JP2000084831A

JP2000084831A - ドレッシング装置並びにこれを用いた研磨装置及びｃｍｐ装置

Info

Publication number: JP2000084831A
Application number: JP25346798A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Shibuki; 俊一渋木; Yasuo Namikawa; 康夫南川
Original assignee: Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1998-09-08
Filing date: 1998-09-08
Publication date: 2000-03-28

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明の目的は、安定したドレッシング効率
でドレッシング作業を行い得るドレッシング装置を提供
することにある。【構成】平板状の被処理部材（６８）に接触する複数
の砥粒（８４）と；砥粒（８４）を保持する保持部材
（８６）とを備える。そして、被処理部材（６８）に対
向する砥粒（８４）の各々の接触面が、当該被処理部材
（６８）とほぼ平行になるように配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の表面研磨
等に用いられる研磨パッドの目立て装置（ドレッサー）
及びこれを用いた研磨装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＭＰ（化学機械研磨）装置のように、
研磨スラリーを用いて半導体ウエハの表面を研磨する装
置では、円盤状の定盤にセットされた半導体ウエハと、
ポリッシングパッド（研磨パッド）を相対的に接触、回
転させることによって研磨作業を行う。通常このような
研磨作業を長時間行っていると、被研磨部材の削屑や研
磨スラリー等が研磨パッドの微細な穴に入り込んで目詰
まりを起こしたり、研磨パッドの表面（作用面）が平滑
化されてしまい、研磨レートが徐々に低下してしまう。

【０００３】このため、研磨パッドのドレッシングを定
期的又は常時行うようにしている。一般に、研磨パッド
用のドレッサーは、複数のダイヤモンド砥粒と、これら
の砥粒を保持する固着層（固着層）とを備えている。ダ
イヤモンド砥粒は、先端部分のみが研磨パッド側に突出
した状態で固着層に保持される。従来の研磨パッド用ド
レッサーにおいては、一般に粒径が２００μｍ〜３００
μｍ（＃１００〜＃６０）のダイヤモンド砥粒が使用さ
れている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の研磨パッド用ドレッサーでは、固着層から
突出するダイヤモンド砥粒の鋭利な先端部が徐々に鈍化
してしまい、ドレッシング時間の経過と共にドレッシン
グ効率（パッドの削れ量）が急激に低下する。ドレッシ
ング効率が低下すると、それに伴って、研磨パッドによ
る半導体ウエハの研磨レートが低下してしまう。一般
に、ＣＭＰ等の研磨においては、ウエハの研磨量（膜
厚）の管理は研磨時間によって行うため、初期段階にお
いて研磨レートが高いことよりも、長時間研磨レートが
安定していることが望ましい。

【０００５】また、従来のドレッサーにおいては、使用
されるダイヤモンド砥粒の粒径が小さいため、固着層か
ら砥粒が脱落しやすく、ウエハ等の被研磨材のスクラッ
チ（傷）の原因となっていた。

【０００６】従って、本発明の第１の目的は、安定した
ドレッシング効率でドレッシング作業を行い得るドレッ
シング装置を提供することにある。

【０００７】また、本発明の第２の目的は、研磨パッド
のドレッシング効率を安定させることにより、研磨レー
トの安定性を向上させることのできる研磨装置を提供す
ることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様に係るドレッシング装置は、被
処理部材に接触する複数の砥粒と；砥粒を保持する保持
部材とを備える。そして、被処理部材に対向する砥粒の
各々の接触面が、当該被処理部材とほぼ平行になるよう
に配置する。

【０００９】上記のようなドレッシング装置において、
好ましくは、砥粒の各々の粒は、ほぼ正八面体に成形す
る。また、砥粒の粒径を約５００μｍ以上で、約３００
０μｍ以下に設定する。

【００１０】本発明の第２の態様に係る研磨装置は、被
研磨材と接触する研磨パッドと；研磨パッドをドレッシ
ングするドレッシング装置とを備える。そして、ドレッ
シング装置は、研磨パッドに接触する複数の砥粒と、ド
レッシング材を保持する保持部材とを備えるとともに、
研磨パッドに対向する砥粒の各々の接触面を、当該研磨
パッドとほぼ平行になるように配置する。

【００１１】上記のように構成された本発明において
は、研磨パッドに対向する砥粒の各々の接触面を、当該
研磨パッドとほぼ平行になるように配置しているため、
砥粒と研磨パッドが面と面で接触する。従って、砥粒が
摩耗してもその形状は変化しない。また、ドレッシング
は砥粒のエッジ部により効果的に行われる。その結果、
長時間のドレッシング作業を行った場合にもドレッシン
グ効率があまり低下しない。

【００１２】また、砥粒を略正八面体に成形することに
より、砥粒の各々の接触面を、研磨パッドと平行にする
ことが容易になる。自然ダイヤの結晶は正八面体になり
易いため、それ自体入手しやすい。その結果、ダイヤモ
ンドの加工に掛かる費用を低減させることができる。さ
らに、研磨パッドに接触する面の結晶方位が一定となる
ので、各粒材の摩耗に差が生じにくい。

【００１３】更に、砥粒の粒径を約５００μｍ以上にす
ることにより、固着層（固着層）等の保持部材からの脱
落の可能性が著しく低下する。また、粒径を約３０００
μｍ以下に設定することにより、固着層に埋め込まれる
砥粒の数をある程度多く保つことができ、小粒径の粒材
を使用した場合と遜色無い均一なドレッシングを行うこ
とが可能となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、以
下に示す実施例に基づいて詳細に説明する。なお、本実
施例はＣＭＰ（化学機械研磨）装置に本発明を適用した
ものである。

【００１５】

【実施例】図１は、本発明の第１実施例に係るＣＭＰ装
置本体１２の構成を示す。ＣＭＰ装置本体１２は、研磨
定盤６２と、研磨定盤６２の下面に取り付けられた研磨
パッド６８と、研磨定盤６２と研磨パッド６８との間に
配置された弾性部材６６と、ウエハテーブル３２と、ウ
エハ保持部３４と、研磨パッド６８用のドレッサー７８
とを備えている。ドレッサー７８は、ウエハ８０をウエ
ハ保持部３４上で固定するリテーナの役目も果たしてい
る。図２は、ウエハテーブル３２上に配置されたウエハ
保持部３４及びドレッサー７８の設置状態を示す。な
お、ドレッサー７８の詳細については後述する。

【００１６】弾性部材６６はリング状に成形され、両面
テープ等によって研磨定盤６２に固定される。研磨パッ
ド６８も同様にリング状に成形され、内周リング７０
と、外周リング７４と、ボルト７２、７６によって研磨
定盤６２の底面に張り上げ固定される。ウエハ保持部３
４は、ウエハテーブル３２上に回転可能に取り付けられ
ている。

【００１７】研磨定盤６２と、ウエハテーブル３２と、
ウエハ保持部３４は、各々回転軸Ａ−Ａ’，Ｂ−Ｂ’，
Ｃ−Ｃ’を中心に回転するように構成されている。研磨
定盤６２の中心軸には、スラリー供給孔６４が形成され
ており、このスラリー供給孔６４を通って研磨スラリー
が研磨パッド６８とウエハ８０との間に供給されるよう
になっている。

【００１８】図３（Ａ）は研磨パッド用ドレッサー７８
を上方から見た様子を示し、図３（Ｂ）は研磨パッド用
ドレッサー７８の断面構造を示す。研磨パッド用ドレッ
サー７８は、台座９０（母材）と、台座９０上に配置さ
れた複数のダイヤモンド砥粒８４と、これらのダイヤモ
ンド砥粒８４を台座９０に対して固定する固着層（電着
層）８６とを備えている。固着層８６は接合層８８を介
して台座９０に固定されている。

【００１９】ダイヤモンド砥粒８４は、図４に示すよう
に、ほぼ正八面体に成形されており、その上面が固着層
８６の表面と平行になるように埋め込まれている。すな
わち、各ダイヤモンド砥粒８４の上面（ドレッシング
面）は、研磨パッド６８の下面（研磨面）と略平行にな
るように配置されている。ダイヤモンド砥粒８４が略正
八面体であるため、一面を研磨パッド６８と平行にする
のは容易である。また、自然ダイヤの結晶は正八面体に
なり易いため、それ自体入手しやすくなり、ダイヤモン
ドの加工のために余分な費用を掛ける必要がない。

【００２０】ダイヤモンド砥粒８４の粒径は、５００μ
ｍ〜３０００μｍに設定されている。粒径を５００μ
ｍ以上にすることにより、固着層８６からの脱落の可能
性が著しく低下する。また、粒径を３０００μｍ以下に
設定することにより、固着層８６に埋め込まれるダイヤ
モンド砥粒８４の数をある程度多く保つことができ、小
粒径の粒材を使用した場合と遜色無い均一なドレッシン
グを行うことができる。

【００２１】また、固着層８６を形成する際に注意する
のは、ダイヤモンド砥粒８４の埋め込み率である。すな
わち、ダイヤモンド砥粒８４の離脱を防止するために、
ダイヤモンド砥粒８４の粒径制御に加え、埋め込み率を
６０パーセント以上に設定する。埋め込み率は、ダイヤ
モンド砥粒８４の粒径から突き出し量を引いた値を粒径
によって除算することによって求められる。例えば、図
４に示すように、ダイヤモンド砥粒８４の上部を９μｍ
（ｈ）だけ固着層８６から突出させる。

【００２２】ダイヤモンド砥粒８４の粒径を５００μｍ
以上で、平均埋め込み率を６０パーセント以上にした場
合には、ウエハ上に残るスクラッチ数が著しく少なくな
る。ウエハ上に残るスクラッチは、ドレッサーから脱落
したダイヤモンド砥粒がウエハ上に落ちることにより生
じると考えられる。すなわち、全てのダイヤモンド砥粒
の粒径を５００μｍ以上にし、埋め込み率を６０パーセ
ント以上に設定することにより、ダイヤモンド砥粒８４
が殆ど離脱（脱落）することなく良好に研磨を行うこと
ができる。

【００２３】研磨パッド用ドレッサー７８の製造は、例
えば、特開平９−２２５８２７に記載されている反転法
によって行うことができる。すなわち、図５（Ａ）に示
すように、反転型１０８を作製し、ダイヤモンド砥粒固
定面１０９を囲んで、絶縁性材料からなるマスキング１
１０を施す。図示しないが、ダイヤモンド砥粒固定面１
０９以外の金属部分は、適当な絶縁性材料でコーティン
グする等の方法によりマスキングを施すことが好まし
い。

【００２４】反転型１０８をメッキ浴に浸漬し、マスキ
ングで囲まれたダイヤモンド砥粒固定面１０９に、ダイ
ヤモンド砥粒８４を充填し、反転型１０８に陰極を接続
し、メッキ液に陽極を接続して、電気メッキを行う。メ
ッキする金属は、ダイヤモンド砥粒８４を仮固定するこ
とができるものであれば特に制限はなく、例えば、ニッ
ケル、クロムなどを使用することができる。ダイヤモン
ド砥粒８４の一層分が仮固定され、ダイヤモンド砥粒固
定面１０９から脱落しない状態になったら、余剰のダイ
ヤモンド砥粒８４をダイヤモンド砥粒固定面１０９より
除去する。図５（Ｂ）はダイヤモンド砥粒８４が、ダイ
ヤモンド砥粒固定面１０９に仮固定された状態を示す。
正八面体のダイヤモンド砥粒８４を用いた場合、ダイヤ
モンド砥粒８４をダイヤモンド砥粒固定面１０９上に無
作為に載せても、ダイヤモンド砥粒８４の八面のうちい
ずれか一面がダイヤモンド砥粒固定面１０９に面接触す
ることになる。

【００２５】次に、ダイヤモンド砥粒固定面１０９に仮
固定されたダイヤモンド砥粒８４は、金属又は樹脂で埋
め込むことにより固着される。ダイヤモンド砥粒８４を
金属で埋め込んで固着する方法としては、電鋳法及び浸
透法を採用することができる。また、ダイヤモンド砥粒
８４を樹脂で埋め込んで固着する方法としては、樹脂成
形法を採用することができる。電鋳法による場合は、仮
固定された一層分のダイヤモンド砥粒８４を残して余剰
のダイヤモンド砥粒を除去した反転型１０８を再びメッ
キ浴に浸漬する。そして、反転型１０８に陰極を接続
し、メッキ液に陽極を接続して、固着層８６を形成す
る。その後、ダイヤモンド砥粒８４が完全に埋め込ま
れ、固着されるまで電気メッキを続ける。

【００２６】メッキする金属は、ダイヤモンド砥粒８４
を固着することができるものであれば特に制限はなく、
例えば、ニッケル、銅、クロムなどを使用することがで
きる。ダイヤモンド砥粒固定面１０９に仮固定されたダ
イヤモンド砥粒８４を、浸透法により埋め込んで固着す
る場合は、タングステンなどの粒子をダイヤモンド砥粒
８４の間隙に充填して圧粉体とし、さらに銅−錫系、銅
−銀系などの浸透用金属を圧粉体の間隙に浸み込ませて
緻密な焼結体とする。

【００２７】ダイヤモンド砥粒固定面１０９に仮固定さ
れたダイヤモンド砥粒８４を、樹脂成形法により埋め込
んで固着する場合は、仮固定された一層分のダイヤモン
ド砥粒８４を残して余剰のダイヤモンド砥粒を除去した
反転型１０８を洗浄し、乾燥させる。その後、マスキン
グにより囲まれたダイヤモンド砥粒固定面１０９上に、
三次元架橋型の樹脂を流し込み、ダイヤモンド砥粒８４
を埋め込み、樹脂を硬化して固着層８６を形成する。

【００２８】マスキング工程においては、必要に応じて
電着の際に用いたマスキングを廃棄し、樹脂との離型性
のよいマスキングなどを新しく使用することができる。
三次元架橋型の樹脂は、十分な強度をもってダイヤモン
ド砥粒８４を固着することができる樹脂であれば特に制
限はなく、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フ
ェノール樹脂などを使用することができる。図５（Ｃ）
は、固着層８６によりダイヤモンド砥粒８４を埋め込ん
で固着した状態を示す。

【００２９】固着層８６を形成することにより、ダイヤ
モンド砥粒８４を埋め込んで固着し、ダイヤモンド砥粒
層を形成したのち、反転型１０８からマスキングを除去
する。図５（Ｄ）は、ダイヤモンド砥粒８４を埋め込ん
で固着し、マスキングを除去した状態の反転型１０８を
示す。

【００３０】図６は、固着層８６を台金９０に接合する
一態様を示す。反転型１０８上の固着層８６若しくは台
座９０の固着層との接合面又はその双方に接着剤を塗付
し、固着層８６と台座９０の固着層との接合面を合わせ
て固定し、接合層８８を形成する。これにより、固着層
８６が台座９０に接合される。使用する接着剤は、ドレ
ッサの使用に十分な強度を有するものであれば特に制限
はなく、例えば、エポキシ接着剤などを使用することが
できる。必要に応じて、接着剤に無機充填材、例えば、
アルミニウム粉末などを配合することができる。

【００３１】図６（Ａ）は、固着層８６を台座９０に接
合した状態を示す。固着層８６を台座９０に接合したの
ち、反転型１０８を除去する。反転型１０８を除去する
方法には特に制限はない。例えば、旋盤加工、フライス
盤加工などを挙げることができるが、旋盤加工法を採用
することが望ましい。図６（Ｂ）は、固着層８６を台座
９０に接合し、反転型１０８を除去した状態を示す。台
座９０には、さらに、回転軸の嵌合穴など必要な機械加
工を施す。

【００３２】台座９０に接合した固着層８６に対して
は、必要に応じて石出し加工を施す。石出し加工によ
り、ダイヤモンド砥粒８４の最突出部を露出させる。石
出し加工は、例えば、一般砥石などによるドレッシン
グ、鋳鉄などの定盤上でのシリコンカーバイドやアルミ
ナなどの遊離砥粒によるドレッシング、ショットブラス
ト、金属剥離材による化学エッチング、電解エッチング
などにより行うことができる。

【００３３】化学エッチング処理は、固着層８６のみを
溶解する薬剤に浸漬することにより行うものである。こ
のような薬剤としては、固着層がニッケルである場合は
エンストリップＮＰ［メルテックス(株)製］、固着層が
クロムである場合はエンストリップＣＲ−５［メルテッ
クス(株)製］などの市販されている薬剤を使用すること
ができる。

【００３４】ダイヤモンド砥粒８４の突出部は反転型１
０８のダイヤモンド砥粒固定面１０９に接した部分であ
るので、ドレッサにおいて、各ダイヤモンド砥粒８４の
突出部は八面のいずれか一面となる。従って、ダイヤモ
ンド砥粒８４の突出部（研磨パッドとの接触面）は、研
磨パッドとほぼ平行に配置される。このように本実施例
においては、砥粒として略正八面体のダイヤモンドを用
いたので、ドレッサ製造時において反転型の砥粒固定面
に砥粒を無作為に載せても、製造されたドレッサにおけ
る各砥粒の研磨パッドとの接触面を当該研磨パッドとほ
ぼ平行に配置することが出来る。従って、ドレッサを容
易に製造することが可能となり、作業者の負担を削減で
きるので、製造コストの削減、歩留まりの向上などの効
果が期待できる。

【００３５】ＣＭＰ装置１２（図２参照）によってウエ
ハ８０の研磨を開始すると、ウエハ８０の外周部に配置
された研磨パッド用ドレッサー７８の作用により、ウエ
ハ８０の研磨動作と並行して、研磨パッド６８の目立て
が行われる。

【００３６】図７（Ａ）は、本実施例のダイヤモンド砥
粒８４の形状を示し、図７（Ｂ）は従来のダイヤモンド
砥粒９４の形状を示す。本実施例に係るダイヤモンド砥
粒８４は、自然ダイヤを用いて略正八面体に成形されて
おり、研磨パッド６８と接触するドレッシング面（上
面）が当該研磨パッド６８と略平行になるように配置さ
れる。具体的には、製造上の誤差などにより、垂直面と
ダイヤモンド砥粒８４の上面とのなす角ψは各砥粒とも
８０度から１００度程度の範囲であった。これに対し、
従来のダイヤモンド砥粒９４は研磨パッドに対する角度
について特別な制御、調整をしていない。なお、それぞ
れの砥粒８４，９４が摩耗した状態を点線にて示してい
る。

【００３７】図８は、図７に示す本実施例及び従来のダ
イヤモンド砥粒８４，９４を用いた場合のパッド摩耗量
の変化を示す。ここで、ダイヤモンド砥粒（８４，９
４）としては、各々粒径が１．２ｍｍのものを使用し
た。パッド摩耗量は、ドレッシングを一定時間（本実験
の場合は１８０分間）行い、その前後の研磨パッドの厚
さを複数点（本実施例の場合は１０点）で測定し、その
測定した厚さの平均値の差とした。なお、グラフはドレ
ッシング開始直後のパッドの摩耗量を１とした場の相対
的な変化を示している。グラフより明らかなように、本
実施例のダイヤモンド砥粒８４を用いた場合、研磨パッ
ドの摩耗量の時間変化が小さい。すなわち、研磨パッド
のドレッシングレートが安定している。一方、従来のダ
イヤモンド砥粒９４を用いた場合には、上部に突出した
鋭利なエッジ部分が、ドレッシング時間の経過と共に徐
々に鈍化し、研磨パッドの摩耗量が急な角度で低下して
いる。

【００３８】図９は、ダイヤモンド砥粒の粒径の違いに
よる脱粒確率の時間変化を示す。図９のグラフより解る
ように、本実施例のようにドレッサーのダイヤモンド砥
粒の粒径を０．５ｍｍ以上にすることにより、当該砥粒
が脱落する確率が大幅に減少する。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、研
磨パッドのドレッシングレートが安定し、その結果、当
該研磨パッドによる半導体ウエハ等の被研磨材の研磨レ
ートの安定性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の実施例に係るＣＭＰ装置の構
成を示す側面図（一部断面）である。

【図２】図２は、実施例の要部の構成を示す平面図であ
る。

【図３】図３（Ａ）は、実施例の要部である研磨パッド
用ドレッサーの構成を示す平面図であり、同図（Ｂ）は
（Ａ）図のＡ−Ａ方向の断面図である。

【図４】図４は、ダイヤモンド砥粒の埋め込み状態を示
す説明図である。

【図５】図５（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例に係るドレッサ
ーの製造工程を示す説明図（断面図）である。

【図６】図６（Ａ）、（Ｂ）は、実施例に係るドレッサ
ーの製造工程を示す説明図（断面図）である。

【図７】図７（Ａ）は、実施例の研磨パッド用ドレッサ
ーに用いられるダイヤモンド砥粒の形状を示す説明図で
あり、同図（Ｂ）は、従来の研磨パッド用ドレッサーに
用いられるダイヤモンド砥粒の形状を示す説明図であ
る。

【図８】図８は、実施例の作用を説明するためのグラフ
であり、研磨パッド用ドレッサーの使用時間に対する研
磨パッドの摩耗量の変化を示す。

【図９】図９は、実施例の作用を説明するためのグラフ
であり、研磨パッド用ドレッサーの使用時間に対するダ
イヤモンド砥粒の脱粒確率の変化を示す。

【符号の説明】

１２ＣＭＰ装置本体６８研磨パッド７８研磨パッド用ドレッサー８０ウエハ８４ダイヤモンド砥粒８６固着層（固着層）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】平板状の被処理部材に接触する複数の砥粒
と；前記砥粒を保持する保持部材とを備えるとともに、前記被処理部材に対向する前記砥粒の各々の接触面が、
当該被処理部材とほぼ平行になるように配置されている
ことを特徴とするドレッシング装置。
【請求項２】前記砥粒の各々の粒は、ほぼ正八面体に成
形されていることを特徴とする請求項１に記載のドレッ
シング装置。
【請求項３】前記砥粒の各々は、その粒径が約５００μ
ｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の
ドレッシング装置。
【請求項４】前記砥粒の各々は、その粒径が約３０００
μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載のドレ
ッシング装置。
【請求項５】半導体ウエハの研磨に用いられるＣＭＰ装
置の研磨パッドをドレッシングするドレッシング装置に
おいて、前記研磨パッドに接触する複数の砥粒と；前記砥粒を保
持する保持部材とを備えるとともに、前記研磨パッドに対向する前記砥粒の各々の接触面が、
当該研磨パッドとほぼ平行になるように配置され；前記
砥粒の各々は、粒径約５００μｍ〜３０００μｍのほぼ
正八面体に成形されていることを特徴とするドレッシン
グ装置。
【請求項６】平板状の被研磨材を研磨する研磨装置にお
いて、前記被研磨材と接触する研磨パッドと；前記研磨パッド
をドレッシングするドレッシング装置とを備え、前記ドレッシング装置は、前記研磨パッドに接触する複
数の砥粒と、前記砥粒を保持する保持部材とを備えると
ともに、前記研磨パッドに対向する前記砥粒の各々の接
触面が、当該研磨パッドとほぼ平行になるように配置さ
れていることを特徴とする研磨装置。
【請求項７】前記砥粒の各々の粒は、ほぼ正八面体に成
形されていることを特徴とする請求項６に記載の研磨装
置。
【請求項８】前記砥粒の各々は、その粒径が約５００μ
ｍ以上であることを特徴とする請求項６又は７に記載の
研磨装置。
【請求項９】前記砥粒の各々は、その粒径が約３０００
μｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の研磨
装置。
【請求項１０】前記ドレッシング装置は、前記被研磨材
の外周部に配置され、研磨作業中に前記研磨パッドのド
レッシングを行うように構成されていることを特徴とす
る請求項６，７，８又は９に記載の研磨装置。
【請求項１１】研磨スラリーを用いて半導体ウエハの表
面を研磨するＣＭＰ装置において、前記半導体ウエハの被研磨面と接触する研磨パッドと；
研磨作業中に前記研磨パッドのドレッシングを行うよう
に前記被研磨材の外周部に配置されたドレッシング装置
とを備え、前記ドレッシング装置は、前記研磨パッドに接触する複
数の砥粒と；前記砥粒を保持する保持部材とを備えると
ともに、前記研磨パッドに対向する前記砥粒の各々の接
触面が、当該研磨パッドとほぼ平行になるように配置さ
れ；前記砥粒の各々は、粒径約５００μｍ〜３０００μ
ｍのほぼ正八面体に成形されていることを特徴とするＣ
ＭＰ装置。