JP2000068245A - 半導体ウエハ乾燥方法 - Google Patents
半導体ウエハ乾燥方法Info
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- JP2000068245A JP2000068245A JP10231727A JP23172798A JP2000068245A JP 2000068245 A JP2000068245 A JP 2000068245A JP 10231727 A JP10231727 A JP 10231727A JP 23172798 A JP23172798 A JP 23172798A JP 2000068245 A JP2000068245 A JP 2000068245A
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- Japan
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- wafer
- drying
- aqueous solution
- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウォータマークを発生させず、高清浄度で安
全、かつ、低コストに乾燥させることができる半導体ウ
エハ乾燥方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ乾燥方法において、ウエハ
２の所望の洗浄を行い純水によりすすぎを行う。次に、
ウエハ２をＨＦ水溶液１に浸漬する。ウエハ２の表面が
前記ＨＦ水溶液１に置換する。次に、ウエハ２を１〜２
ｍｍ／ｓｅｃ程度の速度で引き上げる。つまり、ＨＦ水
溶液１の表面張力でウエハ２上に水滴が残らないように
低速度でウエハ２を引き上げる。
全、かつ、低コストに乾燥させることができる半導体ウ
エハ乾燥方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ乾燥方法において、ウエハ
２の所望の洗浄を行い純水によりすすぎを行う。次に、
ウエハ２をＨＦ水溶液１に浸漬する。ウエハ２の表面が
前記ＨＦ水溶液１に置換する。次に、ウエハ２を１〜２
ｍｍ／ｓｅｃ程度の速度で引き上げる。つまり、ＨＦ水
溶液１の表面張力でウエハ２上に水滴が残らないように
低速度でウエハ２を引き上げる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ乾燥方
法に関するものである。
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハ乾燥方法としては、
スピン乾燥とＩＰＡ蒸気乾燥があった。図６は従来のス
ピン乾燥装置の一部破断斜視図、図７は従来のＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）蒸気乾燥装置の模式図であ
る。
スピン乾燥とＩＰＡ蒸気乾燥があった。図６は従来のス
ピン乾燥装置の一部破断斜視図、図７は従来のＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）蒸気乾燥装置の模式図であ
る。
【０００３】従来のスピン乾燥装置は、図６に示すよう
に、回転機構（ロータ）１０に取り付けたキャリアバス
ケット１１に半導体ウエハ（以下、単にウエハという）
１２をセットして回転させることにより、ウエハ１２の
表面の水滴を遠心力とウエハ表面を流れる風速を利用し
て水滴を吹き飛ばすように構成されていた。また、従来
のＩＰＡ蒸気乾燥装置は、図７に示すように、ＩＰＡ蒸
気１３にウエハ１２を晒すことにより、ウエハ１２表面
の水分とＩＰＡを置換した後、ウエハ１２を乾燥させる
ように構成されていた。なお、図７において、１４はＩ
ＰＡ溜め、１５は加熱部、１６は樋、１７は冷却管、１
８は蓋である。
に、回転機構（ロータ）１０に取り付けたキャリアバス
ケット１１に半導体ウエハ（以下、単にウエハという）
１２をセットして回転させることにより、ウエハ１２の
表面の水滴を遠心力とウエハ表面を流れる風速を利用し
て水滴を吹き飛ばすように構成されていた。また、従来
のＩＰＡ蒸気乾燥装置は、図７に示すように、ＩＰＡ蒸
気１３にウエハ１２を晒すことにより、ウエハ１２表面
の水分とＩＰＡを置換した後、ウエハ１２を乾燥させる
ように構成されていた。なお、図７において、１４はＩ
ＰＡ溜め、１５は加熱部、１６は樋、１７は冷却管、１
８は蓋である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のスピン乾燥装置では、高速回転での機械的な負
荷による発塵や水滴の跳ね返り、静電気による異物の付
着、ウォータマークが発生する等の問題点がある。ま
た、上記した従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置では、引火性の
強い溶剤を加熱することから安全衛生上取扱に注意を必
要とすることと、溶剤の突沸等による異物付着等の問題
があり、技術的に満足できるものではなかった。
た従来のスピン乾燥装置では、高速回転での機械的な負
荷による発塵や水滴の跳ね返り、静電気による異物の付
着、ウォータマークが発生する等の問題点がある。ま
た、上記した従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置では、引火性の
強い溶剤を加熱することから安全衛生上取扱に注意を必
要とすることと、溶剤の突沸等による異物付着等の問題
があり、技術的に満足できるものではなかった。
【０００５】本発明は、上記問題点を除去し、ウォータ
マークを発生させず、高清浄度で安全、かつ、低コスト
に乾燥させることができる半導体ウエハ乾燥方法を提供
することを目的とする。
マークを発生させず、高清浄度で安全、かつ、低コスト
に乾燥させることができる半導体ウエハ乾燥方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕半導体ウエハ乾燥方法において、ＨＦ水溶液浸漬
工程と、ＨＦ水溶液の表面張力で半導体ウエハ上に水滴
が残らないようにこの半導体ウエハを引き上げる工程と
を順に施すようにしたものである。
成するために、 〔１〕半導体ウエハ乾燥方法において、ＨＦ水溶液浸漬
工程と、ＨＦ水溶液の表面張力で半導体ウエハ上に水滴
が残らないようにこの半導体ウエハを引き上げる工程と
を順に施すようにしたものである。
【０００７】〔２〕上記〔１〕記載の半導体ウエハ乾燥
方法において、前記ＨＦ水溶液を７０℃以上とすること
により、疎水性、親水性を問わずウエハを高速で乾燥さ
せるようにしたものである。 〔３〕上記〔１〕記載の半導体ウエハ乾燥方法におい
て、乾燥時の雰囲気温度をＨＦ水溶液の液温以下にし
て、低温ＨＦ水溶液の使用により、ウエハの膜の均一性
を確保するようにしたものである。
方法において、前記ＨＦ水溶液を７０℃以上とすること
により、疎水性、親水性を問わずウエハを高速で乾燥さ
せるようにしたものである。 〔３〕上記〔１〕記載の半導体ウエハ乾燥方法におい
て、乾燥時の雰囲気温度をＨＦ水溶液の液温以下にし
て、低温ＨＦ水溶液の使用により、ウエハの膜の均一性
を確保するようにしたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示すウ
エハ乾燥工程模式図、図２はそのウエハ乾燥フローチャ
ートである。 （１）まず、図１（ａ）に示すように、ウエハ２の所望
の洗浄を行い、純水によりすすぎを行う（ステップＳ
１）。
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示すウ
エハ乾燥工程模式図、図２はそのウエハ乾燥フローチャ
ートである。 （１）まず、図１（ａ）に示すように、ウエハ２の所望
の洗浄を行い、純水によりすすぎを行う（ステップＳ
１）。
【０００９】（２）次に、図１（ｂ）に示すように、ウ
エハ２をＨＦ水溶液１に浸漬する。すると、ウエハ２の
表面が前記ＨＦ水溶液１と置換される（ステップＳ
２）。 （３）次に、図１（ｃ）に示すように、ウエハ２を１〜
２ｍｍ／ｓｅｃ程度の速度で引き上げる。つまり、ＨＦ
水溶液の表面張力でウエハ２上に水滴が残らないように
低速度でウエハ２を引き上げる（ステップＳ３）。
エハ２をＨＦ水溶液１に浸漬する。すると、ウエハ２の
表面が前記ＨＦ水溶液１と置換される（ステップＳ
２）。 （３）次に、図１（ｃ）に示すように、ウエハ２を１〜
２ｍｍ／ｓｅｃ程度の速度で引き上げる。つまり、ＨＦ
水溶液の表面張力でウエハ２上に水滴が残らないように
低速度でウエハ２を引き上げる（ステップＳ３）。
【００１０】このように、ウエハ２の気／液界面におい
て、ＨＦ水溶液１の共沸点特性からＨＦ＋純水は純水の
蒸発により、ＨＦは４３％ＨＦまで濃縮され、その後、
ＨＦが蒸発し、ウエハ２の表面は乾燥に至る。図３はリ
ン拡散ポリシリコンウエハのウォータマーク発生数を示
す図であり、０．５％ＨＦ、０．１％ＨＦ、純水、スピ
ン乾燥、ＩＰＡ蒸気乾燥のそれぞれの場合のウォータマ
ーク発生数を示している。
て、ＨＦ水溶液１の共沸点特性からＨＦ＋純水は純水の
蒸発により、ＨＦは４３％ＨＦまで濃縮され、その後、
ＨＦが蒸発し、ウエハ２の表面は乾燥に至る。図３はリ
ン拡散ポリシリコンウエハのウォータマーク発生数を示
す図であり、０．５％ＨＦ、０．１％ＨＦ、純水、スピ
ン乾燥、ＩＰＡ蒸気乾燥のそれぞれの場合のウォータマ
ーク発生数を示している。
【００１１】上記したように、第１実施例によれば、純
水からの直接乾燥が避けられるため、図３に示すよう
に、ウォータマークを発生させることなく、乾燥を行わ
せることができる。更に、異物が発生する部位がないた
め、異物の付着を防止することができ、加熱溶剤を必要
としないことから、安全でコストを低減することができ
るとともに、有機溶剤による汚染の恐れがない。
水からの直接乾燥が避けられるため、図３に示すよう
に、ウォータマークを発生させることなく、乾燥を行わ
せることができる。更に、異物が発生する部位がないた
め、異物の付着を防止することができ、加熱溶剤を必要
としないことから、安全でコストを低減することができ
るとともに、有機溶剤による汚染の恐れがない。
【００１２】また、ＨＦ洗浄後であれば、リンスを不要
とすることが可能となり、廃液、排水量も低減させるこ
とができる。次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図４は本発明の第２実施例を示すホットＨＦ水溶液
によるウエハ乾燥における気／液界面の状態を示す図で
あり、図４（ａ）は疎水性の場合、図４（ｂ）は親水性
の場合を示す図である。図５はシリコン酸化（Ｓｉ
Ｏ2 ）膜のエッチングレートを示す図であり、縦軸にエ
ッチングレート、横軸に温度を示している。
とすることが可能となり、廃液、排水量も低減させるこ
とができる。次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図４は本発明の第２実施例を示すホットＨＦ水溶液
によるウエハ乾燥における気／液界面の状態を示す図で
あり、図４（ａ）は疎水性の場合、図４（ｂ）は親水性
の場合を示す図である。図５はシリコン酸化（Ｓｉ
Ｏ2 ）膜のエッチングレートを示す図であり、縦軸にエ
ッチングレート、横軸に温度を示している。
【００１３】この実施例によれば、７０℃以上のＨＦ水
溶液１Ａ、つまりホットなＨＦ水溶液１Ａを使用する。
このように、第２実施例によれば、７０℃以上のＨＦ水
溶液１Ａを用いるので、７０℃に加熱されたウエハはウ
エハ自体の熱により気／液界面において、ＨＦの蒸発が
高速で行なわれ、ウエハの表面は乾燥に至る。
溶液１Ａ、つまりホットなＨＦ水溶液１Ａを使用する。
このように、第２実施例によれば、７０℃以上のＨＦ水
溶液１Ａを用いるので、７０℃に加熱されたウエハはウ
エハ自体の熱により気／液界面において、ＨＦの蒸発が
高速で行なわれ、ウエハの表面は乾燥に至る。
【００１４】以上のように、第２実施例によれば、低濃
度ＨＦでもエッチングレートを向上させることができ
る。更に、図４に示すように、疎水性、親水性を問わ
ず、気／液界面において、ＨＦの蒸発が高速で行なわ
れ、ウエハ表面の乾燥を高速化できる。次に、本発明の
第３実施例について説明する。
度ＨＦでもエッチングレートを向上させることができ
る。更に、図４に示すように、疎水性、親水性を問わ
ず、気／液界面において、ＨＦの蒸発が高速で行なわ
れ、ウエハ表面の乾燥を高速化できる。次に、本発明の
第３実施例について説明する。
【００１５】この実施例では、第１実施例における乾燥
時の雰囲気温度をＨＦ水溶液の液温以下にコントロール
し、低温ＨＦ水溶液を使用する。このように、第３実施
例によれば、乾燥雰囲気の温度を所望のＨＦ水溶液の液
温以下にコントロールする。したがって、所望の低温Ｈ
Ｆ水溶液からウエハを引き上げても、ウエハ上には周囲
からの水分の凝集が起こらない。
時の雰囲気温度をＨＦ水溶液の液温以下にコントロール
し、低温ＨＦ水溶液を使用する。このように、第３実施
例によれば、乾燥雰囲気の温度を所望のＨＦ水溶液の液
温以下にコントロールする。したがって、所望の低温Ｈ
Ｆ水溶液からウエハを引き上げても、ウエハ上には周囲
からの水分の凝集が起こらない。
【００１６】このように、第３実施例によれば、乾燥雰
囲気の温度をＨＦ水溶液の液温以下にコントロールする
ようにしたので、低温ＨＦ水溶液を使用することが可能
となり、エッチングレートを抑え、大口径ウエハであっ
ても、表面膜の面内均一性を悪化させることなく乾燥す
ることができる。なお、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が
可能であり、これらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
囲気の温度をＨＦ水溶液の液温以下にコントロールする
ようにしたので、低温ＨＦ水溶液を使用することが可能
となり、エッチングレートを抑え、大口径ウエハであっ
ても、表面膜の面内均一性を悪化させることなく乾燥す
ることができる。なお、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が
可能であり、これらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
【００１７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば次のような効果を奏することができる。 （Ａ）請求項１記載の発明によれば、純水からの直接乾
燥が避けられるため、ウォータマークを発生させず、高
清浄度で安全、かつ、低コストに乾燥させることができ
る。
よれば次のような効果を奏することができる。 （Ａ）請求項１記載の発明によれば、純水からの直接乾
燥が避けられるため、ウォータマークを発生させず、高
清浄度で安全、かつ、低コストに乾燥させることができ
る。
【００１８】また、異物が発生する部位がないため、異
物付着を防止することができ、加熱溶剤を必要としない
ことから、安全でコストを低減することができるととも
に、有機溶剤による汚染の恐れがない。更に、ＨＦ洗浄
後であれば、リンスを不要とすることが可能となり、廃
液、排水量も低減させることができる。
物付着を防止することができ、加熱溶剤を必要としない
ことから、安全でコストを低減することができるととも
に、有機溶剤による汚染の恐れがない。更に、ＨＦ洗浄
後であれば、リンスを不要とすることが可能となり、廃
液、排水量も低減させることができる。
【００１９】（Ｂ）請求項２記載の発明によれば、低濃
度ＨＦでもエッチングレートを向上させることができ
る。また、疎水性、親水性を問わず、気／液界面におい
て、ＨＦの蒸発が高速で行われ、ウエハ表面の乾燥を高
速化することができる。 （Ｃ）請求項３記載の発明によれば、乾燥雰囲気の温度
をＨＦ水溶液の液温以下にコントロールするようにした
ので、低温ＨＦ水溶液を使用することが可能となり、エ
ッチングレートを抑え、大口径ウエハであっても、表面
膜の面内均一性を悪化させることなく乾燥させることが
できる。
度ＨＦでもエッチングレートを向上させることができ
る。また、疎水性、親水性を問わず、気／液界面におい
て、ＨＦの蒸発が高速で行われ、ウエハ表面の乾燥を高
速化することができる。 （Ｃ）請求項３記載の発明によれば、乾燥雰囲気の温度
をＨＦ水溶液の液温以下にコントロールするようにした
ので、低温ＨＦ水溶液を使用することが可能となり、エ
ッチングレートを抑え、大口径ウエハであっても、表面
膜の面内均一性を悪化させることなく乾燥させることが
できる。
【図１】本発明の第１実施例を示すウエハ乾燥工程模式
図である。
図である。
【図２】本発明の第１実施例を示すウエハ乾燥フローチ
ャートである。
ャートである。
【図３】リン拡散ポリシリコンウエハのウォータマーク
発生数を示す図である。
発生数を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例を示すホットＨＦ水溶液に
よるウエハの乾燥における気／液界面の状態を示す図で
ある。
よるウエハの乾燥における気／液界面の状態を示す図で
ある。
【図５】シリコン酸化（ＳｉＯ2 ）膜のエッチングレー
トを示す図である。
トを示す図である。
【図６】従来のスピン乾燥装置の一部破断斜視図であ
る。
る。
【図７】従来のＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気
乾燥装置の模式図である。
乾燥装置の模式図である。
１ ＨＦ水溶液 １Ａ ７０℃以上のＨＦ水溶液 ２ ウエハ
Claims (3)
- 【請求項１】（ａ）ＨＦ水溶液浸漬工程と、（ｂ）ＨＦ
水溶液の表面張力で半導体ウエハ上に水滴が残らないよ
うに該半導体ウエハを引き上げる工程とを順に施すこと
を特徴とする半導体ウエハ乾燥方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウエハ乾燥方法に
おいて、前記ＨＦ水溶液を７０℃以上とすることによ
り、疎水性、親水性を問わずウエハを高速で乾燥させる
ことを特徴とする半導体ウエハ乾燥方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体ウエハ乾燥方法に
おいて、乾燥時の雰囲気温度をＨＦ水溶液の液温以下に
し、低温ＨＦ水溶液の使用により、ウエハの膜の均一性
を確保することを特徴とする半導体ウエハ乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10231727A JP2000068245A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 半導体ウエハ乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10231727A JP2000068245A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 半導体ウエハ乾燥方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068245A true JP2000068245A (ja) | 2000-03-03 |
| JP2000068245A5 JP2000068245A5 (ja) | 2005-10-20 |
Family
ID=16928090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10231727A Pending JP2000068245A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 半導体ウエハ乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000068245A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008060102A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板の洗浄乾燥方法 |
-
1998
- 1998-08-18 JP JP10231727A patent/JP2000068245A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008060102A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板の洗浄乾燥方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050628 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050628 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070706 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070717 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071127 |