JP2000040893A - 電磁波制御積層材及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子機器における電磁障害、特に磁界による
電磁障害を効果的に防止することができる電磁波制御積
層材、それを用いた変動磁界及び電磁波のシールド方
法、及び、電子機器を提供する。 【解決手段】 初期透磁率が５０００以上の軟磁性金属
箔と、磁性粉体及び結合材からなる磁性粉体層とを積層
してなる電磁波制御積層材。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等におけ
る電磁障害、特に磁界による電磁障害を効果的に防止す
ることができる電磁波制御積層材、それを用いた変動磁
界又は電磁波の遮蔽方法及び電子機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器は、高周波数のデジタル信号を
取り扱うことが多く、このような信号が回路等を流れる
ことに由来する電磁障害の発生が懸念されている。例え
ば、電子機器の回路基板、ケーブル、半導体素子等は、
電子機器の誤動作の原因となる電磁障害を発生する場合
がある。また、逆に、周囲からの電磁波や変動磁界の影
響により電磁障害を被る場合もある。

【０００３】このような電磁障害のひとつとして、周波
数帯域が１ＧＨｚ以下の電磁波や１ＭＨｚ以下の磁界に
よるデジタル信号回路への影響が指摘されている。例え
ば、コンピュータの電源回路から発生する１ＭＨｚ又は
それ以下の変動磁界が、フロッピーディスク装置等の磁
気記録回路に作用して、読み出し、書き込みエラーや誤
動作を引き起こす場合がある。更に、インバータ回路か
らなる電源部には、スイッチング素子が通常使用されて
おり、電磁波や変動磁界を発生しやすい。更にまた、液
晶表示のインバータ駆動部においても、電磁波や変動磁
界を発生することがある。特に、狭い筐体内に高い実装
密度で回路を組み込んだ場合に、このような電磁障害が
発生しやすい。

【０００４】例えば、ノートブック型の小型携帯パソコ
ン、携帯電話等では、非常に小さな筐体内に電源部、記
憶媒体、演算素子部、表示部、それらをつなぐケーブル
等が混在しており、演算部、表示部、フロッピーディス
ク、ハードディスク等が影響を被って電磁障害が発生す
る可能性が高い。

【０００５】このような電磁障害に対しては、従来、問
題となる回路を遠ざけて電磁界による影響を低減させる
等の方策が取られてきた。しかしながら、電子機器の小
型化、軽量化の要請に応えるためには、種々の回路基板
やケーブル等の実装密度を高くしなければならず、この
ような対策を充分に講ずることはもはや困難であった。

【０００６】そこで、電子機器に対しては、導電性遮蔽
材を挿入したり電子機器を覆うことにより、不要電磁波
を遮蔽する方法が行われている。しかしながら、導電性
遮蔽材による方法では、銅、アルミニウム、ニッケル等
の高導電性材料が磁性材料としての特性を持たないため
に、不要電磁波を遮蔽する効果はあるが、磁界ノイズを
遮蔽する効果はなかった。また、特開平１０−８４１９
５号公報には、複合磁性体に導電性支持体を設けた電磁
障害を抑制するための電磁干渉抑制体が開示さている。
しかしながら、これらに用いられている導電性支持体
は、電界に対する遮蔽効果のみであり、磁界の遮蔽効果
はない。

【０００７】このように、従来の技術においては、電界
遮蔽をもって電磁障害に対応するものであり、磁界に対
する対策が充分でなく、磁界ノイズと電界ノイズが同時
に発生する場合が多い電子機器において、これらのノイ
ズによる電磁障害を効果に防止することができる有効な
手段は存在しなかった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の現状
に鑑みて、電子機器における電磁障害、特に磁界による
電磁障害を効果的に防止することができる電磁波制御積
層材、それを用いた変動磁界又は電磁波の遮蔽方法及び
電子機器を提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、初期透磁率が
５０００以上の軟磁性金属箔（Ａ）と、磁性粉体及び結
合材からなる磁性粉体層（Ｂ）とを積層してなる電磁波
制御積層材である。本発明はまた、上記電磁波制御積層
材を、磁性粉体層（Ｂ）が変動磁界又は電磁波の発生源
に対面するように配置して上記変動磁界又は電磁波の発
生源からの変動磁界若しくは電磁波を遮蔽する方法でも
ある。本発明は更に、電子機器筐体内の変動磁界又は電
磁波の発生源に上記電磁波制御積層材を設けてなる電子
機器でもある。以下に本発明を詳述する。

【００１０】本発明の電磁波制御積層材は、軟磁性金属
箔（Ａ）と磁性粉体層（Ｂ）とを積層してなる。上記軟
磁性金属箔（Ａ）は、初期透磁率が５０００以上の軟磁
性金属箔である。初期透磁率が５０００未満であると、
磁界を充分に遮蔽することができない。従って、上記軟
磁性金属箔（Ａ）は、磁界及び電界に対する遮蔽作用を
有する。

【００１１】上記軟磁性金属箔（Ａ）としては、初期透
磁率が５０００以上のものである限り特に限定されるも
のではないが、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓ
ｉ、Ｓｒ及びＮｂからなる群より選択される少なくとも
１種の元素を含有する鉄系合金からなる軟磁性金属箔で
あることが好ましい。

【００１２】上記軟磁性金属箔としては特に限定され
ず、例えば、スーパーマロイ、パーマロイ、アモルファ
ス金属箔等を挙げることができる。このようなものとし
ては市販されているものを使用することができ、例え
ば、ＭＥＴＧＬＡＳ ２７０５Ｍ（商品名）（Ｃｏ−Ｆ
ｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｂ−Ｓｉ系、日本非晶質金属社製）、
ＭＥＴＧＬＡＳ ２７１４Ａ（商品名）（Ｃｏ−Ｆｅ−
Ｎｉ−Ｂ−Ｓｉ系、日本非晶質金属社製）、パーマロイ
合金のタフパームＨＤ（商品名）（Ｎｉ−Ｆｅ系、日立
金属社製）、ナノ結晶粒軟磁性材料のファインメットＦ
Ｔ−３Ｍ（商品名）（Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系、日立金属社
製）等を挙げることができる。

【００１３】上記軟磁性金属箔（Ｂ）には、表面を保護
するために、片面又は両面に、絶縁性樹脂層を形成して
もよい。上記絶縁性樹脂層は、例えば、絶縁性を有する
樹脂又はフィルム等からなる。上記絶縁性を有する樹脂
又はフィルムは、粘着性を有するものであってもよい。

【００１４】上記絶縁性を有する樹脂又はフィルムとし
ては特に限定されず、例えば、ポリプロピレン、ポリエ
チレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリビニルアルコ
ール、ポリブタジエン、ポリブテン、シリコーン樹脂；
可塑化ポリ塩化ビニル、ポリウレタン系可塑化ポリ塩化
ビニル、可塑化（酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体）等
の塩化ビニル系樹脂；（メタ）アクリル酸アルキルエス
テル、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート等を
ベースポリマーとする樹脂や、該樹脂からなるフィルム
等を挙げることができる。

【００１５】上記粘着性を有する樹脂又はフィルムとし
ては特に限定されず、例えば、スチレン−イソプレン−
スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエンゴ
ム、ポリブテン、ポリイソプレン、ブチルゴム、天然ゴ
ム等のゴム系粘着剤；（メタ）アクリル酸エチル、（メ
タ）アクリル酸プロピル等の（メタ）アクリル酸アルキ
ルエステル等のアクリル系粘着剤；ホットメルトとして
使用することができるワックス系粘着剤；シリコーン系
粘着剤；ウレタン系粘着剤；エポキシ系粘着剤等を挙げ
ることができる。

【００１６】上記絶縁性樹脂層は、上記軟磁性金属箔
（Ａ）の一方の面上に設けてもよく、両方の面上に設け
てもよい。上記磁性粉体層（Ｂ）が上記軟磁性金属箔
（Ａ）の一方の面上に積層される場合は、他方の面上に
上記絶縁性樹脂層を設けることが好ましい。これによ
り、一方の面上に設けられる上記絶縁性樹脂層は、防
錆、防磨耗、粘着、電気絶縁等の目的で設置される表面
保護層として機能させることができる。

【００１７】上記磁性粉体層（Ｂ）は、磁性粉体及び結
合材からなる。上記磁性粉体層（Ｂ）の具体例は、特願
平７−１７９５０３号、特開平６−９７６９１号公報、
特開平１０−３２３９６号公報に開示されている。上記
磁性粉体は、粒子径０．１〜３００μｍのものを使用す
ることができるが、好ましくは、粒子径が１００μｍ以
上の磁性粒子を含有するものである。上記粒子径が１０
０μｍ以上の磁性粒子を含有する磁性粉体層（Ｂ）は、
１ＭＨｚ程度の低周波から１ＧＨｚ程度の高周波までの
電磁波に対して磁気的損失を呈するものであり、１ＭＨ
ｚ〜１ＧＨｚの電磁波を磁性損失により効率的に吸収す
ることができる。

【００１８】上記磁性粒子のうち、粒子径が１００μｍ
以上の磁性粒子の含有量は、上記磁性粉体中、５０〜１
００重量％が好ましい。本発明においては、実質的に、
磁性粒子のうち粒子径が１００μｍ以上の磁性粒子の存
在量に注目している。低周波数の電磁波の吸収効果を発
揮するためには、この性能に寄与する大粒子径の磁性粒
子の存在量が重要である。従って、このような粒子径が
１００μｍ以上の大粒子径の磁性粒子が５０重量％以上
含有された磁性粉体であれば、本発明の目的を達成する
ことができる。このように大粒子径の磁性粒子の存在量
が規定された上述の磁性粉体は、例えば、平均粒子径が
１００μｍ以上と規定されたものとは全く異なるもので
ある。

【００１９】上記磁性粒子としては、磁気的損失を呈す
るものであれば特に限定されず、例えば、金属酸化物磁
性体粒子、金属磁性体粒子等を挙げることができる。

【００２０】上記金属酸化物磁性体粒子としては特に限
定されず、例えば、Ｆｅ₂ Ｏ₃ にＭｎＯ、ＺｎＯ、Ｎｉ
Ｏ、ＭｇＯ、ＣｕＯ、Ｌｉ₂ Ｏ等を組み合わせたフェラ
イト；ＮｉＯ−ＭｎＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 、ＭｎＯ−
ＺｎＯ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 、ＮｉＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 等の
スピネル型フェライト；ガーネット型フェライト；スピ
ネル型（立方晶）のγ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 、Ｆｅ₃ Ｏ₄ 等の粒
子を挙げることができる。これらのうち、本発明におい
ては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓ
ｎ、Ｓｒ、Ｂａ等を含有するＦｅ酸化物を使用すること
が好ましい。これらは単独で使用してもよく、２種以上
を併用してもよい。

【００２１】上記金属磁性体粒子としては特に限定され
ず、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の磁性金属単体粒子；
珪素鋼、センダスト、スーパーマロイ、パーマロイ、ア
モルファス金属等の磁性金属合金粒子；Ｓｉ、Ｂ、Ａ
ｌ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、
Ｍｏ及びＡｇからなる群より選択される少なくとも１種
を含むＦｅ磁性合金粒子等を挙げることができる。

【００２２】これらのうち、好ましくはＳｉ、Ｂ、Ａ
ｌ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、
Ｍｏ及びＡｇからなる群より選択される少なくとも１種
を含むＦｅ磁性合金粒子、Ｆｅ、Ｃｏ又はＮｉの磁性金
属単体粒子である。これらは単独で使用してもよく、２
種以上を併用してもよく、その粒子径範囲は、０．１〜
３００μｍであるものが使用される。

【００２３】上記磁性粒子のうち、粒子径が１００μｍ
以上のものは、例えば、上記金属酸化物磁性体、上記金
属磁性体等の磁性体のブロックを、スタンプミル機等を
用いて粉砕し、乾式篩い分け法、気流分級、湿式篩い分
け法、機械的湿式分級等により分級することによって得
ることができる。上述のようにして得られた粒子径が１
００μｍ以上の磁性粒子が上記磁性粉体に５０〜１００
重量％含有されていることを確認する方法としては、例
えば、目開きが１００μｍメッシュの篩を用いて粒子を
篩った際に、篩上の残渣粒子量が５０〜１００重量％の
範囲内に入っているか否かで判断することができる。

【００２４】上記磁性粒子の形状としては特に限定され
るものではないが、磁界の吸収効果を充分に発揮するた
めに、不定形粒子であることが好ましい。本明細書中、
「不定形粒子」とは、形状の異方性が比較的少ない粒子
をいい、例えば、アスペクト比で表すならば７以下、好
ましくは４以下の粒子を意味する。本発明においては、
偏平状粒子、鱗片状粒子、針状粒子、繊維状材料等に代
表されるようなアスペクト比が７よりも大きい材料は、
上記磁性粒子として適さない。

【００２５】上記磁性粒子は、必要に応じて、シランカ
ップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミネート
系カップリング剤、その他の添加剤、樹脂等により表面
処理されていてもよい。

【００２６】上記磁性粉体は、そのままでは層状化が困
難であるので、上記磁性粉体と結合材とともに使用され
る。

【００２７】上記結合材としては、上記磁性粒子との濡
れ性、樹脂の混練加工時の粘度、温度、フィルムの物
性、耐化学性、耐熱性、耐水性、金属やプラスチックと
の接着性等を考慮して熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂の
うちから適宜選択することができる。なかでも、エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体、変性エチレン−酢酸ビニル共
重合体、エチレン−酢酸ビニル−塩化ビニルグラフト共
重合体、塩素化ポリエチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポ
リエステル樹脂、アクリル樹脂、アミド樹脂、シリコー
ン樹脂、エポキシ樹脂から選ばれる樹脂、及び、これら
の変性樹脂が好ましい。上記結合材として熱可塑性樹脂
を使用する場合は、上記軟磁性金属箔（Ａ）と上記磁性
粉体層（Ｂ）とを熱融着して接合することができる。

【００２８】上記結合材は、上記磁性粉体１００重量部
に対して、４〜８０重量部配合されることが好ましい。
４重量部未満であると、磁性粉体層の製造性が充分では
なく、８０重量部を超えると、低周波数の磁界の吸収が
充分できない。

【００２９】上記磁性粉体層（Ｂ）の厚さは、０．１５
〜２０ｍｍであることが好ましい。０．１５ｍｍ未満で
あると、磁界ノイズを充分に吸収することができず、２
０ｍｍを超えると、不要電磁波の吸収に対する効果に問
題はないが、その厚さにより使用範囲が限定され、筐体
形状に合わせた設置が難しくなる。好ましくは、０．２
〜１０ｍｍである。

【００３０】上記電磁波制御積層材は、上記軟磁性金属
箔（Ａ）と上記磁性粉体層（Ｂ）とを積層してなる。こ
れを具体的に例示するなら、例えば、図１（ａ）は、軟
磁性金属箔１の片面に熱融着した磁性粉体層２が設けら
れている。図１（ｂ）は、軟磁性金属箔１の両面に熱融
着した磁性粉体層２が設けられている。図１（ｃ）は、
軟磁性金属箔１の片面に、接着層３を介して磁性粉体層
２が設けられている。図１（ｄ）は、軟磁性金属箔１の
両面に、接着層３を介して磁性粉体層２が設けられてい
る。これらのうち、磁界及び電磁波による電磁障害を効
果的に防止することができる点から、軟磁性金属箔の両
面に磁性粉体層を設けたものが好ましい。

【００３１】本発明の電磁波制御積層材の製造は、例え
ば、ロール、バンバリーミキサー、加圧ニーダー等を用
い、上記磁性粉体、結合材及びその他の添加剤を混練し
て磁性体含有樹脂組成物とし、更に、加圧プレス、カレ
ンダーロール、押し出し機等により層状に成形して磁性
粉体層を製造し、その後、接着剤、両面粘着シート又は
熱融着によりこの磁性粉体層を軟磁性金属箔の片面又は
両面に貼り付けることにより行うことができる。

【００３２】また、上述の方法以外に、可塑化した樹脂
や溶剤に溶解又は分散した樹脂に上記磁性体粉末を混入
した溶液又はペーストを、上記軟磁性金属箔（Ｂ）に塗
布し、揮発成分を除くことによって磁性粉体層（Ａ）を
軟磁性金属箔上に形成することもできる。

【００３３】本発明の電磁波制御積層材は、非常に大き
な透磁率をもつ導電体であって磁界及び電界に対する遮
蔽作用を発揮する上記軟磁性金属箔（Ａ）に、大粒子径
の磁性材料を含み、１ＭＨｚ〜１ＧＨｚの電磁波に対す
る吸収作用を発揮する上記磁性粉体層（Ｂ）を積層して
なる複合材であり、このような積層複合材とすることに
より、１ＧＨｚ以下の電磁波に対する遮蔽効果及び吸収
効果とともに１ＭＨｚ以下の変動磁界に対する極めて優
れた磁界遮蔽効果を発揮することができる。この機作は
必ずしも明瞭ではないが、以下のように考えることがで
きる。すなわち、磁界の遮蔽効果は、磁界を反射又は閉
じ込めることによる遮蔽効果と、磁界を吸収することに
よる遮蔽効果（吸収損失）とを併せた効果であり、これ
らの遮蔽効果を併せて磁界の遮蔽効果が決まると考えら
れる。しかるに、上記軟磁性金属箔のみでは、磁界を反
射又は閉じ込めることによる一定の遮蔽効果を有するも
のの、上記電磁波制御積層材に覆われていないところや
わずかな隙間から磁界、特に、変動磁界が漏洩するおそ
れがある。そこで、変動磁界を吸収する上記磁性粉体層
を設けることにより、変動磁界を吸収し、１ＭＨｚ以下
の変動磁界の漏洩をなくすことができると考えられる。
また、理由は必ずしも明らかではないが、磁界に対する
吸収層と閉じ込め反射層とを併用することにより、これ
らの層の機能が相乗的に作用し、予想外の効率的な磁界
遮蔽効果を得ることができるものと考えられる。

【００３４】上記電磁波制御積層材を、変動磁界又は電
磁波の発生源に磁性粉体層（Ｂ）が対面するように配置
することにより、上述の複合積層材の作用を最大限に発
揮させて、上記変動磁界又は電磁波の発生源からの変動
磁界や電磁波、特に、電子機器の電磁障害を引き起こし
やすい１ＭＨｚ以下の変動磁界を効率よく遮蔽すること
ができる。なお、変動磁界のみならず、静止磁界に対し
ても有効であることは当然である。

【００３５】上記変動磁界又は電磁波の発生源としては
特に限定されず、電子機器における磁界又は電磁波の発
生源となる比較的強い高周波電流が流れるか、又は、回
路構造上磁界や電磁波を発生し易い部位に適用可能であ
り、例えば、電源回路、回路基板、ディスプレイ装置、
アンテナ及びケーブル等を挙げることができる。なお、
主として変動磁界を発生する発生源であってもよく、主
として電磁波を発生する発生源であってもよく、又は、
変動磁界と電磁波とを発生する発生源であってもよい。

【００３６】本発明の変動磁界又は電磁波の遮蔽方法
は、更に、磁界や電磁波の発生源のみならず、電磁障害
を防止すべき部位にも適用することができ、例えば、記
憶媒体の磁気ヘッド信号回路等の磁気記録の読み出し書
き込み部位等に適用することができる。

【００３７】これらの場合の設置例としては、ノート型
パソコンの電源部への設置、ノート型パソコン等の回路
基板間への挿入設置、磁気ヘッドの一部若しくは全部の
面又は磁気ヘッドを収容している記録装置の一部若しく
は全部の面への設置、ディスプレイ装置への設置、電子
機器内部のケーブルへの設置、アンテナ回路への設置等
を挙げることができる。更に、補聴器のアンプ部への設
置、金属探知センサーへの設置、音響機器のアンプや電
源部、インバータ回路への設置、ステッピングモーター
への設置、分析機器、医療機器の検出部やセンサー部、
アンプへの設置等をも挙げることができる。

【００３８】これを具体的に例示するなら、例えば、図
２（ｅ）は、電磁波制御積層材４が、筐体５内部にある
電源部６の一部の面に設けられている。図２（ｆ）は、
電磁波制御積層材４が、回路基板７の間に平行して設け
られている。図２（ｇ）は、電磁波制御積層材４が、筐
体５内部に搭載される集積回路８の上面に設けられてい
る。

【００３９】更に、不要電磁波漏洩の原因が筐体外部の
ケーブル類にある場合には、ケーブルや電源コードに上
記電磁波制御積層材を巻き付けたり、貼りつけたりする
こともできる。

【００４０】このように、本発明の電磁波制御積層材
を、少なくとも、筐体内の変動磁界又は電磁波の発生源
に設けてなる電子機器もまた本発明である。上記電子機
器としては、例えば、携帯電話機、無線ＬＡＮ用端末等
の通信機器；コンピュータ、ゲーム機、小型ラジオ、テ
レビ等の家電機器；補聴器、心臓ペースメーカー等の医
療機器；ＮＭＲ分析装置等の分析機器等であってよい。

【００４１】

【実施例】以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。

【００４２】実施例１ Ｎｉ−Ｚｎフェライト焼結体のブロックをスタンプミル
機にて粗粉砕し、更にピンミル機にて粉砕して、粒子径
分布が３００〜１０００μｍであるフェライト粉体を得
た。このフェライト粉体をエチレン−酢酸ビニル共重合
体（ＥＶＡ）中にフェライト粉体が９０重量％となるよ
うに配合し、ローラーミキサーにて混練し、フェライト
粉体と樹脂との混練体を得た。得られた混練体は、フェ
ライト粉体の含有量が６１．８体積％であった。このよ
うにして得られた混練体を熱ロールプレスを用いて厚さ
１．５ｍｍの磁性粉体からなるシートを作製した。

【００４３】一方、ＭＥＴＧＬＡＳ ２７１４Ａ（商品
名）（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ−Ｓｉ系、日本非晶質金属
社製）の厚さ２２μｍの金属箔の両面を、表面保護層と
して厚さ４６μｍのポリエステル粘着フィルムで覆うこ
とにより軟磁性金属箔シートを得た。

【００４４】上で得られた磁性粉体からなるシートの片
面に、厚さ３０μｍの基材無しのアクリル系粘着剤を貼
り付け、これを上述の軟磁性金属箔シートの片面に接着
して電磁波制御積層材１を得た。

【００４５】評価 （１）磁界遮蔽能の測定 得られた電磁波制御積層材の磁気遮蔽能力を、ＫＥＣ法
の磁界モードにより測定して評価した。結果を図３に示
した。

【００４６】（２）複素比透磁率の測定 被測定材料を内径３．０４ｍｍ、外径７．００ｍｍ、厚
さ３．０ｍｍのリングコア形状に加工し、ヒューレット
パッカード社製ネットワークアナライザ（ＨＰ８５１０
Ｂ）及び材料定数測定ソフトウェア（ＨＰ８５０７１
Ｂ）を用いて、内径７ｍｍの同軸管内にリングコア形状
に加工した被測定材料を充填し、周波数１００ＭＨｚ〜
１０ＧＨｚの複素比透磁率を測定した。装置の校正は、
ＴＲＬ−フル２ポート校正で行った。この結果から、複
素比透磁率の損失項μｒ′′の値及びそのときの周波数
を測定した。この複素比透磁率の損失項の周波数特性
は、電磁波吸収能力の周波数特性を表す。結果を図４に
示した。

【００４７】実施例２ 実施例１で得られた電磁波制御積層材１を、コンピュー
タ用電源回路のコンバーター部位に装着して磁界遮蔽効
果を以下のようにして評価した。まず、コンピュータ用
電源回路を組み込んだ試験基板を作成し、稼働時の変動
磁界を、以下の方法で測定したところ、ＤＣ−ＤＣコン
バータから１ｃｍの距離で３１．８Ａ／ｍであった。次
に、ＤＣ−ＤＣコンバータ部分を覆うように、磁性粉体
層を内側にして実施例１で得られた電磁波制御積層材１
を装着して、同様にして磁界を測定したところ、０．８
Ａ／ｍであった。

【００４８】評価 （３）変動磁界の測定 ガウスメーター（ＨＭ−３２０、エムティアイ社製）を
用いて行った。

【００４９】実施例３ 実施例１において使用する磁性粉体として、平均粒子径
が５μｍであるＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎフェライト粉末を用い
たこと以外は、同様にして厚さ２．５ｍｍの、磁性体か
らなるシートを作成し、更に、同様にして軟磁性金属箔
シートを用いて積層することにより、電磁波制御積層材
２を得た。実施例２におけるコンピュータ電源回路のコ
ンバーター部位に、この電磁波制御積層材２を設置し、
実施例２と同様にして設置の効果を調べたところ、稼働
時の変動磁界強度は、５．２Ａ／ｍであった。

【００５０】実施例４ 実施例１において使用する磁性粉体として、平均粒子径
が１５μｍであるＣｏ含有アモルファス金属粉末を用い
たこと以外は、同様にして厚さ２．５ｍｍの、磁性体か
らなるシートを作成し、更に、同様にして軟磁性金属箔
シートを用いて積層することにより、電磁波制御積層材
３を得た。実施例２におけるコンピュータ電源回路のコ
ンバーター部位に、この電磁波制御積層材３を設置し、
実施例２と同様にして設置の効果を調べたところ、稼働
時の変動磁界強度は、２．１Ａ／ｍであった。

【００５１】比較例１ Ｎｉ−Ｚｎフェライト焼結体のブロックをスタンプミル
機にて粗粉砕し、更にピンミル機にて粉砕して、粒子径
分布が３００〜１０００μｍであるフェライト粉体を得
た。このフェライト粉体をエチレン−酢酸ビニル共重合
体（ＥＶＡ）中にフェライト粉体が９０重量％となるよ
うに配合し、ローラーミキサーにて混練し、フェライト
粉体と樹脂との混練体を得た。得られた混練体は、フェ
ライト粉体の含有量が６１．８体積％であった。このよ
うにして得られた混練体を熱ロールプレスを用いて厚さ
１．５ｍｍの磁性粉体からなるシートを作製した。得ら
れたシートの片面に、厚さ３０μｍの基材無しのアクリ
ル系粘着剤を貼り付け、試験シートを得た。得られた試
験シートの磁界遮蔽能を実施例１と同様にして測定し
た。結果を図５に示した。

【００５２】比較例２ ＭＥＴＧＬＡＳ ２７１４Ａ（商品名）（Ｃｏ−Ｆｅ−
Ｎｉ−Ｂ−Ｓｉ系、日本非晶質金属社製）の厚さ２２μ
ｍの非晶質軟磁性金属箔の両面を、表面保護層として厚
さ４６μｍのポリエステル粘着フィルムで覆うことによ
り金属箔シートを得た。得られた金属箔シートの片面
に、厚さ３０μｍの基材無しのアクリル系粘着剤を貼り
付け、試験シートを得た。得られた試験シートの磁界遮
蔽能を実施例１と同様にして測定した。結果を図６に示
した。

【００５３】図３から明らかなように、実施例１で得た
電磁波制御積層材１は、磁界モードによる磁界遮蔽能の
測定においては、１ＭＨｚ以上で３０ｄＢ以上の遮蔽効
果があることが確認された。また、実施例２〜４の結果
から、周波数が１ＭＨｚ以下の領域において磁界の遮蔽
効果が充分あることが確認された。また、図４から明ら
かなように、実施例１で得た電磁波制御積層材は、複素
比透磁率の損失項（μ_r′′）の値が１ＧＨｚ以下にお
いて２を超えており、１ＧＨｚ以下の領域において電磁
波の吸収効果が充分あることが確認された。

【００５４】一方、比較例１で得られた磁性粉体層のみ
の試験シートの磁界遮蔽効果は、図５から判るように、
１００ＭＨｚ以下で５ｄＢ程度以下に低下しており、ま
た、図６から、比較例２で得られた非晶質軟磁性金属箔
のみの試験シートの磁界遮蔽効果は、１ＭＨｚ以下で２
５ｄＢ程度以下に低下しており、いずれも、１ＭＨｚ以
下の磁界の遮蔽効果が充分ではない。

【００５５】これらの結果から、本発明の電磁波制御積
層材は、複合積層材とすることにより、磁性粉体層
（Ａ）と軟磁性金属箔（Ｂ）との相乗的な効果を発揮す
ることができるものであることが明らかであり、極めて
優れた遮蔽効果を発揮するものであることが判明した。

【００５６】

【発明の効果】本発明の電磁波制御積層材は、上述の構
成よりなるので、電子機器から発生する低周波数から高
周波数までの不要電磁波、特に従来の電磁波遮蔽材では
充分に遮蔽することができなかった１ＧＨｚ以下の電界
ノイズや１ＭＨｚ以下の磁界ノイズをともに遮蔽するこ
とができる。

【００５７】本発明の電子機器は、電磁波制御積層材と
して、磁性粉体層と初期透磁率の高い軟磁性金属箔とを
使用しているので、従来の電磁波遮蔽材等を使用した場
合に効果的に遮蔽することができなかった電界ノイズと
磁界ノイズが同時に発生している場合であっても、これ
らのノイズに由来する障害を効果的に防止することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電磁波制御積層材の断面図である。

【図２】本発明の電子機器に設置する態様を示す断面図
である。

【図３】実施例１における磁界モードによる測定結果を
示す図である。

【図４】実施例１による複素比透磁率の測定結果を示す
図である。

【図５】比較例１における磁界モードによる測定結果を
示す図である。

【図６】比較例２における磁界モードによる測定結果を
示す図である。

【符号の説明】

１ 軟磁性金属箔 ２ 磁性粉体層 ３ 接着層 ４ 電磁波制御積層材 ５ 筐体 ６ 電源部 ７ 回路基板 ８ 集積回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小田 光之 大阪府寝屋川市池田中町19番17号 日本ペ イント株式会社内 Ｆターム(参考） 5E321 AA23 BB25 BB33 BB53 BB55 CC11 CC16 GG01 GG05 GG07

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 初期透磁率が５０００以上の軟磁性金属
   箔（Ａ）と、磁性粉体及び結合材からなる磁性粉体層
   （Ｂ）とを積層してなることを特徴とする電磁波制御積
   層材。
2. 【請求項２】 軟磁性金属箔（Ａ）は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃ
   ｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｉ、Ｓｒ及びＮｂからなる群よ
   り選択される少なくとも１種の元素を含む鉄系合金から
   なる軟磁性金属箔である請求項１記載の電磁波制御積層
   材。
3. 【請求項３】 磁性粉体は、粒子径が１００μｍ以上の
   磁性粒子を５０〜１００重量％含有するものである請求
   項１又は２記載の電磁波制御積層材。
4. 【請求項４】 磁性粒子は、金属酸化物磁性体粒子であ
   る請求項３記載の電磁波制御積層材。
5. 【請求項５】 金属酸化物磁性体粒子は、Ｌｉ、Ｍｇ、
   Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｓｒ及びＢａか
   らなる群より選択される少なくとも１種の元素を含むＦ
   ｅ酸化物粒子である請求項４記載の電磁波制御積層材。
6. 【請求項６】 磁性粒子は、金属磁性体粒子である請求
   項３記載の電磁波制御積層材。
7. 【請求項７】 金属磁性体粒子は、Ｓｉ、Ｂ、Ａｌ、Ｃ
   ｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｍｏ及
   びＡｇからなる群より選択される少なくとも１種の元素
   を含むＦｅ磁性合金粒子、Ｆｅ粒子、Ｃｏ粒子並びにＮ
   ｉ粒子からなる群より選択される少なくとも１種の金属
   磁性体粒子である請求項６記載の電磁波制御積層材。
8. 【請求項８】 磁性粒子は、不定形粒子である請求項３
   〜７のいずれか一項に記載の電磁波制御積層材。
9. 【請求項９】 電磁波制御積層材は、軟磁性金属箔
   （Ａ）の片面又は両面に磁性粉体層（Ｂ）を積層してな
   るものである請求項１〜８のいずれか一項に記載の電磁
   波制御積層材。
10. 【請求項１０】 軟磁性金属箔（Ａ）と磁性粉体層
    （Ｂ）とは、接着剤、両面粘着テープ又は熱融着により
    接合されている請求項１〜９のいずれか一項に記載の電
    磁波制御積層材。
11. 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれか一項に記載
    の電磁波制御積層材を、磁性粉体層（Ｂ）が変動磁界又
    は電磁波の発生源に対面するように配置することを特徴
    とする前記変動磁界又は電磁波の発生源からの変動磁界
    若しくは電磁波の遮蔽方法。
12. 【請求項１２】 変動磁界の周波数は、１ＭＨｚ以下で
    ある請求項１１記載の遮蔽方法。
13. 【請求項１３】 変動磁界又は電磁波の発生源は、電子
    機器における電源回路、回路基板、ディスプレイ装置、
    アンテナ及びケーブルからなる群より選択される少なく
    とも１種である請求項１１又は１２記載の遮蔽方法。
14. 【請求項１４】 電磁波制御積層材は、電子機器におけ
    る変動磁界発生源及び磁気記録の読み出し書き込み部の
    うち少なくとも一か所に配置される請求項１１、１２又
    は１３記載の遮蔽方法。
15. 【請求項１５】 電子機器筐体内の変動磁界又は電磁波
    の発生源に、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電
    磁波制御積層材を設けてなることを特徴とする電子機
    器。