JP2000036730A - 相補遅延パルス発生回路 - Google Patents

相補遅延パルス発生回路

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JP2000036730A
JP2000036730A JP10203457A JP20345798A JP2000036730A JP 2000036730 A JP2000036730 A JP 2000036730A JP 10203457 A JP10203457 A JP 10203457A JP 20345798 A JP20345798 A JP 20345798A JP 2000036730 A JP2000036730 A JP 2000036730A
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JP
Japan
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circuit
complementary
pulse
triangular wave
waveform
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JP10203457A
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English (en)
Inventor
Hajime Sumiyoshi
肇 住吉
Toshimitsu Okada
利光 岡田
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Toshiba Corp
Toshiba AVE Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba AVE Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】入力する三角波の変動の影響を大幅に低減し、
高信頼性の相補パルスを供給する相補遅延パルス発生回
路を提供することにある。 【解決手段】三角波入力に対し第1のスライスレベルを
用いて方形パルスに波形整形する第1の比較回路1と、
容量Cを有し、上記方形パルスに応じて、容量Cの充放
電を制御する積分回路6と、積分回路6からの積分パル
スに対し、それぞれ第2、第3のスライスレベルを用い
て波形整形することにより、この第2、第3のスライス
レベル間の充放電時間分だけ共に非活性レベルを有する
互いに相補的なパルスを出力するそれぞれ第2、第3の
比較回路2,3とを具備したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、特にプッシュプ
ル型の出力段を有する相補遅延パルス発生回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】相補遅延パルス発生回路は、出力段とし
てプッシュプル型の出力トランジスタを駆動する。相補
遅延パルス発生回路は、この出力トランジスタのプッシ
ュプル動作の切換え時にトランジスタ間で同時にオン状
態となるのを防ぐ回路構成を有している。このプッシュ
プルトランジスタの出力は、例えば大電力トランジスタ
の制御信号となる。
【0003】図3は、従来の相補遅延パルス発生回路を
示す回路図である。比較回路11は、その非反転入力端
子に三角波発生器5からの信号を入力する。また、反転
入力端子には参照電圧Vref11が供給される。比較
回路12は、その反転入力端子に三角波発生器5からの
信号を入力する。また、非反転入力端子には参照電圧V
ref12が供給される。
【0004】比較回路11、12それぞれの出力は、N
PNトランジスタQ1,Q2の各ベースに供給される。
このトランジスタQ1,Q2は、プッシュプル出力段を
構成する。トランジスタQ1,Q2の電流路の直列接続
点はプッシュプル出力ノードOutである。トランジス
タQ1は、そのコレクタに電源電圧Vccが供給され
る。トランジスタQ2は、そのエミッタに接地電位GN
Dが供給される。
【0005】図4は、上記図3の相補遅延パルス発生回
路の動作を示す各部の波形図である。三角波発生器の出
力ノードN10における三角波と共に参照電圧Vref
11,Vref12によるスライスレベルを示す。
【0006】比較回路11の出力ノードN11の波形
は、三角波のレベルが参照電圧Vref11より大きい
期間に高レベルとなるパルス波形である。また、比較回
路12の出力ノードN12の波形は、三角波のレベルが
参照電圧Vref12より小さい期間に高レベルとなる
パルス波形である。
【0007】このように、三角波に対し、二重のスライ
スレベル(Vref11,12)を用い各比較回路1
1,12を介して波形整形する。これにより、出力トラ
ンジスタQ1,Q2それぞれを駆動する相補パルスを発
生させる。この相補パルスは、プッシュプルトランジス
タQ1,Q2間の同時オン状態が発生しないように、相
補パルス間に遅延期間T1,T2を有する。
【0008】三角波の立ち上がり傾斜部分と、立ち下が
り傾斜部分の角度が異なればと相補パルス間の遅延期間
T1,T2は当然異なる。このような相補パルスの遅延
期間T1,T2は、トランジスタQ1,Q2による出力
段の出力パルスを制御信号とする図示しない電力トラン
ジスタのストレージタイム(キャリアの蓄積時間)の制
御に反映される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、三角
波を二重のスライスレベルで波形整形することにより、
相補パルスを得ていた。従って、三角波の立ち上がり傾
斜部分と、立ち下がり傾斜部分が変動した場合は問題で
ある。
【0010】例えば、上記三角波の周波数が変動する
と、これに応じて上記遅延期間T1,T2も変化するこ
とになる。このような遅延期間の変動は、特に同期信号
により制御される電力トランジスタ等のストレージタイ
ムの調整に悪影響を及ぼすことになる。
【0011】この発明は、上記事情を考慮してなされた
ものであり、その課題は、入力する三角波の変動の影響
を大幅に低減し、高信頼性の相補パルスを供給する相補
遅延パルス発生回路を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】この発明の相補遅延パル
ス発生回路は、三角波入力に対し第1のスライスレベル
を用いて方形パルスに波形整形する第1の比較回路と、
容量を有し、前記方形パルスに応じて、前記容量の充放
電を制御する積分回路と、前記積分回路からの積分パル
スに対し、それぞれ第2、第3のスライスレベルを用い
て波形整形することにより、この第2、第3のスライス
レベル間の充放電時間分だけ共に非活性レベルを有する
互いに相補的なパルスを出力するそれぞれ第2、第3の
比較回路とを具備したことを特徴とする。
【0013】この発明では、三角波をまず、第1の比較
回路で波形整形し、方形パルスを得る。この方形パルス
により、積分回路の容量の充電と放電を制御させること
により、容量端には、容量と充放電電流で決まる傾斜を
持った積分パルスが発生する。この積分パルスを二重の
スライスレベルで波形整形することにより相補パルスを
得る。
【0014】
【発明の実施の形態】図1は、この発明に係る相補遅延
パルス発生回路を示す回路図である。比較回路1は、そ
の非反転入力端子に三角波発生器5からの信号を入力す
る。また、反転入力端子には参照電圧Vref1が供給
される。
【0015】比較回路1の出力は、RC型の積分回路6
の制御信号となる。積分回路6は容量Cを有する。さら
に、電源電圧Vccが供給される充電電流源I1及び接
地電位GNDが供給される放電電流源I2を有する。そ
して、電流源I1、I2を実質相補的に容量Cに繋ぐス
イッチング素子SW1,SW2を備えている。すなわ
ち、この積分回路6は、比較回路1の出力により、スイ
ッチング素子SW1,SW2を実質相補的にオン/オフ
させ、容量Cの充放電を制御する。
【0016】比較回路2は、その非反転入力端子に上記
積分回路6からの出力信号(積分パルス)を入力する。
また、反転入力端子には参照電圧Vref2が供給され
る。比較回路3は、その反転入力端子に上記積分回路6
からの出力信号(積分パルス)を入力する。また、非反
転入力端子には参照電圧Vref3が供給される。
【0017】比較回路2、3それぞれの出力は、NPN
トランジスタQ1,Q2の各ベースに供給される。この
トランジスタQ1,Q2は、プッシュプル出力段を構成
する。トランジスタQ1,Q2の電流路の直列接続点は
プッシュプル出力ノードOutである。トランジスタQ
1は、そのコレクタに電源電圧Vccが供給される。ト
ランジスタQ2は、そのエミッタに接地電位GNDが供
給される。
【0018】図2は、上記図1の相補遅延パルス発生回
路の動作を示す各部の波形図である。三角波発生器の出
力ノードN1における三角波と共に参照電圧Vref1
によるスライスレベルを示す。比較回路1の出力ノード
N2の波形は、三角波のレベルが参照電圧Vref1よ
り大きい期間に高レベルとなるパルス波形である。
【0019】積分回路6の出力ノードN3の波形は、出
力ノードN2の波形に応じてスイッチング素子がオン/
オフし、充電電流源I1及び放電電流源I2により容量
Cが充放電を繰り返した積分波形である。この波形にさ
らに、参照電圧Vref2,Vref3によるスライス
レベルを示している。
【0020】比較回路2の出力ノードN4の波形は、上
記積分波形のレベルが参照電圧Vref2より大きい期
間に高レベルとなるパルス波形である。また、比較回路
3の出力ノードN5の波形は、上記積分波形のレベルが
参照電圧Vref3より小さい期間に高レベルとなるパ
ルス波形である。
【0021】上記構成によれば、三角波を一度、比較回
路1で波形整形し、方形パルスを得る。この方形パルス
により、積分回路6における容量Cの充電と放電を制御
させる。これにより、容量端のノードN3には、容量C
と充放電電流(I1,I2による)で決まる傾斜を持っ
た積分パルスが発生する。
【0022】この積分パルスをVref2,3の二重の
スライスレベルで波形整形することにより、このVre
f2,3のスライスレベル間の充放電時間分だけ共に非
活性レベル(遅延期間T1,T2)を有する互いに相補
的なパルスを出力する相補パルスを得るのである。
【0023】この結果、本発明の構成によれば、遅延期
間T1,T2は、図1中の記号を用いて、 T1=C・(Vref2−Vref3)/I1 …(1) T1=C・(Vref3−Vref2)/I2 …(2) と表わすことができる。
【0024】つまり、三角波の傾斜が変わっても相補パ
ルス間の遅延期間T1,T2は変化しない。従って、遅
延期間T1,T2は、三角波の周波数変化に対して常に
一定である。
【0025】また、積分回路6中のI1とI2の充放電
電流を各々独立に制御すれば、遅延量も個々に制御する
ことができる。すなわち、所望の充電の傾斜、放電の傾
斜を有するように各々I1とI2の充放電電流を別々に
調整する。これに応じて、相補パルスの遅延期間T1,
T2は調整でき、トランジスタQ1,Q2による出力段
の出力パルスを制御信号とする図示しない電力トランジ
スタ等のストレージタイム(キャリアの蓄積時間)の所
望の制御ができる。
【0026】
【発明の効果】以上、説明したようにこの発明によれ
ば、三角波をまず、初段の比較回路で方形パルスに波形
整形し、この方形パルスにより、容量の充電と放電を制
御させる積分回路を備えた。この積分回路からの積分パ
ルスを二重のスライスレベルで波形整形することにより
相補パルスを得るので、入力される三角波の周波数変化
に対しても常に一定の遅延量をもつ相補パルスが得られ
る。この結果、出力電圧は安定度に優れ、高信頼性の相
補パルスとなる相補遅延パルス発生回路を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る相補遅延パルス発生回路の構成
を示す回路図。
【図2】図1の回路動作を示す各部の波形図。
【図3】従来の相補遅延パルス発生回路の構成を示す回
路図。
【図4】図3の回路動作を示す各部の波形図。
【符号の説明】
1,2,3…比較回路 5…三角波発生器 6…積分回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡田 利光 東京都港区新橋3丁目3番9号 東芝エ ー・ブイ・イー株式会社内 Fターム(参考) 5J001 AA01 BB14 BB17 BB19 BB25 CC03 DD01 DD04 5J039 EE03 EE12 KK14 KK16 KK20 MM16 5J043 AA14 AA25 BB06 DD03 DD14 DD15

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 三角波入力に対し第1のスライスレベル
    を用いて方形パルスに波形整形する第1の比較回路と、 容量を有し、前記方形パルスに応じて、前記容量の充放
    電を制御する積分回路と、 前記積分回路からの積分パルスに対し、それぞれ第2、
    第3のスライスレベルを用いて波形整形することによ
    り、この第2、第3のスライスレベル間の充放電時間分
    だけ共に非活性レベルを有する互いに相補的な制御パル
    スを出力するそれぞれ第2、第3の比較回路とを具備し
    たことを特徴とする相補遅延パルス発生回路。
  2. 【請求項2】 前記積分回路は、充放電電流を各々独立
    に制御できる電流回路を有することを特徴とする請求項
    1記載の相補遅延パルス発生回路。
JP10203457A 1998-07-17 1998-07-17 相補遅延パルス発生回路 Pending JP2000036730A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008301042A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Renesas Technology Corp 発振回路及び半導体装置
US7759984B2 (en) 2006-06-21 2010-07-20 Sharp Kabushiki Kaisha Comparing circuit and infrared receiver
CN101847982B (zh) * 2009-01-22 2012-05-30 三洋电机株式会社 三角波产生电路

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US7759984B2 (en) 2006-06-21 2010-07-20 Sharp Kabushiki Kaisha Comparing circuit and infrared receiver
JP2008301042A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Renesas Technology Corp 発振回路及び半導体装置
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