JP2000055853A - ガスセンサーおよびガス測定方法 - Google Patents
ガスセンサーおよびガス測定方法Info
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- JP2000055853A JP2000055853A JP10221945A JP22194598A JP2000055853A JP 2000055853 A JP2000055853 A JP 2000055853A JP 10221945 A JP10221945 A JP 10221945A JP 22194598 A JP22194598 A JP 22194598A JP 2000055853 A JP2000055853 A JP 2000055853A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 吸着物の堆積による影響を排除して正確な検
出を確保し、またヒーターを設ける必要がなく、かつ数
ｐｐｂの低濃度での検出を可能としたガスセンサーおよ
びそれを用いたガス測定方法を提供する。 【解決手段】 検出ガスの成分に応じた電気抵抗値を生
じ且つ光触媒作用を有する第一の金属酸化物を主成分と
する検知素子と、該検知素子へ検出ガスを案内する手段
と、該検知部の電気抵抗値を電気信号として出力する手
段と、上記第一の金属酸化物を励起して光触媒作用を発
現させるための光を上記検知部に照射する手段とを備え
たガスセンサー。このガスセンサーを用いて、ガス検出
中に検知素子の電気抵抗値が所定値よりも増加した時点
で光照射を行い、それによる電気抵抗値の降下量に基づ
いてガス濃度を求めるガス測定方法。
出を確保し、またヒーターを設ける必要がなく、かつ数
ｐｐｂの低濃度での検出を可能としたガスセンサーおよ
びそれを用いたガス測定方法を提供する。 【解決手段】 検出ガスの成分に応じた電気抵抗値を生
じ且つ光触媒作用を有する第一の金属酸化物を主成分と
する検知素子と、該検知素子へ検出ガスを案内する手段
と、該検知部の電気抵抗値を電気信号として出力する手
段と、上記第一の金属酸化物を励起して光触媒作用を発
現させるための光を上記検知部に照射する手段とを備え
たガスセンサー。このガスセンサーを用いて、ガス検出
中に検知素子の電気抵抗値が所定値よりも増加した時点
で光照射を行い、それによる電気抵抗値の降下量に基づ
いてガス濃度を求めるガス測定方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、空気等の雰囲気中
に含まれる臭気物質その他のガス成分を検知素子の電気
抵抗値として検出するガスセンサーおよびそれを用いた
ガス測定方法に関する。
に含まれる臭気物質その他のガス成分を検知素子の電気
抵抗値として検出するガスセンサーおよびそれを用いた
ガス測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】空気等の雰囲気中のガス成分を検知素子
の電気抵抗値として検出するガスセンサーは、特開昭５
２−１５０６９６号公報に記載されているように、検出
ガス中のガス成分に応じた電気抵抗値を生ずる酸化チタ
ン等の金属酸化物よりなるガス成分検出素子が知られて
いる。
の電気抵抗値として検出するガスセンサーは、特開昭５
２−１５０６９６号公報に記載されているように、検出
ガス中のガス成分に応じた電気抵抗値を生ずる酸化チタ
ン等の金属酸化物よりなるガス成分検出素子が知られて
いる。
【０００３】しかし、上記従来のガスセンサーは、使用
中に金属酸化物の表面に吸着物が堆積すると、ガス成分
の正確な検出ができなくなるという欠点があった。更
に、酸化錫（ＳｎＯ2 ）で作製した検知素子にヒーター
を設けたものが知られている。この場合、下記のような
原理でガスの検出が行われる。空気との接触により検知
素子に吸着した酸素が負電荷となり、素子表面部に欠損
型の空間電荷層が形成され、電位障壁が高くなる。ここ
に可燃性ガス成分が飛来して吸着し、表面の酸素と反応
すると、空間電荷層は弱められて電気抵抗が小さくな
る。この電気抵抗変化を利用して空気中のガス成分を検
出する。
中に金属酸化物の表面に吸着物が堆積すると、ガス成分
の正確な検出ができなくなるという欠点があった。更
に、酸化錫（ＳｎＯ2 ）で作製した検知素子にヒーター
を設けたものが知られている。この場合、下記のような
原理でガスの検出が行われる。空気との接触により検知
素子に吸着した酸素が負電荷となり、素子表面部に欠損
型の空間電荷層が形成され、電位障壁が高くなる。ここ
に可燃性ガス成分が飛来して吸着し、表面の酸素と反応
すると、空間電荷層は弱められて電気抵抗が小さくな
る。この電気抵抗変化を利用して空気中のガス成分を検
出する。
【０００４】しかし、上記従来のガスセンサーは、ガス
成分と酸素とを反応させるために素子を加熱するヒータ
ーを必要とするため、小型化や低廉化に限界があった。
更に、検出可能な濃度がｐｐｍのオーダーであるため、
典型的には自動車内の初期臭気除去後の残留臭気等のよ
うに、数ｐｐｂのオーダーで規制される場合には適用で
きないという問題があった。
成分と酸素とを反応させるために素子を加熱するヒータ
ーを必要とするため、小型化や低廉化に限界があった。
更に、検出可能な濃度がｐｐｍのオーダーであるため、
典型的には自動車内の初期臭気除去後の残留臭気等のよ
うに、数ｐｐｂのオーダーで規制される場合には適用で
きないという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、吸着物の堆
積による影響を排除して正確な検出を確保し、更にヒー
ターを設ける必要がなく、またヒーターを設ける必要が
なく、かつ数ｐｐｂの低濃度での検出を可能としたガス
センサーおよびそれを用いたガス測定方法を提供するこ
とを目的とする。
積による影響を排除して正確な検出を確保し、更にヒー
ターを設ける必要がなく、またヒーターを設ける必要が
なく、かつ数ｐｐｂの低濃度での検出を可能としたガス
センサーおよびそれを用いたガス測定方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のガスセンサーは、検出ガスの成分に応じ
た電気抵抗値を生じ且つ光触媒作用を有する第一の金属
酸化物を主成分とする検知素子と、該検知素子へ検出ガ
スを案内する手段と、該検知部の電気抵抗値を電気信号
として出力する手段と、上記第一の金属酸化物を励起し
て光触媒作用を発現させるための光を上記検知部に照射
する手段とを備えたことを特徴とする。
めに、本発明のガスセンサーは、検出ガスの成分に応じ
た電気抵抗値を生じ且つ光触媒作用を有する第一の金属
酸化物を主成分とする検知素子と、該検知素子へ検出ガ
スを案内する手段と、該検知部の電気抵抗値を電気信号
として出力する手段と、上記第一の金属酸化物を励起し
て光触媒作用を発現させるための光を上記検知部に照射
する手段とを備えたことを特徴とする。
【０００７】本発明においては、検知素子への吸着物を
検知素子自体の光触媒作用により分解して除去できるの
で、吸着物の堆積による影響を排除して正確なガス検出
を行うことができる。また、ヒーターを必要としないの
で小型化および低廉化が容易である。更に、光触媒によ
る吸着物の分解速度は一般に小さいため、吸着物の濃度
が低いほど分解による回復速度は速くなり、後に詳述す
るように、本発明のガス測定方法によりｐｐｂオーダー
の低濃度ほど敏感な検出が可能である。
検知素子自体の光触媒作用により分解して除去できるの
で、吸着物の堆積による影響を排除して正確なガス検出
を行うことができる。また、ヒーターを必要としないの
で小型化および低廉化が容易である。更に、光触媒によ
る吸着物の分解速度は一般に小さいため、吸着物の濃度
が低いほど分解による回復速度は速くなり、後に詳述す
るように、本発明のガス測定方法によりｐｐｂオーダー
の低濃度ほど敏感な検出が可能である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明のガスセンサーの基本的な
構造は、図１に模式的に示したように、検知素子を収容
しガスの導入口・排出口および励起光導入窓を備えた容
器と、容器外部からこの窓に向けられた励起光源とから
成る。すなわち、容器１は、両端に検出ガスの導入口２
と排出口３、一方の側に光導入窓４、これと対向する側
にベース５を、それぞれ備えている。
構造は、図１に模式的に示したように、検知素子を収容
しガスの導入口・排出口および励起光導入窓を備えた容
器と、容器外部からこの窓に向けられた励起光源とから
成る。すなわち、容器１は、両端に検出ガスの導入口２
と排出口３、一方の側に光導入窓４、これと対向する側
にベース５を、それぞれ備えている。
【０００９】検知素子６は、両端に電極７，８を備えて
いて、少なくとも一面６Ａはベース５から容器１内の空
間に露出するようにベース５上に装着されている。検知
素子６の電気抵抗値（あるいはその基準値からの変化
分）に対応した電流値または電圧値としての電気信号
が、電極７，８からリード線９，１０を介して測定器１
１へ出力され測定される。
いて、少なくとも一面６Ａはベース５から容器１内の空
間に露出するようにベース５上に装着されている。検知
素子６の電気抵抗値（あるいはその基準値からの変化
分）に対応した電流値または電圧値としての電気信号
が、電極７，８からリード線９，１０を介して測定器１
１へ出力され測定される。
【００１０】容器１の外部には容器１の窓４に対面して
励起光源１２が配されている。光源１２からの光触媒励
起光は随時、窓１を介して容器１内の検知素子６の面６
Ａに照射できる。検知素子６の電気抵抗値は、適当な時
間間隔で、あるいは連続的に、測定器１１で測定され
る。測定値が吸着物の堆積により増加し、所定値になっ
たら、光源１２を作動させて励起光を検知素子６に照射
する。これにより、検知素子６の光触媒作用を発現させ
て吸着物を分解除去し、吸着物の堆積による影響を除去
し、所定範囲の検知精度を持続させることができる。
励起光源１２が配されている。光源１２からの光触媒励
起光は随時、窓１を介して容器１内の検知素子６の面６
Ａに照射できる。検知素子６の電気抵抗値は、適当な時
間間隔で、あるいは連続的に、測定器１１で測定され
る。測定値が吸着物の堆積により増加し、所定値になっ
たら、光源１２を作動させて励起光を検知素子６に照射
する。これにより、検知素子６の光触媒作用を発現させ
て吸着物を分解除去し、吸着物の堆積による影響を除去
し、所定範囲の検知精度を持続させることができる。
【００１１】図示の構造では、励起光源は容器の外部に
設けたが、容器の内部に設けてもよい。また、励起光源
は例えば紫外線ランプ、蛍光灯等の人工光源でもよい
し、太陽光でもよい。本発明の望ましい一態様において
は、第一の金属酸化物に近接して配置した吸着材に吸着
する特定のガス成分を選択的に検出することができる。
設けたが、容器の内部に設けてもよい。また、励起光源
は例えば紫外線ランプ、蛍光灯等の人工光源でもよい
し、太陽光でもよい。本発明の望ましい一態様において
は、第一の金属酸化物に近接して配置した吸着材に吸着
する特定のガス成分を選択的に検出することができる。
【００１２】他の望ましい態様においては、第一の金属
酸化物に近接させて、検出ガスの成分に応じた電気抵抗
値を生ずる第二の金属酸化物を更に配置する。これによ
り、検知素子は上記第二の金属酸化物を含んで構成さ
れ、検知素子の検知機能はこの第二の金属酸化物で確保
し、第二の金属酸化物への吸着物の除去を第一の金属酸
化物により行うことができる。
酸化物に近接させて、検出ガスの成分に応じた電気抵抗
値を生ずる第二の金属酸化物を更に配置する。これによ
り、検知素子は上記第二の金属酸化物を含んで構成さ
れ、検知素子の検知機能はこの第二の金属酸化物で確保
し、第二の金属酸化物への吸着物の除去を第一の金属酸
化物により行うことができる。
【００１３】第一の金属酸化物と第二の金属酸化物は、
従来からガスセンサーの検知素子として用いられている
ものでよく、同種でも異種でもよい。このような金属酸
化物としては酸化チタンが代表的であるが、それ以外に
例えばＺｒＯ2 ，ＳｒＴｉＯ 3 ，ＣｄＳ，Ｔａ2 Ｏ5 ，
ＳｉＣ，ＺｎＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 等を用いることができる。
従来からガスセンサーの検知素子として用いられている
ものでよく、同種でも異種でもよい。このような金属酸
化物としては酸化チタンが代表的であるが、それ以外に
例えばＺｒＯ2 ，ＳｒＴｉＯ 3 ，ＣｄＳ，Ｔａ2 Ｏ5 ，
ＳｉＣ，ＺｎＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 等を用いることができる。
【００１４】また、本発明の望ましい一態様において
は、第一の金属酸化物として酸化チタン等の絶縁性金属
酸化物を用い、その粉末粒子の表面に酸化錫等の導電性
金属酸化物の微粉末粒子（導電化剤）を担持させること
により、抵抗体としての検知素子を形成することができ
る。以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
は、第一の金属酸化物として酸化チタン等の絶縁性金属
酸化物を用い、その粉末粒子の表面に酸化錫等の導電性
金属酸化物の微粉末粒子（導電化剤）を担持させること
により、抵抗体としての検知素子を形成することができ
る。以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
【００１５】
【実施例】下記の手順により本発明のガスセンサーを作
製した。第一の金属酸化物として酸化チタンの粉末（平
均粒径１次１０nm、凝集５μｍ）２０ｇを水（またはア
ルコール）３００ｃｃ中に分散させた。これに、導電化
剤として酸化錫の３０wt％水溶液５ｃｃを加えて混合攪
拌し、酸化チタンのゾル溶液を調製した。
製した。第一の金属酸化物として酸化チタンの粉末（平
均粒径１次１０nm、凝集５μｍ）２０ｇを水（またはア
ルコール）３００ｃｃ中に分散させた。これに、導電化
剤として酸化錫の３０wt％水溶液５ｃｃを加えて混合攪
拌し、酸化チタンのゾル溶液を調製した。
【００１６】次に、上記ゾルにアンモニアを加えて中和
し、絶縁性の酸化チタン粒子の表面に導電性の酸化錫粒
子（粒径約０．１μｍ）が担持された粉末材料を得た。
この粉末材料を電子顕微鏡観察すると、酸化錫粒子は酸
化チタン粒子の表面を覆う連続膜は形成せず、離散的に
担持されていることが確認された。したがって、酸化チ
タン粒子の表面には多くの露出部分があり光触媒として
有効に作用する状態が確保されている。このような望ま
しい担持状態を得るために、本実施例においては、用い
る酸化チタン粉末の粒子サイズと中和により生成する酸
化錫の粒子サイズとの関係および両者の分量の関係を考
慮して調合した。
し、絶縁性の酸化チタン粒子の表面に導電性の酸化錫粒
子（粒径約０．１μｍ）が担持された粉末材料を得た。
この粉末材料を電子顕微鏡観察すると、酸化錫粒子は酸
化チタン粒子の表面を覆う連続膜は形成せず、離散的に
担持されていることが確認された。したがって、酸化チ
タン粒子の表面には多くの露出部分があり光触媒として
有効に作用する状態が確保されている。このような望ま
しい担持状態を得るために、本実施例においては、用い
る酸化チタン粉末の粒子サイズと中和により生成する酸
化錫の粒子サイズとの関係および両者の分量の関係を考
慮して調合した。
【００１７】上記の粉末材料に、バインダーとしてＰＶ
Ａ３０wt％水溶液３ｇを加えてから、金型プレスにて加
圧成形した。得られた成形体を大気中にて５００℃で焼
成し、１mm（厚さ）×５mm（幅）×８mm（長さ）の板状
の検知素子を得た。上記バインダーとしては、この焼成
により焼失するものを用いる。
Ａ３０wt％水溶液３ｇを加えてから、金型プレスにて加
圧成形した。得られた成形体を大気中にて５００℃で焼
成し、１mm（厚さ）×５mm（幅）×８mm（長さ）の板状
の検知素子を得た。上記バインダーとしては、この焼成
により焼失するものを用いる。
【００１８】この検知素子の長さ方向両端部の板面に、
Ａｇペーストをスクリーン印刷した後、大気中にて５０
０℃で焼成して電極を形成した。作製した検知素子を図
１のように組み込み、ガスセンサーを完成させた。励起
光源１２としては紫外線ランプを用いた。なお、本実施
例では、粉末材料をプレス成形して板状の検知素子を作
製したが、粉末材料をガラスや樹脂あるいは金属の基板
上に塗布し、薄膜として検知素子を形成することもでき
る。
Ａｇペーストをスクリーン印刷した後、大気中にて５０
０℃で焼成して電極を形成した。作製した検知素子を図
１のように組み込み、ガスセンサーを完成させた。励起
光源１２としては紫外線ランプを用いた。なお、本実施
例では、粉末材料をプレス成形して板状の検知素子を作
製したが、粉末材料をガラスや樹脂あるいは金属の基板
上に塗布し、薄膜として検知素子を形成することもでき
る。
【００１９】上記実施例において作製した本発明のガス
センサーにより空気中のアセトアルデヒド測定試験を行
った。測定は、アセトアルデヒド濃度１．９ｐｐｍの空
気流を対象として行った。図２に、試験開始からの経過
時間に対する電気抵抗値の変化挙動の一例を示す。図示
のように、抵抗値は時間経過に伴い吸着物質の堆積によ
り概ね単調に増加する。ある程度まで抵抗値が増加した
時点（図の中央付近の点Ｐ）で、紫外線ランプ１２を点
灯すると、抵抗値は急激に降下する。ある程度まで抵抗
値が降下して時点（図中右寄りの点Ｑ）で紫外線ランプ
を消灯すると、吸着物質の堆積により抵抗値が再び上昇
し始める。
センサーにより空気中のアセトアルデヒド測定試験を行
った。測定は、アセトアルデヒド濃度１．９ｐｐｍの空
気流を対象として行った。図２に、試験開始からの経過
時間に対する電気抵抗値の変化挙動の一例を示す。図示
のように、抵抗値は時間経過に伴い吸着物質の堆積によ
り概ね単調に増加する。ある程度まで抵抗値が増加した
時点（図の中央付近の点Ｐ）で、紫外線ランプ１２を点
灯すると、抵抗値は急激に降下する。ある程度まで抵抗
値が降下して時点（図中右寄りの点Ｑ）で紫外線ランプ
を消灯すると、吸着物質の堆積により抵抗値が再び上昇
し始める。
【００２０】このように、本発明のガスセンサーは光触
媒で検知素子上の吸着物質を分解除去することにより瞬
時に検知素子表面を浄化し回復させることができる。次
に、同じガスセンサーを用いて、アセトアルデヒド濃度
を０．４ｐｐｍと１．９ｐｐｍの２水準に変えた場合に
ついて上記と同様に浄化試験を行った。得られた結果を
図３および図４にまとめた。
媒で検知素子上の吸着物質を分解除去することにより瞬
時に検知素子表面を浄化し回復させることができる。次
に、同じガスセンサーを用いて、アセトアルデヒド濃度
を０．４ｐｐｍと１．９ｐｐｍの２水準に変えた場合に
ついて上記と同様に浄化試験を行った。得られた結果を
図３および図４にまとめた。
【００２１】図３は異なるアセトアルデヒド濃度につい
て紫外線照射時間と相対抵抗値との関係を示し、図４は
アセトアルデヒド濃度と紫外線照射時間１分での抵抗変
化率との関係を示す。ここで、相対抵抗値とは、紫外線
照射開始時点（図２の点Ｐ）の抵抗値に対する照射後の
抵抗値の比であり、抵抗変化率とは、照射による抵抗値
の減少分を点Ｐでの抵抗値に対するパーセントで表示し
た値である。
て紫外線照射時間と相対抵抗値との関係を示し、図４は
アセトアルデヒド濃度と紫外線照射時間１分での抵抗変
化率との関係を示す。ここで、相対抵抗値とは、紫外線
照射開始時点（図２の点Ｐ）の抵抗値に対する照射後の
抵抗値の比であり、抵抗変化率とは、照射による抵抗値
の減少分を点Ｐでの抵抗値に対するパーセントで表示し
た値である。
【００２２】図３および図４から、アセトアルデヒド濃
度が低い場合の方が、紫外線照射による抵抗変化（抵抗
減少）が大きくなることがわかる。特に、アセトアルデ
ヒド濃度０．４ｐｐｍにおいて顕著な抵抗変化が観測さ
れたことは、ｐｐｍ未満すなわちｐｐｂオーダーのガス
成分濃度について高感度で検出できることを示すもので
ある。
度が低い場合の方が、紫外線照射による抵抗変化（抵抗
減少）が大きくなることがわかる。特に、アセトアルデ
ヒド濃度０．４ｐｐｍにおいて顕著な抵抗変化が観測さ
れたことは、ｐｐｍ未満すなわちｐｐｂオーダーのガス
成分濃度について高感度で検出できることを示すもので
ある。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
吸着物の堆積による影響を排除して正確な検出を確保
し、またヒーターを設ける必要がなく、かつ数ｐｐｂの
低濃度での検出を可能としたガスセンサーおよびそれを
用いたガス測定方法が提供される。
吸着物の堆積による影響を排除して正確な検出を確保
し、またヒーターを設ける必要がなく、かつ数ｐｐｂの
低濃度での検出を可能としたガスセンサーおよびそれを
用いたガス測定方法が提供される。
【図１】図１は、本発明のガスセンサーの基本的構造を
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明のガスセンサーによる空気浄化
試験における時間経過に対する検知素子の電気抵抗値の
変化挙動の一例を示すグラフである。
試験における時間経過に対する検知素子の電気抵抗値の
変化挙動の一例を示すグラフである。
【図３】図３は、異なるアセトアルデヒド濃度について
紫外線照射時間と相対抵抗値との関係を示すグラフであ
る。
紫外線照射時間と相対抵抗値との関係を示すグラフであ
る。
【図４】図４は、アセトアルデヒド濃度と紫外線照射時
間１分での抵抗変化率との関係を示すグラフである。
間１分での抵抗変化率との関係を示すグラフである。
１…容器 ２，３…検出ガスの導入口と排出口 ４…光触媒励起光の導入窓 ６…検知素子 ７，８…電極 ９，１０…リード線 １１…測定器 １２…光触媒励起用光源
Claims (4)
- 【請求項１】 検出ガスの成分に応じた電気抵抗値を生
じ且つ光触媒作用を有する第一の金属酸化物を主成分と
する検知素子と、該検知素子へ検出ガスを案内する手段
と、該検知部の電気抵抗値を電気信号として出力する手
段と、上記第一の金属酸化物を励起して光触媒作用を発
現させるための光を上記検知部に照射する手段とを備え
たことを特徴とするガスセンサー。 - 【請求項２】 上記第一の金属酸化物に近接させて特定
のガス成分に対する吸着材を配置したことを特徴とする
請求項１記載のガスセンサー。 - 【請求項３】 上記第一の金属酸化物に近接させて、検
出ガスの成分に応じた電気抵抗値を生ずる第二の金属酸
化物を更に配置したことを特徴とする請求項１または２
記載のガスセンサー。 - 【請求項４】 請求項１から３までのいずれか１項に記
載のガスセンサーを用いて、ガス検出中に上記検知素子
の電気抵抗値が所定値よりも増加した時点で上記光の照
射を行い、それによる電気抵抗値の降下量に基づいてガ
ス濃度を求めることを特徴とするガス測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22194598A JP3577960B2 (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | ガス測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22194598A JP3577960B2 (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | ガス測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000055853A true JP2000055853A (ja) | 2000-02-25 |
| JP3577960B2 JP3577960B2 (ja) | 2004-10-20 |
Family
ID=16774627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22194598A Expired - Fee Related JP3577960B2 (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | ガス測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3577960B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006003153A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Saginomiya Seisakusho Inc | 水素ガス検知素子、水素ガスセンサおよび水素ガス検知方法 |
| WO2007010617A1 (ja) * | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Fujitsu Limited | 吸着型センサ、ガス濃度測定装置及び測定方法 |
| JP2010025717A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Sharp Corp | ガスセンシング装置 |
| KR20140074269A (ko) * | 2011-06-08 | 2014-06-17 | 알파 모스 에스.아. | 다층 구조를 갖는 화학저항 유형 가스 센서 |
| KR20190005820A (ko) * | 2015-11-02 | 2019-01-16 | 알파 엠.오.에스. | 가스 센서 컨트롤러 |
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