JP2000081545A

JP2000081545A - 光モジュール

Info

Publication number: JP2000081545A
Application number: JP10247629A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Matsubara; 孝宏松原; Katsuhide Setoguchi; 勝秀瀬戸口
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-06-30
Filing date: 1998-09-01
Publication date: 2000-03-21
Anticipated expiration: 2018-09-01
Also published as: JP3716104B2

Abstract

(57)【要約】【課題】光ファイバの破断と封止構造の破壊を極力防
止できるだけでなく、光ファイバと光素子との光接続を
正確に行うことが可能な、信頼性の高い優れた光モジュ
ールを提供すること。【解決手段】シリコン基板１０の上面に光ファイバ載
置用のＶ溝１２を、下面にＶ溝１２に沿った凸状又は凹
状の載置部１１を夫々異方性エッチングにより形成し、
シリコン基板１０の凸状又は凹状の載置部１１と合致す
る凹状又は凸状の軌条部６を備えた良熱伝導性の基体３
上にシリコン基板１０を搭載して成る光モジュールＭ１
とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光ファイバ
通信や光インターコネクションといった光伝送の送受信
に使用される光モジュールに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光信号の送受信に使用される光モ
ジュールにおいては、部品構成を簡素化してコストを下
げたり、その組み立て性を向上させるために、光半導体
素子の給電用金属電極や光ファイバの固定用Ｖ溝がそれ
ぞれ精密に形成された実装基板を使用する構造が多く用
いられている。

【０００３】また従来より、光半導体素子と光ファイバ
の光結合には、所望の結合効率を得るために集光レンズ
が用いられてきたが、精密に加工された実装基板に両者
を固定することで、光半導体素子と光ファイバが極めて
近接して配置でき、集光レンズを用いなくとも所望の結
合効率が得られるようにしている。

【０００４】一方、光半導体素子は湿気による特性劣化
を防ぎ信頼性を高めるために、不活性ガスで充填された
気密構造を用いる必要があるが、集光レンズを用いる結
合構造の場合は、光半導体素子と集光レンズと光ファイ
バで構成される空間、すなわち結合長を長く確保できる
ため、光半導体素子を実装固定するパッケージに光信号
を通すガラス窓を設けることで、気密構造と光信号の授
受が両立できる。

【０００５】実装基板を用いる結合構造の場合、光半導
体素子と光結合する光ファイバをそのまま筐体外へ引き
出し、光ファイバとそれを挿通させるパッケージに形成
された孔の間隙を何らかの方法で気密封止せざるを得な
い。

【０００６】例えば、図８に示す光モジュールＪ１のよ
うに、パッケージ５１の上面部に形成した切り欠き６１
とパイプ溝５５に、一部が保護被膜６３で覆われた光フ
ァイバ６２とガラスパイプ５８を配設し、パッケージ５
１の内側に形成した凹部５４内に配設された実装基板６
０上に半導体レーザ５２を実装固定して、光ファイバ６
２と半導体レーザ５２とを光結合させるようにし、さら
に、パッケージ５１の上面に封止用金属板５７及び蓋６
５を封着した後に、切り欠き溝６１に配置した低融点ガ
ラスの粉末を加熱し、それを溶融させて気密構造を形成
している。この低融点ガラスの加熱には、ＣＯ₂（炭酸
ガス）レーザ等の手段によって部分加熱を行うことが提
案されている（例えば、特開平7-63957 号公報を参
照）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示す光モジュールＪ１の気密封止構造では、光ファイバ
６２とそれに装着したガラスパイプ５８をパッケージ５
１に配設する構造を採用しているため、通常用いられる
多層セラミックパッケージにおいては、薄板を積層する
製法を用いることから、光ファイバ６２が配設される切
り欠き６１とガラスパイプ５８が配設されるパイプ溝５
５の中心軸がパッケージ５１に対して大きくずれる。

【０００８】また、パッケージ５１内に半導体レーザ５
２と光ファイバ６２を搭載する実装基板６０を固定する
が、この実装基板６０上に形成されるＶ溝６６は、外形
に対する位置精度が十分でないため、通常用いられる基
板の外形を基準にして固定する方法では、Ｖ溝６６に対
する切り欠き６１の中心軸とＶ６６の中心軸とが大きく
ずれる。

【０００９】すなわち，シリコン等の実装基板は一般に
数インチサイズのウエハーにエッチングでＶ溝を形成し
た後に、ダイシングにより個別の基板に分断するが、こ
のようなダイシング工法ではＶ溝を基準にして外形精度
を高く加工することは難しい。

【００１０】さらに、パッケージへの固定も接合材とし
て使用するハンダもしくは接着剤の収縮などで固定時に
変動するため、結果的にパッケージ及び切り欠きに対す
る実装基板、とりわけＶ溝の位置精度は低くなってしま
う。

【００１１】したがって、Ｖ溝を基準に光ファイバを実
装した場合には、パッケージの切り欠きとパイプ溝とＶ
溝の位置関係が大きくずれるため、光ファイバとそれに
装着したフェルールの軸が直線的に固定されない。これ
により、光ファイバに不用意な曲げ、いわゆるマイクロ
ベンドが生じ、光モジュールが受ける環境変化によって
その曲げ位置から光ファイバが破断するという重大な問
題点を抱えている。

【００１２】また、上記マイクロベンドを防止するため
には、光ファイバとフェルールを切り欠き及びパイプ溝
に対して精密に軸を位置決めすることも解決策である
が、そのためには、観察が容易なように光ファイバ自身
に表面処理を施したり、軸を位置決めするための複雑で
高機能な装置を用意する必要がある。このことは光モジ
ュールの組み立てが煩雑となり問題である。

【００１３】また、図８の光モジュールＪ１は、パッケ
ージ５１の切り欠き６１に光ファイバ６２を配列して、
パッケージ５１とそれを封着する蓋６５によって形成さ
れる間隙に、低融点ガラス６７を溶融して気密構造を得
る構造のため、光ファイバ６２の固定において軸対称な
構造が形成されない。これにより、封止材の量の差に起
因する熱収縮量もしくは熱膨張量に差を生じさせ、光フ
ァイバ６２の特定の方向に応力を与え、同じく光ファイ
バ６２が破断するに至り問題である。

【００１４】さらに、パッケージ５１と蓋６５が異種の
材料である場合は、封止材の接合強度も異なるため、熱
収縮もしくは熱膨張によって接合材が剥離して封止部分
に隙間を生じさせる場合があり、封止構造を長時間保つ
ことができず、ひいては光半導体素子の信頼性を確保で
きない。

【００１５】そこで、本発明は上述のような光ファイバ
の破断と封止構造の破壊を極力防止できるだけでなく、
光ファイバと光素子との光接続を正確に行うことが可能
な、信頼性の高い優れた光モジュールを提供することを
目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の光モジュールは、シリコン基板の上面に光
ファイバ載置用のＶ溝を、下面に前記Ｖ溝に沿った凸状
又は凹状の載置部を夫々異方性エッチングにより形成
し、前記シリコン基板の凸状又は凹状の載置部と合致す
る凹状又は凸状の軌条部を備えた良熱伝導性の基体上に
前記シリコン基板を搭載して成る。

【００１７】また、上記基体の側壁に前記光ファイバを
挿通させる細孔部を形成し、該細孔部の中心軸に沿って
基体の軌条部が形成されているとよい。

【００１８】また、基体の側壁に細孔部に連通する太孔
部を形成し、該太孔部に光ファイバの一部外周に装着し
た保護部材を挿入して成るとよい。

【００１９】また、基体を上部枠状体に形成した場合
に、この上部枠状体を光素子に電気的に接続される配線
が施された下部基体に接合するようにするとよい。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面に基づいて詳細に説明する。

【００２１】まず、図１（ａ）〜（ｄ）に示す本発明に
係る光モジュールＭ１の構成について説明する。主にセ
ラミックス等から成る基板状の配線を施した多層配線基
板等の下部基体７に、予めセラミックスもしくは金属等
の良熱伝導性材料から成る構造部品である枠状の上部基
体（基体）３が接合され、さらに、この上部基体３に蓋
体１５が接合されており、これらの接合本体２０がパッ
ケージとして機能する。下部基体７には発光（又は受
光）を行う光半導体素子１４への電気信号授受の目的で
電極パターン８が形成され、さらにその電極配線に電気
的に接続されたリード９が装着されている。

【００２２】上部基体３には、光ファイバ１の外径より
わずかに太い内径を有する細孔４が、その側面を貫通す
る状態で形成されている。また、その細孔４と同軸構造
にてフェルール２よりわずかに太い内径を有する太孔５
が細孔４に連続する状態で形成されている。この上部基
体３は、それを構成する材料としてセラミックスや金属
が考えられ、これら両材料は射出成型（モールド）や切
削加工により所望の形状に容易に形成できる。なお、異
方性エッチングが可能である材料を用いて、エッチング
により、後記する上部基体３の軌条部６を形成してもよ
い。

【００２３】光モジュールに一般に用いられる平面型の
パッケージは、薄板状のセラミックスを積層して形成さ
れるが、その工法からして筒状の孔を形成することが困
難である。また、たとえ孔の断面が矩形のものを形成し
たとしても、その幅の寸法公差は１／１０ｍｍオーダー
であり精度が低い。従って、そこに形成した孔に沿って
光ファイバ１とその保護部材であるフェルール２を配置
すれば、自ずから両者の軸が必要以上にずれてしまい、
光ファイバ１のマイクロベンドを起点とする破断を引き
起こす。

【００２４】通常、光通信用の光ファイバ１には、外径
すなわちクラッド径がφ１２５μｍのものが用いられる
ので、細孔４はφ１２５μｍよりもわずかに大きいか、
大きくともφ４００μｍ程度の内径を有することが好ま
しい。

【００２５】細孔４の内径寸法は、光ファイバ１と細孔
４の間隙に充填して光ファイバ１を固定すると共に、パ
ッケージの気密構造を形成するために用いる接合材の種
類によって適切なものが設計される。また、ここに用い
る接合材としてはハンダ材として錫６３重量％：鉛３７
重量％のものが一般的に用いられるが、その場合は細孔
４の内壁と光ファイバ１の外周に金や同一成分のハンダ
を薄く被着させるいわゆるメタライズを施す必要があ
る。また、接合材として超音波を印加する事によって、
光ファイバ１と細孔４の内壁の両者にメタライズを施さ
なくとも接合が可能なハンダ材（商品名：セラソルザ／
旭硝子株式会社製）を用いるとよい。さらに、接合材と
して樹脂製の接着剤を用いてもよい。いずれにしても、
接合材の特性に合わせて細孔４の径を調整する。

【００２６】一方、細孔４に連続する形で形成される太
孔５はフェルール２の外径よりもわずかに太い内径であ
り、例えば外径φ２．５ｍｍのフェルール２の場合、φ
２．５１ｍｍ〜φ２．６ｍｍ程度、また外径φ１．２５
ｍｍのフェルール２の場合、φ１．２６ｍｍ〜φ１．３
５ｍｍ程度が好ましい。フェルール２の外径としては、
上記以外のものも使用が可能であるが、上記の２つのタ
イプが標準的な寸法であり、容易に組み込むことができ
るので好ましい。

【００２７】光半導体素子１４は実装基板１０上にハン
ダなどを介して実装固定されるが、高い結合効率を得る
ためには、光ファイバ１との相対位置ずれを例えば１μ
ｍ以内に抑える必要がある。そのため、光半導体素子１
４は実装基板１０上に設けた所定形状のマーカーを用い
て正確に位置決めした後に固定される。なお、図中１８
は光半導体素子１４用の電極パターンである。

【００２８】通常、この接合に用いるハンダは金８０重
量％：錫２０重量％の共晶ハンダであり、３４０℃近く
まで加熱する必要があるため、この光半導体素子１４を
実装する作業は、実装基板１０をパッケージに固定する
前に行われる。また、実装基板１０のハンドリングにつ
いても、このようにパッケージ２０に固定する前の方が
各種実装機での取扱いが容易であり、光半導体素子１４
を実装基板１０に固定してからパッケージに固定する方
が好ましい。

【００２９】次に、図２〜図４に基づき、光ファイバ１
に生じる応力による光信号の劣化や破断の生じないマイ
クロベンド量を定量化し、フェルール２の外径よりわず
かに太い内径を有する太孔５の中心軸Ｆと光軸Ｌとの軸
ずれ量ｄについて検討し、太孔５の最適な寸法交差△ｄ
を決定した結果を説明する。

【００３０】図２にフェルール２が実装基板１０に配置
された光ファイバ１の中心軸、すなわち光軸Ｌに対して
直交方向に位置ずれ（軸ずれ）し固定される場合を示
し、図３に光ファイバ１に生じるマイクロベンド半径Ｒ
のグラフを、図４に光ファイバ１のマイクロベンドによ
り生じる応力のグラフを示す。

【００３１】実装基板１０とフェルール２との間隔を
Ｘ、上記軸ずれ量をｄとしたとき、Ｘを変化させた場合
に生じるマイクロベンド半径Ｒを解析した結果、図３に
示すグラフとなった。すなわち、間隔Ｘを2mm から0.3m
m へ0.2mm 刻みで、軸ずれ量ｄを0.3mm から0.02mmまで
変化させた場合のマイクロベンド半径Ｒは図示の通りと
なった。

【００３２】光モジュールに用いられる実装基板は、シ
リコン基板の場合、数μｍオーダー以下の機械的精度で
作製できるが、一方、セラミックパッケージの機械的精
度は、数百〜数十μｍでしか制御することは困難であ
る。又、パッケージにシリコン基板を半田や、接着剤で
固定する場合にも位置ずれが生じるために、いかなる場
合においても、実装基板の光ファイバ部とフェルール２
との間で構造的に位置ずれが生じる。

【００３３】また、マイクロベンド半径Ｒと光ファイバ
１に生じる応力σmax の関係は、下記式（１）で表すこ
とができる。

【００３４】 σmax ＝４Ｗ／（πdf）＋Efdf／（２Ｒ）・・・（１）ただし、Ｗ：光ファイバの張力、df：光ファイバ外径、
Ef：光ファイバのヤング率である。

【００３５】図４は、上記式（１）を用い、光ファイバ
１に生じる応力を計算した結果である。光ファイバ１の
破壊応力をσo とすると、光通信で用いられる石英系の
光ファイバはσo ＝５００ｋｇ／mm²程度であるため、
図４のグラフからマイクロベンド半径Ｒが1.2mm 以下に
なると破断することが解る。

【００３６】一方、光ファイバの許容応力は、破壊応力
／安全係数で求められることから、安全係数を３とした
場合において、光ファイバ１にかかる許容応力は１６７
ｋｇ／mm²となる。許容される応力を１６７ｋｇ／mm²
とした場合の間隔Ｘと位置ずれｄとの関係から、フェル
ールが固定されるパッケージの太孔５の寸法公差△ｄに
適用すると、下記式（２）の通りとなった。

【００３７】 Δｄ≧２０Ｘ⁴−９４Ｘ³＋１８４Ｘ²−４５Ｘ＋７・・・（２）すなわち、太孔５を円穴もしくは角穴とし、円穴の場
合、その内径がフェルール外径と同一かそれ以上とし、
その寸法公差をプラス側の上記公差とする。また、角穴
の場合、少なくとも一辺がフェルール外径と同一かそれ
以上とし、その寸法公差をプラス側の上記公差で作製す
る。

【００３８】これにより、光ファイバ１にマイクロベン
ド起因の応力集中を極力避けるようにすることができ、
ひいては光ファイバ１の破断を防止するだけでなく、光
信号の損失増加を極力防止することができる。

【００３９】なお、上記関係式は安全係数を３として計
算したが、これは、光ファイバのマイクロベンドによっ
て生じる光損失が0.1dB 以下となり、かつ、実装時の実
装精度等を考慮して得られた安全係数である。

【００４０】図５は図１の光モジュールＭ１の分解斜視
図である。同図に示すように、光半導体素子１４を実装
固定した実装基板１０は、セラミックス基板７と上部基
体３から成るパッケージ２０に同じくハンダや接着剤で
固定される。この時、実装基板１０の載置面（下面側）
に載置部である凸部１１が形成されている。この凸部１
１は様々な工法によって形成が可能であるが、実装基板
１０にシリコン単結晶を用いる場合は、その主面を（１
００）面とし、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ溶
液を使用した異方性エッチングによれば、（１１１）面
が斜面に形成されたＶ溝を容易に正確に形成することが
できる。また、これによれば、光半導体素子１４と光フ
ァイバ１を実装固定する面に、Ｖ型の溝をエッチングに
よって１つ以上形成する工程により、同時に固定面に凸
状の載置部である凸部１１をその斜面をＶ溝１２の斜面
に同様な角度で正確かつ容易に形成することができるの
で好適である。又、上部基体３側の上記載置面に合致す
る凹状（又は凸状）の少なくとも軌条部を異方性エッチ
ングが可能なシリコン等の材料で構成すれば、斜面６ａ
が（１１１）面となって好適である。

【００４１】また、上記異方性エッチングによりＶ溝１
２と同時にＶ溝１２に沿った位置に凸部１１を形成する
ことのもう一つのメリットは、実装面のＶ溝１２と固定
面の凸部１１の相対位置を精度良く合わせることが可能
な点である。

【００４２】通常、実装基板１０は数インチサイズ・ウ
ェハーの状態でＶ溝１２や各種電極を形成し、その後、
ダイシングにより個々の実装基板１０に分断される。こ
のダイシングにおいて、Ｖ溝１２に対する外形の寸法精
度は比較的低いため、必ずしも実装基板１０の所定位置
にＶ溝１２が配置されるとは限らない。それに比較し
て、固定面の凸部１１をＶ溝１２と同じエッチングで形
成することは、エッチングマスクを形成するフォトリソ
グラフィ工程において両方の面のマスク位置をコントロ
ール出来るため、容易にＶ溝１２と凸部１１の相対位置
がμｍ単位で正確に制御できる。

【００４３】こうして製作された実装基板１０を、上部
基体３に設けた凹部６に嵌め合わせるだけでその固定位
置を正確に制御できる。ここで、実装基板１０の下面に
形成した載置部は凹状に形成してもよく、例えば、図６
に示すように実装基板１０の下面に凹部２１を設け、上
部基体３に凸部２２を形成するようにしてもよい。

【００４４】かくして、本発明の光モジュールによれ
ば、実装基板１０を上部基体３に対して位置決めするこ
とにより、その表面に形成した光ファイバ１を配列する
Ｖ溝１２と、上部基体３に形成した細孔４及び太孔５の
基準が正確に一直線上に配列できる。また、上部基体３
が良熱伝導性材料で構成されているので放熱性が良好と
なる。

【００４５】光ファイバ１には他端に上記のような外径
を持つフェルール２が別工程にて装着される。この装着
には上記と同様のハンダや樹脂接着剤が用いられる。フ
ェルール２の内壁及び光ファイバ１の外周に施す表面処
理も上記と同様に用いる接合材によって適切なものを選
択する。フェルール２に装着した光ファイバ１の端面は
フェルール２と同時に研磨加工され、平面状もしくは略
球面状に加工される。

【００４６】また、光ファイバ１の光半導体素子１４と
光結合する端面は、必要とする結合効率に合わせて平坦
に加工したり、レンズ状もしくは反射光を抑えるために
斜面状に研磨加工を施す。

【００４７】フェルール２を設けた光ファイバ１は、そ
の光半導体素子１４と光結合する端面側から太孔５そし
て細孔４に通され、実装基板１０上に形成したＶ溝１２
に配列してハンダや接着剤で固定される。そして、光フ
ァイバ１と細孔４との間隙に上記のようなハンダないし
樹脂製接着剤を充填して硬化することによって固定され
気密構造を得る。

【００４８】最後に、パッケージの開口部に封着もしく
はシーム溶接によって蓋体１５を設ける。その際にはパ
ッケージ内部を不活性ガスで充填することで、光半導体
素子１４の特性劣化を防ぎ信頼性を高めることができ
る。

【００４９】次に、図７に示す本発明に係る光モジュー
ルの他の実施形態について説明する。同図に示すよう
に、光モジュールＭ２は、セラミックス製ケーシングで
ある下部基体３３の一部分に開口部３３ａを設け、この
開口部３３ａに、上記光モジュールＭ１と同様にして光
ファイバ１を挿通する細孔（不図示）と該細孔に連通し
フェルール２を挿通させる太孔３５を形成した横蓋部３
４と、この横蓋部３４に連接され凹部を形成した引出し
部３６から成る上部基体３７を挿入し、さらに、この金
属やセラミックス製の良熱伝導性材料から成る上部基体
３７の凹部３６ａに、光モジュールＭ１と同様な実装基
板１０を載置し、さらに、上部基体３７及び下部基体３
３の上面を蓋体１５で覆うことにより構成されている。
なお、光モジュールＭ１と同様な部材には同一符号を付
し説明を省略する。

【００５０】このように、上部基体３３には実装基板１
０の凸部１１に合致させた凹部３６ａが形成されてお
り、両者を嵌め合うことにより実装基板１０と上部基体
３７の細孔及び太孔３５が精密に位置決めされる。この
嵌め合いにおいても光モジュールＭ１と同様な作用効果
を奏することができる。また、下部基体３３と上部基体
３７の接合は、同時に焼結して一体化することも可能で
あるし、ろう付けなどの方法を用いて接合してもよい。
なお、図中、３８は光素子に電気的に接続される電極パ
ターンであり、３９はこの電極パターンに接続されるリ
ードである。また、図中、光モジュールＭ１と同様な部
材については同一の符号を付し説明を省略する。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光モジュ
ールによれば、実装基板を基体に対して正確に位置決め
できるだけでなく、放熱性の良好な優れた光モジュール
を提供できる。

【００５２】さらに、基体に正確に細孔部を形成するこ
とで、光ファイバの位置決めの基準となるＶ溝と、光フ
ァイバを挿通させる細孔の中心軸とが極めて正確に位置
合わせすることができ、光ファイバを破断に至らしめる
ような曲げが発生しない。

【００５３】また、光ファイバとその周囲に装着したフ
ェルール等の保護部材を保持する太孔部の中心軸に対し
て細孔部の中心軸を一致させることで、光ファイバと細
孔部、保護部材と太孔部の間隙に充填する接合材の分量
が軸に対して略均等に出来、これら孔を構成する材料も
軸対称とすることができるため接合材との接合性にも差
異が無く、特定の箇所から剥離が生じることも無い。

【００５４】従って、光ファイバの破断が生じにくく、
封止構造が長く保たれるため信頼性の高い優れた光モジ
ュールを容易に提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光モジュールの一実施形態を説明
する図であり、（ａ）は上面部分断面図、（ｂ）は正面
図、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｄ）は（ａ）
のＢ−Ｂ線断面図、（ｅ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面図で
ある。

【図２】フェルールが実装基板に配置された光ファイバ
の中心軸（光軸）に対して直交方向に軸ずれし固定され
る様子を示す模式図である。

【図３】軸ずれと光ファイバに生じるマイクロベンド半
径との関係を示すグラフである。

【図４】光ファイバに生じるマイクロベンド半径と応力
との関係を示すグラフである。

【図５】図１に示す光モジュールの分解斜視図である。

【図６】本発明に係る光モジュールの他の一実施形態を
説明する概略断面図である。

【図７】本発明に係る光モジュールの他の一実施形態を
説明する分解斜視図である。

【図８】従来の光モジュールの分解斜視図である。

【符号の説明】

１：光ファイバ２：フェルール３：上部基体４：細孔５：太孔６：凹部（軌条部）７：セラミックス基板８：電極配線９：リード１０：実装基板１１：凸部（載置部）１２：Ｖ溝１３：金属電極１４：光半導体素子１５：蓋体Ｍ１，Ｍ２：光モジュール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコン基板の上面に光ファイバ載置用
のＶ溝を、下面に前記Ｖ溝に沿った凸状又は凹状の載置
部を夫々異方性エッチングにより形成し、前記シリコン
基板の凸状又は凹状の載置部と合致する凹状又は凸状の
軌条部を備えた良熱伝導性の基体上に前記シリコン基板
を搭載して成る光モジュール。