｙｓｔａｌ：結晶体の密度、π：円周率、ＧＬ：結晶成長長さ、ＧＤ（Ｌ）：長さＬにおける結晶直径
上式を実行して行うことを特徴とする。

また、第１６１発明は、第１５８発明乃至第１６０発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量（ＧＷ）の検出は、重量センサ（２１４）を用いて前記結晶体（２０６）の重量を測定し、前記重量センサ（２１４）を用いて測定した結晶体（２０６）の重量と前記予測重量（ＧＰＷ）との差を求めて重量偏差（ＧＷＤ）を算出し、該算出した重量偏差（ＧＷＤ）を用いて、前記予測重量（ＧＰＷ）を補正して行うことを特徴とする。

また、第１６２発明は、第１６１発明において、前記予測重量（ＧＰＷ）の補正は、前記重量偏差（ＧＷＤ）に含まれたノイズ成分を除去してから行うことを特徴とする。

また、第１６３発明は、第１５８発明乃至第１６２発明のいずれかにおいて、前記結晶成長長さ（ＧＬ）の算出は、
（式６）

ＧＬ：結晶成長長さ、ＳＬＨ：シード上昇高さ、ＣＬＨ：ルツボ上昇高さ、ＭＤＤ：メルト下降深さ
上式を実行して行うことを特徴とする。

また、第１６４発明は、第１５８発明乃至第１６３発明のいずれかにおいて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）の検出は、前記ルツボ（２００）内に前記メルト（２０２）を最初にチャージしたときに、前記決定したメルト深さ（ＭＤ）をメルト初期深さ（ＭＩＤ）として記憶し、該記憶したメルト初期深さ（ＭＩＤ）と、前記決定したメルト深さ（ＭＤ）とを用いて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を算出して行うことを特徴とする。

また、第１６５発明は、第１６４発明において、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）の算出は、
（式７）

ＭＤＤ：メルト下降深さ、ＭＩＤ：メルト初期深さ、ＭＤ：メルト深さ
上式を実行して行うことを特徴とする。

また、第１６６発明は、第１５８発明乃至第１６５発明のいずれかにおいて、前記シード上昇高さ（ＳＬＨ）は、前記シード（２０４）の上昇速度をパルス信号に変換し、該変換したパルス信号をカウントして検出し、前記ルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）は、前記ルツボ（２００）の上昇速度をパルス信号に変換し、該変換したパルス信号をカウントして検出することを特徴とする。

また、第１６７発明は、第１５８発明乃至第１６６発明のいずれかにおいて、前記シード（２０４）の引き上げは、前記シード（２０４）に接続されたワイヤー（２０８）をワイヤードラム（２１０）で巻き取って行い、前記結晶体（２０６）を成長させる際には、前記ワイヤー（２０８）を巻き取りながら、該ワイヤー（２０８）が伸びた長さを検出し、該検出した伸び長（ＷＥＬ）を用いて、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を補正することを特徴とする。

また、第１６８発明は、第１６７発明において、前記伸び長（ＷＥＬ）の検出は、前記シード（２０４）を前記メルト（２０２）に浸漬したときの前記ワイヤー（２０８）の長さをワイヤー初期長（ＷＩＬ）として記憶しておき、前記ワイヤー（２０８）を巻き取りながら該巻き取った長さを検出するとともに、前記結晶体（２０６）が成長した重量を検出し、前記記憶したワイヤー初期長（ＷＩＬ）と、前記検出したワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）とを用いて、前記ワイヤードラム（２１０）から垂下したワイヤー（２０８）の無負荷状態での長さを算出し、前記検出した結晶成長重量（ＧＷ）と、前記算出したワイヤー無負荷長（ＷＮＬ）と、前記ワイヤー（２０８）の伸び率（ε）とを用いて、該ワイヤーの伸び長（ＷＥＬ）を算出して行うことを特徴とする。

また、第１６９発明は、第１６８発明において、前記シード（２０４）と前記ワイヤー（２０８）との接続は、シードチャック（２１２）を介して行い、前記伸び長（ＷＥＬ）の算出は、前記シード（２０４）の重量と前記シードチャック（２１２）の重量とを考慮して行うことを特徴とする。

また、第１７０発明は、第１６８発明または第１６９発明において、前記伸び長（ＷＥＬ）の算出は、前記ワイヤー（２０８）にかけた重量と、該重量をかけたときに該ワイヤー（２０８）が伸びた長さとの関係を伸び関数として予め求めておき、該予め求めた伸び関数を用いて行うことを特徴とする。

また、第１７１発明は、第１７０発明において、前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）の検出は、予め設定された区間ごとに、前記ワイヤードラム（２１０）の回転角度を検出し、該検出したワイヤードラム（２１０）の回転角度を用いて、前記区間内で前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）が変化した量を算出し、該算出したワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）の変化量を積算して行うことを特徴とする。

また、第１７２発明は、第１７１発明において、前記ワイヤー巻き取り長変化量の算出は、
（式８）

ΔＷＲＬ［ｉ−１］：区間ｉ−１内でのワイヤー巻き取り長の変化量、ｒ：ワイヤードラムの半径、ω（ｔ）：ワイヤードラムの回転角速度
上式を実行して行い、前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）の算出は、
（式９）

ＷＲＬ［ｎ］：節点ｎにおけるワイヤー巻き取り長、ΔＷＲＬ［ｋ］：区間ｋ内でのワイヤー巻き取り長の変化量
上式を実行して行い、前記ワイヤー無負荷長（ＷＮＬ）の算出は、
（式１０）

ＷＮＬ［ｎ］：節点ｎにおけるワイヤー無負荷長、ＷＩＬ：ワイヤー初期長、ＷＲＬ［ｎ］：節点ｎにおけるワイヤー巻き取り長
上式を実行して行い、前記伸び長（ＷＥＬ）の算出は、
（式１１）

ＷＥＬ［ｎ］：節点ｎにおける伸び長、ＷＮＬ［ｎ］：節点ｎにおけるワイヤー無負荷長、ε（ＧＷ）：伸び関数、ＧＷ［ｎ］：節点ｎにおける結晶成長重量
上式を実行して行い、前記結晶成長長さ（ＧＬ）の補正は、
（式１２）

ＧＬ：補正後の結晶成長長さ、ＧＬ［ｎ］：節点ｎにおける結晶成長長さ、ＷＥＬ［ｎ］：節点ｎにおける伸び長
上式を実行して行うことを特徴とする。

また、第１７３発明は、第１７０発明乃至第１７２発明のいずれかにおいて、前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）の検出は、前記ワイヤードラム（２１０）が巻き取った部分の伸びを考慮して行うことを特徴とする。

また、第１７４発明は、第１７３発明において、前記ワイヤー巻き取り長変化量の算出は、
（式１４）

ΔＷＲＬ［ｉ−１］：区間ｉ−１内でのワイヤー巻き取り長の変化量、ｒ：ワイヤードラムの半径、ω（ｔ）：ワイヤードラムの回転角速度、ε（ＧＷ）：伸び関数、ＧＷ［ｎ］：節点ｎにおける結晶成長重量、ＧＷ［ｎ−１］：節点ｎー１における結晶成長重量
上式を実行して行うことを特徴とする。

また、第１７５発明は、ルツボ（２００）内にチャージされたメルト（２０２）にシード（２０４）を浸漬し、該浸漬したシード（２０４）を引き上げて成長させた結晶体（２０６）の結晶成長長さ（ＧＬ）を検出する結晶成長長さ検出方法において、前記ルツボ（２００）内にメルト（２０２）をチャージし、該チャージしたメルト（２０２）の表面に前記シード（２０４）を浸漬し、該浸漬したシード（２０４）を引き上げながら、該シード（２０４）が上昇した高さと、前記ルツボ（２００）が上昇した高さと、前記メルト（２０２）が前記ルツボ（２００）内で下降した深さとを検出し、該検出したシード上昇高さ（ＳＬＨ）と、ルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）と、メルト下降深さ（ＭＤＤ）とを用いて、前記結晶体（２０６）の成長長さを算出することを特徴とする。

また、第１７６発明は、第１７５発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）の算出は、
（式６）

また、第１７７発明は、第１７５発明または第１７６発明において、前記シード上昇高さ（ＳＬＨ）は、前記シード（２０４）の上昇速度をパルス信号に変換し、該変換したパルス信号をカウントして検出し、前記ルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）は、前記ルツボ（２００）の上昇速度をパルス信号に変換し、該変換したパルス信号をカウントして検出することを特徴とする。

また、第１７８発明は、第１７５発明乃至第１７７発明のいずれかにおいて、前記シード（２０４）の引き上げは、前記シード（２０４）に接続されたワイヤー（２０８）をワイヤードラム（２１０）で巻き取って行い、前記結晶体（２０６）を成長させる際には、前記ワイヤー（２０８）を巻き取りながら、該ワイヤー（２０８）が伸びた長さを検出し、該検出した伸び長（ＷＥＬ）を用いて、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を補正することを特徴とする。

また、第１７９発明は、第１７８発明において、前記伸び長（ＷＥＬ）の検出は、前記シード（２０４）を前記メルト（２０２）に浸漬したときの前記ワイヤー（２０８）の長さをワイヤー初期長（ＷＩＬ）として記憶しておき、前記ワイヤー（２０８）を巻き取りながら該巻き取った長さを検出するとともに、前記結晶体（２０６）が成長した重量を検出し、前記記憶したワイヤー初期長（ＷＩＬ）と、前記検出したワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）とを用いて、前記ワイヤードラム（２１０）から垂下したワイヤー（２０８）の無負荷状態での長さを算出し、前記検出した結晶成長重量（ＧＷ）と、前記算出したワイヤー無負荷長（ＷＮＬ）と、前記ワイヤー（２０８）の伸び率（ε）とを用いて、該ワイヤーの伸び長（ＷＥＬ）を算出して行うことを特徴とする。

また、第１８０発明は、第１７９発明において、前記シード（２０４）と前記ワイヤー（２０８）との接続は、シードチャック（２１２）を介して行い、前記伸び長（ＷＥＬ）の算出は、前記シード（２０４）の重量と前記シードチャック（２１２）の重量とを考慮して行うことを特徴とする。

また、第１８１発明は、第１７９発明または第１８０発明において、前記伸び長（ＷＥＬ）の算出は、前記ワイヤー（２０８）にかけた重量と、該重量をかけたときに該ワイヤー（２０８）が伸びた長さとの関係を伸び関数として予め求めておき、該予め求めた伸び関数を用いて行うことを特徴とする。

また、第１８２発明は、第１８１発明において、前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）の検出は、予め設定された区間ごとに、前記ワイヤードラム（２１０）の回転角度を検出し、該検出したワイヤードラム（２１０）の回転角度を用いて、前記区間内で前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）が変化した量を算出し、該算出したワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）の変化量を積算して行うことを特徴とする。

また、第１８３発明は、第１８２発明において、前記ワイヤー巻き取り長変化量の算出は、
（式８）

また、第１８４発明は、第１８１発明乃至第１８３発明のいずれかにおいて、前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）の検出は、前記ワイヤードラム（２１０）が巻き取った部分の伸びを考慮して行うことを特徴とする。

また、第１８５発明は、第１８４発明において、前記ワイヤー巻き取り長変化量の算出は、
（式１４）

また、第１８６発明は、第１７５発明乃至第１８５発明のいずれかにおいて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）の検出は、前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）を予め作成しておき、前記ルツボ（２００）内にメルト（２０２）をチャージしたときに、該チャージしたメルトの重量をメルト初期重量（ＭＩＷ）として記憶しておき、前記シード（２０４）を引き上げながら、該シード（２０４）の下に成長した結晶体（２０６）の重量を結晶成長重量（ＧＷ）として検出し、前記記憶したメルト初期重量（ＭＩＷ）と前記検出した結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出し、該算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定し、該判定した判定区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定し、前記記憶したメルト初期深さ（ＭＩＤ）と、前記決定したメルト深さ（ＭＤ）とを用いて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を算出して行うことを特徴とする。

また、第１８７発明は、第１８６発明において、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）の算出は、
（式７）

また、第１８８発明は、第１８６発明または第１８７発明において、前記メルト深さ（ＭＤ）の決定は、前記判定区間を直線で近似し、該近似した直線に前記算出したメルト重量（ＭＷ）を当てはめて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを算出して行うことを特徴とする。

また、第１８９発明は、第１８６発明乃至第１８８発明のいずれかにおいて、前記ルツボ形状テーブル（１０）は、前記分割した各区間の節点ごとに、前記ルツボ（２００）の深さと、該ルツボ（２００）の内径と、該各区間内でチャージされるメルト区間重量（ΔＭＷ）とを対応させて格納することを特徴とする。

また、第１９０発明は、第１８９発明において、前記ルツボ形状テーブル（１０）の節点ｎｔには、
（式１）

また、第１９１発明は、第１８９発明または第１９０発明において、前記メルト深さ（ＭＤ）の決定は、
（式３）

ＭＷ：メルト重量、ΔＭＷ［ｋ］：節点ｋに格納されたメルト区間重量、Ｄｍｅｌｔ：メルトの密度、π：円周率、ＣＤ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納されたルツボ深さ、ｆ（Ｘ）：式１に示す近似関数
（式４）

また、第１９２発明は、第１８６発明乃至第１９１発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量（ＧＷ）の検出は、重量センサ（２１４）を用いて行うことを特徴とする。

また、第１９３発明は、第１９２発明において、前記結晶成長重量（ＧＷ）の検出は、前記重量センサ（２１４）の出力信号に含まれたノイズ成分を除去してから行うことを特徴とする。

また、第１９４発明は、第１８６発明乃至第１９３発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量（ＧＷ）の検出は、前記シード（２０４）を引き上げながら、該シード（２０４）が上昇した高さと、前記ルツボ（２００）が上昇した高さと、前記メルト（２０２）が前記ルツボ（２００）内で下降した深さとを検出し、該検出したシード上昇高さ（ＳＬＨ）と、ルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）と、メルト下降深さ（ＭＤＤ）とを用いて、前記結晶体（２０６）の成長長さを算出し、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を用いて、前記結晶体（２０６）が成長した重量を予測して行うことを特徴とする。

また、第１９５発明は、第１９４発明において、前記結晶成長重量（ＧＷ）の予測は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を取得し、該取得した結晶直径（ＧＤ）を用いて、予測重量（ＧＰＷ）を算出し、該算出した予測重量（ＧＰＷ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第１９６発明は、第１９５発明において、前記予測重量（ＧＰＷ）の算出は、
（式５）

また、第１９７発明は、第１９４発明乃至第１９６発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量（ＧＷ）の検出は、重量センサ（２１４）を用いて前記結晶体（２０６）の重量を測定し、前記重量センサ（２１４）を用いて測定した結晶体（２０６）の重量と前記予測重量（ＧＰＷ）との差を求めて重量偏差（ＧＷＤ）を算出し、該算出した重量偏差（ＧＷＤ）を用いて前記予測重量（ＧＰＷ）を補正し、該補正した値を用いて行うことを特徴とする。

また、第１９８発明は、第１９７発明において、前記予測重量（ＧＰＷ）の補正は、前記重量偏差（ＧＷＤ）に含まれたノイズ成分を除去してから行うことを特徴とする。

また、第１９９発明は、ルツボ（２００）内にチャージされたメルト（２０２）にシード（２０４）を浸漬し、該浸漬したシード（２０４）を引き上げて結晶体（２０６）を育成する結晶体の製造方法において、前記結晶体（２０６）の育成は、前記シード（２０４）が上昇した高さと、前記ルツボ（２００）が上昇した高さと、前記メルト（２０２）が前記ルツボ（２００）内で下降した深さとを検出し、該検出したシード上昇高さ（ＳＬＨ）と、ルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）と、メルト下降深さ（ＭＤＤ）とを用いて、前記結晶体（２０６）の成長長さを算出し、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に基づいて、前記結晶体（２０６）の引き上げ条件を決定し、該決定した引き上げ条件を用いて行うことを特徴とする。

また、第２００発明は、第１９９発明において、前記結晶成長長さ（ＧＬ）の算出は、
（式６）

また、第２０１発明は、第１９９発明または第２００発明において、前記シード上昇高さ（ＳＬＨ）は、前記シード（２０４）の上昇速度をパルス信号に変換し、該変換したパルス信号をカウントして検出し、前記ルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）は、前記ルツボ（２００）の上昇速度をパルス信号に変換し、該変換したパルス信号をカウントして検出することを特徴とする。

また、第２０２発明は、第１９９発明乃至第２０１発明のいずれかにおいて、前記シード（２０４）の引き上げは、前記シード（２０４）に接続されたワイヤー（２０８）をワイヤードラム（２１０）で巻き取って行い、前記結晶体（２０６）を育成する際には、前記ワイヤー（２０８）を巻き取りながら、該ワイヤー（２０８）が伸びた長さを検出し、該検出した伸び長（ＷＥＬ）を用いて、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を補正することを特徴とする。

また、第２０３発明は、第２０２発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記検出した伸び長（ＷＥＬ）を用いて、該伸び長に基づくシード上昇速度（ＳＬ）の操作量を算出し、該算出した伸び長に基づくシード上昇速度操作量を用いて行うことを特徴とする。

また、第２０４発明は、第２０３発明において、前記伸び長（ＷＥＬ）の検出は、前記シード（２０４）を前記メルト（２０２）に浸漬したときの前記ワイヤー（２０８）の長さをワイヤー初期長（ＷＩＬ）として記憶しておき、前記ワイヤー（２０８）を巻き取りながら該巻き取った長さを検出するとともに、前記結晶体（２０６）が成長した重量を検出し、前記記憶したワイヤー初期長（ＷＩＬ）と、前記検出したワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）とを用いて、前記ワイヤードラム（２１０）から垂下したワイヤー（２０８）の無負荷状態での長さを算出し、前記検出した結晶成長重量（ＧＷ）と、前記算出したワイヤー無負荷長（ＷＮＬ）と、前記ワイヤー（２０８）の伸び率（ε）とを用いて、該ワイヤーの伸び長（ＷＥＬ）を算出して行うことを特徴とする。

また、第２０５発明は、第２０４発明において、前記シード（２０４）と前記ワイヤー（２０８）との接続は、シードチャック（２１２）を介して行い、前記伸び長（ＷＥＬ）の算出は、前記シード（２０４）の重量と前記シードチャック（２１２）の重量とを考慮して行うことを特徴とする。

また、第２０６発明は、第２０４発明または第２０５発明において、前記伸び長（ＷＥＬ）の算出は、前記ワイヤー（２０８）にかけた重量と、該重量をかけたときに該ワイヤー（２０８）が伸びた長さとの関係を伸び関数として予め求めておき、該予め求めた伸び関数を用いて行うことを特徴とする。

また、第２０７発明は、第２０６発明において、前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）の検出は、予め設定された区間ごとに、前記ワイヤードラム（２１０）の回転角度を検出し、前記検出したワイヤードラム（２１０）の回転角度を用いて、前記区間内で前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）が変化した量を算出し、該算出したワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）の変化量を積算して行うことを特徴とする。

また、第２０８発明は、第２０７発明において、前記ワイヤー巻き取り長変化量の算出は、
（式８）

また、第２０９発明は、第２０８発明において、前記伸び長に基づくシード上昇速度操作量の算出は、
（式１３）

ＳＬＣ（ＷＥＬ）［ｎ］：節点ｎにおける伸び長に基づくシード上昇速度操作量、ΔＷＥＬ［ｉ−１］：区間ｉ−１内での伸び長の変化量、Δｔ［ｉ−１］：区間ｉ−１内の時間
上式を実行して行うことを特徴とする。

また、第２１０発明は、第２０６発明乃至第２０９発明のいずれかにおいて、前記ワイヤー巻き取り長（ＷＲＬ）の検出は、前記ワイヤードラム（２１０）が巻き取った部分の伸びを考慮して行うことを特徴とする。

また、第２１１発明は、第２１０発明において、前記ワイヤー巻き取り長変化量の算出は、
（式１４）

また、第２１２発明は、第１９９発明乃至第２１１発明のいずれかにおいて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）の検出は、前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）を予め作成しておき、前記ルツボ（２００）内にメルト（２０２）をチャージしたときに、該チャージしたメルトの重量をメルト初期重量（ＭＩＷ）として記憶しておき、前記シード（２０４）を引き上げながら、該シード（２０４）の下に成長した結晶体（２０６）の重量を結晶成長重量（ＧＷ）として検出し、前記記憶したメルト初期重量（ＭＩＷ）と前記検出した結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出し、該算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定し、該判定した判定区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定し、前記記憶したメルト初期深さ（ＭＩＤ）と、前記決定したメルト深さ（ＭＤ）とを用いて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を算出して行うことを特徴とする。

また、第２１３発明は、第２１２発明において、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）の算出は、
（式７）

また、第２１４発明は、第２１２発明または第２１３発明において、前記メルト深さ（ＭＤ）の決定は、前記判定区間を直線で近似し、該近似した直線に前記算出したメルト重量（ＭＷ）を当てはめて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを算出して行うことを特徴とする。

また、第２１５発明は、第２１２発明乃至第２１４発明のいずれかにおいて、前記ルツボ形状テーブル（１０）は、前記分割した各区間の節点ごとに、前記ルツボ（２００）の深さと、該ルツボ（２００）の内径と、該各区間内でチャージされるメルト区間重量（ΔＭＷ）とを対応させて格納することを特徴とする。

また、第２１６発明は、第２１５発明において、前記ルツボ形状テーブル（１０）の節点ｎｔには、
（式１）

また、第２１７発明は、第２１５発明または第２１６発明において、前記メルト深さ（ＭＤ）の決定は、
（式３）

また、第２１８発明は、第２１２発明乃至第２１７発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量（ＧＷ）の検出は、重量センサ（２１４）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２１９発明は、第２１８発明において、前記結晶成長重量（ＧＷ）の検出は、前記重量センサ（２１４）の出力信号に含まれたノイズ成分を除去してから行うことを特徴とする。

また、第２２０発明は、第２１２発明乃至第２１９発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量（ＧＷ）の検出は、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を用いて前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を予測し、該予測した値を用いて行うことを特徴とする。

また、第２２１発明は、第２２０発明において、前記結晶成長重量（ＧＷ）の予測は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を取得し、該取得した結晶直径（ＧＤ）を用いて、予測重量（ＧＰＷ）を算出し、該算出した予測重量（ＧＰＷ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２２２発明は、第２２１発明において、前記予測重量（ＧＰＷ）の算出は、
（式５）

また、第２２３発明は、第２２０発明乃至第２２１発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量（ＧＷ）の検出は、重量センサ（２１４）を用いて前記結晶体（２０６）の重量を測定し、前記重量センサ（２１４）を用いて測定した結晶体（２０６）の重量と前記予測重量（ＧＰＷ）との差を求めて重量偏差（ＧＷＤ）を算出し、該算出した重量偏差（ＧＷＤ）を用いて前記予測重量（ＧＰＷ）を補正し、該補正した値を用いて行うことを特徴とする。

また、第２２４発明は、第２２３発明において、前記予測重量（ＧＰＷ）の補正は、前記重量偏差（ＧＷＤ）に含まれたノイズ成分を除去してから行うことを特徴とする。

また、第２２５発明は、第１９９発明乃至第２２４発明のいずれかにおいて、前記決定した引き上げ条件に基づいて、前記結晶体（２０６）の結晶直径（ＧＤ）を制御することを特徴とする。

また、第２２６発明は、第２２５発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を取得し、該取得した結晶直径（ＧＤ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２２７発明は、第２２５発明または第２２６発明において、前記結晶体（２０６）の直径制御は、前記結晶体（２０６）の成長速度を制御して行うことを特徴とする。

また、第２２８発明は、第２２７発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶成長速度（ＧＲ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶成長速度（ＧＲ）を取得し、該取得した結晶成長速度（ＧＲ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２２９発明は、第２２８発明において、前記結晶体（２０６）の直径制御は、前記取得した結晶成長速度（ＧＲ）に基づいて、前記シード（２０４）の上昇速度を決定し、該決定した速度で前記シード（２０４）を上昇させて行うことを特徴とする。

また、第２３０発明は、第２２９発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするメルト位置（ＭＰ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）を取得し、該取得したメルト位置（ＭＰ）と、前記取得した結晶成長速度（ＧＲ）とに基づいて、前記シード（２０４）の上昇速度を決定し、該決定したシード上昇速度（ＳＬ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２３１発明は、第２２８発明において、前記結晶体（２０６）の直径制御は、前記取得した結晶成長速度（ＧＲ）に基づいて、前記ルツボ（２００）の上昇速度を決定し、該決定した速度で前記ルツボ（２００）を上昇させて行うことを特徴とする。

また、第２３２発明は、第２３１発明において、前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて予め記憶しておき、前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）を予め作成しておき、前記ルツボ（２００）内にメルト（２０２）をチャージしたときに、該チャージしたメルトの重量をメルト初期重量（ＭＩＷ）として記憶しておき、前記シード（２０４）を引き上げながら、該シード（２０４）の下に成長した結晶体（２０６）の重量を結晶成長重量（ＧＷ）として検出し、前記記憶したメルト初期重量（ＭＩＷ）と前記検出した結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出し、該算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定し、該判定した判定区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定し、前記記憶したメルト初期深さ（ＭＩＤ）と、前記決定したメルト深さ（ＭＤ）とを用いて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を算出して行い、前記引き上げ条件の決定は、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を取得し、前記決定したメルト深さ（ＭＤ）と前記ルツボ形状テーブル（１０）とを照合して、該決定したメルト深さ（ＭＤ）に対応するルツボ内径（ＣＩ）を取得し、該取得した結晶直径（ＧＤ）と、前記取得したルツボ内径（ＣＩ）と、前記取得した結晶成長速度（ＧＲ）とを用いて、前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）を算出し、該算出したルツボ上昇速度（ＣＬ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２３３発明は、第２３２発明において、前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）の算出は、
（式１５）

ＣＬ：ルツボ上昇速度、Ｄｃｒｙｓｔａｌ：結晶体の密度、ＧＤ：結晶成長長さに対応する結晶直径、Ｄｍｅｌｔ：メルトの密度、ＣＩ：前記ルツボ形状テーブルから取得したルツボ内径、ＧＲ：結晶成長長さに対応する結晶成長速度
上式を実行して行うことを特徴とする。

また、第２３４発明は、第２３１発明乃至第２３３発明のいずれかにおいて、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするメルト位置（ＭＰ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）を取得し、該取得したメルト位置（ＭＰ）と、前記取得した結晶成長速度（ＧＲ）とに基づいて、前記ルツボ（２００）の上昇速度を決定し、該決定したルツボ上昇速度（ＣＬ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２３５発明は、第２２５発明乃至第２３４発明のいずれかにおいて、前記結晶体（２０６）の直径制御は、不足熱量を制御して行うことを特徴とする。

また、第２３６発明は、第２３５発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする供給熱量（ＱＩＮ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する供給熱量（ＱＩＮ）を取得し、該取得した供給熱量（ＱＩＮ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２３７発明は、第１９９１発明乃至第２３６発明のいずれかにおいて、前記決定した引き上げ条件に基づいて、前記結晶体（２０６）の酸素濃度を制御することを特徴とする。

また、第２３８発明は、第２３７発明において、前記結晶体（２０６）の酸素濃度制御は、前記シード（２０４）の回転速度を制御して行うことを特徴とする。

また、第２３９発明は、第２３８発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするシード回転速度（ＳＲ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するシード回転速度（ＳＲ）を取得し、該取得したシード回転速度（ＳＲ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２４０発明は、第２３７発明乃至第２３９発明のいずれかにおいて、前記結晶体（２０６）の酸素濃度制御は、前記ルツボ（２００）の回転速度を制御して行うことを特徴とする。

また、第２４１発明は、第２４０発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするルツボ回転速度（ＣＲ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するルツボ回転速度（ＣＲ）を取得し、該取得したルツボ回転速度（ＣＲ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２４２発明は、第２３７発明乃至第２４１発明のいずれかにおいて、前記結晶体（２０６）の酸素濃度制御は、前記メルト（２０２）の位置を制御して行うことを特徴とする。

また、第２４３発明は、第２４２発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするメルト位置（ＭＰ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）を取得し、該取得したメルト位置（ＭＰ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２４４発明は、第２３７発明乃至第２４３発明のいずれかにおいて、前記結晶体（２０６）の酸素濃度制御は、前記メルト（２０２）周辺の熱環境を制御して行うことを特徴とする。

また、第２４５発明は、第２４４発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするヒーター位置（ＨＰ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するヒーター位置（ＨＰ）を取得し、該取得したヒーター位置（ＨＰ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２４６発明は、第２３７発明乃至第２４５発明のいずれかにおいて、前記結晶体（２０６）の酸素濃度制御は、前記メルト（２０２）の表面に沿って流す不活性ガスの流れを制御して行うことを特徴とする。

また、第２４７発明は、第２４６発明において、前記ガス流の制御は、前記不活性ガスの供給量を制御して行うことを特徴とする。

また、第２４８発明は、第２４７発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする不活性ガスの供給量とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する不活性ガスの供給量を取得し、該取得した不活性ガスの供給量を用いて行うことを特徴とする。

また、第２４９発明は、第２４６発明または第２４７発明において、前記ガス流の制御は、前記結晶体（２０６）の周囲に配設された整流板（２５４）の位置を制御して行うことを特徴とする。

また、第２５０発明は、第２４９発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする整流板位置（ＶＰ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する整流板位置（ＶＰ）を取得し、該取得した整流板位置（ＶＰ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２５１発明は、第２３７発明乃至第２５０発明のいずれかにおいて、前記結晶体（２０６）の酸素濃度制御は、磁界を印加して行うことを特徴とする。

また、第２５２発明は、第２５１発明において、前記印加する磁界は、前記ルツボ（２００）の側壁に直交する磁束を発生させる横磁界であることを特徴とする。

また、第２５３発明は、第２５１発明または第２５２発明において、前記印加する磁界は、前記メルト（２０２）の表面に直交する磁束を発生させる垂直磁界であることを特徴とする。

また、第２５４発明は、第２５１発明乃至第２５３発明のいずれかにおいて、前記印加する磁界は、放物線状の磁束を発生させるカスプ磁界であることを特徴とする。

また、第２５５発明は、第２５１発明乃至第２５４発明のいずれかにおいて、前記結晶体（２０６）の酸素濃度制御は、前記磁界の印加位置を制御して行うことを特徴とする。

また、第２５６発明は、第２５５発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする磁界印加位置（ＦＰ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する磁界印加位置（ＦＰ）を取得し、該取得した磁界印加位置（ＦＰ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２５７発明は、第２５１発明乃至第２５６発明のいずれかにおいて、前記結晶体（２０６）の酸素濃度制御は、前記磁界の強度を制御して行うことを特徴とする。

また、第２５８発明は、第２５７発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする磁界印加強度（ＦＩ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する磁界印加強度（ＦＩ）を取得し、該取得した磁界印加強度（ＦＩ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２５９発明は、第１９９発明乃至第２５８発明のいずれかにおいて、前記決定した引き上げ条件に基づいて、前記結晶体（２０６）の欠陥状態を制御することを特徴とする。

また、第２６０発明は、第２５９発明において、前記結晶体（２０６）の欠陥制御は、前記結晶体（２０６）の成長速度を制御して行うことを特徴とする。

また、第２６１発明は、第２６０発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶成長速度（ＧＲ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶成長速度（ＧＲ）を取得し、該取得した結晶成長速度（ＧＲ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２６２発明は、第２６１発明において、前記結晶体（２０６）の欠陥制御は、前記取得した結晶成長速度（ＧＲ）に基づいて、前記シード（２０４）の上昇速度を決定し、該決定した速度で前記シード（２０４）を上昇させて行うことを特徴とする。

また、第２６３発明は、第２６２発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするメルト位置（ＭＰ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）を取得し、該取得したメルト位置（ＭＰ）と、前記取得した結晶成長速度（ＧＲ）とに基づいて、前記シード（２０４）の上昇速度を決定し、該決定したシード上昇速度（ＳＬ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２６４発明は、第２６１発明において、前記結晶体（２０６）の欠陥制御は、前記取得した結晶成長速度（ＧＲ）に基づいて、前記ルツボ（２００）の上昇速度を決定し、該決定した速度で前記ルツボ（２００）を上昇させて行うことを特徴とする。

また、第２６５発明は、第２６４発明において、前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて予め記憶しておき、前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）を予め作成しておき、前記ルツボ（２００）内にメルト（２０２）をチャージしたときに、該チャージしたメルトの重量をメルト初期重量（ＭＩＷ）として記憶しておき、前記シード（２０４）を引き上げながら、該シード（２０４）の下に成長した結晶体（２０６）の重量を結晶成長重量（ＧＷ）として検出し、前記記憶したメルト初期重量（ＭＩＷ）と前記検出した結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出し、該算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定し、該判定した判定区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定し、前記記憶したメルト初期深さ（ＭＩＤ）と、前記決定したメルト深さ（ＭＤ）とを用いて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を算出して行い、前記引き上げ条件の決定は、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を取得し、前記決定したメルト深さ（ＭＤ）と前記ルツボ形状テーブル（１０）とを照合して、該決定したメルト深さ（ＭＤ）に対応するルツボ内径（ＣＩ）を取得し、該取得した結晶直径（ＧＤ）と、前記取得したルツボ内径（ＣＩ）と、前記取得した結晶成長速度（ＧＲ）とを用いて、前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）を算出し、該算出したルツボ上昇速度（ＣＬ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２６６発明は、第２６５発明において、前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）の算出は、
（式１５）

また、第２６７発明は、第２６４発明乃至第２６６発明のいずれかにおいて、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするメルト位置（ＭＰ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）を取得し、該取得したメルト位置（ＭＰ）と、前記取得した結晶成長速度（ＧＲ）とに基づいて、前記ルツボ（２００）の上昇速度を決定し、該決定したルツボ上昇速度（ＣＬ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２６８発明は、第２５９発明乃至第２６７発明のいずれかにおいて、前記結晶体（２０６）の欠陥制御は、前記結晶体（２０６）の温度勾配を制御して行うことを特徴とする。

また、第２６９発明は、第２６８発明において、前記温度勾配の制御は、前記結晶体（２０６）周辺の熱環境を制御して行うことを特徴とする。

また、第２７０発明は、第２６９発明において、前記熱環境の制御は、前記メルト（２０２）の位置を制御して行うことを特徴とする。

また、第２７１発明は、第２７０発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするメルト位置（ＭＰ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置を取得し、該取得したメルト位置（ＭＰ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２７２発明は、第２６９発明において、前記熱環境の制御は、前記結晶体（２０６）の周囲に配設された輻射板（２７０）の位置を制御して行うことを特徴とする。

また、第２７３発明は、第２７２発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする輻射板位置（ＰＰ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する輻射板位置（ＰＰ）を取得し、該取得した輻射板位置（ＰＰ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２７４発明は、第１９９発明乃至第２７３発明のいずれかにおいて、前記引き上げ条件の決定は、前記シード（２０４）を引き上げながら、該シード（２０４）の下に成長した結晶体（２０６）の重量を結晶成長重量（ＧＷ）として検出し、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を用いて前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を予測し、前記検出した結晶成長重量（ＧＷ）と前記予測した予測重量（ＧＰＷ）との差を求めて重量偏差（ＧＷＤ）を算出し、該算出した重量偏差（ＧＷＤ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２７５発明は、第２７４発明において、前記結晶成長重量（ＧＷ）の予測は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を取得し、前記取得した結晶直径（ＧＤ）を用いて、予測重量（ＧＰＷ）を算出し、該算出した予測重量（ＧＰＷ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２７６発明は、第２７５発明において、前記予測重量（ＧＰＷ）の算出は、
（式５）

また、第２７７発明は、第２７４発明乃至第２７６発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量（ＧＷ）の検出は、重量センサ（２１４）を用いて行い、前記重量偏差（ＧＷＤ）の算出は、前記重量センサ（２１４）によって測定した値と、前記予測した予測重量（ＧＰＷ）とを用いて行うことを特徴とする。

また、第２７８発明は、第２７７発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記算出した重量偏差（ＧＷＤ）に含まれたノイズ成分を除去してから行うことを特徴とする。

また、第２７９発明は、第１９９発明乃至第２７８発明のいずれかにおいて、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶体（２０６）の結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶成長速度（ＧＲ）および該結晶体（２０６）の品質を制御する品質制御パラメータとを対応させて記憶する制御テーブル（１５４）を予め作成しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記制御テーブル（１５４）とを照合して、該結晶成長長さ（ＧＬ）が前記制御テーブル（１５４）のどの区間に属するのかを判定し、該判定した判定区間に所属する結晶成長速度（ＧＲ）を取得するとともに、該判定区間に所属する品質制御パラメータを取得し、該取得した結晶成長速度（ＧＲ）と品質制御パラメータとを用いて行うことを特徴とする。

また、第２８０発明は、第２７９発明において、前記制御テーブル（１５４）は、各区間の節点に、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶成長速度（ＧＲ）と、前記品質制御パラメータとを対応させて格納することを特徴とする。

また、第２８１発明は、第２８０発明において、前記品質制御パラメータは、前記結晶体（２０６）が前記結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とするメルト位置（ＭＰ）を含み、前記引き上げ条件の決定は、前記結晶成長速度（ＧＲ）と、前記メルト位置（ＭＰ）と、前記結晶成長長さ（ＧＬ）とを用いて、メルト位置移動速度（ＭＰＳ）を決定し、該決定したメルト位置移動速度（ＭＰＳ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２８２発明は、第２８１発明において、前記結晶成長速度（ＧＲ）の取得は、前記判定した判定区間を直線で近似し、該近似した直線に前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を当てはめて、該結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶成長速度（ＧＲ）を算出して行い、前記メルト位置（ＭＰ）の取得は、前記判定した判定区間を直線で近似し、該近似した直線に前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を当てはめて、該結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）を算出して行うことを特徴とする。

また、第２８３発明は、第２８２発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶成長速度（ＧＲ）と、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）とを用いて、シード上昇速度（ＳＬ）を決定し、該決定したシード上昇速度（ＳＬ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２８４発明は、第２８２発明または第２８３発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶成長速度（ＧＲ）と、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）とを用いて、前記ルツボ（２００）の上昇速度を決定し、該決定したルツボ上昇速度（ＣＬ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２８５発明は、第２８４発明において、前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）の決定は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて予め記憶しておき、前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）を予め作成しておき、前記ルツボ（２００）内にメルト（２０２）をチャージしたときに、該チャージしたメルトの重量をメルト初期重量（ＭＩＷ）として記憶しておき、前記シード（２０４）を引き上げながら、該シード（２０４）の下に成長した結晶体（２０６）の重量を結晶成長重量（ＧＷ）として検出し、前記記憶したメルト初期重量（ＭＩＷ）と前記検出した結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出し、該算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定し、該判定した判定区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定し、前記記憶したメルト初期深さ（ＭＩＤ）と、前記決定したメルト深さ（ＭＤ）とを用いて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を算出して行い、前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）の決定は、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を取得し、前記決定したメルト深さ（ＭＤ）と前記ルツボ形状テーブル（１０）とを照合して、該決定したメルト深さ（ＭＤ）に対応するルツボ内径（ＣＩ）を取得し、該取得した結晶直径（ＧＤ）と、前記取得したルツボ内径（ＣＩ）と、前記取得した結晶成長速度（ＧＲ）とを用いて、前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）を算出し、該算出したルツボ上昇速度（ＣＬ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２８６発明は、第２８５発明において、前記引き上げ条件の決定は、前記シード（２０４）を引き上げながら、該シード（２０４）の下に成長した結晶体（２０６）の重量を結晶成長重量（ＧＷ）として検出し、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を用いて前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を予測し、前記検出した結晶成長重量（ＧＷ）と前記予測した予測重量（ＧＰＷ）との差を求めて重量偏差（ＧＷＤ）を算出し、該算出した重量偏差（ＧＷＤ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２８７発明は、第２８６発明において、前記結晶成長重量（ＧＷ）の予測は、前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて予め記憶しておき、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）と前記記憶した情報とを照合して、該算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を取得し、該取得した結晶直径（ＧＤ）を用いて、予測重量（ＧＰＷ）を算出し、該算出した予測重量（ＧＰＷ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２８８発明は、第２８７発明において、前記予測重量（ＧＰＷ）の算出は、
（式５）

ＧＰＷ：予測重量、Ｄｃｒｙｓｔａｌ：結晶体の密度、π：円周率、ＧＬ：結晶成長長さ、ＧＤ（Ｌ）：長さＬにおける結晶直径上式を実行して行うことを特徴とする。

また、第２８９発明は、第２８６発明乃至第２８８発明のいずれかにおいて、前記結晶成長重量（ＧＷ）の検出は、重量センサ（２１４）を用いて行い、前記重量偏差（ＧＷＤ）の算出は、前記重量センサ（２１４）によって測定した値と、前記予測した予測重量（ＧＰＷ）とを用いて行うことを特徴とする。

また、第２９０発明は、第２８９発明において、前記シード上昇速度（ＳＬ）の決定は、前記算出した重量偏差（ＧＷＤ）に含まれたノイズ成分を除去してから行うことを特徴とする。

また、第２９１発明は、第２８６発明乃至第２９０発明のいずれかにおいて、前記シード上昇速度（ＳＬ）の決定は、前記判定した判定区間の経過に要する時間を算出し、前記制御テーブル（１５４）から取得したメルト位置（ＭＰ）と、前記算出した所要時間（Ｔ）とを用いて、該メルト位置に基づくシード上昇速度（ＳＬ）の操作量を算出するとともに、前記算出した重量偏差（ＧＷＤ）を用いて、該重量偏差に基づくシード上昇速度（ＳＬ）の操作量を算出し、該算出したメルト位置に基づくシード上昇速度操作量と、重量偏差に基づくシード上昇速度操作量と、前記算出した結晶成長速度（ＧＲ）とを用いて、前記シード上昇速度（ＳＬ）を算出して行うことを特徴とする。

また、第２９２発明は、第２９１発明において、前記所要時間（Ｔ）の算出は、前記判定した判定区間の節点に格納された結晶成長長さ（ＧＬ）と結晶成長速度（ＧＲ）とを用いて行うことを特徴とする。

また、第２９３発明は、第２９２発明において、前記所要時間（Ｔ）の算出は、
（式１６）

Ｔ［ｉｔー１］：区間ｉｔ−ｉの所要時間、ＧＬ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長長さ、ＧＬ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長長さ、ＧＲ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長速度、ＧＲ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長速度
上式を実行して行うことを特徴とする。

また、第２９４発明は、第２９２発明において、前記所要時間（Ｔ）の算出は、
（式１７）

Ｔ［ｉｔー１］：区間ｉｔ−１の所要時間、ＧＬ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長長さ、ＧＬ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長長さ、ＧＲ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長速度、ＧＲ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長速度
上式を実行して行うことを特徴とする。

また、第２９５発明は、第２９２発明において、前記結晶成長速度（ＧＲ）の算出は、
（式１８）

ＧＲ（ＧＬ）：結晶成長長さに対応する結晶成長速度、ＧＲ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長速度、ＧＲ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長速度、ＧＬ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長長さ、ＧＬ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長長さ
上式を実行して行い、前記所要時間（Ｔ）の算出は、
（式１９）

Ｔ［ｉｔー１］：区間ｉｔ−１の所要時間、ＧＬ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長長さ、ＧＬ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長長さ、ＧＲ（ＧＬ）：結晶成長長さを用いて算出された結晶成長速度、ＳＬＣ（ＧＷＤ）：重量偏差に基づくシード上昇速度操作量
上式を実行して行うことを特徴とする。

また、第２９６発明は、第２９２発明乃至第２９５発明のいずれかにおいて、前記メルト位置に基づくシード上昇速度操作量の算出は、
（式２０）

ＳＬＣ（ＭＰ）：メルト位置に基づくシード上昇速度の操作量、ＭＰ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納されたメルト位置、ＭＰ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納されたメルト位置、Ｔ［ｉｔー１］：区間ｉｔ−１の所要時間上式を実行して行い、前記シード上昇速度（ＳＬ）の算出は、
（式２１）

ＳＬ：シード上昇速度、ＧＲ（ＧＬ）：結晶成長長さを用いて算出された結晶成長速度、ＳＬＣ（ＭＰ）：メルト位置に基づくシード上昇速度操作量、ＳＬＣ（ＧＷＤ）：重量偏差に基づくシード上昇速度操作量
上式を実行して行うことを特徴とする。

また、第２９７発明は、第２９６発明において、前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）の算出は、
（式２２）

ＣＬ：ルツボ上昇速度、Ｄｃｒｙｓｔａｌ：結晶体の密度、ＧＤ：結晶成長長さに対応する結晶直径、Ｄｍｅｌｔ：メルトの密度、ＣＩ：ルツボ形状テーブル（１０）から取得したルツボ内径、ＧＲ（ＧＬ）：結晶成長長さを用いて算出された結晶成長速度、ＳＬＣ（ＧＷＤ）：重量偏差に基づくシード上昇速度操作量、ＳＬＣ（ＭＰ）：メルト位置に基づくシード上昇速度操作量
上式を実行して行うことを特徴とする。

また、第２９８発明は、第２９７発明において、前記シード（２０４）の引き上げは、前記シード（２０４）に接続されたワイヤー（２０８）をワイヤードラム（２１０）で巻き取って行い、前記結晶体（２０６）を育成する際には、前記ワイヤー（２０８）を巻き取りながら、該ワイヤー（２０８）が伸びた長さを検出し、前記シード上昇速度操作量の算出は、前記検出した伸び長（ＷＥＬ）を用いて行うことを特徴とする。

また、第２９９発明は、第２９８発明において、前記シード上昇速度操作量の算出は、
（式１３）

また、第３００発明は、第２９９発明において、前記シード上昇速度（ＳＬ）の算出は、
（式２３）

ＳＬ：シード上昇速度、ＧＲ（ＧＬ）：結晶成長長さを用いて算出された結晶成長速度、ＳＬＣ（ＭＰ）：メルト位置に基づくシード上昇速度操作量、ＳＬＣ（ＧＷＤ）：重量偏差に基づくシード上昇速度操作量、ＳＬＣ（ＷＥＬ）：伸び長に基づくシード上昇速度操作量
上式を実行して行うことを特徴とする。

Claims

ルツボ（２００）内にチャージされたメルト（２０２）にシード（２０４）を浸漬し、該浸漬したシード（２０４）を引き上げて結晶体（２０６）を成長させる結晶体の製造装置において、
前記シード（２０４）が上昇した高さを検出するシード上昇高さ検出手段（３０）と、
前記ルツボ（２００）が上昇した高さを検出するルツボ上昇高さ検出手段（３２）と、
前記メルト（２０２）が前記ルツボ（２００）内で下降した深さを検出するメルト下降深さ検出手段（３４）と、
前記シード上昇高さ検出手段（３０）が検出したシード上昇高さ（ＳＬＨ）と、前記ルツボ上昇高さ検出手段（３２）が検出したルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）と、前記メルト下降深さ検出手段（３４）が検出したメルト下降深さ（ＭＤＤ）とを用いて、前記結晶成長長さ（ＧＬ）を検出する結晶成長長さ算出手段（３６）と、
前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に基づいて、前記結晶体（２０６）の引き上げ条件を決定する引き上げ条件決定手段（７６）と
を具備する
結晶体の製造装置。
前記結晶成長長さ算出手段（３６）は、
（式６）

（ＧＬ：結晶成長長さ、ＳＬＨ：シード上昇高さ、ＣＬＨ：ルツボ上昇高さ、ＭＤＤ：メルト下降深さ）
上式を解いて得られたＧＬを前記結晶成長長さ（ＧＬ）とする
請求項１記載の結晶体の製造装置。
前記シード（２０４）を引き上げるワイヤー（２０８）と、
前記ワイヤー（２０８）を巻き取るワイヤードラム（２１０）と、
前記ワイヤー（２０８）が伸びた長さを検出する伸び長検出手段（５４）と、前記伸び長検出手段（５４）が検出した伸び長（ＷＥＬ）を用いて、前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を補正する結晶成長長さ補正手段（５６）と
をさらに具備する
請求項１記載の結晶体の製造装置。
前記メルト下降深さ検出手段（３４）は、
前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）と、
前記ルツボ（２００）内に最初にチャージした前記メルト（２０２）の総重量を記憶するメルト初期重量記憶手段（１２）と、
前記結晶体（２０６）が成長した重量を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、
前記メルト初期重量記憶手段（１２）が記憶したメルト初期重量（ＭＩＷ）と前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出するメルト重量算出手段（１６）と、
前記メルト重量算出手段（１６）が算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定する該当区間判定手段（２０）と、
前記該当区間判定手段（２０）が判定した判定区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定するメルト深さ決定手段（２２）と、
前記ルツボ（２００）内に前記メルト（２０２）を最初にチャージしたときに、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定した値をメルト初期深さ（ＭＩＤ）として記憶するメルト初期深さ記憶手段（５０）と、
前記メルト初期深さ記憶手段（５０）が記憶したメルト初期深さ（ＭＩＤ）と、前記メルト深さ決定手段（２２）が決定したメルト深さ（ＭＤ）とを用いて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を算出するメルト下降深さ算出手段（５２）と
を具備する
請求項１記載の結晶体の製造装置。
前記結晶成長重量検出手段（１４）は、
前記結晶体（２０６）が成長した重量を測定する重量センサ（２１４）を具備し、
前記重量センサ（２１４）が測定した値を前記結晶成長重量（ＧＷ）として出力する
請求項４記載の結晶体の製造装置。
前記結晶成長重量検出手段（１４）は、
前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を用いて前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を予測する結晶成長重量予測手段（３８）を具備し、
前記結晶成長重量予測手段（３８）が予測した値を前記結晶成長重量（ＧＷ）として使用する
請求項４記載の結晶体の製造装置。
前記結晶成長重量検出手段（１４）は、
前記結晶体（２０６）の重量を測定する重量センサ（２１４）と、
前記重量センサ（２１４）が測定した値と前記結晶成長重量予測手段（３８）が予測した予測重量（ＧＰＷ）との差を求めて重量偏差（ＧＷＤ）を算出する重量偏差算出手段（４６）と、
前記重量偏差算出手段（４６）が算出した重量偏差（ＧＷＤ）を用いて、前記予測重量（ＧＰＷ）を補正する予測重量補正手段（４８）と
を具備する
請求項６記載の結晶体の製造装置。
前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、
前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を用いて前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を予測する結晶成長重量予測手段（３８）と、
前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）と前記結晶成長重量予測手段（３８）が予測した予測重量（ＧＰＷ）との差を求める重量偏差算出手段（４６）とをさらに具備し、
前記引き上げ条件決定手段（７６）は、
前記重量偏差算出手段（４６）が算出した重量偏差（ＧＷＤ）に基づいて、前記引き上げ条件を決定する
請求項１記載の結晶体の製造装置。
前記結晶体（２０６）の結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶成長速度（ＧＲ）および該結晶体（２０６）の品質を制御する品質制御パラメータとを対応させて記憶する制御テーブル（１５４）をさらに具備し、
前記引き上げ条件決定手段（７６）は、
前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）が前記制御テーブル（１５４）のどの区間に属するのかを判定する所属区間判定手段（１５６）と、
前記所属区間判定手段（１５６）が判定した判定区間に所属する結晶成長長さ（ＧＬ）を取得する結晶成長長さ取得手段（１５８）と、
前記所属区間判定手段（１５６）が判定した判定区間に所属する結晶成長速度（ＧＲ）を取得する結晶成長速度取得手段（８６）と、
前記所属区間判定手段（１５６）が判定した判定区間に所属するメルト位置（ＭＰ）を取得するメルト位置取得手段（１１５）とを具備し、
前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）と、前記メルト位置取得手段（１１５）が取得したメルト位置（ＭＰ）と、前記結晶成長長さ取得手段（１５８）が取得した結晶成長長さ（ＧＬ）とを用いて、メルト位置移動速度（ＭＰＳ）を決定するメルト位置移動速度決定手段（１５９）と
を具備する
請求項１記載の結晶体の製造装置。
前記引き上げ条件決定手段（７６）は、
前記メルト位置移動速度決定手段（１５９）が決定したメルト位置移動速度（ＭＰＳ）で前記メルト（２０２）を移動させて、前記結晶体（２０６）の酸素濃度を制御する
請求項９記載の結晶体の製造装置。
前記結晶成長速度取得手段（８６）は、
前記所属区間判定手段（１５６）が判定した判定区間を直線で近似し、該近似した直線に前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を当てはめて、前記結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶成長速度（ＧＲ）を算出する結晶成長速度算出手段（１６８）を具備し、
前記メルト位置取得手段（１１５）は、
前記所属区間判定手段（１５６）が判定した判定区間を直線で近似し、該近似した直線に前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を当てはめて、前記結晶成長長さ（ＧＬ）に対応するメルト位置（ＭＰ）を算出するメルト位置算出手段（１６９）を具備する
請求項９記載の結晶体の製造装置。
前記引き上げ条件決定手段（７６）は、
前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）と、前記メルト位置取得手段（１１５）が取得したメルト位置（ＭＰ）とを用いて、前記シード（２０４）の上昇速度を決定するシード上昇速度決定手段（７９）をさらに具備し、
前記シード上昇速度決定手段（７９）が決定したシード上昇速度（ＳＬ）を前記引き上げ条件の一つとして決定する
請求項１１記載の結晶体の製造装置。
前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、
前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を用いて前記結晶体（２０６）の結晶成長重量（ＧＷ）を予測する結晶成長重量予測手段（３８）と、
前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）と前記結晶成長重量予測手段（３８）が予測した予測重量（ＧＰＷ）との差を求める重量偏差算出手段（４６）とをさらに具備し、
前記シード上昇速度決定手段（７９）は、
前記所属区間判定手段（１５６）が判定した判定区間の経過に要する時間を算出する所要時間算出手段（１７２）と、
前記メルト位置取得手段（１１５）が取得したメルト位置（ＭＰ）と、前記所要時間算出手段（１７２）が算出した所要時間（Ｔ）とを用いて、該メルト位置に基づくシード上昇速度（ＳＬ）の操作量を算出するとともに、前記重量偏差算出手段（４６）が算出した重量偏差（ＧＷＤ）を用いて、該重量偏差に基づくシード上昇速度（ＳＬ）の操作量を算出するシード上昇速度操作量算出手段（７８）と、
前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出したメルト位置に基づくシード上昇速度操作量と、該シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出した重量偏差に基づくシード上昇速度操作量と、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）とを用いて、前記シード上昇速度（ＳＬ）を算出するシード上昇速度算出手段（１７４）と
を具備する
請求項１２記載の結晶体の製造装置。
前記所要時間算出手段（１７２）は、
前記所属区間判定手段（１５６）が判定した判定区間の節点に格納された結晶成長長さ（ＧＬ）と結晶成長速度（ＧＲ）とを用いて、前記所要時間（Ｔ）を算出する
請求項１３記載の結晶体の製造装置。
前記所要時間算出手段（１７２）は、
（式１６）

（Ｔ［ｉｔー１］：区間ｉｔ−１の所要時間、ＧＬ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長長さ、ＧＬ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長長さ、ＧＲ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長速度、ＧＲ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長速度）
上式を解いて得られたＴ［ｉｔー１］を前記所要時間とする
請求項１４記載の結晶体の製造装置。
前記所要時間算出手段（１７２）は、
（式１７）

（Ｔ［ｉｔー１］：区間ｉｔ−１の所要時間、ＧＬ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長長さ、ＧＬ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長長さ、ＧＲ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長速度、ＧＲ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長速度）
上式を解いて得られたＴ［ｉｔー１］を前記所要時間とする
請求項１４記載の結晶体の製造装置。
前記結晶成長速度算出手段（１６８）は、
（式１８）

（ＧＲ（ＧＬ）：前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さに対応する結晶成長速度、ＧＲ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長速度、ＧＲ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長速度、ＧＬ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長長さ、ＧＬ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長長さ）
上式を解いて得られたＧＲ（ＧＬ）を前記結晶成長速度とし、
前記所要時間算出手段（１７２）は、
（式１９）

（Ｔ［ｉｔー１］：区間ｉｔ−１の所要時間、ＧＬ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納された結晶成長長さ、ＧＬ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納された結晶成長長さ、ＧＲ（ＧＬ）：前記結晶成長速度算出手段（１６８）が算出した結晶成長速度、ＳＬＣ（ＧＷＤ）：前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出した重量偏差に基づくシード上昇速度操作量）
上式を解いて得られたＴ［ｉｔー１］を前記所要時間とする
請求項１４記載の結晶体の製造装置。
前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）は、
（式２０）

（ＳＬＣ（ＭＰ）：メルト位置に基づくシード上昇速度の操作量、ＭＰ［ｎｔ］：節点ｎｔに格納されたメルト位置、ＭＰ［ｎｔ−１］：節点ｎｔ−１に格納されたメルト位置、Ｔ［ｉｔー１］：区間ｉｔ−１の所要時間）
上式を解いて得られたＳＬＣ（ＭＰ）を前記メルト位置に基づくシード上昇速度操作量とし、
前記シード上昇速度算出手段（１７４）は、
（式２１）

（ＳＬ：シード上昇速度、ＧＲ（ＧＬ）：前記結晶成長速度算出手段（１６８）が算出した結晶成長速度、ＳＬＣ（ＭＰ）：前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出したメルト位置に基づくシード上昇速度操作量、ＳＬＣ（ＧＷＤ）：前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出した重量偏差に基づくシード上昇速度操作量）
上式に基づいて、前記シード上昇速度（ＳＬ）を算出する
請求項１４記載の結晶体の製造装置。
前記引き上げ条件決定手段（７６）は、
前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長速度（ＧＲ）と、前記メルト位置取得手段（１１５）が取得したメルト位置（ＭＰ）とを用いて、前記ルツボ（２００）の上昇速度を決定するルツボ上昇速度決定手段（１７０）をさらに具備し、
前記ルツボ上昇速度決定手段（１７０）が決定したルツボ上昇速度（ＣＬ）を前記引き上げ条件の一つとして決定する
請求項１３記載の結晶体の製造装置。
前記結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶直径（ＧＤ）とを対応させて記憶する結晶直径記憶手段（４０）をさらに具備し、
前記メルト下降深さ検出手段（３４）は、
前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）と、
前記ルツボ（２００）内にチャージした前記メルト（２０２）の総重量を記憶するメルト初期重量記憶手段（１２）と、
前記結晶体（２０６）が成長した重量を検出する結晶成長重量検出手段（１４）と、
前記メルト初期重量記憶手段（１２）が記憶したメルト初期重量（ＭＩＷ）と前記結晶成長重量検出手段（１４）が検出した結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出するメルト重量算出手段（１６）と、
前記メルト重量算出手段（１６）が算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定する該当区間判定手段（２０）と、
前記該当区間判定手段（２０）が判定した判定区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定するメルト深さ決定手段（２２）と、を具備し、
前記ルツボ上昇速度決定手段（１７０）は、
前記結晶成長長さ算出手段（３６）が算出した結晶成長長さ（ＧＬ）に対応する結晶直径（ＧＤ）を前記結晶直径記憶手段（４０）から取得する結晶直径取得手段（４２）と、
前記メルト深さ決定手段（２２）が決定したメルト深さ（ＭＤ）に対応するルツボ内径（ＣＩ）を前記ルツボ形状テーブル（１０）から取得するルツボ内径取得手段（９２）と、
前記結晶直径取得手段（４２）が取得した結晶直径（ＧＤ）と、前記ルツボ内径取得手段（９２）が取得したルツボ内径（ＣＩ）と、前記結晶成長速度取得手段（８６）が取得した結晶成長長さ（ＧＬ）とを用いて、前記ルツボ上昇速度（ＣＬ）を算出するルツボ上昇速度算出手段（９４）を具備する
請求項１９記載の結晶体の製造装置。
前記ルツボ上昇速度算出手段（９４）は、
（式２２）

（ＣＬ：ルツボ上昇速度、Ｄｃｒｙｓｔａｌ：結晶体の密度、ＧＤ：前記結晶直径取得手段（４２）が取得した結晶直径、Ｄｍｅｌｔ：メルトの密度、ＣＩ：前記ルツボ内径取得手段（９２）が取得したルツボ内径、ＧＲ（ＧＬ）：前記結晶成長速度算出手段（１６８）が算出した結晶成長速度、ＳＬＣ（ＧＷＤ）：前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出した重量偏差に基づくシード上昇速度操作量、ＳＬＣ（ＭＰ）：前記シード上昇速度操作量算出手段（７８）が算出したメルト位置に基づくシード上昇速度操作量）
上式を解いて得られたＣＬを前記ルツボ上昇速度とする
請求項２０記載の結晶体の製造装置。
ルツボ（２００）内にチャージされたメルト（２０２）にシード（２０４）を浸漬し、該浸漬したシード（２０４）を引き上げて結晶体（２０６）を成長させる結晶体の製造方法であって、
前記シード（２０４）が上昇した高さを示すシード上昇高さ（ＳＬＨ）と、前記ルツボ（２００）が上昇した高さを示すルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）と、前記メルト（２０２）が前記ルツボ（２００）内で下降した深さを示すメルト下降深さ（ＭＤＤ）とを検出する工程と、
前記シード上昇高さ（ＳＬＨ）と、前記ルツボ上昇高さ（ＣＬＨ）と、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）とを用いて、前記結晶体（２０６）が実際に成長した長さを示す結晶成長長さ（ＧＬ）を算出する工程と、
前記結晶成長長さ（ＧＬ）に基づいて、前記結晶体（２０６）の引き上げ条件を決定する工程と
を具備する
結晶体の製造方法。
前記シード（２０４）の引き上げは、
前記シード（２０４）に接続されたワイヤー（２０８）をワイヤードラム（２１０）で巻き取って行い、
前記結晶体（２０６）の成長は、
前記ワイヤー（２０８）を巻き取りながら、該ワイヤー（２０８）が伸びた長さを検出し、
該検出した伸び長（ＷＥＬ）を用いて、前記算出した結晶成長長さ（ＧＬ）を補正しながら行う
請求項２２記載の結晶体の製造方法。
前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を検出する工程は、
前記ルツボ（２００）の形状を複数の区間に分割して記憶するとともに、該分割した形状でチャージできる前記メルト（２０２）の重量を該区間ごとに記憶するルツボ形状テーブル（１０）を予め作成しておく工程と、
前記ルツボ（２００）内にメルト（２０２）をチャージしたときに、該チャージしたメルトの重量をメルト初期重量（ＭＩＷ）として記憶しておく工程と、
前記シード（２０４）を引き上げながら、該シード（２０４）の下に成長した結晶体（２０６）の重量を結晶成長重量（ＧＷ）として検出する工程と、
前記メルト初期重量（ＭＩＷ）と前記結晶成長重量（ＧＷ）とを用いて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の重量を算出する工程と、
前記算出したメルト重量（ＭＷ）が前記ルツボ形状テーブル（１０）のどの区間に該当するのかを判定する工程と、
前記判定した区間に記憶されたルツボの形状に基づいて、前記ルツボ（２００）内に残ったメルト（２０２）の深さを決定する工程と、
前記メルト初期深さ（ＭＩＤ）と、前記メルト深さ（ＭＤ）とを用いて、前記メルト下降深さ（ＭＤＤ）を算出する工程と
を具備する
請求項２２記載の結晶体の製造方法。
前記引き上げ条件を決定する工程は、
前記結晶体（２０６）の結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶体（２０６）が該結晶成長長さ（ＧＬ）に達したときに目標とする結晶成長速度（ＧＲ）およびメルト位置とを対応させて記憶する制御テーブル（１５４）を予め作成しておく工程と、
前記結晶成長長さ（ＧＬ）と前記制御テーブル（１５４）とを照合して、該結晶成長長さ（ＧＬ）が前記制御テーブル（１５４）のどの区間に属するのかを判定する工程と、
前記判定した区間に所属する前記結晶体の結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶成長速度（ＧＲ）と、前記メルト位置とを取得する工程と、
取得した前記結晶体の結晶成長長さ（ＧＬ）と、前記結晶成長速度（ＧＲ）と、前記メルト位置とを用いて前記メルト（２０２）の移動速度を算出する工程と
を具備する
請求項２２記載の結晶体の製造方法。