WO2022224474A1 - 配線基板の製造方法及び積層体 - Google Patents

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WO2022224474A1
WO2022224474A1 PCT/JP2021/042016 JP2021042016W WO2022224474A1 WO 2022224474 A1 WO2022224474 A1 WO 2022224474A1 JP 2021042016 W JP2021042016 W JP 2021042016W WO 2022224474 A1 WO2022224474 A1 WO 2022224474A1
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insulating magnetic
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layer
conductor
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航介 浦島
元気 米倉
征宏 有福
智彦 小竹
悦男 水嶋
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昭和電工マテリアルズ株式会社
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    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • G—PHYSICS
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields

Definitions

  • the present invention relates to a wiring board manufacturing method and a laminate.
  • Mobile communication devices such as mobile phones, their base station devices, network-related electronic devices such as servers and routers, and large computers are required to transmit and process large amounts of information at low loss and at high speed. ing.
  • the frequency of electric signals handled by the printed wiring boards mounted on the devices described above is increasing.
  • electrical signals tend to be attenuated as the frequency increases, printed wiring boards that handle high-frequency electrical signals are required to have a transmission loss that is lower than ever before.
  • the surface roughness of a conductor layer including wiring is reduced to suppress the transmission loss caused by the large surface roughness of the conductor layer (see, for example, Patent Document 1 below. ), or using a polyphenylene ether-containing resin having a small dielectric constant and dielectric loss tangent as a substrate material to reduce the transmission loss caused by the dielectric (see, for example, Patent Document 2 below).
  • an object of the present invention is to provide a wiring board with low transmission loss in a high frequency band.
  • the present invention provides a substrate, a conductor wiring provided on the substrate, an insulating magnetic layer covering at least part of the periphery of the conductor wiring and made of an insulator containing a magnetic material, A method for manufacturing a wiring board is provided.
  • a laminate including a substrate, an insulating magnetic layer provided on the substrate, and a conductor layer provided on the side of the insulating magnetic layer opposite to the substrate is provided.
  • step a1 of preparing step a2 of forming a photosensitive layer on the conductor layer side of the laminate, and exposing the photosensitive layer in a predetermined pattern and developing to form a resist film having openings.
  • a method of manufacturing a wiring board comprises a step b1 of preparing a laminate comprising a substrate and an insulating magnetic layer provided on the substrate; a step b2 of forming a layer; a step b3 of forming a resist film having an opening by exposing the photosensitive layer in a predetermined pattern and developing it; and a step b4 of forming a conductor wiring on the exposed region.
  • the manufacturing method of the wiring board of the side surface it is possible to provide a wiring board with small transmission loss in the high frequency band.
  • the reason why such an effect is exhibited is that the magnetic flux generated at a high frequency passes through an insulator containing a magnetic material, which reduces the eddy current inside the conductor wiring, thereby reducing the skin effect. .
  • the conductor wiring is positioned on the upper surface located on the side opposite to the substrate and/or between the upper surface and the bottom surface located on the substrate side.
  • a step c1 of forming an insulating magnetic layer covering at least one of the pair of side surfaces may be further provided.
  • the step c1 includes applying a composition for forming an insulating magnetic layer containing a magnetic material to the conductor wiring such that the upper surface of the conductor wiring is covered without filling the gap between the conductor wiring adjacent to each other. and a step d2 of curing the composition for forming an insulating magnetic layer to form an insulating magnetic layer composed of a cured product of the composition for forming an insulating magnetic layer.
  • the step c1 includes the step of removing the insulating magnetic layer covering the upper surface of the conductor wiring by grinding or polishing after the step d2. It may further contain In this case, in step d1, the composition for forming an insulating magnetic layer is applied to the conductor wiring so as to cover at least one of the pair of side surfaces in addition to the upper surface of the conductor wiring.
  • the step c1 includes forming a layer made of a composition for forming an insulating magnetic layer containing a magnetic material on a region of a substrate on which the conductor wiring is formed, the layer a step e1 of coating the conductor wiring with the insulating magnetic layer-forming composition; a step e2 of curing the insulating magnetic layer-forming composition to form an insulating magnetic layer composed of the cured product of the insulating magnetic layer-forming composition; Step e3 of forming a photosensitive layer on the side opposite to the substrate of the layer or insulating magnetic layer consisting of a step e4 of forming a resist film having an opening in the substrate and a step e5 of removing a portion of the layer made of the insulating magnetic layer-forming composition or the insulating magnetic layer located between the substrate and the opening of the resist film; , may contain.
  • the step e1 may be a step of applying the insulating magnetic layer-forming composition to the region, or a step of laminating a sheet of the insulating magnetic layer-forming composition onto the region.
  • the step c1 includes a step of removing the insulating magnetic layer covering the upper surface of the conductor wiring by grinding or polishing after the step e2. It may further contain
  • the magnetic material may be metal oxide or amorphous metal.
  • the insulator may have a relative magnetic permeability of 2 to 1,000.
  • the dielectric constant of the insulator may be 1-30.
  • the present invention provides a substrate, a conductor wiring provided on the substrate, an insulating magnetic layer covering at least part of the periphery of the conductor wiring and made of an insulator containing a magnetic material, Provided is a laminate used in a method for manufacturing a wiring board.
  • a laminate on one side comprises a substrate and an insulating magnetic layer provided on the substrate.
  • the laminate may further include a conductor layer provided on the side of the insulating magnetic layer opposite to the substrate.
  • a second conductor layer provided on the side of the substrate opposite to the insulating magnetic layer may be further provided, and the second conductive layer provided on the side opposite to the insulating magnetic layer of the substrate. and a second conductor layer provided on the opposite side of the second insulating magnetic layer from the substrate.
  • the laminate on the other side includes a conductor layer and an insulating magnetic layer provided on the conductor layer.
  • FIG. 1A to 1D are schematic cross-sectional views for explaining a first embodiment of a wiring board manufacturing method
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the first embodiment of the wiring board manufacturing method following FIG. 1 ; It is a schematic cross section for explaining a second embodiment of a method for manufacturing a wiring board.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the second embodiment of the wiring board manufacturing method following FIG. 3 ; It is a schematic cross section for explaining the third embodiment of the method for manufacturing a wiring board. It is a schematic cross section for explaining a fourth embodiment of the method for manufacturing a wiring board.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view following FIG.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a laminate according to some embodiments used in the method for manufacturing a wiring board of the present invention. It is a schematic cross-sectional view showing a laminate according to some embodiments used in the method for manufacturing a wiring board of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a wiring substrate produced in Examples.
  • each component in the composition means the total amount of the plurality of substances present in the composition, unless otherwise specified, when a plurality of substances corresponding to each component are present in the composition.
  • a numerical range indicated using "-” indicates a range including the numerical values before and after "-" as the minimum and maximum values, respectively.
  • the upper limit value or lower limit value of the numerical range at one step may be replaced with the upper limit value or lower limit value of the numerical range at another step.
  • the upper or lower limits of the numerical ranges may be replaced with the values shown in the examples.
  • the insulating magnetic layer-forming composition is a curable composition containing a magnetic material.
  • the composition for forming an insulating magnetic layer can be formed, for example, by mixing a binder resin varnish and magnetic powder.
  • the magnetic material may be, for example, at least one kind of magnetic powder selected from the group consisting of simple metals, alloys and metal compounds.
  • the alloy may contain at least one selected from the group consisting of solid solutions, eutectic, amorphous metals, and intermetallic compounds.
  • a metal oxide is mentioned as a metal compound.
  • the magnetic material may be a metal oxide or an amorphous metal, or may be metallic glass magnetic powder.
  • Metal oxides include ferrite.
  • Amorphous metals include Fe-based nanocrystalline alloys and Co-based nanocrystalline alloys.
  • the magnetic powder may contain one type of metal element or multiple types of metal elements.
  • the metal elements contained in the magnetic powder may be, for example, base metal elements, noble metal elements, transition metal elements, or rare earth elements.
  • Metal elements contained in the magnetic powder include, for example, iron (Fe), copper (Cu), titanium (Ti), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), and aluminum (Al).
  • the magnetic powder may contain elements other than metal elements. Magnetic powders may contain, for example, oxygen, boron, or silicon.
  • Magnetic powders include Fe—Si alloys, Fe—Si—Al alloys (sendust), Fe—Ni alloys (permalloy), Fe—Cu—Ni alloys (permalloy), Fe—Cr—Si alloys, Fe At least selected from the group consisting of -Cr alloy, Fe-Ni-Cr alloy (electromagnetic stainless steel), Nd-Fe-B alloy (rare earth magnet), Al-Ni-Co alloy (alnico magnet) and ferrite One composition can be used.
  • Ferrites may be, for example, spinel ferrites, hexagonal ferrites, or garnet ferrites.
  • the Fe-based alloy may be an amorphous Fe alloy.
  • Fe amorphous alloy powder is an amorphous powder obtained by rapidly cooling an alloy obtained by melting Fe, which is the main component, together with other elements such as Si at a high temperature, and is also known as metallic glass.
  • Fe amorphous alloy powder can be produced according to methods well known in the art.
  • the Fe amorphous alloy powder has the product names "AW2-08" and "KUAMET-6B2" manufactured by Epson Atmix Co., Ltd., and the product names "DAPMS3", “DAPMS7", "DAPMSA10” and “DAPMSA10” manufactured by Daido Steel Co., Ltd.
  • the magnetic powder may contain one of the above elements and compositions, or may contain more than one of the above elements and compositions.
  • the magnetic powder may be spherical, approximately spherical, flaky, or elliptical.
  • the magnetic powder may have various other shapes with some corners. From the viewpoint of excellent fluidity, the magnetic powder may be spherical.
  • the magnetic powder may have an average particle size of 0.005 to 50 ⁇ m.
  • the "average particle size” described in this specification means the particle size at 50% of the integrated value (by volume) in the particle size distribution.
  • the magnetic powder can be a mixture of particles with two or three average particle sizes so as to be closely packed.
  • the magnetic powder may have a coating on its surface.
  • the coating can be formed from, for example, inorganic salts, acrylic resins, silicic acid compounds, and the like.
  • the magnetic powder may be entirely or partially coated with a surface treatment agent.
  • surface treatment agents include inorganic oxides, phosphoric acid compounds and phosphate compounds, inorganic surface treatment agents such as silane coupling agents, organic surface treatment agents such as montan wax, and cured resins. you can A coupling agent, which will be described later, can also be used as the surface treatment agent.
  • metal-based magnetic powder such as Fe-based alloys may be entirely or partially covered with an insulating material. Examples of insulating materials include silica, titania, calcium phosphate, montan wax, and cured epoxy resins.
  • the magnetic powder may include magnetic powder whose surface is coated with an insulating material (hereinafter referred to as "insulating-coated magnetic powder").
  • the insulating coated magnetic powder can be used singly or in combination of two or more.
  • the average particle diameters of the two or more types of insulation-coated magnetic powders may be the same or different.
  • Insulating coated magnetic powder and magnetic powder without insulating coating hereinafter referred to as uncoated magnetic powder
  • the average particle size of the uncoated magnetic powder may be the same as or different from the average particle size of the insulating-coated magnetic powder.
  • the average particle size of the uncoated magnetic powder may be smaller than the average particle size of the insulation-coated magnetic powder from the viewpoint of exhibiting insulating properties.
  • the insulating coated magnetic powder may be Fe amorphous alloy powder having an insulating coating.
  • insulating coated magnetic powder examples include "KUAMET9A4" (Fe--Si--B alloy, D50: 20 ⁇ m, with insulating coating) manufactured by Epson Atmix Corporation, and "SAP- 2D(C)" (Fe--Si--B--PNb--Cr alloy, D50: 2.3 ⁇ m, with insulating coating) and the like can be used.
  • the uncoated magnetic powder is, for example, "SAP-2D” (Fe-Si-B-PNb-Cr alloy, D50: 2.3 ⁇ m, no insulation coating) manufactured by Sintokogyo Co., Ltd., or manufactured by Toda Kogyo Co., Ltd. soft ferrite powder "BSN-125" (Ni--Zn alloy, D50: 10 ⁇ m, no insulation coating) or the like can be used.
  • the content of the magnetic powder in the insulating magnetic layer-forming composition may be 70 to 99 parts by mass, or 80 to 90 parts by mass when the total mass of the composition is 100 parts by mass.
  • a resin composition can be used for the binder resin varnish.
  • the resin composition can contain epoxy resin.
  • epoxy resins examples include naphthalene-type epoxy resins, naphthalene-type tetrafunctional epoxy resins, naphthol-type epoxy resins, naphthylene ether-type epoxy resins, anthracene-type epoxy resins, dicyclopentadiene-type epoxy resins, naphthalene-type epoxy resins, and naphthalene-type epoxy resins.
  • Epoxy resins having a condensed ring structure such as tetrafunctional epoxy resins, naphthol type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins; bisphenol A type epoxy resins; bisphenol F type epoxy resins; bisphenol S type epoxy resins bisphenol AF type epoxy resin; trisphenol type epoxy resin; novolak type epoxy resin; naphthol novolak type epoxy resin; phenol novolak type epoxy resin; tert-butyl-catechol type epoxy resin; glycidylamine type epoxy resin; linear aliphatic epoxy resins; epoxy resins having a butadiene structure; alicyclic epoxy resins; heterocyclic epoxy resins; spiro ring-containing epoxy resins; ; trimethylol type epoxy resin; tetraphenylethane type epoxy resin; bixylenol type epoxy resin and the like. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the epoxy resin may be an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Also, the epoxy resin may be liquid or solid at a temperature of 25°C.
  • Epoxy resins that are liquid at 25° C. include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, and glycidyl ester type epoxy resins.
  • liquid epoxy resins include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, and glycidyl ester type epoxy resins.
  • glycidylamine type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, alicyclic epoxy resins having an ester skeleton, cyclohexanedimethanol type epoxy resins, glycidylamine type epoxy resins, and epoxy resins having a butadiene structure can be used.
  • Liquid epoxy resins include "HP4032”, “HP4032D”, and “HP4032SS” (naphthalene type epoxy resins) manufactured by DIC Corporation, and “828US”, “jER828EL” (bisphenol A type epoxy resins) and “jER807” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. (bisphenol F type epoxy resin), “jER152” (phenol novolac type epoxy resin), “630", “630LSD” (glycidylamine type epoxy resin), “ZX1059” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.
  • Epoxy resins that are solid at 25° C. include naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolac-type epoxy resin, dicyclopentadiene-type epoxy resin, trisphenol-type epoxy resin, naphthol-type epoxy resin, biphenyl-type epoxy resin, and naphthylene ether. type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, and tetraphenylethane type epoxy resin can be used.
  • Solid epoxy resins manufactured by DIC “HP4032H” (naphthalene type epoxy resin), “HP-4700”, “HP-4710” (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin), “N-690” (cresol novolak type epoxy resin), “N-695”, “N-680” (cresol novolak type epoxy resin), “HP-7200” (dicyclopentadiene type epoxy resin), "HP-7200HH”, “HP-7200H”, "EXA -7311”, “EXA-7311-G3", “EXA-7311-G4", “EXA-7311-G4S”, "HP6000” (naphthylene ether type epoxy resin), "EPPN-502H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • the resin composition may contain a curing agent.
  • curing agents include phenol-based curing agents, naphthol-based curing agents, benzoxazine-based curing agents, and cyanate ester-based curing agents. Curing agents may be used singly or in combination of two or more.
  • phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent a phenol-based curing agent having a novolak structure, a naphthol-based curing agent having a novolac structure, a nitrogen-containing phenol-based curing agent, and a triazine skeleton-containing phenol-based curing agent can be used.
  • Phenol-based curing agents and naphthol-based curing agents are "MEH-7700", “MEH-7810", and “MEH-7851” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., and "NHN", “CBN”, and “GPH” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • cyanate ester curing agents include bisphenol A dicyanate, polyphenolcyanate, oligo(3-methylene-1,5-phenylenecyanate), 4,4′-methylenebis(2,6-dimethylphenylcyanate), 4,4 '-ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4-cyanatophenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethyl Bifunctional cyanate resins such as phenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatophenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cyanatophenyl)thioether, and bis(4-cyanatophenyl)ether, phenol Polyfunctional cyanate resins derived from novolacs, cresol novolaks, etc., and prepolymers obtained by partially triazine
  • the cyanate ester curing agents are Lonza Japan's "PT30” and “PT60” (both phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resins), "BA230”, and “BA230S75” (part or all of bisphenol A dicyanate is triazine A commercially available product such as a trimerized prepolymer) can be used.
  • the content of the curing agent in the resin composition is 0.1 parts by mass or more, 0.3 parts by mass or more, or 0.5 parts by mass or more when the resin component in the resin composition is 100 parts by mass. 5 parts by mass or less, 3 parts by mass or less, or 2 parts by mass or less.
  • the resin composition may contain a curing accelerator.
  • curing accelerators include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators. Curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators are included.
  • a hardening accelerator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • Phosphorus curing accelerators include, for example, triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl)triphenylphosphonium thiocyanate. , tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate, and the like.
  • amine curing accelerators include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1,8-diazabicyclo (5,4,0)-undecene and the like, including 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene.
  • imidazole curing accelerators examples include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-d
  • Guanidine curing accelerators include, for example, dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, Tetramethylguanidine, Pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Dec-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1,1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1 -allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide and
  • metal-based curing accelerators include organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin.
  • Organic metal complexes include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate; organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate; Examples include zinc complexes, organic iron complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate.
  • organic metal salts include zinc octoate, tin octoate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, zinc stearate and the like.
  • the content of the curing accelerator in the resin composition is 0.001 parts by mass or more, 0.005 parts by mass or more, or 0.01 parts by mass or more when the non-volatile component in the resin composition is 100 parts by mass. 0.1 parts by mass or less, 0.08 parts by mass or less, or 0.05 parts by mass or less.
  • the resin composition may contain a thermoplastic resin.
  • thermoplastic resins include phenoxy resins, polyvinyl acetal resins, polyolefin resins, polybutadiene resins, siloxane resins, poly(meth)acrylic resins, polyalkylene resins, polyalkyleneoxy resins, polyisoprene resins, polyisobutylene resins, and polyimide resins. , polyamideimide resins, polyetherimide resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, polyphenylene ether resins, polycarbonate resins, polyetheretherketone resins, and polyester resins.
  • the phenoxy resins are Mitsubishi Chemical's "1256” and “4250” (both bisphenol A structure-containing phenoxy resins), "YX8100” (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin), and "YX6954” (bisphenol acetophenone structure-containing phenoxy resin).
  • the thermoplastic resin has, in its molecule, one or more selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly(meth)acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure.
  • a polybutadiene structure a polysiloxane structure, a poly(meth)acrylate structure
  • a polyalkylene structure a polyalkyleneoxy structure
  • a polyisoprene structure a polyisobutylene structure
  • a polycarbonate structure may have the structure of These structures may be contained in the main chain or may be contained in the side chain.
  • a part or all of the polybutadiene structure may be hydrogenated.
  • the polyalkyleneoxy structure may be a polyalkyleneoxy structure having 2 to 15 carbon atoms, a polyalkyleneoxy structure having 3 to 10 carbon atoms, or
  • the thermoplastic resin may have a number average molecular weight (Mn) of 1,000 or more, 1,500 or more, 3,000 or more, or 5,000 or more, and 1,000,000 or less, or 900,000 or less.
  • Mn number average molecular weight
  • GPC gel permeation chromatography
  • the thermoplastic resin may have a functional group that can react with the epoxy resin.
  • the functional group capable of reacting with the epoxy resin may be one or more functional groups selected from the group consisting of a hydroxyl group, a carboxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group. good.
  • the polybutadiene resin is "Ricon 130MA8”, “Ricon 130MA13”, “Ricon 130MA20”, “Ricon 131MA5", “Ricon 131MA10”, “Ricon 131MA17”, “Ricon 131MA20”, “Ricon 184MA6” (acid anhydride group-containing polybutadiene), Nippon Soda Co., Ltd.
  • GQ-1000 hydroxyl group- and carboxyl group-introduced polybutadiene
  • G-1000 hydroxyl group- and carboxyl group-introduced polybutadiene
  • G-2000 hydroxyl group-2000
  • G-3000 polybutadiene with both hydroxyl groups
  • Commercial products such as “GI-1000”, “GI-2000”, “GI-3000” (hydrogenated polybutadiene with both hydroxyl groups), “FCA-061L” (hydrogenated polybutadiene skeleton epoxy resin) manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd. can be used.
  • Poly(meth)acrylic resins are Teisan resin manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd., and "ME-2000", “W-116.3”, “W-197C” manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., "KG-25", “KG -3000” and other commercial products can be used.
  • Polycarbonate resins are commercially available products such as “T6002” and “T6001” (polycarbonate diol) manufactured by Asahi Kasei Chemicals, "C-1090", “C-2090” and “C-3090” (polycarbonate diol) manufactured by Kuraray Co., Ltd. can be used.
  • Thermoplastic resins include "SMP-2006”, “SMP-2003PGMEA” and “SMP-5005PGMEA” manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., linear polyimides made from amine group-terminated polysiloxane and tetrabasic acid anhydride (International Publication No.
  • the content of the thermoplastic resin in the resin composition is 0.1 parts by mass or more, 0.3 parts by mass or more, or 0.5 parts by mass or more when the non-volatile component in the resin composition is 100 parts by mass. 20 parts by mass or less, 10 parts by mass or less, 5 parts by mass or less, or 3 parts by mass or less.
  • the resin composition can contain an active ester compound having one or more active ester groups in one molecule.
  • An active ester compound may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
  • active ester compound compounds having two or more highly reactive ester groups in one molecule, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, heterocyclic hydroxy compound esters, etc., are used. be able to.
  • active ester compounds include those obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and/or a thiol compound.
  • the active ester compound may be an active ester compound obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound, or an active ester compound obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and/or a naphthol compound.
  • carboxylic acid compounds include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid.
  • phenol compounds or naphthol compounds include hydroquinone, resorcinol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- cresol, p-cresol, catechol, ⁇ -naphthol, ⁇ -naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucine, Benzenetriol, dicyclopentadiene-type diphenol compound, phenol novolak, and the like.
  • dicyclopentadiene-type diphenol compound refers to a diphenol compound obtained by condensing one molecule of dicyclopentadiene with two molecules of phenol.
  • the active ester compound examples include an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated phenol novolac, and an active ester containing a benzoylated phenol novolac. compound.
  • the “dicyclopentadiene-type diphenol structure” represents a divalent structural unit composed of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.
  • Active ester compounds containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure include "EXB9451”, “EXB9460”, “EXB9460S”, "HPC-8000-65T”, “HPC-8000H-65TM”, “EXB-8000L-65TM”, “EXB-8150-65T” (manufactured by DIC), “EXB9416-70BK” (manufactured by DIC) as an active ester compound containing a naphthalene structure, “DC808” (Mitsubishi chemical company), "YLH1026” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing a benzoylated phenol novolak, “DC808” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound that is an acetylated product of phenol novolac, phenol novolac Commercially available products such as “YLH1026” (manufactured by Mitsubishi Chemical Co.), "
  • the quantitative ratio of the epoxy resin to the active ester compound is [total number of epoxy groups in the epoxy resin]:[total number of active ester groups in the active ester compound]. ratio of 1:0.01 to 1:5, 1:0.05 to 1:3, or 1:0.1 to 1:1.5.
  • the content of the active ester compound in the resin composition may be 1 part by mass or more, 1.5 parts by mass or more, or 2 parts by mass or more when the non-volatile component in the resin composition is 100 parts by mass. , 40 parts by mass or less, 30 parts by mass or less, 20 parts by mass or less, 10 parts by mass or less, 8 parts by mass or less, or 5 parts by mass or less.
  • a carbodiimide compound having two or more carbodiimide groups in one molecule may be used.
  • a carbodiimide compound may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group represented by X may be 1 to 20, 1 to 10, 1 to 6, 1 to 4, or 1 to 3.
  • Alkylene groups include methylene, ethylene, propylene and butylene groups.
  • the number of carbon atoms in the cycloalkylene group represented by X may be 3-20, 3-12, or 3-6.
  • a cycloalkylene group includes a cyclopropylene group, a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, and a cyclohexylene group.
  • the arylene group represented by X is a group obtained by removing two hydrogen atoms on the aromatic ring from an aromatic hydrocarbon.
  • the number of carbon atoms in the arylene group (not including the number of carbon atoms in the substituents) may be 6-24, 6-18, 6-14, or 6-10.
  • Arylene groups include phenylene groups, naphthylene groups, and anthracenylene groups.
  • the alkylene group, cycloalkylene group or aryl group represented by X may have a substituent.
  • Substituents include, for example, halogen atoms, alkyl groups, alkoxy groups, cycloalkyl groups, cycloalkyloxy groups, aryl groups, aryloxy groups, acyl groups and acyloxy groups.
  • Halogen atoms used as substituents include, for example, fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
  • Alkyl groups and alkoxy groups as substituents may be linear or branched, and the number of carbon atoms thereof may be 1 to 20, 1 to 10, 1 to 6, 1 to 4, or 1 to 3 may be used.
  • the cycloalkyl group or cycloalkyloxy group as a substituent may have 3 to 20, 3 to 12, or 3 to 6 carbon atoms.
  • An aryl group as a substituent is a group obtained by removing one hydrogen atom on an aromatic ring from an aromatic hydrocarbon, and has 6 to 24, 6 to 18, 6 to 14, or 6 to 10 carbon atoms.
  • the aryloxy group as a substituent may have 6 to 24, 6 to 18, 6 to 14, or 6 to 10 carbon atoms.
  • the alkyl group represented by R 1 may be linear or branched, and has 1 to 20, 1 to 10, 1 to 6, 1 to 4, or 1 to 3 carbon atoms. may be The aryl group represented by R 1 may have 6-24, 6-18, 6-14, or 6-10 carbon atoms.
  • p represents an integer of 1-5. p may be 1-4, 2-4, 2 or 3.
  • the content of the structure represented by formula (A) in the carbodiimide compound is 50 parts by mass or more, 60 parts by mass or more, 70 parts by mass or more, and 80 parts by mass when the mass of the entire molecule of the carbodiimide compound is 100 parts by mass. or more, or 90 parts by mass or more.
  • the carbodiimide compound may consist essentially of the structure represented by formula (A), except for the terminal structure. Examples of terminal structures of carbodiimide compounds include alkyl groups, cycloalkyl groups and aryl groups, which may have substituents.
  • the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group used as the terminal structure may be the same as the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group described for the substituents that the group represented by X may have. Further, the substituent that the group used as the terminal structure may have may be the same as the substituent that the group represented by X may have.
  • the weight average molecular weight of the carbodiimide compound may be 500 or more, 600 or more, 700 or more, 800 or more, 900 or more, or 1000 or more, or 5000 or less, 4500 or less, 4000 or less, 3500 or less, or 3000 or less. good.
  • the weight average molecular weight of the carbodiimide compound can be measured, for example, by a gel permeation chromatography (GPC) method (converted to polystyrene).
  • GPC gel permeation chromatography
  • the content of the isocyanate group (also referred to as "NCO content") in the carbodiimide compound is 5% by mass or less to 4% by mass. Below, it may be 3% by mass or less, 2% by mass or less, 1% by mass or less, or 0.5% by mass or less.
  • Carbodiimide compounds include Carbodilite (registered trademark) V-02B, V-03, V-04K, V-07 and V-09 manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd.; You may use commercial items, such as.
  • the content of the carbodiimide compound in the resin composition is 0.1 parts by mass or more, 0.3 parts by mass or more, or 0.5 parts by mass or more when the non-volatile component in the resin composition is 100 parts by mass. 3 parts by mass or less, 2 parts by mass or less, or 1.5 parts by mass or less.
  • the resin composition may further contain other additives as necessary.
  • additives include, for example, flame retardants, organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds and organocobalt compounds, binders, thickeners, antifoaming agents, leveling agents, adhesion imparting agents, and colorants. and other resin additives.
  • the insulating magnetic layer-forming composition may be in the form of a paste (hereinafter referred to as "paste").
  • the paste may contain magnetic powder, an epoxy group-containing compound, and a curing agent.
  • the magnetic powder described above can be used as the magnetic powder.
  • the magnetic powder contained in the paste may have an average particle size of 0.05 to 200 ⁇ m, 0.5 to 100 ⁇ m, or 1 to 50 ⁇ m.
  • the average particle size of the magnetic powder including the coating film may be within the above range.
  • the magnetic powder content in the paste may be 70% by mass or more, or 80% by mass or more, and may be 99% by mass or less, or 90% by mass or less, based on the total mass of the paste.
  • the magnetic powder content in the paste may be 70 to 99% by mass, or 80 to 90% by mass based on the total mass of the paste.
  • An epoxy group-containing compound means a compound having one or more epoxy groups in the molecule, and may be in the form of a monomer, or an oligomer or polymer having a structural unit formed by polymerization of the monomer.
  • the epoxy group-containing compound can be cured by heat treatment and can function as a binder resin that binds the metal element-containing powder.
  • Examples of epoxy group-containing compounds include oligomers and polymers having two or more epoxy groups in the molecule, commonly known as epoxy resins.
  • Other examples of epoxy group-containing compounds include compounds that have one or more epoxy groups in the molecule but do not contain structural units formed by polymerization (hereinafter referred to as epoxy compounds). Such epoxy compounds are commonly known as reactive diluents.
  • the epoxy group-containing compound preferably contains at least one selected from the group consisting of epoxy resins and epoxy compounds.
  • Epoxy resins similar to those blended in the resin composition described above can be used. good.
  • the molecular weight of the epoxy compound may be 100 or more, 150 or more, or 200 or more.
  • an epoxy compound having a molecular weight of 100 or more volatilization before reacting with the curing agent can be suppressed by setting appropriate curing conditions.
  • the molecular weight since the molecular weight is low, the distance between the cross-linking points after the reaction is short, and the occurrence of the problem that the cured product tends to crack can be reduced.
  • the molecular weight of the epoxy compound may be 700 or less, 500 or less, or 300 or less. When an epoxy compound having a molecular weight of 700 or less is used, a suitable viscosity as a diluent can be easily obtained.
  • the molecular weight of the epoxy compound may be 100-700, 150-500, or 200-300.
  • an epoxy compound having a molecular weight within such a range is used, it becomes easy to adjust the viscosity of the paste.
  • epoxy compounds cure when heated and are incorporated into the cured product. Therefore, when an epoxy compound is used, it is possible to contribute to the adjustment of the viscosity of the paste and, at the same time, to suppress deterioration of the properties of the cured product.
  • the epoxy compound may contain one or two or more epoxy groups in the molecule.
  • Epoxy compounds include, for example, n-butyl glycidyl ether, versatic acid glycidyl ether, styrene oxide, ethylhexyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, butylphenyl glycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether. , diethylene glycol diglycidyl ether, and trimethylolpropane triglycidyl ether.
  • the epoxy compound may have 500 ppm or less of ionic impurities such as free Na ions and free Cl ions.
  • the epoxy group-containing compound may have an epoxy equivalent weight of 80 g/eq to 350 g/eq, 100 g/eq to 300 g/eq, and 120 g/eq to 250 g/eq.
  • the epoxy equivalent is within the above range, the viscosity of the epoxy group-containing compound itself is low, making it easy to adjust the viscosity of the paste.
  • the epoxy group-containing compound preferably contains an epoxy group-containing compound that is liquid at 25°C.
  • liquid at 25°C means that the epoxy group-containing compound has a viscosity of 200 Pa ⁇ s or less at 25°C.
  • the above viscosity is a value measured using an E-type viscometer under conditions of temperature: 25° C., cone plate type: SPP, cone angle: 1°34′, rotation speed: 2.5 rpm.
  • E-type viscometer for example, a TV-33 type viscometer manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd. can be used.
  • the blending amount of volatile components such as organic solvents that are usually used to obtain fluidity can be greatly reduced.
  • the paste can also be constructed without organic solvents.
  • the viscosity of the epoxy group-containing compound may be 100 Pa ⁇ s or less, 50 Pa ⁇ s or less, or 10 Pa ⁇ s or less.
  • the viscosity of the epoxy compound may be lower than the viscosity of the liquid epoxy resin from the viewpoint of adjusting the paste viscosity.
  • the viscosity of the epoxy compound may be 1 Pa ⁇ s or less, 0.5 Pa ⁇ s or less, or 0.1 Pa ⁇ s or less.
  • the epoxy group-containing compound that is liquid at 25°C may include at least one selected from the group consisting of an epoxy resin that is liquid at 25°C and an epoxy compound that is liquid at 25°C.
  • the content of the epoxy resin that is liquid at 25° C. may be 50% by mass or more, 70% by mass or more, 90% by mass or more, or 100% by mass based on the total mass of the epoxy group-containing compound.
  • Epoxy resins that are liquid at 25° C. include, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, naphthalene diol type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, and It may contain at least one liquid epoxy resin selected from aminoglycidyl ether type epoxy resins.
  • Epoxy group-containing compounds that are liquid at 25°C can also be obtained as commercial products. For example, they are sold by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. as liquid bisphenol A type epoxy resin and liquid bisphenol F type epoxy resin.
  • liquid bisphenol A type epoxy resin the product name "YDF-8170C” (epoxy equivalent 165, viscosity 1,000 to 1,500 mPa ⁇ s) can be used.
  • epoxy compounds include the series of ADEKA GLYCIROL (product name) manufactured by ADEKA Corporation.
  • the product name "ADEKA GLYCIROL ED-503G” epoxy equivalent 135, viscosity 15 mPa ⁇ s
  • the paste may further contain other resins in addition to the epoxy group-containing compound.
  • Other resins may include at least one selected from the group consisting of thermosetting resins (excluding epoxy resins) and thermoplastic resins.
  • the thermosetting resin may be, for example, at least one selected from the group consisting of phenolic resins, acrylic resins, polyimide resins, and polyamideimide resins. When a phenolic resin is used in addition to the epoxy group-containing compound, the phenolic resin can also function as a curing agent for the epoxy group-containing compound.
  • the thermoplastic resin may be, for example, at least one selected from the group consisting of acrylic resin, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, and polyethylene terephthalate.
  • the resin component may further contain a silicone resin in addition to the epoxy group-containing compound.
  • the content of the other resin is preferably adjusted within a range that does not reduce the effect of the epoxy group-containing compound.
  • the content of other resins may be 50% by mass or less, 30% by mass or less, or 10% by mass or less based on the total mass of resins in the paste.
  • the blending amount can be adjusted so long as the viscosity of the mixture of the epoxy group-containing compound and the other resin is 50 Pa ⁇ s or less at 25°C.
  • the above viscosity is a value measured using an E-type viscometer under conditions of temperature: 25° C., cone plate type: SPP, cone angle: 1°34′, rotation speed: 2.5 rpm.
  • the E-type viscometer for example, a TV-33 type viscometer manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd. can be used.
  • curing agent a compound that imparts appropriate viscosity to the paste and that can react with the epoxy group of the epoxy group-containing compound to form a cured product can be used.
  • curing agent a well-known curing agent generally used as a curing agent for epoxy resins can be used.
  • Curing agents include, for example, phenol-based curing agents, acid anhydride-based curing agents, and amine-based curing agents.
  • Curing agents are classified into curing agents that cure epoxy resins in the temperature range from low temperature to room temperature, and heat-curing curing agents that cure epoxy resins when heated.
  • Curing agents that cure epoxy resins at temperatures ranging from low to room temperature include, for example, aliphatic polyamines, polyaminoamides, and polymercaptans.
  • Heat-curable curing agents include, for example, aromatic polyamines, acid anhydrides, phenolic novolak resins, and dicyandiamide (DICY).
  • DICY dicyandiamide
  • the curing agent preferably contains a thermosetting curing agent.
  • a curing agent that is liquid at 25°C can be used from the viewpoint of lowering the viscosity of the paste.
  • the liquid curing agent for example, at least one selected from the group consisting of aliphatic polyamines, polymercaptans, aromatic polyamines, acid anhydrides, and imidazole curing agents can be used.
  • a curing agent that is solid at 25° C. may be used, or a combination of a liquid curing agent and a solid curing agent may be used as long as the viscosity increase of the paste can be suppressed.
  • solid curing agents examples include dicyandiamide, tertiary amines, imidazole-based curing agents, and imidazoline-based curing agents.
  • the exemplified solid curing agents are polyfunctional or catalytically active so that even small amounts can function satisfactorily.
  • the curing agent may contain at least one selected from the group consisting of amine-based curing agents, imidazole-based curing agents, and imidazoline-based curing agents.
  • the curing agent can contain at least an amine-based curing agent.
  • Amine-based curing agents (more specifically, tertiary amines), imidazole-based curing agents, and imidazoline-based curing agents can also be used as curing accelerators in combination with other curing agents.
  • Amine-based curing agents may be compounds having at least two amino groups in the molecule.
  • the amine curing agent contains at least one selected from the group consisting of aliphatic amines and aromatic amines.
  • aliphatic amine compounds include diethylenetriamine, triethylenetetramine, n-propylamine, 2-hydroxyethylaminopropylamine, cyclohexylamine, and 4,4'-diamino-dicyclohexylmethane.
  • aromatic amine compounds include 4,4′-diaminodiphenylmethane, 2-methylaniline, amine compounds represented by the following formula (1), and amine compounds represented by the following formula (2).
  • the imidazole-based curing agent is a compound having an imidazole skeleton, and may be an imidazole-based compound in which a hydrogen atom in the molecule is substituted with a substituent.
  • the imidazole-based curing agent may be a compound having an imidazole skeleton such as alkyl group-substituted imidazole.
  • Examples of imidazole curing agents include imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, and 2-isopropylimidazole.
  • commercially available products such as “Curesol 2E4MZ” (2-ethyl-4-methylimidazole) manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd. can be used.
  • the imidazoline-based curing agent is a compound having an imidazoline skeleton, and may be an imidazoline-based compound in which a hydrogen atom in the molecule is substituted with a substituent.
  • the imidazoline-based curing agent may be a compound having an imidazoline skeleton such as alkyl group-substituted imidazoline.
  • Examples of imidazoline curing agents include imidazoline, 2-methylimidazoline, and 2-ethylimidazoline.
  • the curing agent may contain an aromatic amine.
  • the aromatic ring of the aromatic amine may have a substituent other than the amino group.
  • it may have an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or may have an alkyl group having 1 or 3 carbon atoms.
  • the number of aromatic rings in the aromatic amine may be one or two or more. When the number of aromatic rings is 2 or more, the aromatic rings may be bonded to each other with a single bond or via a linking group such as an alkylene group.
  • the curing agent preferably contains a liquid aromatic amine.
  • a liquid aromatic amine For example, at least one selected from the group consisting of compounds represented by the above formula (1) and compounds represented by the above formula (2) can be used.
  • Liquid aromatic amines that can be used as curing agents are also available as commercial products.
  • the product name "Grade: jER Cure WA” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation and the product name "Kayahard AA” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. can be mentioned.
  • the content of the curing agent in the paste can be set by considering the ratio between the number of equivalents of epoxy groups in the epoxy group-containing compound such as epoxy resin and the number of equivalents of active groups in the curing agent.
  • the ratio of the curing agent to 1 equivalent of the epoxy group of the epoxy group-containing compound may be 0.5 to 1.5 equivalents, may be 0.9 to 1.4 equivalents, or may be 1.0 to 1.0 equivalents. It can be 2 equivalents.
  • the above ratio of the active groups in the curing agent is 0.5 equivalent or more, the amount of OH per unit weight of the epoxy resin after heat curing is reduced, and a decrease in the curing speed of the epoxy resin can be suppressed. Moreover, the decrease in the glass transition temperature of the obtained cured product and the decrease in elastic modulus of the cured product can be suppressed. Furthermore, it is possible to suppress deterioration in the insulation reliability of the cured product due to unreacted resin components in the binder resin. On the other hand, when the ratio of active groups in the curing agent is 1.5 equivalents or less, the reduction in mechanical strength of the insulating magnetic layer formed from the paste after heat curing can be suppressed. In addition, it is possible to suppress the deterioration of the insulation properties of the cured product due to the unreacted curing agent.
  • the paste may further contain a curing accelerator as necessary.
  • the paste may contain magnetic powder, an epoxy group-containing compound, a curing agent, and a curing accelerator.
  • the paste may further include additives such as coupling agents and flame retardants in addition to the above components.
  • the curing accelerator is not limited as long as it is a compound that can accelerate the curing reaction between the epoxy resin and the curing agent.
  • Curing accelerators include, for example, tertiary amines, imidazole-based curing accelerators, imidazoline-based curing accelerators, and phosphorus compounds.
  • the imidazole-based curing accelerator and the imidazoline-based curing accelerator the compounds exemplified above as the imidazole-based curing agent and imidazoline-based curing agent may be used.
  • liquid curing agents when a liquid acid anhydride is used, a curing accelerator can be used in combination.
  • the paste may contain one or more curing accelerators. When a curing accelerator is used, the mechanical strength of the insulating magnetic layer formed from the paste can be improved, and the curing temperature of the paste can be easily lowered.
  • the amount of the curing accelerator is not particularly limited as long as the curing acceleration effect is obtained.
  • the amount of the curing accelerator is 0.001 parts by mass or more with respect to the total of 100 parts by mass of the epoxy resin and the curing agent. good.
  • the content of the curing accelerator may be 0.01 parts by mass or more, and may be 0.1 parts by mass or more.
  • the amount of the curing accelerator compounded may be 5 parts by mass or less, 4 parts by mass or less, or 3 parts by mass or less.
  • the amount of the curing accelerator to be blended is 0.001 parts by mass or more, a sufficient curing acceleration effect can be easily obtained.
  • the amount of the curing accelerator is 5 parts by mass or less, the paste can easily have excellent storage stability.
  • the coupling agent may be, for example, at least one selected from the group consisting of silane-based compounds (silane coupling agents), titanium-based compounds, aluminum compounds (aluminum chelates), and aluminum/zirconium-based compounds.
  • the silane coupling agent may be, for example, at least one selected from the group consisting of epoxysilanes, mercaptosilanes, aminosilanes, alkylsilanes, ureidosilanes, acid anhydride-based silanes and vinylsilanes. Further, the silane coupling agent may be an aminophenyl-based silane coupling agent.
  • the paste may contain at least one of the above coupling agents, and may contain two or more of the above coupling agents.
  • the paste may contain a flame retardant.
  • Flame retardants are selected from the group consisting of, for example, brominated flame retardants, phosphorus flame retardants, hydrated metal compound flame retardants, silicone flame retardants, nitrogen-containing compounds, hindered amine compounds, organometallic compounds and aromatic engineering plastics. At least one may be used.
  • the paste may contain one or more of the flame retardants exemplified above.
  • the paste may contain an organic solvent as needed.
  • the organic solvent is not particularly limited.
  • an organic solvent capable of dissolving the binder resin can be used.
  • the organic solvent may be, for example, at least one selected from the group consisting of acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, benzene, toluene, carbitol acetate, butyl carbitol acetate, cyclohexanone, and xylene.
  • the organic solvent may be liquid at room temperature (25°C).
  • the boiling point of the organic solvent may be 50°C or higher and 160°C or lower.
  • the content may be 5% by mass or less, 3% by mass or less, or 1% by mass or less based on the total mass of the paste.
  • the paste may be substantially free of organic solvents. As used herein, “substantially free” means that no organic solvent is intentionally added to the paste. Therefore, the paste may contain, for example, an organic solvent that was used during the production of the resin and remained in the resin.
  • the viscosity of the paste may be 1 Pa ⁇ s or more, 10 Pa ⁇ s or more, or 100 Pa ⁇ s or more. By adjusting the viscosity to 1 Pa ⁇ s or more, it is possible to suppress liquid dripping after coating and easily prevent the pattern shape from collapsing after printing. In addition, sedimentation of the magnetic powder in the paste can be suppressed, and deterioration of coatability due to passage of time after stirring the paste can be easily improved.
  • the viscosity of the paste may be 600 Pa ⁇ s or less, 400 Pa ⁇ s or less, or 200 Pa ⁇ s or less. By adjusting the viscosity to 600 Pa ⁇ s or less, fluidity is generated in the paste, and good coatability can be easily obtained.
  • the viscosity of the paste may be 10 Pa ⁇ s to 400 Pa ⁇ s, 50 Pa ⁇ s to 300 Pa ⁇ s, or 100 Pa ⁇ s to 250 Pa ⁇ s.
  • the viscosity of the paste can be freely adjusted depending on the structure and properties of the epoxy group-containing compound, the structure and properties of the curing agent, the combination and compounding ratio thereof, and the structure and compounding ratio of additives such as curing accelerators and coupling agents. can be adjusted.
  • the paste may contain additives such as viscosity modifiers, thixotropic agents, and dispersion stabilizers.
  • a wiring board includes a substrate, conductor wiring provided on the substrate, and an insulating magnetic layer that covers at least a portion of the circumference of the conductor wiring and is made of an insulator containing a magnetic material.
  • a method for manufacturing a wiring board will be described below by dividing it into several embodiments. In the following embodiments, the composition for forming an insulating magnetic layer of the above embodiment can be used.
  • (First embodiment) 1 and 2 are schematic cross-sectional views for explaining the first embodiment of the wiring board manufacturing method.
  • the manufacturing method of the first embodiment includes a substrate 10, an insulating magnetic layer 30 provided on the substrate 10, and a conductor layer 5 provided on the side of the insulating magnetic layer 30 opposite to the substrate 10.
  • a step a4 of forming the conductor wiring 20 is provided.
  • the manufacturing method of the first embodiment may further include step a5 of removing the resist film 8a. Steps a1 to a5 are described below.
  • a laminate 50A is prepared (see FIG. 1(a)).
  • the step a1 may be a step of forming the insulating magnetic layer 30 on the conductor layer 5 and then laminating the substrate 10 on the insulating magnetic layer 30.
  • the insulating magnetic It may be a step of forming the conductor layer 5 on the layer 30 .
  • a laminate is prepared in which a conductor layer 5, a layer made of a composition for forming an insulating magnetic layer, and a substrate 10 are laminated in this order, and the composition for forming an insulating magnetic layer is cured to obtain an insulating magnetic layer.
  • the laminated body 50A may be obtained.
  • the substrate 10 for example, one obtained by pasting together several known prepregs and subjecting them to pressurization and heat treatment can be used.
  • a prepreg one prepared by a known method by impregnating a fiber base material (reinforcing fiber) such as glass fiber or organic fiber with the prepared resin varnish can be used. mentioned.
  • known low dielectric substrates such as substrates using low dielectric resin materials such as polyimide resins, fluorine resins, and liquid crystal polymers (LCP) can be used.
  • Examples of the resin material forming the substrate 10 include resins such as thermosetting resins and thermoplastic resins.
  • the resin materials may be used singly or in combination of two or more.
  • thermosetting resins include polycarbonate resins, thermosetting polyimide resins, thermosetting fluorinated polyimide resins, epoxy resins, phenol resins, urea resins, melamine resins, diallyl phthalate resins, silicone resins, and thermosetting urethane resins. , fluororesins, and liquid crystal polymers.
  • fluororesins include polymers of fluorine-containing olefins such as polytetrafluoroethylene (PTFE).
  • thermoplastic resins examples include olefin resins, acrylic resins, polystyrene resins, polyester resins, polyacrylonitrile resins, maleimide resins, polyvinyl acetate resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, polyvinyl alcohol resins, polyamide resins, and polyvinyl chloride.
  • Resin polyacetal resin, polyphenylene oxide resin, polyphenylene sulfide resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyetheretherketone resin, polyarylsulfone resin, thermoplastic polyimide resin, thermoplastic fluorinated polyimide resin, thermoplastic urethane resin, poly Examples include etherimide resins, polymethylpentene resins, cellulose resins, liquid crystal polymers, and ionomers.
  • the substrate 10 may be a single layer or multiple layers.
  • the substrate may have an adhesive layer on its surface.
  • the thickness of the substrate 10 may be, for example, 10 ⁇ m to 1 mm.
  • the conductor layer 5 contains a conductor.
  • conductors include metals such as copper, gold, silver, and nickel.
  • the thickness of the conductor layer 5 may be appropriately set according to the desired thickness of the conductor wiring 20 .
  • the thickness of the conductor layer 5 is, for example, 1 to 50 ⁇ m.
  • the conductor layer 5 When the conductor layer 5 is formed on the insulating magnetic layer 30, for example, the conductor layer 5 may be formed by laminating a conductor film such as a metal foil on the insulating magnetic layer 30, and the insulating magnetic layer 30 may be formed by plating or the like. A conductor layer 5 may be formed thereon.
  • the insulating magnetic layer 30 is made of an insulator containing a magnetic material.
  • the magnetic material may be dispersed in the insulating magnetic layer 30 .
  • the insulator containing the magnetic material may be formed of a magnetic material having insulating properties.
  • the thickness of the insulating magnetic layer 30 in the laminated body 50A may be adjusted so that the coating thickness of the insulating magnetic layer 30 in the wiring board 100 is within the range described above.
  • the insulating magnetic layer 30 can be formed from the insulating magnetic layer-forming composition described above. Specifically, for example, a composition for forming an insulating magnetic layer containing a magnetic material is applied onto the substrate 10 or the conductor layer 5, or a sheet made of a composition for forming an insulating magnetic layer containing a magnetic material (for example, A method of forming a layer composed of a composition for forming an insulating magnetic layer by, for example, laminating a film-like sheet) and curing the composition for forming an insulating magnetic layer.
  • a composition for forming an insulating magnetic layer containing a magnetic material is applied onto the substrate 10 or the conductor layer 5, or a sheet made of a composition for forming an insulating magnetic layer containing a magnetic material (for example, A method of forming a layer composed of a composition for forming an insulating magnetic layer by, for example, laminating a film-like sheet) and curing the composition for forming an insulating magnetic layer.
  • the method of applying the insulating magnetic layer-forming composition is not particularly limited, but may be screen printing, transfer printing, offset printing, jet printing, dispenser, jet dispenser, needle dispenser, comma coater, slit coater, die coater, gravure coater, slit. Coating, letterpress printing, intaglio printing, gravure printing, stencil printing, soft lithography, bar coating, applicator, particle deposition method, spray coater, spin coater, dip coater and the like can be used.
  • a sheet made of the composition for forming an insulating magnetic layer can be formed, for example, by applying the composition for forming an insulating magnetic layer onto a support film by the coating method described above.
  • the method of laminating the sheet made of the insulating magnetic layer-forming composition there are no particular restrictions on the method of laminating the sheet made of the insulating magnetic layer-forming composition, but a roll laminator, a diaphragm laminator, a vacuum roll laminator, a vacuum diaphragm laminator, or the like can be employed.
  • the composition for forming the insulating magnetic layer can be cured, for example, by heating. Curing of the insulating magnetic layer-forming composition may be curing by drying the insulating magnetic layer-forming composition.
  • the insulating magnetic layer-forming composition contains a thermosetting resin
  • the insulating magnetic layer-forming composition It may be thermosetting of the material. The heating temperature and heating time may be appropriately adjusted according to the type of solvent and the type of thermosetting resin contained in the composition for forming the insulating magnetic layer.
  • the laminate 50A may further include layers other than the substrate 10, the insulating magnetic layer 30 and the conductor layer 5 as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Step a2 a photosensitive layer 7a is formed on the conductor layer 5 side of the laminate 50A (see FIG. 1(b)).
  • the photosensitive layer 7a is a layer having photosensitivity.
  • the photosensitive layer 7a may be made of, for example, a photosensitive resin composition containing a binder polymer, a photopolymerizable compound, and a photopolymerization initiator. Although the photosensitive layer 7a shown in FIG. 1 is of a negative type, it may be of a positive type.
  • the photosensitive layer 7a is formed by applying a photosensitive resin composition on the conductor layer 5 side of the laminate 50A, or by laminating a sheet (for example, a film sheet) made of the photosensitive resin composition. be able to.
  • a method for applying the photosensitive resin composition and a method for laminating a sheet made of the photosensitive resin composition the method for applying the composition for forming the insulating magnetic layer and the sheet made of the composition for forming the insulating magnetic layer described above are used. lamination method can be adopted.
  • the thickness of the photosensitive layer 7a is, for example, 10-100 ⁇ m.
  • step a3 the photosensitive layer 7a is exposed in a predetermined pattern and developed to form a resist film 8a having an opening H1 (see FIG. 1(c)).
  • the photosensitive layer 7a is exposed in a predetermined pattern through a predetermined mask pattern.
  • Actinic rays used for exposure include, for example, light rays using a g-line stepper as a light source; ultraviolet rays using a low-pressure mercury lamp, high-pressure mercury lamp, metal halide lamp, i-line stepper, etc. as a light source; electron beams; laser beams, and the like.
  • the amount of exposure is appropriately selected depending on the light source used, the thickness of the photosensitive layer 7a, and the like.
  • the exposed photosensitive layer 7a is developed with a developer.
  • the photosensitive layer 7a is of a negative type as shown in FIG. 1, the exposed portion is cured by exposure, and the unexposed portion is removed by development. Thereby, a resist film 8a having an opening H1 having a shape corresponding to the removed unexposed portion is formed.
  • the photosensitive layer 7a is of a positive type, the exposed portions are made soluble in the developing solution by exposure, so that the exposed portions are removed by development, leaving a resist film having openings with shapes corresponding to the removed exposed portions. It is formed.
  • the developer is, for example, an alkaline developer, and an alkaline aqueous solution in which an alkaline compound such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, or choline is dissolved in water to a concentration of about 1 to 10% by mass,
  • An alkaline aqueous solution such as ammonia water can be used.
  • Examples of the developing method include a shower developing method, a spray developing method, an immersion developing method, a puddle developing method, and the like.
  • Step a4 a portion of the conductor layer 5 (and the insulating magnetic layer 30) located between the substrate 10 and the opening H1 of the resist film 8a is removed to form the conductor wiring 20 (( d) see.).
  • wet etching is performed using a known etchant such as a cupric chloride solution or a ferric chloride solution.
  • a known etchant such as a cupric chloride solution or a ferric chloride solution.
  • the portion of the insulating magnetic layer 30 located between the substrate 10 and the opening H1 of the resist film 8a is removed together with the conductor layer 5. It may remain on the substrate 10 .
  • Step a5 the resist film 8a is removed (see (e) of FIG. 2).
  • the resist film 8a can be removed, for example, by using an alkaline aqueous solution stronger than the alkaline developer used for development in step a3.
  • Methods for removing the resist film 8a include an immersion method, a spray method, and the like.
  • the wiring board 100A shown in FIG. 2(d) and the wiring board 100B shown in FIG. 2(e) are obtained.
  • the wiring boards 100A and 100B include a substrate 10, conductor wiring 20 provided on the main surface of the substrate 10, and an insulating magnetic layer 30 provided around the conductor wiring 20.
  • the conductor wiring 20 has a bottom surface S2 located on the substrate 10 side, a top surface S1 located on the side opposite to the substrate, and a pair of side surfaces S3a and S3b located between the bottom surface S2 and the top surface S1.
  • the insulating magnetic layer 30 is made of an insulator containing a magnetic material and covers the bottom surface S2 of the conductor wiring 20 .
  • the thickness of the conductor wiring 20 is, for example, 1 to 50 ⁇ m, and may be 5 to 50 ⁇ m.
  • the width of the conductor wiring 20 may be, for example, 5 to 300 ⁇ m.
  • the coating thickness of the insulating magnetic layer 30 may be 0.1 to 100 ⁇ m, 0.2 to 30 ⁇ m, or 0.5 to 10 ⁇ m. good too.
  • the coating thickness of the insulating magnetic layer 30 refers to (i) below when the insulating magnetic layer 30 is provided apart from the conductor wiring 20, and the insulating magnetic layer 30 is provided so as to be in contact with the conductor wiring 20. (ii) below. (i) When a point A on the surface of the insulating magnetic layer 30 on the side of the conductor wiring 20 and a line that passes through this point A and connects the conductor wiring 20 from the point A to the conductor wiring 20 at the shortest distance is extended, the conductor of the insulating magnetic layer 30 The distance from the point B that intersects the surface on the side opposite to the wiring 20 side. (ii) thickness in a direction orthogonal to the interface between the insulating magnetic layer 30 and the conductor wiring 20;
  • the insulating magnetic layer 30 may have a relative magnetic permeability of 2 to 1,000, 10 to 1,000, or 20 to 1,000.
  • the dielectric constant of the insulating magnetic layer 30 may be 1-30, 1-20, or 1-10.
  • (Second embodiment) 3 and 4 are schematic cross-sectional views for explaining a second embodiment of the wiring board manufacturing method.
  • the manufacturing method of the second embodiment includes a substrate 10, an insulating magnetic layer 30 provided on the substrate 10, and a plating seed layer 4 provided on the side of the insulating magnetic layer 30 opposite to the substrate 10.
  • step b1 of preparing a laminated body 50B comprising: a step b2 of forming a photosensitive layer 7b on the insulating magnetic layer 30 side of the laminated body 50B; and exposing and developing the photosensitive layer 7b in a predetermined pattern.
  • a step b3 of forming the resist film 8b having the opening H2 and a step b4 of forming the conductor wiring 20 on the region exposed from the opening H2 of the resist film 8b in the laminate 50B are performed.
  • Steps b1 to b4 are described below.
  • a laminate 50B is prepared (see (a) of FIG. 3).
  • the step b1 may include forming the insulating magnetic layer 30 on the substrate 10 and may include forming the plating seed layer 4 on the insulating magnetic layer 30 .
  • the details of the substrate 10 and the insulating magnetic layer 30 and the details of the method of forming the insulating magnetic layer 30 are the same as those of step a1 in the first embodiment.
  • the plating seed layer 4 can be formed, for example, by electroless plating or sputtering.
  • the conductor (eg, metal) forming the plating seed layer 4 may be the same conductor (eg, metal) forming the conductor wiring 20 .
  • the thickness of the plating seed layer 4 may be, for example, 0.001-5 ⁇ m.
  • the laminate 50B includes the plating seed layer 4 on the insulating magnetic layer 30, but a laminate without the plating seed layer 4 (later-described laminate 50C) can also be used.
  • a laminate without the plating seed layer 4 may be used.
  • a laminate (laminate 50B) including the plating seed layer 4 is used, the adhesion of the conductor wiring 20 formed in step b4 to the insulating magnetic layer 30 tends to improve.
  • Step b2 the photosensitive layer 7b is formed on the insulating magnetic layer 30 side of the laminate 50B (see FIG. 3B).
  • the details of the photosensitive layer 7b and its forming method are the same as those of the photosensitive layer 7a and its forming method in step a2 of the first embodiment.
  • the thickness of the photosensitive layer 7b may be appropriately set according to the intended thickness of the conductor wiring 20.
  • the thickness of the photosensitive layer 7b is, for example, 10-100 ⁇ m.
  • Step b3 the photosensitive layer 7b is exposed with a predetermined pattern and developed to form a resist film 8a having an opening H2 (see FIG. 3(c)).
  • the details of the exposure method and the development method are the same as in step a3 of the first embodiment.
  • step b4 the conductor wiring 20 is formed on the region exposed from the opening H2 of the resist film 8b in the laminate 50B.
  • the step b4 includes, for example, a step b4-1 (see FIG. 4(d)) of forming the plated layer 6 on the region exposed from the opening H2 of the resist film 8b in the laminate 50B, and the resist film 8b. and step b4-3 of removing the plating seed layer 4 and/or the insulating magnetic layer 30 from the portion covered with the resist film 8b (see FIG. 4(e)).
  • step b4 may not include step b4-2.
  • a wiring substrate having the resist film 8b between the conductor wirings 20, 20 adjacent to each other is obtained.
  • it is necessary to remove the plating seed layer 4 in step b4-3. may not include step b4-3. That is, the portion of the insulating magnetic layer 30 covered with the resist film 8a may remain on the substrate 10 without being removed.
  • step b4-1 The plating method in step b4-1 is not particularly limited, but may be, for example, a method using electrolytic plating, electroless plating, or sputtering.
  • the plating layer 6 constitutes the conductor wiring 20 . That is, the conductor wiring 20 is formed by the step b4-1.
  • Step b4-2 The details of the method of removing the resist film in step b4-2 are the same as in step a5 of the first embodiment.
  • step b4-3 portions of the plating seed layer 4 and/or the insulating magnetic layer 30 covered with the resist film 8b are removed.
  • a layered body layered body 50C to be described later
  • only the insulating magnetic layer 30 is removed in step b4-3.
  • only the plating seed layer 4 may be removed.
  • step b4-3 the removal of the plating seed layer 4 and the removal of the insulating magnetic layer 30 may be performed simultaneously or sequentially.
  • a method using a mechanical drill, laser, etching, sandblasting, or the like can be applied.
  • Etching may be, for example, wet etching using a known etchant such as a cupric chloride solution or a ferric chloride solution.
  • part of the plating layer 6 formed in step b4-1 is also removed at the same time. It is preferable to adjust the thickness of the plating layer 6 formed in the step b4-1 to be thicker than the thickness of the target conductor wiring 20.
  • the wiring board 100C shown in FIG. 4(f) is obtained.
  • the details of the wiring board 100C are the same as those of the wiring board 100B obtained in the first embodiment, except that the conductor wiring 20 is composed of the plating layer 6 and the plating seed layer 4 .
  • a wiring board (conductor A substrate on which wiring is formed) is used. That is, in the wiring board manufacturing methods of the third embodiment and the fourth embodiment, after step a5 in the wiring board manufacturing method of the first embodiment, or after step b4 in the wiring board manufacturing method of the second embodiment, -2 (after step b4-3 when step b4-3 is performed).
  • the method of using the wiring board (substrate on which the conductor wiring 20 is formed) 100B obtained by the manufacturing method of the first embodiment is taken as an example, and the method of manufacturing the wiring board of the third embodiment and the fourth embodiment. will be explained.
  • the method of manufacturing a wiring board according to the third embodiment and the fourth embodiment is performed on the upper surface S1 of the conductor wiring 20 and/or the pair of side surfaces S3a and S3b of the wiring board (substrate on which the conductor wiring 20 is formed) 100B.
  • a step c1 of forming an insulating magnetic layer 30 covering at least one of them is provided. Details will be described below with reference to FIGS.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining the third embodiment of the wiring board manufacturing method.
  • the step c1 includes forming an insulating magnetic layer containing a magnetic material so that the upper surface S1 of the conductor wiring 20 is covered without filling the gap g between the conductor wirings 20 adjacent to each other.
  • Step d1 (see FIG. 5(a)) of applying the insulating composition 35 to the conductor wiring 20, and curing the insulating magnetic layer forming composition 35 to obtain an insulation consisting of a cured product of the insulating magnetic layer forming composition 35.
  • a step d2 of forming the magnetic layer 30 see (b) of FIG. 5). Steps d1 and d2 are described below.
  • step d1 the insulating magnetic layer forming composition 35 is applied to the conductor wiring 20 so that the upper surface S1 of the conductor wiring 20 is covered.
  • the insulating magnetic layer forming composition 35 is applied so as to cover at least one of the pair of side surfaces S3a and S3b in addition to the upper surface S1 of the conductor wiring 20. It may be applied to the conductor wiring 20 . However, the gap g between the conductor wirings 20 adjacent to each other should not be filled with the composition 35 for forming the insulating magnetic layer.
  • the insulating magnetic layer forming composition 35 covering one of the conductor wirings 20, 20 adjacent to each other and the insulating magnetic layer forming composition 35 covering the other are prevented from coming into contact with each other.
  • the insulating magnetic layer forming composition 35 is applied to the conductor wiring 20 so as to cover the pair of side surfaces S3a and S3b in addition to the upper surface S1 of the conductor wiring 20.
  • the insulating magnetic layer-forming composition 35 may be applied to the conductor wiring 20 so that one or both of the side surfaces S3a and S3b of the conductor wiring 20 are not coated with the insulating magnetic layer-forming composition 35.
  • the insulating magnetic layer forming composition 35 for example, a paste-like or ink-like composition is used.
  • the method of applying the insulating magnetic layer forming composition 35 is not particularly limited as long as it is a method capable of applying the insulating magnetic layer forming composition 35 in a width approximately equal to the width of the fine conductor wiring 20 .
  • the insulating magnetic layer forming composition 35 can be applied (printed) onto the conductor wiring 20 by a printing method in which the insulating magnetic layer forming composition 35 is ejected from a nozzle 15 .
  • the insulating magnetic layer forming composition 35 may be applied by a jet printing method, a dispenser, a jet dispenser, a needle dispenser, a particle deposition method, a spray coater, a spin coater, a dip coater, or the like.
  • step d2 the insulating magnetic layer forming composition 35 is cured.
  • the method for curing the insulating magnetic layer forming composition 35 is the same as the method for curing the insulating magnetic layer forming composition in step a1 of the first embodiment.
  • the wiring board 100D shown in FIG. 5(b) includes a substrate 10, conductor wiring 20 provided on the main surface of the substrate 10, and an insulating magnetic layer 30 covering the top surface S1, the bottom surface S2, and the pair of side surfaces S3a and S3b of the conductor wiring 20.
  • the insulating magnetic layer 30 has a dome-shaped cross section that rises toward the upper surface S1, and covers the upper surface S1, the bottom surface S2, and the pair of side surfaces S3a and S3b of the conductor wiring 20. As shown in FIG.
  • the coating thickness of the insulating magnetic layer 30 are the same as those of the wiring boards 100A and 100B of the first embodiment.
  • the coating thickness at the point where the coating thickness is the largest is smaller than the maximum value of the range described above, and the coating thickness at the point where the coating thickness is the smallest is the minimum value of the range described above. preferably larger than the value.
  • the insulating magnetic layer 30 is formed so as to cover the upper surface S1 and the pair of side surfaces S3a and S3b of the conductor wiring 20.
  • the upper surface S1 is covered with the insulating magnetic layer 30 and the pair of side surfaces S3a and S3b may not be covered with the insulating magnetic layer 30 .
  • one or both of the pair of side surfaces S3a and S3b may be covered with the insulating magnetic layer 30, and the upper surface S1 may not be covered with the insulating magnetic layer 30.
  • the insulating magnetic layer forming composition 35 may be applied only to the upper surface S1 of the conductor wiring 20 so that both of the pair of side surfaces S3a and S3b are not covered.
  • the insulating magnetic layer 30 covering the pair of side surfaces S3a and S3b is not formed.
  • the insulating magnetic layer forming composition 35 may be applied to the conductor wiring 20 so that one of the pair of side surfaces S3a and S3b is covered and the other is not covered.
  • the insulating magnetic layer 30 covering one of the pair of side surfaces S3a and S3b is formed, but the insulating magnetic layer 30 covering the other side is not formed.
  • the step c1 may further include a step of removing the insulating magnetic layer 30 covering the upper surface S1 of the conductor wiring 20 by grinding or polishing after the step d2.
  • the insulating magnetic layer forming composition 35 is applied to the conductor wiring 20 so that at least one of the pair of side surfaces S3a and S3b is coated in addition to the upper surface S1 of the conductor wiring 20.
  • the insulating magnetic layer 30 covering the upper surface S1 of the conductor wiring 20 is not formed.
  • the grinding method and the polishing method are not particularly limited, but may be, for example, grinding by a fly-cut method, polishing by CMP (Chemical Mechanical Polishing), or the like.
  • CMP Chemical Mechanical Polishing
  • a grinding device with a diamond bit can be used, for example, an automatic surface planer (trade name “DAS8930” manufactured by Disco Co., Ltd.) compatible with 300 mm wafers can be used.
  • step c1 is performed by applying an insulating magnetic layer-forming composition 35 containing a magnetic material on the region where the conductor wiring 20 is formed on the substrate (wiring substrate) 100B on which the conductor wiring 20 is formed.
  • a step e1 (see FIG. 6A) of forming a layer and covering the conductor wiring 20 with the layer, and curing the insulating magnetic layer forming composition 35 by curing the insulating magnetic layer forming composition 35 and a step e3 of forming a photosensitive layer 7c on the side opposite to the substrate 10 of the insulating magnetic layer forming composition 35 or the insulating magnetic layer 30 (Fig.
  • step c1 may further include step e6 (see FIG. 7(e)) of removing the resist film 8c. Steps e1 to e6 will be described below.
  • step e1 a region of the substrate 100B on which the conductor wiring 20 is formed (on the substrate 10 and the conductor wiring 20), the upper surface S1 and the pair of side surfaces S3a and S3b of the conductor wiring 20 are covered with the insulating magnetic layer forming composition 35.
  • FIG. 35 a region of the substrate 100B on which the conductor wiring 20 is formed (on the substrate 10 and the conductor wiring 20), the upper surface S1 and the pair of side surfaces S3a and S3b of the conductor wiring 20 are covered with the insulating magnetic layer forming composition 35.
  • the step e1 may be a step of applying the insulating magnetic layer forming composition 35 to the above region, and a sheet (for example, a film sheet) made of the insulating magnetic layer forming composition 35 is applied to the above region. It may be a step of laminating to.
  • the layer made of the insulating magnetic layer forming composition 35 may be formed so as to partially cover the region of the substrate 100B where the conductor wiring 20 is formed, and the region where the conductor wiring 20 of the substrate 100B is formed. (for example, the entire surface of the substrate 100B).
  • the details of the method of applying the insulating magnetic layer forming composition 35 and the method of laminating a sheet composed of the insulating magnetic layer forming composition 35 are described in the method of applying the insulating magnetic layer forming composition in step a1 of the first embodiment and It is the same as the method of laminating a sheet made of the composition for forming an insulating magnetic layer.
  • Step e2 can be carried out in the same manner as the curing of the insulating magnetic layer forming composition in step a1 of the first embodiment.
  • step e2 is performed before step e3 in FIG. 6, step e2 may be performed after step e3.
  • Step e2 may for example be performed after step e5.
  • the step e3 is a step of forming the photosensitive layer 7c on the side of the layer made of the insulating magnetic layer forming composition 35 opposite to the substrate 10
  • the step e2 is the step When performed before e3, step e3 is the step of forming the photosensitive layer 7c on the side of the insulating magnetic layer 30 opposite to the substrate 10.
  • step e5 removes the portion of the layer made of the insulating magnetic layer forming composition 35 located between the substrate 10 and the opening H3 of the resist film 8c.
  • step e5 is a step of removing the portion of the insulating magnetic layer 30 located between the substrate 10 and the opening H3 of the resist film 8c.
  • steps e3 and e4 can be performed in the same manner as steps a2 and a3 in the first embodiment.
  • the step e5 can be performed in the same manner as the removal of the conductor layer 5 in the step a4 of the first embodiment.
  • step e6 can be performed in the same manner as step a5 in the first embodiment.
  • the wiring board 100E shown in FIG. 7(d) and the wiring board 100F shown in FIG. 7(e) are obtained.
  • the details of the wiring boards 100E and 100F are the same as in the third embodiment, except that the insulating magnetic layers 30 on the upper surface S1 side, the side surface S3a side, and the side surface S3b side of the conductor wiring 20 are each formed with a uniform coating thickness. It is the same as the wiring board 100D obtained in .
  • the coating thickness of the insulating magnetic layer 30 may be the same or different on the upper surface S1 side, the lower surface S2 side, the side surface S3a side, and the side surface S3b side of the conductor wiring 20 .
  • the insulating magnetic layer 30 is formed so as to cover the upper surface S1 and the pair of side surfaces S3a and S3b of the conductor wiring 20, but the upper surface S1 is covered with the insulating magnetic layer 30 and the pair of side surfaces S3a and S3b. may not be covered with the insulating magnetic layer 30 .
  • one or both of the pair of side surfaces S3a and S3b may be covered with the insulating magnetic layer 30, and the upper surface S1 may not be covered with the insulating magnetic layer 30.
  • the resist film 8c may be formed so that the entire portion other than the conductor wiring 20 becomes the opening H3.
  • the step c1 may further include a step of removing the insulating magnetic layer 30 covering the upper surface S1 of the conductor wiring 20 by grinding or polishing after the step e2. This step may be performed after step e6.
  • the insulating magnetic layer 30 covering the upper surface S1 of the conductor wiring 20 is not formed.
  • the grinding method and the polishing method are not particularly limited, but may be, for example, grinding by a fly-cut method, polishing by CMP (Chemical Mechanical Polishing), or the like.
  • CMP Chemical Mechanical Polishing
  • a grinder with a diamond bit can be used, for example, an automatic surface planer (manufactured by Disco Co., Ltd., trade name "DAS8930”) compatible with 300 mm wafers can be used.
  • a laminate (for example, a laminate) is a laminate used for manufacturing the wiring board of the above-described embodiment, and includes at least an insulating magnetic layer.
  • a laminate 50A shown in FIG. 8A includes a substrate 10, an insulating magnetic layer 30 provided on the substrate 10, and a conductor provided on the side of the insulating magnetic layer 30 opposite to the substrate 10.
  • a layer (eg, a conductor foil) 5; 50 A of laminated bodies are used for the manufacturing method of the wiring board of 1st embodiment mentioned above, for example.
  • the laminate 50B is used, for example, in the wiring board manufacturing method of the second embodiment described above.
  • the laminate 50C is used, for example, in the wiring board manufacturing method of the second embodiment described above.
  • the laminated body 50C can also be used in the wiring board manufacturing method of the first embodiment described above. Specifically, it is used for manufacturing the laminate 50A.
  • the laminate 50D can be used, for example, in the wiring board manufacturing method of the first embodiment described above. Specifically, it is used for manufacturing the laminate 50A.
  • a laminate 50E shown in (a) of FIG. 9 includes a first conductor layer (eg, conductor foil) 5a, a substrate 10 provided on the first conductor layer 5a, and a It includes an insulating magnetic layer 30 and a second conductor layer (for example, conductor foil) 5 b provided on the insulating magnetic layer 30 .
  • the laminate 50E can be used instead of the laminate 50A. That is, the laminate 50E can be used in the wiring board manufacturing method of the first embodiment described above.
  • a laminate 50F shown in FIG. 9B includes a first conductor layer (for example, conductor foil) 5a, a first insulating magnetic layer 30a provided on the first conductor layer 5a, and the first The substrate 10 provided on the insulating magnetic layer 30a of the substrate 10, the second insulating magnetic layer 30b provided on the substrate 10, and the second conductor layer ( For example, a conductor foil) 5b is provided.
  • the laminate 50F can be used instead of the laminate 50A. That is, the laminate 50F can be used in the wiring board manufacturing method of the first embodiment described above.
  • a binder resin varnish I was obtained by stirring and mixing all the raw materials in the ointment container having the composition shown in Table 1 with a rotation-revolution stirrer ("ARE-500" manufactured by THINKY Co., Ltd.).
  • ARE-500 manufactured by THINKY Co., Ltd.
  • the revolution speed of the rotation/revolution stirrer was maintained at 2000 rpm, and stirring/mixing was performed for 300 seconds.
  • the rotation of the rotation-revolution stirrer was stopped, and the mixture in the container was stirred using a spatula, and then the revolution speed of the rotation-revolution stirrer was maintained at 2000 rpm again, and the mixture was stirred and mixed for 120 seconds.
  • ⁇ YDF-8170C trade name manufactured by Nippon Steel Chemical & Materials Co., Ltd., bisphenol F type epoxy resin
  • ⁇ jER Cure WA (“jER cure” is a registered trademark): trade name manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, amine-based epoxy resin curing Agent 2E4MZ: Curing accelerator manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2-ethyl-4-methylimidazole Teisan Resin HTR-860-P3: Trade name manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd., acrylic resin (cyclohexanone solution)
  • ⁇ KBM-573 trade name manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane
  • binder resin varnish I 8.5 parts by mass of binder resin varnish I and 73 parts by mass of magnetic powder (SAP-2D (C): manufactured by Shinto Kogyo) were weighed out and placed in a 50 ml ointment container.
  • the binder resin varnish I and the magnetic powder in the ointment container were stirred at a revolution speed of 2000 rpm for 45 seconds using a rotation-revolution stirrer.
  • the rotation of the rotation-revolution stirrer was stopped, and the mixture in the container was stirred using a scoop, and then stirred twice for 45 seconds at a revolution speed of 2000 rpm.
  • a paste composition for forming an insulating magnetic layer was obtained.
  • Example 1 The composition for forming an insulating magnetic layer obtained above was coated on PET using a bar coater and dried to obtain a sheet of the composition for forming an insulating magnetic layer.
  • the obtained sheet was laminated on a substrate prepreg (trade name: GEA-705G, manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd., thickness: 25 ⁇ m) by a vacuum press.
  • the press is heated from room temperature to 130 ° C. at a rate of 4 ° C./min in a vacuum (30 to 40 torr), held for 10 minutes, pressurized at 3 MPa (product pressure), heated to 230 ° C., pressure and temperature was held for 120 minutes.
  • an insulating magnetic layer (thickness: 5 ⁇ m) was formed on the substrate.
  • a plating seed layer (thickness: 0.5 ⁇ m) made of copper was formed by electroless plating on the side of the insulating magnetic layer opposite to the substrate.
  • a laminate A substrate/insulating magnetic layer/plating seed layer
  • a negative photosensitive resin composition solution (trade name: PMER P-LA900PM, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) onto the plating seed layer side of the laminate A, the photosensitive layer (thickness: 50 ⁇ m). Then, the photosensitive layer was pattern-exposed and developed so that openings of the wiring pattern with a width of 190 ⁇ m were formed by developing the unexposed portions.
  • PMER developer P-7G manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
  • a resist film having a wiring pattern opening with a width of 190 ⁇ m was formed on the plating seed layer.
  • a copper plating layer (thickness: 29.5 ⁇ m) was formed by plating on the regions exposed from the openings of the resist film in the laminate A, and then the resist film was removed using methyl ethyl ketone.
  • CPE-700 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., trade name
  • the portions of the plating seed layer and the insulating magnetic layer of the laminate A that had been covered with the resist film were removed.
  • a wiring board was obtained which had a substrate, conductor wiring (thickness: 30 ⁇ m, width: 190 ⁇ m) provided on the substrate, and a 5 ⁇ m-thick insulating magnetic layer covering the bottom surface of the conductor wiring.
  • the resulting wiring board is shown in FIG. 10(a). 10 are the same as those used in the embodiment.
  • Example 2 The composition for forming an insulating magnetic layer obtained above was applied to the surface of a copper foil (thickness: 30 ⁇ m) by spin coating, dried and cured. Thus, an insulating magnetic layer (thickness: 5 ⁇ m) was formed on the copper foil. Next, a prepreg (trade name: GEA-705G, manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd., thickness: 25 ⁇ m), which is a substrate, is laminated on the side opposite to the copper foil of the insulating magnetic layer to obtain a laminate B. (substrate/insulating magnetic layer/copper foil) was obtained.
  • a photosensitive layer was formed in the same manner as in Example 1. Then, the photosensitive layer was pattern-exposed and developed so that the exposed portion had a wiring pattern with a width of 190 ⁇ m.
  • a developer PMER developer P-7G (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was used. Thus, a resist film having openings was formed on the copper foil. This resist film has a wiring pattern with a width of 190 ⁇ m except for the opening.
  • the composition for forming an insulating magnetic layer obtained above was applied to the surface of a PET film using a bar coater to form a sheet of the composition for forming an insulating magnetic layer on the PET film.
  • the obtained sheet is laminated on the region of the wiring substrate where the conductor wiring is formed, thereby forming a layer of the composition for forming an insulating magnetic layer on the region, thereby forming a layer of the conductor wiring.
  • the top and a pair of sides were coated.
  • a photosensitive layer was formed on the opposite side of the insulating magnetic layer from the substrate in the same manner as in Example 1. formed. Then, the portion of the photosensitive layer located on the conductor wiring was exposed and developed.
  • PMER developer P-7G manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
  • a resist film was formed having openings in portions other than the portions located on the conductor wiring.
  • Example 3 When the photosensitive layer formed on the conductor wiring is exposed, the photosensitive layer on the conductor wiring and the portion of the insulating magnetic layer located on one of the portions adjacent to the pair of side surfaces of the conductor wiring are exposed. Except, in the same manner as in Example 2, a substrate, a conductor wiring (thickness: 30 ⁇ m, width: 190 ⁇ m) provided on the substrate, and a 5 ⁇ m-thick covering the bottom surface, top surface and one side surface of the conductor wiring and an insulating magnetic layer. The resulting wiring board is shown in FIG. 10(c).
  • Example 4 When exposing the photosensitive layer formed on the conductor wiring, the portions of the photosensitive layer located on both the conductor wiring and the portions adjacent to the pair of side surfaces of the conductor wiring in the insulating magnetic layer are exposed. Except that, in the same manner as in Example 2, a substrate, a conductor wiring (thickness: 30 ⁇ m, width: 190 ⁇ m) provided on the substrate, and a 5 ⁇ m-thick covering the bottom surface, top surface and a pair of side surfaces of the conductor wiring and an insulating magnetic layer. The resulting wiring board is shown in FIG. 10(d).
  • Example 5 The insulating magnetic layer covering the upper surface of the conductor wiring in the wiring board obtained in Example 3 was removed by a fly-cut method.
  • a wiring comprising a substrate, a conductor wiring (thickness: 30 ⁇ m, width: 190 ⁇ m) provided on the substrate, and an insulating magnetic layer having a thickness of 5 ⁇ m covering the bottom surface and one side surface of the conductor wiring got the substrate.
  • the resulting wiring board is shown in FIG. 10(e).
  • Example 6 The insulating magnetic layer covering the upper surface of the conductor wiring in the wiring board obtained in Example 4 was removed by a fly-cut method.
  • a wiring comprising a substrate, a conductor wiring (thickness: 30 ⁇ m, width: 190 ⁇ m) provided on the substrate, and an insulating magnetic layer having a thickness of 5 ⁇ m covering the bottom surface and a pair of side surfaces of the conductor wiring got the substrate.
  • the resulting wiring board is shown in FIG. 10(f).
  • Laminate C substrate/copper
  • a wiring substrate including a substrate and conductor wiring (thickness: 30 ⁇ m, width: 190 ⁇ m) provided on the substrate was obtained in the same manner as in Example 2, except that the foil was used.
  • the transmission loss of the wiring board produced above was evaluated by the triplate line resonator method.
  • a vector type network analyzer (E8364B manufactured by Keysight Technologies) was used in the triplate line resonator method.
  • the measurement conditions were line width: 0.15 mm, line length: 10 mm, characteristic impedance: about 50 ⁇ , frequencies: 10, 30, 50 GHz, and measurement temperature: 25°C. Based on the measured value of Comparative Example 1, when the transmission loss was reduced, it was evaluated as ⁇ , and when the transmission loss remained the same or increased, it was evaluated as x.

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Abstract

基板１０と、該基板１０上に設けられた導体配線２０と、該導体配線２０の周囲の少なくとも一部を被覆し、磁性材を含む絶縁体からなる絶縁磁性層３０と、を備える、配線基板１００Ｂの製造方法であって、基板１０と、基板１０上に設けられた絶縁磁性層３０と、絶縁磁性層３０の基板１０とは反対側上に設けられた導体層と、を備える積層体を用意する工程ａ１と、積層体の導体層側上に感光層を形成する工程ａ２と、感光層を所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部を有するレジスト膜を形成する工程ａ３と、導体層における、基板１０とレジスト膜８ａの開口部Ｈ１との間に位置する部分を除去することにより、導体配線２０を形成する工程ａ４と、を備える、配線基板１００Ａの製造方法。

Description

配線基板の製造方法及び積層体
　本発明は、配線基板の製造方法及び積層体に関する。
　携帯電話に代表される移動体通信機器やその基地局装置、サーバー、ルーター等のネットワーク関連電子機器、あるいは大型コンピュータ等では、大容量の情報を低損失かつ高速で伝送・処理することが要求されている。かかる要求に対応するため、上述のような装置に搭載されるプリント配線板では、扱う電気信号の高周波数化が進んでいる。しかしながら、電気信号は、高周波になるほど減衰しやすくなる性質を有することから、高周波の電気信号を扱うプリント配線板には、従来以上に伝送損失を低くすることが求められる。
　上記の要求に対し、例えば、配線を含む導体層の表面粗さを小さくして、導体層の表面粗度が大きいことに起因する伝送損失を抑制すること（例えば、下記特許文献１を参照。）や、基板材料に、誘電率、誘電正接が小さいポリフェニレンエーテル含有樹脂等を用いて、誘電体に起因する伝送損失を低減すること（例えば、下記特許文献２を参照。）などの対策が知られている。
特開２０２１－０１６００６号公報 国際公開第２０１４／０３４１０３号パンフレット
　しかしながら、ポスト５Ｇ／６Ｇにおいて電気信号が更に高周波数化すると、上記の対策だけでは伝送損失の低下への対応が困難となる。
　そこで、本発明は、高周波帯の伝送損失が小さい配線基板を提供することを目的とする。
　本発明は、いくつかの側面において、基板と、該基板上に設けられた導体配線と、該導体配線の周囲の少なくとも一部を被覆し、磁性材を含む絶縁体からなる絶縁磁性層と、を備える、配線基板の製造方法を提供する。
　一側面の配線基板の製造方法は、基板と、該基板上に設けられた絶縁磁性層と、該絶縁磁性層の該基板とは反対側上に設けられた導体層と、を備える積層体を用意する工程ａ１と、該積層体の該導体層側上に感光層を形成する工程ａ２と、該感光層を所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部を有するレジスト膜を形成する工程ａ３と、該導体層における、該基板と該レジスト膜の該開口部との間に位置する部分を除去することにより、導体配線を形成する工程ａ４と、を備える。
　他の一側面の配線基板の製造方法は、基板と、該基板上に設けられた絶縁磁性層と、を備える積層体を用意する工程ｂ１と、該積層体の該絶縁磁性層側上に感光層を形成する工程ｂ２と、該感光層を所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部を有するレジスト膜を形成する工程ｂ３と、該積層体における、該レジスト膜の該開口部から露出する領域上に導体配線を形成する工程ｂ４と、を備える。
　上記側面の配線基板の製造方法によれば、高周波帯の伝送損失が小さい配線基板を提供することができる。このような効果が奏される理由として、高周波で発生した磁束が磁性材を含む絶縁体を通過することで、導体配線内部の渦電流が低減し、これにより表皮効果が小さくなることが考えられる。
　上記側面の配線基板の製造方法は、上記レジスト膜を除去した後、導体配線の、基板とは反対側に位置する上面、及び／又は、該上面と基板側に位置する底面との間に位置する一対の側面のうちの少なくとも一方を被覆する絶縁磁性層を形成する工程ｃ１を更に備えてよい。
　一側面において、上記工程ｃ１は、互いに隣り合う導体配線間の空隙が充填されることなく導体配線の上面が被覆されるように、磁性材を含む絶縁磁性層形成用組成物を導体配線に塗布する工程ｄ１と、該絶縁磁性層形成用組成物を硬化させて絶縁磁性層形成用組成物の硬化物からなる絶縁磁性層を形成する工程ｄ２と、を含んでいてよい。また、上記工程ｃ１において、導体配線の上面を被覆する絶縁磁性層を形成しない場合、工程ｃ１は、工程ｄ２の後に、導体配線の上面を被覆する絶縁磁性層を研削又は研磨により除去する工程を更に含んでいてよい。この場合、工程ｄ１では、導体配線の上面に加えて、一対の側面のうちの少なくとも一方が被覆されるように絶縁磁性層形成用組成物を導体配線に塗布する。
　他の一側面において、上記工程ｃ１は、導体配線が形成された基板の該導体配線が形成されている領域上に磁性材を含む絶縁磁性層形成用組成物からなる層を形成し、該層により導体配線を被覆する工程ｅ１と、絶縁磁性層形成用組成物を硬化させて絶縁磁性層形成用組成物の硬化物からなる絶縁磁性層を形成する工程ｅ２と、絶縁磁性層形成用組成物からなる層又は絶縁磁性層の、基板とは反対側上に感光層を形成する工程ｅ３と、感光層を所定のパターンで露光し、現像することにより、導体配線上以外の部分の少なくとも一部に開口部を有するレジスト膜を形成する工程ｅ４と、絶縁磁性層形成用組成物からなる層又は絶縁磁性層の、基板とレジスト膜の開口部との間に位置する部分を除去する工程ｅ５と、を含んでいてよい。この場合、工程ｅ１は、絶縁磁性層形成用組成物を上記領域に塗布する工程であってよく、絶縁磁性層形成用組成物からなるシートを上記領域にラミネートする工程であってもよい。また、上記工程ｃ１において、導体配線の上面を被覆する絶縁磁性層を形成しない場合、工程ｃ１は、工程ｅ２の後に、導体配線の上面を被覆する絶縁磁性層を研削又は研磨により除去する工程を更に含んでいてよい。
　一側面において、上記磁性材は、金属酸化物又はアモルファス金属であってよい。
　一側面において、上記絶縁体の比透磁率は、２～１０００であってよい。
　一側面において、上記絶縁体の比誘電率は、１～３０であってよい。
　本発明は、いくつかの側面において、基板と、該基板上に設けられた導体配線と、該導体配線の周囲の少なくとも一部を被覆し、磁性材を含む絶縁体からなる絶縁磁性層と、を備える、配線基板の製造方法に用いられる積層体を提供する。
　一側面の積層体は、基板と、該基板上に設けられた絶縁磁性層と、を備える。
　上記側面において、積層体は、絶縁磁性層の基板とは反対側上に設けられた導体層を更に備えてよい。この場合、基板の絶縁磁性層とは反対側上に設けられた第２の導体層を更に備えてもよく、基板の絶縁磁性層とは反対側上に設けられた第２の絶縁磁性層と、該第２の絶縁磁性層の基板とは反対側上に設けられた第２の導体層と、を更に備えてもよい。
　他の一側面の積層体は、導体層と、該導体層上に設けられた絶縁磁性層と、を備える。
　本発明によれば、高周波帯の伝送損失が小さい配線基板を提供することができる。
配線基板の製造方法の第一実施形態を説明するための模式断面図である。 図１に続く、配線基板の製造方法の第一実施形態を説明するための模式断面図である。 配線基板の製造方法の第二実施形態を説明するための模式断面図である。 図３に続く、配線基板の製造方法の第二実施形態を説明するための模式断面図である。 配線基板の製造方法の第三実施形態を説明するための模式断面図である。 配線基板の製造方法の第四実施形態を説明するための模式断面図である。 図６に続く、配線基板の製造方法の第四実施形態を説明するための模式断面図である。 本発明の配線基板の製造方法に用いられるいくつかの実施形態に係る積層体を示す模式断面図である。 本発明の配線基板の製造方法に用いられるいくつかの実施形態に係る積層体を示す模式断面図である。 実施例で作製した配線基板を示す模式断面図である。
　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
　なお、「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。また、以下で例示する材料は、特に断らない限り、一種単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する該複数の物質の合計量を意味する。「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
＜絶縁磁性層形成用組成物＞
　絶縁磁性層形成用組成物は、磁性材を含む硬化性の組成物である。絶縁磁性層形成用組成物は、例えば、バインダ樹脂ワニスと、磁性粉とを混合して形成することができる。
　磁性材としては、例えば、金属単体、合金及び金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の磁性粉であってよい。合金は、固溶体、共晶、アモルファス（非晶質）金属、及び金属間化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。金属化合物としては、金属酸化物が挙げられる。
　磁性材は、絶縁性の観点から、金属酸化物又はアモルファス（非晶質）金属であってもよく、金属ガラス磁性粉であってもよい。金属酸化物としては、フェライトが挙げられる。アモルファス（非晶質）金属としては、Ｆｅ基ナノ結晶合金、Ｃｏ基ナノ結晶合金が挙げられる。
　磁性粉は、一種の金属元素又は複数種の金属元素を含んでよい。磁性粉に含まれる金属元素は、例えば、卑金属元素、貴金属元素、遷移金属元素、又は希土類元素であってよい。磁性粉に含まれる金属元素は、例えば、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）及びジスプロシウム（Ｄｙ）からなる群より選ばれる少なくとも一種であってよい。磁性粉は、金属元素以外の元素を含んでもよい。磁性粉は、例えば、酸素、ホウ素、又はケイ素を含んでもよい。
　磁性粉としては、Ｆｅ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金（センダスト）、Ｆｅ－Ｎｉ系合金（パーマロイ）Ｆｅ－Ｃｕ－Ｎｉ系合金（パーマロイ）、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ系合金（電磁ステンレス鋼）、Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系合金（希土類磁石）、Ａｌ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金（アルニコ磁石）及びフェライトからなる群より選ばれる少なくとも一種の組成物を用いることができる。フェライトは、例えば、スピネルフェライト、六方晶フェライト、又はガーネットフェライトであってよい。
　Ｆｅ系合金は、Ｆｅアモルファス合金であってもよい。Ｆｅアモルファス合金粉は、主成分となるＦｅをＳｉ等の他の元素と一緒に高温溶融した合金を急冷して得られる非晶質の粉末であり、金属ガラスとしても知られている。Ｆｅアモルファス合金粉は、当技術分野で周知の方法に従って製造することができる。Ｆｅアモルファス合金粉は、エプソンアトミックス株式会社製の製品名「ＡＷ２－０８」、及び「ＫＵＡＭＥＴ－６Ｂ２」、大同特殊鋼株式会社製の製品名「ＤＡＰＭＳ３」、「ＤＡＰＭＳ７」、「ＤＡＰＭＳＡ１０」、「ＤＡＰＰＢ」、「ＤＡＰＰＣ」、「ＤＡＰＭＫＶ４９」、「ＤＡＰ４１０Ｌ」、「ＤＡＰ４３０Ｌ」、及び「ＤＡＰＨＹＢシリーズ」、並びに株式会社神戸製鋼所製の製品名「ＭＨ４５Ｄ」、「ＭＨ２８Ｄ」、「ＭＨ２５Ｄ」、及び「ＭＨ２０Ｄ」などの市販品を用いることができる。
　磁性粉は、上記の元素及び組成物のうち一種を含んでよく、上記の元素及び組成物のうち複数種を含んでもよい。
　磁性粉は、球状、略球状、フレーク状、又は楕円状であってもよい。また、磁性粉は、一部に角が形成されるその他の様々な形状であってもよい。流動性に優れる観点から、磁性粉は、球状であってもよい。
　磁性粉の平均粒子径は、０．００５～５０μｍであってもよい。本明細書において記載する「平均粒子径」は、粒度分布における積算値５０％（体積基準）での粒径を意味する。磁性粉は、細密充填するように、２～３種類の平均粒子径の粒子の混合物を用いることができる。
　磁性粉は、表面に被膜を有していてもよい。被膜は、例えば、無機塩、アクリル樹脂、ケイ素酸化合物などから形成することができる。また、磁性粉は、表面の全体又は一部が表面処理剤によって被覆されていてもよい。表面処理剤は、例えば、無機酸化物、リン酸系化合物及びリン酸塩系化合物、並びにシランカップリング剤等の無機系表面処理剤、モンタンワックス等の有機系表面処理剤、樹脂硬化物であってよい。表面処理剤として、後述するカップリング剤を使用することもできる。例えば、Ｆｅ系合金等の金属系の磁性粉は、その表面の全体又は一部が絶縁性材料によって被覆されていてもよい。絶縁性材料として、例えば、シリカ、チタニア、リン酸カルシウム、モンタンワックス、及びエポキシ樹脂硬化物が挙げられる。
　磁性粉は、表面が絶縁性材料で被覆された磁性粉（以下、絶縁被覆磁性粉という）を含んでよい。絶縁被覆磁性粉は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。２種以上の絶縁被覆磁性粉の平均粒子径は互いに同じであっても、異なっていてもよい。また、絶縁被覆磁性粉と、絶縁被覆を持たない磁性粉（以下、未被覆磁性粉という）とを併用してもよい。未被覆磁性粉の平均粒子径は、絶縁被覆磁性粉の平均粒子径と同じであっても、異なっていてもよい。例えば、絶縁性を発現させる観点から、未被覆磁性粉の平均粒子径は、絶縁被覆磁性粉の平均粒子径よりも小さくてもよい。
　絶縁被覆磁性粉は、絶縁被覆を有するＦｅアモルファス合金粉であってよい。このような絶縁被覆磁性粉は、例えば、エプソンアトミックス株式会社製の「ＫＵＡＭＥＴ９Ａ４」（Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ系合金、Ｄ５０：２０μｍ、絶縁被覆あり)、及び新東工業株式会社製の「ＳＡＰ－２Ｄ（Ｃ）」（Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－ＰＮｂ－Ｃｒ系合金、Ｄ５０：２．３μｍ、絶縁被覆あり）などの市販品を用いることができる。未被覆磁性粉は、例えば、新東工業株式会社製の「ＳＡＰ－２Ｄ」（Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－ＰＮｂ－Ｃｒ系合金、Ｄ５０：２．３μｍ、絶縁被覆なし）や、戸田工業株式会社製のソフトフェライト粉「ＢＳＮ－１２５」（Ｎｉ－Ｚｎ系合金、Ｄ５０：１０μｍ、絶縁被覆なし）などの市販品を用いることができる。
　絶縁磁性層形成用組成物における磁性粉の含有量は、組成物の全質量を１００質量部としたときに、７０～９９質量部、又は８０～９０質量部であってもよい。
　バインダ樹脂ワニスは、樹脂組成物を用いることができる。
　樹脂組成物はエポキシ樹脂を含有することができる。
　エポキシ樹脂としては、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；ノボラック型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂；ビキシレノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であってもよい。また、エポキシ樹脂は、温度２５℃で液状又は固体状であってもよい。
　２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下、「液状エポキシ樹脂」ともいう。）としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂を用いることができる。液状エポキシ樹脂は、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ－３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４－グリシジルシクロヘキサン）、三菱ケミカル社製の「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ－３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）等の市販品を用いることができる。
　２５℃で固体状のエポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂を用いることができる。固体状エポキシ樹脂は、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９５」、「Ｎ－６８０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」、「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）、「１５７Ｓ７０」（ノボラック型エポキシ樹脂）等の市販品を用いることができる。
　樹脂組成物は、硬化剤を含有してもよい。硬化剤としては、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、ノボラック構造を有するナフトール系硬化剤、含窒素フェノール系硬化剤、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤を用いることができる。
　フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤は、明和化成社製の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ２０９０」、「ＴＤ２０９０－６０Ｍ」、「ＬＡ－７０５２」、「ＬＡ－７０５４」、「ＬＡ－１３５６」、「ＬＡ－３０１８」、「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、「ＥＸＢ－９５００」、「ＨＰＣ－９５００」、「ＫＡ－１１６０」、「ＫＡ－１１６３」、「ＫＡ－１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ－６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ－６１１５Ｈ」、「ＥＬＰＣ７５」等の市販品を用いることができる。
　ベンゾオキサジン系硬化剤は、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」、「Ｆ－ａ」等の市販品を用いることができる。
　シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。
　シアネートエステル系硬化剤は、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等の市販品を用いることができる。
　樹脂組成物における硬化剤の含有量は、樹脂組成物中の樹脂成分を１００質量部としたときに、０．１質量部以上、０．３質量部以上、又は０．５質量部以上であってもよく、５質量部以下、３質量部以下、又は２質量部以下であってもよい。
　樹脂組成物は、硬化促進剤を含有してもよい。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が挙げられる。硬化促進剤は、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ－ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。
　アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられ、４－ジメチルアミノピリジン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセンが挙げられる。
　イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。
　イミダゾール系硬化促進剤は、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」等の市販品を用いることができる。
　グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられる。
　金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
　樹脂組成物における硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量部としたときに、０．００１質量部以上、０．００５質量部以上、又は０．０１質量部以上であってもよく、０．１質量部以下、０．０８質量部以下、又は０．０５質量部以下であってもよい。
　樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含有してもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、シロキサン樹脂、ポリ（メタ）アクリル樹脂、ポリアルキレン樹脂、ポリアルキレンオキシ樹脂、ポリイソプレン樹脂、ポリイソブチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。
　フェノキシ樹脂は、三菱ケミカル社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ構造含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン構造含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、新日鉄住金化学社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱ケミカル社製の「ＹＸ７１８０」、「ＹＸ６９５４」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」、「ＹＬ７８９１」、「ＹＬ７４８２」等の市販品を用いることができる。
　熱可塑性樹脂は、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有していてもよい。これらの構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。ポリブタジエン構造は、一部又は全てが水素添加されていてもよい。ポリアルキレンオキシ構造は、炭素原子数２～１５のポリアルキレンオキシ構造、炭素原子数３～１０のポリアルキレンオキシ構造、又は炭素原子数５～６のポリアルキレンオキシ構造であってもよい。
　熱可塑性樹脂は、数平均分子量（Ｍｎ）が１，０００以上、１，５００以上、３，０００以上、又は５，０００以上であってもよく、１，０００，０００以下、又は９００，０００以下であってもよい。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量を意味する。
　熱可塑性樹脂は、エポキシ樹脂と反応し得る官能基を有していてもよい。エポキシ樹脂と反応し得る官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基であってもよい。
　ポリブタジエン樹脂は、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ　１３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ　１３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ　１３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ　１３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ　１３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ　１３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ　１３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ　１８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＧＱ－１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ－１０００」、「Ｇ－２０００」、「Ｇ－３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ－１０００」、「ＧＩ－２０００」、「ＧＩ－３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ－０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）等の市販品を用いることができる。
　ポリ（メタ）アクリル樹脂は、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン、根上工業社製の「ＭＥ－２０００」、「Ｗ－１１６．３」、「Ｗ－１９７Ｃ」、「ＫＧ－２５」、「ＫＧ－３０００」等の市販品を用いることができる。
　ポリカーボネート樹脂は、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ－１０９０」、「Ｃ－２０９０」、「Ｃ－３０９０」（ポリカーボネートジオール）等の市販品を用いることができる。
　熱可塑性樹脂は、信越シリコーン社製の「ＳＭＰ－２００６」、「ＳＭＰ－２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ－５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサンおよび四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号、特開２００２－１２６６７号公報及び特開２０００－３１９３８６号公報等）、旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ－１０００」、「ＰＴＸＧ－１８００」、クラレ社製の「ＫＬ－６１０」、「ＫＬ６１３」、カネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ－０７３Ｔ」（スチレン－イソブチレン－スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ－０４２Ｄ」（スチレン－イソブチレンジブロック共重合体）、電気化学工業社製の「電化ブチラール４０００－２」、「電化ブチラール５０００－Ａ」、「電化ブチラール６０００－Ｃ」、「電化ブチラール６０００－ＥＰ」、積水化学工業社製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ（例えばＢＸ－５Ｚ）、ＫＳシリーズ（例えばＫＳ－１）、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ、新日本理化社製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」、東洋紡社製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」、日立化成社製の「ＫＳ９１００」及び「ＫＳ９３００」、住友化学社製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「Ｐ１７００」及び「Ｐ３５００」、ガンツ化成社製の「ＡＣ３８３２」等の市販品を用いてもよい。
　樹脂組成物における熱可塑性樹脂の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量部としたときに、０．１質量部以上、０．３質量部以上、又は０．５質量部以上であってもよく、２０質量部以下、１０質量部以下、５質量部以下、又は３質量部以下であってもよい。
　樹脂組成物は、１分子中に活性エステル基を１個以上有する活性エステル化合物を含有することができる。活性エステル化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　活性エステル化合物としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物を用いることができる。このような活性エステル化合物は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが挙げられる。
　活性エステル化合物は、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル化合物であってもよく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル化合物であってもよい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
　活性エステル化合物の具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が挙げられる。なお、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン－ジシクロペンチレン－フェニレンからなる２価の構造単位を表す。
　ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８１５０－６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４１６－７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として、「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として、「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）等の市販品を用いてもよい。
　樹脂組成物が活性エステル化合物及びエポキシ樹脂を含有する場合、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［活性エステル化合物の活性エステル基の合計数］の比率で、１：０．０１～１：５、１：０．０５～１：３、又は、１：０．１～１：１．５であってもよい。
　樹脂組成物における活性エステル化合物の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量部としたときに、１質量部以上、１．５質量部以上、又は２質量部以上であってもよく、４０質量部以下、３０質量部以下、２０質量部以下、１０質量部以下、８質量部以下、又は５質量部以下であってもよい。
　樹脂組成物は、１分子中にカルボジイミド基（－Ｎ＝Ｃ＝Ｎ－）を１個以上有するカルボジイミド化合物を含有することができる。カルボジイミド化合物としては、１分子中にカルボジイミド基を２個以上有する化合物を用いてもよい。カルボジイミド化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　カルボジイミド化合物としては、下記式（Ａ）で表される構造を含有する化合物が挙げられる。
－（Ｘ）ｐ－Ｎ＝Ｃ＝Ｎ－　　　…（Ａ）
［式中、Ｘは、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表し、これらは置換基を有していてもよい。ｐは１～５の整数を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも相異なってもよい。］
　Ｘで表されるアルキレン基の炭素原子数（置換基の炭素原子数は含まれない）は、１～２０、１～１０、１～６、１～４、又は１～３であってもよい。アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基が挙げられる。
　Ｘで表されるシクロアルキレン基の炭素原子数（置換基の炭素原子数は含まれない）は、３～２０、３～１２、３～６であってもよい。シクロアルキレン基としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基が挙げられる。
　Ｘで表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を２個除いた基である。アリーレン基の炭素原子数（置換基の炭素原子数は含まれない）は、６～２４、６～１８、６～１４、又は６～１０であってもよい。アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基が挙げられる。
　Ｘで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基又はアリール基は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アシル基及びアシルオキシ基が挙げられる。置換基として用いられるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。置換基としてのアルキル基、アルコキシ基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、その炭素原子数は、１～２０、１～１０、１～６、１～４、又は１～３であってもよい。置換基としてのシクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基の炭素原子数は、３～２０、３～１２、又は３～６であってもよい。置換基としてのアリール基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を１個除いた基であり、その炭素原子数は、６～２４、６～１８、６～１４、又は６～１０であってもよい。置換基としてのアリールオキシ基の炭素原子数は、６～２４、６～１８、６～１４、又は６～１０であってもよい。置換基としてのアシル基は、式：－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ１で表される基（式中、Ｒ１はアルキル基又はアリール基を表す。）をいう。Ｒ１で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、その炭素原子数は、１～２０、１～１０、１～６、１～４、又は１～３であってもよい。Ｒ１で表されるアリール基の炭素原子数は、６～２４、６～１８、６～１４、又は６～１０であってもよい。置換基としてのアシルオキシ基は、式：－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ２で表される基（式中、Ｒ２はアルキル基又はアリール基を表す。）をいう。
　式（Ａ）中、ｐは１～５の整数を表す。ｐは、１～４、２～４、２又は３であってもよい。
　カルボジイミド化合物における式（Ａ）で表される構造の含有量は、カルボジイミド化合物の分子全体の質量を１００質量部としたとき、５０質量部以上、６０質量部以上、７０質量部以上、８０質量部以上又は９０質量部以上であってもよい。カルボジイミド化合物は、末端構造を除いて、式（Ａ）で表される構造から実質的になってもよい。カルボジイミド化合物の末端構造としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。末端構造として用いられるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基は、Ｘで表される基が有していてもよい置換基について説明したアルキル基、シクロアルキル基、アリール基と同じであってよい。また、末端構造として用いられる基が有していてもよい置換基は、Ｘで表される基が有していてもよい置換基と同じであってよい。
　カルボジイミド化合物の重量平均分子量は、５００以上、６００以上、７００以上、８００以上、９００以上又は１０００以上であってもよく、５０００以下、４５００以下、４０００以下、３５００以下、又は３０００以下であってもよい。カルボジイミド化合物の重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法（ポリスチレンン換算）で測定することができる。
　カルボジイミド化合物が分子中にイソシアネート基（－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）を含有する場合、カルボジイミド化合物中のイソシアネート基の含有量（「ＮＣＯ含有量」ともいう。）は、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１質量％以下又は０．５質量％以下であってもよい。
　カルボジイミド化合物は、日清紡ケミカル社製のカルボジライト（登録商標）Ｖ－０２Ｂ、Ｖ－０３、Ｖ－０４Ｋ、Ｖ－０７及びＶ－０９、ラインケミー社製のスタバクゾール（登録商標）Ｐ、Ｐ４００、及びハイカジル５１０等の市販品を用いてもよい。
　樹脂組成物におけるカルボジイミド化合物の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量部としたときに、０．１質量部以上、０．３質量部以上、又は０．５質量部以上であってもよく、３質量部以下、２質量部以下、又は１．５質量部以下であってもよい。
　樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよい。他の添加剤としては、例えば、難燃剤、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、並びに着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
　絶縁磁性層形成用組成物は、ペースト状であってもよい（以下、「ペースト」という）。ペーストは、磁性粉と、エポキシ基含有化合物と、硬化剤と、を含んでいてもよい。
　磁性粉は、上述した磁性粉を用いることができる。
　ペーストに含まれる磁性粉の平均粒子径は、０．０５～２００μｍ、０．５～１００μｍ、又は１～５０μｍであってよい。磁性粉が被覆されている場合は、被覆膜を含めた磁性粉の平均粒子径が上記範囲内であってよい。
　ペーストにおける磁性粉の含有量は、ペーストの全質量を基準として、７０質量％以上、又は８０質量％以上であってよく、９９質量％以下、又は９０質量％以下であってよい。ペーストにおける磁性粉の含有量は、ペーストの全質量を基準として、７０～９９質量％、又は８０～９０質量％であってもよい。
　エポキシ基含有化合物は、分子内に１以上のエポキシ基を有する化合物を意味し、モノマー、並びにモノマーの重合化によって形成される構造単位を有するオリゴマー及びポリマーのいずれの形態であってもよい。エポキシ基含有化合物は、加熱処理によって硬化し、金属元素含有粉を結着するバインダ樹脂として機能することができる。エポキシ基含有化合物の一例として、一般的にエポキシ樹脂として知られる、分子内に２以上のエポキシ基を有するオリゴマー及びポリマーが挙げられる。エポキシ基含有化合物の他の例として、分子内に１以上のエポキシ基を有するが、重合化によって形成される構造単位を含まない化合物（以下、エポキシ化合物と称す）が挙げられる。このようなエポキシ化合物は、一般的に反応性希釈剤として知られている。エポキシ基含有化合物は、エポキシ樹脂、及びエポキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
　エポキシ樹脂は、上述した樹脂組成物で配合されるものと同様のものを用いることができる。
よい。
　エポキシ化合物の分子量は、１００以上であってよく、１５０以上であってよく、２００以上であってよい。分子量が１００以上であるエポキシ化合物を使用した場合、適切な硬化条件を設定することで硬化剤と反応する前の揮発を抑制することができる。また、低分子量であることで反応後の架橋点間の距離が短く硬化物が割れやすくなる不具合の発生を低減できる。一方、エポキシ化合物の分子量は、７００以下であってよく、５００以下であってよく、３００以下であってよい。分子量が７００以下であるエポキシ化合物を使用した場合、希釈剤として適切な粘度を容易に得ることができる。
　エポキシ化合物の分子量は、１００～７００、１５０～５００、又は２００～３００であってもよい。このような範囲の分子量を有するエポキシ化合物を使用した場合、ペーストの粘度調整が容易となる。エポキシ化合物は、加熱時に揮発する有機溶剤等の成分とは異なり、加熱時に硬化して硬化物中に取り込まれる。そのため、エポキシ化合物を使用した場合、ペーストの粘度調整に寄与し、その一方で硬化物の特性低下を抑制することが可能である。
　エポキシ化合物は、分子内にエポキシ基を１個、又は２個以上含んでよい。エポキシ化合物は、例えば、ｎ－ブチルグリシジルエーテル、バーサティック酸グリシジルエーテル、スチレンオキサイド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、及びトリメチロールプロパントリグリシジルエーテルからなる群から選択される少なくとも１種であってよい。エポキシ化合物は、遊離Ｎａイオン、及び遊離Ｃｌイオンといったイオン性不純物が５００ｐｐｍ以下であってもよい。
　エポキシ基含有化合物のエポキシ当量は、８０ｇ／ｅｑ～３５０ｇ／ｅｑ、１００ｇ／ｅｑ～３００ｇ／ｅｑ、１２０ｇ／ｅｑ～２５０ｇ／ｅｑであってよい。エポキシ当量が上記範囲内である場合、エポキシ基含有化合物自体の粘度が低くなるため、ペーストの粘度を調整することが容易となる。
　エポキシ基含有化合物は、２５℃において液状であるエポキシ基含有化合物を含むことが好ましい。本明細書において「２５℃において液状である」とは、２５℃におけるエポキシ基含有化合物の粘度が、２００Ｐａ・ｓ以下であることを意味する。上記粘度は、Ｅ型粘度計を用い、温度：２５℃、コーンプレートタイプ：ＳＰＰ、コーン角度：１°３４’、回転速度：２．５ｒｐｍの条件下で測定した値である。Ｅ型粘度計として、例えば、東機産業株式会社製のＴＶ－３３型粘度計を使用することができる。
　２５℃において液状のエポキシ基含有化合物を使用した場合、通常、流動性を得るために使用される有機溶剤等の揮発性成分の配合量を大幅に減らすことができる。一実施形態において、有機溶剤を含まないペーストを構成することもできる。また、ペーストとして適切な流動性を確保しながら、磁性粉の含有量を容易に高めることができる。これらの観点から、エポキシ基含有化合物の粘度は、１００Ｐａ・ｓ以下、５０Ｐａ・ｓ以下、１０Ｐａ・ｓ以下であってよい。
　上記エポキシ基含有化合物のなかでもエポキシ化合物の粘度は、ペースト粘度を調整する観点から、液状エポキシ樹脂の粘度よりも低くてもよい。エポキシ化合物の粘度は、１Ｐａ・ｓ以下、０．５Ｐａ・ｓ以下、０．１Ｐａ・ｓ以下であってよい。
　２５℃において液状のエポキシ基含有化合物は、２５℃において液状のエポキシ樹脂、及び２５℃において液状のエポキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含んでよい。２５℃において液状のエポキシ樹脂の含有量は、エポキシ基含有化合物の全質量を基準として、５０質量％以上、７０質量％以上、９０質量％以上、又は１００質量％であってもよい。
　２５℃において液状のエポキシ樹脂は、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びアミノグリシジルエーテル型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種の液状エポキシ樹脂を含んでよい。
　２５℃において液状のエポキシ基含有化合物は、市販品として入手することもできる。例えば、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂として、新日鐵化学株式会社から販売されている。例えば、液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂として、製品名「ＹＤＦ－８１７０Ｃ」（エポキシ当量１６５、粘度１，０００～１，５００ｍＰａ・ｓ）を用いることができる。エポキシ化合物として、株式会社ＡＤＥＫＡ製のアデカグリシロール（製品名）のシリーズが挙げられる。例えば、製品名「アデカグリシロールＥＤ－５０３Ｇ」（エポキシ当量１３５、粘度１５ｍＰａ・ｓ）を用いることができる。
　ペーストは、上記エポキシ基含有化合物に加えて、他の樹脂をさらに含んでもよい。他の樹脂は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂を除く）及び熱可塑性樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含んでよい。熱硬化性樹脂は、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、及びポリアミドイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。エポキシ基含有化合物に加えてフェノール樹脂を使用した場合、フェノール樹脂は、エポキシ基含有化合物の硬化剤として機能することもできる。
　熱可塑性樹脂は、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、及びポリエチレンテレフタレートからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。樹脂成分は、エポキシ基含有化合物に加えて、さらにシリコーン樹脂を含んでもよい。
　ペーストが、エポキシ基含有化合物以外の樹脂を含む場合、その他の樹脂の含有量は、エポキシ基含有化合物による効果を低減させない範囲で調整することが好ましい。例えば、その他の樹脂の含有量は、ペースト中の樹脂の全質量を基準として、５０質量％以下、３０質量％以下、又は１０質量％以下であってよい。エポキシ基含有化合物とその他の樹脂との混合物の粘度が、２５℃において５０Ｐａ・ｓ以下となる範囲で、配合量を調整することができる。上記粘度は、Ｅ型粘度計を用いて、温度：２５℃、コーンプレートタイプ：ＳＰＰ、コーン角度：１°３４’、回転速度：２．５ｒｐｍの条件下で測定した値である。Ｅ型粘度計として、例えば、東機産業株式会社製のＴＶ－３３型粘度計を使用することができる。
　硬化剤としては、ペーストに適度な粘性を付与し、かつエポキシ基含有化合物のエポキシ基と反応し硬化物を形成することができる化合物を用いることができる。硬化剤は、エポキシ樹脂の硬化剤として一般的に使用される周知の硬化剤を用いることができる。硬化剤として、例えば、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、及びアミン系硬化剤が挙げられる。
　硬化剤は、低温から室温の温度範囲でエポキシ樹脂を硬化させる硬化剤と、加熱に伴ってエポキシ樹脂を硬化させる加熱硬化型硬化剤とに分類される。低温から室温の温度範囲でエポキシ樹脂を硬化させる硬化剤としては、例えば、脂肪族ポリアミン、ポリアミノアミド、及びポリメルカプタンが挙げられる。加熱硬化型硬化剤としては、例えば、芳香族ポリアミン、酸無水物、フェノールノボラック樹脂、及びジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）が挙げられる。低温から室温の温度範囲でエポキシ樹脂を硬化させる硬化剤を用いた場合、エポキシ樹脂の硬化物のガラス転移点は低く、エポキシ樹脂の硬化物は軟らかい傾向がある。その結果、ペーストから形成された絶縁磁性層も軟らかくなる傾向がある。絶縁磁性層の耐熱性及び機械的強度を向上させる観点から、硬化剤は、加熱硬化型硬化剤を含むことが好ましい。
　加熱硬化型硬化剤のなかでも、ペーストの低粘度化の観点から、２５℃において液状の硬化剤を使用することができる。液状の硬化剤としては、例えば、脂肪族ポリアミン、ポリメルカプタン、芳香族ポリアミン、及び酸無水物、及びイミダゾール系硬化剤からなる群から選択される少なくとも１種を使用することができる。ペーストの粘度上昇を抑えることができれば、２５℃において固形の硬化剤を使用してもよく、液状の硬化剤と固形の硬化剤とを併用してもよい。固形の硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド、三級アミン、イミダゾール系硬化剤、及びイミダゾリン系硬化剤を使用することができる。例示した固形の硬化剤は、多官能であるか、又は触媒的に作用するため、少量でも十分に機能することができる。
　硬化剤は、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、及びイミダゾリン系硬化剤からなる群から選択される少なくとも１種を含んでいてもよい。硬化剤は、少なくともアミン系硬化剤を含むことができる。アミン系硬化剤（より具体的には第３級アミン）、イミダゾール系硬化剤、及びイミダゾリン系硬化剤は、他の硬化剤との組合せにおいて硬化促進剤として使用することもできる。
　アミン系硬化剤は、分子内に少なくとも２つのアミノ基を有する化合物であってよい。アミン系硬化剤は、脂肪族アミン、及び芳香族アミンからなる群から選択される少なくとも１種を含む。脂肪族アミン化合物としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ｎ－プロピルアミン、２－ヒドロキシエチルアミノブロピルアミン、シクロへキシルアミン、４，４’－ジアミノ－ジシクロへキシルメタンが挙げられる。芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、２－メチルアニリン、下式（１）で表されるアミン化合物、下式（２）で表されるアミン化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　イミダゾール系硬化剤は、イミダゾール骨格を有する化合物であり、分子内の水素原子を置換基で置換したイミダゾール系化合物であってよい。イミダゾール系硬化剤は、アルキル基置換イミダゾール等のイミダゾール骨格を有する化合物であってよい。イミダゾール系硬化剤として、例えば、イミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、及び２－イソプロピルイミダゾールが挙げられる。イミダゾール系硬化剤は、四国化成工業株式会社製の「キュアゾール２Ｅ４ＭＺ」（２－エチル－４－メチルイミダゾール）などの市販品を使用することができる。
　イミダゾリン系硬化剤は、イミダゾリン骨格を有する化合物であり、分子内の水素原子を置換基で置換したイミダゾリン系化合物であってよい。イミダゾリン系硬化剤は、アルキル基置換イミダゾリン等のイミダゾリン骨格を有する化合物であってよい。イミダゾリン系硬化剤として、例えば、イミダゾリン、２－メチルイミダゾリン、及び２－エチルイミダゾリンが挙げられる。
　２５℃で液状のエポキシ樹脂との適合性及び保存安定性の観点から、硬化剤は芳香族アミンを含んでいてもよい。芳香族アミンの芳香環は、アミノ基以外の置換基を有していてもよい。例えば、炭素数１～５のアルキル基を有していてもよく、炭素数１又は３のアルキル基を有していてもよい。芳香族アミンにおける芳香環の数は、１つでも２つ以上であってもよい。芳香環の数が２以上である場合、芳香環同士は単結合で結合していても、アルキレン基等の連結基を介して結合していてもよい。
　ペーストの粘度の観点から、硬化剤は液状の芳香族アミンを含むことが好ましい。例えば、上記式（１）で表される化合物及び上記式（２）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種を使用することができる。
　硬化剤として使用できる液状の芳香族アミンは、市販品として入手することもできる。例えば、三菱ケミカル株式会社製の製品名「グレード：ｊＥＲキュアＷＡ」、日本化薬株式会社製の製品名「カヤハードＡＡ」が挙げられる。
　ペーストにおける硬化剤の含有量は、エポキシ樹脂等のエポキシ基含有化合物のエポキシ基の当量数と、硬化剤における活性基の当量数との比率を考慮して設定することができる。例えば、エポキシ基含有化合物のエポキシ基１当量に対する硬化剤の比率は、０．５～１．５当量であってよく、０．９～１．４当量であってよく、１．０～１．２当量であってよい。
　硬化剤における活性基の上記比率が０．５当量以上である場合、加熱硬化後のエポキシ樹脂の単位重量当たりのＯＨ量が少なくなり、エポキシ樹脂の硬化速度が低下することを抑制できる。また、得られる硬化物のガラス転移温度の低下、及び硬化物の弾性率の低下を抑制できる。さらに、バインダ樹脂中の未反応の樹脂成分よって硬化物の絶縁信頼性が低下することを抑制できる。一方、硬化剤中の活性基の比率が１．５当量以下である場合、ペーストから形成される加熱硬化後の絶縁磁性層の機械的強度の低下を抑制できる。また、未反応の硬化剤によって硬化物の絶縁性が低下することを抑制できる。
　ペーストは、必要に応じて、さらに硬化促進剤を含んでよい。ペーストは、磁性粉と、エポキシ基含有化合物と、硬化剤と、硬化促進剤とを含んでよい。他の実施形態において、ペーストは、上記成分に加えて、例えば、カップリング剤及び難燃剤等の添加剤をさらに含んでもよい。
　硬化促進剤は、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進できる化合物であれば限定されない。硬化促進剤として、例えば、第３級アミン、イミダゾール系硬化促進剤、イミダゾリン系硬化促進剤、及びリン化合物が挙げられる。イミダゾール系硬化促進剤及びイミダゾリン系硬化促進剤として、イミダゾール系硬化剤及びイミダゾリン系硬化剤として先に例示した化合物を使用してもよい。液状の硬化剤のなかでも、液状の酸無水物を使用した場合は、硬化促進剤を併用することができる。ペーストは、１種又は２種以上の硬化促進剤を含んでよい。硬化促進剤を使用した場合、ペーストから形成された絶縁磁性層の機械的強度を向上させ、またペーストの硬化温度を容易に低下させることができる。
　硬化促進剤の配合量は、硬化促進効果が得られる量であればよく、特に限定されない。ただし、ペーストの吸湿時の硬化性及び流動性を改善する観点からは、硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂及び硬化剤の合計１００質量部に対して、０．００１質量部以上であってよい。上記硬化促進剤の配合量は、０．０１質量部以上であってよく、０．１質量部以上であってよい。一方、上記硬化促進剤の配合量は、５質量部以下であってよく、４質量部以下であってよく、３質量部以下であってよい。硬化促進剤の配合量を０．００１質量部以上にした場合、十分な硬化促進効果を容易に得ることができる。硬化促進剤の配合量が５質量部以下である場合、ペーストにおいて優れた保存安定性を容易に得ることができる。
　カップリング剤を使用した場合、ペースト中の磁性粉の分散性の向上、及びペースト粘度の制御が容易となる。また、バインダ樹脂と、磁性粉との密着性の向上が容易となる。さらに、ペーストから形成される絶縁磁性層の導体配線に対する密着性、可撓性、機械的強度の向上が容易となる。カップリング剤は、例えば、シラン系化合物（シランカップリング剤）、チタン系化合物、アルミニウム化合物（アルミニウムキレート類）、及びアルミニウム／ジルコニウム系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。シランカップリング剤は、例えば、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、酸無水物系シラン及びビニルシランからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。また、シランカップリング剤は、アミノフェニル系のシランカップリング剤であってもよい。ペーストは、上記カップリング剤の少なくとも１種を含んでよく、上記２種以上のカップリング剤を含んでもよい。
　ペーストの環境安全性、リサイクル性、成形加工性及び低コストのために、ペーストは難燃剤を含んでよい。難燃剤は、例えば、臭素系難燃剤、リン系難燃剤、水和金属化合物系難燃剤、シリコーン系難燃剤、窒素含有化合物、ヒンダードアミン化合物、有機金属化合物及び芳香族エンジニアリングプラスチックからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。ペーストは、上記で例示した難燃剤の１種を含んでも、又は２種以上を含んでもよい。
　ペーストは、必要に応じて有機溶剤を含んでもよい。有機溶剤は、特に限定されない。例えば、バインダ樹脂を溶解可能な有機溶剤を使用することができる。有機溶剤は、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ベンゼン、トルエン、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、シクロヘキサノン、及びキシレンからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。作業性の観点から、有機溶剤は、常温（２５℃）で液体であってもよい。作業性の観点から、有機溶剤の沸点は、５０℃以上、１６０℃以下であってもよい。
　ペーストが有機溶剤を含む場合、その含有量は、ペーストの全質量を基準として、５質量％以下、３質量％以下、又は１質量％以下であってもよい。ペーストは、実質的に有機溶剤を含まないものであってもよい。本明細書おいて「実質的に含まない」とは、ペーストに対して有機溶剤を意図的に添加していないことを意味する。そのため、ペーストは、例えば、樹脂の製造時に使用され、樹脂中に残存した有機溶剤を含んでいてもよい。
　ペーストの粘度は、１Ｐａ・ｓ以上、１０Ｐａ・ｓ以上、１００Ｐａ・ｓ以上であってよい。１Ｐａ・ｓ以上の粘度に調整することで、塗布後の液ダレを抑制し、印刷後にパターン形状が崩れることを容易に防止することができる。また、ペースト中の磁性粉の沈降を抑止し、ペースト撹拌後の時間経過による塗布性の低下を容易に改善することができる。一方、ペーストの粘度は、６００Ｐａ・ｓ以下、４００Ｐａ・ｓ以下、２００Ｐａ・ｓ以下であってよい。粘度を６００Ｐａ・ｓ以下に調整することで、ペーストに流動性が生じ、良好な塗布性を容易に得ることができる。
　ペーストをスクリーン印刷に適用する場合、ペーストの粘度は、１０Ｐａ・ｓ～４００Ｐａ・ｓ、５０Ｐａ・ｓ～３００Ｐａ・ｓ、又は１００Ｐａ・ｓ～２５０Ｐａ・ｓであってよい。粘度を上記範囲に調整した場合、スクリーン印刷においては、版の開口部をペーストが透過しなくなる不具合の発生を抑制することができる。ペーストの粘度は、エポキシ基含有化合物の構造及び特性、硬化剤の構造及び特性、並びにこれらの組合せ及び配合比、さらに硬化促進剤及びカップリング剤等の添加剤の構造及び配合比等によって自在に調整することができる。ペーストは、粘度調整剤、チキソ性付与剤、及び分散安定剤等の添加剤を含んでもよい。
＜配線基板及びその製造方法＞
　配線基板は、基板と、該基板上に設けられた導体配線と、該導体配線の周囲の少なくとも一部を被覆し、磁性材を含む絶縁体からなる絶縁磁性層と、を備える。以下では、いくつかの実施形態に分けて、配線基板の製造方法について説明する。なお、以下の実施形態では、上記実施形態の絶縁磁性層形成用組成物を用いることができる。
（第一実施形態）
　図１及び図２は、配線基板の製造方法の第一実施形態を説明するための模式断面図である。第一実施形態の製造方法は、基板１０と、該基板１０上に設けられた絶縁磁性層３０と、絶縁磁性層３０の基板１０とは反対側上に設けられた導体層５と、を備える積層体５０Ａを用意する工程ａ１と、該積層体５０Ａの該導体層５側上に感光層７ａを形成する工程ａ２と、該感光層７ａを所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部Ｈ１を有するレジスト膜８ａを形成する工程ａ３と、該導体層５（及び絶縁磁性層３０）における、該基板１０と該レジスト膜８ａの該開口部Ｈ１との間に位置する部分を除去することにより、導体配線２０を形成する工程ａ４と、を備える。第一実施形態の製造方法は、レジスト膜８ａを除去する工程ａ５を更に備えてもよい。以下、工程ａ１～ａ５について説明する。
［工程ａ１］
　工程ａ１では、積層体５０Ａを用意する（図１の（ａ）参照）。工程ａ１は、導体層５上に絶縁磁性層３０を形成した後、絶縁磁性層３０上に基板１０を積層する工程であってよく、基板１０上に絶縁磁性層３０を形成した後、絶縁磁性層３０上に導体層５を形成する工程であってもよい。工程ａ１では、導体層５と、絶縁磁性層形成用組成物からなる層と、基板１０とがこの順で積層された積層体を用意し、絶縁磁性層形成用組成物を硬化させて絶縁磁性層３０を形成することで、積層体５０Ａを得てもよい。
　基板１０としては、例えば、公知のプリプレグを数枚貼り合わせ、加圧加熱処理を行って得られるものが使用できる。かかるプリプレグとしては、調製された樹脂ワニスをガラス繊維、有機繊維等の繊維基材（強化繊維）に含浸させて公知の方法により作製されたものを用いることができ、例えば、ガラスエポキシ複合基板が挙げられる。また、基板１０としては、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の低誘電樹脂材料を用いた基板など、公知の低誘電基板が使用できる。
　基板１０を構成する樹脂材料としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂が挙げられる。樹脂材料は、単独使用又は２種以上の併用であってもよい。
　熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、熱硬化性フッ化ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマーなどが挙げられる。フッ素樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の含フッ素オレフィンの重合体が挙げられる。
　熱可塑性樹脂としては、例えば、オレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、マレイミド樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリルスルホン樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、熱可塑性フッ化ポリイミド樹脂、熱可塑性ウレタン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、セルロース樹脂、液晶ポリマー、アイオノマーなどが挙げられる。
　基板１０は、単層であってもよく、多層であってもよい。基板は、表面に接着層を有していてもよい。
　基板１０の厚さは、例えば、１０μｍ～１ｍｍであってもよい。
　導体層５は導体を含む。導体としては、例えば、銅、金、銀、ニッケル等の金属が挙げられる。
　導体層５の厚さは、目的とする導体配線２０の厚さに応じて適宜設定してよい。導体層５の厚さは、例えば、１～５０μｍである。
　絶縁磁性層３０上に導体層５を形成する場合、例えば、金属箔等の導体膜を絶縁磁性層３０上に積層することにより導体層５を形成してよく、めっき等により、絶縁磁性層３０上に導体層５を形成してもよい。
　絶縁磁性層３０は、磁性材を含む絶縁体からなる。磁性材は、絶縁磁性層３０中で分散されていてよい。また、磁性材が絶縁性を有する場合、磁性材を含む絶縁体は、絶縁性を有する磁性材によって形成されていてもよい。
　積層体５０Ａにおける絶縁磁性層３０の厚さは、配線基板１００における絶縁磁性層３０の被覆厚さが上述した範囲となるように調整してよい。
　絶縁磁性層３０は、上述した絶縁磁性層形成用組成物によって形成することができる。具体的には、例えば、基板１０又は導体層５上に、磁性材を含む絶縁磁性層形成用組成物を塗布すること、又は、磁性材を含む絶縁磁性層形成用組成物からなるシート（例えばフィルム状のシート）をラミネートすることなどによって絶縁磁性層形成用組成物からなる層を形成し、該絶縁磁性層形成用組成物を硬化させる方法が挙げられる。
　絶縁磁性層形成用組成物の塗布方法は、特に制限はないが、スクリーン印刷、転写印刷、オフセット印刷、ジェットプリンティング法、ディスペンサー、ジェットディスペンサ、ニードルディスペンサ、カンマコータ、スリットコータ、ダイコータ、グラビアコータ、スリットコート、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷、ステンシル印刷、ソフトリソグラフ、バーコート、アプリケータ、粒子堆積法、スプレーコータ、スピンコータ、ディップコータ等によって塗布する方法が挙げられる。
　絶縁磁性層形成用組成物からなるシートは、例えば、上記塗布方法で、支持フィルム上に絶縁磁性層形成用組成物を塗布することで形成することができる。絶縁磁性層形成用組成物からなるシートのラミネート方法は、特に制限はないが、ロールラミネータ、ダイヤフラム式ラミネータ、真空ロールラミネータ、真空ダイヤフラム式ラミネータ等を採用することができる。
　絶縁磁性層形成用組成物の硬化は、例えば加熱により行うことができる。絶縁磁性層形成用組成物の硬化は、絶縁磁性層形成用組成物の乾燥による硬化であってよく、絶縁磁性層形成用組成物が熱硬化性樹脂を含む場合は、絶縁磁性層形成用組成物の熱硬化であってもよい。加熱温度及び加熱時間は、絶縁磁性層形成用組成物に含まれる溶剤の種類、熱硬化性樹脂の種類等に応じて適宜調整してよい。
　積層体５０Ａは、本発明の効果を阻害しない限り、基板１０、絶縁磁性層３０及び導体層５以外の層を更に備えていてもよい。
［工程ａ２］
　工程ａ２では、積層体５０Ａの導体層５側上に感光層７ａを形成する（図１の（ｂ）参照）。
　感光層７ａは、感光性を有する層である。感光層７ａは、例えば、バインダーポリマーと、光重合性化合物と、光重合開始剤と、を含む感光性樹脂組成物からなっていてよい。図１に示す感光層７ａはネガ型であるが、ポジ型であってもよい。
　感光層７ａは、積層体５０Ａの導体層５側上に感光性樹脂組成物を塗布すること、又は、感光性樹脂組成物からなるシート（例えばフィルム状のシート）をラミネートすることなどによって形成することができる。感光性樹脂組成物の塗布方法、及び、感光性樹脂組成物からなるシートのラミネート方法としては、上述した絶縁磁性層形成用組成物の塗布方法、及び、絶縁磁性層形成用組成物からなるシートのラミネート方法を採用することができる。
　感光層７ａの厚さは、例えば、１０～１００μｍである。
［工程ａ３］
　工程ａ３では、感光層７ａを所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部Ｈ１を有するレジスト膜８ａを形成する（図１の（ｃ）参照）。
　具体的には、まず、所定のマスクパターンを介して、感光層７ａを所定のパターンで露光する。露光に用いられる活性光線としては、例えば、ｇ線ステッパーを光源とする光線；低圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、ｉ線ステッパー等を光源とする紫外線；電子線；レーザー光線などが挙げられる。露光量は、使用する光源、感光層７ａの厚さ等によって適宜選定される。
　次いで、露光後の感光層７ａを現像液により現像する。図１に示すように感光層７ａがネガ型である場合、露光により露光部が硬化し、未露光部が現像により除去される。これにより、除去された未露光部に対応する形状の開口部Ｈ１を有するレジスト膜８ａが形成される。感光層７ａがポジ型である場合、露光により露光部が現像液に対して可溶化するため、露光部が現像により除去され、除去された露光部に対応する形状の開口部を有するレジスト膜が形成される。
　現像液は、例えばアルカリ性現像液であり、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等のアルカリ性化合物を濃度が１～１０質量％程度になるように水に溶解したアルカリ性水溶液、アンモニア水等のアルカリ性水溶液などを用いることができる。現像方法としては、シャワー現像法、スプレー現像法、浸漬現像法、パドル現像法等が挙げられる。
［工程ａ４］
　工程ａ４では、導体層５（及び絶縁磁性層３０）における、基板１０とレジスト膜８ａの開口部Ｈ１との間に位置する部分を除去することにより、導体配線２０を形成する（図２の（ｄ）参照。）。
　具体的には、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液等の公知のエッチング液を用いてウェットエッチングを行う。これにより、導体層５及び絶縁磁性層３０における、基板１０とレジスト膜８ａの開口部Ｈ１との間に位置する部分（レジスト膜によって保護されていない部分）が除去される。
　図２では、絶縁磁性層３０における、基板１０とレジスト膜８ａの開口部Ｈ１との間に位置する部分が導体層５と共に除去されているが、該部分の一部又は全部が除去されずに基板１０上に残ってもよい。
［工程ａ５］
　工程ａ５では、レジスト膜８ａを除去する（図２の（ｅ）参照）。レジスト膜８ａは、例えば、工程ａ３において現像に使用したアルカリ性現像液よりも更に強いアルカリ性の水溶液を用いることで除去することができる。レジスト膜８ａの除去方式としては、浸漬方式、スプレー方式等が挙げられる。
　以上の操作により、図２の（ｄ）に示す配線基板１００Ａ及び図２の（ｅ）に示す配線基板１００Ｂが得られる。配線基板１００Ａ，１００Ｂは、基板１０と、基板１０の主面上に設けられた導体配線２０と、導体配線２０の周囲に設けられた絶縁磁性層３０とを備える。導体配線２０は、基板１０側に位置する底面Ｓ２と、基板とは反対側に位置する上面Ｓ１と、底面Ｓ２と上面Ｓ１との間に位置する一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂと、を有している。絶縁磁性層３０は、磁性材を含む絶縁体からなり、導体配線２０の底面Ｓ２を被覆している。
　導体配線２０の厚さは、例えば、１～５０μｍであり、５～５０μｍであってもよい。導体配線２０の幅は、例えば、５～３００μｍであってよい。
　信号伝搬のしやすさの観点から、絶縁磁性層３０の被覆厚さは、０．１～１００μｍであってもよく、０．２～３０μｍであってもよく、０．５～１０μｍであってもよい。
　本明細書において、絶縁磁性層３０の被覆厚さとは、絶縁磁性層３０が導体配線２０と離れて設けられている場合は下記（ｉ）、絶縁磁性層３０が導体配線２０と接するように設けられている場合は下記（ｉｉ）を意味する。
（ｉ）絶縁磁性層３０の導体配線２０側の表面における点Ａと、この点Ａを通り、点Ａから導体配線２０までを最短距離で結ぶ線を延ばしたときに、絶縁磁性層３０の導体配線２０側とは反対側の表面と交差する点Ｂ、との距離。
（ｉｉ）絶縁磁性層３０と導体配線２０との界面に直交する方向における厚さ。
　伝送損失を抑制する観点から、絶縁磁性層３０の比透磁率は、２～１０００であってもよく、１０～１０００であってもよく、２０～１０００であってもよい。
　伝送損失を抑制する観点から、絶縁磁性層３０の比誘電率は、１～３０であってもよく、１～２０であってもよく、１～１０であってもよい。
（第二実施形態）
　図３及び図４は、配線基板の製造方法の第二実施形態を説明するための模式断面図である。第二実施形態の製造方法は、基板１０と、該基板１０上に設けられた絶縁磁性層３０と、該絶縁磁性層３０の該基板１０とは反対側上に設けられためっきシード層４と、を備える積層体５０Ｂを用意する工程ｂ１と、該積層体５０Ｂの該絶縁磁性層３０側上に感光層７ｂを形成する工程ｂ２と、該感光層７ｂを所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部Ｈ２を有するレジスト膜８ｂを形成する工程ｂ３と、該積層体５０Ｂにおける、該レジスト膜８ｂの該開口部Ｈ２から露出する領域上に導体配線２０を形成する工程ｂ４と、を備える。以下、工程ｂ１～ｂ４について説明する。
［工程ｂ１］
　工程ｂ１では積層体５０Ｂを用意する（図３の（ａ）参照）。工程ｂ１は、基板１０上に絶縁磁性層３０を形成する工程を含んでいてよく、絶縁磁性層３０上にめっきシード層４を形成する工程を含んでいてもよい。基板１０及び絶縁磁性層３０の詳細並びに絶縁磁性層３０の形成方法の詳細は、第一実施形態における工程ａ１と同様である。
　めっきシード層４は、例えば、無電解めっき又はスパッタリングにより形成することができる。めっきシード層４を構成する導体（例えば金属）は、導体配線２０を構成する導体（例えば金属）と同じ導体であってよい。めっきシード層４の厚さは、例えば、０．００１～５μｍであってよい。
　図３の（ａ）では、積層体５０Ｂが絶縁磁性層３０上にめっきシード層４を備えているが、めっきシード層４を備えていない積層体（後述する積層体５０Ｃ）を用いることもできる。例えば、後述する工程ｂ４－１においてめっきを無電解めっき又はスパッタリングにより行う場合には、めっきシード層４を備えない積層体を用いてもよい。めっきシード層４を備える積層体（積層体５０Ｂ）を用いる場合、工程ｂ４において形成される導体配線２０の絶縁磁性層３０への接着性が向上する傾向がある。
［工程ｂ２］
　工程ｂ２では、積層体５０Ｂの絶縁磁性層３０側上に感光層７ｂを形成する（図３の（ｂ）参照）。感光層７ｂ及びその形成方法の詳細は、第一実施形態の工程ａ２における感光層７ａ及びその形成方法と同様である。
　感光層７ｂの厚さは、目的とする導体配線２０の厚さに応じて適宜設定してよい。感光層７ｂの厚さは、例えば、１０～１００μｍである。
［工程ｂ３］
　工程ｂ３では、感光層７ｂを所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部Ｈ２を有するレジスト膜８ａを形成する（図３の（ｃ）参照）。露光方法及び現像方法の詳細は、第一実施形態の工程ａ３と同様である。
［工程ｂ４］
　工程ｂ４では、積層体５０Ｂにおける、レジスト膜８ｂの開口部Ｈ２から露出する領域上に導体配線２０を形成する。工程ｂ４は、例えば、積層体５０Ｂにおける、レジスト膜８ｂの開口部Ｈ２から露出する領域上にめっきによりめっき層６を形成する工程ｂ４－１（図４の（ｄ）参照）と、レジスト膜８ｂを除去する工程ｂ４－２（図４の（ｅ）参照）と、レジスト膜８ｂによって被覆されていた部分のめっきシード層４及び／又は絶縁磁性層３０を除去する工程ｂ４－３（図４の（ｆ）参照）と、を含む。積層体５０Ｂに代えてめっきシード層４を備えない積層体（後述する積層体５０Ｃ）を用いる場合、工程ｂ４は、工程ｂ４－２を備えていなくてもよい。この場合、互いに隣り合う導体配線２０，２０間にレジスト膜８ｂを備える配線基板が得られる。また、めっきシード層４を備える積層体５０Ｂを用いる場合には工程ｂ４－３によりめっきシード層４を除去する必要があるが、めっきシード層４を備えない積層体を用いる場合には、工程ｂ４は工程ｂ４－３を含まなくてもよい。すなわち、絶縁磁性層３０におけるレジスト膜８ａによって被覆されていた部分が除去されずに基板１０上に残ってもよい。
－工程ｂ４－１
　工程ｂ４－１におけるめっきの方法は、特に制限されないが、例えば、電解めっき、無電解めっき又はスパッタリングを用いる方法であってよい。図示しないが、めっきシード層４を備えない積層体（後述する積層体５０Ｃ）を用いる場合、めっき層６が導体配線２０を構成する。すなわち、工程ｂ４－１によって、導体配線２０が形成される。
－工程ｂ４－２
　工程ｂ４－２におけるレジスト膜の除去方法の詳細は、第一実施形態の工程ａ５と同様である。
－工程ｂ４－３
　工程ｂ４－３では、レジスト膜８ｂによって被覆されていた部分のめっきシード層４及び／又は絶縁磁性層３０を除去する。めっきシード層４を備えない積層体（後述する積層体５０Ｃ）を用いる場合、工程ｂ４－３では、絶縁磁性層３０のみを除去する。工程ｂ４－３では、めっきシード層４のみを除去してもよい。
　工程ｂ４－３では、めっきシード層４の除去と絶縁磁性層３０の除去を同時に実施してよく、順番に実施してもよい。工程ｂ４－３におけるめっきシード層４及び絶縁磁性層３０の除去には、機械式ドリル、レーザー、エッチング、サンドブラスト等を用いた方法を適用できる。エッチングは、例えば、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液等の公知のエッチング液を用いたウェットエッチングであってよい。ウェットエッチングによりめっきシード層４及び絶縁磁性層３０の一部を除去する場合、工程ｂ４－１で形成されためっき層６の一部も同時に除去されるため、工程ｂ３のレジスト膜の厚さを調整することにより、工程ｂ４－１で形成されるめっき層６の厚さを目的の導体配線２０の厚さよりも厚くすることが好ましい。
　以上の操作により、図４の（ｆ）に示す配線基板１００Ｃが得られる。配線基板１００Ｃの詳細は、導体配線２０がめっき層６及びめっきシード層４によって構成されることを除き、第一実施形態で得られる配線基板１００Ｂと同様である。
（第三実施形態及び第四実施形態）
　第三実施形態及び第四実施形態では、基板と、基板の主面上に設けられた導体配線と、導体配線の底面Ｓ２を被覆するように設けられた絶縁磁性層とを備える配線基板（導体配線が形成された基板）を用いる。すなわち、第三実施形態及び第四実施形態の配線基板の製造方法は、第一実施形態の配線基板の製造方法における工程ａ５の後、又は、第二実施形態の配線基板の製造方法における工程ｂ４－２の後（工程ｂ４－３を実施する場合には工程ｂ４－３の後）に実施することができる。以下では、第一実施形態の製造方法で得られる配線基板（導体配線２０が形成された基板）１００Ｂを用いる方法を例に挙げて、第三実施形態及び第四実施形態の配線基板の製造方法について説明する。
　第三実施形態及び第四実施形態の配線基板の製造方法は、配線基板（導体配線２０が形成された基板）１００Ｂにおける該導体配線２０の上面Ｓ１、及び／又は、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂのうちの少なくとも一方を被覆する絶縁磁性層３０を形成する工程ｃ１を備える。以下、図５～７を用いて詳細を説明する。
　図５は、配線基板の製造方法の第三実施形態を説明するための模式断面図である。第三実施形態では、上記工程ｃ１が、互いに隣り合う導体配線２０，２０間の空隙ｇが充填されることなく導体配線２０の上面Ｓ１が被覆されるように、磁性材を含む絶縁磁性層形成用組成物３５を導体配線２０に塗布する工程ｄ１（図５の（ａ）参照）と、絶縁磁性層形成用組成物３５を硬化させて絶縁磁性層形成用組成物３５の硬化物からなる絶縁磁性層３０を形成する工程ｄ２（図５の（ｂ）参照）と、を含む。以下、工程ｄ１及びｄ２について説明する。
［工程ｄ１］
　工程ｄ１では、導体配線２０の上面Ｓ１が被覆されるように絶縁磁性層形成用組成物３５を導体配線２０に塗布する。この際、図５（ａ）に示されるように、導体配線２０の上面Ｓ１に加えて、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂのうちの少なくとも一方が被覆されるように絶縁磁性層形成用組成物３５を導体配線２０に塗布してもよい。ただし、互いに隣り合う導体配線２０，２０間の空隙ｇが絶縁磁性層形成用組成物３５によって充填されないようにする。より詳細には、互いに隣り合う導体配線２０，２０のうちの一方を被覆する絶縁磁性層形成用組成物３５と他方を被覆する絶縁磁性層形成用組成物３５とが互いに接触しないようにする。図５の（ａ）では、導体配線２０の上面Ｓ１に加えて、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂが被覆されるように絶縁磁性層形成用組成物３５が導体配線２０に塗布されているが、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂの一方又は両方が絶縁磁性層形成用組成物３５に被覆されないように、絶縁磁性層形成用組成物３５を導体配線２０に塗布してもよい。
　絶縁磁性層形成用組成物３５としては、例えば、ペースト状又はインク状の組成物を用いる。絶縁磁性層形成用組成物３５の塗布方法は、微細な導体配線２０の幅と同程度の幅で絶縁磁性層形成用組成物３５を塗布できる方法であれば特に限定されない。例えば、図５に示すように、ノズル１５から絶縁磁性層形成用組成物３５を吐出する印刷法により、導体配線２０に絶縁磁性層形成用組成物３５を塗布（印刷）することができる。絶縁磁性層形成用組成物３５の塗布方法は、ジェットプリンティング法、ディスペンサー、ジェットディスペンサ、ニードルディスペンサ、粒子堆積法、スプレーコータ、スピンコータ、ディップコータ等であってもよい。
［工程ｄ２］
　工程ｄ２では、絶縁磁性層形成用組成物３５を硬化させる。絶縁磁性層形成用組成物３５の硬化方法は、第一実施形態の工程ａ１における絶縁磁性層形成用組成物の硬化方法と同様である。
　以上の操作により、図５の（ｂ）に示す配線基板１００Ｄが得られる。配線基板１００Ｄは、基板１０と、基板１０の主面上に設けられた導体配線２０と、導体配線２０の上面Ｓ１、底面Ｓ２及び一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂを被覆する絶縁磁性層３０とを備える。絶縁磁性層３０は、上面Ｓ１側に盛り上がった断面ドーム状を呈しており、導体配線２０の上面Ｓ１、底面Ｓ２及び一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂを被覆している。
　絶縁磁性層３０の被覆厚さ等の詳細は、上記第一実施形態の配線基板１００Ａ，１００Ｂと同様である。第三実施形態では、被覆厚さが最も大きくなる箇所における該被覆厚さが上述した範囲の最大値より小さいことが好ましく、被覆厚さが最も小さく箇所における該被覆厚さが上述した範囲の最小値より大きいことが好ましい。
　図５では、絶縁磁性層３０が導体配線２０の上面Ｓ１及び一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂを被覆するように形成されているが、上面Ｓ１が絶縁磁性層３０によって被覆され、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂの一方又は両方が絶縁磁性層３０によって被覆されなくてもよい。また、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂのうちの一方又は両方が絶縁磁性層３０によって被覆され、上面Ｓ１が絶縁磁性層３０によって被覆されなくてもよい。例えば、工程ｄ１において、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂの両方が被覆されないように、絶縁磁性層形成用組成物３５を導体配線２０の上面Ｓ１にのみ塗布してもよい。この方法によれば、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂを被覆する絶縁磁性層３０は形成されない。また、例えば、工程ｄ１において、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂのうちの一方が被覆され、他方が被覆されないように、絶縁磁性層形成用組成物３５を導体配線２０に塗布してもよい。この方法によれば、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂのうちの一方を被覆する絶縁磁性層３０は形成されるが、他方を被覆する絶縁磁性層３０は形成されない。また、例えば、工程ｃ１が、工程ｄ２の後に、導体配線２０の上面Ｓ１を被覆する絶縁磁性層３０を研削又は研磨により除去する工程を更に含んでいてよい。この場合、工程ｄ１では、導体配線２０の上面Ｓ１に加えて、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂのうちの少なくとも一方が被覆されるように絶縁磁性層形成用組成物３５を導体配線２０に塗布する。この方法によれば、導体配線２０の上面Ｓ１を被覆する絶縁磁性層３０は形成されない。研削方法及び研磨方法は特に限定されないが、例えば、フライカット法による研削、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）による研磨等であってよい。フライカット法では、ダイヤモンドバイトによる研削装置を使用することができ、例えば、３００ｍｍウェハ対応のオートマチックサーフェースプレーナ（株式会社ディスコ製、商品名「ＤＡＳ８９３０」）を用いることができる。
　図６及び図７は、配線基板の製造方法の第四実施形態を説明するための模式断面図である。第四実施形態では、上記工程ｃ１が、導体配線２０が形成された基板（配線基板）１００Ｂの該導体配線２０が形成されている領域上に磁性材を含む絶縁磁性層形成用組成物３５からなる層を形成し、該層により導体配線２０を被覆する工程ｅ１（図６の（ａ）参照）と、絶縁磁性層形成用組成物３５を硬化させて絶縁磁性層形成用組成物３５の硬化物からなる絶縁磁性層３０を形成する工程ｅ２と、絶縁磁性層形成用組成物３５からなる層又は絶縁磁性層３０の、基板１０とは反対側上に感光層７ｃを形成する工程ｅ３（図６の（ｂ）参照）と、感光層７ｃを所定のパターンで露光し、現像することにより、導体配線２０上以外の部分の少なくとも一部に開口部Ｈ３を有するレジスト膜８ｃを形成する工程ｅ４（図６の（ｃ）参照）と、絶縁磁性層形成用組成物３５からなる層又は絶縁磁性層３０の、基板１０とレジスト膜８ｃの開口部Ｈ３との間に位置する部分を除去する工程ｅ５（図７の（ｄ）参照）と、を含む。第四実施形態では、工程ｃ１が、レジスト膜８ｃを除去する工程ｅ６（図７の（ｅ）参照）を更に含んでいてもよい。以下、工程ｅ１～ｅ６について説明する。
［工程ｅ１］
　工程ｅ１では、互いに隣り合う導体配線２０，２０間の空隙が充填されるように、導体配線２０が形成された基板１００Ｂの該導体配線２０が形成されている領域上（基板１０上及び導体配線２０上）に絶縁磁性層形成用組成物３５からなる層を形成することで、導体配線２０の上面Ｓ１及び一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂを絶縁磁性層形成用組成物３５により被覆する。
　工程ｅ１は、具体的には、絶縁磁性層形成用組成物３５を上記領域に塗布する工程であってよく、絶縁磁性層形成用組成物３５からなるシート（例えばフィルム状のシート）を上記領域にラミネートする工程であってもよい。絶縁磁性層形成用組成物３５からなる層は、基板１００Ｂの導体配線２０が形成されている領域の一部を被覆するように形成されてよく、基板１００Ｂの導体配線２０が形成されている領域の全て（例えば基板１００Ｂの全面）を被覆するように形成されてもよい。絶縁磁性層形成用組成物３５の塗布方法及び絶縁磁性層形成用組成物３５からなるシートをラミネートする方法の詳細は、第一実施形態の工程ａ１における絶縁磁性層形成用組成物の塗布方法及び絶縁磁性層形成用組成物からなるシートをラミネートする方法と同様である。
［工程ｅ２～工程ｅ６］
　工程ｅ２は、第一実施形態の工程ａ１における絶縁磁性層形成用組成物の硬化と同様にして実施することができる。図６では、工程ｅ２が工程ｅ３の前に実施されているが、工程ｅ２は、工程ｅ３の後に実施されてもよい。工程ｅ２は、例えば、工程ｅ５の後に実施されてもよい。工程ｅ２が工程ｅ３の後に実施される場合、工程ｅ３は、絶縁磁性層形成用組成物３５からなる層の基板１０とは反対側上に感光層７ｃを形成する工程であり、工程ｅ２が工程ｅ３の前に実施される場合、工程ｅ３は、絶縁磁性層３０の基板１０とは反対側上に感光層７ｃを形成する工程である。同様に、工程ｅ２が工程ｅ５の後に実施される場合、工程ｅ５は、絶縁磁性層形成用組成物３５からなる層の基板１０とレジスト膜８ｃの開口部Ｈ３との間に位置する部分を除去する工程であり、工程ｅ２が工程ｅ５の前に実施される場合、工程ｅ５は、絶縁磁性層３０の基板１０とレジスト膜８ｃの開口部Ｈ３との間に位置する部分を除去する工程である。また、工程ｅ３及び工程ｅ４は、第一実施形態の工程ａ２及び工程ａ３と同様にして実施することができる。また、工程ｅ５は、第一実施形態の工程ａ４における導体層５の除去と同様にして実施することができる。また、工程ｅ６は、第一実施形態の工程ａ５と同様にして実施することができる。
　以上の操作により、図７の（ｄ）に示す配線基板１００Ｅ及び図７の（ｅ）に示す配線基板１００Ｆが得られる。配線基板１００Ｅ，１００Ｆの詳細は、導体配線２０の上面Ｓ１側、側面Ｓ３ａ側及び側面Ｓ３ｂ側の絶縁磁性層３０が、それぞれ均一な被覆厚さで形成されていることを除き、第三実施形態で得られる配線基板１００Ｄと同様である。導体配線２０の上面Ｓ１側、底面Ｓ２側、側面Ｓ３ａ側及び側面Ｓ３ｂ側において、絶縁磁性層３０の被覆厚さは同じであっても異なっていてもよい。
　図７では、絶縁磁性層３０が導体配線２０の上面Ｓ１及び一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂを被覆するように形成されているが、上面Ｓ１が絶縁磁性層３０によって被覆され、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂの一方又は両方が絶縁磁性層３０によって被覆されなくてもよい。また、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂのうちの一方又は両方が絶縁磁性層３０によって被覆され、上面Ｓ１が絶縁磁性層３０によって被覆されなくてもよい。例えば、工程ｅ４では、導体配線２０上以外の部分の全部が開口部Ｈ３となるようにレジスト膜８ｃを形成してよい。この場合、工程ｅ５において、互いに隣り合う導体配線２０，２０間に位置する絶縁磁性層３０が除去されるため、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂを被覆する絶縁磁性層３０は形成されない。開口部Ｈ３の大きさ・形状を変更することで、一対の側面Ｓ３ａ，Ｓ３ｂのうちの一方を被覆する絶縁磁性層３０を形成しつつ、他方を被覆する絶縁磁性層３０を形成しないことも可能である。また、例えば、工程ｃ１が、工程ｅ２の後に、導体配線２０の上面Ｓ１を被覆する絶縁磁性層３０を研削又は研磨により除去する工程を更に含んでいてよい。この工程は、工程ｅ６の後に実施してもよい。この方法によれば、導体配線２０の上面Ｓ１を被覆する絶縁磁性層３０は形成されない。研削方法及び研磨方法は特に限定されないが、例えば、フライカット法による研削、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）による研磨等であってよい。フライカット法では、ダイヤモンドバイトによる研削装置を使用することができ、例えば、３００ｍｍウェハ対応のオートマチックサーフェースプレーナ（株式会社ディスコ製、商品名「ＤＡＳ８９３０」）を用いることができる。
＜積層板＞
　積層体（例えば積層板）は、上記実施形態の配線基板の製造に用いられる積層体であり、少なくとも絶縁磁性層を備える。
　図８の（ａ）に示す積層体５０Ａは、基板１０と、該基板１０上に設けられた絶縁磁性層３０と、該絶縁磁性層３０の該基板１０とは反対側上に設けられた導体層（例えば導体箔）５と、を備える。積層体５０Ａは、例えば、上述した第一実施形態の配線基板の製造方法に用いられる。
　図８の（ｂ）に示す積層体５０Ｂは、基板１０と、該基板１０上に設けられた絶縁磁性層３０と、該絶縁磁性層３０の該基板１０とは反対側上に設けられためっきシード層４と、を備える。積層体５０Ｂは、例えば、上述した第二実施形態の配線基板の製造方法に用いられる。
　図８の（ｃ）に示す積層体５０Ｃは、基板１０と、該基板１０上に設けられた絶縁磁性層３０と、を備え、めっきシード層４を備えない。積層体５０Ｃは、例えば、上述した第二実施形態の配線基板の製造方法に用いられる。また、積層体５０Ｃは、上述した第一実施形態の配線基板の製造方法に用いることもできる。具体的には、上記積層体５０Ａの製造に用いられる。
　図８の（ｄ）に示す積層体５０Ｄは、導体層（例えば導体箔）５と、該導体層５上に設けられた絶縁磁性層３０と、を備える。積層体５０Ｄは、例えば、上述した第一実施形態の配線基板の製造方法に用いることができる。具体的には、上記積層体５０Ａの製造に用いられる。
　図９の（ａ）に示す積層体５０Ｅは、第１の導体層（例えば導体箔）５ａと、該第１の導体層５ａ上に設けられた基板１０と、該基板１０上に設けられた絶縁磁性層３０と、絶縁磁性層３０上に設けられた第２の導体層（例えば導体箔）５ｂと、を備える。上述した第一実施形態の配線基板の製造方法では、積層体５０Ａに代えて、積層体５０Ｅを用いることもできる。すなわち、積層体５０Ｅは、上述した第一実施形態の配線基板の製造方法に用いることができる。
　図９の（ｂ）に示す積層体５０Ｆは、第１の導体層（例えば導体箔）５ａと、該第１の導体層５ａ上に設けられた第１の絶縁磁性層３０ａと、該第１の絶縁磁性層３０ａ上に設けられた基板１０と、該基板１０上に設けられた第２の絶縁磁性層３０ｂと、該第２の絶縁磁性層３０ｂ上に設けられた第２の導体層（例えば導体箔）５ｂと、を備える。上述した第一実施形態の配線基板の製造方法では、積層体５０Ａに代えて、積層体５０Ｆを用いることもできる。すなわち、積層体５０Ｆは、上述した第一実施形態の配線基板の製造方法に用いることができる。
　以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
＜絶縁磁性層形成用組成物の調製＞
　表１に示す組成で配合された軟膏容器内の全原料を、自公転撹拌機（シンキー株式会社製、「ＡＲＥ－５００」）で攪拌・混合することにより、バインダ樹脂ワニスＩを得た。なお、攪拌・混合工程では、先ず、自公転撹拌機の公転速度を２０００ｒｐｍに維持し、３００秒攪拌・混合した。次に、自公転撹拌機の公転を止めて、薬さじを用いて容器内の混合物を撹拌した後、再び自公転撹拌機の公転速度を２０００ｒｐｍに維持し、１２０秒攪拌・混合した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表１に示す各成分の詳細を以下に示す。
・ＹＤＦ－８１７０Ｃ：日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社製の商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
・ｊＥＲキュアＷＡ（「ｊＥＲキュア」は登録商標）：三菱ケミカル株式会社製の商品名、アミン系エポキシ樹脂硬化剤
・２Ｅ４ＭＺ：四国化成株式会社製の硬化促進剤、２－エチル－４－メチルイミダゾール
・テイサンレジン　ＨＴＲ－８６０－Ｐ３：ナガセケムテックス株式会社製の商品名、アクリル樹脂（シクロヘキサノン溶液）
・ＫＢＭ－５７３：信越シリコーン株式会社製の商品名、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン
　次に、バインダ樹脂ワニスＩを８．５質量部と、磁性粉（ＳＡＰ－２Ｄ（Ｃ）：新東工業製）を７３質量部とを計り取り、これらを５０ｍｌの軟膏容器に容れた。軟膏容器内のバインダ樹脂ワニスＩ及び磁性粉を、自公転撹拌機を用いて公転速度２０００ｒｐｍで４５秒撹拌した。次に、自公転撹拌機の公転を止めて、薬さじを用いて容器内の混合物を撹拌後、自公転撹拌機の公転速度２０００ｒｐｍで４５秒２回撹拌した。これにより、ペースト状の絶縁磁性層形成用組成物を得た。
＜配線基板の作製＞
（実施例１）
　上記で得られた絶縁磁性層形成用組成物を、ＰＥＴ上にバーコーターを用いて塗布し、乾燥し、絶縁磁性層形成用組成物からなるシートを得た。得られたシートを、真空プレスにより基板であるプリプレグ（商品名：ＧＥＡ－７０５Ｇ、昭和電工マテリアルズ株式会社製、厚さ：２５μｍ）上に積層した。プレスは、真空中（３０～４０ｔｏｒｒ）で室温から１３０℃まで４℃／分で昇温し、１０分保持した後、３ＭＰａ（製品圧力）で加圧し、２３０℃まで昇温し、圧力と温度を１２０分保持することにより行った。これにより、基板上に絶縁磁性層（厚さ：５μｍ）を形成した。次いで、絶縁磁性層層の基板とは反対側上に、無電解めっきにより銅からなるめっきシード層（厚さ：０．５μｍ）を形成した。これにより、積層体Ａ（基板／絶縁磁性層／めっきシード層）を得た。
　次に、積層体Ａのめっきシード層側上にネガ型の感光性樹脂組成物溶液（商品名：ＰＭＥＲ　Ｐ－ＬＡ９００ＰＭ、東京応化工業株式会社製）を塗布することにより、感光層（厚さ：５０μｍ）を形成した。次いで、未露光部が現像されることで幅１９０μｍの配線パターンの開口部が形成されるように、感光層をパターン露光し、現像した。現像液としては、ＰＭＥＲ現像液Ｐ－７Ｇ（東京応化工業株式会社製）を用いた。これにより、めっきシード層上に、幅１９０μｍの配線パターンの開口部を有するレジスト膜を形成した。
　次に、積層体Ａにおける、上記レジスト膜の開口部から露出する領域上にめっきにより銅からなるめっき層（厚さ：２９．５μｍ）を形成した後、メチルエチルケトンを用いてレジスト膜を除去した。次いで、ＣＰＥ－７００（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）を用いて、積層体Ａのめっきシード層及び絶縁磁性層のうち、上記レジスト膜によって被覆されていた部分を除去した。こうして、基板と、基板上に設けられた導体配線（厚さ：３０μｍ、幅：１９０μｍ）と、導体配線の底面を被覆する厚さ５μｍの絶縁磁性層と、を備える配線基板を得た。得られた配線基板を図１０の（ａ）に示す。なお、図１０中の符号は、実施形態で用いたものと同じである。
（実施例２）
　上記で得られた絶縁磁性層形成用組成物を、銅箔（厚さ：３０μｍ）の表面にスピンコートによって塗布し、乾燥し、硬化した。これにより、銅箔上に絶縁磁性層（厚さ：５μｍ）を形成した。次いで、基板であるプリプレグ（商品名：ＧＥＡ-７０５Ｇ、昭和電工マテリアルズ株式会社製、厚さ：２５μｍ）を、上記絶縁磁性層の銅箔とは反対側上に貼り合わせることで、積層体Ｂ（基板／絶縁磁性層／銅箔）を得た。
　次に、積層体Ｂの銅箔側上に、実施例１と同様にして感光層を形成した。次いで、露光部が幅１９０μｍの配線パターンとなるように、感光層をパターン露光し、現像した。現像液としては、ＰＭＥＲ現像液Ｐ－７Ｇ（東京応化工業株式会社製）を用いた。これにより、銅箔上に、開口部を有するレジスト膜を形成した。このレジスト膜は、開口部以外の部分が幅１９０μｍの配線パターンを有する。
　次に、ＣＰＥ－７００（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）を用いて、積層体Ｂの銅箔及び絶縁磁性層のうち、上記レジスト膜の開口部と積層体Ｂの基板との間に位置する部分を除去した後、メチルエチルケトンを用いてレジスト膜を除去した。こうして、基板と、基板上に設けられた導体配線（厚さ：３０μｍ、幅：１９０μｍ）と、導体配線の底面を被覆する厚さ５μｍの絶縁磁性層と、を備える配線基板を得た。
　次に、上記で得られた絶縁磁性層形成用組成物を、ＰＥＴフィルムの表面にバーコーターによって塗布することで、ＰＥＴフィルム上に絶縁磁性層形成用組成物からなるシートを形成した。得られたシートを、上記で得られた配線基板の導体配線が形成されている領域上にラミネートすることで、当該領域上に絶縁磁性層形成用組成物からなる層を形成し、導体配線の上面及び一対の側面を被覆した。
　次に、絶縁磁性層形成用組成物を硬化させて絶縁磁性層（厚さ：５μｍ）を形成した後、絶縁磁性層の基板とは反対側上に、実施例１と同様にして、感光層を形成した。次いで、感光層の、導体配線上に位置する部分を露光し、現像した。現像液としては、ＰＭＥＲ現像液Ｐ－７Ｇ（東京応化工業株式会社製）を用いた。これにより、導体配線上に位置する部分以外の部分に開口部を有するレジスト膜を形成した。
　次に、ＣＰＥ－７００（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）を用いて、導体配線を被覆する絶縁磁性層のうち、上記レジスト膜の開口部と基板との間に位置する部分を除去した後、メチルエチルケトンを用いてレジスト膜を除去した。こうして、基板と、基板上に設けられた導体配線（厚さ：３０μｍ、幅：１９０μｍ）と、導体配線の底面及び上面を被覆する厚さ５μｍの絶縁磁性層と、を備える配線基板を得た。得られた配線基板を図１０の（ｂ）に示す。
（実施例３）
　導体配線上に形成した感光層の露光の際に、感光層の、導体配線上、及び、絶縁磁性層における導体配線の一対の側面に隣接する部分の一方上に位置する部分を露光したことを除き、実施例２と同様にして、基板と、基板上に設けられた導体配線（厚さ：３０μｍ、幅：１９０μｍ）と、導体配線の底面、上面及び一方の側面を被覆する厚さ５μｍの絶縁磁性層と、を備える配線基板を得た。得られた配線基板を図１０の（ｃ）に示す。
（実施例４）
　導体配線上に形成した感光層の露光の際に、感光層の、導体配線上、及び、絶縁磁性層における導体配線の一対の側面に隣接する部分の両方上に位置する部分を露光したことを除き、実施例２と同様にして、基板と、基板上に設けられた導体配線（厚さ：３０μｍ、幅：１９０μｍ）と、導体配線の底面、上面及び一対の側面を被覆する厚さ５μｍの絶縁磁性層と、を備える配線基板を得た。得られた配線基板を図１０の（ｄ）に示す。
（実施例５）
　実施例３で得られた配線基板における導体配線の上面を被覆する絶縁磁性層をフライカット法により除去した。これにより、基板と、基板上に設けられた導体配線（厚さ：３０μｍ、幅：１９０μｍ）と、導体配線の底面、及び一方の側面を被覆する厚さ５μｍの絶縁磁性層と、を備える配線基板を得た。得られた配線基板を図１０の（ｅ）に示す。
（実施例６）
　実施例４で得られた配線基板における導体配線の上面を被覆する絶縁磁性層をフライカット法により除去した。これにより、基板と、基板上に設けられた導体配線（厚さ：３０μｍ、幅：１９０μｍ）と、導体配線の底面、及び一対の側面を被覆する厚さ５μｍの絶縁磁性層と、を備える配線基板を得た。得られた配線基板を図１０の（ｆ）に示す。
（比較例１）
　積層体Ｂに代えて、基板であるプリプレグ（商品名：ＧＥＡ－７０５Ｇ、昭和電工マテリアルズ株式会社製、厚さ：２５μｍ）を、銅箔と貼り合わせることで作製した積層体Ｃ（基板／銅箔）を用いたことを除き、実施例２と同様にして、基板と、基板上に設けられた導体配線（厚さ：３０μｍ、幅：１９０μｍ）と、を備える配線基板を得た。
＜配線基板の伝送損失の評価＞
　上記で作製した配線基板の伝送損失について、トリプレート線路共振器法により評価した。なお、トリプレート線路共振器法には、ベクトル型ネットワークアナライザー（キーサイト・テクノロジー社製、Ｅ８３６４Ｂ）を用いた。測定条件は、ライン幅：０．１５ｍｍ、ライン長：１０ｍｍ、特性インピーダンス：約５０Ω、周波数：１０、３０、５０ＧＨｚ、測定温度：２５℃とした。比較例１の測定値を基準として、伝送損失が小さくなった場合には〇と評価し、伝送損失が変わらない又は大きくなった場合には×と評価した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　４…めっきシード層、５…導体層、６…めっき層、７ａ，７ｂ，７ｃ…感光層、８ａ，８ｂ，８ｃ…レジスト膜、１０…基板、２０…導体配線、３０…絶縁磁性層、３５…絶縁磁性層形成用組成物、５０Ａ，５０Ｂ…積層体、１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ…配線基板、Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３…開口部。

Claims (14)

  1. 　基板と、該基板上に設けられた導体配線と、該導体配線の周囲の少なくとも一部を被覆し、磁性材を含む絶縁体からなる絶縁磁性層と、を備える、配線基板の製造方法であって、
    　前記基板と、前記基板上に設けられた前記絶縁磁性層と、前記絶縁磁性層の前記基板とは反対側上に設けられた導体層と、を備える積層体を用意する工程ａ１と、
    　前記積層体の前記導体層側上に感光層を形成する工程ａ２と、
    　前記感光層を所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部を有するレジスト膜を形成する工程ａ３と、
    　前記導体層における、前記基板と前記レジスト膜の前記開口部との間に位置する部分を除去することにより、前記導体配線を形成する工程ａ４と、を備える、配線基板の製造方法。
  2. 　基板と、該基板上に設けられた導体配線と、該導体配線の周囲の少なくとも一部を被覆し、磁性材を含む絶縁体からなる絶縁磁性層と、を備える、配線基板の製造方法であって、
    　前記基板と、前記基板上に設けられた前記絶縁磁性層と、を備える積層体を用意する工程ｂ１と、
    　前記積層体の前記絶縁磁性層側上に感光層を形成する工程ｂ２と、
    　前記感光層を所定のパターンで露光し、現像することにより、開口部を有するレジスト膜を形成する工程ｂ３と、
    　前記積層体における、前記レジスト膜の前記開口部から露出する領域上に前記導体配線を形成する工程ｂ４と、を備える、配線基板の製造方法。
  3. 　前記レジスト膜を除去した後、前記導体配線の、前記基板とは反対側に位置する上面、及び／又は、該上面と前記基板側に位置する底面との間に位置する一対の側面のうちの少なくとも一方を被覆する絶縁磁性層を形成する工程ｃ１を更に備え、
    　前記工程ｃ１が、互いに隣り合う前記導体配線間の空隙が充填されることなく前記導体配線の前記上面が被覆されるように、前記磁性材を含む絶縁磁性層形成用組成物を前記導体配線に塗布する工程ｄ１と、該絶縁磁性層形成用組成物を硬化させて絶縁磁性層形成用組成物の硬化物からなる絶縁磁性層を形成する工程ｄ２と、を含み、
    　前記工程ｃ１において、前記導体配線の前記上面を被覆する絶縁磁性層を形成しない場合、前記工程ｃ１が、前記工程ｄ２の後に、前記導体配線の前記上面を被覆する絶縁磁性層を研削又は研磨により除去する工程を更に含み、工程ｄ１では、前記導体配線の前記上面に加えて、前記一対の側面のうちの少なくとも一方が被覆されるように前記絶縁磁性層形成用組成物を前記導体配線に塗布する、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
  4. 　前記レジスト膜を除去した後、前記導体配線の、前記基板とは反対側に位置する上面、及び／又は、該上面と前記基板側に位置する底面との間に位置する一対の側面のうちの少なくとも一方を被覆する絶縁磁性層を形成する工程ｃ１を更に備え、
    　前記工程ｃ１が、
    　前記導体配線が形成された基板の前記導体配線が形成されている領域上に前記磁性材を含む絶縁磁性層形成用組成物からなる層を形成し、該層により前記導体配線を被覆する工程ｅ１と、
    　前記絶縁磁性層形成用組成物を硬化させて絶縁磁性層形成用組成物の硬化物からなる絶縁磁性層を形成する工程ｅ２と、
    　前記絶縁磁性層形成用組成物からなる層又は前記絶縁磁性層の、前記基板とは反対側上に感光層を形成する工程ｅ３と、
    　前記感光層を所定のパターンで露光し、現像することにより、前記導体配線上以外の部分の少なくとも一部に開口部を有するレジスト膜を形成する工程ｅ４と、
    　前記絶縁磁性層形成用組成物からなる層又は前記絶縁磁性層の、前記基板と前記レジスト膜の前記開口部との間に位置する部分を除去する工程ｅ５と、を含み、
    　前記工程ｃ１において、前記導体配線の前記上面を被覆する絶縁磁性層を形成しない場合、前記工程ｃ１が、前記工程ｅ２の後に、前記導体配線の前記上面を被覆する絶縁磁性層を研削又は研磨により除去する工程を更に含む、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
  5. 　前記工程ｅ１が、前記絶縁磁性層形成用組成物を前記領域に塗布する工程である、請求項４に記載の配線基板の製造方法。
  6. 　前記工程ｅ１が、前記絶縁磁性層形成用組成物からなるシートを前記領域にラミネートする工程である、請求項４に記載の配線基板の製造方法。
  7. 　前記磁性材が、金属酸化物又はアモルファス金属である、請求項１～６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
  8. 　前記絶縁体の比透磁率が、２～１０００である、請求項１～７のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
  9. 　前記絶縁体の比誘電率が、１～３０である、請求項１～８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
  10. 　基板と、該基板上に設けられた導体配線と、該導体配線の周囲の少なくとも一部を被覆し、磁性材を含む絶縁体からなる絶縁磁性層と、を備える、配線基板の製造方法に用いられる積層体であって、
    　前記基板と、前記基板上に設けられた前記絶縁磁性層と、を備える、積層体。
  11. 　前記絶縁磁性層の前記基板とは反対側上に設けられた導体層を更に備える、請求項１０に記載の積層体。
  12. 　前記基板の前記絶縁磁性層とは反対側上に設けられた第２の導体層を更に備える、請求項１１に記載の積層体。
  13. 　前記基板の前記絶縁磁性層とは反対側上に設けられた第２の絶縁磁性層と、該第２の絶縁磁性層の前記基板とは反対側上に設けられた第２の導体層と、を更に備える、請求項１１に記載の積層体。
  14. 　基板と、該基板上に設けられた導体配線と、該導体配線の周囲の少なくとも一部を被覆し、磁性材を含む絶縁体からなる絶縁磁性層と、を備える、配線基板の製造方法に用いられる積層体であって、
    　導体層と、該導体層上に設けられた前記絶縁磁性層と、を備える、積層体。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5752114A (en) * 1980-09-16 1982-03-27 Asahi Chem Ind Co Ltd Fine coil
JPH05160344A (ja) * 1991-12-06 1993-06-25 Mitsubishi Materials Corp 膜インダクタンス及びその製造方法
JPH0817656A (ja) * 1994-06-29 1996-01-19 T I F:Kk 半導体装置の磁気シールド方式および磁気シールド膜形成方法
JP2000040893A (ja) * 1998-07-23 2000-02-08 Nippon Paint Co Ltd 電磁波制御積層材及び電子機器
JP2001284755A (ja) * 2000-04-04 2001-10-12 Tokin Corp 配線基板
JP2008227147A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 導電線路構造、その作製方法、及び配線基板
JP2014160838A (ja) * 2014-04-03 2014-09-04 Fujikura Ltd プリント配線板
JP2019165222A (ja) * 2018-03-16 2019-09-26 日東電工株式会社 配線回路基板およびその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5752114A (en) * 1980-09-16 1982-03-27 Asahi Chem Ind Co Ltd Fine coil
JPH05160344A (ja) * 1991-12-06 1993-06-25 Mitsubishi Materials Corp 膜インダクタンス及びその製造方法
JPH0817656A (ja) * 1994-06-29 1996-01-19 T I F:Kk 半導体装置の磁気シールド方式および磁気シールド膜形成方法
JP2000040893A (ja) * 1998-07-23 2000-02-08 Nippon Paint Co Ltd 電磁波制御積層材及び電子機器
JP2001284755A (ja) * 2000-04-04 2001-10-12 Tokin Corp 配線基板
JP2008227147A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 導電線路構造、その作製方法、及び配線基板
JP2014160838A (ja) * 2014-04-03 2014-09-04 Fujikura Ltd プリント配線板
JP2019165222A (ja) * 2018-03-16 2019-09-26 日東電工株式会社 配線回路基板およびその製造方法

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