KR102028399B1 - 다층 구조를 갖는 화학저항 유형 가스 센서 - Google Patents

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알랭 고동
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알파 모스 에스.아.
쌍뜨르 나시오날 드 라 르셰르쉬 시앙띠피끄
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Abstract

화학저항 유형 가스 센서는 가스 센싱층, 및 가스 센싱층을 자외선 광의 펄스에 노출시키도록 동작가능한 자외선 광의 소스를 포함한다. 가스 센서는 가스 센싱층에 흡착될 타겟 가스 종에 따라, 자외선 광의 소스에 의해 인가되는 자외선 광 펄스의 듀티비 또는 지속기간을 제어하도록 구성된 설정 유닛을 더 포함한다.

Description

다층 구조를 갖는 화학저항 유형 가스 센서{CHEMORESISTOR TYPE GAS SENSOR HAVING A MULTI-STOREY ARCHITECTURE}
본 발명은 가스 센서들의 분야에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 화학저항(chemoresistor) 유형의 가스 센서들에 관한 것이다.
가스 센서들은 다수의 응용들, 특히, 특정한 가스를 검출하거나 인식하는 것이 희망되는 상황들 및 가스 혼합물의 조성(composition)을 결정하는 것이 희망되는 상황들에서 이용된다. 본 문서에서는, 문맥이 달리 요구하지 않으면: 표현 "가스"는 특정 가스 종(gas species) 및 상이한 가스 종의 혼합물의 둘 모두를 지시하기 위해 이용될 것이고, 일반적인 표현 "특징화(characterisation)"는 특정한 가스를 인식하거나 검출하는 프로세스 및 가스의 조성을 결정하는 프로세스의 둘 모두를 지시하기 위해 이용될 것이다. "가스 샘플(gas sample)"에 대한 이 문서에서의 참조는 (별개의 샘플로서, 또는 센서를 주변 가스 매체에 노출함으로써) 가스 센서에 제공되는 임의의 가스에 대한 참조를 일반적으로 포함한다는 것을 이해해야 한다.
반전도성(semi-conducting) 금속-산화물(metal-oxide)들에 기반한 것들과 같은 화학저항 유형 가스 센서들을 포함하는 가스 센서들은 상이한 센싱 기술들을 이용하여 개발되었다. 도 1은 반전도성 금속-산화물 유형의 가스 센서(1)의 기본 구조를 개략적으로 예시하는 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 반전도성 금속-산화물 유형의 가스 센서(1)는 기저부(base)(4) 상에 지지되는 절연층(3) 상에 제공되는 반전도성 금속-산화물로 이루어진 센싱층(sensing layer)(2)을 가진다. 센서(1)가 가스에 노출될 때, 가스 입자(gas particle)들(G)은 센싱층(2)의 표면 상에 흡수될 수 있고, 산화-환원(oxidation-reduction) 반응들이 발생할 수 있고, 이것은 센싱층(2)의 임피던스(impedance)(컨덕턴스(conductance), 커패시턴스(capacitance), 인덕턴스(inductance) 또는 복수의 이 파라미터들)에 있어서의 변화를 초래할 수 있다. 이 임피던스 변화는 센싱층(2)과 접촉하도록 제공된 한 쌍의 측정 전극들(5)을 이용하여 측정된다. 종종, 측정 전극들 양단에 전위차를 인가하고 센싱층에 의해 제공되는 임피던스가 어떻게 변화하는지를 감시함으로써 측정이 행해진다. 측정 전극들에 의해 생성된 신호의 파형은 센싱층(2)과 반응하는 가스의 특징이고, 전형적으로, 관심 대상 가스들에 의해 생성된 파형들은 미지의 가스 샘플들의 분석의 준비를 위한 교시 단계(teaching phase) 동안에 학습된다.
일반적으로, 관찰되어야 할 유용한 흡착 현상(adsorption phenomenon)들을 위하여 센싱층(2)을 상대적으로 높은 온도(특히, 검출되어야할 가스 종 및 센싱층을 형성하는 재료에 따라서는 250 ℃ 이상)로 가열하는 것이 필요하다. 따라서, 이 유형의 전형적인 가스 센서들은 온도 센서(도 1에 도시되지 않음)뿐만 아니라 히터(6)도 포함한다. 측정이 행해진 후, 히터(6)는 흡착된 입자들의 탈착(desorption)을 야기시키기 위하여, 활성층(active layer)을 높은 온도, 통상의 동작 온도를 초과하여 가열하도록 작동되고, 따라서, 추후의 측정을 위해 준비된 센서(1)를 세정한다.
이 분야에서의 목적은 마이크로-센서(micro-sensor)들, 즉, 소형화된 가스 센서들, 특히, 일상의 기기들(예를 들어, 이동 전화들, 얼굴 마스크들, 지능형 완구들, 등)에 통합되기에 충분히 작은 것들을 구성할 수 있는 것이다. 마이크로-센서들은 충분히 높은 성능, 즉, 이들은 타겟 가스(target gas)를 검출할 수 있어야 하고, 및/또는 가스 혼합물의 조성을 신속하게 그리고 충분히 높은 정확도로 결정할 수 있어야 한다는 것이 마이크로-센서들을 위한 요건이다.
반전도성 금속-산화물 가스 센서들은 집적 회로 제조의 분야로부터 알려진 기술들을 이용하여 소형화된 형태로 만들어질 수 있으므로, 반전도성 금속-산화물 가스 센서들은 마이크로-센서들로서의 구현을 위해 특별히 관심을 끈다.
최근에는, "마이크로-핫플레이트(micro-hotplate)" 구조를 갖는 반전도성 금속-산화물 유형의 가스 센서들이 개발되었다. 도 2a는 마이크로-핫플레이트 구조를 가지는 반전도성 금속-산화물 유형의 가스 센서(10)의 일반적인 구조를 개략적으로 예시하는 단면도이다. 센서(10)의 기저부(14)는 중공부(hollowed-out portion)(17)를 가지므로 센싱층(12)은 이제 더 이상 기저부(14)의 두꺼운 부분과 정합하도록 위치되지 않는다는 것을 도 2a로부터 볼 것이다. 따라서, 센싱층(12)을 가열하기 위해 이용되는 히터(16)는 (상대적으로 얇은 지지 멤브레인(M)을 포함하는) 재료의 감소된 질량을 가열하기만 하면 되고, 이것은 센싱층(2)의 온도가 급속하게 증가되는 것을 가능하게 할 뿐만 아니라(이에 따라, 측정을 행하기 위해 필요한 시간을 감소시키고 센싱층을 세정하기 위해 필요한 시간을 감소시킨다) 가스 센서에 의해 소비되는 전력을 감소시킨다. 또한, 이 급속한 가열은 센싱층을 형성하는 재료에 손상을 덜 야기시킨다.
도 2b 및 도 2c는 2개의 상이한 유형들의 마이크로-핫플레이트 구조들을 가지는 센서들을 예시한다.
도 2b의 센서(20)에서는, 궁극적으로 기저부(24) 위에 놓이는 절연층(23) 위에 센싱층(22)이 형성된다. 전도체(conductor)들(28)은 기저부(24) 상에 제공된 전극 패드들(29)과 접촉을 행하기 위하여 측정 전극들 및 히터로부터 인출(lead out)된다. 추가적인 배선(도시되지 않음)은 전극 패드들을 다른 회로, 특히, 히터를 위한 전류원, 및 측정 전극들에 의해 측정되는 신호들을 처리하기 위한 회로에 연결한다. 도 2b의 센서(20)는 기저부(24)가 절연층(23)을 지지하는 계속적인 표면을 가지는 "폐쇄된(closed)" 유형의 구조를 가진다.
도 2c에 예시된 센서(30)는 기저부(34)가 중심 개구부(37a)를 갖는 프레임-유형 형상을 가지고 센싱층(32) 및 그 절연층(33)은 개구부 상부에 매달려 있는 "매달린(suspended)" 유형의 구조를 가진다.
전형적으로, 단일 반전도성 금속-산화물 가스 센서 소자로부터 저절로 얻어지는 측정들은, 이러한 센서 소자들의 선택성이 낮은 경향이 있기 때문에 충분한 확실도로 가스가 식별되는 것을 가능하게 하기에는 불충분하다. 따라서, 기존에는 이 센싱 소자들이 나란하게 설치된 다수의 센싱 소자들의 어레이(array)들에서 이용되고, 어레이 내의 각각의 소자는 그 센싱층을 형성하는 상이한 재료를 가진다. 전체 어레이로부터 얻어진 측정들의 세트(set)는 소정의 가스가 존재하는지 여부를 결정하기 위하여, 및/또는 어레이에 제공되었던 가스 혼합물의 조성이 무엇인지를 결정하기 위하여, 통계적 기술들을 이용하여 처리될 수 있는 데이터 포인트(data point)들의 클라우드(cloud)를 형성한다. 측정들의 세트는 분석 중인 가스 및 그 농도들에서 존재하는 가스 종의 성질(nature)의 특징인 일종의 지문(fingerprint)을 나타내는 것으로 간주될 수 있다.
반전도성 금속-산화물 가스 센싱 소자들의 어레이의 선택성 및/또는 검출 정확도는 통계 처리에서 이용되는 데이터 포인트들의 수를 증가시킴으로써, 예를 들어, 어레이가 소정의 가스 샘플에 노출될 때에 어레이의 각각의 센싱 소자로부터 다수의 측정들을 유도함으로써 개선될 수 있다. 이것은 가스 샘플을 나타내는 더욱 상세한 지문을 얻는 것에 이르게 된다. 반전도성 금속-산화물 가스 센싱 소자들의 어레이 내의 각각의 센싱 소자로부터 다수의 측정들을 얻기 위한 다양한 기술들이 알려져 있고, 일반적으로, 이 기술들은 다양한 측정들이 행해질 때, 예를 들어: 하나를 초과하는 동작 온도에서 및/또는 변화하는 온도들의 상이한 프로파일들이 센싱층에 적용될 때에, 각각의 센서 소자의 임피던스를 측정함으로써, 가스 샘플에 대한 그 노출 동안의 상이한 시간들에서 센싱층의 임피던스를 샘플링함으로써, 자외선 광에 대한 동시 노출과 함께 또는 이 동시 노출 없이 센싱층의 임피던스를 측정함으로써, 등등에 의해, 적용가능한 동작 조건들을 변화시키는 것을 포함한다.
반전도성 금속-산화물 가스-센싱 기술을 이용하며 마이크로-핫플레이트 구조를 가지는 마이크로-센서들이 개발되었지만, 작은 크기 및 측정의 속도에 대한 해결이 요구되고, 이러한 마이크로-센서들에 의해 생성된 결과들의 정확도를 계속 개선시킬 필요가 있다.
다른 마이크로-센서들, 특히, 전도성 폴리머(conducting polymer)들을 이용한 마이크로센서들은 화학저항 기술을 이용하여 개발되었다. 이 센서들에 의해 생성된 결과들의 정확도 또한 개선시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시예들은 가스 샘플에 대한 통상의 것으로부터 상이한 측정들을 수집하여, 새로운 데이터 포인트(data point)들의 세트에 기초하여 가스 조성 및/또는 가스가 무엇인지 결정되는 것을 가능하게 하는 다층 구조를 가지는 화학저항 유형 가스 센서를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예들은 증가된 성능, 특히, 타겟 가스들을 검출함에 있어서의 증가된 정확도 및 (적절한 학습 단계 후에) 가스 샘플의 조성을 결정함에 있어서의 개선된 정확도를 가지는 화학저항 유형 가스 센서를 제공한다.
더욱 구체적으로, 본 발명은 본 명세서에 첨부된 청구항 1에 정의된 바와 같은 가스 센서, 및 본 명세서에 첨부된 청구항 12에 정의된 바와 같은 가스 센서의 동작 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 가스 센서들에서, 다층 구조의 채택은 분석 중인 가스의 특징화를 위하여 이용될 수 있는 측정들을 발생하기 위한 새로운 방안을 제공한다. 가스 센서 내의 적어도 하나의 제 1 층은 분석 중인 가스가 센서 내의 제 2 층과 이미 접촉한 후에 분석 중인 가스에 노출되는 반전도성 금속 산화물 또는 전도성 폴리머 가스 센싱 소자를 포함한다. 제 2 층은 활성화될 때, 노출되는 가스 샘플의 특징(character)을 변화시키는 재료의 층을 지닌다. 제 1 층의 센싱층과 접촉하는 가스의 정밀한 조성은 제 2 층의 선택적으로 활성화가능한 재료의 층을 선택적으로 활성화시킴으로써 변화될 수 있다. 제 2 층의 선택적으로 활성화가능한 재료가 활성화될 때의 시간들에서 제 1 층의 가스 센싱 소자의 응답을 측정함으로써, 제 1 층 단독으로 구성되는 기존의 단일층 구조를 이용하는 경우에 비해 상이한 데이터 포인트들(측정들)이 수집될 수 있다. 이것은 분석을 거치는 가스를 특징화하는 통계적 처리에 포함될 수 있는 데이터 포인트들의 세트를 발생하기 위한 새로운 방법을 제공한다. 따라서, 특정한 응용들에 대해 구비된 가스 센서들을 설계할 때, 추가적인 자유도가 제공된다.
발명에 따른 다층 구조는 기존의 단일층 구조를 이용하여 수집되는 것들에 비해 상이한 측정들을 발생하기 위한 것뿐만 아니라, 수집되는 측정들의 수를 증가시키기 위해서도 활용될 수 있고, 이에 따라, 가스 센서에 의해 생성되는 결과들의 정확도를 개선시킬 수 있다.
발명을 구체화하는 가스 센서들은, 종래 기술의 센서들에서 구현되었던 것들에 기초한 기술들을 적용하여 측정들이 행해질 때의 시간들에서 동작 조건들을 변동시킴으로써, 특히, 반전도성 금속 산화물(또는 전도성 폴리머) 센싱층 및/또는 선택적으로 활성화가능한 재료 층이 상이한 온도들에서 유지되고 및/또는 상이한 가열 프로파일들을 거치게 될 때의 시간들에서, 반전도성 금속 산화물 센싱층(또는 전도성 폴리머) 및/또는 선택적으로 활성화가능한 재료 층이 UV 복사에 노출될 때의 시간들에서, 그리고 이러한 복사 등등에 노출되지 않을 때의 시간들에서 측정들을 행함으로써, 가스 샘플을 분석/특징화하는 프로세스에서 이용하기 위하여 만족스러운 수의 측정들이 수집되는 것을 보장할 수 있다. 또한, 아래에서 설명되는 바와 같이, 다층 구조의 이용에 의해 어떤 추가적인 새로운 기술들이 가능하게 된다.
발명의 어떤 바람직한 실시예들에서, 2개 이상의 화학저항 유형 가스 센싱 소자들은 다층 구조를 형성하기 위해 적층되고, 분석을 거치는 가스는 상이한 층들을 연속적으로 통과하므로, 추후의 층에 도달하는 가스의 조성은 선행 층(들)의 가스 센싱층(들)의 존재 및 동작에 의해 영향을 받는다. 이 적층된 구조는 다양한 방법들로 가스 센서의 가스 샘플에 대한 노출 동안에 풍부한 측정들의 세트를 생성할 가능성을 제공하며, 상기 다양한 방법들은:
a) 전체 가스 센서 장치 내의 다양한 층들의 센싱층들에 대한 재료들의 특정한 조합들을 선택하는 것,
b) 적층체 내의 센싱층들의 특정한 조합들이 활성화될 때(다른 것들은 활성화 해제됨)에 측정들을 행하는 것, 및
c) 적층체 내의 하나의 위치에서의 센싱층이 임피던스에 있어서의 특정한 변화를 거칠 때의 시간, 및 적층체 내의 상이한 위치에서의 센싱층이 임피던스에 있어서 연관된 변화를 거칠 때의 시간 사이의 시간차를 측정하는 것을 포함하지만 이것으로 제한되지 않는다.
상이한 센싱층들에서 이용되는 재료들의 특정한 조합은 특정한 타겟 응용에 맞추어질 수 있고, 예를 들어: 특정 타겟 가스 종 등등의 검출(또는 농도의 측정)을 가능하게 하도록 최적화된, 마주칠 가능성이 있는 가스의 예상된 조성에 맞추어질 수 있다.
발명의 어떤 실시예들에서, 제 2 층의 선택적으로 활성화가능한 재료는 가스 센싱 소자의 일부를 형성하지 않으며, 즉, 이 재료와 연관된 측정 트랜스듀서(transducer)가 없다. 이러한 실시예들에서는, 선택적으로 활성화가능한 재료를 지닌 층이 희망에 따라 온(on) 또는 오프(off)로 스위칭될 수 있는 능동 필터의 유형이라고 간주될 수 있다. 이러한 실시예들에서는, 제 2 층의 선택적으로 활성화가능한 재료를 가스 센싱 소자 제 1 층의 센싱층에 대해 위치결정하기 위한 다양한 상이한 배열들이 가능하다. 하나의 가능한 배열에서, 챔버는 제 1 및 제 2 층들 사이에서 정의될 수 있고, 제 1 층의 센싱층뿐만 아니라 제 2 층의 선택적으로 활성화가능한 재료의 둘 모두는 대향하는 벽들 상에 배치된 이 챔버 내에 위치될 수 있다. 또 다른 가능한 배열에서, 멤브레인/기판은 제 2 층의 선택적으로 활성화가능한 재료 및 제 1 층의 센싱층과 접촉하는 공간 중간에 위치되고, 가스가 제 2 층으로부터 제 1 층으로 통과하는 것을 가능하게 하기 위하여 이 멤브레인/기판에는 개구부들이 제공된다.
발명을 구체화하는 가스 센서들, 및 더욱 일반적으로 화학저항 유형의 가스 센서들의 선택성 및 감도는 (상시적인 UV 노출 대신에) 센서 내의 적어도 하나의 센싱층에 펄스화된 UV 복사를 적용함으로써, 그리고 UV 펄스들의 속성들이 센싱층을 형성하는 재료, 검출될 타겟 가스 및 동작 조건들에 적응되는 것을 보장함으로써 증가될 수 있다. 제 2 측면에서, 본 발명은 본 명세서에 첨부된 청구항 18에 정의된 바와 같은 가스 센서, 및 본 명세서에 첨부된 청구항 19에 정의된 바와 같은 가스 센서의 동작 방법을 제공한다.
가스를 특징화하기에 유용한 측정 데이터는 센서가 가스 샘플에 노출되고 있고 UV 조명이 온(on)으로 스위칭될 때에 가스 센서의 응답에서 관찰가능한 과도 효과(transient effect)들의 분석에 의해 얻어질 수 있다. 제 3 측면에서, 본 발명은 본 명세서에 첨부된 청구항 20에 정의된 바와 같은 가스 센서, 및 본 명세서에 첨부된 청구항 21에 정의된 바와 같은 가스 센서의 동작 방법을 제공한다.
발명의 어떤 실시예들에서는, 가스 센싱층들의 급속한 가열 및 세정을 달성하기 위하여, 가스 센싱 소자들의 센싱층들을 지지하기 위한 마이크로-핫플레이트(micro-hotplate) 구조를 이용하는 것이 유익하다.
본 발명의 상기한 그리고 다른 특징들, 장점들 및 응용들은 비제한적인 예들로서 주어지는 다음의 그 바람직한 실시예들의 설명 및 첨부한 도면들로부터 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 반전도성 금속-산화물 가스 센서의 일반적인 구조를 단면으로 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 마이크로-핫플레이트 구조를 가지는 반전도성 금속-산화물 가스 센서들의 일반적인 구조를 예시하는 도면들을 도시한 것으로서,
도 2a는 마이크로-핫플레이트 유형 구조의 전체 구조를 예시하는 단면도이고,
도 2b는 마이크로-핫플레이트 구조의 "폐쇄된" 유형을 예시하고,
도 2c는 마이크로-핫플레이트 구조의 "매달린" 유형을 예시한다.
도 3은 발명의 제 1 바람직한 실시예에 따라 다층 가스 센서를 형성하기 위한 화학저항 유형의 가스 센싱 소자들의 적층을 개략적으로 예시한다.
도 4는 도 3에 도시된 가스 센싱 소자의 일부분의 분해도이다.
도 5는 발명의 제 1 바람직한 실시예에 따라 다층 가스 센서를 예시한다.
도 6은 발명의 제 1 실시예에서와 같이 가스 센싱 소자들을 직렬로 장착하는 제 1 방법을 예시한다.
도 7은 발명의 제 1 실시예에서와 같이 가스 센서 소자들을 직렬로 장착하는 제 2 방법을 예시한다.
도 8은 가스 센싱 소자들의 적층된 어레이들을 포함하는 다층 구조를 가지는 가스 센서를 예시한다.
도 9는 발명의 제 1 바람직한 실시예에 따라 직렬로 배열된 가스 센싱 소자들을 통합하는 소형의 가스 마이크로-센서 장치를 예시한다.
도 10은 2개의 가스 센싱 소자들이 단일 기판 상에서 백-투-백(back-to-back) 배열로 직렬로 장착되는 다층 가스 센서를 예시한다.
도 11은 연속적인 가스 센싱 소자들이 서로 이격되는 다층 가스 센서를 예시한다.
도 12는 발명의 제 2 실시예의 개략적인 표현이고, 화학저항 유형 가스 센싱 소자는 가스 센싱 소자에 의해 감지된 가스의 특질을 변화시키도록 활성화될 수 있는 재료와 직렬로 배열된다.
도 13은 제 2 실시예의 제 1 변형의 개략적인 표현이다.
도 14는 제 2 실시예의 제 2 변형의 개략적인 표현이다.
도 15는 제 2 실시예의 제 3 변형의 개략적인 표현이다.
도 16a 및 도 16b는 센싱층의 자외선 광에 대한 노출 시간을 제어함으로써 가스 센서 감도 및 선택성을 증가시키기 위한 새로운 기술을 예시한 것으로서,
도 16a는 새로운 기술에서 이용하기에 적당한 UV 펄스(pulse)들의 예를 도시하고,
도 16b는 적용된 UV 펄스들의 효과를 측정하기 위해 이용된 테스트 배열을 도시한다.
도 17a 내지 도 17c는 도 16b의 테스트 배열을 이용하여 얻어진 실험 결과들을 도시한 것으로서,
도 17a는 UV의 적용 없이, UV에 대한 상시적인 노출과 함께, 그리고 제어된 지속기간의 UV 펄스들에 대한 노출과 함께 반전도성 금속 산화물 가스 센서가 공기+H2S에 노출되었을 때에 얻어진 결과들을 도시하고,
도 17b는 UV의 적용 없이, UV에 대한 상시적인 노출과 함께, 그리고 제어된 지속기간의 UV 펄스들에 대한 노출과 함께 가스 센서가 공기+NH3에 노출되었을 때에 얻어진 결과들을 도시하고,
도 17c는 1 ppm(part per million)의 농도의 가스 샘플들의 경우에 도 17a 및 도 17b에서 얻어진 결과들을 비교한다.
도 18은 자외선 광에 대한 노출 시작 시에 센싱층의 응답에서 보여지는 과도 효과(transient effect)들을 예시한 것으로서,
도 18a는 H2S를 함유하는 샘플의 테스트 동안의 센서 응답을 도시하고,
도 18b는 NH3를 함유하는 샘플의 테스트 동안의 센서 응답을 도시한다.
도 19는 2개의 센싱 소자들이 직렬로 장착되는 발명의 제 1 측면에 따라 다양한 다른 구조들을 예시한다.
도 3 내지 도 19를 참조하여 발명의 어떤 현재 바람직한 실시예들에 대해 지금부터 설명될 것이다.
발명의 제 1 현재 바람직한 실시예는 도 3 내지 도 5에 예시되어 있다. 발명의 제 1 바람직한 실시예에 따르면, 다층 화학저항 유형 가스 센서는 다층 구조를 형성하기 위하여 2개(또는 그보다 많은) 가스 센싱 소자들(CH1, CH2)을 적층함으로써 구성된다. 도 3은 가스 센싱 소자들(CH1, CH2)이 서로에 대해 어떻게 배열되는지를 예시한다. 도 4는 가스 센싱 소자들(CH1, CH2)(기저부 기판을 생략함) 각각의 구조의 분해 사시도이고, 도 5는 도 3에 예시된 바와 같이 적층된 가스 센싱 소자들(CH1, CH2)을 포함하는 전체적인 가스 센서 구조를 예시하고 센서를 통한 가스 흐름을 나타낸다.
도 3 내지 도 5는 2개의 가스 센싱 소자들의 적층을 예시하지만, 발명은 3개 이상의 가스 센싱 소자들이 적층되는 실시예들에서 또한 구현될 수 있다는 것을 이해해야 한다.
도 3 및 도 4에서 예시된 바와 같이, 센싱 소자들(CH1, CH2)의 각각은 멤브레인 구조(53) 상에서 지지되는, 반전도성 금속 산화물로 이루어진 센싱층(52)을 포함한다. 센싱층들은 SnO2, In2O3, ZnO, RuO2, WO3, 및 AB2O4(스피넬 유형 산화물들)을 포함하지만 이것으로 제한되지 않는 다양한 재료들로 이루어질 수 있고; 백금(platinum), 로듐(rhodium), 금(gold) 등과 같은 촉매 재료들이 이용(전형적으로, 산화물들과 혼합)될 수 있고; 센싱 및 촉매 속성들의 둘 모두를 가질 수 있는 재료들, 예를 들어, 티타늄 산화물(titanium oxide)이 이용될 수 있다. 대안적으로, 센싱층이 전도성 폴리머(conducting polymer)로 이루어지는 경우, 임의의 희망하는 도핑(doping)을 갖는, 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리디오펜(polythiophene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리(페닐 빈렌)[poly(phenyl vinlene)], 및 폴리(3,4-에틸렌-디옥시티펜)[poly(3,4-ethylene-dioxythiphene)]을 포함하지만 이것으로 제한되지 않는 다양한 재료들로 이루어질 수 있다.
본 발명은 센싱 재료(및 임의의 촉매 재료)의 증착을 위해 이용되는 기술들에 대해 특별히 제한되지 않는다. 잘 알려진 바와 같이, 증착된 센싱/촉매 재료의 표면의 성질은 센서의 효율에 영향을 주고; 나노-입자들 및 물리적 기상 증착(PVD : physical vapour deposition)에 의해 생성된 다공성(porous) 표면들은 양호한 효율을 산출한다. 일반적으로, 증착 기술은 효율 고려사항들을 유념하여 증착되는 특별한 재료에 대해 구비될 것이다. 층(52)의 두께는 증착 기술에 따라 변동될 것이고, 전형적으로, PVD가 이용될 때에 100-1000 nm일 것이며, 다른 경우에는 10-100 ㎛일 것이다(그렇지만 이 값들은 변동될 수 있음).
도 3 및 도 4에 예시된 예에서, 멤브레인 구조는 절연 재료(예를 들어, SiO2, 또는 Si3N4, 또는 SiOxNy, 또는 SiNx)의 3개의 얇은 층들(531, 532, 533)로 구성된다. 얇은 층들(531, 532)은 히터(아래에 설명됨)를 둘 사이에 끼우고, 이 히터를 다른 부품들로부터 절연하도록 작용한다. 층(533)은 위에 놓이는 층들을 지지하기 위한 멤브레인으로서 기능한다. 이 다층 멤브레인 구조에서의 응력(stress)들은 상이한 재료들로 층들을 형성함으로써 감소될 수 있다. 이 예에서, 층(531)은 SiO2로 이루어지고, 층(532)은 SiNx으로 이루어지고, 층(533)은 SiO2로 이루어진다.
마이크로-핫플레이트 구조를 제공하기 위하여 에지(edge)들에서 비교적 두껍지만 오목부(recess)(57)를 가지는 기저부 기판(54) 상에 멤브레인 구조(53)가 장착된다. 도 3에 도시된 예에서, 오목부(57)는 기저부 기판을 통하는 개구부의 형태를 취한다. 그러나, 멤브레인 구조(53)가 기저부 기판(54) 내의 개구부를 피복하므로, 마이크로-핫플레이트 구조는 여전히 도 2a에 예시된 "폐쇄된" 유형이다. 전형적으로, Si 웨이퍼들은 표준적인 반도체 제조 프로세스들을 이용하여 높은 정밀도로 가공될 수 있으므로, 기저부 기판(54)은 실리콘 웨이퍼로 이루어진다.
도 3에 예시된 바와 같이, 구멍(hole)들(58)은 멤브레인 구조(53)를 관통하도록 제공된다. 대안적으로, 멤브레인 구조(53)를 구성하는 층들은 다공성일 수 있다. 이 예에서, 구멍들/기공(pore)들(58)은 10 ㎛의 직경을 가지지만, 발명은 이 값에 제한되지 않는다.
가스 센싱 소자들(CH1, CH2)은 폐쇄된 유형의 마이크로-핫플레이트 구조를 가지므로, 그리고 구멍들(58)(또는 기공들)은 센싱층(52)과 정합하여 제공되므로, 가스 센서(50)를 통과하는 가스는 각각의 센싱층(52)을 횡단하고, 각각의 센싱층(52)이 가스 샘플과 가지는 접촉을 최대화한다. 첫째, 이것은 가스가 이 센싱층(52)의 전기적 속성들에 대해 생성하는 임의의 효과를 최대화하는 경향이 있고, 둘째, 이것은 추후의 층에 흐르는 가스에서의 변화들을 증가시키는 경향이 있다.
이전의 단락에서 나타낸 바와 같이, 구멍들(58)을 센서의 활성 영역에(즉, 센싱층(52)과 정합하여) 위치시키는 것이 유익하다. 그러나, 구멍들(58)의 위치는 변동될 수 있다. 모든 구멍들(58)이 활성 영역의 외부에 있을 경우, 추후의 층으로 통과하는 가스는 그 현재의 층을 통한 통과 동안에 수정을 덜 거칠 것이지만, 가스가 이 층으로부터 다음 층으로 확산하는데 걸린 시간을 측정하는 것이 여전히 가능할 것이다.
센싱 소자들(CH1, CH2)의 각각에서, 측정 전극들(55)은 센싱층이 가스에 노출될 때에 센싱층의 전기적 속성들에 있어서의 변화를 검출하기 위하여 각각의 센싱층(52)과 접촉하도록 제공된다. 발생하는 특정한 변화들은 반전도성 금속 산화물을 형성하는 재료의 성질 및 가스 샘플 내에 존재하는 가스 종에 의존하지만, 일반적으로, 센싱층의 임피던스를 변화시키는 산화 및/또는 환원 반응들로 구성된다. 위에서 나타낸 바와 같이, 일반적으로, 주목할만한 흡착(및 산화/환원)이 발생하기 위하여 센싱층을 가열하는 것이 필요하다. 따라서, 히터(56)는 절연층들(531, 532) 중간에 제공된다. 히터 자체는 저항의 변화를 감시하는 온도 센서로서 이용될 수도 있다. 도면들에서는 도시되지 않지만, 각각의 가스 센싱 소자(CH1, CH2)는 센싱층(52)에 의해 획득되는 온도를 감시할 수 있기 위하여 상이한 온도 센서를 또한 포함한다.
이 예에서, 측정 전극들은 아래에 놓인 Ti 흡착층을 갖는 Pt로 이루어지고, (도 4에 도시된 바와 같이) 일반적으로 원형 형상을 취하는 부분들을 갖는 2개의 서로 맞물린(interlocked) 전도체 소자들의 형태를 취한다. 실제로, 측정 전극들(55)은 도 4에 표현된 것보다 더 큰 수의 서로 맞물린 원형 부분들을 가진다. 이 예에서, 각각의 측정 전극은 두께가 0.2 ㎛이고 폭이 10 ㎛이며, 측정 전극들은 10 ㎛만큼 서로 이격되어 있다. 측정 전극들(55)의 정밀한 위치결정 및 형상이 변동될 수 있다. 그러나, 이 예에서, 측정 전극들(55)은 센싱층(52)의 전기적 속성들에 있어서의 예상된 변화를 검출하기 위해 양호하게 위치되도록 위치결정되고 형상이 정해진다.
유사한 방식으로, 이 예에서 히터(56)는 센싱층(52)의 아래에 놓이는 일반적으로 원형 소자의 형태를 취한다. 이 예에서, 히터(56)는 측정 전극들처럼 Ti/Pt로 이루어지지만, 히터(56)의 경우에는, Ti/Pt가 일련의 내포된 루프(nested loop)를 형성하기 위하여 자신의 뒤로 젖혀지는 전도성 트레이스(conductive trace)들을 포함하는 히터 패턴을 형성한다. 전형적으로, 히터 패턴의 전도성 트레이스들은 두께가 0.2 ㎛이고 폭이 20 ㎛이다. Ti/Pt 이외의 재료들, 예를 들어, 내화성 전도체들(Mo, Ta, W, ...) 뿐만 아니라 폴리실리콘(polysilicon)의 다층들이 히터(56)를 위해 이용될 수 있다.
히터(56) 및 온도 센서의 정밀한 위치결정은 변동될 수 있다. 그러나, 히터(56)로부터 센싱층(52)으로의 열의 전달은 히터가 센싱층의 위치와 정합하여 제공되고 도 3 및 도 4에서 도시된 바와 같이 형상이 정해질 때에 특별히 효율적이다. 이 예에서, 측정 전극들(55)로부터 히터(56)의 전기적 격리를 보장하기 위하여, 히터(56)는 멤브레인(531)에 의해 센싱층(52)으로부터 분리된다.
도 4에 예시된 구성을 가지는 히터(56) 및 측정 전극들(55)을 이용하는 하나의 예에서, 절연층들(531, 532)은 SiO2 및 SiNx의 약 0.5 ㎛ 두께의 층들이고, 다른 절연체 층(533)은 약 0.8 ㎛ 두께의 SiO2 층이고, 기판(54)은 에지(edge)들에서 300 ~ 500 ㎛ 두께의 실리콘 웨이퍼이다. 이 예에서, ZnO로 이루어지는 센싱층(52)은 500 ℃의 온도까지 매우 신속하게 (특히, 30 밀리초(millisecond) 내에) 될 수 있다.
센싱 소자들(CH1, CH2)을 제조하기 위해 임의의 편리한 기술들이 이용될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 센싱 소자들(CH1, CH2)은 서로에 대해 적층된다. 일반적으로, 센싱층(52)은 그레인(grain)-기반 구조를 가지거나 나노-입자(nano-particle)들, 나노-로드(nano-rod)들, 나노-와이어(nano-wire)들 또는 나노-튜브(nano-tube)들로 이루어지므로 다공성이다. 발명의 바람직한 실시예들에서, 센싱층(52)은 나노-입자 구조를 가지며, 이것은 체적(volume)에 대한 표면적(surface area)의 비율이 이러한 구조에 대해 높아서 테스트 중인 가스와의 화학적 반응들이 발생할 수 있는 큰 표면적을 제공하기 때문이다. 센싱 소자(CH1)의(또는 센싱 소자(CH2)의) 센싱층(52)이 가스 샘플에 노출될 때, 센싱층이 다공성이므로, 가스는 센싱층(52) 내부로 그리고 이를 통해 관통할 것이다.
발명의 제 1 바람직한 실시예에서, 층들(531, 532 및 533)은 구멍들(58)에 의해 횡단되므로, 센싱층(52)을 관통하는 가스는 관련된 가스 센싱 소자를 통해 항상 통과한다. 따라서, 가스는 추후의 가스 센싱 소자(말하자면, CH1)의 센싱층(52)에 도달하기 전에 하나의 센싱 소자(말하자면, CH2)의 센싱층(52)을 통과할 것이다. 구멍들(58)은 반도체 제조에 이용되는 표준적인 프로세스들에 의해(예를 들어, 포토리소그래피(photolithography) 및 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 등을 이용하여) 만들어질 수 있다. 변형 구조에서, 하부에 놓이는 층들(531, 532, 및 533)은 다공성이고, 따라서, 구멍들(58)을 제공하는 것이 필요하지 않다. 그런데, 오목부(57)가 멤브레인 구조(53)의 아래에 놓이는 기판(54)의 얇은 부분에 의해 걸쳐 이어지는 경우, 구멍들(58)은 그 기판 부분에 또한 제공될 수 있거나, 다공성 재료로 이루어질 수 있다.
가스 센싱 소자들(예를 들어, CH2) 중의 하나를 통과하는 가스는 특히, 센싱층에서 이용되는 산화물 또는 전도성 폴리머의 유형, 센싱층의 온도, (만약 있다면) UV 복사(radiation)에 대한 노출의 효과들, 및 센싱층에 적용되는 온도의 시간-프로파일(time-profile)에 따라 수정된다. 따라서, 추후의 가스 센싱 소자(예를 들어, CH1)의 측정 전극들(55)에 의해 측정되는 신호는 이 가스 센싱 소자(CH1)의 센싱층 내의 산화물 또는 전도성 폴리머의 성질에 의존할 뿐만 아니라, 그 동작 조건들(온도, 임의의 UV 복사에 대한 노출, 적용된 온도에 있어서의 시간-변동, 전압의 주파수 등)은 선행 층의 가스 센싱 소자 내의 산화물 또는 전도성 폴리머의 성질 및 그 동작 조건들에도 의존한다.
도 5는 도 3의 적층된 센서들에 기반한 가스 센서의 전체 구조를 예시한다. 이 센서를 통한 가스 흐름은 점선들을 이용하여 표기된 화살표를 이용하여 예시된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 가스 센싱 소자들(CH1, CH2)은 (분석될 가스를 받아들이기 위한) 유입구 및 유출구를 갖는 하우징(housing)(65) 내부의 기저부(60) 상에 적층된다. 기저부(60)는 예를 들어, 유리(glass)로 이루어질 수 있고, 하우징(65)은 PTFE로 이루어질 수 있지만, 발명은 이 재료들로 제한되지 않는다. 분석 중인 가스 샘플에 의해 횡단될 가스 센싱 소자들의 수에 따라서는, 가스 센서를 통한 가스 순환을 강제하기 위하여 펌프 등을 이용하는 것이 필요하거나 바람직할 수 있다. 그러나, 아래에 설명되는 바와 같이, 가스 샘플이 가스 센서를 통해 간단하게 확산하도록 함으로써 유용한 측정치가 생성될 수 있다. 강제된 순환 없는 간단한 확산은 2개 또는 3개의 적층된 가스 센싱 소자들을 채용하는 가스 센서에서 허용가능한 시간 프레임 내에 만족스러운 측정들을 달성하기에 충분해야 한다고 믿어지고 있다.
발명의 제 1 바람직한 실시예에 따르면, 가스 센싱 소자들은 다수의 상이한 구성들로 적층될 수 있다. 몇몇 가능한 구성들이 도 6 내지 도 11에 예시되어 있다.
도 6은 4개의 가스 센싱 소자들이 가스 유입구 및 가스 유출구 사이에 직렬로 (적층되어) 배열되고 가스 센싱 소자들을 자외선 광으로 조명할 수 있기 위하여 발광 다이오드가 하우징 내에 제공되는 구성을 도시한다. 히터들 및 다양한 가스 센싱 소자들의 측정 전극들을 외부 회로에 연결하기 위하여 하우징의 측벽을 통과하는 도선(lead)들이 보일 수 있다(그리고, 실제로, 요구되는 경우에는 온도 센서들을 위한 추가적인 도선들이 제공될 수 있다).
도 6의 구성에서, LED는 특히, UV가 통과하도록 하는 멤브레인들/절연층들(예를 들어, 매우 얇은 층들, 특히, 약 2 ㎛ 두께에 이르는 층들) 상에서 다양한 층들의 센싱층들을 지지함으로써 하우징 내의 센싱 소자들 전부를 조명하도록 배열될 수 있다. 대안적으로, 센서들의 전부가 아닌 일부를 UV 광으로 조명하는 것이 희망되는 경우, UV 장벽층(barrier layer)들은 하우징 내의 적절한 위치들에 제공될 수 있다.
도 7은 반도체 장치들을 연결-및-플러그(connect-and-plug)하기 위해 표준적인 TO5 유형 지지체 상에 장착된, 2개의 적층된 가스 센싱 소자들 및 가스 커넥터를 예시한다.
도 8은 가스 센싱 소자들의 어레이들이 적층되는 다층 구조를 예시한다. 이 예에서, 반전도성 금속-산화물 가스 센서들의 하나의 2x2 어레이는 또 다른 2x2 어레이 상에 적층된다. 그러나, 발명은 적층된 어레이들의 차원들에 대해 제한되지 않고 적층체 내에 포함된 어레이들의 수에 대해서도 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 또한, 어레이들의 차원들을 하나의 층으로부터 다음 층으로 변동하는 것이 배제되지 않는다.
도 9는 가스 센싱 소자들을 구동하고 그 출력을 처리하기 위한 회로뿐만 아니라, 발명의 제 1 실시예에 따라 가스 센서를 통합하는 소형의 장치도 예시한다. 이 소형의 장치는 크기에 있어서 대략 1 cm x 2.5 cm이지만 다수의 가스 센싱 소자들(특히, 2개 내지 7개의 적층된 가스 센싱 소자들)을 포함하는 캡슘의 형태를 취한다.
도 10은 단일 지지 기판(54)을 이용하여 2개의 가스 센싱 소자들이 직렬로 장착되는 장치를 예시한다. 2개의 가스 센싱 소자들의 센싱층들(52, 52')을 위해 상이한 재료들을 이용하는 것이 유익하다.
도 11은 다층 구조의 직렬-연결된 가스 센싱 소자들이 서로 이격되는 가스 센서 장치로서, 아마도 매개 소자들(도 11에서 점선으로 된 박스에 의해 나타냄)을 갖는 가스 센서 장치를 예시한다. 상기 장치를 통과하는 가스가 가스 센싱 소자(CH2)의 하향측(downstream)에 도달하기 전에 가스 센싱 소자(CH1)의 상향측(upstream)의 센싱층/멤브레인을 통과하도록 강요되고, 이에 따라, 가스는 센싱 소자의 하향측에 도달하기 전에 수정된다는 사실에 의하여, 이 구조는 알려진 장치들(가스가 통과하며 각각의 챔버 내에 상이한 센서들을 갖는 일련의 챔버들을 포함함)과는 상이하다.
도 11은 제 1 가스 센싱 소자(CH1)에 대하여 미러-이미지 배향(mirror-image orientation)으로 배향된 제 2 가스 센싱 소자(CH2)를 도시하지만, 두 소자들은 가스 흐름 경로에서 동일한 배향으로 배열될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 또한, 3개 이상의 가스 센싱 소자들이 도 11에 도시된 방식으로 상호연결될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
도 3 내지 도 8, 도 10 또는 도 11에 도시되어 있지 않지만, 발명의 제 1 바람직한 실시예에 따른 가스 센서들 내의 측정 전극들(55), 히터들(56) 및 온도 센서들 모두는 특히, 여기에서 설명을 요구하지 않는 잘 알려진 기술들을 이용하여 전류를 공급하고 측정들을 행하기 위한 다른 회로에 연결된다(또는 연결을 위해 구비된다).
본 발명에 특정한 다음의 특징들을 언급할 가치가 있다.
a) 다양한 센싱 재료들을 "수직으로(vertically)"(즉, 다양한 층들로) 배열하는 방법
일반적으로, 재료들의 수 및 선택뿐만 아니라, 발명에 따른 다층 장치의 상이한 층들 상에서의 그 상대적인 위치결정은 특정한 타겟 응용에 의존적인 방식으로 전체적인 센서 장치의 판별 능력(discriminant ability)을 증가시키도록 설계된다. 다수의 구성들은 특히, 상이한 반도체 금속 산화물 및 전도성 폴리머 재료들과의 상이한 가스들의 반응성(reactivity)들을 고려하면, 당업자의 통상의 일반적인 지식에 기초하여 당업자에게 용이하게 떠오를 것이다. 예시의 목적들을 위하여, 발명에 따른 다층 센서 내의 상이한 층들의 센싱층들에서 이용하기 위한 재료들의 조합의 선택에 의하여, 간섭 가스(interference gas)의 존재 시의 타겟 가스의 판별이 어떻게 더욱 용이하게 행해질 수 있는지에 관해 아래에서 하나의 예가 논의된다.
모든 가스들은 전도성 폴리머들과, ZnO, SnO2, In2O3, 등과 같은 금속 산화물 가스 센싱 재료들과 상이한 반응성들을 가진다. 타겟 가스가 더 높은 반응성을 가지는 간섭 가스 내에 있을 때, 특정 재료와의 더 낮은 반응성을 가지는 가스를 판별하는 것은 매우 어렵다. 예를 들어, H2S는 NH3에 비해 더욱 큰 반응성이 있으므로, H2S 분위에서 NH3를 구별하는 것은 매우 어렵다. 이전의 연구에 따르면, H-SH의 결합 에너지(bond energy)는 381 KJ/mol이고, H-NH2의 결합 에너지는 450 KJ/mol이다. 추가적으로, 2개의 NH3 분자들은 ZnO의 표면 상에서의 흡착된 산소와의 반응을 통해 3개의 자유 전자(free electron)들을 방출한다. 다른 한편으로, 하나의 H2S 분자는 반응을 통해 3개의 자유 전자들을 방출한다. 그 결과, H2S는 ZnO 센싱 재료와의 반응성이 NH3보다 더 크다. 그러나, 아래에서 설명되는 바와 같이, NH3는 발명에 따른 다층 구조를 이용하여 선택적으로 검출가능하다.
예를 들어, 2 종류의 센싱 재료가 있다고 가정한다. 하나의 재료 A는 H2S 및 NH3에 대해 각각 약 90 %의 반응성 및 10 %의 반응성을 보인다. 그리고, 다른 재료 B는 H2S 및 NH3에 대해 각각 약 60 %의 반응성 및 40 %의 반응성을 보인다. 여기에서 언급된 표현 "반응성(reactivity)"은 얼마나 분자들이 금속 산화물 센싱 재료들의 표면 상에서 불활성 가스들로 분해할 수 있는지를 수량화하는 파라미터를 나타낸다. 예를 들어, NH3는 ZnO의 표면 상에서 H2O 및 N2로 분해할 수 있고, H2S는 표면 상에서 H2O 및 SO2로 분해할 수 있다. H2S 분위기에서 이 2개의 재료들 A 및 B를 이용하여 NH3를 위한 더 큰 측정 신호를 발생하는 것은 불가능하다. 그러나, 센싱 재료들이 수직으로, 즉, 발명에 따른 다층 구조의 추후의 층들에서 배열되는 경우, NH3를 위한 더 큰 측정 신호를 발생하는 것이 가능하다.
재료 A는 가스가 진입하도록 하는 상단 층에서 센싱층을 형성하고, 재료 B는 상단 층을 통한 통과 후에 가스를 받아들이는 하단 층에서 센싱층을 형성한다고 가정한다. 이 경우, 가스는 재료 A를 통해서만 재료 B의 표면에 도달할 수 있다. NH3 및 H2S의 1000 개의 분자들 각각은 재료들을 통과한다고 가정한다. 1000 개의 H2S 분자들이 재료 A를 통과하는 동안, 분자들의 900 개는 H2O 및 SO2로 분해한다. 다른 한편으로, 동일한 조건들 하에서의 NH3의 경우, 100 개의 분자들만이 H2O 및 N2로 분해한다. 이것은 H2S 분자들의 수에 비해 더 큰 수의 NH3 분자들이 도달하여 재료 B와 반응할 수 있다는 것을 의미한다. 상기 예에서, 900 개의 NH3 분자들이 재료 B에 도달할 수 있지만, 100 개의 H2S 분자들만이 재료 B에 도달할 수 있다. 따라서, NH3의 측정 신호는 H2S의 신호에 비해 상대적으로 증가한다. 이것은 가스 센서 장치가 간섭 가스보다 더 낮은 반응성을 가지는 가스에 대해 양호한 선택성을 가지는 것을 보장하기 위하여 재료들이 어떻게 선택될 수 있는지에 대한 기본적인 예이다. 위에서 언급된 바와 같이, 특정 응용에 따라서는 센싱 재료들 및 그 상대적인 배치에 대한 다양한 조합들이 있을 수 있다.
b) 다층 구조의 다양한 센서들의 선택적 활성화를 이용하는 방법
발명에 의해 제공되는 다층 구조의 장점들 중의 하나는 이 구조가 직렬로 배열되는 센서들을 통한 가스 확산성(gas diffusivity)의 차이를 (가스 판별을 위해) 이용하는 것을 가능하게 한다는 점이다. 각각의 층을 통한 확산성은 센싱층 재료 자체 및 그 동작 온도에 종속적이다. 그러므로, 어떤 종류의 재료들이 이용되는지가 중요하고, 또한, 동작 온도가 무엇인지가 중요하다. 이것은 동작 순서가 확산성을 제어하기 위해 매우 중요하다는 것을 의미한다. 다층 구조는 온도 상에서의 다양한 동작 순서들과 함께 이용될 수 있다. 타겟 가스들에 대한 간섭 가스를 제거하기 위하여, 동작 온도는 양호하게 제어되어야 한다. 그러나, 순서의 프로파일은 특정 응용에 대해 실험적으로 결정될 수 있다.
c) 연속적인 센싱 소자들의 반응들 사이의 시간차의 측정:
적어도 2개의 적층된 가스 센싱 소자들을 포함하는 실시예에서, 분석되어야 할 데이터 포인트들의 클라우드(cloud)의 크기를 증가시키기 위해 구현될 수 있으며 다층 구조의 이용으로부터 유도하는 추가적인 기술들 중의 하나는 구조 내의 하나의 층의 센싱층이 분석을 거치는 가스에 대해 반응하는 순간과, 추후의 층(예를 들어, 가스 흐름의 방향에서의 다음 층) 내의 센싱층이 가스에 대해 필적하는 반응을 가질 때의 순간 사이의 시간차를 측정하는 것에 있다. 가스의 흐름이 강제되고 있지 않을 때, 이 시간차는 "하나의" 층의 센싱층을 통한 가스의 확산 레이트(rate)의 특징일 수 있고, 상이한 재료들을 통한 다양한 가스 종의 확산 레이트들이 알려져 있다는 것을 고려하면, 분석을 거치는 샘플에서 가스를 식별하는 것을 돕는 추가적인 파라미터로서 작용할 수 있다.
측정 전극들에 의해 생성된 파형들은 다양한 특징 포인트(characteristic point)들, 예를 들어, 구배(gradient)가 급격하게 변화하는 포인트들을 가진다. 상기 설명된 시간차를 측정하기 위한 기준으로서 작용하기에 가장 적합한 특정한 특징 포인트는 특정한 응용에 따라 변동하는 경향이 있다. 하나의 예에서, 처음에 가스 흐름 경로에 있는 상부 층의 측정 전극들에 의해 출력되는 신호에서 변곡점(inflection point)이 처음 나타날 때의 순간에 대응하는 시간 t1이 측정되고(이 순간은 이 층의 센싱층 및 분석을 거치는 가스 사이의 반응의 시작에 대응함), 가스 흐름 경로에서의 추후의 층의 측정 전극들에 의해 출력되는 신호에서 대응하는 변곡점이 처음 나타날 때의 순간에 대응하는 시간 t2이 측정된다(이 순간은 이 추후의 층의 센싱층 및 분석을 거치는 가스 사이의 반응의 시작에 대응함). 시간차 t2-t1은 멤브레인 및 가스의 특징이고, 특히, 가스 흐름 경로에서의 적어도 더욱 초기의 층에서의 센싱 재료(52), 층들(531-533)에서의 구멍들/기공들의 크기, 및 2개의 센싱층들 사이의 거리에 의해 영향을 받는다. 가스는 픽의 법칙(Fick's Law) 및 상이한 가스들에 대한 확산 계수들의 알려진 값들을 이용하여 식별될 수 있다.
분석 중인 가스가 하나를 초과하는 종을 포함하는 경우, 측정 전극들의 응답은 이 상이한 가스 종에 대한 센싱층의 반응의 특징인 각각의 상이한 특징들(특히, 상이한 변곡점들)을 종종 포함할 것이다. 따라서, 이 경우, 하나의 층의 측정 전극들의 응답에서의 대응하는 특징 및 추후의 층의 측정 전극들의 응답에서의 동등한 특징 사이의 시간 간격을 측정함으로써, 각각의 가스 종에 대하여 데이터가 발생될 수 있다.
d) 풍부한 데이터 포인트들의 세트를 생성하는 방법
발명의 제 1 실시예는 풍부한 데이터 포인트들의 세트가 작은 구조를 이용하여 급속하게 발생되는 것을 가능하게 한다. 가스를 특징화하기 위해 이용되는 측정들의 세트에서의 데이터 포인트들의 수 및 다양함은, 특히:
- 가스 센싱 소자들의 수를 증가시키는 것,
- 센싱층들을 형성하는 상이한 재료들의 수를 증가시키는 것,
- 다양한 센싱층들에 적용가능한 동작 조건들, 특히, 동작 온도들, UV 광에 대한 노출(exposure)/비-노출(non-exposure)을 변동시키는 것, 동작 온도들의 상이한 시변(time-varying) 프로파일들을 적용하는 것(특히, 상이한 온도들에서 짧은 간격들을 포함하는 프로파일을 적용하고 센싱층의 단기 반응들을 측정하는 것), 펄스화된(pulsed) 전위차를 측정 전극들에 인가하고 펄스 주파수를 변동하는 것, 등등에 의해 다양한 방법들로 증대될 수 있다.
본 발명은 발명에 따른 다층 장치에서 다양한 센싱층들의 동작 조건들을 변동시킴으로써 데이터 포인트들을 발생시키기 위한 프로세스의 구현에 대해 특별히 제한되지 않는다. 단일 센서 또는 다수의 센서들의 동작 조건들을 동시에 변경할 것인지 여부; 특정한 센서들의 동작 조건들이 변동될 때, 모든 센서들 또는 센서들의 서브-세트(sub-set)로부터의 출력 신호들을 측정할 것인지 여부; 동작 조건들이 변동됨에 따라 별개의 측정들(예를 들어, 센서들의 세트에 대해 적용되는 동작 조건들의 각각의 구성에 대한 별개의 측정들의 하나 이상의 세트들) 또는 계속적인 측정들을 행할 것인지 여부, 등등에 대해 상이한 선택들이 행해질 수 있다. 예를 들어, 상이한 온도 프로파일들을 장치 내의 센서들의 각각에 대해 동시에 적용하고 모든 층들의 측정 전극들로부터의 출력들을 측정함으로써 복수의 데이터 포인트들이 발생될 수 있다. 일반적으로, 다양한 센싱층들에 적용되는 상이한 동작 조건들은 장치의 판별 성능을 최적화하기 위하여 특정 응용에 맞추어질 수 있다.
센싱층(또는 선택적으로 활성화가능한 재료)을 특정한 온도에서 유지하기 위해 필요한 에너지에 주목함으로써, 본 발명의 실시예들에서 또 다른 측정치가 발생될 수 있다. 더욱 구체적으로, 가스가 센싱층(또는 선택적으로 활성화가능한 재료)와 접촉할 때에 발생하는 반응들 중의 일부는 흡열성(endothermic)일 수 있는 반면, 다른 것들은 발열성(exothermic)일 수 있다. 이러한 반응들 동안의 열 변화들은 정상 동작 온도에서 관련된 센싱층(또는 선택적으로 활성화가능한 재료)를 유지하기 위하여 히터가 필요로 하는 에너지의 양을 변경시킨다. 이 변경은 검출될 수 있고, 분석되고 있는 가스 샘플의 속성들의 추가적인 표시로서 이용될 수 있다. 또한, 이 기술은 아래에서 설명되는 발명의 제 2 실시예에서 적용될 수 있다.
상기 설명된 가스 센서들의 감도(sensitivity) 및 선택성(selectivity)을 증가시키기 위하여, 그리고 실제로, 화학저항 가스 센서들의 감도 및 선택성을 (즉, 심지어 다층 구조를 이용하지 않으면서) 일반적으로 증가시키기 위하여, 펄스화된 UV 광의 이용에 기반한 다양한 흥미로운 새로운 기술들이 적용될 수 있다. 이 새로운 기술들은 도 16 내지 도 18을 참조하여 지금부터 설명될 것이다.
측정들이 행해지는 기간 동안에 반전도성 금속 산화물 가스 센서들을 자외선 광에 노출하는 것이 이미 제안되었다. 또한, 에너지 소비를 감소시키기 위하여 UV 광을 펄스들로 적용하는 것이 제안되었다. 그러나, 본 발명자들은 계속적인 UV가 아니라 펄스화된 UV를 적용함으로써, 그리고, 동작 온도 및 센싱 재료의 성질을 고려하여, 펄스 속성들을 특정한 가스들에 맞춤으로써, 상이한 가스들에 관하여 반전도성 금속-산화물 가스 센서의 감도 및 선택성이 극적으로 증가될 수 있다는 것을 발견하였다. 이 현상은 아래에서 설명되는 이유들로 발생하는 것으로 믿어지고 있다.
가스 분자들은 그 분자들에서의 다양한 결합들에 대한 상이한 바인딩 에너지(binding energy)들 및 상이한 구조들을 가질 수 있다. 예를 들어, H2S의 분자에서, H-SH 결합의 결합 에너지는 381 kJ/mol이고, NH3의 분자에서는, H-NH2의 결합 에너지가 450 kJ/mol이다. UV 광의 펄스들이 가스에 대한 노출 동안에 반전도성 금속 산화물 센서에 적용될 때, 분자들을 활성화하기 위하여 요구되는 펄스들의 지속기간은 가스 종과 함께 변동된다. 소정의 가스에 대하여, 측정 전극들을 통해 검출되는 바와 같이 센싱 재료의 응답에서 관찰될 수 있는 효과를 최대화하기 위하여 UV 조명의 최적의 지속기간이 있는 것으로 보인다.
ZnO 센싱층을 갖는 단일의 반전도성 금속 산화물 가스 센서를 이용하여 실험들이 행해졌다. 효과적으로, 감광성(photosensitive)인 ZnO와 같은 금속 산화물들의 특정한 특징이 채용된다. 센서는 궁극적으로 세정 건조 공기(상대 습도 0 %)로 구성되는 테스트 분위기, 및 상이한 조건들 하에서, H2S의 변동하는 양들을 함유하는 가스 분위기에 노출되었다. 각각의 경우에 있어서, 센싱 재료는 분당(per minute) 200 cm3의 레이트에서 센서를 통한 가스의 계속적인 흐름에 노출되었다.
실험들의 제 1 세트에서, ZnO 층은 테스트 가스들에 노출되는 동안에 도 16a에 예시된 일반적인 형태를 갖는 파장 385 nm의 UV 광의 펄스들에 노출되었다. 각각의 경우에 있어서, ZnO 센싱층의 응답은 (도 16a의 화살표들 M에 의해 나타낸 바와 같이) 각각의 UV 펄스의 시작 후에 90 ms로 측정되었다. 실험들의 제 2 세트에서, ZnO 층은 테스트 가스들의 동일한 세트에 노출되는 동안에 동일한 385 nm 파장에서 계속적인 UV 조명에 노출되었다. 실험들은 UV 노출 없이 세 번째로 반복되었다.
UV 펄스들의 파장은 ZnO의 밴드갭(band gap)을 고려하여 385 nm로 설정되었다. 전하 캐리어(charge carrier)가 ZnO의 대역갭을 교차하기 위해 필요한 에너지는 25 ℃에서 3.3 eV이고, 이것은 376 nm의 UV 파장에 대응한다. 이론적인 계산들에 기초하여, 376 nm 이하의 UV 파장들은 ZnO의 밴드갭의 교차를 위해 충분한 에너지를 공급하기 위하여 UV 펄스들에 대해 이용되어야 한다는 것이 예상될 것이고; 실제로, 성공적인 실험들은 365 nm의 파장을 가지는 UV 펄스들을 이용하여 수행되었다. 그러나, 실제적으로, 유용한 효과들은 385 nm의 UV 펄스들을 이용하여 여전히 생성되었다는 것이 밝혀졌다. 일반적으로, 논의 중인 센싱 재료의 밴드갭을 교차하기 위해 필요한 에너지에 기초하여 적용된 UV 펄스들의 파장을 설정하는 것이 유익하다.
펄스화된 UV를 포함하는 테스트들 동안에는, 각각의 UV 펄스의 종료 후의 100 msec에서, ZnO 센싱 재료를 530 ℃로 가열하는 20 msec 기간이 있었다(점선 펄스들 TP에 의해 도 16a에 나타냄). 필적하는 20 msec 가열 기간들은 계속적인 UV 및 UV 없음을 포함하는 테스트들 동안에 필적하는 시간들에 적용되었다. 이 짧은 가열 버스트(burst)들은 측정 신호의 그 기선(baseline) 값으로의 복귀를 개선시킨다.
이 실험들에서, ZnO 센싱층의 응답은 도 16b에 예시된 바와 같은 저항 분배기 구조를 이용하여 측정되었다. 도 16b에 예시된 저항 Rs는 센싱층 ZnO의 저항을 나타내고, 저항 RL은 ZnO 센싱층과 직렬로 연결되었던 기준 저항기(reference resistor)를 나타낸다. 이 실험들에서, RL은 2.74 MOhm이었고, 예시된 d.c. 전력 공급 장치는 3.3 볼트(volt)의 전압을 제공하였다. ZnO 센싱층 및 기준 저항기 RL 사이의 포인트에서의 전압은 프로그램가능한 이득 증폭기로 공급되었고, 이 이득 증폭기는 궁극적으로, 증폭된 신호를 마이크로제어기에 공급하였고 분당(per minute) 한번 측정하였다. ZnO 센싱층의 응답을 나타내기 위하여 마지막 4개의 측정들의 평균이 계산되었고, 그 응답은 20분의 시간 기간 이상 감시되었다.
그런데, 도 16b는 센싱층의 저항을 평가하기 위해 이용될 수 있는 측정 회로의 단지 하나의 예라는 것이 이해될 것이다. 도 16b의 회로에서 다양한 수정들이 행해질 수 있거나(예를 들어, 증폭기로부터의 출력은 저역 통과 필터와, 그 다음으로 아날로그-디지털 변환기로 공급될 수 있음), 실제로, 다른 회로 배열들이 이용될 수 있다.
H2S에 대한 센서의 감도는 파라미터 Ra/Rg를 평가함으로써 수량화되었고, Ra는 건조 공기에 대한 노출 동안의 ZnO 센싱 재료의 저항이고 Rg는 H2S를 함유하는 분위기에 대한 노출 동안의 동일한 저항이다. 실험들은 각각 0.1 ppm(part per million), 0.5 ppm 및 1.0 ppm의 농도에서 H2S를 함유하는 상이한 가스 샘플들을 이용하여 수행되었다. 결과들은 도 17a에 도시되어 있다.
도 17a로부터 볼 수 있는 바와 같이, H2S에 대한 가스 센서의 감도는 UV 광에 대한 노출이 없을 때 최저이고, UV에 대한 계속적인 노출 동안에 측정이 행해질 때에 감도가 다소(아마도 2배) 개선되지만, 센서가 100 ms의 지속기간 및 10%의 듀티 사이클(duty cycle)을 가지는 도 16a의 UV 펄스들을 이용하여 조명될 때에는 감도에 있어서 큰 개선(대략 5 내지 17배)이 있다.
상기 실험들은 NH3의 변동하는 양들(1, 5 및 10 ppm의 NH3 농도들을 이용함)을 갖는 공기의 가스 분위기를 이용하여 반복되었지만, 그렇지 않을 경우에는 조건들을 변화되지 않게 둔다. 결과들은 도 17b에 도시된다.
도 17b로부터 볼 수 있는 바와 같이, NH3에 대한 가스 센서의 감도는 센서가 도 16a의 UV 펄스들을 이용하여 조명될 때에 증가된다. 그러나, UV 펄스들이 적용될 때의 H2S에 대한 가스 센서의 감도에 있어서의 증가는 NH3의 경우에 얻어지는 감도 증가보다 상당히 더 크다.
도 17c는 1.0 ppm(part per million)의 농도로 H2S를 함유하는 가스 샘플들에 대해 관찰되었던 감도의 증가와, 1.0 ppm의 농도로 NH3를 함유하는 가스 샘플들에 대해 관찰되었던 감도의 증가 사이의 관계를 예시한다. H2S에 대해 관찰된 감도 증가는 NH3에 대해 관찰된 감도 증가의 1000배 정도라는 것을 볼 수 있다. 당업자는 H2S에 대한 가스 센서의 선택성(즉, 다른 가스들에 비해 H2S에 우선적인 그 응답성)이 UV 펄스들을 적용함으로써 극적으로 증가된다는 것을 용이하게 인식할 것이다.
그 지속기간이 타겟 가스에 따라 적당하게 설정되는(그리고 유익하게는, 동작 조건들을 고려하여 설정됨) 선택된 파장의 UV 펄스들의 적용은, 선택된 동작 온도에서의 선택된 센싱 재료에 대해 타겟 가스 종의 활성화 에너지가 UV 파장들에서의 펄스들에 의해 제공되기에 적당한 범위에 있으면, H2S 및 NH3와 상이한 가스 종이 검출되더라도 그리고 센싱 재료가 ZnO와 상이하더라도, 가스-tpstj 감도에 있어서 개선을 이룰 것이라고 간주된다. 적당한 센싱 재료들은 선택된 전도성 폴리머들뿐만 아니라, 다른 반전도성 금속 산화물 재료들(예를 들어, TiO2, 고온의 SnO2, 등등) 및 반전도성 칼코게나이드(chalcogenide)들(예를 들어, CdS, ZnS, 등등)을 포함한다. UV 펄스들의 최적의 지속기간 및/또는 듀티 사이클은 선택된 센싱 재료, 적용된 UV 펄스들의 파장 및 동작 온도뿐만 아니라, 타겟 가스 종에도 의존한다.
가스 센서 감도 및 선택성을 개선시키기 위하여 특별히 설계된 UV 펄스들을 적용하는 이 기술은 특정한 가스 센서가 복수의 가스들을 판별하기 위해 이용되는 것을 가능하게 하기 위하여 채용될 수 있다. 더욱 구체적으로, 가스 센서 내의 센싱층에 적용되는 UV 펄스들의 지속기간 및/또는 듀티 사이클을, 각각의 상이한 가스 종에 대한 센싱층의 감도를 증가시키기에 각각 적당한 상이한 값들로 설정하도록 구성된 제어 모듈이 가스 센서에 제공될 수 있다(듀티 사이클 및 동작 온도에 대한 적절한 값은 선택된 센싱 재료 및 선택된 센싱 재료에 대해 선택된 UV 펄스 파장뿐만 아니라, 타겟 가스 종을 고려하여, 실험에 의해 결정됨).
대안적으로 또는 추가적으로, 타겟 가스에 대한 가스 센서의 선택성을 증대시키도록 구비된 측정 프로토콜을 적용하도록 구성된 제어 모듈이 가스 센서에 제공될 수 있다. 더욱 구체적으로, 측정 프로토콜은 먼저 적용된 UV 없이, 그리고 그 다음으로, 미리 결정된 파장 및 듀티비(duty ratio)의 적용된 UV 펄스들과 함께 측정들을 행하는 것을 포함할 수 있다(듀티비 및 동작 온도는 샘플들에서의 다른 가능성 있는 가스 종에 대해 예상된 감도의 증가에 비해 타겟 가스를 향한 감도의 상당한 증가를 생성하기 위하여 선택된 센싱 재료/UV 파장에 대한 이전의 테스트의 결과들에 기초하여 설정됨). 측정들의 2개의 세트들에서 관찰되는 센서 응답들의 비교 분석은 타겟 가스 종의 검출을 위해 이용될 수 있다. 전형적으로, 화학계량학적 방법들이 센서 응답들을 분석하기 위해 이용되지만, 발명은 적용될 수 있는 비교 분석 방법들에 대하여 특별히 제한되지 않는다.
위에서 언급된 바와 같이, 특별히 맞추어진 UV 펄스들의 적용을 포함하는 발명의 제 2 측면에 따른 기술은 가스 센서의 선택성에 있어서의 (1000 배 정도의) 극적인 증가를 만들 수 있다. 그러나, 선택성에 있어서의 이러한 극적인 증가는 모든 응용들에서 필요하지 않다. 어떤 경우들에는, UV 펄스들의 속성들을 설정하는 것이 충분할 수 있으므로 선택성에 있어서의 더 적은 증가가 얻어지고, 이것이 소정의 가스 종 및 센싱 재료에 대해 얻어질 수 있었던 최대의 증가가 아니더라도, 특정 응용의 상황에서는 여전히 상당하다.
상기 설명된 실험들은 단일 ZnO 센싱층을 포함하는 가스 센서를 이용하여 수행되었지만, UV 펄스들의 응용에 의해 얻어진 선택성 및 감도에 있어서의 관찰된 개선은 이러한 가스 센서들에 특정한 것이 아니라, 이와 반대로, 화학저항 가스 센서의 다른 구조들에서도 발생할 것이라고 믿어진다. 따라서, 이 문서에서 설명된 발명의 다양한 실시예들에 따른 다층 장치들에서, 그리고 더욱 일반적으로, 다른 화학저항-유형 가스 센서들 및 전도성 폴리머들에 기반한 가스 센서들에서, 상기 설명된 기술을 적용하는 것이 제안되어 있다.
상기 설명된 기술이 상기 설명된 다층 센서 구조들에서 적용될 때, UV 펄스들은 센서 내의 층들 중의 하나 이상에 적용될 수 있다. 특정 타겟 가스의 검출을 개선시키는 것을 고려하여 그 속성들이 설정되었던 UV 펄스들이 센서에서의 소정의 층의 센싱 재료(또는, 더욱 일반적으로 선택적으로 활성화가능한 재료)에 적용될 때, 조명된 재료는 UV 조명이 없는 경우(또는, 실제로, 다른 펄스들을 갖는 또는 계속적인 UV 조명)에 그러하였던 것보다 타겟 가스에 대해 더 강한 응답을 가질 것이다. 따라서, 이 층이 측정 전극들을 포함하는 경우, 센서의 이 층에서 측정된 신호의 강도는 변화할 것이다. 또한, 센서에서 이 층으로부터 추후의 층으로 통과하는 가스는 UV 펄스들이 적용되지 않았던 경우에 그러하였던 것보다 현재의 층에 의해 더 큰 수정을 거쳤을 것이다. 이 효과들의 둘 모두는 분석 중인 가스 샘플을 특징화하는 것을 돕기 위하여 데이터의 소스(source)들로서 이용될 수 있다.
상기 설명된 기술이 위에서 설명된 다층 센서 구조들에서 적용될 때, UV 펄스들의 속성들은 가스 센서가 검출하는 것을 목적으로 하는 타겟 가스 종에 따라, 희망하는 경우, 가스 센서의 UV-조명된 층이 추후의 층에 도달하는 것이 방지되도록 설계되는 간섭하는 가스 종에 따라 설정될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 다수의 UV 소스들이 제공될 경우에는 센서의 크기가 증가하기 쉽지만, 희망하는 경우, 두 방법들은 동일한 가스 센서의 상이한 층들에서 동시에 이용될 수 있다.
본 발명자들은 발명에 따른 가스 센서들 및 실제의 다른 반전도성 가스 센서들을 이용하여 얻어질 수 있는 측정치들의 세트가 UV 펄스들이 가스 센서들에 적용될 때에 관찰된 또 다른 현상을 이용함으로써 더욱 풍부해질 수 있다는 것을 더욱 인식하였다. 더욱 구체적으로, 발명자들은 UV 펄스가 먼저 온(on)으로 스위칭될 때에 센싱 재료의 응답에서 과도 효과(transient effect)들이 관찰될 수 있고, 센싱 재료가 상이한 가스 종에 노출될 때에는 과도 효과들이 상이하다는 것을 관찰하였다. 이 현상은 도 18에 예시되어 있다.
도 18a 및 도 18b에 도시된 트레이스(trace)들은, 이 경우, 가스 센서가 상부 층이 멤브레인을 통한 구멍들을 갖는 마이크로-센서로 구성되고 하부 층이 멤브레인 내에 구멍들을 갖지 않는 마이크로-센서로 구성되는 발명의 제 1 실시예에 따른 2층 센서였다는 점을 제외하고는, 도 16b의 것과 필적하는 테스트 회로를 이용하여 수행되는 실험들 동안에 측정되었다. 이 실험들에서는, 마이크로-센서의 2개의 층들이 모두 ZnO로 이루어진 센싱층들을 채용하였고, 상부 층은 ZnO 나노입자들을 이용하고 하부 층은 ZnO 나노로드들을 이용한다. 가스의 스트림(stream)은 분당 200 cm3의 레이트로 센서를 통해 계속적으로 흐르도록 되어 있었고: 처음에는 공기의 스트림(2400초 동안), 그 다음에는 1 ppm의 H2S를 함유하는 가스 샘플(1200초 동안), 그 다음에는 다시 공기(2400초 동안), 이후 1 ppm의 NH3를 함유하는 가스 샘플(1200초 동안), 그리고 마지막으로 공기(2400초 동안)이다. 가스의 상대 습도는 각각의 경우에 50 %이었다.
가스 센서가 새로운 가스에 노출되었던 각각의 시간 기간 동안에는, 다음 가스로의 전환 전에 100, 400 및 700초에서 시작하는 3개의 측정 단계들이 있었고, 각각의 측정 단계는 20초 지속되었다. 센서가 365 nm의 파장을 갖는 UV 광에 계속적인 방식으로 노출되었고 센서 응답이 10 밀리초(millisecond)마다 측정되었된 각각의 측정 단계 동안에는, UV 노출의 시작 및 종료가 측정 단계의 시작 및 종료와 동기화되었고, 제 1 측정은 UV 노출의 시작 후에 10 밀리초에 발생하였다. 따라서, 각각의 측정 단계 동안에 2000 개의 측정들이 행해졌고, 각각의 UV 노출 기간은 20초 길이였다.
도 18a는 H2S가 센서를 통해 흐르고 있던 동안에 수행된 측정 단계들 중의 전형적인 하나의 측정 단계 동안의 가스 센서의 상부 층의 응답을 예시한다. 도 18b는 NH3가 센서를 통해 흐르고 있던 동안에 수행된 측정 단계들 중의 전형적인 하나의 측정 단계 동안의 가스 센서의 상부 층의 응답을 예시한다.
도 18a로부터, 센싱 재료가 H2S에 노출되고 있는 동안에는 UV 노출이 시작된 직후에 센서 응답에서 과도적인 스파이크(transient spike)가 있고, 스파이크의 종료(도 18a에 도시된 바와 같이 스파이크의 우측) 시의 센서 저항은 증가의 시작(스파이크의 좌측) 시의 값보다 낮다는 것을 볼 수 있다. 이후, 저항값은 급속한 단기 변동들을 보이면서 비교적 서서히 증가한다.
이에 비해, 도 18b는 센싱 재료가 NH3에 노출되고 있는 동안에, UV 노출이 시작된 직후의 센서 응답이 저항에 있어서 급격한 하강을 가지고 저항에 있어서의 이 하락은 시간이 지남에 따라 감소하는 레이트로 완만하게 계속된다는 것을 도시한다.
UV 노출의 시작 시에 센싱 재료의 응답에서 관찰된 과도 효과들은 센싱 재료가 노출되고 있는 각각의 가스 종의 특징이고, 따라서, 특정 물질들을 검출하기 위한 도구를 제공한다고 믿어지고 있다.
상기 설명된 현상을 활용하기 위한 하나의 기술은 다음과 같다. 예비 학습 단계 동안에는 선택된 센싱 재료가 하나 이상의 테스트 물질들의 세트에 노출되고, UV 노출이 시작될 때, 각각의 테스트 물질(들)에 대한 센싱 재료의 응답에서 관찰된 과도 효과들이 측정된다. 다음으로, 테스트 물질(들)이 특징화되는 것을 가능하게 하는 과도 효과들의 독특한 특징들을 결정하기 위하여 판별 분석 기술들이 이용된다. 추후의 측정 단계 동안에는, 선택된 센싱 재료가 가스 샘플에 노출되고, 노출 기간 동안에는 UV 조명이 온(on)으로 스위칭된다. 센싱 재료의 응답이 측정되어 과도 효과들이 분석될 수 있고, 테스트 물질들의 세트에 대해 측정된 과도 효과들로 비교 분석이 수행될 수 있다. 이것은 특정 테스트 물질이 분석 중인 가스 샘플 내에 존재할 경우에 이 특정 테스트 물질이 검출되는 것을 가능하게 한다.
도 18을 참조하여 상기 설명된 실험들에서는, UV 조명에 대한 센싱 물질의 반응의 완전한 그림이 얻어졌다는 것을 보장하기 위하여, UV 조명의 시작 시에 센서 응답이 연장된 시간 기간(20초) 이상 감시되었다. 그러나, 도 18a 및 도 18b로부터, 자외선 조명의 스위칭 온(switching on) 이후의 매우 짧은 시간 기간 내에, 특히, UV 조명의 시작 후의 처음 수십 분의 1초 내에, 상당한 과도 효과들이 발생한다는 것이 관찰될 것이다. 따라서, 발명의 이 측면을 구체화하는 어떤 시스템들 및 방법들은 센싱 재료의 과도 응답의 첫 번째 부분, 즉, UV 조명의 시작 후의 첫 번째 초(second) 동안의 응답의 처리에 기초하여 타겟 가스의 검출 및/또는 식별을 행함으로써 신속한 결과들을 제공하도록 설계된다.
도 3 내지 도 11을 참조하여 상기 설명된 발명의 제 1 실시예에서는, 각각의 층의 센싱층들이 각각의 측정 전극들을 가지므로, 각각의 층은 가스 판별에 기여하는 전기 신호를 생성할 수 있다. 발명의 제 1 실시예에 따른 가스 센서들의 특정한 장점은 다층 구조의 센서들이 제어될 수 있고, 동적으로 구동될 수 있고, 데이터를 개별적으로 취득할 수 있다는 것이다.
발명의 제 2 실시예는 도 12 내지 도 15를 참조하여 지금부터 설명될 것이다. 발명의 제 2 실시예에 따르면, 다층 화학저항 유형 가스 센서는 화학저항 유형 가스 센싱 소자와 반대로, 희망하는 경우, 가스 센싱 소자에 도달하는 가스의 조성을 변경하도록 활성화될 수 있는 재료의 층을 제공함으로써 구성된다.
도 12는 발명의 제 12 실시예에 따라 가스 센서 구조(70)의 예를 예시한다. 도 12의 가스 센서(70)에서, 가스 센싱 소자(71)는 도 3 내지 도 5의 가스 센싱 소자들(CH1, CH2)과 동일한 일반적인 구조를 가진다. 그러나, 발명의 제 2 실시예에서, 이 가스 센싱 소자(71)는 더 이상 제 2 가스 센싱 소자와 직렬로 배열되지 않고, 대신에, 가스 샘플이 제 1 층(71)의 센싱층에 도달하기 전에 가스 샘플을 변화시키도록 선택적으로 활성화될 수 있는 재료의 층(75)을 보유하는 제 2 층(72)과 대향한다. 층(75)으로 이용되는 재료는 센싱층들(52)을 위해 이용되는 재료들과 동일한 종류의 반전도성 금속 산화물일 수 있고, 또한, 촉매 재료들 예를 들어, AuTiO2 또는 Pt를 이용하는 것이 가능하다.
도 12에서 점선으로 표기된 화살표에 의해 나타낸 바와 같이, 가스는 제 1 층(71)의 센싱층에 도달하기 전에 제 2 층(72)의 선택적으로 활성화가능한 재료(75)를 통해 흐른다. 제 2 층(72)의 선택적으로 활성화가능한 재료(75)를 지지하는 층(들)은 다공성이거나, 이 층에는 가스의 통과를 허용하기 위한 적당한 구멍들(예를 들어, 제 1 실시예에서와 같은 구멍들(58))이 제공된다. 따라서, 선택적으로 활성화가능한 재료가 예를 들어, 히터(74) 또는 소스(76)로부터의 자외선 광을 이용하여(또는 층(75)을 형성하는 재료의 성질에 적절한 임의의 다른 기술) 활성화되는 경우, 가스 샘플은 제 1 층(71)에 도달하기 전에 변화될 것이다.
제 2 층(72)은 촉매 필터이지만, 온(on) 및 오프(off)로 스위칭될 수 있는 능동 촉매 필터와 같이 작용한다고 간주될 수 있다. 반전도성 금속 산화물 가스 센서들과 연관되어 필터들을 이용하는 것이 알려져 있지만, 알려진 필터들은 2개의 종류들, 즉, 더 큰 가스 분자들의 통과를 물리적으로 차단하는 여과기(sieve)와 같이 동작하는 필터들, 또는 센싱층 상에 직접 증착되며 센싱층이 (예를 들어, 히터에 의해) 활성화될 때마다 활성화되는 재료의 층으로 구성되는 필터들 중의 하나인 경향이 있다. 발명이 제 2 실시예에서는, 제 2 층의 선택적으로 활성화가능한 재료(75)가 제 1 층(71)의 센싱층의 활성화에 무관하게 활성화될 수 있다.
발명의 제 2 실시예에 의해 제공되는 하나의 장점은 이 제 2 실시예가 제 1 층의 가스 센싱 소자(71)에 의해 행해질 수 있는 측정들의 수를 증가시키기 위한 추가적인 기술을 제공한다는 점이다. 더욱 구체적으로, 제 1 층(71)의 센싱층의 응답은 제 2 층의 선택적으로 활성화가능한 층(75)이 활성화되는 시간들에서(아마도 각각의 측정 사이에 변동되는 다른 동작 조건들을 갖는 다수의 이러한 시간들에서) 그리고 이 층(75)이 활성화되지 않는 필적하는 시간들에서 측정될 수 있다. 따라서, 가스 샘플의 분석은 파라미터들의 증가된 범위에 기초한 것일 수 있고, 이것은 결과들의 정확도를 개선시키는 경향이 있다.
발명의 제 1 실시예에 따른 장치들과 달리, 발명의 제 2 실시예에 따른 장치들에서는, 선택적으로 활성화가능한 재료의 층(75)을 보유하는 층에 의해 전기 신호가 출력되지 않는다. 그러나, 층(75)에서의 이용을 위해 특정된 재료들은 화학적 필터링을 위한 매우 양호한 기능성을 보여줄 수 있다. 또한, 이 경우, 층(75)을 지닌 층을 위한 측정 전극을 제조할 필요가 없으므로, 제조 비용이 감소된다.
발명의 제 2 실시예에서, 다층 구조는 다공성인 선택적으로 활성화가능한 층(75)을 보유하는 제 2 층(72)을 가지고, 분석을 거치는 가스는 제 2 층(72) 상의 다공성인 선택적으로 활성화가능한 층(75)을 통과하여 장치의 제 2 층(71) 상에 제공된 센싱 소자에 도달한다. 따라서, 그 센싱 소자에 도달하는 가스 샘플의 조성은 선행 층 상에 존재하는 선택적으로 활성화가능한 층(75)의 재료에 의해 크게 영향을 받는다.
지금까지 설명된 바와 같은 발명의 제 1 및 제 2 실시예들에서는, 다층 구조의 하나의 층으로부터 다음 층으로의 가스 흐름 경로가 센싱 재료(52)/선택적으로 활성화가능한 재료(75)를 지닌 멤브레인(53)을 통하는 구멍들/기공들에 의해 정의되고, 멤브레인(53)은 센서를 가로질러 연장되므로, 추후의 층으로의 다른 가스 흐름 경로가 없다. 이 배열은 추후의 층으로 통과하는 가스가 선행 층의 센싱 재료(52)/선택적으로 활성화가능한 재료(75)에 의해 최대로 영향을 받는다는 것을 보장한다.
본 발명자들은 예를 들어, 가스 센서의 연속적인 층들 사이의 전체 밀봉보다 적고 일부 가스는 선행 층의 선택적으로 활성화가능한 층을 통과하지 않고 추후의 층에 도달하므로, 분석을 거치는 가스가 선택적으로 활성화가능한 층을 반드시 통과하는 것이 아니라 그 층과 단순히 접촉하게 되는 제 1 및 제 2 실시예들의 변형들에서조차, 더 적은 정도이긴 하지만, 유사한 효과가 달성될 수 있다는 것을 인식하였다. 또한, 발명자들은 선택적으로 활성화가능한 재료가 추후의 층의 센싱 재료와 동일한 챔버에 위치되더라도, 가스가 추후의 층의 센싱층과 접촉하게 되기 전에 선택적으로 활성화가능한 층에 의해 수정되도록 할 수 있는 발명의 제 2 실시예의 변형들을 고안하였다. 따라서, 이 변형들에서는, 이전에 설명된 실시예들에서와 같이 가스가 하나의 층으로부터 다음 층으로 직렬로 통과한다고 간주될 수 있다.
제 2 실시예의 제 1 변형은 도 13에 예시되어 있다. 도 13으로부터 볼 수 있는 바와 같이, 제 2 실시예의 변형에 따르면, 가스 센서(80)는 제 1 및 제 2 층들(81, 82) 사이에 챔버(90)를 정의하도록 장착된 제 1 및 제 2 층들(81, 82)을 포함하는 하우징(86)을 포함한다. 제 1 층(81)은 도 3 및 도 4의 가스 센싱 소자들(CH1, CH2) 중의 하나에 필적하는 가스 센싱 소자이다. 제 2 층(82)은 도 12의 것에 필적하는 선택적으로 활성화가능한 재료의 층(85)을 보유하지만, 현재의 경우에 있어서, 층(85)은 제 1 층(81)의 센싱층과 대향하는 챔버(90) 내부에 위치된다.
제 2 실시예의 이 제 1 변형에서는, 제 2 층(82)이 다공성이거나 구멍들이 제공될 수 있어서, 가스는 점선들을 이용하여 도 13에 표기된 화살표 A'에 의해 도시된 바와 같이 선택적으로 활성화가능한 재료(85)를 통과한다. 이러한 경우, 제 1 층(81)에 도달하는 가스는 선택적으로 활성화가능한 재료(85)를 통과할 때, 특히, (예를 들어, 연관된 히터를 이용하여) 그 재료(85)를 활성화시킴으로써 수정될 수 있다는 것이 명백하다.
대안적으로(또는 추가적으로), 분석될 가스 샘플은 도 13에 도시된 화살표 A에 의해 나타낸 바와 같이, 하우징의 측벽 내의 하나 이상의 개구부들(87)을 통해 챔버(90)에 진입할 수 있고, 제 1 층(81)을 통해 챔버(90)를 진출할 수 있다. 이 경우, 개구부(87)를 통해 챔버(90)에 진입하는 가스는 (아래에 설명되는 바와 같이) 제 1 층(81)에 충분히 근접하게 재료(85)를 위치시키는 것 및/또는 챔버(90)의 내부/외부로의 가스의 흐름 레이트의 적당한 제어로 인해, 제 1 층(81)의 센싱 재료에 의해 검출되기 전에 제 2 층(82)의 선택적으로 활성화가능한 재료(85)에 의해 유용한 정도까지 여전히 수정될 수 있다.
제 2 실시예의 제 2 변형은 도 14에 예시되어 있다. 이 변형에서는, 가스가 측면 개구부(102)를 통해 밸브(1041)의 제어 하에 챔버(100) 내부로 도입되고, 제 1 층(101)을 부분적으로(B') 통과할 수 있다. 제 2 실시예의 제 1 변형에서와 같이, 가스는 촉매 재료(105) 및 제 1 층(101) 사이의 공간 및/또는 가스 흐름 레이트의 적당한 제어에 의하여, 제 1 층(101) 내의 센싱 재료에 의해 검출되기 전에, 촉매 재료들(104)의 활성화에 의해 수정될 수 있다. 가스 배출은 제 2 밸브(1042)의 제어 하에서 진출 개구부(103)를 통한다.
이 시스템은 센서를 통한 흐름 레이트 B'이 밸브들(104)의 제어에 의해 조절되도록 할 수 있다. 다음의 2개의 패턴들에 따라 제어되는 가스 흐름을 포함하는 가스 흐름의 상이한 패턴들이 지원된다:
패턴 1:
a) 밸브(1042)를 닫힌 상태로 유지하면서, 밸브(1041)를 개방함으로써 가스를 챔버(100) 내로 도입하고,
b) 밸브(1041)를 닫고, 선택된 시간 기간 동안에 가스를 챔버(100) 내에 유지하고(이 기간 동안, 일부 가스 종은 화살표 B'에 의해 나타낸 바와 같이, 센서(101)를 통해 챔버(100)를 진출할 것이다),
c) 밸브(1042)를 개방하여 챔버(100)를 비우고,
d) 희망에 따라 단계들 a) 내지 c)를 반복한다.
희망하는 경우, 단계 c)에서 챔버(100)를 비우는 것은 새로운 샘플이 도입되기 전에 챔버를 통해, 세정 가스(cleaning gas) 예를 들어, 공기의 통과가 동반될 수 있다(및/또는 뒤따를 수 있음).
전형적으로, 소정의 가스 샘플과 관련된 모든 희망하는 측정들은 위의 단계 b)에서 언급된 상주 기간들 중의 단 하나의 기간 동안에 챔버 내에 상주하는 동안에 행해지고; 이것은 동작 조건들이 소정의 가스 샘플에 관련하여 행해지는 상이한 측정들 사이에서 조작자의 제어에 무관하게 변동될 수 있다는 위험을 감소시킨다. 분석 중인 가스들 및 논의 중인 센싱 재료들에 따라, 이것은 챔버(100)에서의 1초 및 수분 사이의 상주 시간을 전형적으로 요구할 것이다.
그러나, 단일 상주 기간 동안에 모든 측정들을 수행하는 것이 필수적인 것은 아니고; 희망하는 경우, 가스 샘플의 연속적인 부분들이 단계 b)의 상이한 사례들 동안에, 특히, 단계 b)의 연속적인 사례들 동안에 챔버 내부로 도입될 수 있다.
패턴 2:
가스가 측정 기간 동안에 장치를 통해 계속적으로 흐르도록 한다. 계속적인 가스 흐름 동안에, 매 분(inute)마다 장치를 통해 흐르는 가스의 희망하는 체적을 얻기 위하여 밸브들(1041 및 1042)의 개방량을 제어한다. 밸브(1042)가 개방되어 있을 때, 가스는 주로 102로부터 103으로 흐르지만, 일부분은 센서(101)를 통해 흐른다(도 14의 화살표 B'). 유익하게도, 밸브(1042)를 통한 흐름 레이트는 챔버(100)에서 가스의 균질화(homogenization)를 가능하게 하기 위하여 충분히 낮게 설정된다.
전형적으로, 웨이퍼의 두께(도 14의 치수 t)가 약 0.5 mm일 때에는, 가스가 약 1초 내지 30초 범위의 기간 동안에 챔버(100) 내에 유지될 때의 패턴 1에 따른 가스 흐름에 대하여, 그리고 계속적인 가스 흐름 동안의 102로부터 103으로의 가스 흐름 레이트가 분당 약 1 ml 내지 분당 약 20 ml 범위에 있을 때의 패턴 2에 따른 가스 흐름에 대하여, 층들 사이의 거리(도 14의 치수 s)가 2 x s mm3의 체적(즉, 약 1 mm3 내지 약 6 mm3)에 대응하는 약 0.5 mm 내지 약 3 mm의 범위에 있을 때, 촉매 재료(105)에 의한 가스의 유용한 수정이 얻어진다.
도 15는 제 3 변형을 도시하고; 이것은 전체적인 흐름 B가 제한되지 않고 부분적인 흐름들 B' 및 B"을 갖는 CH1 CH2 셀들이 가스의 측정을 가능하게 하는 어셈블리의 전형적인 예이다. 제 2 실시예의 제 1 및 제 2 변형들에서와 같이, 가스는 촉매 재료(105) 및 제 1 층(101) 사이의 공간 및/또는 가스 흐름 레이트의 적당한 제어에 의하여, 제 1 층(101) 내의 센싱 재료에 의해 검출되기 전에, 촉매 재료들(105)의 활성화에 의해 수정될 수 있다.
도 13 내지 도 15에 도시된 바와 같이, 하단 센서로부터 공통의 챔버의 대향 측 상에 상단 층의 선택적으로 활성화가능한 재료를 배열하는 것은 가스의 접촉 표면적이 확대되기 때문에 타겟 가스의 촉매 연소(catalytic combustion)를 촉진시키기 위해 유용할 수 있다. 그 결과, 가스들을 판별하기 위해 연소 시간이 감시될 수 있다. 이 기술은 동등한 장점들을 이루기 위하여 발명의 제 1 실시예에서도 적용될 수 있다.
발명의 제 1 및 제 2 실시예들은 특히, 일부 층들이 측정 전극들이 구비된 센싱층들을 가지고 하나 이상의 다른 층들은 측정 전극들을 갖지 않는 센싱층들을 보유하는 적층된 구조를 만들기 위하여 조합될 수 있다는 것이 용이하게 이해될 것이다.
도 19는 2개의 가스 센싱 소자들이 직렬로 장착되는 본 발명의 제 1 측면에 따라 가스 센서들의 일부 다른 구성들을 예시한다. 도 19에 예시된 구성들은 다른 층들을 추가함으로써 확장될 수 있고, 다시 한번, 이러한 확장된 구조들은 희망에 따라, 측정 전극들이 구비된 센싱층들을 갖는 추가적인 층들 및/또는 측정 전극들이 없는 센싱층들을 보유하는 층들을 포함할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 도 19c 및 도 19d의 굴곡된 화살표들은 (상이한 층들이 반드시 동시에 활성화되지 않도록 상이한 층들의 활성화가 제어될 것이라는 점을 유념하여) 장치 내의 각각의 층이 다른 층에 의해 감지된 가스에 영향을 준다는 것을 보장하도록 설계된 원형 흐름, 바람직하게는, 맴돌이 흐름(vortex flow)을 나타낸다.
본 발명은 특정한 실시예들을 참조하여 위에서 설명되었지만, 당업자는 본 발명이 상기 설명된 실시예들의 세부 사항들에 의해 제한되지 않는다는 것을 용이하게 이해할 것이다. 더욱 구체적으로, 당업자는 상기 설명된 실시예에서 다양한 수정들 및 개발들이 행해질 수 있고 첨부된 청구항들에서 정의된 바와 같은 본 발명으로부터 이탈하지 않으면서 상이한 실시예들이 설계될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
예를 들어, 상기 설명된 특정한 실시예들은 실리콘으로 이루어진 기저부 기판을 이용하지만, 세라믹 재료들(Al2O3, 등등), 유리, 및 플라스틱들을 포함하지만 이것으로 제한되지 않는 적절한 기계적 속성들을 갖는 다른 재료들이 그 대신에 이용될 수 있다는 것이 용이하게 이해될 것이다.
또한, 상기한 설명은 촉매 재료들의 층들의 이용을 언급하지만, 측정 전극들을 갖거나 갖지 않는 층들이 "트랩(trap)" 재료들 예를 들어, Tenax®, 제올라이트(zeolite)들, 활성탄(activated charcoal) 등등으로 이루어질 수 있고, 이 재료들은 수동적(급속한 트래핑, 느린 방출)이거나 능동적(예를 들어, 가열을 이용하여 탈착이 생성됨)일 수 있다는 것을 이해해야 한다. 발명의 제 1 측면에 따른 장치들에서는, 적어도 하나의 층이 선택적으로 활성화가능한 층을 포함하는 구조들에서 수동적 재료들이 채용될 것이라는 것을 이해해야 한다.
또한, 기선 복귀를 촉진하기 위한 가열 펄스들의 이용은 발명의 특정한 실시예 및 측면의 상황에서 위에서 설명되지만, 발명의 다른 실시예들 및 측면들에서 이 목적을 위하여 가열 펄스들이 채용될 수 있다는 것을 이해해야 한다.
유사하게, 가스 센서에서 챔버를 통한 공기의 세정 흐름(또는 다른 세정 가스)의 이용이 발명의 특정한 측면의 상황에서 위에서 설명되지만, 발명의 다른 실시예들 및 측면들에서 이 유형의 세정 단계가 채용될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 또한, 이러한 세정 단계 동안(가스 종이 촉매 및/또는 센싱 재료층(들)로부터 탈착될 때) 및/또는 가스 샘플이 희석되는 단계들 동안에 유용한 측정들이 행해질 수 있다.

Claims (14)

  1. 화학저항 유형(chemoresistor type) 가스 센서에 있어서,
    가스 센싱층(gas-sensitive layer), 및
    상기 가스 센싱층을 자외선 광의 펄스에 노출시키도록 동작가능한 자외선 광의 소스를 포함하고,
    상기 가스 센서는 상기 가스 센싱층에 흡착될 타겟 가스 종에 따라, 상기 자외선 광의 소스에 의해 인가되는 상기 자외선 광 펄스의 듀티비(duty ratio) 또는 지속기간(duration)을 제어하도록 구성된 설정 유닛(setting unit)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 가스 센서.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 설정 유닛에 의해, 상기 가스 센서의 상기 가스 센싱층에 인가되는 자외선 펄스의 지속기간 또는 듀티비를 개개의 상이한 타겟 가스 종의 차별을 위해 상이한 값들로 설정하도록 구성된 제어 모듈을 더 포함하는, 가스 센서.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 센서는 개개의 층에 복수의 가스 센싱층을 갖는 다층 디바이스(multi-storey device)이고, 상기 복수의 자외선 광의 소스는 상기 가스 센서의 상이한 가스 센싱층에 상이한 듀티비의 자외선 펄스를 인가하도록 구성되는, 가스 센서.
  4. 제 1 항에 있어서,
    가스 샘플의 선택된 타겟 가스에 대한 상기 가스 센서의 선택도(selectivity)를 향상시키기 위한 측정 프로토콜을 적용하도록 구성된 제어 모듈을 더 포함하고, 상기 측정 프로토콜은 : 상기 가스 샘플에 대한 상기 가스 센싱층의 응답이 측정되는 제 1 측정 단계 및 상기 가스 센싱층이 상기 자외선 광의 소스로부터의 자외선 펄스로 조명되고 그리고 상기 가스 샘플에 대한 상기 가스 센싱층의 응답이 측정되는 제 2 증가된 감도 측정 단계를 포함하고;
    상기 제 2 증가된 감도 측정 단계 동안 상기 자외선 펄스의 듀티비는 상기 선택된 타겟 가스에 따라 상기 설정 유닛에 의해 설정된 미리 결정된 값이며; 및
    상기 제어 모듈은 상기 제 1 측정 단계에서 측정된 응답과 상기 제 2 증가된 감도 측정 단계에서 측정된 응답의 비교를 포함하는 비교 분석을 수행함으로써 상기 타겟 가스 종을 검출하도록 구성되는, 가스 센서.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제어 모듈은, 상기 제 2 증가된 감도 측정 단계에서, 상기 선택된 타겟 가스 뿐만 아니라 센싱 재료; 인가된 상기 자외선 펄스의 파장 및 동작 온도에 따라 상기 자외선 펄스의 듀티비가 상기 설정 유닛에 의해 설정된 미리 결정된 값이 되는 측정 프로토콜을 적용하도록 구성되는, 가스 센서.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 제어 모듈은 상기 제 1 측정 단계 동안 상기 가스 센싱층이 상기 자외선 광의 소스로부터의 UV 광으로 조명되지 않는 측정 프로토콜을 적용하도록 구성되는, 가스 센서.
  7. 가스 센싱층을 포함하는 화학저항 유형 가스 센서의 동작 방법에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 가스 센싱층 상에 흡착될 타겟 가스 종에 따라 듀티비 또는 지속기간이 설정되는 자외선 광의 펄스를 상기 가스 센싱층에 인가하는 단계를 포함하는, 가스 센서의 동작 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 인가하는 단계는 상기 가스 센싱층에 인가되는 자외선 펄스의 지속기간 또는 듀티비를 개개의 상이한 타겟 가스 종의 차별을 위해 상이한 값들로 설정하는 단계를 포함하는, 가스 센서의 동작 방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 가스 센서는 복수의 자외선 광의 소스들 및 개개의 층에 복수의 가스 센싱층을 갖는 다층 디바이스(multi-storey device)이고, 상기 인가하는 단계는 상기 가스 센서의 상이한 가스 센싱층들에 상이한 듀티비의 자외선 펄스를 인가하는 단계를 포함하는, 가스 센서의 동작 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 인가하는 단계는 가스 샘플의 선택된 타겟 가스에 대한 상기 가스 센서의 선택도(selectivity)를 향상시키기 위한 측정 프로토콜을 적용하는 단계를 포함하고, 상기 측정 프로토콜은 : 제 1 측정 단계에서 상기 가스 샘플에 대한 상기 가스 센싱층의 응답을 측정하는 단계 및 상기 가스 센싱층이 자외선 펄스들로 조명되고, 상기 자외선 펄스의 듀티비는 상기 선택된 타겟 가스에 따라 설정된 미리 결정된 값인 제 2 증가된 감도 측정 단계에서 상기 가스 샘플에 대한 상기 가스 센싱층의 응답이 측정하는 단계를 포함하고;및
    상기 가스 센서 동작 방법은 상기 타겟 가스 종을 검출하기 위해 비교 분석을 수행하는 단계를 더 포함하되, 상기 비교 분석은 상기 제 1 측정된 단계에서 측정된 응답과 상기 제 2 증가된 감도 측정 단계에서 측정된 응답의 비교를 포함하는, 가스 센서의 동작 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 제 2 증가된 감도 측정 단계 동안 적용되는 측정 프로토콜에서 상기 자외선 펄스의 듀티비는 상기 선택된 타겟 가스 뿐만 아니라 센싱 재료; 인가된 자외선 펄스의 파장 및 동작 온도에 따라 설정 유닛에 의해 설정된 미리 결정된 값이 되는, 가스 센서의 동작 방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 측정 단계 동안 적용되는 측정 프로토콜에서 상기 가스 센싱층은 상기 자외선 광의 소스로부터의 UV 광으로 조명되지 않는, 가스 센서의 동작 방법.
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