JP2000066488A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光状態により発生するカブリやライン細り
等を防止し、高品位な画像を形成可能とする画像形成装
置を提供する。 【解決手段】 画素単位の露光光量を、露光された部分
の感光体の電位が残留電位にほぼ等しくなるように設定
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は複写機、プリンター
装置等の電子写真方式を利用した画像形成装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】電子写真方式による画像形成を行なう画
像形成装置のうち、アナログ方式の複写機等の画像形成
装置は、光源及び反射ミラー等の光学ユニットを走査し
て原稿台に置かれた原稿からの反射光を感光体に投影
し、感光体に帯電した電位の白地の部分を低下させ、電
位の低下していない部分に感光体帯電極性と逆極性に帯
電したトナーを現像装置を用いて付着させる、いわゆる
正規現像方式が主として採用されている。

【０００３】一方、レーザー光源等を潜像形成に用いた
ディジタル方式の複写機、プリンター等の画像形成装置
は、一般的には感光体を均一帯電させた後レーザー光に
より画像情報に対応する部分の電位を低下させ、その部
分に感光体帯電極性と同極性に帯電したトナーを現像装
置により付着させ画像情報を得る、反転現像方式が主と
して採用されている。

【０００４】反転現像方式における潜像形成方法は一般
にＩＡＥ(Image Area Exposuring)と呼ばれ、正規現像
方式における潜像形成方法はＢＡＥ(Background Area E
xposuring)と呼ばれている。

【０００５】ＢＡＥにおいては、従来のアナログ方式以
外に、ディジタル方式においても画像情報領域以外の白
地の部分の電位をレーザー光もしくはＬＥＤにより低下
させることによっても実現でき、この場合、潜像形成手
段以外の感光体周辺に配置される帯電器、現像器、クリ
ーナー装置等のプロセスユニット、更には感光体、現像
剤等は従来のアナログ方式のものを流用でき、製造コス
ト、製品価格において大きなメリットになる。

【０００６】ところで、中高速複写機に用いられている
アナログ方式の感光体は、製造コストの低い有機半導体
（以下ＯＰＣと呼ぶ）、耐久特性のよいアモルファスシ
リコン半導体（以下ａ−Ｓｉと呼ぶ）が使われている。

【０００７】ＯＰＣの露光エネルギーと感光体表面電位
の関係は、図１３に示すように、ａ−Ｓｉと比べ非線型
性が強いため、ａ−Ｓｉに比べエッジ部で電位のダレが
大きくなりＩＡＥでは鮮鋭度の低下、ＢＡＥに於はライ
ン細りという欠点がある。

【０００８】一方ａ−Ｓｉは、潜像形成は露光エネルギ
ー分布に比較的忠実なためＩＡＥ、ＢＡＥで画質の差は
小さい。しかしながらａ−Ｓｉは帯電能に温度依存性が
あるため、ドラム感光体内に発熱ヒーターを設けたり、
ドラム表面の温度を検知して帯電電流を制御するもの
や、直接ドラム表面電位を電位センサーで検知し目標の
表面電位になるように帯電電流を制御している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このようなａ−Ｓｉ感
光体を用いたプリンターもしくはディジタル複写機を低
コストで作るには、上述したようにアナログ複写機の帯
電器、現像器、クリーナー等のモジュールが流用できる
ＢＡＥ方式を用い、また、ドラム内ヒーター、電位計等
のコストアップとなる部品を削減することが望ましい。

【００１０】発光素子にレーザーを用い、そのＯＮ／Ｏ
ＦＦで潜像を形成するＢＡＥ方式は、ＯＮ状態でガウシ
アン状の光強度分布をもつレーザー光で表面電位を低下
させ白地部分を形成し、ＯＦＦ状態の電位の低下してい
ない部分にトナーを付着させるため、ビーム径が大きい
とラインが細り、逆に径が小さいと副走査ピッチ間隔で
主走査方向にスジ状のトナーカブリが生じ易くなる。よ
ってビームスポット径はラインの太さと、カブリから最
適なサイズに設定される。

【００１１】更に、表面電位計を用いずドラム表面電位
が一定になるような制御をしない場合は、図１４に示す
ようにドラム表面温度（環境温度）によって表面電位が
変化する（温度が高い場合はＶｄ１、低い場合はＶｄ
２）。

【００１２】それに伴い、レーザー光量が一定の場合は
白地電位Ｖｌも変化するため現像バイアスＤＣ電位Ｖｄ
ｃが一定の場合には、高温時と低温時で現像コントラス
トＶｃｏｎｔ（Ｖｄ−Ｖｄｃ）及びカブリ取り電位Ｖｂ
ａｃｋ（Ｖｄｃ−Ｖｌ）が変化する。

【００１３】すなわち、環境温度が高い場合や連続動作
時では機内が比較的高温になりＶｃｏｎｔが小さくなり
ライン幅は小さくなり、濃度も低下する。一方、環境温
度が低い場合や電源ＯＮ直後は機内温度が低く、Ｖｂａ
ｃｋが小さくなり特にＢＡＥの場合は急激にカブリやす
くなってしまうという欠点があった。

【００１４】このような問題を解決するためには、機内
温度を検知し、Ｖｄｃを変化させる、あるいはレーザー
パワーを変化させるという手段をとればよいが、その分
コストアップになってしまう。

【００１５】Ｖｃｏｎｔ及びＶｂａｃｋを十分大きく取
れるようにＶｄを最初から大きくすることも考えられる
が、感光体の帯電能に限界があり、またＶｌに電位を下
げるために非常に大きなレーザーパワーを要してしま
う。

【００１６】また、発光素子にレーザーを用い、そのＯ
Ｎ／ＯＦＦで潜像を形成するＢＡＥ方式は、ＯＮ状態で
ガウシアン状の光強度分布をもつレーザー光で表面電位
を低下させ白地部分を形成し、ＯＦＦ状態の電位の低下
してない部分にトナーを付着させるため、図１５に示す
ように現像バイアスＤＣ電位Ｖｄｃと白地部電位Ｖｌと
の差であるカブリ取り電位Ｖｂａｃｋ（Ｖｄｃ−Ｖｌ）
が小さいと、副走査ピッチの電位の消し残りの部分にト
ナーが付着しやすくなる。

【００１７】よってＯＰＣのように潜像電位が広がる場
合は細線を再現するには十分にスポット径を小さくしな
ければならなく、副走査方向のスジ状のカブリが目立た
なくなったり細線（１〜２ドット巾）の潜像を形成しよ
うとした時には、ダーク電位と白地電位のコントラスト
が取れなくなってしまい、べた黒の濃度は低下してしま
う。これは潜像形成が高解像度になるにつれて顕著にな
る。

【００１８】本発明は上記従来技術の問題を解決するた
めになされたもので、その目的とするところは、カブリ
やライン細り等を防止して高品位な画像を形成可能とす
る画像形成装置を提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明にあっては、予め帯電された感光体を静電潜像
形成プロセス手段によって画素単位で露光し、この露光
により画像の白地部分の感光体帯電電位を低下させ、現
像手段により電位の低下してない部分にトナーを付着さ
せる画像形成装置において、前記静電潜像形成プロセス
手段による画素単位の露光光量を、露光された部分の前
記感光体の電位が残留電位にほぼ等しくなるように設定
したことを特徴とする。

【００２０】予め帯電され副走査方向に移動する感光体
の表面を静電潜像形成プロセス手段によって画素単位で
主走査方向に露光走査し、この露光走査により画像の白
地部分の感光体帯電電位を低下させ、現像手段により電
位の低下してない部分にトナーを付着させる画像形成装
置において、前記静電潜像形成プロセス手段による画素
単位の露光を、副走査方向スポット径の大きさが副走査
方向ピッチの１．４倍以上であり、かつ主走査方向スポ
ット径と副走査方向スポット径の大きさの差が最小画素
の大きさの１／２以内となるように設定したことを特徴
とする。

【００２１】前記感光体はアモルファスシリコン感光体
であることも好適である。

【００２２】静電潜像形成プロセス手段による画素単位
の露光は、露光手段のＯＮ／ＯＦＦによる２値化情報で
あることも好適である。

【００２３】従って、環境温度、帯電電流のばらつき等
によって感光体の表面電位が変化しても静電潜像形成プ
ロセス手段によって画素単位で露光された白地電位はほ
とんど変化しなくなるため、常にカブリの少ない画像が
得られ、また、簡易な構成で低コストの画像形成装置を
提供することが可能となる。

【００２４】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は本発明の
第１の実施の形態である画像形成装置１００の概略構成
を示すブロック構成図である。

【００２５】１は感光層にアモルファスシリコン（以下
ａ−Ｓｉと記載）を用いた直径８０ｍｍのドラム感光
体、２は残留電荷を除去するための波長略６６０ｎｍの
ＬＥＤ発光素子から成る前露光装置、３は帯電電極とし
てタングステンワイヤーを用い、グリッドを有するいわ
ゆるスコロトロン方式の一次帯電器、４は内部に６極の
マグネットローラーを配し、表面がフェノール等の樹脂
にカーボングラファイト等の導電性粒子を分散させた直
径３２ｍｍ径の現像スリーブに平均粒径７．５μｍの一
成分磁性ネガトナーを担持させ、ドラム感光体の画像情
報部分にトナーを飛着させる現像装置である。

【００２６】現像装置４の現像スリーブ４ａに印加する
電圧波形（現像バイアス波形）は図２に示すような一定
電圧部分と立ち上がりのスロープの部分の時間の比が
３：４：３であるスロープ状であり、周波数は略２．７
ｋＨｚ、振幅は１．５ｋＶである。またドラム感光体１
と現像スリーブ４ａ間の距離は２３０μｍに設定されて
おり、プロセススピードは３００ｍｍ／ｓｅｃである。

【００２７】５はドラム上のトナー電荷を上昇させ転写
効率を上げるためのポスト帯電器、６は記録紙にトナー
を転写するための転写帯電器、７はドラム感光体から記
録紙を分離するための分離帯電器、８はドラム感光体上
に残留したトナーを除去するためのクリーナー装置であ
る。

【００２８】９はトナーが転写された記録紙を定着装置
に搬送するための搬送ベルト、１０は記録紙上の未定着
トナーを記録紙に加圧及び加熱により固着させるための
定着装置、１１は画像露光のための波長６５５ｎｍのレ
ーザー半導体を発光駆動させるためのレーザードライバ
ー回路、１２はドラム感光体の回転及び画像位置に同期
させレーザー光をドラム面上に照射するためのコリメー
ティングレンズ、ポリゴンミラー、ｆθレンズ等から構
成されるレーザースキャナー装置である。

【００２９】１３は不図示の原稿台に置かれた原稿の画
像情報を６００ｄｐｉ（Dot per Inch）の解像度で読み
取るための、ＣＣＤ等の撮像素子及び光学レンズ等で構
成される画像読取装置、１４は画像読取装置から読み取
った画像のシェーディング補正、濃度変換、データ圧縮
伸長、２値化処理等を行う読み取り画像データ処理回路
である。

【００３０】１５は外部ネットワークと接続し、ネット
ワークに接続されているコンピューターからの制御信号
およびコンピュータで作成した画像データー信号を入出
力するためのインターフェイス回路、１６は画像読取装
置から読み取った画像データ及び外部から入力した画像
を一時蓄えるためのＨＤＤ等で構成されるバッファーメ
モリ、１７は装置全体を制御するＣＰＵである。

【００３１】次に第１の実施の形態における潜像形成に
ついて説明する。

【００３２】上記実施の形態に示す画像形成の最小画素
サイズは主副走査方向共に６００ｄｐｉとし、レーザー
スポット径は主走査方向５０μｍ〜６０μｍ、副走査方
向スポット径は６０μｍ〜７０μｍを可とする。

【００３３】この時のドラム感光体１の回転軸方向（レ
ーザー主走査方向）に垂直な面の白地部（Ｖｌ）の潜像
電位の形状は、図３に示された主走査方向に垂直な面で
きった潜像電位プロフィールの模式図のように、副走査
ピッチ（４２μｍ）のレーザー照射オーバーラップ部の
消し残りがある程度残っているため、Ｖｂａｃｋが小さ
くなるとこの部分にトナーが付着しはじめ、主走査方向
に平行なスジ状のカブリが急激に目立ってくる。

【００３４】例えばａ−Ｓｉ感光体の帯電電位の温度特
性が概略−３Ｖ／度の傾きでほぼ直線的に変化するとす
れば、実使用温度範囲でのドラム感光体表面温度が１５
℃〜４５℃の範囲で変化するとＶｄは９０Ｖ変化するこ
とになる。

【００３５】図４はＶｄが４００Ｖ、４５０Ｖ、５００
Ｖ各々の場合、露光手段としてのレーザ半導体のレーザ
ーパワーと白地部電位Ｖｌの関係を示したものである。

【００３６】レーザーパワーは、Ｖｄ＝４５０ＶでＶｌ
が５０Ｖとなる時のレーザーパワーを１とした。これよ
りレーザーパワーを通常設定の１．２倍以上に設定すれ
ばＶｌは飽和しはじめる。

【００３７】尚、このドラム感光体１における電位の残
留電位とは、レーザ半導体のレーザーパワーをこれ以上
強くしても帯電電位を低下させない飽和状態のことを意
味しており、この実施の形態では約１５〜２０Ｖ程度で
ある。

【００３８】更に１．２倍の時のＶｌの変動量はＶｄが
５００Ｖ〜４００Ｖと振れても１０Ｖ以内でありこの値
はＶｄｃを一定値としてもＶｂａｃｋの振れとしては許
容できる範囲である。

【００３９】また、レーザーパワーが大きくなると、レ
ーザーパワーを強くした時の潜像電位のプロフィールを
表わす図５の、左側部に示すように白地部の底の部分が
つぶれた潜像電位となるため、境界部の副走査ピッチの
電位の高い部分（消し残り）が低下するため更にカブリ
のマージンは大きく取れることになる。

【００４０】図６はレーザーパワーを１．５倍設定時の
潜像電位のプロフィールの一例を示すものである。１５
℃の時を図６（ａ）、４５℃の時を図６（ｂ）に示す。
Ｖｄｃは１５℃の時のＶｌ１＝２０Ｖに、カブリが十分
許容できるＶｂａｃｋ１＝１５０Ｖを加えた１７０Ｖに
設定する。

【００４１】Ｖｄは４５℃の時に十分な濃度、ライン幅
が得られるように必要Ｖｃｏｎｔ２５０Ｖを確保しＶｄ
２＝４２０Ｖに設定する。したがって１５℃の時のＶｄ
（Ｖｄ１）は５１０Ｖとなる。この時のＶｃｏｎｔは３
４０Ｖであるが、Ｖｃｏｎｔが上昇して現像電界が大き
くなっても、Ｖｃｏｎｔとライン幅の関係を示す図７に
示されたように３００Ｖ以上ではライン幅は飽和するの
で問題ない。

【００４２】上記設定における画像形成方法について以
下に述べる。

【００４３】本実施の形態の画像形成装置は複写機とし
ての機能以外に外部ネットワークに接続されたパソコン
等からの画像を出力するプリンター機能も有する。

【００４４】最初に複写機能について説明する。不図示
の操作パネルのコピースタートボタンが押されると、ド
ラム感光体１は不図示のモータにより図に示す矢印の方
向に回転を開始し、１次帯電器３により現像位置で前述
のＶｄになるように帯電される。

【００４５】そして画像読取装置１３内の光源及び反射
ミラー等の光学ユニットは、不図示の原稿読み取り台に
置かれた原稿を走査し６００ｄｐｉ、２５６階調の多値
データとして原稿画像情報も取り込む。取り込まれた画
像データは１４の画像データ処理回路によってシェーデ
ィング補正、濃度変換、２値化処理、圧縮処理が行わ
れ、一旦ＨＤＤ１６に蓄えられる。

【００４６】画像データは潜像形成タイミングに同期し
て読み出され、データ伸長された後、画像データはレー
ザードライバー回路１１に入力される。レーザードライ
バー回路１１は、画像情報がない部分及び記録紙間、余
白部分が発光ＯＮ、画像データ部分がＯＦＦになるよう
に画像情報をレーザー光信号のＯＮ／ＯＦＦに変換す
る。

【００４７】レーザ半導体により照射されたレーザー光
はレーザースキャナー装置１２により副走査方向に回転
するドラム感光体に露光走査され潜像を形成する。ドラ
ム感光体１上に形成された静電潜像（露光走査されなか
った部位）は、現像装置４により現像され、トナー像と
して顕像化される。

【００４８】このレーザードライバー回路１１及びレー
ザースキャナー装置１２によって、静電潜像形成プロセ
ス手段が構成されている。

【００４９】つづいてポスト帯電器５によりマイナスの
電荷が付加される。一方、不図示の給紙カセットから記
録紙が給送され、顕像化されたトナー像が転写帯電器６
により記録紙に転写される。

【００５０】転写後、記録紙は分離帯電器７によりドラ
ム感光体１から分離され搬送ベルト９に給送され、定着
装置１０に送られ、加熱により定着され、本体の外に排
出される。その間ドラム感光体１は、クリーナー装置８
により残留トナーが清掃され、前露光装置２により残留
電荷が消去される。

【００５１】プリンターとして機能する場合は、画像デ
ータはインターフェイス回路１５に入力され、ここで画
像情報信号はビットマップデータに変換され、画像デー
タ処理回路１４に出力される。その後は前述した動作と
同様な処理が行われる。

【００５２】なお、上記実施の形態はａ−Ｓｉ感光体、
解像度６００ｄｐｉの場合について述べたが、他の感光
体、４００ｄｐｉ、更には１２００ｄｐｉの解像度にお
いても副走査方向スポット径、Ｖｂａｃｋ、Ｖｄの設定
をそれぞれについて最適に限定されるものではない。

【００５３】更に潜像形成光源はレーザー半導体に限ら
ず、ＬＥＤアレーでも構わない。この場合、発光強度分
布は矩形に近いため潜像白地部の境界部分の電位は図８
に示すように比較的平らに均されるためカブリのラチュ
ードはレーザー半導体の場合より大きく取れる。

【００５４】図９はＬＥＤアレーを潜像形成手段に用い
た場合の画像形成装置のブロック構成図を示す。２０は
解像度６００ｄｐｉのＬＥＤアレー、２１はＬＥＤの駆
動回路である。

【００５５】画像データ処理回路から出力された画像デ
ータはＬＥＤ駆動回路２１によりＬＥＤＯＮ／ＯＦＦ信
号に変換され、ＬＥＤアレー２０により潜像が形成され
る。その他の構成は、図１と同様である。

【００５６】（実施の形態２）第２の実施の形態におけ
る画像形成装置の構成は図１を参照して説明された第１
の実施の形態と同様な構成である。但し、レーザー半導
体等のレーザー発光素子から照射されるレーザー光（露
光）は、以下のような特徴を備えている。

【００５７】図１０はレーザー光の副走査方向スポット
径をパラメータとしたＶｂａｃｋとカブリ（反射濃度低
下率％）の関係を示したものである。

【００５８】スポット径が大きいほど従来のアナログ露
光に近いカブリ特性になり、また同じスポット径ならば
Ｖｂａｃｋが大きいほどカブリは低下する。

【００５９】ここでＶｄはａ−Ｓｉの帯電能の限界から
例えば４５０Ｖ、またＶｌは感光体の感度、レーザー発
光素子のパワー等から例えば５０Ｖとする。

【００６０】ライン再現性から必要とされる現像コント
ラストＶｖｏｎｔ（Ｖｄ−Ｖｄｃ）は２５０Ｖ程度であ
るＶｄｃは２００Ｖに設定する。したがってＶｂａｃｋ
は略１５０Ｖ程度となる。よって副走査方向スポット径
はマージンＬを考慮し下限を６０μｍとする。

【００６１】一方主走査方向レーザースポット径はカブ
リには影響しないため、小さいほどライン再現性は良
い。しかしながら小さくしすぎると副走査方向のライン
幅とアンバランスになり好ましくない。

【００６２】図１１の表図はＶｌ＝５０Ｖ、Ｖｂａｃｋ
（Ｖ０）＝１５０Ｖ、Ｖｄ＝４５０Ｖ、副走査方向スポ
ット径を光学系のバラツキを考慮し最大７０μｍとした
時の、主走査方向スポット径と１画素で構成されるライ
ンの主副幅の差、及び各主走査方向スポット径における
出力画像の主観評価を示したものである。

【００６３】６００ｄｐｉの解像度においては主副の差
が１０μｍ程度、すなわちスポット径の差が最小構成画
素サイズ（４２μｍ）の概略１／２以内の差であるなら
ば画質的に問題ないので、このように設定する。

【００６４】よって主走査方向スポット径の下限は５０
μｍ程度が望ましい。実際は光学系のバラツキを考慮し
５０μｍ〜６０μｍを主走査方向スポット径を可とす
る。

【００６５】また、副走査方向スポット径の大きさは、
上記の通り副走査方向のピッチの１．４倍以上（４２μ
ｍ×１．４＝５９μｍ）の７０μｍと設定されている。

【００６６】この時のドラム感光体の回転軸方向（レー
ザー主走査方向）に垂直な面の白地部（Ｖｌ）の潜像電
位の形状は、図１２に示す模式図のように、副走査ピッ
チ（４２μｍ）のレーザー照射オーバラップ部の消し残
り部分は小さくなりスジ状のカブリは生じない。

【００６７】なお、上記実施の形態は解像度６００ｄｐ
ｉの場合について述べたが、４００ｄｐｉ、更には１２
００ｄｐｉの解像度においても副走査方向スポット径の
設定にそれぞれについて最適に設定することにより適応
可能である。

【００６８】また、プロセススピード、ドラム感光体の
径、現像バイアス波形、Ｖｄ，Ｖｌは上記実施の形態に
限定されるものではない。

【００６９】

【発明の効果】以上のように説明された本発明による
と、感光体に対する露光を適切なものとすることによ
り、カブリやライン細り等を防止して高品位な画像を形
成することが可能となる。

【００７０】露光光量を感光体の飽和電位近くになるま
で大きくすることで、環境温度、帯電電流のばらつき等
によって感光体の表面電位が変化しても白地電位はほと
んど変化せず常にカブリの少ない画像が得られ、また、
低コストの画像形成装置を提供することが可能となっ
た。

【００７１】露光の大きさを設定することで、最小画素
単位のラインの再生においても主／副走査のライン幅の
バランスが保たれ、常にカブリの少ない画像が得られ
る。

【００７２】また、耐久性の高いアモルファスシリコン
感光体を採用することにより、感光体のメンテナンスや
交換頻度を抑え、高い画像品質でありランニングコスト
の低い画像形成装置が提供可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は実施の形態における画像形成装置のブロ
ック構成図。

【図２】図２は実施の形態における現像バアイス波形の
図。

【図３】図３は主走査方向に垂直な面できった潜像電位
プロフィール。

【図４】図４はＶｄをパラメータとしたレーザーパワー
とＶｌ電位の関係を示す図。

【図５】図５はレーザーパワーを強くした時の潜像電位
のプロフィール。

【図６】図６は第１の実施の形態のＶｄ，Ｖｄｃ，Ｖｌ
の設定例。

【図７】図７はＶｃｏｎｔとライン幅の関係を示す図。

【図８】図８他の実施の形態であるＬＥＤアレーによる
潜像電位プロフィール。

【図９】図９はＬＥＤアレーを用いた時の構成ブロック
図。

【図１０】図１０はレーザー光の副走査方向スポット径
をパラメータとしたＶｂａｃｋとカブリ（反射濃度低下
率％）の関係を示した図。

【図１１】図１１は１画素で構成されるラインの主副幅
の差、及び各主走査方向スポット径における出力画像の
主観評価を示した表図。

【図１２】図１２は主走査方向に垂直な面できった潜像
電位プロフィール。

【図１３】図１３はａ−ＳｉおよびＯＰＣ感光体のＥ−
Ｖ特性及び光量分布に対する潜像電位分布を示す図。

【図１４】図１４は従来技術における潜像電位プロフィ
ール。

【図１５】図１５は従来技術における潜像電位プロフィ
ール。

【符号の説明】

１ ドラム感光体 ２ 前露光装置 ３ 一次帯電器 ４ 現像装置 １１ レーザードライバー回路 １２ レーザースキャナー装置 １３ 画像読取装置 １４ 画像データ処理回路

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 予め帯電された感光体を静電潜像形成プ
   ロセス手段によって画素単位で露光し、この露光により
   画像の白地部分の感光体帯電電位を低下させ、現像手段
   により電位の低下してない部分にトナーを付着させる画
   像形成装置において、 前記静電潜像形成プロセス手段による画素単位の露光光
   量を、露光された部分の前記感光体の電位が残留電位に
   ほぼ等しくなるように設定したことを特徴とする画像形
   成装置。
2. 【請求項２】 予め帯電され副走査方向に移動する感光
   体の表面を静電潜像形成プロセス手段によって画素単位
   で主走査方向に露光走査し、この露光走査により画像の
   白地部分の感光体帯電電位を低下させ、現像手段により
   電位の低下してない部分にトナーを付着させる画像形成
   装置において、 前記静電潜像形成プロセス手段による画素単位の露光
   を、副走査方向スポット径の大きさが副走査方向ピッチ
   の１．４倍以上であり、かつ主走査方向スポット径と副
   走査方向スポット径の大きさの差が最小画素の大きさの
   １／２以内となるように設定したことを特徴とする画像
   形成装置。
3. 【請求項３】 前記感光体はアモルファスシリコン感光
   体であることを特徴とする、請求項１または２に記載の
   画像形成装置。
4. 【請求項４】 静電潜像形成プロセス手段による画素単
   位の露光は、露光手段のＯＮ／ＯＦＦによる２値化情報
   であることを特徴とした請求項１乃至３のいずれか１項
   に記載の画像形成装置。