JP2000082209A

JP2000082209A - 磁気カ―ド

Info

Publication number: JP2000082209A
Application number: JP17229599A
Authority: JP
Inventors: Komei Fukushima; 功明福島; Masaaki Yasui; 正昭安井
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Holdings Ltd
Priority date: 1998-06-30
Filing date: 1999-06-18
Publication date: 2000-03-21

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気記録内容の読み取り時における摩擦耐久
性とエンボス加工時における耐衝撃性とを併せ持った磁
気カードを提供する。併せて、均一かつムラの少ない美
しい印刷面が得られるようにする。【解決手段】磁気カード１の磁気ストライプ７上に設
けられた隠蔽層８および／または保護層１０のミクロ構
造として、樹脂相２１とエラストマー相２２とからなる
相分離構造を採用する。併せて、ムラの少ない美しい印
刷面を得るため、エラストマー相部分を主として形成し
うる成分の重量平均分子量を８０００以上、６００００
０以下に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばクレジット
カード、キャッシュカード、ポイントカード、各種ＩＤ
カードとして用いられる、磁気ストライプを有する磁気
カード、特にエンボス加工が施される磁気カードに関
し、さらに詳しくはこの種の磁気カードの磁気ストライ
プ上に設けられる隠蔽層や保護層の構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】ポリ塩化ビニル等の合成樹脂基材上に磁
気ストライプを設けた磁気カードは、クレジットカー
ド、キャッシュカード、ポイントカード、各種ＩＤカー
ド等に広く利用されている。従来、この種の磁気カード
においては、顧客情報等を記録するための磁気ストライ
プがカード表面に露出した状態で設けられており、この
ことがカードの外観を損ねる一因となっているととも
に、デザイン面で大きな制限を与えている。このため、
磁気ストライプを銀色インクの隠蔽層で隠蔽することが
提案されている。

【０００３】しかし、上記のような隠蔽層を有する磁気
カードは、カード使用時に読み取り機における磁気ヘッ
ドと摺接することから、摩擦により耐久性が低下して、
層の剥離が生ずるという欠点がある。そこで、例えば実
公平１−３９５７７号公報に示されているように、隠蔽
層上に熱可塑性樹脂からなる保護層を設けたり、隠蔽層
または保護層を構成する素材として熱可塑性樹脂と熱硬
化性樹脂とを併用したりすることで、摩擦耐久性を改善
することが提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、この種の磁
気カードにおいては、図６に示すように、エンボス加工
により例えば店番号や口座番号等の識別情報５１が付与
されるため、そのエンボス加工時の衝撃で隠蔽層８や保
護層１０に亀裂Ｃが生じやすいという問題がある。のみ
ならず、このような亀裂が、積層されている下部の基材
２にまで達して最終的に磁気カードが使用不可能になる
場合もある。このような事情から、口座番号等の識別情
報を付与するためのエンボス加工が施される磁気カード
では、上述したような読み取り時における摩擦耐久性と
エンボス加工時における耐衝撃性とを同時に満足し得る
ものが切望されている。

【０００５】本発明は、このような要請に応えるもの
で、その目的は、磁気ストライプを有し且つエンボス加
工が施される磁気カードにおいて、磁気記録内容の読み
取り時における摩擦耐久性を充分に確保し、同時にエン
ボス加工時における耐衝撃性を向上させることにある。
本発明の他の目的は、このような磁気カードにおいて、
均一でムラのない美しい印刷面が得られるようにするこ
とにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】先に述べた隠蔽層あるい
は保護層における亀裂の問題は、エンボス加工によって
磁気カードを変形させる際に、加えられる衝撃にこれら
の層が耐えられないためと考えられる。したがって、亀
裂の発生を防止するためには、各層の変形能力を改善す
る必要がある。このため本発明者等は、高いガラス転移
温度（Ｔｇ）を有する硬い樹脂と低いガラス転移温度を
有する柔らかい樹脂とをブレンドしたり、可塑剤を添加
する外部可塑化による変性方法、あるいは共重合体の樹
脂とすることによる内部可塑化の方法等により各層を変
性し、これにより層中の樹脂の凝集力を低下させて、層
の変形能力を向上させることを試みた。

【０００７】しかしながら、このような変性により、変
形能力は向上し、耐衝撃性の向上は見られるものの、他
方の特性である摩擦耐久性が低下することが判明した。
これは、層を形成する樹脂の応力・歪み特性が大きく影
響し、上記変性方法では樹脂の可塑化により層の破壊エ
ネルギーは向上するが、層全体の凝集力が低下すること
により弾性率が小さくなるためであると考えられる。

【０００８】すなわち、上記のような樹脂を混合する方
法や内部可塑化の方法では、系が単一な相構造となるた
め、変性後の層の機械特性は容易に推測することがで
き、例えば、可塑化によって系の破断までの歪み量は増
加し、その間に散逸するエネルギー、言い換えると破壊
エネルギーも増大する傾向を示す。一方、系の弾性率は
変性剤の添加によって低下する傾向にある。つまり、こ
のような単一の相構造の系では、エンボス加工時の耐衝
撃性に寄与する破壊エネルギーと摩擦耐久性に寄与する
弾性率とは、トレードオフの関係にあると考えられる。
この問題は両者が単一な相形態を有する限り避けられな
い。したがって、両特性を満足させるには上述したよう
な方法とは異なった変性方法を採る必要がある。

【０００９】以上のような検討を通じて、本発明者は、
磁気カードに要求される摩擦耐久性の維持と耐衝撃性の
向上とを同時に達成するために、樹脂の凝集力を維持し
ながら破壊エネルギーを向上させる手段として、隠蔽層
および／または保護層に、樹脂相とエラストマー相とか
らなる相分離構造を採用することにより前記課題を解決
できることを見出した。

【００１０】すなわち、本発明は、合成樹脂基材の上に
磁気ストライプが設けられており、かつ、磁気ストライ
プ以外の部分にエンボス加工が施された又は施される磁
気カードにおいて、磁気ストライプ上に、少なくとも、
磁気ストライプを隠蔽する隠蔽層と、この隠蔽層を保護
する保護層とを順次形成し、前記隠蔽層および／または
保護層が樹脂相とエラストマー相とからなる相分離構造
を有する構成としたことを特徴とする。

【００１１】ここで、樹脂相とは２０〜２５℃の常温に
おいてガラス状、結晶性あるいは半結晶性の固体を意味
し、エラストマー相とは２０〜２５℃においてゴム状態
である、いわゆる弾性体を意味する。

【００１２】また、前記相分離構造としては、例えば下
記〜に示すような構造が挙げられる。ベースとなる樹脂のマトリックス中にエラストマー
相のドメインが島状に分散して存在する構造。ベースとなる樹脂のマトリックス中にエラストマー
相のドメインが島状に分散して存在し、かつ、このうち
のエラストマー相中に、前記マトリックスを構成する樹
脂と同じ樹脂からなる樹脂相が内包されて点在する構
造。ベース樹脂相とエラストマー相とが連続して絡みあ
った状態で存在する構造。

【００１３】本発明においては、後に詳述するように、
エラストマー相部分を主として形成する成分の一部が、
樹脂相部分を主として形成する成分と相溶していること
が好ましい。また、均一でムラのない美しい印刷面を得
るために、エラストマー相部分を主として形成し得る成
分の重量平均分子量を８０００以上、６０００００以下
の範囲に設定することが好ましい。

【００１４】本発明の磁気カードは、口座番号等の識別
情報がエンボス加工により既に付与されているもの、お
よび、後に必要に応じてそのようなエンボス加工が施さ
れるものの両方を含む。つまり、エンボス加工済みのも
のと、将来においてエンボス加工が施されるものとを含
み、エンボス加工が施される磁気カードであれば、エン
ボス加工の時点の先後は問わない。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
具体的に説明する。図１は、本発明磁気カードの一実施
形態を示す。図１において、磁気カード１は、合成樹脂
製の基材２を有する。基材２は、図示例では、上コアシ
ート３と、その下に積層された下コアシート４と、上コ
アシート３の上に積層された合成樹脂製の上ラミシート
からなるラミネート層５と、下コアシート４の下面に積
層された合成樹脂製の下ラミシート６とで構成されてい
る。このうちのラミネート層５には、磁性粉、結合剤樹
脂およびその他の添加剤からなり且つ図１の紙面を貫く
方向に延びる磁気ストライプ７が埋設されており、さら
にその上に、銀インクからなる隠蔽層８と、カード表面
に図柄等を付与する柄印刷層９と、これらを保護する保
護層１０とが順次積層されている。そして、この磁気カ
ードには、従来における場合と同様、カード上面に店番
号、顧客番号等の識別情報を凸状に設けるエンボス加工
が施されている（図６の右側の図を参照）。

【００１６】上記のようなエンボス加工を行った場合、
従来の磁気カードでは、先に説明したように、エンボス
加工をした文字等の箇所でエンボス割れといわれる亀裂
が生じ、最終的に基材となるコアシートまで破壊される
という問題があった（図６参照）。そして、これを防止
するために、隠蔽層あるいは保護層を系が単一な相構造
を形成するポリマーブレンドによる外部可塑化や内部可
塑化などの方法で変性しても、系の凝集力の大幅な低下
を回避することは不可能であること、さらに変性により
弾性率が低下し、耐衝撃性が改善された場合でも、摩擦
耐久性が低下することも先に述べた通りである。

【００１７】そこで、本発明の磁気カードでは、摩擦耐
久性と耐衝撃性を同時に満足させるため、隠蔽層および
／または保護層のミクロ構造として、樹脂相とエラスト
マー相とからなる相分離構造を採用する。この相分離構
造の具体例としては、例えば図２ないし図４に示すよう
なものが挙げられる。すなわち、図２に示すように樹脂
マトリックス（樹脂相）２１中にエラストマー相２２の
ドメインが分散した海島構造、図３に示すように前述の
海島構造におけるエラストマー相２２中にマトリックス
２１を構成する樹脂と同様の樹脂の相２１が内包される
形で存在するサラミ構造、図４に示すようにベースとな
る樹脂相２１とエラストマー相２２とが連続して絡みあ
った形で存在する変調構造などである。

【００１８】本発明における相分離構造を形成する手段
としては次の３つの具体的態様が挙げられる。すなわ
ち、第１の態様としては、ベースとなる樹脂とエラスト
マー相となる部分を含む樹脂との混合系、第２の態様と
しては、ベース樹脂とゴムとの混合系、第３の態様とし
ては、樹脂単独で相分離構造を形成する系が挙げられ
る。ただし、本発明の本質はこれらの手段に限定される
ものでなく、上記の相分離構造を形成することにある。

【００１９】第１の態様における樹脂の具体例として
は、ベース樹脂部分を主として形成する樹脂として、ポ
リ塩化ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体な
どが挙げられ、エラストマー相部分を主として形成する
成分として、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン
共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリ
エチレン、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン
共重合体を挙げることができる。

【００２０】第２の態様におけるベース樹脂部分を主と
して形成する樹脂の具体例としては、前記第１の態様の
樹脂を使用することができ、エラストマー相部分を主と
して形成する成分としてアクリロニトリル−ブタジエン
ゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、
アクリル−シリコンゴムなどを挙げることができる。

【００２１】第３の態様における樹脂の具体例として
は、例えばポリスチレン−ブタジエン共重合体などを挙
げることができる。

【００２２】以上の場合において、「ベース樹脂部分を
主として形成する樹脂」、「エラストマー相部分を主と
して形成する成分」としたのは、後述するように、エラ
ストマー相を形成するための成分の一部がベース樹脂と
一部相溶する場合があるためであり、むしろそのような
一部に相溶性を有する混合系が好ましいからである。

【００２３】本発明では、上記３つの態様の中でも、既
述の海島構造あるいはサラミ構造の相分離構造を形成し
得る混合系が好ましい。そこで、この系について更に具
体的に説明する。この種の混合系としては、塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体をマトリックスの主成分とし、ア
クリロニトリル−ブタジエンゴム（ブタジエン成分：３
０重量％以上、９０重量％以下）をドメインとする混合
系や、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体をマトリックス
の主成分とし、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレ
ン共重合体（ブタジエン成分：３０重量％以上、６０重
量％以下、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン成
分４０重量％以上、７０重量％以下）の混合系が好まし
い。特に後者のアクリロニトリル−ブタジエン−スチレ
ン共重合体を用いた場合、これが三元グラフト共重合体
であることから、分子内に極性で塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体と相溶性の高い側鎖部分と、無極性で塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体と相溶性の低い主鎖部分とを
合せもっているため、相溶性の高い側鎖部分が相溶化剤
としての機能を果たし、良好な相分離構造を形成できる
点で好ましい。また、本発明における隠蔽層や保護層
は、これを形成するインク組成物を塗布・乾燥すること
により作製されるため、上記のようなグラフト共重合体
を用いることにより、溶液化が容易となり、後述する隠
蔽層、保護層の作製の際に問題となる塗料粘度の増加も
解決することができる。

【００２４】上記塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアル
コール共重合体とアクリロニトリル−ブタジエン−スチ
レン共重合体とからなる系において、これらの樹脂を混
合すると、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共
重合体における側鎖部分のアクリロニトリル−スチレン
部は、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重
合体と相溶し、マトリックス部となり高い凝集力を示
す。同時に、相中でアクリロニトリル−ブタジエン−ス
チレン共重合体のブタジエン部がドメイン部として形成
され、エラストマーとして機能する。なお、上記の系で
は、ドメインを形成する樹脂の一部がマトリックスをも
形成する場合であるが、マトリックス部とドメイン部が
それぞれ独立した成分からなる場合であっても本発明の
効果は十分に発揮される。

【００２５】上記第１あるいは第２の態様の混合系にお
ける混合割合は、系の弾性率と破壊エネルギーとを考慮
して適宜決定されるものであり、使用するベース樹脂部
分を主として形成する樹脂及びエラストマー相部分を主
として形成する成分の性質によって若干異なるが、ベー
ス樹脂部分を主として形成する樹脂に対して、エラスト
マー相部分を主として形成する成分が１０重量％以上、
６０重量％以下であることが好ましく、３０重量％以
上、５０重量％以下であることがより好ましい。この値
を１０重量％以上に設定することにより、ベース樹脂中
のエラストマー相が増加し、系の破壊エネルギーが向上
し衝撃に対して強い層となるとともに、６０重量％以下
に設定することにより、系の凝集力を低下させることな
く、ベース樹脂を形成している樹脂成分の摩擦耐久性を
維持できるようになる。

【００２６】本発明のベース樹脂部分を主として形成す
る樹脂の分子量や、エラストマー相部分を主として形成
し得る成分の分子量としては、使用する樹脂及びエラス
トマー成分の性質によって若干異なるが、ベース樹脂部
分を形成する成分の場合は重量平均分子量で１００００
以上、６００００以下が好ましく、２００００以上、５
００００以下がより好ましい。ベース樹脂部分を主とし
て形成する樹脂の分子量を前記範囲とすることにより、
塗料作製時の粘度調整が容易となり、作業効率を向上す
ることができる。

【００２７】また、本発明における相分離構造を隠蔽層
に適用する場合、エラストマー相部分を主として形成し
得る成分は、重量平均分子量で８０００以上、６０００
００以下が好ましく、１００００以上、５０００００以
下がより好ましく、３００００以上、３０００００以下
が最も好ましい。エラストマー相部分を主として形成し
得る成分の分子量を前記範囲とすることにより、塗料の
調整が容易になると同時に、例えばスクリーン印刷で隠
蔽層を形成する場合に均一な隠蔽層が得られる。すなわ
ち、スクリーン印刷の場合、隠蔽層のインク成分がメッ
シュ状のスクリーンを取って印刷面に付着したのちレベ
リングすることにより印刷面が形成されるが、その場合
に、本発明者等の検討の結果、前記分子量の範囲であれ
ば、レベリング時のインク成分の広がりが良好となり、
均一かつムラの少ない美しい印刷面が得られることが判
明した。なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエー
ションクロマトグラフィーで溶媒にＴＨＦ（テトラヒド
ロフラン）を用い、温度４０℃、流量1.０ｍｌ／ｍｉｎ
の条件で測定し、得られた測定値をポリスチレン換算で
算出した値である。

【００２８】本発明の相分離構造を形成する層として
は、隠蔽層、保護層の両方に適用することが好ましい
が、一方のみを相分離構造とすることができる。

【００２９】本発明における隠蔽層は、前記した相分離
構造を形成するための成分と、隠蔽成分である例えば銀
粉末、アルミペースト等とを、シクロヘキサノン、トル
エン、印刷用溶剤等の有機溶剤を用いて混合して、これ
を磁気ストライプを埋設したラミシート上のカード全面
に塗布、乾燥することにより作製できる。この時、本発
明の相分離構造を形成するための成分は、前記粉体１０
０重量部に対して、４０重量部〜４００重量部とするこ
とが好ましく、９０重量部〜２５０重量部がより好まし
い。粉体量が余りに多すぎると、相構造を形成するため
の成分が減り、接着性・耐衝撃性ともに低下するためで
あり、少なすぎると、隠蔽効果が十分発揮できないこと
となるからである。なお、本発明の相分離構造を形成す
る成分以外に、従来から公知の樹脂成分を併用してもよ
い。このような樹脂としては、ポリカーボネート系樹
脂、ポリアミド系樹脂、セルロース系樹脂、ポリオレフ
ィン樹脂、アクリル樹脂を挙げることができるが、本発
明の相分離構造を効果的に形成するためにも、これらの
樹脂の添加量は、相分離構造を形成している成分の合計
量に対して、0.５重量％〜２０重量％とすることが好ま
しい。

【００３０】隠蔽層上に設けられる保護層は、上記と同
様に、相分離構造を形成する成分を有機溶剤に溶解し、
これをカード全面に塗布、乾燥することにより形成する
ことができる。

【００３１】本発明の隠蔽層の厚さとしては、耐衝撃
性、耐摩擦耐久性を付与するとともに、磁気ストライプ
の記録再生を良好に行うためにも、0.３μｍ以上、3.０
μｍ以下が好ましく、保護層の厚さとしては、同様の観
点から、0.５μｍ以上、4.０μｍ以下が好ましい。

【００３２】本発明の磁気カードの作製方法としては、
コアシートとラミネート層を重ねた基材上に熱圧着等に
よって磁気ストライプを埋設し、これに上記で作製した
隠蔽層、必要により柄印刷層、保護層を順に形成し、さ
らに下コアシート等を圧着する、といった方法を挙げる
ことができる。前記コアシートとしては、ＰＶＣ（ポリ
塩化ビニル）、ＡＢＳ（アクリロニトリル・ブタジエン
・スチレン）樹脂等を用いることができ、ラミネート層
を構成するラミシートとしては、透明ＰＶＣ等を用いる
ことができる。

【００３３】

【作用】本発明の磁気カードにおいては、磁気ストライ
プ上に設けられた隠蔽層および／または保護層が、樹脂
相とエラストマー相とからなる相分離構造を有する構成
とされているので、変性剤となるエラストマー相はベー
スの樹脂中に溶解せずに存在することとなる。これによ
り、樹脂部分の凝集力を低下させることなく、摩擦耐久
性を維持することができる。さらに、相分離した状態で
存在するエラストマー相とベース樹脂（樹脂相）との相
互作用、例えば、（１）エラストマーの存在により外部
応力が局部的に集中しエラストマー内部が空洞化するキ
ャビテーション、（２）エラストマーを通じて亀裂が分
岐しマトリックスの全体にミクローズが拡大するクレー
ジング、（３）エラストマーの存在により３軸応力が低
減しマトリックスの変形が誘発される剪断降伏変形など
により、エンボス加工時に隠蔽層や保護層に作用するエ
ネルギーを散逸させ耐衝撃性も向上できる。加えて、エ
ラストマー相部分を主として形成し得る成分の重量平均
分子量を８０００以上、６０００００以下とした場合に
は、例えば隠蔽層を印刷により形成するときに、印刷イ
ンクのレベリングにおける広がりが良好となるので、均
一かつムラの少ない美しい印刷面が得られる。

【００３４】特に、本発明の磁気カードでは、図４に示
すような海島構造や図５に示すようなサラミ構造のミク
ロ相分離構造とすることが好ましい。これは、このよう
なベース樹脂のマトリックス中に、エラストマー相のド
メインを有する構造とすることにより、各成分の効果が
十分に発揮され、ドメイン構造を有する島状成分とマト
リックス部分の相互作用が高まり、より系の強靭性を高
めることができるからである。

【００３５】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。な
お、以下、部とあるのは重量部を意味する。

【００３６】＜保護層用インクの作製＞（保護層用インク）塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂１００部（ユニオンカーバイト社製のＭＡＧ５２７：分子量３３０００）アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂６５部（三菱レーヨン社製ＤＩＡＰＥＴ７００１：分子量３７０００、ブタジエン組成比約５０重量％）溶剤８００部

【００３７】以上を混合して、保護層用インクを調整
した。このインクを磁気カード作製用とは別にキャスト
し、乾燥後、液体窒素中で凍結させたものを破断し、こ
の破断面を走査型電子顕微鏡（測定条件：倍率１０００
０倍、加速電圧3.０ｋｅＶ）により観察した結果を図５
に示す。図５に示すように、上記インクから形成された
ものは、ベースとなる樹脂のマトリックス（同図におい
て灰色に写っている部分）中にエラストマー相のドメイ
ン（同図において比較的黒く写っている部分）が分散し
た海島構造の相分離構造からなる層であることが確認さ
れた。

【００３８】（保護層用インク）保護層用インクの
作製において、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレ
ン樹脂６５部の代わりに、アクリロニトリル−ブタジエ
ンゴム（日本ゼオン製、商品名ＮｉｐｏｌＤＮ２１９、
分子量２４００００、ブタジエン組成比６６重量％）６
５部を用いた以外は、保護層用インクと同様にして、
保護層用インクを作製した。このようにして作製した
インクを、保護層用インクと同様にして確認したとこ
ろ、海島構造の相分離構造であることが確認された。

【００３９】（保護層用インク）保護層用インクの
作製において、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレ
ン樹脂を用いず、塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂のみを用
いてインクを作製した以外は、保護層インクと同様に
して、保護層用インクを作製した。このようにして作
製したインクを保護層用インクと同様にして確認した
ところ、相分離構造は見られなかった。

【００４０】（保護層用インク）保護層用インクの
作製において、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレ
ン樹脂６５部の代わりに、ウレタン樹脂（東洋紡製ＵＲ
８７００、分子量３２０００）６５部を用いてインクを
作製した以外は、保護層インクと同様にして、保護層
用インクを作製した。このインクを保護層用インク
と同様にして確認したところ、相分離構造は見られなか
った。

【００４１】＜隠蔽層用インクの作製＞（隠蔽層用インク）銀ペースト１００部塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂９０部（ユニオンカーバイト社製のＭＡＧ５２７：分子量３３０００）アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂６０部（三菱レーヨン社製ＤＩＡＰＥＴ７００１：分子量３７０００、ブタジエン組成比約５０重量％）溶剤７５０部以上を混合して、隠蔽層用インクを調整した。このイ
ンクを保護層用インクと同様にして断面を確認したと
ころ、同様に海島構造の相分離構造からなる層であるこ
とが確認された。

【００４２】（隠蔽層用インク）隠蔽層用インクの
作製において、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレ
ン樹脂６０部の代わりに、アクリロニトリル−ブタジエ
ンゴム（日本ゼオン製、商品名ＮｉｐｏｌＤＮ２１９、
分子量２４００００、ブタジエン組成比６６重量％）９
０部を用いた以外は、隠蔽層用インクと同様にして、
隠蔽層用インクを作製した。このようにして作製した
インクを、保護層用インクと同様にして確認したとこ
ろ、海島構造の相分離構造であることが確認された。

【００４３】（隠蔽層用インク）隠蔽層用インクの
作製において、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレ
ン樹脂を用いず、塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂のみを用
いてインクを作製した以外は、隠蔽層インクと同様に
して、隠蔽層用インクを作製した。このようにして作
製したインクを保護層用インクと同様にして確認した
ところ、相分離構造は見られなかった。

【００４４】（隠蔽層用インク）隠蔽層用インクの
作製において、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレ
ン樹脂６０部の代わりに、ウレタン樹脂（東洋紡製ＵＲ
８７００、分子量３２０００）６０部を用いてインクを
作製した以外は、隠蔽層インクと同様にして、隠蔽層
用インクを作製した。このインクを保護層用インク
と同様にして確認したところ、相分離構造は見られなか
った。

【００４５】［実施例１］厚さ２８０μｍのＰＶＣ基材
上に磁気ストライプを埋設したラミシートを圧着し、こ
の上に上記で作製した隠蔽層用インクと保護層用イン
クとをスクリーン印刷によってカード全面にそれぞれ
１μｍの厚さに順に印刷し、その印刷面とは反対面に厚
さ２８０μｍのＰＶＣ基材とラミシートを重ね、これを
加熱プレスすることにより、磁気カードを作製した。

【００４６】［実施例２］実施例１の磁気カードの作製
において、隠蔽層用インクおよび保護層用インクの
代わりに、隠蔽層用インクおよび保護層用インクを
使用した以外は、実施例１と同様にして磁気カードを作
製した。

【００４７】［実施例３］実施例１の磁気カードの作製
において、保護層用インクの代わりに保護層用インク
を使用した以外は、実施例１と同様にして磁気カード
を作製した。

【００４８】［比較例１］実施例１の磁気カードの作製
において、隠蔽層用インク、保護層用インクの代わ
りに、隠蔽層用インク、保護層用インクを使用した
以外は、実施例１と同様にして磁気カードを作製した。

【００４９】［比較例２］実施例１の磁気カードの作製
において、隠蔽層用インクおよび保護層用インクの
代わりに、隠蔽層用インクおよび保護層用インクを
使用した以外は、実施例１と同様にして磁気カードを作
製した。

【００５０】上記実施例１〜３および比較例１〜２で作
製した各磁気カードについて、以下の摩擦耐久性と耐衝
撃性を調べた。表１に、その結果を示す。

【００５１】＜耐衝撃性＞カード発行機を使用し、各磁
気カードにエンボス加工を施し、磁気カード表面の割れ
をマイクロスコープにより観察して、割れが全く無い場
合を○、微小な割れがある場合を△、割れが大きな場合
を×として評価した。

【００５２】＜摩擦耐久性＞磁気カードリーダライタを
用い、上記のエンボス加工した各磁気カードを連続１０
００回走行させ、その後の磁気カードの印刷表面の外観
を目視により観察した。隠蔽層・保護層の剥離または外
観を損ねる程度の傷が観察されない場合は○、観察され
た場合は×として評価した。

【００５３】

【表１】

【００５４】表１から、比較例１では摩擦耐久性は維持
できるものの、充分な耐衝撃性が得られず、逆に比較例
２では耐衝撃性は確保できるものの、摩擦耐久性が充分
でないことがわかる。これに対して、本発明の実施例１
〜３では、充分な摩擦耐久性を維持しつつ、同時に耐衝
撃性も確保できることがわかる。

【００５５】次に、エラストマー相部分を主として形成
し得る成分の分子量が印刷ムラに及ぼす影響を調べるた
めに、当該分子量のそれぞれ異なる前記隠蔽層用インク
と下記に示すような隠蔽層用インク・とを用い、
後述する実施例４〜６の磁気カードを作製した。

【００５６】（隠蔽層用インク）隠蔽層用インクの
作製において、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレ
ン樹脂６０部の代わりに、アクリロニトリル−ブタジエ
ンゴム（日本ゼオン製、商品名ＮｉｐｏｌＤＮ２０９、
分子量３７００００、ブタジエン組成比６６重量％）９
０部を用いた以外は、隠蔽層用インクと同様にして、
隠蔽層用インクを作製した。このようにして作製した
インクを、保護層用インクと同様にして調べたとこ
ろ、海島構造の相分離構造であることが確認された。

【００５７】（隠蔽層用インク）隠蔽層用インクの
作製において、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレ
ン樹脂６０部の代わりに、アクリロニトリル−ブタジエ
ンゴム（日本ゼオン製、商品名ＮｉｐｏｌＤＮ１０４
２、分子量４０００００、ブタジエン組成比６６重量
％）９０部を用いた以外は、隠蔽層用インクと同様に
して、隠蔽層用インクを作製した。このようにして作
製したインクを、保護層用インクと同様にして調べた
ところ、海島構造の相分離構造であることが確認され
た。

【００５８】［実施例４］実施例３の磁気カードの作製
において、隠蔽層用インクの代わりに隠蔽層用インク
を使用した以外は、実施例３と同様にして磁気カード
を作製した。

【００５９】［実施例５］実施例３の磁気カードの作製
において、隠蔽層用インクの代わりに隠蔽層用インク
を使用した以外は、実施例３と同様にして磁気カード
を作製した。

【００６０】［実施例６］実施例３の磁気カードの作製
において、隠蔽層用インクの代わりに隠蔽層用インク
を使用した以外は、実施例３と同様にして磁気カード
を作製した。

【００６１】＜印刷ムラの発生状況＞先に述べた実施例
３および上記実施例４〜６でそれぞれ作製した各磁気カ
ードについて、隠蔽層における印刷ムラの発生状況を調
べた。具体的には、各磁気カードを目視により観察し
て、隠蔽層にムラの発生がなく美しい場合を○、僅かに
ムラが観察される場合を△として評価した。表２にその
結果を示す。

【００６２】

【表２】

【００６３】表２から、エラストマー相部分を主として
形成する成分の重量平均分子量が８０００以上、６００
０００以下の条件を満たす実施例３〜６において、印刷
ムラの少ない印刷面が得られたことがわかる。特に、エ
ラストマー相部分を主として形成する成分の重量平均分
子量を３０００００以下とした実施例３・４によれば、
印刷ムラの全くない又はほとんどない均一な印刷面を有
する磁気カードが得られることも判明した。

【００６４】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、磁気ス
トライプ上に設けられた隠蔽層および／または保護層の
ミクロ構造を、樹脂相とエラストマー相とからなる相分
離構造としたので、摩擦耐久性を低下させることなく、
耐衝撃性を向上できる。これにより、読み取り時におけ
る摩擦耐久性とエンボス加工時における耐衝撃性とを同
時に満足しうる磁気カードを実現できる。加えて、エラ
ストマー相部分を主として形成する成分の重量平均分子
量を８０００以上、６０００００以下とした場合には、
印刷インクのレベリング時における広がりが良好となる
ので、均一かつムラの少ない美しい印刷面をもった磁気
カードを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明磁気カードの一例を示す拡大縦断面図で
ある。

【図２】本発明において採用される相分離構造の一例を
模式的に示す図である。

【図３】相分離構造の他の例を模式的に示す図である。

【図４】相分離構造の更に他の例を模式的に示す図であ
る。

【図５】相分離構造の実例を示すために、実施例で使用
した保護層用インクを乾燥・凍結させ、その破断面を
走査型電子顕微鏡で観察した顕微鏡写真（測定条件：倍
率１００００倍、加速電圧3.０ｋｅＶ）である。

【図６】従来の磁気カードの問題点を説明するために使
用した説明図である

【符号の説明】

１磁気カード２基材（合成樹脂基材）７磁気ストライプ８隠蔽層１０保護層２１樹脂相２２エラストマー相

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】合成樹脂基材の上に磁気ストライプが設
けられており、かつ、磁気ストライプ以外の部分にエン
ボス加工が施された又は施される磁気カードであって、
磁気ストライプ上に、少なくとも、磁気ストライプを隠
蔽する隠蔽層と、この隠蔽層を保護する保護層とが順次
形成されており、前記隠蔽層および／または保護層が、
樹脂相とエラストマー相とからなる相分離構造を有する
ことを特徴とする磁気カード。
【請求項２】相分離構造は、下記〜のいずれかで
ある請求項１記載の磁気カード。ベースとなる樹脂のマトリックス中にエラストマー
相のドメインが島状に分散して存在する構造。ベースとなる樹脂のマトリックス中にエラストマー
相のドメインが島状に分散して存在し、かつ、このうち
のエラストマー相中に、前記マトリックスを構成する樹
脂と同じ樹脂からなる樹脂相が内包されて点在する構
造。ベース樹脂相とエラストマー相とが連続して絡みあ
った状態で存在する構造。
【請求項３】エラストマー相部分を主として形成する
成分の一部が、樹脂相部分を主として形成する成分と相
溶している請求項１または２記載の磁気カード。
【請求項４】エラストマー相部分を主として形成し得
る成分の重量平均分子量が８０００以上、６０００００
以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気カ
ード。