JP2000058304A - チップ型抵抗器の構造 - Google Patents
チップ型抵抗器の構造Info
- Publication number
- JP2000058304A JP2000058304A JP11044328A JP4432899A JP2000058304A JP 2000058304 A JP2000058304 A JP 2000058304A JP 11044328 A JP11044328 A JP 11044328A JP 4432899 A JP4432899 A JP 4432899A JP 2000058304 A JP2000058304 A JP 2000058304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass frit
- glass
- undercoat
- resistive film
- protective coat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁基板１の上面に、ガラスフリット含む抵
抗膜４と、その両端に対する上面電極２，３と、ガラス
によるアンダーコート５及び保護コート７とを形成し、
更に、前記絶縁基板１の左右端面に、側面電極８，９を
形成して成るチップ型抵抗器において、前記抵抗膜４を
トリミング調整した後の抵抗値が、前記保護コート７及
び側面電極８，９を形成するときの焼成にて変化するこ
とを低減する。 【解決手段】 前記アンダーコート５のガラス、又は、
前記抵抗膜４におけるガラスフリッド、或いは、前記上
面電極２，３におけるガラスフリットを、前記保護コー
ト７及び側面電極８，９を形成するときの焼成温度より
も高い軟化点を有するものにする。
抗膜４と、その両端に対する上面電極２，３と、ガラス
によるアンダーコート５及び保護コート７とを形成し、
更に、前記絶縁基板１の左右端面に、側面電極８，９を
形成して成るチップ型抵抗器において、前記抵抗膜４を
トリミング調整した後の抵抗値が、前記保護コート７及
び側面電極８，９を形成するときの焼成にて変化するこ
とを低減する。 【解決手段】 前記アンダーコート５のガラス、又は、
前記抵抗膜４におけるガラスフリッド、或いは、前記上
面電極２，３におけるガラスフリットを、前記保護コー
ト７及び側面電極８，９を形成するときの焼成温度より
も高い軟化点を有するものにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型に構成し
た絶縁基板の上面に、厚膜状の抵抗膜を形成して成るチ
ップ型抵抗器の構造に関するものである。
た絶縁基板の上面に、厚膜状の抵抗膜を形成して成るチ
ップ型抵抗器の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のチップ型抵抗器は、例え
ば、特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されている
ように、チップ型に構成した絶縁基板の上面に、厚膜状
の抵抗膜と、その両端に対する上面電極とを形成し、更
に、ガラスによるアンダーコートを、前記抵抗膜を覆う
ように形成したのち、このアンダーコートの上から前記
抵抗膜にレーザ光線の照射によってトリミング溝を刻設
することにより、前記抵抗膜における抵抗値が所定値に
なるようにトリミング調整し、加えて、前記絶縁基板の
上面に、前記抵抗膜及び前記アンダーコートの全体を覆
うガラスによる保護コートを形成したのち、前記絶縁基
板の左右両端面に、前記上面電極に連続する側面電極を
形成すると言う構成にしている。
ば、特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されている
ように、チップ型に構成した絶縁基板の上面に、厚膜状
の抵抗膜と、その両端に対する上面電極とを形成し、更
に、ガラスによるアンダーコートを、前記抵抗膜を覆う
ように形成したのち、このアンダーコートの上から前記
抵抗膜にレーザ光線の照射によってトリミング溝を刻設
することにより、前記抵抗膜における抵抗値が所定値に
なるようにトリミング調整し、加えて、前記絶縁基板の
上面に、前記抵抗膜及び前記アンダーコートの全体を覆
うガラスによる保護コートを形成したのち、前記絶縁基
板の左右両端面に、前記上面電極に連続する側面電極を
形成すると言う構成にしている。
【０００３】この場合において、前記上面電極は、その
ガラスフリットを混合した材料ペーストをスクリーン印
刷にて塗着して乾燥したのち約８５０℃の温度で焼成す
ることにより形成し、また、前記抵抗膜は、ガラスフリ
ットを混合した材料ペーストをスクリーン印刷にて塗着
して乾燥したのち約８５０℃の温度で焼成することによ
り形成し、更にまた、前記アンダーコート及び前記保護
コートは、その材料ペーストをスクリーン印刷にて塗着
して乾燥したのち約６００℃の温度で焼成することによ
り形成し、そして、前記側面電極は、同じくガラスフリ
ットを混合した材料ペーストを塗着して乾燥したのち約
６００℃の温度で焼成することにより形成するようにし
ている。
ガラスフリットを混合した材料ペーストをスクリーン印
刷にて塗着して乾燥したのち約８５０℃の温度で焼成す
ることにより形成し、また、前記抵抗膜は、ガラスフリ
ットを混合した材料ペーストをスクリーン印刷にて塗着
して乾燥したのち約８５０℃の温度で焼成することによ
り形成し、更にまた、前記アンダーコート及び前記保護
コートは、その材料ペーストをスクリーン印刷にて塗着
して乾燥したのち約６００℃の温度で焼成することによ
り形成し、そして、前記側面電極は、同じくガラスフリ
ットを混合した材料ペーストを塗着して乾燥したのち約
６００℃の温度で焼成することにより形成するようにし
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来は、前記
抵抗膜を形成する材料ペーストと、前記上面電極を形成
する材料ペーストに混入するガラスフリット、及び、前
記アンダーコートを形成する材料ペーストにおけるガラ
スとして、軟化点が約６００℃、又はこれ以下のガラス
を使用しているから、前記トリミング調整した後におけ
る抵抗膜の抵抗値が、このトリミング調整した後におい
て保護コート及び側面電極を形成するときの焼成によっ
て可成り変化すると言う問題があった。
抵抗膜を形成する材料ペーストと、前記上面電極を形成
する材料ペーストに混入するガラスフリット、及び、前
記アンダーコートを形成する材料ペーストにおけるガラ
スとして、軟化点が約６００℃、又はこれ以下のガラス
を使用しているから、前記トリミング調整した後におけ
る抵抗膜の抵抗値が、このトリミング調整した後におい
て保護コート及び側面電極を形成するときの焼成によっ
て可成り変化すると言う問題があった。
【０００５】すなわち、前記保護コート及び側面電極を
形成するときの焼成に際して、約６００℃の温度に加熱
すると、抵抗膜及び上面電極における軟化点が約６００
℃、又はこれ以下のガラスフリットと、同じく軟化点が
約６００℃、又はこれ以下のアンダーコートにおけるガ
ラスとが共に軟化して互いに融合することにより、アン
ダーコートにおけるガラスの一部が抵抗膜及び上面電極
内に浸入したり、抵抗膜及び上面電極におけるガラスフ
リットの一部がアンダーコート側に浸出したり、更に
は、抵抗膜と上面電極との相互間にガラスフリットの相
互浸透が発生することになるから、前記トリミング調整
した後における抵抗膜の抵抗値が、その後において保護
コート及び側面電極を形成することによってトリミング
調整したときの値よりも可成り変化することになる。
形成するときの焼成に際して、約６００℃の温度に加熱
すると、抵抗膜及び上面電極における軟化点が約６００
℃、又はこれ以下のガラスフリットと、同じく軟化点が
約６００℃、又はこれ以下のアンダーコートにおけるガ
ラスとが共に軟化して互いに融合することにより、アン
ダーコートにおけるガラスの一部が抵抗膜及び上面電極
内に浸入したり、抵抗膜及び上面電極におけるガラスフ
リットの一部がアンダーコート側に浸出したり、更に
は、抵抗膜と上面電極との相互間にガラスフリットの相
互浸透が発生することになるから、前記トリミング調整
した後における抵抗膜の抵抗値が、その後において保護
コート及び側面電極を形成することによってトリミング
調整したときの値よりも可成り変化することになる。
【０００６】このために、従来のものでは、製品におけ
る抵抗値のバラ付きが大きくて、精度が低いばかりか、
トリミング調整した後における保護コート及び側面電極
の形成のために、抵抗値が所定値から外れてしまって不
良品になると言う不良品の発生率が高くて、製造に際し
ての歩留り率が低いことにより、製造コストがアップす
るのである。
る抵抗値のバラ付きが大きくて、精度が低いばかりか、
トリミング調整した後における保護コート及び側面電極
の形成のために、抵抗値が所定値から外れてしまって不
良品になると言う不良品の発生率が高くて、製造に際し
ての歩留り率が低いことにより、製造コストがアップす
るのである。
【０００７】本発明は、この問題を解消したチップ型抵
抗器の構造を提供することを技術的課題とするものであ
る。
抗器の構造を提供することを技術的課題とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「チップ型に構成した絶縁基板の上面
に、ガラスフリットを含む材料による抵抗膜と、その両
端に対するガラスフリットを含む材料による上面電極
と、前記抵抗膜を覆うガラスによるアンダーコートと、
前記抵抗膜及び前記アンダーコートの全体を覆うガラス
による保護コートとを形成する一方、前記絶縁基板の左
右両端面に、ガラスフリットを含む材料による側面電極
を前記上面電極に接続するように形成して成るチップ型
抵抗器において、前記アンダーコートにおけるガラス
を、前記保護コート及び側面電極を形成するときの焼成
温度よりも高い軟化点を有するガラスにするか、又は、
前記抵抗膜におけるガラスフリットを、前記保護コート
及び側面電極を形成するときの焼成温度よりも高い軟化
点を有するガラスフリットにするか、或いは、前記上面
電極におけるガラスフリットを、前記保護コート及び側
面電極を形成するときの焼成温度よりも高い軟化点を有
するガラスフリットにする。」と言う構成にした。
るため本発明は、「チップ型に構成した絶縁基板の上面
に、ガラスフリットを含む材料による抵抗膜と、その両
端に対するガラスフリットを含む材料による上面電極
と、前記抵抗膜を覆うガラスによるアンダーコートと、
前記抵抗膜及び前記アンダーコートの全体を覆うガラス
による保護コートとを形成する一方、前記絶縁基板の左
右両端面に、ガラスフリットを含む材料による側面電極
を前記上面電極に接続するように形成して成るチップ型
抵抗器において、前記アンダーコートにおけるガラス
を、前記保護コート及び側面電極を形成するときの焼成
温度よりも高い軟化点を有するガラスにするか、又は、
前記抵抗膜におけるガラスフリットを、前記保護コート
及び側面電極を形成するときの焼成温度よりも高い軟化
点を有するガラスフリットにするか、或いは、前記上面
電極におけるガラスフリットを、前記保護コート及び側
面電極を形成するときの焼成温度よりも高い軟化点を有
するガラスフリットにする。」と言う構成にした。
【０００９】
【発明の作用・効果】このように、前記アンダーコート
におけるガラスを、前記保護コート及び側面電極を形成
するときの焼成温度よりも高い軟化点を有するガラスに
することにより、このアンダーコートにおけるガラス
は、前記保護コート及び側面電極を形成するときの焼成
に際して軟化しないから、換言すると、このアンダーコ
ートにおけるガラスが、抵抗膜におけるガラスフリット
に対して互いに融合することがないから、アンダーコー
トにおけるガラスが抵抗膜内に浸入したり、抵抗膜にお
けるガラスフリットがアンダーコート側に浸出したする
ことを確実に少なくできるのである。
におけるガラスを、前記保護コート及び側面電極を形成
するときの焼成温度よりも高い軟化点を有するガラスに
することにより、このアンダーコートにおけるガラス
は、前記保護コート及び側面電極を形成するときの焼成
に際して軟化しないから、換言すると、このアンダーコ
ートにおけるガラスが、抵抗膜におけるガラスフリット
に対して互いに融合することがないから、アンダーコー
トにおけるガラスが抵抗膜内に浸入したり、抵抗膜にお
けるガラスフリットがアンダーコート側に浸出したする
ことを確実に少なくできるのである。
【００１０】また、前記抵抗膜におけるガラスフリット
を、前記保護コート及び側面電極を形成するときの焼成
温度よりも高い軟化点を有するガラスフリットにするこ
とにより、この抵抗膜におけるガラスフリットは、前記
保護コート及び側面電極を形成するときの焼成に際して
軟化しないから、換言すると、この抵抗膜におけるガラ
スフリットが、アンダーコートにおけるガラスに対して
互いに融合することがないから、アンダーコートにおけ
るガラスが抵抗膜内に浸入したり、抵抗膜におけるガラ
スフリットがアンダーコート側に浸出したりすることを
確実に少なくできるのである。
を、前記保護コート及び側面電極を形成するときの焼成
温度よりも高い軟化点を有するガラスフリットにするこ
とにより、この抵抗膜におけるガラスフリットは、前記
保護コート及び側面電極を形成するときの焼成に際して
軟化しないから、換言すると、この抵抗膜におけるガラ
スフリットが、アンダーコートにおけるガラスに対して
互いに融合することがないから、アンダーコートにおけ
るガラスが抵抗膜内に浸入したり、抵抗膜におけるガラ
スフリットがアンダーコート側に浸出したりすることを
確実に少なくできるのである。
【００１１】更にまた、前記上面電極におけるガラスフ
リットを、前記保護コート及び側面電極を形成するとき
の焼成温度よりも高い軟化点を有するガラスフリットに
することにより、この上面電極におけるガラスフリット
は、前記保護コート及び側面電極を形成するときの焼成
に際して軟化しないから、換言すると、この上面電極に
おけるガラスフリットが、抵抗膜におけるガラスフリッ
ト及びアンダーコートにおけるガラスの両方に対して互
いに融合することがないから、アンダーコートにおける
ガラスが上面電極に浸入したり、上面電極と抵抗膜との
相互間にガラスフッリトの相互浸透が発生したりするこ
とを確実に少なくできるのである。
リットを、前記保護コート及び側面電極を形成するとき
の焼成温度よりも高い軟化点を有するガラスフリットに
することにより、この上面電極におけるガラスフリット
は、前記保護コート及び側面電極を形成するときの焼成
に際して軟化しないから、換言すると、この上面電極に
おけるガラスフリットが、抵抗膜におけるガラスフリッ
ト及びアンダーコートにおけるガラスの両方に対して互
いに融合することがないから、アンダーコートにおける
ガラスが上面電極に浸入したり、上面電極と抵抗膜との
相互間にガラスフッリトの相互浸透が発生したりするこ
とを確実に少なくできるのである。
【００１２】従って、本発明によると、トリミング調整
したときにおける抵抗値が、その後における保護コート
及び側面電極を形成するときにおいて変化することを大
幅に低減できるから、製品における抵抗値のバラ付きを
小さくして、抵抗値の精度を向上できる一方、不良品の
発生率が少なくなり、歩留り率が向上するから、製造の
コストを低減できる効果を有する。
したときにおける抵抗値が、その後における保護コート
及び側面電極を形成するときにおいて変化することを大
幅に低減できるから、製品における抵抗値のバラ付きを
小さくして、抵抗値の精度を向上できる一方、不良品の
発生率が少なくなり、歩留り率が向上するから、製造の
コストを低減できる効果を有する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１〜図６図面に基づいて製造方法と一緒に説明する。
１〜図６図面に基づいて製造方法と一緒に説明する。
【００１４】先づ、図１に示すように、チップ型に構成
した絶縁基板１の上面における左右両側の部分に、上面
電極２，３を、ガラスフリットを混合した材料ペースト
をスクリーン印刷にて塗着して乾燥したのち、約８５０
℃の温度で適宜時間焼成することによって形成する。
した絶縁基板１の上面における左右両側の部分に、上面
電極２，３を、ガラスフリットを混合した材料ペースト
をスクリーン印刷にて塗着して乾燥したのち、約８５０
℃の温度で適宜時間焼成することによって形成する。
【００１５】次に、図２に示すように、前記絶縁基板１
における上面のうち前記両上面電極２，３の間の部分
に、厚膜状の抵抗膜４を、ガラスフリットを混合した材
料ペーストを前記両上面電極２，３に対して一部だけ重
なるようにスクリーン印刷にて塗着して乾燥したのち、
約８５０℃の温度で適宜時間焼成することによって形成
する。
における上面のうち前記両上面電極２，３の間の部分
に、厚膜状の抵抗膜４を、ガラスフリットを混合した材
料ペーストを前記両上面電極２，３に対して一部だけ重
なるようにスクリーン印刷にて塗着して乾燥したのち、
約８５０℃の温度で適宜時間焼成することによって形成
する。
【００１６】なお、別の実施の形態では、抵抗膜４の方
を先に形成し、次いで、両上面電極２，３をその一部が
前記抵抗膜４の両端に一部だけ重なるように形成するこ
ともできる。
を先に形成し、次いで、両上面電極２，３をその一部が
前記抵抗膜４の両端に一部だけ重なるように形成するこ
ともできる。
【００１７】次に、図３に示すように、前記絶縁基板１
における上面のうち前記両上面電極２，３の間の部分
に、軟化点が約６２０℃のガラスによるアンダーコート
５を、その材料ペーストをスクリーン印刷にて塗着して
乾燥したのち、その軟化点以上の温度で適宜時間焼成す
ることによって、前記抵抗膜４を略全体を覆うように形
成する。
における上面のうち前記両上面電極２，３の間の部分
に、軟化点が約６２０℃のガラスによるアンダーコート
５を、その材料ペーストをスクリーン印刷にて塗着して
乾燥したのち、その軟化点以上の温度で適宜時間焼成す
ることによって、前記抵抗膜４を略全体を覆うように形
成する。
【００１８】次に、前記抵抗膜４における抵抗値を測定
しながら、前記アンダーコート５の上から前記抵抗膜４
にレーザ光線の照射によってトリミング溝６を刻設する
ことにより、前記抵抗膜４における抵抗値が所定値にな
るようにトリミング調整する。
しながら、前記アンダーコート５の上から前記抵抗膜４
にレーザ光線の照射によってトリミング溝６を刻設する
ことにより、前記抵抗膜４における抵抗値が所定値にな
るようにトリミング調整する。
【００１９】次に、図４に示すように、前記絶縁基板１
の上面に、前記抵抗膜４及びアンダーコート５の全体を
覆う軟化点が約６００℃又はこれ以下のガラスによる保
護コート７を、その材料ペーストをスクリーン印刷にて
塗着して乾燥したのち、約６００℃の温度で適宜時間焼
成することによって形成する。
の上面に、前記抵抗膜４及びアンダーコート５の全体を
覆う軟化点が約６００℃又はこれ以下のガラスによる保
護コート７を、その材料ペーストをスクリーン印刷にて
塗着して乾燥したのち、約６００℃の温度で適宜時間焼
成することによって形成する。
【００２０】そして、図５に示すように、前記絶縁基板
１の左右両端面１ａ，１ｂに、前記上面電極２，３に連
続する側面電極８，９を、ガラスフリットを混合した材
料ペーストを塗着して乾燥したのち、約６００℃の温度
で適宜時間焼成することによって形成したのち、この両
側面電極８，９及び前記両上面電極２，３の表面に、ニ
ッケルメッキ層を下地として錫又は半田のメッキ層を形
成することにより、図６に示すような、チップ型抵抗器
１０の完成品にするのである。
１の左右両端面１ａ，１ｂに、前記上面電極２，３に連
続する側面電極８，９を、ガラスフリットを混合した材
料ペーストを塗着して乾燥したのち、約６００℃の温度
で適宜時間焼成することによって形成したのち、この両
側面電極８，９及び前記両上面電極２，３の表面に、ニ
ッケルメッキ層を下地として錫又は半田のメッキ層を形
成することにより、図６に示すような、チップ型抵抗器
１０の完成品にするのである。
【００２１】このような構成のチップ型抵抗器におい
て、本発明では、前記したように、前記アンダーコート
５におけるガラスとして、前記保護コート７及び側面電
極８，９を形成するときの焼成温度である約６００℃よ
りも高い軟化点、例えば、６２０℃以上の軟化点を有す
るガラスに構成することを提案するものである。
て、本発明では、前記したように、前記アンダーコート
５におけるガラスとして、前記保護コート７及び側面電
極８，９を形成するときの焼成温度である約６００℃よ
りも高い軟化点、例えば、６２０℃以上の軟化点を有す
るガラスに構成することを提案するものである。
【００２２】このようにすることにより、このアンダー
コート５におけるガラスは、前記保護コート７及び側面
電極８，９を形成するときの焼成に際して軟化しないか
ら、換言すると、このアンダーコート５におけるガラス
が、抵抗膜４におけるガラスフリットに対して互いに融
合することがないから、アンダーコート５におけるガラ
スが抵抗膜４内に浸入したり、抵抗膜４におけるガラス
フリットがアンダーコート５側に浸出したすることを確
実に少なくでき、ひいては、トリミング調整したときに
おける抵抗値が、その後における保護コート７及び側面
電極８，９を形成するときにおいて変化することを大幅
に低減できるのである。
コート５におけるガラスは、前記保護コート７及び側面
電極８，９を形成するときの焼成に際して軟化しないか
ら、換言すると、このアンダーコート５におけるガラス
が、抵抗膜４におけるガラスフリットに対して互いに融
合することがないから、アンダーコート５におけるガラ
スが抵抗膜４内に浸入したり、抵抗膜４におけるガラス
フリットがアンダーコート５側に浸出したすることを確
実に少なくでき、ひいては、トリミング調整したときに
おける抵抗値が、その後における保護コート７及び側面
電極８，９を形成するときにおいて変化することを大幅
に低減できるのである。
【００２３】特に、本発明者達の実験によると、アンダ
ーコート５におけるガラスの軟化点を６５０℃と言うよ
うに、前記保護コート７及び側面電極８，９を形成する
ときの焼成温度よりも約５０℃以上に高くすることが好
ましく、これにより、前記保護コート７及び側面電極
８，９を形成する前後における抵抗値の変化率を、従来
の場合の約１０分の１程度にすることができるのであっ
た。
ーコート５におけるガラスの軟化点を６５０℃と言うよ
うに、前記保護コート７及び側面電極８，９を形成する
ときの焼成温度よりも約５０℃以上に高くすることが好
ましく、これにより、前記保護コート７及び側面電極
８，９を形成する前後における抵抗値の変化率を、従来
の場合の約１０分の１程度にすることができるのであっ
た。
【００２４】また、本発明は、前記抵抗膜４におけるガ
ラスフリットを、前記保護コート７及び側面電極８，９
を形成するときの焼成温度である約６００℃よりも高い
軟化点、例えば、６２０℃以上の軟化点を有するガラス
フリットに構成することを提案するものである。
ラスフリットを、前記保護コート７及び側面電極８，９
を形成するときの焼成温度である約６００℃よりも高い
軟化点、例えば、６２０℃以上の軟化点を有するガラス
フリットに構成することを提案するものである。
【００２５】このようにすることにより、この抵抗膜４
におけるガラスフリットは、前記保護コート７及び側面
電極８，９を形成するときの焼成に際して軟化しないか
ら、換言すると、この抵抗膜４におけるガラスフリット
が、アンダーコート５におけるガラスに対してに互いに
融合することがないから、アンダーコート５におけるガ
ラスが抵抗膜４内に浸入したり、抵抗膜４におけるガラ
スフリットがアンダーコート５側に浸出したりすること
を確実に少なくでき、ひいては、トリミング調整したと
きにおける抵抗値が、その後における保護コート７及び
側面電極８，９を形成するときにおいて変化することを
大幅に低減できるのである。
におけるガラスフリットは、前記保護コート７及び側面
電極８，９を形成するときの焼成に際して軟化しないか
ら、換言すると、この抵抗膜４におけるガラスフリット
が、アンダーコート５におけるガラスに対してに互いに
融合することがないから、アンダーコート５におけるガ
ラスが抵抗膜４内に浸入したり、抵抗膜４におけるガラ
スフリットがアンダーコート５側に浸出したりすること
を確実に少なくでき、ひいては、トリミング調整したと
きにおける抵抗値が、その後における保護コート７及び
側面電極８，９を形成するときにおいて変化することを
大幅に低減できるのである。
【００２６】特に、この場合においても、本発明者達の
実験によると、抵抗膜４におけるガラスフリットの軟化
点を６５０℃と言うように、前記保護コート７及び側面
電極８，９を形成するときの焼成温度よりも約５０℃以
上に高くすることが好ましく、これにより、前記保護コ
ート７及び側面電極８，９を形成する前後における抵抗
値の変化率を、従来の場合の約５分の１程度にすること
ができるのであった。
実験によると、抵抗膜４におけるガラスフリットの軟化
点を６５０℃と言うように、前記保護コート７及び側面
電極８，９を形成するときの焼成温度よりも約５０℃以
上に高くすることが好ましく、これにより、前記保護コ
ート７及び側面電極８，９を形成する前後における抵抗
値の変化率を、従来の場合の約５分の１程度にすること
ができるのであった。
【００２７】更にまた、本発明は、前記上面電極２，３
におけるガラスフリットを、前記保護コート７及び側面
電極８，９を形成するときの焼成温度である約６００℃
よりも高い軟化点、例えば、６２０℃以上の軟化点を有
するガラスフリットに構成することを提案するものであ
る。
におけるガラスフリットを、前記保護コート７及び側面
電極８，９を形成するときの焼成温度である約６００℃
よりも高い軟化点、例えば、６２０℃以上の軟化点を有
するガラスフリットに構成することを提案するものであ
る。
【００２８】このようにすることにより、この上面電極
２，３におけるガラスフリットは、前記保護コート７及
び側面電極８，９を形成するときの焼成に際して軟化し
ないから、換言すると、この上面電極２，３におけるガ
ラスフリットが、抵抗膜４におけるガラスフリット及び
アンダーコート５におけるガラスの両方に対して互いに
融合することがないから、アンダーコート５におけるガ
ラスが上面電極２，３に浸入したり、上面電極２，３と
抵抗膜４との相互間にガラスフッリトの相互浸透が発生
したりすることを確実に少なくでき、ひいては、トリミ
ング調整したときにおける抵抗値が、その後における保
護コート７及び側面電極８，９を形成するときにおいて
変化することを大幅に低減できるのである。
２，３におけるガラスフリットは、前記保護コート７及
び側面電極８，９を形成するときの焼成に際して軟化し
ないから、換言すると、この上面電極２，３におけるガ
ラスフリットが、抵抗膜４におけるガラスフリット及び
アンダーコート５におけるガラスの両方に対して互いに
融合することがないから、アンダーコート５におけるガ
ラスが上面電極２，３に浸入したり、上面電極２，３と
抵抗膜４との相互間にガラスフッリトの相互浸透が発生
したりすることを確実に少なくでき、ひいては、トリミ
ング調整したときにおける抵抗値が、その後における保
護コート７及び側面電極８，９を形成するときにおいて
変化することを大幅に低減できるのである。
【００２９】なお、この場合においても、上面電極２，
３におけるガラスフリットの軟化点を６５０℃と言うよ
うに、前記保護コート７及び側面電極８，９を形成する
ときの焼成温度よりも約５０℃以上に高くすることが好
ましい。
３におけるガラスフリットの軟化点を６５０℃と言うよ
うに、前記保護コート７及び側面電極８，９を形成する
ときの焼成温度よりも約５０℃以上に高くすることが好
ましい。
【００３０】本発明は、前記したように、アンダーコー
ト５のガラスを、保護コート７及び側面電極７，８を形
成するときの焼成温度よりも高い軟化点を有するガラス
にするか、又は、抵抗膜４におけるガラスフリットを、
保護コート７及び側面電極８，９を形成するときの焼成
温度よりも高い軟化点を有するガラスフリットにする
か、或いは、上面電極２，３におけるガラスフリット
を、保護コート７及び側面電極８，９を形成するときの
焼成温度よりも高い軟化点を有するガラスフリットにす
ることに限らず、アンダーコート５におけるガラス、抵
抗膜４におけるガラスフリット及び上面電極２，３にお
けるガラスフリットの三者、又はこの三者のうち任意の
二者を、保護コート７及び側面電極７，８を形成すると
きの焼成温度よりも高い軟化点を有するものに構成して
も良く、これにより、前記した効果を更に助長できるこ
とは言うまでもない。
ト５のガラスを、保護コート７及び側面電極７，８を形
成するときの焼成温度よりも高い軟化点を有するガラス
にするか、又は、抵抗膜４におけるガラスフリットを、
保護コート７及び側面電極８，９を形成するときの焼成
温度よりも高い軟化点を有するガラスフリットにする
か、或いは、上面電極２，３におけるガラスフリット
を、保護コート７及び側面電極８，９を形成するときの
焼成温度よりも高い軟化点を有するガラスフリットにす
ることに限らず、アンダーコート５におけるガラス、抵
抗膜４におけるガラスフリット及び上面電極２，３にお
けるガラスフリットの三者、又はこの三者のうち任意の
二者を、保護コート７及び側面電極７，８を形成すると
きの焼成温度よりも高い軟化点を有するものに構成して
も良く、これにより、前記した効果を更に助長できるこ
とは言うまでもない。
【図１】絶縁基板に上面電極を形成した状態を示す斜視
図である。
図である。
【図２】前記絶縁基板に抵抗膜を形成した状態を示す斜
視図である。
視図である。
【図３】前記絶縁基板にアンダーコートを形成した状態
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図４】前記絶縁基板に保護コートを形成した状態を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５】前記絶縁基板に側面電極を形成した状態を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図６】図５のVI−VI視拡大断面図である。
１ 絶縁基板 １ａ，１ｂ 絶縁基板の端面 ２，３ 上面電極 ４ 抵抗膜 ５ アンダーコート ６ トリミング溝 ７ 保護コート ８，９ 側面電極 １０ チップ型抵抗器
Claims (3)
- 【請求項１】チップ型に構成した絶縁基板の上面に、ガ
ラスフリットを含む材料による抵抗膜と、その両端に対
するガラスフリットを含む材料による上面電極と、前記
抵抗膜を覆うガラスによるアンダーコートと、前記抵抗
膜及び前記アンダーコートの全体を覆うガラスによる保
護コートとを形成する一方、前記絶縁基板の左右両端面
に、ガラスフリットを含む材料による側面電極を前記上
面電極に接続するように形成して成るチップ型抵抗器に
おいて、 前記アンダーコートにおけるガラスを、前記保護コート
及び側面電極を形成するときの焼成温度よりも高い軟化
点を有するガラスにしたことを特徴とするチップ型抵抗
器の構造。 - 【請求項２】チップ型に構成した絶縁基板の上面に、ガ
ラスフリットを含む材料による抵抗膜と、その両端に対
するガラスフリットを含む材料による上面電極と、前記
抵抗膜を覆うガラスによるアンダーコートと、前記抵抗
膜及び前記アンダーコートの全体を覆うガラスによる保
護コートとを形成する一方、前記絶縁基板の左右両端面
に、ガラスフリットを含む材料による側面電極を前記上
面電極に接続するように形成して成るチップ型抵抗器に
おいて、 前記抵抗膜におけるガラスフリットを、前記保護コート
及び側面電極を形成するときの焼成温度よりも高い軟化
点を有するガラスフリットにしたことを特徴とするチッ
プ型抵抗器の構造。 - 【請求項３】チップ型に構成した絶縁基板の上面に、ガ
ラスフリットを含む材料による抵抗膜と、その両端に対
するガラスフリットを含む材料による上面電極と、前記
抵抗膜を覆うガラスによるアンダーコートと、前記抵抗
膜及び前記アンダーコートの全体を覆うガラスによる保
護コートとを形成する一方、前記絶縁基板の左右両端面
に、ガラスフリットを含む材料による側面電極を前記上
面電極に接続するように形成して成るチップ型抵抗器に
おいて、 前記上面電極におけるガラスフリットを、前記保護コー
ト及び側面電極を形成するときの焼成温度よりも高い軟
化点を有するガラスフリットにしたことを特徴とするチ
ップ型抵抗器の構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11044328A JP2000058304A (ja) | 1998-06-02 | 1999-02-23 | チップ型抵抗器の構造 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15277398 | 1998-06-02 | ||
| JP10-152773 | 1998-06-02 | ||
| JP11044328A JP2000058304A (ja) | 1998-06-02 | 1999-02-23 | チップ型抵抗器の構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058304A true JP2000058304A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=26384187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11044328A Pending JP2000058304A (ja) | 1998-06-02 | 1999-02-23 | チップ型抵抗器の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000058304A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018026519A (ja) * | 2016-08-11 | 2018-02-15 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | チップ抵抗素子及びチップ抵抗素子アセンブリー |
-
1999
- 1999-02-23 JP JP11044328A patent/JP2000058304A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018026519A (ja) * | 2016-08-11 | 2018-02-15 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | チップ抵抗素子及びチップ抵抗素子アセンブリー |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6153256A (en) | Chip resistor and method of making the same | |
| JP3637124B2 (ja) | チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 | |
| US9035740B2 (en) | Circuit protective device and method for manufacturing the same | |
| JPH1126204A (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
| JPS62293707A (ja) | キャップ付き電子部品 | |
| JP2002270409A (ja) | チップ型抵抗器の製造方法、およびチップ型抵抗器 | |
| JP2000058304A (ja) | チップ型抵抗器の構造 | |
| WO2017033793A1 (ja) | チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 | |
| JP4046178B2 (ja) | チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| JPWO2018190057A1 (ja) | チップ抵抗器 | |
| CN100378874C (zh) | 片式网络电阻器的制备方法 | |
| JPH04214601A (ja) | 機能修正用角形チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| JPH0465046A (ja) | チップ形ヒューズ抵抗器 | |
| JP2003282303A (ja) | チップ抵抗器 | |
| JP3769859B2 (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
| JP2000150210A (ja) | チップ型抵抗器の製造方法 | |
| JP4828710B2 (ja) | チップ形抵抗器およびその製造方法 | |
| JP2000133504A (ja) | チップ型抵抗器の製造方法 | |
| JP4371324B2 (ja) | チップヒューズとその製造法 | |
| JP3837060B2 (ja) | チップ抵抗器の製造方法 | |
| JPH0227802B2 (ja) | ||
| JPH0748404B2 (ja) | 厚膜チップ抵抗器の製造方法 | |
| JPH11176618A (ja) | チップ部品の製造方法 | |
| JPH10172816A (ja) | チップ型抵抗器の製造方法 | |
| JPH11224810A (ja) | 抵抗器の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050815 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050920 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060207 |