JP2000058708A - Ｂｇａ半導体装置とその製造方法 - Google Patents
Ｂｇａ半導体装置とその製造方法Info
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48091—Arched
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップの大きさが小さいものであって
も、多くの半田ボールを取付けること可能にしたＢＧＡ
半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体チップ１をモールド樹脂２６で封
止したＢＧＡ半導体装置において、前記半導体チップ１
上に半田ボール２９を配設すると共に、前記半導体チッ
プ１が配置されてない領域３１に半田ボール２９を配設
したことを特徴とする。
も、多くの半田ボールを取付けること可能にしたＢＧＡ
半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体チップ１をモールド樹脂２６で封
止したＢＧＡ半導体装置において、前記半導体チップ１
上に半田ボール２９を配設すると共に、前記半導体チッ
プ１が配置されてない領域３１に半田ボール２９を配設
したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＢＧＡ半導体装置
とその製造方法に関する。
とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＢＧＡ半導体装置としては、例えば、特
開平１０−１３５２８０号公報に記載されたようなもの
が知られている。しかし、上記したＢＧＡ半導体装置の
場合、半田ボールは半導体チップの上にのみ設けること
が可能な構造であるから、取付けることの出来る半田ボ
ールの数に限度があるという欠点があった。
開平１０−１３５２８０号公報に記載されたようなもの
が知られている。しかし、上記したＢＧＡ半導体装置の
場合、半田ボールは半導体チップの上にのみ設けること
が可能な構造であるから、取付けることの出来る半田ボ
ールの数に限度があるという欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、半導体チップの大
きさが小さいものであっても、多くの半田ボールを取付
けることを可能にした新規なＢＧＡ半導体装置とその製
造方法を提供するものである。
した従来技術の欠点を改良し、特に、半導体チップの大
きさが小さいものであっても、多くの半田ボールを取付
けることを可能にした新規なＢＧＡ半導体装置とその製
造方法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるＢ
ＧＡ半導体装置の第１態様は、半導体チップをモールド
樹脂で封止したＢＧＡ半導体装置において、前記半導体
チップ上に半田ボールを配設すると共に、前記半導体チ
ップが配置されてない領域に半田ボールを配設したこと
を特徴とするものであり、叉、第２態様は、前記半導体
チップが配置されてない領域に設けられた半田ボール
は、前記半導体チップを固定するリードフレームのリー
ド上に設けられたものであることを特徴とするものであ
り、叉、第３態様は、前記半導体チップ上のパッドと前
記リードとは、ワイヤボンディングで接続され、前記半
導体チップ上のパッドとこの半導体チップ上の半田ボー
ルとは金属配線で接続されていることを特徴とするもの
であり、叉、第４態様は、前記リードも前記モールド樹
脂で覆われていることを特徴とするものであり、叉、第
５態様は、前記リードは前記モールド樹脂で覆われてい
ないことを特徴とするものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるＢ
ＧＡ半導体装置の第１態様は、半導体チップをモールド
樹脂で封止したＢＧＡ半導体装置において、前記半導体
チップ上に半田ボールを配設すると共に、前記半導体チ
ップが配置されてない領域に半田ボールを配設したこと
を特徴とするものであり、叉、第２態様は、前記半導体
チップが配置されてない領域に設けられた半田ボール
は、前記半導体チップを固定するリードフレームのリー
ド上に設けられたものであることを特徴とするものであ
り、叉、第３態様は、前記半導体チップ上のパッドと前
記リードとは、ワイヤボンディングで接続され、前記半
導体チップ上のパッドとこの半導体チップ上の半田ボー
ルとは金属配線で接続されていることを特徴とするもの
であり、叉、第４態様は、前記リードも前記モールド樹
脂で覆われていることを特徴とするものであり、叉、第
５態様は、前記リードは前記モールド樹脂で覆われてい
ないことを特徴とするものである。
【０００５】叉、本発明に係わるＢＧＡ半導体装置の製
造方法の第１態様は、半導体チップをモールド樹脂で封
止したＢＧＡ半導体装置の製造方法において、半導体チ
ップ上のパッドと半田ボールを取付けるランドとを接続
する金属配線層を形成する工程と、前記半導体チップを
リードフレーム上に固定すると共に、この半導体チップ
上のパッドと前記リードフレームのリードとをワイアボ
ンディングする工程と、を含むことを特徴とするもので
あり、叉、第２態様は、前記リードフレームには半田ボ
ールが取付けられることを特徴とするものである。
造方法の第１態様は、半導体チップをモールド樹脂で封
止したＢＧＡ半導体装置の製造方法において、半導体チ
ップ上のパッドと半田ボールを取付けるランドとを接続
する金属配線層を形成する工程と、前記半導体チップを
リードフレーム上に固定すると共に、この半導体チップ
上のパッドと前記リードフレームのリードとをワイアボ
ンディングする工程と、を含むことを特徴とするもので
あり、叉、第２態様は、前記リードフレームには半田ボ
ールが取付けられることを特徴とするものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明に係わるＢＧＡ半導体装置
は、半導体チップをモールド樹脂で封止したＢＧＡ半導
体装置において、前記半導体チップ上に半田ボールを配
設すると共に、前記半導体チップが配置されてない領域
に半田ボールを配設したことを特徴とするものであるか
ら、半導体チップの大きさが小さいものであっても、多
くの半田ボールを取付けることができる。
は、半導体チップをモールド樹脂で封止したＢＧＡ半導
体装置において、前記半導体チップ上に半田ボールを配
設すると共に、前記半導体チップが配置されてない領域
に半田ボールを配設したことを特徴とするものであるか
ら、半導体チップの大きさが小さいものであっても、多
くの半田ボールを取付けることができる。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明に係わるＢＧＡ半導体装置と
その製造方法の具体例を図面を参照しながら詳細に説明
する。図１は、本発明に係わるＢＧＡ半導体装置の具体
例の構造を示す図であって、これらの図には、半導体チ
ップ１をモールド樹脂２６で封止したＢＧＡ半導体装置
において、前記半導体チップ１上に半田ボール２９を配
設すると共に、前記半導体チップ１が配置されてない領
域３１に半田ボール２９を配設したＢＧＡ半導体装置が
示され、叉、前記半導体チップ１が配置されてない領域
３１に設けられた半田ボール２９は、前記半導体チップ
１を固定するリードフレーム２１のリード２３上に設け
られたＢＧＡ半導体装置が示され、叉、前記半導体チッ
プ１上のパッド３と前記リード２３とは、ワイヤボンデ
ィング２５で接続され、前記半導体チップ１上のパッド
３とこの半導体チップ１上の半田ボール２９とは金属配
線１６で接続されているＢＧＡ半導体装置が示されてい
る。
その製造方法の具体例を図面を参照しながら詳細に説明
する。図１は、本発明に係わるＢＧＡ半導体装置の具体
例の構造を示す図であって、これらの図には、半導体チ
ップ１をモールド樹脂２６で封止したＢＧＡ半導体装置
において、前記半導体チップ１上に半田ボール２９を配
設すると共に、前記半導体チップ１が配置されてない領
域３１に半田ボール２９を配設したＢＧＡ半導体装置が
示され、叉、前記半導体チップ１が配置されてない領域
３１に設けられた半田ボール２９は、前記半導体チップ
１を固定するリードフレーム２１のリード２３上に設け
られたＢＧＡ半導体装置が示され、叉、前記半導体チッ
プ１上のパッド３と前記リード２３とは、ワイヤボンデ
ィング２５で接続され、前記半導体チップ１上のパッド
３とこの半導体チップ１上の半田ボール２９とは金属配
線１６で接続されているＢＧＡ半導体装置が示されてい
る。
【０００８】以下に、本発明を更に詳細に説明する。 （１）半導体チップ上のパッドと半田ボール用のランド
間に金属配線１６を形成する工程、図２に示すように、
半導体チップ１の層間絶縁膜２上のパッド３上にカバー
膜４を塗布し、その上にポリイミド５を塗布する（図２
（ａ））。そして、塗布したポリイミド５を露光、現像
してパッド３上に開口６を形成する（図２（ｂ））。そ
の後、ポリイミド５をベーク後、パッド３上のカバー膜
４をエッチングしてスルーホ―ル７を形成しパッド３を
露出させ、絶縁用の下ポリイミド膜８の成膜を終了する
（図２（ｃ）、（ｄ））。
間に金属配線１６を形成する工程、図２に示すように、
半導体チップ１の層間絶縁膜２上のパッド３上にカバー
膜４を塗布し、その上にポリイミド５を塗布する（図２
（ａ））。そして、塗布したポリイミド５を露光、現像
してパッド３上に開口６を形成する（図２（ｂ））。そ
の後、ポリイミド５をベーク後、パッド３上のカバー膜
４をエッチングしてスルーホ―ル７を形成しパッド３を
露出させ、絶縁用の下ポリイミド膜８の成膜を終了する
（図２（ｃ）、（ｄ））。
【０００９】次に、図３に示すように、下ポリイミド膜
８上にパッド３から導出する金属配線と、この金属配線
に設けられる半田ボール取付け用のランドを形成する。
始めに、スルーホール７を含む下ポリイミド膜８上にＴ
ｉＷ膜１１をスパッタにて成膜した後、この膜上にＣｕ
膜１２をスパッタにて成膜する（図３（ａ））。その
後、半田ボール取付け用のランド１５と、パッド３とラ
ンド１５とを接続する配線１６のパターニングを行うた
め、ホトレジスト膜１３を塗布し、所定の形状にパター
ニングし（図３（ｂ））、その後、このホトレジスト膜
１３をマスクとして、Ｃｕ膜１２とＴｉＷ膜１１をウエ
ットエッチングし、ランド１５と金属配線１６とを形成
する（図３（ｃ））。そして、ホトレジスト膜１３を除
去する（図３（ｄ））。最後に、ランド１５上を除く全
面にポリイミド１７を塗布することで、ランド１５と金
属配線１６とは下ポリイミド８と上ポリイミド１７とで
完全に覆われて絶縁され、この工程を終了する（図３
（ｅ））。１８は、ランド１５上の上ポリイミド１７の
半田ボール取付け用の開口である。
８上にパッド３から導出する金属配線と、この金属配線
に設けられる半田ボール取付け用のランドを形成する。
始めに、スルーホール７を含む下ポリイミド膜８上にＴ
ｉＷ膜１１をスパッタにて成膜した後、この膜上にＣｕ
膜１２をスパッタにて成膜する（図３（ａ））。その
後、半田ボール取付け用のランド１５と、パッド３とラ
ンド１５とを接続する配線１６のパターニングを行うた
め、ホトレジスト膜１３を塗布し、所定の形状にパター
ニングし（図３（ｂ））、その後、このホトレジスト膜
１３をマスクとして、Ｃｕ膜１２とＴｉＷ膜１１をウエ
ットエッチングし、ランド１５と金属配線１６とを形成
する（図３（ｃ））。そして、ホトレジスト膜１３を除
去する（図３（ｄ））。最後に、ランド１５上を除く全
面にポリイミド１７を塗布することで、ランド１５と金
属配線１６とは下ポリイミド８と上ポリイミド１７とで
完全に覆われて絶縁され、この工程を終了する（図３
（ｅ））。１８は、ランド１５上の上ポリイミド１７の
半田ボール取付け用の開口である。
【００１０】（２）リードフレームに上記の加工を施し
たチップを取付ける工程、次に、図４に示したように、
リードフレーム２１に上記の加工を施したチップ１を取
付ける。リードフレーム２１は、中央部にチップ１を固
定するためのアイランド２２が設けられ、このアイラン
ド２２を囲むように、リード２３が形成されている。そ
して、このリード２３には、半田ボールを取付けるため
の円形状のランド２４が形成されている。
たチップを取付ける工程、次に、図４に示したように、
リードフレーム２１に上記の加工を施したチップ１を取
付ける。リードフレーム２１は、中央部にチップ１を固
定するためのアイランド２２が設けられ、このアイラン
ド２２を囲むように、リード２３が形成されている。そ
して、このリード２３には、半田ボールを取付けるため
の円形状のランド２４が形成されている。
【００１１】リードフレーム２１上へのチップ１の取付
けは、従来の方法と変わらない。リードフレーム２１上
へのチップ１の取付けが終了すると、チップ１のパッド
とリード２３とを金属細線２５でワイアボンディングし
てリードフレーム２１への組付けを終了する。 （３）モールド樹脂封止工程と半田ボールのマウント工
程、その後、チップ１とリードフレーム２１のリード２
３をモールド樹脂２６で封止する（図５）、この際、チ
ップ１上のランド１５と、リード２３のランド２４上に
半田ボールマウント用の開口２７が設けられる。そし
て、レーザにてバリ取りを行った後、モールド樹脂２６
の開口２７にクリーム半田２８を入れる（図６）、開口
２７に半田ボール２９を組み付けた後、パッケージを切
断して個片化して、本発明のＢＧＡ半導体装置を完成さ
せる（図７）。
けは、従来の方法と変わらない。リードフレーム２１上
へのチップ１の取付けが終了すると、チップ１のパッド
とリード２３とを金属細線２５でワイアボンディングし
てリードフレーム２１への組付けを終了する。 （３）モールド樹脂封止工程と半田ボールのマウント工
程、その後、チップ１とリードフレーム２１のリード２
３をモールド樹脂２６で封止する（図５）、この際、チ
ップ１上のランド１５と、リード２３のランド２４上に
半田ボールマウント用の開口２７が設けられる。そし
て、レーザにてバリ取りを行った後、モールド樹脂２６
の開口２７にクリーム半田２８を入れる（図６）、開口
２７に半田ボール２９を組み付けた後、パッケージを切
断して個片化して、本発明のＢＧＡ半導体装置を完成さ
せる（図７）。
【００１２】なお、上記説明では、リードフレーム２１
のリード２３もモールド樹脂２６で覆われているが、リ
ード２３がモールド樹脂２６で覆われていないように構
成しても良い。
のリード２３もモールド樹脂２６で覆われているが、リ
ード２３がモールド樹脂２６で覆われていないように構
成しても良い。
【００１３】
【発明の効果】本発明に係わるＢＧＡ半導体装置とその
製造方法は、上述のように構成したので、半導体チップ
の大きさが小さいものであっても、多くの半田ボールを
取付けることができる。しかも、構成が簡単であるか
ら、実施も容易である等優れた特徴を有する。
製造方法は、上述のように構成したので、半導体チップ
の大きさが小さいものであっても、多くの半田ボールを
取付けることができる。しかも、構成が簡単であるか
ら、実施も容易である等優れた特徴を有する。
【図１】本発明に係わるＢＧＡ半導体装置の拡大図であ
る。
る。
【図２】下ポリイミド膜を成膜する工程を示す図であ
る。
る。
【図３】チップ上に配線層と半田ボール用のランドとを
形成すると共に、これらをポリイミド膜で絶縁する工程
を示す図である。
形成すると共に、これらをポリイミド膜で絶縁する工程
を示す図である。
【図４】リードフレームにチップを組み付けた状態を示
す図である。
す図である。
【図５】チップをモールド樹脂で封止した状態を示す図
である。
である。
【図６】モールド樹脂の開口部分近傍の拡大図である。
【図７】半田ボールを組付けた状態を示す図である。
１ 半導体チップ ２ 層間絶縁膜 ３ パッド ４ カバー膜 ５、１７ ポリイミド ６、１８、２７ 開口 ７ スルーホール ８ 下ポリイミド膜 １１ ＴｉＷ膜 １２ Ｃｕ膜 １３ ホトレジスト膜 １５、２４ ランド １６ 配線 ２１ リードフレーム ２２ アイランド ２３ リード ２５ 金属細線 ２６ モールド樹脂 ２８ クリーム半田 ２９ 半田ボール ３１ 半導体チップが配置されてない領域
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年７月１６日（１９９９．７．１
６）
６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるＢ
ＧＡ半導体装置の第１態様は、半導体チップをモールド
樹脂で封止したＢＧＡ半導体装置において、半田ボール
が、前記半導体チップを固定するリードフレームのリー
ド上に設けられたものであることを特徴とするものであ
り、叉、第２態様は、前記半導体チップ上のパッドと前
記リードとは、ワイヤボンディングで接続され、前記半
導体チップ上のパッドとこの半導体チップ上に設けられ
た半田ボールとは金属配線で接続されていることを特徴
とするものであり、叉、第３態様は、前記リードは前記
モールド樹脂で覆われていることを特徴とするものであ
り、叉、第４態様は、前記リードは前記モールド樹脂で
覆われていないことを特徴とするものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるＢ
ＧＡ半導体装置の第１態様は、半導体チップをモールド
樹脂で封止したＢＧＡ半導体装置において、半田ボール
が、前記半導体チップを固定するリードフレームのリー
ド上に設けられたものであることを特徴とするものであ
り、叉、第２態様は、前記半導体チップ上のパッドと前
記リードとは、ワイヤボンディングで接続され、前記半
導体チップ上のパッドとこの半導体チップ上に設けられ
た半田ボールとは金属配線で接続されていることを特徴
とするものであり、叉、第３態様は、前記リードは前記
モールド樹脂で覆われていることを特徴とするものであ
り、叉、第４態様は、前記リードは前記モールド樹脂で
覆われていないことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】叉、本発明に係わるＢＧＡ半導体装置の製
造方法の態様は、半導体チップをモールド樹脂で封止し
たＢＧＡ半導体装置の製造方法において、半導体チップ
上のパッドと半田ボールを取付けるランドとを接続する
金属配線層を形成する第１の工程と、前記半導体チップ
をリードフレーム上に固定すると共に、この半導体チッ
プ上のパッドと前記リードフレームのリードとをワイア
ボンディングする第２の工程と、前記半導体チップ上の
ランド及び前記リードフレームのリード上に半田ボール
を組み付ける第３の工程と、を含むことを特徴とするも
のである。 ─────────────────────────────────────────────────────
造方法の態様は、半導体チップをモールド樹脂で封止し
たＢＧＡ半導体装置の製造方法において、半導体チップ
上のパッドと半田ボールを取付けるランドとを接続する
金属配線層を形成する第１の工程と、前記半導体チップ
をリードフレーム上に固定すると共に、この半導体チッ
プ上のパッドと前記リードフレームのリードとをワイア
ボンディングする第２の工程と、前記半導体チップ上の
ランド及び前記リードフレームのリード上に半田ボール
を組み付ける第３の工程と、を含むことを特徴とするも
のである。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１０月２２日（１９９９．１０．
２２）
２２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるＢ
ＧＡ半導体装置の第１態様は、リードフレームに搭載さ
れた半導体チップをモールド樹脂で封止したＢＧＡ半導
体装置において、前記半導体チップの一方の面には、前
記リードフレームのリード部に電気的に接続された第１
のパッドが設けられると共に、前記半導体チップ上に形
成されたランド部に電気的に接続された第２のパッドと
が設けられ、前記半導体チップの他方の面は、前記リー
ドフレームのアイランドに固着され、前記リード部と前
記ランド部とに半田ボールが配設されていることを特徴
とするものであり、叉、第２態様は、前記第１のパッド
と前記リード部とは、ワイヤボンディングで接続され、
前記第２のパッドと前記ランド部とは、前記半導体チッ
プに形成された金属配線層で接続されていることを特徴
とするものであり、叉、第３態様は、前記リード部は、
前記モールド樹脂で覆われていることを特徴とするもの
であり、叉、第４態様は、前記リード部は、前記モール
ド樹脂で覆われていないことを特徴とするものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるＢ
ＧＡ半導体装置の第１態様は、リードフレームに搭載さ
れた半導体チップをモールド樹脂で封止したＢＧＡ半導
体装置において、前記半導体チップの一方の面には、前
記リードフレームのリード部に電気的に接続された第１
のパッドが設けられると共に、前記半導体チップ上に形
成されたランド部に電気的に接続された第２のパッドと
が設けられ、前記半導体チップの他方の面は、前記リー
ドフレームのアイランドに固着され、前記リード部と前
記ランド部とに半田ボールが配設されていることを特徴
とするものであり、叉、第２態様は、前記第１のパッド
と前記リード部とは、ワイヤボンディングで接続され、
前記第２のパッドと前記ランド部とは、前記半導体チッ
プに形成された金属配線層で接続されていることを特徴
とするものであり、叉、第３態様は、前記リード部は、
前記モールド樹脂で覆われていることを特徴とするもの
であり、叉、第４態様は、前記リード部は、前記モール
ド樹脂で覆われていないことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】叉、本発明に係わるＢＧＡ半導体装置の製
造方法の態様は、リードフレームに搭載された半導体チ
ップをモールド樹脂で封止したＢＧＡ半導体装置の製造
方法において、リードフレームのリード部に電気的に接
続される第１のパッドと前記半導体チップに形成された
ランド部に電気的に接続された第２のパッドとを前記半
導体チップの第１の面に設け、この半導体チップの第２
の面を前記リードフレームのアイランドに固定する第１
の工程と、前記第１のパッドと前記リード部とをワイヤ
ボンディングする第２の工程と、前記ンド部と前記リー
ド部とに半田ボールを組み付ける第３の工程と、を含む
ことを特徴とするものである。
造方法の態様は、リードフレームに搭載された半導体チ
ップをモールド樹脂で封止したＢＧＡ半導体装置の製造
方法において、リードフレームのリード部に電気的に接
続される第１のパッドと前記半導体チップに形成された
ランド部に電気的に接続された第２のパッドとを前記半
導体チップの第１の面に設け、この半導体チップの第２
の面を前記リードフレームのアイランドに固定する第１
の工程と、前記第１のパッドと前記リード部とをワイヤ
ボンディングする第２の工程と、前記ンド部と前記リー
ド部とに半田ボールを組み付ける第３の工程と、を含む
ことを特徴とするものである。
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体チップをモールド樹脂で封止した
ＢＧＡ半導体装置において、 前記半導体チップ上に半田ボールを配設すると共に、前
記半導体チップが配置されてない領域に半田ボールを配
設したことを特徴とするＢＧＡ半導体装置。 - 【請求項２】 前記半導体チップが配置されてない領域
に設けられた半田ボールは、前記半導体チップを固定す
るリードフレームのリード上に設けられたものであるこ
とを特徴とする請求項１記載のＢＧＡ半導体装置。 - 【請求項３】 前記半導体チップ上のパッドと前記リー
ドとは、ワイヤボンディングで接続され、前記半導体チ
ップ上のパッドとこの半導体チップ上の半田ボールとは
金属配線で接続されていることを特徴とする請求項２記
載のＢＧＡ半導体装置。 - 【請求項４】 前記リードも前記モールド樹脂で覆われ
ていることを特徴とする請求項３記載のＢＧＡ半導体装
置。 - 【請求項５】 前記リードは前記モールド樹脂で覆われ
ていないことを特徴とする請求項３記載のＢＧＡ半導体
装置。 - 【請求項６】 半導体チップをモールド樹脂で封止した
ＢＧＡ半導体装置の製造方法において、 半導体チップ上のパッドと半田ボールを取付けるランド
とを接続する金属配線層を形成する工程と、 前記半導体チップをリードフレーム上に固定すると共
に、この半導体チップ上のパッドと前記リードフレーム
のリードとをワイアボンディングする工程と、を含むこ
とを特徴とするＢＧＡ半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記リードフレームには半田ボールが取
付けられることを特徴とする請求項６記載のＢＧＡ半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10230746A JP3056166B2 (ja) | 1998-08-17 | 1998-08-17 | Ｂｇａ半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10230746A JP3056166B2 (ja) | 1998-08-17 | 1998-08-17 | Ｂｇａ半導体装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058708A true JP2000058708A (ja) | 2000-02-25 |
| JP3056166B2 JP3056166B2 (ja) | 2000-06-26 |
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ID=16912649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP10230746A Expired - Fee Related JP3056166B2 (ja) | 1998-08-17 | 1998-08-17 | Ｂｇａ半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3056166B2 (ja) |
-
1998
- 1998-08-17 JP JP10230746A patent/JP3056166B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3056166B2 (ja) | 2000-06-26 |
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