JP2000067413A - 磁気ヘッド - Google Patents

磁気ヘッド

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JP2000067413A
JP2000067413A JP11225917A JP22591799A JP2000067413A JP 2000067413 A JP2000067413 A JP 2000067413A JP 11225917 A JP11225917 A JP 11225917A JP 22591799 A JP22591799 A JP 22591799A JP 2000067413 A JP2000067413 A JP 2000067413A
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zth
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Alberto Emilio Santini Hugo
ヒューゴ・アルベルト・エミリオ・サンティーニ
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International Business Machines Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 効率的な縫合書込みヘッドを提供する。 【解決手段】 本発明では、第２の磁極片の第２の磁極
ヨーク構成要素が、第２の磁極片の第２の磁極端構成要
素の小さな面積の上面、ならびに第２の磁極端構成要素
の後端、第１の側端および第２の側端に接続（縫合）さ
れる。後端および側端の追加の縫合によって、エア・ベ
アリング面で第２の磁極端へまたは第２の磁極端から磁
束を伝達するのに必要な構成要素間の磁気結合が得られ
る。上面の縫合領域の長さが短くなる構成により、絶縁
スタック中の１層または複数層のコイル層をＡＢＳによ
り近い位置に配置することが可能となり、ヘッドのデー
タ転送率が向上する。さらにこの構成によって、第１の
磁極片層に近接する部分の第２の磁極片層の材料の量を
減らすことができ、これらの層の間の漏れ磁束が最小限
に抑えられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多重縫合された第
２の極片を有する書込みヘッドに関し、より具体的に
は、第２の極片の第２の層構成要素が、第１の層構成要
素の上端、後端、第１の側端および第２の側端に縫合
（stitch）された（かみ合いによって磁気的に接続され
た）書込みヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの心臓部は、磁気ディスク
・ドライブと呼ばれるアセンブリである。磁気ディスク
・ドライブは、回転磁気ディスク、サスペンション・ア
ームによって回転ディスクの上方の空間に配置された書
込み／読取りヘッド、および回転ディスク上の選択され
た円形トラックの上に書込み／読取りヘッドを配置する
目的でサスペンション・アームをスウィングさせるアク
チュエータを含む。書込み／読取りヘッドは、エア・ベ
アリング面（ＡＢＳ）を有するスライダの上に直接に装
着される。ディスクが回転していないときには、サスペ
ンション・アームがスライダをディスクの表面に押しつ
け、スライダはディスクの表面に接触しているが、ディ
スクが回転しているときには、ＡＢＳに隣接した回転デ
ィスクによって空気が回転運動し、これによってスライ
ダが、回転ディスクの表面からわずかに距離を置いてエ
ア・ベアリングの上に浮かぶ。書込み／読取りヘッド
は、回転ディスクへの磁気的刻印（impression）の書込
み、および回転ディスクからの磁気的刻印の読取りに使
用される。読取り／書込みヘッドは、書込みおよび読取
り機能を実行するコンピュータ・プログラムに基づいて
動作する処理回路に接続される。
【０００３】書込みヘッドは、第１の磁極片層と第２の
磁極片層の間にはさみ込まれた第１、第２および第３の
絶縁層（絶縁スタック）中に組み込まれたコイル層を含
む。第１の磁極片層と第２の磁極片層の間には、書込み
ヘッドのエア・ベアリング面（ＡＢＳ）のところにギャ
ップ層によってギャップが形成される。磁極片層は、バ
ック・ギャップで相互に接続される。コイル層を流れる
電流によって、磁極片間のギャップを横切って磁界が誘
導される。この磁界は、回転ディスク上の円形トラック
などの運動している媒体上のトラックに情報を書き込む
目的で、ＡＢＳのギャップを横切ってフリンジする（fr
inge）。
【０００４】第２の磁極片層は、ＡＢＳからフレア点ま
で延びる磁極端部分、およびフレア点からバック・ギャ
ップまで延びるヨーク部分を有する。フレア点は、第２
の磁極片が、ＡＢＳがヨーク部分を形成した後で最初に
広がり（フレア）始める点である。フレア点の位置は、
記録媒体上の書込み磁界の大きさに直接に影響を及ぼ
す。磁束は、第２の磁極端の長さ方向へ進むにつれて減
衰するので、第２の磁極端の長さを短くするとより多く
の磁束が記録媒体に達する。したがって最適性能は、フ
レア点を極力ＡＢＳの近くに配置し、これにより第２の
磁極端を短くすることによって得られる。
【０００５】書込みヘッドの設計で重要なパラメータに
はそのほか、ゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）の位置
がある。ＺＴＨは、第１の磁極片と第２の磁極片とがＡ
ＢＳの後方で最初に分離する場所である。ＺＴＨの分離
は、絶縁層、一般には絶縁スタックの第１の絶縁層の輪
郭によって生じる。ＺＴＨの位置をＡＢＳにできるだけ
近づけることによって、第１の磁極片と第２の磁極片の
間の漏れ磁束が最小限に抑えられる。
【０００６】残念ながら前述の設計パラメータは、第２
の磁極端の製作におけるジレンマとなる。回転ディスク
上に明確に画定された書込みトラックを形成させるため
には第２の磁極端が明確に画定されていなければならな
い。第２の磁極端が不明確であると、隣接するトラック
のオーバライトが生じる可能性がある。明確に画定され
た第２の磁極端は、平行かつ平坦で、第１の磁極片層の
水平面に垂直な側壁を有しなければならない。多くの従
来技術の書込みヘッドで第２の磁極端は、絶縁スタック
の第１の絶縁層、コイル層、第２の絶縁層および第３の
絶縁層を形成した後にヨークとともに形成される。それ
ぞれの絶縁層は、傾斜した前面を有するハードベークし
たフォトレジストを含む。
【０００７】それぞれの絶縁層の傾斜面は、ＡＢＳに垂
直な平面に対してある頂点角度を有する。構築後、第
１、第２および第３の絶縁層はＡＢＳに面した傾斜面を
与える。第２の磁極片層をフレームめっきする目的でシ
ード層で傾斜面をコーティングする際、ハードベークし
たレジストの傾斜面は高い光反射率を示す。第２の磁極
端およびヨークを構築するときには、コーティングされ
た絶縁層の表面に厚いフォトレジスト層を回転塗布し、
従来のフォトリソグラフィ手法を使用して第２の磁極端
の形状に光パターン形成する。フォトリソグラフィ段階
では、不透明なマスクのスリットを通して光を垂直に導
き、後段の現像段階で除去するフォトレジストの露光領
域に当てる。除去する領域の１つは、めっきによって第
２の磁極片（磁極端およびヨーク）を形成する領域であ
る。残念ながら、フレア点が絶縁層の傾斜面上に位置す
る場合には、光が、ＡＢＳに向かって前方に反射され、
第２の磁極端領域の側面のフォトレジスト領域に照射さ
れる。現像後のフォトレジストの側壁にはノッチが見ら
れ、これによってめっき後に不完全に形成された磁極端
が残る。これは「反射ノッチング」と呼ばれ、回転ディ
スク上の隣接するトラックのオーバーライトにつなが
る。反射ノッチングは傾斜面の後方で起こるので、フレ
ア点をヘッド内の十分に奥まった位置に配置した場合に
は、反射ノッチングの影響が低減されるか、または排除
されることが明らかである。しかしこの解決策では、第
２の磁極端が長くなり、これによって記録媒体上に有効
に書き込むヘッドの能力が急激に減衰する。
【０００８】前述の反射ノッチングの問題を克服するた
め、いくつかの第２の磁極片が２つ以上の層構成要素か
ら構築されている。すなわち、前部の層構成要素によっ
て第２の磁極端が形成され、後部の層構成要素によって
第２の磁極片のヨーク部分が形成される。反射ノッチン
グの問題を排除するため、第２の磁極端構成要素を、ゼ
ロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定する絶縁層を構
築した後、その他の絶縁層を構築する前に構築してもよ
い。書込みギャップ層およびＺＴＨを画定する絶縁層を
形成した後、フォトレジスト層を、部分的に完成したヘ
ッドの上に回転塗布する。フォトレジスト層は概ね平坦
であり、そのため、光パターン形成段階で光が前方の磁
極端領域中に反射されることがない。次いでフォトレジ
スト層の明確に形成された開口中に第２の磁極端構成要
素をフレームめっきし、その後、フォトレジスト層を除
去する。次いで、第１の絶縁層、コイル層、第２の絶縁
層、第３の絶縁層の順で構築する。次いで第２の磁極ヨ
ーク構成要素をフレームめっきし、これにより、これを
第２の磁極端構成要素の上面に縫合する。このプロセス
によって形成された書込みヘッドは、縫合書込みヘッド
と呼ばれる。
【０００９】縫合書込みヘッドは、反射ノッチングの問
題を克服する一方で追加の問題を引き起こす。第２の磁
極端構成要素の上面には、それを第２の磁極ヨーク構成
要素に縫合するために十分に広い領域があることが必要
である。従来技術の縫合方法では、第２の磁極端構成要
素がより広い領域にわたって第１の磁極片層に近接する
ので、第２の磁極端構成要素と第１の磁極片層の間で追
加の漏れ磁束が生じる。さらに従来技術の縫合方法で
は、１つまたは複数のコイル層をヘッドのより後方の位
置に配置する必要があり、これにより書込みヘッド回路
の磁気抵抗が増大し、この磁気抵抗の増大によって、立
上り時間が増大し、信号のデータ転送率が低下する。さ
らに、第２の磁極端構成要素がＡＢＳまで延びると、第
２の磁極端構成要素と第１の磁極片層とがＴ字形構成を
形成する。ヘッドの動作中、磁束は、Ｔ字の水平部分か
らＴ字の直立部分へ並び、これによって隣接するトラッ
クのオーバーライトが引き起こされる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、１つ
または複数のコイル層をＡＢＳに近づけて、磁気抵抗を
最低限に抑え、書込みヘッド回路のデータ転送率を向上
させることができる縫合書込みヘッドを提供することに
ある。
【００１１】他の目的は、第１の磁極片と第２の磁極片
の間の漏れ磁束が低減された縫合書込みヘッドを提供す
ることにある。
【００１２】他の目的は、反射ノッチングが排除され、
データ転送率が向上し、第１の磁極片と第２の磁極片の
間の漏れ磁束が低減されたより効率的な書込みヘッドを
提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、第２の磁極端
構成要素の上面の縫合（stitch）領域を小さくすること
ができる類例のない縫合方式を提供する。これは、第２
の磁極ヨーク構成要素を、第２の磁極端構成要素のより
小さな面積の上面、ならびに第２の磁極端構成要素の後
端、第１の側端および第２の側端に縫合することによっ
て達成される。第２の磁極端構成要素の後端ならびに第
１および第２の側端と第２の磁極ヨーク構成要素の追加
の縫合によって、第２の磁極端構成要素と第２の磁極ヨ
ーク構成要素の間で磁束を伝達するのに必要な構成要素
間の磁気結合が得られる。この構成によって、上面の縫
合領域の長さが短くなり、これによって、１層または複
数層のコイル層をＡＢＳにより近い位置に配置すること
が可能となって、ヘッドのデータ転送率が向上する。さ
らにこの構成によって、第１の磁極片層に近接する部分
の第２の磁極片層の材料の量を減らすことができ、これ
らの層の間の漏れ磁束が最小限に抑えられる。
【００１４】本発明の好ましい実施形態では、前述の絶
縁層とは別のＺＴＨ画定層によって第２の磁極端構成要
素を第１の磁極片層から分離し、これによって磁極片間
の漏れ磁束がさらに抑制される。第２の磁極端構成要素
のフレア点がＺＴＨ画定層の平坦部分の上に配置され、
反射ノッチングが防止されることが好ましい。他の好ま
しい実施形態では、絶縁スタックの絶縁層のうちの１層
が、第２の磁極端構成要素の後端、第１の側端および第
２の側端から間隔を置いて配置され、これによりＵ字形
のトレンチが形成され、この中に第２の磁極ヨーク構成
要素の前部が配置される。本発明を、単一または複式コ
イル層式、および挿入ＺＴＨ画定層式の書込みヘッド、
ならびに第１の磁極片が埋設されたタイプの書込みヘッ
ドに容易に適合させることができる。さらに、第２の磁
極端構成要素をＡＢＳから奥まった位置に下げ、これに
よってＡＢＳでの磁極端間の漏れ磁束を最小限に抑える
ことが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】磁気ディスク・ドライブ 次に図面を参照する。図面全体を通じて同じ参照符号は
同じまたは同種の部品を表す。図１ないし３に磁気ディ
スク・ドライブ３０を示す。ドライブ３０は、磁気ディ
スク３４を支持しこれを回転させるスピンドル３２を含
む。スピンドル３２は、モータ制御装置３８によって制
御されたモータ３６によって回転する。結合型読取り／
書込み磁気ヘッド４０はスライダ４２の上に装着され、
スライダ４２は、サスペンション４４およびアクチュエ
ータ・アーム４６によって支持される。大容量の直接ア
クセス記憶装置（ＤＡＳＤ）では図３に示すように、複
数のディスク、スライダおよびサスペンションが使用さ
れることがある。サスペンション４４およびアクチュエ
ータ・アーム４６は、磁気ヘッド４０が、磁気ディスク
３４の表面と変換（transducing）関係となるようにス
ライダ４２を配置する。ディスク３４がモータ３６によ
って回転しているとき、スライダは、ディスク３４の表
面とエア・ベアリング面（ＡＢＳ）４８の間の空気の薄
い（一般に０．０５μｍ）クッション（エア・ベアリン
グ）の上に支持される。磁気ヘッド４０を使用して、デ
ィスク３４の表面の複数の円形トラックに情報を書き込
んだり、そこから情報を読み取ったりすることができ
る。処理回路５０は、このような情報を表す信号をヘッ
ド４０と交換し、磁気ディスク３４を回転させるモータ
・ドライブ信号を供給し、スライダをさまざまなトラッ
クに移動させる制御信号を供給する。図４に、サスペン
ション４４に装着されたスライダ４２を示す。以上に記
載した構成要素を図３に示すようにフレーム５４の上に
装着してもよい。
【００１６】図５は、スライダ４２および磁気ヘッド４
０のＡＢＳを示す図である。スライダは、磁気ヘッド４
０を支持するセンター・レール５６およびサイド・レー
ル５８、６０を有する。レール５６、５８、６０はクロ
ス・レール６２から延びる。磁気ディスク３４の回転に
関して、クロス・レール６２はスライダの前縁６４に、
磁気ヘッド４０はスライダの後縁６６にある。
【００１７】従来技術の組合せヘッド 図６は、ＭＲまたはスピン・バルブ・センサ７４を使用
した読取りヘッド部分７２、および従来技術の書込みヘ
ッド部分７０を有する組合せＭＲヘッドまたはスピン・
バルブ・ヘッド４０の横断面立面図である。図７は、図
６のＡＢＳを示す図である。センサ７４は、第１のギャ
ップ層７６と第２のギャップ層７８の間に位置し、ギャ
ップ層は、第１のシールド層８０と第２のシールド層８
２の間に位置する。センサ７４の抵抗は外部磁界に応答
して変化する。感知電流Ｉsをセンサに流すことによっ
て、この抵抗変化が電位変化となって現れる。次いでこ
の電位変化はリードバック信号として、図３に示した処
理回路５０によって処理される。
【００１８】この組合せヘッドの従来技術の書込みヘッ
ド部分は、第１の絶縁層８６と第２の絶縁層８８の間に
位置するコイル層８４を含む。コイル層８４に起因する
第２の絶縁層の波状起伏を排除するために、ヘッドを平
坦化する第３の絶縁層９０を使用してもよい。 第１、
第２および第３の絶縁層を合わせて当技術分野では「絶
縁スタック」と呼んでいる。コイル層８４、第１、第２
および第３の絶縁層８６、８８、９０は、第１の磁極片
層９２と第２の磁極片層９４の間に配置される。第１の
磁極片層９２と第２の磁極片層９４はバック・ギャップ
９６のところで磁気的に結合されており、また、書込み
ギャップ層１０２によって分離された第１の磁極端９８
および第２の磁極端１００をＡＢＳのところに有する。
図２および４に示すように、第１および第２のはんだ接
続１０４、１０６が、センサ７４からから延びるリード
をサスペンション４４上のリード１１２、１１４に接続
し、第３および第４のはんだ接続１１６、１１８が、コ
イル８４（図８参照）から延びるリード１２０、１２２
をサスペンション上のリード１２４、１２６に接続す
る。磁気ヘッドの敏感な部品を保護するため、図２、
４、６、７に示すような摩耗層１２８を使用してもよ
い。組合せヘッド５０が、読取りヘッドの第２のシール
ド層としての機能および書込みヘッドの第１の磁極片層
としての機能の２つを果たす単一の層８２／９２を使用
していることに留意されたい。ピギーバック・ヘッド
は、これらの機能に対して別々の２つの層を使用する。
【００１９】第２の磁極片層９４は磁極端領域およびヨ
ーク領域を有する。これらの構成要素のマージングは、
ヘッドの奥に向かっていったときに第２の磁極片層９４
がＡＢＳの後方で最初に広がり始める位置であるフレア
点によって画定される。第２の磁極端領域はＡＢＳから
フレア点までであり、ヨーク領域はフレア点からバック
・ギャップ９６までである。
【００２０】フレア点の位置は書込みヘッドの重要な設
計パラメータである。フレア点がヘッドのより奥まった
場所に位置するほど、磁極端は長くなり、これによって
磁気抵抗は増大し、コイル層８４からの磁束に応答して
磁極端が飽和する可能性も大きくなる。第２の磁極端を
製作する製造上の問題から、過去には、フレア点の位置
をＡＢＳから１０μｍ以内に配置することは困難であっ
た。
【００２１】書込みヘッドの製作における他の重要な設
計パラメータは、第１の磁極片層９２と第２の磁極片層
９４とがＡＢＳの後方で最初に分離する場所であるゼロ
・スロート・ハイト（ＺＴＨ）の位置である。磁界がＡ
ＢＳの書込みギャップ層１０２に到達する前に磁束が磁
極片間で損失する磁束損を減らすために、ＺＴＨをＡＢ
Ｓにできるだけ近づけて（一般に約１μｍ以内）配置す
ることが重要である。従来技術では、ＺＴＨをＡＢＳの
近くに配置することが明確に画定された第２の磁極端を
製作する前述の課題に貢献している。
【００２２】図９に、第２の磁極片９４（図６参照）の
構築段階における図６の従来技術のヘッドを示す。図９
には、頂点１３６、１３８および１４０を終端とする傾
斜面１３０、１３２および１３４をそれぞれ有する第
１、第２および第３の絶縁層（Ｉ１、Ｉ２およびＩ３）
が示されている。先に述べたように第１、第２および第
３の絶縁層はハードベークしたフォトレジストである。
第２の磁極片層をフレームめっきするためにこれらの層
の上にシード層を付着させると、傾斜面１３０、１３２
および１３４の光に対する反射率は非常に高くなる。傾
斜面１３０、１３２および１３４は全て、第２の磁極片
９４の第２の磁極端が形成される磁極端領域に面してい
る。第２の磁極片は、部分的に完成したヘッドの表面に
フォトレジスト層を回転塗布し、全体に平坦とすること
で形成される。フォトレジストの厚さは、磁極端領域で
１２μｍの厚さにすることもできるが、一般には第３の
絶縁層（Ｉ３）の上で約４．５μｍである。
【００２３】第２の磁極片９４（図６参照）のフレア点
１４２は絶縁層の傾斜面の上に位置するので、光は、傾
斜面１３０、１３２および１３４（図９参照）からＡＢ
Ｓに向かって前方に反射し、磁極端領域のフォトレジス
ト側壁領域に侵入して、フォトレジストのノッチングを
引き起こす。これによって、磁極端領域のフォトレジス
トの側壁がパターン形成に使用したマスクよりも広が
る。この現象は「反射ノッチング」と呼ばれる。第２の
磁極片のフォトレジスト・パターンを図９の１４４に示
す。これには、磁極端パターンおよびヨーク・パターン
が含まれる。これは「Ｐ２フレーム」と呼ばれる。絶縁
層の傾斜層からある入射角で反射した光によるフォトレ
ジストの反射ノッチングを図９の「Ａ」および「Ｂ」に
示す。フォトレジストのフォトイメージング段階中に光
線「Ａ」が下向きに導かれると、この光線は、第２の磁
極端の反射ノッチングを一切生じさせることなくある入
射角で磁極端領域中に反射される。しかし、フォトイメ
ージング・プロセスで光線「Ｂ」が、フレア点１４２の
後方の絶縁層の傾斜面から反射されると、光線は、目的
の磁極端の側面に沿ってある入射角でフォトレジスト中
に反射される。反射ノッチングを引き起こすのは光反射
Ｂおよび同様の光反射である。第２の磁極片９４をめっ
きし、フォトレジスト層を除去すると、第２の磁極端１
００（図７参照）の形成は不完全であり、不規則な側壁
が見られる。
【００２４】図１０に、第２の磁極片１５２が、第２の
磁極端１５４および第２の磁極ヨーク構成要素１５６か
ら構築される点が図６に示した従来技術のヘッドと異な
る他の従来技術のヘッド１５０を示す。第２の磁極端構
成要素１５４は、第１の絶縁層１５８（ＺＴＨ画定層）
を形成した後にＡＢＳのところに構築され、その後に第
２および第３の絶縁層１６０、１６２ならびにコイル層
１６４が形成される。この構造では、第２の磁極端構成
要素１５４を形成するフォトリソグラフィ段階が、書込
みギャップ１０２および第１の絶縁層１５８の形成段階
の直後に実施される。この段階では、傾斜した絶縁層１
６０、１６２がまだ形成されていないので表面はほぼ平
坦である。したがって、明確に画定された側壁を有する
第２の磁極端構成要素１５４を構築することができる。
第２の磁極端構成要素１５４を構築した後、コイル層１
６４を第１の絶縁層の上に、第２の絶縁層１６０をコイ
ル層１６４および第１の絶縁層１５８の上に、第３の絶
縁層１６２を第２の絶縁層１６０の上にそれぞれ形成す
る。その後、フォトレジスト層（図示せず）をフォトイ
メージングし、ＡＢＳからバック・ギャップ（図示せ
ず）に至る第２の磁極ヨーク構成要素１５６を構築す
る。残念ながら、１６６の縫合領域の面積が大きいた
め、コイル層１６４をヘッドのさらに後方に配置するこ
とが必要となる。これにより、磁気抵抗が増大しヘッド
のデータ転送率が低下する。さらに、縫合領域が大きい
ために、第２の磁極端構成要素１５４と第１の磁極片層
１６８の間で漏れる磁束が増大する。図１１のＡＢＳ図
に、第２の磁極ヨーク構成要素１５６を示す。これは、
第１の構成要素１５４とともに、ＡＢＳのところで
「Ｔ」字形構成を有する第２の磁極端を構成する。残念
ながら図１１の磁束線に示すように、前部磁極端１５４
と第２の磁極ヨーク１５６の間に磁束が並び、これによ
り、回転磁気ディスク上の隣接するトラックでオーバー
ライトが起きる。本発明は以上に述べた問題を克服す
る。
【００２５】発明 図１２に、本発明の多重縫合書込みヘッド部分を有する
組合せヘッド２００の前部を示す。図１２に示すとおり
第１の絶縁層２０２は、図１０の実施形態１５０と同様
にヘッドのＺＴＨを画定するが、絶縁スタックの第２お
よび第３の絶縁層２０４、２０６は書込みギャップ層２
０８上で終端し、絶縁層２０４、２０６と第２の磁極端
構成要素２１２の後端２１０の間に空間が生じている。
図１２および１４に示すように、第２の磁極ヨーク構成
要素２１４は、第２の磁極端構成要素２１２の小面積の
上面部分２１６、後端２１０、第１の側端２１８、およ
び第２の側端２２０とかみ合う。後に詳細に説明する
が、書込み済みトラックの側方からの書込みを最小限に
抑えるため、第２の磁極ヨーク構成要素の前端２２２が
ＡＢＳから奥まった位置に配置されることが好ましい。
図１２に示した本発明の磁気ヘッドによって、コイル層
２２４をＡＢＳにより近い位置に配置し、これによって
磁気抵抗を低下させ、書込みヘッド回路のデータ転送率
を高めることができる。上面２１６、後端２１０、第１
の側端２１８、および第２の側端２２０の縫合領域の設
計は、第２の磁極ヨーク構成要素２１４と第２の磁極端
構成要素２１２の間で磁束が十分に伝達されるようにな
されている。
【００２６】縫合は、後端２１０、第１および第２の側
端２１８、２２０で実施されるので、上面領域２１６で
の縫合を、図１０に示した従来技術の教示よりもはるか
に小さいものとすることができる。したがってこれによ
り、磁束を伝達するのに十分な縫合領域を得るために第
２の磁極端構成要素２１２をさらに奥まった位置にまで
延ばすことなく、第２の磁極ヨーク構成要素の前端２２
２を奥まった位置に配置することができる。第２の磁極
ヨーク構成要素２１４を第２の磁極端構成要素２１２に
多重縫合する他の利点は、コイル２２４の前方の第１の
磁極片と第２の磁極片の間の漏れ磁束が減ることであ
る。これは、第１の磁極片層２２６に隣接する第２の磁
極片の量が減るためである。
【００２７】図１３は、図１２のＡＢＳの図であり、第
２の磁極端構成要素２１２だけがＡＢＳに露出している
ことが分かる。絶縁層２０４、２０６およびコイル層２
２４を含む絶縁スタックを、第２の磁極端構成要素２１
２を構築する前に構築しても、後に構築してもよいこと
に留意されたい。好ましい実施形態では、絶縁層および
コイル層が第２の磁極端構成要素２１２を構築する前に
構築され、これによって、絶縁層およびコイル層を製作
する処理段階によって第２の磁極端構成要素２１２が改
変されることがない。図１４に示すように第２の磁極ヨ
ーク構成要素２１４の前部の周囲にはオーバコート層２
２８が置かれる。
【００２８】図１５ないし１７に、第２の磁極端構成要
素３０２および第２の磁極ヨーク構成要素３０３を備え
た第２の磁極片を有する本発明の組合せ磁気ヘッドの他
の実施形態３００を示す。この実施形態では第２の磁極
端構成要素３０２の後部が、絶縁スタックの第１の絶縁
層３０４の前部の上に構築される。絶縁層３０４は、ヘ
ッドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定する前
端３０６を有する。したがって第２の磁極端構成要素３
０２は、第１の絶縁層３０４を構築してからフレームめ
っきによって構築される。図１５および１７に示すよう
に第２の磁極ヨーク構成要素３０３は、第２の磁極端構
成要素の上面３０８、後端３１０、第１の側端３１２お
よび第２の側端３１４に縫合される。後端３１０への縫
合は、第２および第３の絶縁層３１６、３１８を後端３
１０から間隔を置いて配置することによって実施可能と
なる。好ましい実施形態では、第２の磁極ヨーク構成要
素３０３の前端３２０が図１５および１６に示すとお
り、ヘッドの内部の奥まった位置にフレア点（ＦＰ）か
らある距離を置いて配置される。先に述べたとおりフレ
ア点は、第２の磁極端構成要素が図１６に示すように磁
極端部分３２２の後方で最初に広がり始める点である。
本発明の全ての実施形態では、フレア点（ＦＰ）がＺＴ
Ｈよりも奥まった位置に置かれ、第２の磁極ヨーク構成
要素の前端３２０がフレア点よりも奥まった位置に置か
れることが好ましい。この実施形態では図１７に示すよ
うに、第２の磁極ヨーク構成要素３０３の周囲にオーバ
コート層３２４が置かれる。
【００２９】図１８および１９に、ＡＢＳとコイル層４
０４の間に全体が位置したゼロ・スロート・ハイト（Ｚ
ＴＨ）画定層４０２を使用した本発明の他の実施形態４
００を示す。ＺＴＨ画定層４０２は、ＺＴＨをより正確
に画定するのみならず、第１の磁極片と第２の磁極片の
間の漏れ磁束を低減させる。第２の磁極片は、第２の磁
極端構成要素４０８に複数の場所で縫合された第２の磁
極ヨーク構成要素４０６を含む。図１９に示すとおりＺ
ＴＨ画定層４０２は、前端４１０および後端４１２を有
し、その間が平坦部分４１４となっている。ＺＴＨ画定
層４０２は、ハードベークしたフォトレジスト、または
２層のフォトレジスト層の上にスパッタリングすること
によって形成されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）から構築する
ことができる。この材料は、第２の磁極端構成要素４０
８と第１の磁極片層の間に優れた磁気絶縁を与え、これ
により漏れ磁束が最小限に抑えられる。
【００３０】絶縁スタックは、アルミナの薄層からなる
第１の絶縁層４１６、ならびにベークしたフォトレジス
トからなる第２および第３の絶縁層４１７、４１８を含
む。層４１６の上にはコイル層４２０が配置される。第
２の層４１７または第３の層４１８、あるいはその両方
が、ＺＴＨ画定層４０２の後部傾斜部分を完全におおう
ことが好ましい。これによって、第２の磁極ヨーク構成
要素４０６を第２の磁極端構成要素４０８に縫合する際
に第２の磁極ヨーク構成要素４０６を第１の磁極片層４
１９からさらに離して配置することができ、これによっ
て漏れ磁束が最小限に抑えれる。図１９および２０に示
すように第２の磁極ヨーク構成要素４０６は、第２の磁
極端構成要素４０８の上面４２２、後端４２４、第１の
側端４２６および第２の側端４２８に縫合される。フレ
ア点は、図１９の仮想線４３０で示されている。好まし
い実施形態では、第２の磁極ヨーク構成要素４０６の前
端４３２がフレア点４３０よりも後方のヘッド内部に配
置される。フレア点４３０が、ＺＴＨ画定層の平坦部分
４１４の上に位置することに留意されたい。したがって
先に論じたように、第２の磁極端構成要素４０８を構築
する際に、光パターン形成段階中にＺＴＨ画定層４０２
から反射した光による反射ノッチングが起こらない。反
射ノッチングは、フレア点４３０が傾斜部分の上に位置
する場合にのみ生じる。
【００３１】好ましい実施形態では書込みギャップ層４
３４の延長部分４３３が絶縁スタックの上に配置され
る。ヘッドの構築では層４１６が当初、ＡＢＳまで延ば
される。次にコイル層４２０および絶縁層４１７、４１
８が形成される。好ましい実施形態では層４１６の当初
４３６の前方に延びていた部分（図示せず）を除去し、
ギャップ層４３４およびその延長部分４３３を付着させ
る。こうすると、絶縁スタックおよびコイル層を製作す
る処理段階によってギャップ層４３４が改変されること
がない。層４１６の位置４３６よりも前方の部分が存在
する間は、絶縁スタックおよびコイル層の処理段階中、
ＺＴＨ画定層の前端４１０が保護されており、ヘッドの
ＺＴＨが改変されないことに留意されたい。
【００３２】図２１に、本発明の多重縫合方式を使用し
た２層磁気ヘッド５００を示す。図１８に示した磁気ヘ
ッド４００と同様に図２１のヘッド５００は、第２の磁
極端構成要素５０４の後部の下に配置されたＺＴＨ画定
層５０２を使用する。図２２に示すようにＺＴＨ画定層
５０２は前端５０６および後端５０８を有し、その間が
平坦部分５１０となっている。絶縁スタックは、第１お
よび第２のコイル層５１２、５１４、ならびに第１、第
２、第３、第４および第５の絶縁層５１６、５１８、５
２０、５２２、５２４を含む。第１の絶縁層５１６は書
込みギャップ層５２６と接する。第１のコイル層５１２
は第１の絶縁層５１６の上に直接に置かれ、絶縁層５１
８、５２０が第１のコイル層５１２の上に置かれる。第
２のコイル層５１４は第３の絶縁層５２０の上に直接に
置かれ、第４および第５の絶縁層５２２、５２４によっ
て覆われる。第２、第３、第４および／または第５の絶
縁層がＺＴＨ画定層５０２の後部を覆い、その結果、Ｚ
ＴＨ画定層の平坦部分５１０が絶縁スタックの前方に延
びる。第２の磁極片の第２の磁極端構成要素５０４がギ
ャップ層５２６の上に直接に配置され、フレア点５２６
がＺＴＨ画定層の平坦部分５１０の上に配置され、これ
により第２の磁極片の反射ノッチングが先に論じたとお
りに排除される。
【００３３】絶縁スタックは、その前端とＺＴＨ画定層
の側端の間に空間を提供する。図２２に示すとおり、第
２の磁極片の第２の磁極ヨーク構成要素５３０は、第２
の磁極端構成要素の上面５３２、第１の側端５３４およ
び第２の側端５３６（図２３参照）とかみ合う。コイル
層５１２、５１４を有する絶縁スタックは、第２の磁極
端構成要素５０４を構築する前に構築しても後に構築し
てもよい。好ましい実施形態では、第２の磁極端構成要
素５０４が絶縁スタックを構築する前に構築される。絶
縁スタックを構築した後、ＺＴＨ画定層５０２と第２の
磁極端構成要素５０４の間に位置する第１の絶縁層５１
６とともに共通層部分（図示せず）を除去し、アルミナ
のギャップ層５２６を形成する。
【００３４】図２４ないし２７に、図２７に示した従来
技術の２連コイル磁気ヘッド６００を構築する一連の段
階を示す。図２４では、第１および第２のコイル層６０
４、６０６を含む絶縁スタック６０２を構築した後、フ
ォトレジスト層６０８をウェーハの上に回転塗布し光パ
ターン形成して、仮想線６１０で示すような開口を得
る。図２５では、図２４の開口６１０中に第２の磁極片
の第２の磁極端構成要素６１２をフレームめっきし、フ
ォトレジスト・フレーム６０８を除去して、図２５に示
すような部分的に完成したヘッドを残す。次いで図２６
で示すように、別のフォトレジスト・フレーム６１４を
ヘッドの上に回転塗布し光パターン形成して、第２の磁
極片の第２の磁極ヨーク構成要素６１８を構築するため
の開口６１６を得る。次いで開口６１６中に第２の層構
成要素６１８をフレームめっきし、フォトレジスト・フ
レーム６１４を除去して、図２７に示すような部分的に
完成したヘッド６００を残す。この実施形態では、絶縁
スタックが、第２の磁極端構成要素の後部または後端６
２０をおおい、第２の磁極ヨーク構成要素６１８が後端
６２０とかみ合うことを妨げることに留意されたい。
【００３５】図２８ないし３０に、図２１に示した本発
明の２連コイル層磁気書込みヘッド５００を構築する一
連の段階を示す。図２８では、フォトレジスト層５４０
をヘッドの上に回転塗布し、光パターン形成して開口５
４２を得る。図２９ではすでに、図２８の開口５４２の
中に第２の磁極片の第２の磁極端構成要素５０４がフレ
ームめっきされ、フォトレジスト・パターン５４０が除
去されており、これに、別のフォトレジスト層５４４を
ヘッドの上に回転塗布し、光パターン形成して開口５４
６を得る。図２９の開口５４６の中に第２の磁極ヨーク
構成要素５３０をフレームめっきし、次いでフォトレジ
スト・フレーム５４４を除去して、図３０に示す部分的
に完成したヘッドを残す。この実施形態では、絶縁スタ
ック５５０が、第２の磁極端構成要素の後端５２８から
間隔を置いて配置され、図２８のフォトレジスト・フレ
ーム５４０の開口５４２が、図２３に示した第１および
第２の側端５３４、５３６から間隔を置いて配置され
る。したがってこれにより、第２の磁極端構成要素５０
４の後端および側端の周囲に第２の磁極ヨーク構成要素
５３０を構成するためのトレンチが得られる。
【００３６】図３１に、従来技術の縫合構成を、ＡＢＳ
とコイル層７０４の間に全体が配置されたＺＴＨ画定層
７０２とともに使用した部分的に完成した磁気ヘッドの
実施形態７００を示す。この実施形態から、第２の磁極
片の第２の磁極端構成要素７０６と第２の磁極ヨーク構
成要素７０８の間の縫合領域が、これらの層と層の間の
必要な磁束伝達を得るために非常に大きくなっているこ
とが分かる。
【００３７】図３２では磁気ヘッド８００の縫合構成が
本発明を使用することによって改良されている。これに
よれば第２の磁極ヨーク構成要素８０２が複数の面で第
２の磁極端構成要素８０４に縫合される。第２の磁極ヨ
ーク構成要素８０２は、はるかに小さな面積の上面８０
６、後端８０８、第１の側端８１０および第２の側端８
１２に縫合される。ＺＴＨ画定層は８１４で示されてい
る。
【００３８】図３３ないし３６に、本発明の磁気ヘッド
の他の実施形態９００を示す。この実施形態では、ＺＴ
Ｈ画定層９０２およびその上の書込みギャップ層９０３
を構築した後、その上に細長い第２の磁極端構成要素９
０４をフレームめっきによって構築する。コイル層９０
５を構築した後、第２および第３の絶縁層９０６、９０
８を構築する。第２の絶縁層９０６が、第２の磁極端構
成要素の後端９１０、第１の側端９１２および第２の側
端９１４から間隔を置いて配置されるように形成される
ことが好ましい。代わりに、コイル層９０５および絶縁
層９０６、９０８を構築した後に第２の磁極端構成要素
９０４を構築してもよい。この間隔によって、第２の磁
極端構成要素９０４の後部の周囲に、第２の磁極ヨーク
構成要素９１６の前部を配置するためのＵ字形のトレン
チが得られる。これについては後に論じる。図３４に、
第２の絶縁層と第１および第２の側端９１２、９１４の
間に間隔のある構成を示す。図３５では、図３６に示す
ように前部がＵ字形のトレンチの中にある第２の磁極ヨ
ーク構成要素９１６が構築されている。絶縁スタックの
第２の絶縁層はフォトレジストから構築され、図３６の
９１８、９２０に傾斜面を与える。これにより、第２の
磁極ヨーク構成要素９１６の前部の第１の磁極片に隣接
した部分の材料をその間の漏れ磁束を最小限に抑えるた
めにより少なくして、第２の磁極ヨーク構成要素の前部
と第１および第２の側端９１２、９１４の間の領域を全
体的に縫合することが可能となる。
【００３９】図３７に、ＺＴＨ画定層１００２が第１の
磁極片層１００４の凹部の中に挿入された本発明の他の
実施形態１０００を示す。ＺＴＨ画定層は、ヘッドのＺ
ＴＨを画定する前端１００６を有する。ＺＴＨ層１００
２は絶縁スタックの第１の絶縁層（Ｉ１）でもある。書
込みギャップ層１００８はＺＴＨ画定層１００２の上に
直接に置かれる。第２の磁極端構成要素１００９は書込
みギャップ層１００８の上に直接に置かれ、絶縁スタッ
ク１０１０は、第２の磁極端構成要素の後部または後端
１０１２から間隔を置いて配置される。第２の磁極ヨー
ク構成要素１０１４は先に論じたように、第２の磁極端
構成要素の上面１０１６、後端１０１２、第１の側端お
よび第２の側端とかみ合う。挿入されたＺＴＨ画定層１
００２によって、第２の磁極片と第１の磁極片１００４
の間の追加の絶縁が得られ、その間の漏れ磁束が最小限
に抑えれる。
【００４０】図３８に、第１の磁極片層１１０２がＡＢ
Ｓからある距離のところでくぼみ、少なくとも１つのコ
イル層１１０６を有する絶縁スタック１１０４の少なく
とも１部分を配置するためのウェルが提供される本発明
の他の実施形態１１００を示す。この実施形態は、その
後端１１１０が、絶縁スタック１１０４の前部から間隔
を置いて位置する第２の磁極端構成要素１１０８を有す
る。第２の磁極ヨーク構成要素１１１２がこの間隔に配
置され、第２の磁極端構成要素の後端１１１０、上面１
１１４、第１の側端および第２の側端とかみ合い、本発
明の多重縫合方式が実施される。図３７の実施形態１０
００で説明したのと同様に、ＺＴＨは、前端１１１８に
ＺＴＨを有する挿入絶縁層１１１６によって画定され
る。
【００４１】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【００４２】（１）前部に位置するエア・ベアリング面
（ＡＢＳ）、後部に位置するバック・ギャップ、上部、
および下部を有する磁気ヘッドにおいて、第１の磁極片
層、ならびに前部に位置する第２の磁極端構成要素およ
び後部に位置する第２の磁極ヨーク構成要素を有する第
２の磁極片層、ギャップ層、および複数の絶縁層および
これに組み込まれた少なくとも１層のコイル層を含む絶
縁スタックを含み、前記第１の磁極片層と前記第２の磁
極端構成要素が前記ギャップ層によって前記ＡＢＳのと
ころで分離されており、前記第１の磁極片層と前記第２
の磁極ヨーク構成要素が前記バック・ギャップのところ
で接続されており、前記絶縁スタックが、前記第１の磁
極片層と前記第２の磁極ヨーク構成要素の間にはさまれ
ており、前記絶縁スタックが、前記第２の磁極端構成要
素と前記バック・ギャップの間に位置し、前記第２の磁
極端構成要素が、前端、後端、第１の側端、第２の側
端、上面および下面によって境されており、前記前端が
前記ＡＢＳのところに位置し、前記第２の磁極ヨーク構
成要素が、前記第２の磁極端構成要素の前記上面、前記
後端、前記第１の側端、および前記第２の側端とかみ合
った前部を有する磁気ヘッド。 （２）前記第１の磁極片層の上に直接に位置し、前記Ａ
ＢＳと前記少なくとも１層のコイル層の間に全体が位置
するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定層を含み、
前記ＺＴＨ画定層が前端および後端を有し、前記前端
が、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素が
ＡＢＳの後方で最初に分離し始める位置である前記ヘッ
ドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定する上記
（１）に記載の磁気ヘッド。 （３）前記第２の磁極端構成要素が、前記第２の磁極端
構成要素を前部に位置する磁極端部分と後部に位置する
広がった部分とに分割するフレア点を有し、前記磁極端
部分が実質的に一定の幅を有し、前記広がった部分が、
フレア点から後方に向かうにつれて次第に広がってい
き、前記第２の磁極ヨーク構成要素が、前記第２の磁極
端構成要素と前記フレア点の後方でかみ合う上記（２）
に記載の磁気ヘッド。 （４）前記フレア点が前記ＺＴＨの後方に位置する上記
（３）に記載の磁気ヘッド。 （５）前記ＺＴＨ画定層がギャップ層の上にある上記
（３）に記載の磁気ヘッド。 （６）前記ギャップ層が前記ＺＴＨ画定層の上にある上
記（３）に記載の磁気ヘッド。 （７）前記絶縁スタックの一部分が、前記ＺＴＨ画定層
の前記後端および後部を覆っており、前記第２の磁極端
構成要素が前記ＺＴＨ画定層の前部を覆っている上記
（２）に記載の磁気ヘッド。 （８）前記少なくとも１層のコイル層が唯一のコイル層
である上記（７）に記載の磁気ヘッド。 （９）前記少なくとも１層のコイル層が２層のコイル層
である上記（７）に記載の磁気ヘッド。 （１０）前記ＺＴＨ画定層が、その前端と後端の間に平
坦な面を有し、前記第２の磁極端構成要素が、前記第２
の磁極端構成要素を前部に位置する磁極端部分と後部に
位置する広がった部分とに分割するフレア点を有し、前
記磁極端部分が実質的に一定の幅を有し、前記広がった
部分が、フレア点から後方に向かうにつれて次第に広が
っていき、前記フレア点が、前記ＺＴＨの後方の前記Ｚ
ＴＨ画定層の前記平坦な上面の上に位置し、前記第２の
磁極ヨーク構成要素が前記第２の磁極端構成要素と前記
フレア点の後方でかみ合う上記（２）に記載の磁気ヘッ
ド。 （１１）前記第２の磁極端構成要素が、前記第２の磁極
端構成要素を前部に位置する磁極端部分と後部に位置す
る広がった部分とに分割するフレア点を有し、前記磁極
端部分が実質的に一定の幅を有し、前記広がった部分
が、フレア点から後方に向かうにつれて次第に広がって
いき、前記第２の磁極ヨーク構成要素が前記第２の磁極
端構成要素と前記フレア点の後方でかみ合う上記（１
０）に記載の磁気ヘッド。 （１２）前記フレア点が前記ＺＴＨの後方に位置する上
記（１０）に記載の磁気ヘッド。 （１３）前記絶縁スタックの一部分が、前記ＺＴＨ画定
層の前記後端および後部を覆っており、前記第２の磁極
端構成要素が前記ＺＴＨ画定層の前部を覆っている上記
（１２）に記載の磁気ヘッド。 （１４）前記ギャップ層が前記ＺＴＨ画定層の上にある
上記（１３）に記載の磁気ヘッド。 （１５）前記少なくとも１層のコイル層が唯一のコイル
層である上記（１４）に記載の磁気ヘッド。 （１６）前記少なくとも１層のコイル層が２層のコイル
層である上記（１４）に記載の磁気ヘッド。 （１７）前記ギャップ層が、前記絶縁スタックの第１の
絶縁層でもある上記（１３）に記載の磁気ヘッド。 （１８）前記少なくとも１層のコイル層が唯一のコイル
層である上記（１７）に記載の磁気ヘッド。 （１９）前記少なくとも１層のコイル層が２層のコイル
層である上記（１７）に記載の磁気ヘッド。 （２０）前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの１層
が、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第１の
側端、および前記第２の側端のそれぞれから間隔を置い
て位置し、前記第２の磁極端構成要素に隣接したＵ字形
のトレンチが形成され、前記第２の磁極ヨーク構成要素
の前記前部が前記Ｕ字形のトレンチの中に位置する上記
（１）に記載の磁気ヘッド。 （２１）前記第１の磁極片層の上に直接に位置し、前記
ＡＢＳと前記少なくとも１層のコイル層の間に全体が位
置するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定層を含
み、前記ＺＴＨ画定層が前端および後端を有し、前記前
端が、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素
がＡＢＳの後方で最初に分離し始める位置である前記ヘ
ッドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定する上
記（２０）に記載の磁気ヘッド。 （２２）前記ＺＴＨ画定層が、その前端と後端の間に平
坦な面を有し、前記第２の磁極端構成要素が、前記第２
の磁極端構成要素を前部に位置する磁極端部分と後部に
位置する広がった部分とに分割するフレア点を有し、前
記磁極端部分が実質的に一定の幅を有し、前記広がった
部分が、フレア点から後方に向かうにつれて次第に広が
っていき、前記フレア点が、前記ＺＴＨの後方の前記Ｚ
ＴＨ画定層の前記平坦な上面の上に位置し、前記第２の
磁極ヨーク構成要素が前記第２の磁極端構成要素と前記
フレア点の後方でかみ合う上記（２１）に記載の磁気ヘ
ッド。 （２３）前記絶縁スタックの一部分が、前記ＺＴＨ画定
層の前記後端および後部を覆っており、前記第２の磁極
端構成要素が前記ＺＴＨ画定層の前部を覆っている上記
（２２）に記載の磁気ヘッド。 （２４）前記ギャップ層が前記ＺＴＨ画定層の上にある
上記（２３）に記載の磁気ヘッド。 （２５）前記ギャップ層が、前記絶縁スタックの第１の
絶縁層でもある上記（２４）に記載の磁気ヘッド。 （２６）前記絶縁スタックが、第１、第２および第３の
絶縁層を少なくとも有し、前記第１の絶縁層が最下部に
位置する絶縁層である上記（２５）に記載の磁気ヘッ
ド。 （２７）前記絶縁スタックが、第１、第２および第３の
絶縁層を少なくとも有し、それぞれの絶縁層が前端を備
えた前部を有し、前記第２の磁極端構成要素の後部が、
前記第１の絶縁層の前記前部の上にあり、これにより、
前記第１の絶縁層の前記前端が、前記第２の磁極端構成
要素がＡＢＳの後方で前記第１の磁極片層から最初に分
離し始める位置であるゼロ・スロート・ハイト（ＺＴ
Ｈ）を画定し、前記第２の絶縁層が、前記第２の磁極端
構成要素から間隔を置いて位置する上記（１）に記載の
磁気ヘッド。 （２８）前記第１の磁極片層が、前記ＡＢＳからある間
隔を置いて位置するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）
位置に始まり、前記ＺＴＨ位置から前記ヘッドの内部に
後方へ延びる凹部を有し、前記凹部の中に位置し、前記
ＺＴＨ位置に前端を有し、前記第１の磁極片と前記第２
の磁極端構成要素がＡＢＳの後方で最初に分離し始める
位置である前記ヘッドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴ
Ｈ）を画定するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定
層を含む上記（１）に記載の磁気ヘッド。 （２９）前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの１層
が、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第１の
側端、および前記第２の側端のそれぞれから間隔を置い
て位置し、前記第２の磁極端構成要素に隣接したＵ字形
のトレンチが形成され、前記第２の磁極ヨーク構成要素
の前記前部が前記Ｕ字形のトレンチの中に位置する上記
（２８）に記載の磁気ヘッド。 （３０）前記第２の磁極端構成要素が、前記第２の磁極
端構成要素を前部に位置する磁極端部分と後部に位置す
る広がった部分とに分割するフレア点を有し、前記磁極
端部分が実質的に一定の幅を有し、前記広がった部分
が、フレア点から後方に向かうにつれて次第に広がって
いき、前記第２の磁極ヨーク構成要素が前記第２の磁極
端構成要素と前記フレア点の後方でかみ合う上記（２
９）に記載の磁気ヘッド。 （３１）前記第１の磁極片層が、前記ＡＢＳの後方に位
置する凹部を有し、前記絶縁スタックおよび前記少なく
とも１つのコイル層が前記凹部の中に位置する上記
（１）に記載の磁気ヘッド。 （３２）前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの１層
が、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第１の
側端、および前記第２の側端のそれぞれから間隔を置い
て位置し、前記第２の磁極端構成要素に隣接したＵ字形
のトレンチが形成され、前記第２の磁極ヨーク構成要素
の前記前部が前記Ｕ字形のトレンチの中に位置する上記
（３１）に記載の磁気ヘッド。 （３３）前記第２の磁極端構成要素が、前記第２の磁極
端構成要素を前部に位置する磁極端部分と後部に位置す
る広がった部分とに分割するフレア点を有し、前記磁極
端部分が実質的に一定の幅を有し、前記広がった部分
が、フレア点から後方に向かうにつれて次第に広がって
いき、前記第２の磁極ヨーク構成要素が前記第２の磁極
端構成要素と前記フレア点の後方でかみ合う上記（３
２）に記載の磁気ヘッド。 （３４）エア・ベアリング面（ＡＢＳ）を有する組合せ
磁気ヘッドにおいて、書込みヘッド、および読取りヘッ
ドを含み、前記書込みヘッドが、第１の磁極片層、なら
びに第２の磁極端構成要素および第２の磁極ヨーク構成
要素を有する第２の磁極片層、ギャップ層、および複数
の絶縁層およびこれに組み込まれた少なくとも１層のコ
イル層を含む絶縁スタックを含み、前記第１の磁極片層
と前記第２の磁極端構成要素が前記ギャップ層によって
前記ＡＢＳのところで分離されており、前記第１の磁極
片層と前記第２の磁極ヨーク構成要素が前記バック・ギ
ャップのところで接続されており、前記絶縁スタック
が、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極ヨーク構成要
素の間にはさまれており、前記絶縁スタックが、前記第
２の磁極端構成要素と前記バック・ギャップの間に位置
し、前記第２の磁極端構成要素が、前端、後端、第１の
側端、第２の側端、上面および下面によって境されてお
り、前記前端が前記ＡＢＳのところに位置し、前記第２
の磁極ヨーク構成要素が、前記第２の磁極端構成要素の
前記上面、前記後端、前記第１の側端、および前記第２
の側端とかみ合った前部を有し、前記読取りヘッドが、
センサ、第１のギャップ層および第２のギャップ層、な
らびに第１および第２の強磁性シールド層を含み、前記
センサが、前記第１のギャップ層と前記第２のギャップ
層の間にはさまれており、前記第１および第２のギャッ
プ層が前記第１のシールド層と前記第２のシールド層の
間にはさまれており、前記第２のシールド層と前記第１
の磁極片層が共通の層である組合せ磁気ヘッド。 （３５）前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの１層
が、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第１の
側端、および前記第２の側端のそれぞれから間隔を置い
て位置し、前記第２の磁極端構成要素に隣接したＵ字形
のトレンチが形成され、前記第２の磁極ヨーク構成要素
の前記前部が前記Ｕ字形のトレンチの中に位置する上記
（３４）に記載の組合せ磁気ヘッド。 （３６）前記第１の磁極片層の上に直接に位置し、前記
ＡＢＳと前記少なくとも１層のコイル層の間に全体が位
置するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定絶縁層を
含み、前記ＺＴＨ画定絶縁層が前端および後端を有し、
前記前端が、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構
成要素がＡＢＳの後方で最初に分離し始める位置である
前記ヘッドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定
する上記（３５）に記載の組合せ磁気ヘッド。 （３７）前記ＺＴＨ画定絶縁層が、その前端と後端の間
に平坦な面を有し、前記第２の磁極端構成要素が、前記
第２の磁極端構成要素を前部に位置する磁極端部分と後
部に位置する広がった部分とに分割するフレア点を有
し、前記磁極端部分が実質的に一定の幅を有し、前記広
がった部分が、フレア点から後方に向かうにつれて次第
に広がっていき、前記フレア点が、前記ＺＴＨの後方の
前記ＺＴＨ画定層の前記平坦な上面の上に位置し、前記
第２の磁極ヨーク構成要素が前記第２の磁極端構成要素
と前記フレア点の後方でかみ合う上記（３６）に記載の
組合せ磁気ヘッド。 （３８）前記絶縁スタックの一部分が、前記ＺＴＨ画定
層の前記後端および後部を覆っており、前記第２の磁極
端構成要素が前記ＺＴＨ画定層の前部を覆っている上記
（３７）に記載の組合せ磁気ヘッド。 （３９）エア・ベアリング面（ＡＢＳ）を有する少なく
とも１つの組合せ磁気ヘッドを含む磁気ディスク・ドラ
イブにおいて、前記組合せ磁気ヘッドが、書込みヘッド
部分、および読取りヘッド部分を含み、前記書込みヘッ
ド部分が、第１の磁極片層、ならびに第２の磁極端構成
要素および第２の磁極ヨーク構成要素を有する第２の磁
極片層、ギャップ層、および複数の絶縁層およびこれに
組み込まれた少なくとも１層のコイル層を含む絶縁スタ
ックを含み、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構
成要素が前記ギャップ層によって前記ＡＢＳのところで
分離されており、前記第２の磁極ヨーク構成要素が前記
第１の磁極片層と前記バック・ギャップのところで接続
されており、前記絶縁スタックが、前記第１の磁極片層
と前記第２の磁極ヨーク構成要素の間にはさまれてお
り、前記絶縁スタックが、前記第２の磁極端構成要素と
前記バック・ギャップの間に位置し、前記第２の磁極端
構成要素が、前端、後端、第１の側端、第２の側端、上
面および下面によって境されており、前記前端が前記Ａ
ＢＳのところに位置し、前記第２の磁極ヨーク構成要素
が、前記第２の磁極端構成要素の前記上面、前記後端、
前記第１の側端、および前記第２の側端とかみ合った前
部を有し、前記読取りヘッド部分が、読取りセンサ、第
１のギャップ層および第２のギャップ層、ならびに第１
および第２の強磁性シールド層を含み、前記読取りセン
サが、前記第１のギャップ層と前記第２のギャップ層の
間にはさまれており、前記第１および第２のギャップ層
が前記第１のシールド層と前記第２のシールド層の間に
はさまれており、前記第２のシールド層と前記第１の磁
極片層が共通の層であり、前記磁気ディスク・ドライブ
がさらに、フレーム、前記フレームの上に回転自在に支
持された磁気ディスク、前記フレームの上に装着され、
組合せ磁気ヘッドを、前記磁気ディスクと変換関係に支
持する支持体、前記磁気ディスクを回転させる手段、前
記支持体に接続され、前記組合せ磁気ヘッドを、前記磁
気ディスクに対して複数の位置に移動させる位置決め手
段、および前記組合せ磁気ヘッド、磁気ディスクを回転
させる前記手段および前記位置決め手段に接続され、前
記組合せ磁気ヘッドと信号を交換し、前記磁気ディスク
の移動を制御し、前記組合せ磁気ヘッドの位置を制御す
る手段を含む磁気ディスク・ドライブ。 （４０）前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの１層
が、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第１の
側端、および前記第２の側端のそれぞれから間隔を置い
て位置し、前記第２の磁極端構成要素に隣接したＵ字形
のトレンチが形成され、前記第２の磁極ヨーク構成要素
の前記前部が前記Ｕ字形のトレンチの中に位置する上記
（３９）に記載の磁気ディスク・ドライブ。 （４１）前記第１の磁極片層の上に直接に位置し、前記
ＡＢＳと前記少なくとも１層のコイル層の間に全体が位
置するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定層を含
み、前記ＺＴＨ画定層が前端および後端を有し、前記前
端が、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素
がＡＢＳの後方で最初に分離し始める位置である前記ヘ
ッドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定する上
記（４０）に記載の磁気ディスク・ドライブ。 （４２）前記ＺＴＨ画定層が、その前端と後端の間に平
坦な面を有し、前記第２の磁極端構成要素が、前記第２
の磁極端構成要素を前部に位置する磁極端部分と後部に
位置する広がった部分とに分割するフレア点を有し、前
記磁極端部分が実質的に一定の幅を有し、前記広がった
部分が、フレア点から後方に向かうにつれて次第に広が
っていき、前記フレア点が、前記ＺＴＨの後方の前記Ｚ
ＴＨ画定層の前記平坦な上面の上に位置し、前記第２の
磁極ヨーク構成要素が前記第２の磁極端構成要素と前記
フレア点の後方でかみ合う上記（４１）に記載の磁気デ
ィスク・ドライブ。 （４３）前記絶縁スタックの一部分が、前記ＺＴＨ画定
層の前記後端および後部を覆っており、前記第２の磁極
端構成要素が前記ＺＴＨ画定層の前部を覆っている上記
（４２）に記載の磁気ディスク・ドライブ。 （４４）前部に位置するエア・ベアリング面（ＡＢ
Ｓ）、後部に位置するバック・ギャップ、上部、および
下部を有する磁気ヘッドを製作する方法において、第１
の磁極片層、ならびに第２の磁極端構成要素および第２
の磁極ヨーク構成要素を有する第２の磁極片層を形成す
る段階、ギャップ層を形成する段階、前記第１の磁極片
層と前記第２の磁極端構成要素を前記ギャップ層によっ
て前記ＡＢＳのところで分離し、前記第１の磁極片層と
前記第２の磁極ヨーク構成要素を前記バック・ギャップ
のところで接続する段階、複数の絶縁層およびこれに組
み込まれた少なくとも１層のコイル層を含む絶縁スタッ
クを、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極ヨーク構成
要素の間、および前記第２の磁極端構成要素と前記バッ
ク・ギャップの間に形成する段階、後端、第１の側端、
第２の側端、上面、下面、および前記ＡＢＳのところに
位置する前端を有する前記第２の磁極端構成要素を形成
する段階、および前記第２の磁極端構成要素の前記上
面、前記後端、前記第１の側端、および前記第２の側端
とかみ合った前部を有する前記第２の磁極ヨーク構成要
素を形成する段階を含む方法。 （４５）前記第１の磁極片層の上に直接に位置し、前記
ＡＢＳと前記少なくとも１層のコイル層の間に全体が位
置するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定絶縁層を
形成する段階、および前端および後端を有し、前記前端
が、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素が
ＡＢＳの後方で最初に分離し始める位置である前記ヘッ
ドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定する前記
ＺＴＨ画定絶縁層を形成する段階を含む上記（４４）に
記載の方法。 （４６）その前端と後端の間に平坦な上面を有する前記
ＺＴＨ画定層を形成する段階、前記第２の磁極端構成要
素を前部に位置する磁極端部分と後部に位置する広がっ
た部分とに分割するフレア点を有し、前記磁極端部分が
実質的に一定の幅を有し、前記広がった部分が、フレア
点から後方に向かうにつれて次第に広がっていく前記第
２の磁極端構成要素を形成する段階、前記ＺＴＨの後方
の前記ＺＴＨ画定層の前記平坦な上面の上に前記フレア
点を形成する段階、および前記第２の磁極ヨーク構成要
素を前記第２の磁極端構成要素と前記フレア点の後方で
かみ合わせる段階を含む上記（４５）に記載の方法。 （４７）前記第２の磁極端構成要素を前部に位置する磁
極端部分と後部に位置する広がった部分とに分割するフ
レア点を有し、前記磁極端部分が実質的に一定の幅を有
し、前記広がった部分が、フレア点から後方に向かうに
つれて次第に広がっていく前記第２の磁極端構成要素を
形成する段階、および前記第２の磁極ヨーク構成要素を
前記第２の磁極端構成要素と前記フレア点の後方でかみ
合わせる段階を含む上記（４６）に記載の方法。 （４８）前記フレア点が、前記ＺＴＨの後方に形成され
る上記（４７）に記載の方法。 （４９）前記フレア点が、前記ＺＴＨの後方に形成され
る上記（４８）に記載の方法。 （５０）前記ギャップ層が、前記ＺＴＨ画定絶縁層の上
に形成される上記（４６）に記載の方法。 （５１）前記少なくとも１つのコイル層が唯一のコイル
層として形成される上記（５０）に記載の方法。 （５２）前記少なくとも１つのコイル層が２層のコイル
層として形成される上記（５０）に記載の方法。 （５３）前記ギャップ層が、前記絶縁スタックの第１の
絶縁層としても形成される上記（４９）に記載の方法。 （５４）前記少なくとも１つのコイル層が唯一のコイル
層として形成される上記（５３）に記載の方法。 （５５）前記少なくとも１つのコイル層が２層のコイル
層として形成される上記（５３）に記載の方法。 （５６）前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの１層
を、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第１の
側端、および前記第２の側端のそれぞれに対し間隔を置
いて形成し、前記第２の磁極端構成要素に隣接したＵ字
形のトレンチを形成させる段階、および前記第２の磁極
ヨーク構成要素の前記前部を前記Ｕ字形のトレンチの中
に形成する段階を含む上記（４４）に記載の方法。 （５７）前記第１の磁極片層の上に直接に位置し、前記
ＡＢＳと前記少なくとも１層のコイル層の間に全体が位
置するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定層を形成
する段階、および前端および後端を有し、前記前端が、
前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素がＡＢ
Ｓの後方で最初に分離し始める位置である前記ヘッドの
ゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定する前記ＺＴ
Ｈ画定層を形成する段階を含む上記（５６）に記載の方
法。 （５８）その前端と後端の間に平坦な上面を有する前記
ＺＴＨ画定層を形成する段階、前記第２の磁極端構成要
素を前部に位置する磁極端部分と後部に位置する広がっ
た部分とに分割するフレア点を有し、前記磁極端部分が
実質的に一定の幅を有し、前記広がった部分が、フレア
点から後方に向かうにつれて次第に広がっていく前記第
２の磁極端構成要素を形成する段階、前記ＺＴＨの後方
の前記ＺＴＨ画定層の前記平坦な上面の上に前記フレア
点を形成する段階、および前記第２の磁極ヨーク構成要
素を前記第２の磁極端構成要素と前記フレア点の後方で
かみ合わせる段階を含む上記（５７）に記載の方法。 （５９）前記絶縁スタックの一部分が、前記ＺＴＨ画定
層の前記後端および後部を覆うように形成され、前記第
２の磁極端構成要素を前記ＺＴＨ画定層の前部を覆うよ
うに形成する段階を含む上記（５８）に記載の方法。 （６０）前記ギャップ層が前記ＺＴＨ画定層の上に形成
される上記（５９）に記載の方法。 （６１）前記ギャップ層が、前記絶縁スタックの第１の
絶縁層としても形成される上記（６０）に記載の方法。 （６２）第１、第２および第３の絶縁層を少なくとも有
し、前記第１の絶縁層が最下部に位置する絶縁層である
前記絶縁スタックを形成する段階を含む上記（６１）に
記載の方法。 （６３）前記ＡＢＳからある間隔を置いて位置するゼロ
・スロート・ハイト（ＺＴＨ）位置に始まり、前記ＺＴ
Ｈ位置から前記ヘッドの内部に後方へ延びる凹部を有す
る前記第１の磁極片層を形成する段階、および前記凹部
の中に位置し、前記ＺＴＨ位置に前端を有し、前記第１
の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素がＡＢＳの後方
で最初に分離し始める位置である前記ヘッドのゼロ・ス
ロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定するゼロ・スロート・
ハイト（ＺＴＨ）画定層を形成する段階を含む上記（４
４）に記載の方法。 （６４）前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの１層
を、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第１の
側端、および前記第２の側端のそれぞれに対し間隔を置
いて形成し、前記第２の磁極端構成要素に隣接したＵ字
形のトレンチを形成させる段階、および前記第２の磁極
ヨーク構成要素の前記前部を前記Ｕ字形のトレンチの中
に形成する段階を含む上記（６３）に記載の方法。 （６５）前記第２の磁極端構成要素を前部に位置する磁
極端部分と後部に位置する広がった部分とに分割するフ
レア点を有し、前記磁極端部分が実質的に一定の幅を有
し、前記広がった部分が、フレア点から後方に向かうに
つれて次第に広がっていく前記第２の磁極端構成要素を
形成する段階、および前記第２の磁極ヨーク構成要素を
前記第２の磁極端構成要素と前記フレア点の後方でかみ
合わせる段階を含む上記（６４）に記載の方法。 （６６）前記ＡＢＳの後方に位置する凹部を有する前記
第１の磁極片層を形成する段階、および前記絶縁スタッ
クおよび前記少なくとも１つのコイル層を前記凹部の中
に形成する段階を含む上記（４４）に記載の方法。 （６７）前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの１層
を、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第１の
側端、および前記第２の側端のそれぞれに対し間隔を置
いて形成し、前記第２の磁極端構成要素に隣接したＵ字
形のトレンチを形成させる段階、および前記第２の磁極
ヨーク構成要素の前記前部を前記Ｕ字形のトレンチの中
に形成する段階を含む上記（６６）に記載の方法。 （６８）前記第２の磁極端構成要素を前部に位置する磁
極端部分と後部に位置する広がった部分とに分割するフ
レア点を有し、前記磁極端部分が実質的に一定の幅を有
し、前記広がった部分が、フレア点から後方に向かうに
つれて次第に広がっていく前記第２の磁極端構成要素を
形成する段階、および前記第２の磁極ヨーク構成要素を
前記第２の磁極端構成要素と前記フレア点の後方でかみ
合わせる段階を含む上記（６７）に記載の方法。 （６９）エア・ベアリング面（ＡＢＳ）を有する組合せ
磁気ヘッドを製作する方法において、読取りヘッド部分
を製作する段階、および書込みヘッド部分を製作する段
階を含み、前記読取りヘッド部分を製作する段階が、第
１および第２のギャップ層、ならびに前記第１のギャッ
プ層と前記第２のギャップ層の間にはさまれたセンサを
形成する段階、および前記第１および第２のギャップ層
を間にはさんで第１および第２の強磁性シールド層を形
成する段階を含み、前記書込みヘッド部分を製作する段
階が、第２のシールド層と共通の層である第１の磁極片
層、ならびに第２の磁極端構成要素および第２の磁極ヨ
ーク構成要素を有する第２の磁極片層を形成する段階、
ギャップ層を形成する段階、前記第１の磁極片層と前
記第２の磁極端構成要素を前記ギャップ層で前記ＡＢＳ
のところで分離し、前記第１の磁極片層と前記第２の磁
極ヨーク構成要素を前記バック・ギャップのところで接
続する段階、複数の絶縁層およびこれに組み込まれた少
なくとも１層のコイル層を含む絶縁スタックを、前記第
１の磁極片層と前記第２の磁極ヨーク構成要素の間、お
よび前記第２の磁極端構成要素と前記バック・ギャップ
の間に形成する段階、後端、第１の側端、第２の側端、
上面、下面、および前記ＡＢＳのところに位置する前端
を有する前記第２の磁極端構成要素を形成する段階、お
よび前記第２の磁極端構成要素の前記上面、前記後端、
前記第１の側端、および前記第２の側端とかみ合った前
部を有する前記第２の磁極ヨーク構成要素を形成する段
階を含む方法。 （７０）前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの１層
を、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第１の
側端、および前記第２の側端のそれぞれに対し間隔を置
いて形成し、前記第２の磁極端構成要素に隣接したＵ字
形のトレンチを形成させる段階、および前記第２の磁極
ヨーク構成要素の前記前部を前記Ｕ字形のトレンチの中
に形成する段階を含む上記（６９）に記載の方法。 （７１）前記第１の磁極片層の上に直接に位置し、前記
ＡＢＳと前記少なくとも１層のコイル層の間に全体が位
置するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定絶縁層を
形成する段階、および前端および後端を有し、前記前端
が、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素が
ＡＢＳの後方で最初に分離し始める位置である前記ヘッ
ドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定する前記
ＺＴＨ画定絶縁層を形成する段階を含む上記（７０）に
記載の方法。 （７２）その前端と後端の間に平坦な上面を有する前記
ＺＴＨ画定層を形成する段階、前記第２の磁極端構成要
素を前部に位置する磁極端部分と後部に位置する広がっ
た部分とに分割するフレア点を有し、前記磁極端部分が
実質的に一定の幅を有し、前記広がった部分が、フレア
点から後方に向かうにつれて次第に広がっていく前記第
２の磁極端構成要素を形成する段階、前記ＺＴＨの後方
の前記ＺＴＨ画定層の前記平坦な上面の上に前記フレア
点を形成する段階、および前記第２の磁極ヨーク構成要
素を前記第２の磁極端構成要素と前記フレア点の後方で
かみ合わせる段階を含む上記（７１）に記載の方法。 （７３）前記絶縁スタックの一部分が、前記ＺＴＨ画定
層の前記後端および後部を覆うように形成され、前記第
２の磁極端構成要素を前記ＺＴＨ画定層の前部を覆うよ
うに形成する段階を含む上記（７２）に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】例示的な磁気ディスク・ドライブの平面図であ
る。
【図２】図１の平面２−２に沿って得られたスライダの
端面（後縁）図である。磁気ヘッドが隠線で示されてい
る。
【図３】複数のディスクおよび磁気ヘッドが使用された
図１の磁気ディスク・ドライブの立面図である。
【図４】スライダおよび磁気ヘッドを支持する例示的な
サスペンション・システムの等角図である。
【図５】図２の平面５−５に沿って得られた磁気ヘッド
のＡＢＳを示す図である。
【図６】図２の平面６−６で見たスライダおよび従来技
術の磁気ヘッドの部分図である。
【図７】従来技術の磁気ヘッドの読取りおよび書込み部
品を示す図６の平面７−７に沿って得られたスライダの
ＡＢＳの部分図である。
【図８】図６の平面８−８に沿って得られた図である。
第２の磁極片およびその上方の材料は全て取り除かれて
いる。
【図９】従来技術の第２の磁極片構築の一段階を示す等
角図である。レジスト・フレームの輪郭が、絶縁スタッ
クの第１、第２および第３の絶縁層の上に仮想線で示さ
れている。
【図１０】従来技術の縫合書込みヘッド部分を有する組
合せ磁気ヘッドの縦断面図である。
【図１１】図１０の平面１１−１１に沿って得られたＡ
ＢＳを示す図である。
【図１２】多重縫合書込みヘッド部分を有する本発明の
磁気ヘッドの部分縦断面図である。
【図１３】図１２の平面１３−１３に沿って得られたＡ
ＢＳの図である。
【図１４】図１２の平面１４−１４に沿って得られた断
面図である。
【図１５】他の実施形態の多重縫合書込みヘッド部分を
有する組合せ磁気ヘッドの部分縦断面図である。
【図１６】図１５の平面１６‐１６に沿って得られた図
である。オーバコート層は除去されている。
【図１７】図１５の平面１７−１７に沿って得られた断
面図である。
【図１８】他の実施形態の多重縫合書込みヘッド部分を
有する組合せＭＲヘッドの部分縦断面図である。
【図１９】図１８の前部の拡大図である。
【図２０】読取りヘッド部分の追加層を有する図１９の
平面２０−２０に沿って得られた断面図である。
【図２１】本発明を使用した２連コイル組合せＭＲヘッ
ドの部分縦断面図である。
【図２２】図２１の前部の拡大図である。
【図２３】図２２の平面２３−２３に沿ってとった断面
図である。
【図２４】単一領域縫合方式を用いた２連コイル磁気ヘ
ッドの構築の一段階を示す図である。絶縁スタック構築
後、フォトレジスト層を設け、パターニングするところ
を示す。
【図２５】単一領域縫合方式を用いた２連コイル磁気ヘ
ッドの構築の一段階を示す図である。第２の磁極端を形
成したところを示す。
【図２６】単一領域縫合方式を用いた２連コイル磁気ヘ
ッドの構築の一段階を示す図である。別のフォトレジス
ト層を設け、パターニングするところを示す。
【図２７】単一領域縫合方式を用いた２連コイル磁気ヘ
ッドの構築の一段階を示す図である。第２の磁極ヨーク
を形成し、部分的に完成したヘッドを示す。
【図２８】図２１に示した本発明の２連コイル磁気ヘッ
ドの構築の一段階を示す図である。ＺＴＨ画定層及び絶
縁スタックを構築後、フォトレジスト層を設け、パター
ニングするところを示す。
【図２９】図２１に示した本発明の２連コイル磁気ヘッ
ドの構築の一段階を示す図である。第２の磁極端を形成
した後、別のフォトレジスト層と設け、パターニングす
るところを示す。
【図３０】図２１に示した本発明の２連コイル磁気ヘッ
ドの構築の一段階を示す図である。第２の磁極ヨークを
形成し、部分的に完成したヘッドを示す。
【図３１】単一領域縫合磁気ヘッドの等角図である。
【図３２】本発明の多重縫合磁気ヘッドの等角図であ
る。
【図３３】絶縁スタックの１層の絶縁層が、第２の磁極
片のヨーク構成要素をめっきするためのトレンチを形成
する本発明の一実施形態の等角図である。
【図３４】トレンチを詳細に示す、図３３の第２の磁極
端構成要素および絶縁スタックの絶縁層の断面図であ
る。
【図３５】第２の磁極ヨーク構成要素および第２の磁極
片が形成されている以外は図３３と同じものを示す図で
ある。
【図３６】第２の磁極端、第２の磁極ヨーク構成要素、
およびトレンチを形成する絶縁スタックの絶縁層を示す
図３５の断面図である。
【図３７】本発明を第１の磁極片に挿入されたＺＴＨ画
定層とともに使用した組合せＭＲヘッドの部分縦断面図
である。
【図３８】本発明を、ＺＴＨ挿入層を有し、第１の磁極
片がくぼんだタイプのヘッドとともに使用した組合せＭ
Ｒヘッドの部分縦断面図である。

Claims (56)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】前部に位置するエア・ベアリング面（ＡＢ
    Ｓ）、後部に位置するバック・ギャップ、上部、および
    下部を有する磁気ヘッドにおいて、 第１の磁極片層、ならびに前部に位置する第２の磁極端
    構成要素および後部に位置する第２の磁極ヨーク構成要
    素を有する第２の磁極片層、 ギャップ層、および複数の絶縁層およびこれに組み込ま
    れた少なくとも１層のコイル層を含む絶縁スタックを含
    み、 前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素が前記
    ギャップ層によって前記ＡＢＳのところで分離されてお
    り、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極ヨーク構成要
    素が前記バック・ギャップのところで接続されており、 前記絶縁スタックが、前記第１の磁極片層と前記第２の
    磁極ヨーク構成要素の間にはさまれており、前記絶縁ス
    タックが、前記第２の磁極端構成要素と前記バック・ギ
    ャップの間に位置し、 前記第２の磁極端構成要素が、前端、後端、第１の側
    端、第２の側端、上面および下面によって境されてお
    り、前記前端が前記ＡＢＳのところに位置し、 前記第２の磁極ヨーク構成要素が、前記第２の磁極端構
    成要素の前記上面、前記後端、前記第１の側端、および
    前記第２の側端とかみ合った前部を有する磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】前記第１の磁極片層の上に直接に位置し、
    前記ＡＢＳと前記少なくとも１層のコイル層の間に全体
    が位置するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定層を
    含み、 前記ＺＴＨ画定層が前端および後端を有し、前記前端
    が、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素が
    ＡＢＳの後方で最初に分離し始める位置である前記ヘッ
    ドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定する請求
    項１に記載の磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】前記第２の磁極端構成要素が、前記第２の
    磁極端構成要素を前部に位置する磁極端部分と後部に位
    置する広がった部分とに分割するフレア点を有し、前記
    磁極端部分が実質的に一定の幅を有し、前記広がった部
    分が、フレア点から後方に向かうにつれて次第に広がっ
    ていき、 前記第２の磁極ヨーク構成要素が、前記第２の磁極端構
    成要素と前記フレア点の後方でかみ合う請求項２に記載
    の磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】前記フレア点が前記ＺＴＨの後方に位置す
    る請求項３に記載の磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】前記ＺＴＨ画定層がギャップ層の上にある
    請求項３に記載の磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】前記ギャップ層が前記ＺＴＨ画定層の上に
    ある請求項３に記載の磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】前記絶縁スタックの一部分が、前記ＺＴＨ
    画定層の前記後端および後部を覆っており、 前記第２の磁極端構成要素が前記ＺＴＨ画定層の前部を
    覆っている請求項２に記載の磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】前記ＺＴＨ画定層が、その前端と後端の間
    に平坦な面を有し、 前記第２の磁極端構成要素が、前記第２の磁極端構成要
    素を前部に位置する磁極端部分と後部に位置する広がっ
    た部分とに分割するフレア点を有し、前記磁極端部分が
    実質的に一定の幅を有し、前記広がった部分が、フレア
    点から後方に向かうにつれて次第に広がっていき、 前記フレア点が、前記ＺＴＨの後方の前記ＺＴＨ画定層
    の前記平坦な上面の上に位置し、 前記第２の磁極ヨーク構成要素が前記第２の磁極端構成
    要素と前記フレア点の後方でかみ合う請求項２に記載の
    磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】前記フレア点が前記ＺＴＨの後方に位置す
    る請求項８に記載の磁気ヘッド。
  10. 【請求項１０】前記絶縁スタックの一部分が、前記ＺＴ
    Ｈ画定層の前記後端および後部を覆っており、 前記第２の磁極端構成要素が前記ＺＴＨ画定層の前部を
    覆っている請求項９に記載の磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】前記ギャップ層が前記ＺＴＨ画定層の上
    にある請求項１０に記載の磁気ヘッド。
  12. 【請求項１２】前記ギャップ層が、前記絶縁スタックの
    第１の絶縁層でもある請求項１０に記載の磁気ヘッド。
  13. 【請求項１３】前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの
    １層が、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第
    １の側端、および前記第２の側端のそれぞれから間隔を
    置いて位置し、前記第２の磁極端構成要素に隣接したＵ
    字形のトレンチが形成され、 前記第２の磁極ヨーク構成要素の前記前部が前記Ｕ字形
    のトレンチの中に位置する請求項１に記載の磁気ヘッ
    ド。
  14. 【請求項１４】前記第１の磁極片層の上に直接に位置
    し、前記ＡＢＳと前記少なくとも１層のコイル層の間に
    全体が位置するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定
    層を含み、 前記ＺＴＨ画定層が前端および後端を有し、前記前端
    が、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素が
    ＡＢＳの後方で最初に分離し始める位置である前記ヘッ
    ドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定する請求
    項１３に記載の磁気ヘッド。
  15. 【請求項１５】前記ＺＴＨ画定層が、その前端と後端の
    間に平坦な面を有し、 前記第２の磁極端構成要素が、前記第２の磁極端構成要
    素を前部に位置する磁極端部分と後部に位置する広がっ
    た部分とに分割するフレア点を有し、前記磁極端部分が
    実質的に一定の幅を有し、前記広がった部分が、フレア
    点から後方に向かうにつれて次第に広がっていき、 前記フレア点が、前記ＺＴＨの後方の前記ＺＴＨ画定層
    の前記平坦な上面の上に位置し、 前記第２の磁極ヨーク構成要素が前記第２の磁極端構成
    要素と前記フレア点の後方でかみ合う請求項１４に記載
    の磁気ヘッド。
  16. 【請求項１６】前記絶縁スタックの一部分が、前記ＺＴ
    Ｈ画定層の前記後端および後部を覆っており、 前記第２の磁極端構成要素が前記ＺＴＨ画定層の前部を
    覆っている請求項１５に記載の磁気ヘッド。
  17. 【請求項１７】前記ギャップ層が前記ＺＴＨ画定層の上
    にある請求項１６に記載の磁気ヘッド。
  18. 【請求項１８】前記ギャップ層が、前記絶縁スタックの
    第１の絶縁層でもある請求項１７に記載の磁気ヘッド。
  19. 【請求項１９】前記絶縁スタックが、第１、第２および
    第３の絶縁層を少なくとも有し、前記第１の絶縁層が最
    下部に位置する絶縁層である、請求項１８に記載の磁気
    ヘッド。
  20. 【請求項２０】前記絶縁スタックが、第１、第２および
    第３の絶縁層を少なくとも有し、それぞれの絶縁層が前
    端を備えた前部を有し、 前記第２の磁極端構成要素の後部が、前記第１の絶縁層
    の前記前部の上にあり、これにより、前記第１の絶縁層
    の前記前端が、前記第２の磁極端構成要素がＡＢＳの後
    方で前記第１の磁極片層から最初に分離し始める位置で
    あるゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定し、 前記第２の絶縁層が、前記第２の磁極端構成要素から間
    隔を置いて位置する請求項１に記載の磁気ヘッド。
  21. 【請求項２１】前記第１の磁極片層が、前記ＡＢＳから
    ある間隔を置いて位置するゼロ・スロート・ハイト（Ｚ
    ＴＨ）位置に始まり、前記ＺＴＨ位置から前記ヘッドの
    内部に後方へ延びる凹部を有し、 前記凹部の中に位置し、前記ＺＴＨ位置に前端を有し、
    前記第１の磁極片と前記第２の磁極端構成要素がＡＢＳ
    の後方で最初に分離し始める位置である前記ヘッドのゼ
    ロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定するゼロ・スロ
    ート・ハイト（ＺＴＨ）画定層を含む請求項１に記載の
    磁気ヘッド。
  22. 【請求項２２】前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの
    １層が、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第
    １の側端、および前記第２の側端のそれぞれから間隔を
    置いて位置し、前記第２の磁極端構成要素に隣接したＵ
    字形のトレンチが形成され、 前記第２の磁極ヨーク構成要素の前記前部が前記Ｕ字形
    のトレンチの中に位置する請求項２１に記載の磁気ヘッ
    ド。
  23. 【請求項２３】前記第２の磁極端構成要素が、前記第２
    の磁極端構成要素を前部に位置する磁極端部分と後部に
    位置する広がった部分とに分割するフレア点を有し、前
    記磁極端部分が実質的に一定の幅を有し、前記広がった
    部分が、フレア点から後方に向かうにつれて次第に広が
    っていき、 前記第２の磁極ヨーク構成要素が前記第２の磁極端構成
    要素と前記フレア点の後方でかみ合う請求項２２に記載
    の磁気ヘッド。
  24. 【請求項２４】前記第１の磁極片層が、前記ＡＢＳの後
    方に位置する凹部を有し、 前記絶縁スタックおよび前記少なくとも１つのコイル層
    が前記凹部の中に位置する請求項１に記載の磁気ヘッ
    ド。
  25. 【請求項２５】前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの
    １層が、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第
    １の側端、および前記第２の側端のそれぞれから間隔を
    置いて位置し、前記第２の磁極端構成要素に隣接したＵ
    字形のトレンチが形成され、 前記第２の磁極ヨーク構成要素の前記前部が前記Ｕ字形
    のトレンチの中に位置する請求項２４に記載の磁気ヘッ
    ド。
  26. 【請求項２６】前記第２の磁極端構成要素が、前記第２
    の磁極端構成要素を前部に位置する磁極端部分と後部に
    位置する広がった部分とに分割するフレア点を有し、前
    記磁極端部分が実質的に一定の幅を有し、前記広がった
    部分が、フレア点から後方に向かうにつれて次第に広が
    っていき、 前記第２の磁極ヨーク構成要素が前記第２の磁極端構成
    要素と前記フレア点の後方でかみ合う請求項２５に記載
    の磁気ヘッド。
  27. 【請求項２７】エア・ベアリング面（ＡＢＳ）を有する
    組合せ磁気ヘッドにおいて、 書込みヘッド、および読取りヘッドを含み、 前記書込みヘッドが、 第１の磁極片層、ならびに第２の磁極端構成要素および
    第２の磁極ヨーク構成要素を有する第２の磁極片層、 ギャップ層、および複数の絶縁層およびこれに組み込ま
    れた少なくとも１層のコイル層を含む絶縁スタックを含
    み、 前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素が前記
    ギャップ層によって前記ＡＢＳのところで分離されてお
    り、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極ヨーク構成要
    素が前記バック・ギャップのところで接続されており、 前記絶縁スタックが、前記第１の磁極片層と前記第２の
    磁極ヨーク構成要素の間にはさまれており、前記絶縁ス
    タックが、前記第２の磁極端構成要素と前記バック・ギ
    ャップの間に位置し、 前記第２の磁極端構成要素が、前端、後端、第１の側
    端、第２の側端、上面および下面によって境されてお
    り、前記前端が前記ＡＢＳのところに位置し、 前記第２の磁極ヨーク構成要素が、前記第２の磁極端構
    成要素の前記上面、前記後端、前記第１の側端、および
    前記第２の側端とかみ合った前部を有し、 前記読取りヘッドが、 センサ、第１のギャップ層および第２のギャップ層、な
    らびに第１および第２の強磁性シールド層を含み、 前記センサが、前記第１のギャップ層と前記第２のギャ
    ップ層の間にはさまれており、 前記第１および第２のギャップ層が前記第１のシールド
    層と前記第２のシールド層の間にはさまれており、 前記第２のシールド層と前記第１の磁極片層が共通の層
    である組合せ磁気ヘッド。
  28. 【請求項２８】前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの
    １層が、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第
    １の側端、および前記第２の側端のそれぞれから間隔を
    置いて位置し、前記第２の磁極端構成要素に隣接したＵ
    字形のトレンチが形成され、 前記第２の磁極ヨーク構成要素の前記前部が前記Ｕ字形
    のトレンチの中に位置する請求項２７に記載の組合せ磁
    気ヘッド。
  29. 【請求項２９】前記第１の磁極片層の上に直接に位置
    し、前記ＡＢＳと前記少なくとも１層のコイル層の間に
    全体が位置するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定
    絶縁層を含み、 前記ＺＴＨ画定絶縁層が前端および後端を有し、前記前
    端が、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素
    がＡＢＳの後方で最初に分離し始める位置である前記ヘ
    ッドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定する請
    求項２８に記載の組合せ磁気ヘッド。
  30. 【請求項３０】前記ＺＴＨ画定絶縁層が、その前端と後
    端の間に平坦な面を有し、 前記第２の磁極端構成要素が、前記第２の磁極端構成要
    素を前部に位置する磁極端部分と後部に位置する広がっ
    た部分とに分割するフレア点を有し、前記磁極端部分が
    実質的に一定の幅を有し、前記広がった部分が、フレア
    点から後方に向かうにつれて次第に広がっていき、 前記フレア点が、前記ＺＴＨの後方の前記ＺＴＨ画定層
    の前記平坦な上面の上に位置し、 前記第２の磁極ヨーク構成要素が前記第２の磁極端構成
    要素と前記フレア点の後方でかみ合う請求項２９に記載
    の組合せ磁気ヘッド。
  31. 【請求項３１】前記絶縁スタックの一部分が、前記ＺＴ
    Ｈ画定層の前記後端および後部を覆っており、 前記第２の磁極端構成要素が前記ＺＴＨ画定層の前部を
    覆っている請求項３０に記載の組合せ磁気ヘッド。
  32. 【請求項３２】エア・ベアリング面（ＡＢＳ）を有する
    少なくとも１つの組合せ磁気ヘッドを含む磁気ディスク
    ・ドライブにおいて、 前記組合せ磁気ヘッドが、 書込みヘッド部分、および読取りヘッド部分を含み、 前記書込みヘッド部分が、 第１の磁極片層、ならびに第２の磁極端構成要素および
    第２の磁極ヨーク構成要素を有する第２の磁極片層、 ギャップ層、および複数の絶縁層およびこれに組み込ま
    れた少なくとも１層のコイル層を含む絶縁スタックを含
    み、 前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素が前記
    ギャップ層によって前記ＡＢＳのところで分離されてお
    り、前記第２の磁極ヨーク構成要素が前記第１の磁極片
    層と前記バック・ギャップのところで接続されており、 前記絶縁スタックが、前記第１の磁極片層と前記第２の
    磁極ヨーク構成要素の間にはさまれており、前記絶縁ス
    タックが、前記第２の磁極端構成要素と前記バック・ギ
    ャップの間に位置し、 前記第２の磁極端構成要素が、前端、後端、第１の側
    端、第２の側端、上面および下面によって境されてお
    り、前記前端が前記ＡＢＳのところに位置し、 前記第２の磁極ヨーク構成要素が、前記第２の磁極端構
    成要素の前記上面、前記後端、前記第１の側端、および
    前記第２の側端とかみ合った前部を有し、 前記読取りヘッド部分が、 読取りセンサ、第１のギャップ層および第２のギャップ
    層、ならびに第１および第２の強磁性シールド層を含
    み、 前記読取りセンサが、前記第１のギャップ層と前記第２
    のギャップ層の間にはさまれており、 前記第１および第２のギャップ層が前記第１のシールド
    層と前記第２のシールド層の間にはさまれており、 前記第２のシールド層と前記第１の磁極片層が共通の層
    であり、 前記磁気ディスク・ドライブがさらに、 フレーム、 前記フレームの上に回転自在に支持された磁気ディス
    ク、 前記フレームの上に装着され、組合せ磁気ヘッドを、前
    記磁気ディスクと変換関係に支持する支持体、 前記磁気ディスクを回転させる手段、 前記支持体に接続され、前記組合せ磁気ヘッドを、前記
    磁気ディスクに対して複数の位置に移動させる位置決め
    手段、および前記組合せ磁気ヘッド、磁気ディスクを回
    転させる前記手段および前記位置決め手段に接続され、
    前記組合せ磁気ヘッドと信号を交換し、前記磁気ディス
    クの移動を制御し、前記組合せ磁気ヘッドの位置を制御
    する手段を含む磁気ディスク・ドライブ。
  33. 【請求項３３】前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの
    １層が、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第
    １の側端、および前記第２の側端のそれぞれから間隔を
    置いて位置し、前記第２の磁極端構成要素に隣接したＵ
    字形のトレンチが形成され、 前記第２の磁極ヨーク構成要素の前記前部が前記Ｕ字形
    のトレンチの中に位置する請求項３２に記載の磁気ディ
    スク・ドライブ。
  34. 【請求項３４】前記第１の磁極片層の上に直接に位置
    し、前記ＡＢＳと前記少なくとも１層のコイル層の間に
    全体が位置するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定
    層を含み、 前記ＺＴＨ画定層が前端および後端を有し、前記前端
    が、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素が
    ＡＢＳの後方で最初に分離し始める位置である前記ヘッ
    ドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定する請求
    項３３に記載の磁気ディスク・ドライブ。
  35. 【請求項３５】前記ＺＴＨ画定層が、その前端と後端の
    間に平坦な面を有し、 前記第２の磁極端構成要素が、前記第２の磁極端構成要
    素を前部に位置する磁極端部分と後部に位置する広がっ
    た部分とに分割するフレア点を有し、前記磁極端部分が
    実質的に一定の幅を有し、前記広がった部分が、フレア
    点から後方に向かうにつれて次第に広がっていき、 前記フレア点が、前記ＺＴＨの後方の前記ＺＴＨ画定層
    の前記平坦な上面の上に位置し、 前記第２の磁極ヨーク構成要素が前記第２の磁極端構成
    要素と前記フレア点の後方でかみ合う請求項３４に記載
    の磁気ディスク・ドライブ。
  36. 【請求項３６】前記絶縁スタックの一部分が、前記ＺＴ
    Ｈ画定層の前記後端および後部を覆っており、 前記第２の磁極端構成要素が前記ＺＴＨ画定層の前部を
    覆っている請求項３５に記載の磁気ディスク・ドライ
    ブ。
  37. 【請求項３７】前部に位置するエア・ベアリング面（Ａ
    ＢＳ）、後部に位置するバック・ギャップ、上部、およ
    び下部を有する磁気ヘッドを製作する方法において、 第１の磁極片層、ならびに第２の磁極端構成要素および
    第２の磁極ヨーク構成要素を有する第２の磁極片層を形
    成する段階、 ギャップ層を形成する段階、 前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素を前記
    ギャップ層によって前記ＡＢＳのところで分離し、前記
    第１の磁極片層と前記第２の磁極ヨーク構成要素を前記
    バック・ギャップのところで接続する段階、 複数の絶縁層およびこれに組み込まれた少なくとも１層
    のコイル層を含む絶縁スタックを、前記第１の磁極片層
    と前記第２の磁極ヨーク構成要素の間、および前記第２
    の磁極端構成要素と前記バック・ギャップの間に形成す
    る段階、 後端、第１の側端、第２の側端、上面、下面、および前
    記ＡＢＳのところに位置する前端を有する前記第２の磁
    極端構成要素を形成する段階、および前記第２の磁極端
    構成要素の前記上面、前記後端、前記第１の側端、およ
    び前記第２の側端とかみ合った前部を有する前記第２の
    磁極ヨーク構成要素を形成する段階を含む方法。
  38. 【請求項３８】前記第１の磁極片層の上に直接に位置
    し、前記ＡＢＳと前記少なくとも１層のコイル層の間に
    全体が位置するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定
    絶縁層を形成する段階、および前端および後端を有し、
    前記前端が、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構
    成要素がＡＢＳの後方で最初に分離し始める位置である
    前記ヘッドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定
    する前記ＺＴＨ画定絶縁層を形成する段階を含む請求項
    ３７に記載の方法。
  39. 【請求項３９】その前端と後端の間に平坦な上面を有す
    る前記ＺＴＨ画定層を形成する段階、 前記第２の磁極端構成要素を前部に位置する磁極端部分
    と後部に位置する広がった部分とに分割するフレア点を
    有し、前記磁極端部分が実質的に一定の幅を有し、前記
    広がった部分が、フレア点から後方に向かうにつれて次
    第に広がっていく前記第２の磁極端構成要素を形成する
    段階、 前記ＺＴＨの後方の前記ＺＴＨ画定層の前記平坦な上面
    の上に前記フレア点を形成する段階、および前記第２の
    磁極ヨーク構成要素を前記第２の磁極端構成要素と前記
    フレア点の後方でかみ合わせる段階を含む請求項３８に
    記載の方法。
  40. 【請求項４０】前記ギャップ層が、前記ＺＴＨ画定絶縁
    層の上に形成される請求項３９に記載の方法。
  41. 【請求項４１】前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの
    １層を、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第
    １の側端、および前記第２の側端のそれぞれに対し間隔
    を置いて形成し、前記第２の磁極端構成要素に隣接した
    Ｕ字形のトレンチを形成させる段階、および前記第２の
    磁極ヨーク構成要素の前記前部を前記Ｕ字形のトレンチ
    の中に形成する段階を含む請求項３７に記載の方法。
  42. 【請求項４２】前記第１の磁極片層の上に直接に位置
    し、前記ＡＢＳと前記少なくとも１層のコイル層の間に
    全体が位置するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定
    層を形成する段階、および前端および後端を有し、前記
    前端が、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要
    素がＡＢＳの後方で最初に分離し始める位置である前記
    ヘッドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定する
    前記ＺＴＨ画定層を形成する段階を含む請求項４１に記
    載の方法。
  43. 【請求項４３】その前端と後端の間に平坦な上面を有す
    る前記ＺＴＨ画定層を形成する段階、 前記第２の磁極端構成要素を前部に位置する磁極端部分
    と後部に位置する広がった部分とに分割するフレア点を
    有し、前記磁極端部分が実質的に一定の幅を有し、前記
    広がった部分が、フレア点から後方に向かうにつれて次
    第に広がっていく前記第２の磁極端構成要素を形成する
    段階、 前記ＺＴＨの後方の前記ＺＴＨ画定層の前記平坦な上面
    の上に前記フレア点を形成する段階、および前記第２の
    磁極ヨーク構成要素を前記第２の磁極端構成要素と前記
    フレア点の後方でかみ合わせる段階を含む請求項４２に
    記載の方法。
  44. 【請求項４４】前記絶縁スタックの一部分が、前記ＺＴ
    Ｈ画定層の前記後端および後部を覆うように形成され、 前記第２の磁極端構成要素を前記ＺＴＨ画定層の前部を
    覆うように形成する段階を含む請求項４３に記載の方
    法。
  45. 【請求項４５】前記ギャップ層が前記ＺＴＨ画定層の上
    に形成される請求項４４に記載の方法。
  46. 【請求項４６】前記ＡＢＳからある間隔を置いて位置す
    るゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）位置に始まり、前
    記ＺＴＨ位置から前記ヘッドの内部に後方へ延びる凹部
    を有する前記第１の磁極片層を形成する段階、および前
    記凹部の中に位置し、前記ＺＴＨ位置に前端を有し、前
    記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素がＡＢＳ
    の後方で最初に分離し始める位置である前記ヘッドのゼ
    ロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定するゼロ・スロ
    ート・ハイト（ＺＴＨ）画定層を形成する段階を含む請
    求項３７に記載の方法。
  47. 【請求項４７】前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの
    １層を、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第
    １の側端、および前記第２の側端のそれぞれに対し間隔
    を置いて形成し、前記第２の磁極端構成要素に隣接した
    Ｕ字形のトレンチを形成させる段階、および前記第２の
    磁極ヨーク構成要素の前記前部を前記Ｕ字形のトレンチ
    の中に形成する段階を含む請求項４６に記載の方法。
  48. 【請求項４８】前記第２の磁極端構成要素を前部に位置
    する磁極端部分と後部に位置する広がった部分とに分割
    するフレア点を有し、前記磁極端部分が実質的に一定の
    幅を有し、前記広がった部分が、フレア点から後方に向
    かうにつれて次第に広がっていく前記第２の磁極端構成
    要素を形成する段階、および前記第２の磁極ヨーク構成
    要素を前記第２の磁極端構成要素と前記フレア点の後方
    でかみ合わせる段階を含む請求項４７に記載の方法。
  49. 【請求項４９】前記ＡＢＳの後方に位置する凹部を有す
    る前記第１の磁極片層を形成する段階、および前記絶縁
    スタックおよび前記少なくとも１つのコイル層を前記凹
    部の中に形成する段階を含む請求項３７に記載の方法。
  50. 【請求項５０】前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの
    １層を、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第
    １の側端、および前記第２の側端のそれぞれに対し間隔
    を置いて形成し、前記第２の磁極端構成要素に隣接した
    Ｕ字形のトレンチを形成させる段階、および前記第２の
    磁極ヨーク構成要素の前記前部を前記Ｕ字形のトレンチ
    の中に形成する段階を含む請求項４９に記載の方法。
  51. 【請求項５１】前記第２の磁極端構成要素を前部に位置
    する磁極端部分と後部に位置する広がった部分とに分割
    するフレア点を有し、前記磁極端部分が実質的に一定の
    幅を有し、前記広がった部分が、フレア点から後方に向
    かうにつれて次第に広がっていく前記第２の磁極端構成
    要素を形成する段階、および前記第２の磁極ヨーク構成
    要素を前記第２の磁極端構成要素と前記フレア点の後方
    でかみ合わせる段階を含む請求項５０に記載の方法。
  52. 【請求項５２】エア・ベアリング面（ＡＢＳ）を有する
    組合せ磁気ヘッドを製作する方法において、 読取りヘッド部分を製作する段階、および書込みヘッド
    部分を製作する段階を含み、 前記読取りヘッド部分を製作する段階が、 第１および第２のギャップ層、ならびに前記第１のギャ
    ップ層と前記第２のギャップ層の間にはさまれたセンサ
    を形成する段階、および前記第１および第２のギャップ
    層を間にはさんで第１および第２の強磁性シールド層を
    形成する段階を含み、 前記書込みヘッド部分を製作する段階が、 第２のシールド層と共通の層である第１の磁極片層、な
    らびに第２の磁極端構成要素および第２の磁極ヨーク構
    成要素を有する第２の磁極片層を形成する段階、 ギャ
    ップ層を形成する段階、 前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構成要素を前記
    ギャップ層で前記ＡＢＳのところで分離し、前記第１の
    磁極片層と前記第２の磁極ヨーク構成要素を前記バック
    ・ギャップのところで接続する段階、 複数の絶縁層およびこれに組み込まれた少なくとも１層
    のコイル層を含む絶縁スタックを、前記第１の磁極片層
    と前記第２の磁極ヨーク構成要素の間、および前記第２
    の磁極端構成要素と前記バック・ギャップの間に形成す
    る段階、 後端、第１の側端、第２の側端、上面、下面、および前
    記ＡＢＳのところに位置する前端を有する前記第２の磁
    極端構成要素を形成する段階、および前記第２の磁極端
    構成要素の前記上面、前記後端、前記第１の側端、およ
    び前記第２の側端とかみ合った前部を有する前記第２の
    磁極ヨーク構成要素を形成する段階を含む方法。
  53. 【請求項５３】前記絶縁スタックの前記絶縁層のうちの
    １層を、前記第２の磁極端構成要素の前記後端、前記第
    １の側端、および前記第２の側端のそれぞれに対し間隔
    を置いて形成し、前記第２の磁極端構成要素に隣接した
    Ｕ字形のトレンチを形成させる段階、および前記第２の
    磁極ヨーク構成要素の前記前部を前記Ｕ字形のトレンチ
    の中に形成する段階を含む請求項５２に記載の方法。
  54. 【請求項５４】前記第１の磁極片層の上に直接に位置
    し、前記ＡＢＳと前記少なくとも１層のコイル層の間に
    全体が位置するゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）画定
    絶縁層を形成する段階、および前端および後端を有し、
    前記前端が、前記第１の磁極片層と前記第２の磁極端構
    成要素がＡＢＳの後方で最初に分離し始める位置である
    前記ヘッドのゼロ・スロート・ハイト（ＺＴＨ）を画定
    する前記ＺＴＨ画定絶縁層を形成する段階を含む請求項
    ５３に記載の方法。
  55. 【請求項５５】その前端と後端の間に平坦な上面を有す
    る前記ＺＴＨ画定層を形成する段階、 前記第２の磁極端構成要素を前部に位置する磁極端部分
    と後部に位置する広がった部分とに分割するフレア点を
    有し、前記磁極端部分が実質的に一定の幅を有し、前記
    広がった部分が、フレア点から後方に向かうにつれて次
    第に広がっていく前記第２の磁極端構成要素を形成する
    段階、 前記ＺＴＨの後方の前記ＺＴＨ画定層の前記平坦な上面
    の上に前記フレア点を形成する段階、および前記第２の
    磁極ヨーク構成要素を前記第２の磁極端構成要素と前記
    フレア点の後方でかみ合わせる段階を含む請求項５４に
    記載の方法。
  56. 【請求項５６】前記絶縁スタックの一部分が、前記ＺＴ
    Ｈ画定層の前記後端および後部を覆うように形成され、 前記第２の磁極端構成要素を前記ＺＴＨ画定層の前部を
    覆うように形成する段階を含む請求項５５に記載の方
    法。
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