JP2000077770A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 第１の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第１の層（５２）と、
前記第１の層（５２）と接触する開口部を備え、前記III-V族半導体材料が核化しない材料からなるマスク（５４）と、
前記マスクの前記開口部の下方にある前記第１の層（５２）の一部から成長し、前記マスク（５４）の上に延びる、前記第１の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第２の層（６１）と、
前記第２の層（６１）の上に重畳する、前記第１の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第１のクラッド層（６３）と、
正孔と電子が再結合すると光を発生する、前記第１のクラッド層（６３）上に重畳した活性層（６４）と、
前記第１の層（５２）とは逆の半導体タイプのIII-V族半導体材料からなり、前記活性層（６４）の上に重畳した第２のクラッド層（６５）と、
前記逆の半導体タイプのIII-V族半導体材料からなり、前記クラッド層の上に重畳した結晶層を構成し、前記結晶層の２つのファセットが、前記活性層（６４）を含む光学空洞の両端においてミラーを形成する、第３の層（６６）とが含まれている、半導体レーザ（５０）。
【請求項２】 前記層の一方における前記III-V族半導体材料がＧａＮである、請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】 さらに、前記第１の層（５２）の前記半導体材料が核化しない材料のアイランドが含まれ、該アイランドが、前記第１の層（５２）に埋め込まれており、前記マスク（５４）における前記開口部の下方に位置する、請求項１に記載の半導体レーザ（５０）。
【請求項４】 前記マスク（５４）が、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮまたはＡｌＮからなる、請求項１に記載の半導体レーザ（５０）。
【請求項５】 正孔と電子が再結合すると光を発生する活性層（６４）を包囲した複数のIII-V族半導体材料層を備える、III-V族半導体材料をベースにした半導体レーザ（５０）の形成にあたり、前記半導体材料層をマスク層（５４）の上へ延伸させて結晶層を形成する前記半導体材料層の１つをエピタキシャル成長させ、前記結晶層の２つのファセットが、前記活性層（６４）を含む光学空洞の両端においてミラーを形成するようにし、前記マスク層が、前記エピタキシャル成長時に、III-V族半導体が核化しない材料とする、半導体レーザの形成方法。
【請求項１】 第１の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第１の層（５２）と、
前記第１の層（５２）と接触する開口部を備え、前記III-V族半導体材料が核化しない材料からなるマスク（５４）と、
前記マスクの前記開口部の下方にある前記第１の層（５２）の一部から成長し、前記マスク（５４）の上に延びる、前記第１の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第２の層（６１）と、
前記第２の層（６１）の上に重畳する、前記第１の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第１のクラッド層（６３）と、
正孔と電子が再結合すると光を発生する、前記第１のクラッド層（６３）上に重畳した活性層（６４）と、
前記第１の層（５２）とは逆の半導体タイプのIII-V族半導体材料からなり、前記活性層（６４）の上に重畳した第２のクラッド層（６５）と、
前記逆の半導体タイプのIII-V族半導体材料からなり、前記クラッド層の上に重畳した結晶層を構成し、前記結晶層の２つのファセットが、前記活性層（６４）を含む光学空洞の両端においてミラーを形成する、第３の層（６６）とが含まれている、半導体レーザ（５０）。
【請求項２】 前記層の一方における前記III-V族半導体材料がＧａＮである、請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】 さらに、前記第１の層（５２）の前記半導体材料が核化しない材料のアイランドが含まれ、該アイランドが、前記第１の層（５２）に埋め込まれており、前記マスク（５４）における前記開口部の下方に位置する、請求項１に記載の半導体レーザ（５０）。
【請求項４】 前記マスク（５４）が、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮまたはＡｌＮからなる、請求項１に記載の半導体レーザ（５０）。
【請求項５】 正孔と電子が再結合すると光を発生する活性層（６４）を包囲した複数のIII-V族半導体材料層を備える、III-V族半導体材料をベースにした半導体レーザ（５０）の形成にあたり、前記半導体材料層をマスク層（５４）の上へ延伸させて結晶層を形成する前記半導体材料層の１つをエピタキシャル成長させ、前記結晶層の２つのファセットが、前記活性層（６４）を含む光学空洞の両端においてミラーを形成するようにし、前記マスク層が、前記エピタキシャル成長時に、III-V族半導体が核化しない材料とする、半導体レーザの形成方法。
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| US09/140,976 US6240115B1 (en) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | Epitaxial facet formation for laser diodes based on III-V material systems |
| US140,976 | 1998-08-27 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21691799A Withdrawn JP2000077770A (ja) | 1998-08-27 | 1999-07-30 | 半導体レ―ザおよび半導体レ―ザの形成方法 |
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| EP (1) | EP0982819B1 (ja) |
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