JP2000031009A - 露光装置における半導体ウェハーの自動位置合わせ方法 - Google Patents
露光装置における半導体ウェハーの自動位置合わせ方法Info
- Publication number
- JP2000031009A JP2000031009A JP10193912A JP19391298A JP2000031009A JP 2000031009 A JP2000031009 A JP 2000031009A JP 10193912 A JP10193912 A JP 10193912A JP 19391298 A JP19391298 A JP 19391298A JP 2000031009 A JP2000031009 A JP 2000031009A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- exposure
- alignment
- state
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、アライメント状態と露光状態での
２つの画像を登録ならびに認識を行い、露光状態でズレ
が検出されたときに再度アライメント状態に戻して補正
することにより、密着露光におけるズレや干渉縞の影響
をなくし、オートアライメント通過率の向上をはかるこ
とを課題とする。 【解決手段】 本発明は、半導体ウェハー１１とフォト
マスク１３を位置合わせした後、半導体ウェハーを動か
すことによって密着させて露光する露光装置において、
位置合わせ時における半導体ウェハーとフォトマスクと
の位置関係と、露光時における同位置関係をあらかじめ
画像登録しておき、露光時、上記各画像を認識すること
によって位置ズレが検出されたときに、ステージ１２上
で半導体ウェハーを位置合わせ時における状態に復元さ
せることによって位置補正を行う。
２つの画像を登録ならびに認識を行い、露光状態でズレ
が検出されたときに再度アライメント状態に戻して補正
することにより、密着露光におけるズレや干渉縞の影響
をなくし、オートアライメント通過率の向上をはかるこ
とを課題とする。 【解決手段】 本発明は、半導体ウェハー１１とフォト
マスク１３を位置合わせした後、半導体ウェハーを動か
すことによって密着させて露光する露光装置において、
位置合わせ時における半導体ウェハーとフォトマスクと
の位置関係と、露光時における同位置関係をあらかじめ
画像登録しておき、露光時、上記各画像を認識すること
によって位置ズレが検出されたときに、ステージ１２上
で半導体ウェハーを位置合わせ時における状態に復元さ
せることによって位置補正を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像処理を用いた
露光装置における半導体ウェハーの自動位置合わせ方法
に関する。
露光装置における半導体ウェハーの自動位置合わせ方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハーとフォトマスクを重ね、
位置合わせを行った後、半導体マスクとフオトマスクを
密着して露光する装置を密着露光装置（Ｃｏｎｔａｃｔ
Ａｌｉｇｎｅｒ）という。
位置合わせを行った後、半導体マスクとフオトマスクを
密着して露光する装置を密着露光装置（Ｃｏｎｔａｃｔ
Ａｌｉｇｎｅｒ）という。
【０００３】密着露光装置では、図２に示すように、半
導体ウェハー１１をステージ１２上に置き、回転ならび
にＸ，Ｙ方向に位置合わせを行った後半導体ウェハー１
１を固定し、フォトマスク１３を約６０μｍ程離してお
く。露光時は、フォトマスクと半導体ウェハーとの間を
真空状態とし、また、加圧窒素により半導体ウェハーを
フォトマスクに押し上げ密着の完全を期すようにしてい
る。
導体ウェハー１１をステージ１２上に置き、回転ならび
にＸ，Ｙ方向に位置合わせを行った後半導体ウェハー１
１を固定し、フォトマスク１３を約６０μｍ程離してお
く。露光時は、フォトマスクと半導体ウェハーとの間を
真空状態とし、また、加圧窒素により半導体ウェハーを
フォトマスクに押し上げ密着の完全を期すようにしてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した密
着露光装置における位置合わせはコンピュータによる画
像認識処理によって行われるのが普通であり、この場
合、アライメント状態でのみの登録画像に従っている。
通常、半導体ウェハー１１とフォトマスク１３の両パタ
ーンを同時に写し、いずれか一方に焦点を合わせるが、
両者は離れて位置するため、接触時にはピントボケが生
じる。
着露光装置における位置合わせはコンピュータによる画
像認識処理によって行われるのが普通であり、この場
合、アライメント状態でのみの登録画像に従っている。
通常、半導体ウェハー１１とフォトマスク１３の両パタ
ーンを同時に写し、いずれか一方に焦点を合わせるが、
両者は離れて位置するため、接触時にはピントボケが生
じる。
【０００５】このように、露光時には半導体ウェハーと
フォトマスクを接触させるためにズレが生じることがあ
り、この場合、アライメント精度が落ちてしまう。ま
た、接触による干渉縞が発生してアライメント画像が変
化し、場合によっては画像認識ができなくなり、オート
アライメントが不可能になる。
フォトマスクを接触させるためにズレが生じることがあ
り、この場合、アライメント精度が落ちてしまう。ま
た、接触による干渉縞が発生してアライメント画像が変
化し、場合によっては画像認識ができなくなり、オート
アライメントが不可能になる。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、アライメント状態と露光状態での２つの画像を登
録ならびに認識を行い、露光状態でズレが検出されたと
きに再度アライメント状態に戻して補正することによ
り、密着露光におけるズレや干渉縞の影響をなくし、オ
ートアライメント通過率の向上をはかった自動位置合わ
せ方法を提供することを目的とする。
あり、アライメント状態と露光状態での２つの画像を登
録ならびに認識を行い、露光状態でズレが検出されたと
きに再度アライメント状態に戻して補正することによ
り、密着露光におけるズレや干渉縞の影響をなくし、オ
ートアライメント通過率の向上をはかった自動位置合わ
せ方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の露光装置におけ
る半導体ウェハーの自動位置合わせ方法は、 半導体ウ
ェハーとフォトマスクを位置合わせした後、半導体ウェ
ハーを動かすことによって密着させて露光する露光装置
において、上記位置合わせ時における半導体ウェハーと
フォトマスクとの位置関係と、露光時における同位置関
係をあらかじめ画像登録しておき、露光時、上記各画像
を認識することによって位置ズレが検出されたときに、
半導体ウェハーを位置合わせ時における状態に復元させ
ることによって位置補正を行うことを特徴とする。
る半導体ウェハーの自動位置合わせ方法は、 半導体ウ
ェハーとフォトマスクを位置合わせした後、半導体ウェ
ハーを動かすことによって密着させて露光する露光装置
において、上記位置合わせ時における半導体ウェハーと
フォトマスクとの位置関係と、露光時における同位置関
係をあらかじめ画像登録しておき、露光時、上記各画像
を認識することによって位置ズレが検出されたときに、
半導体ウェハーを位置合わせ時における状態に復元させ
ることによって位置補正を行うことを特徴とする。
【０００８】このことにより、コンタクト露光における
ズレや干渉縞の影響がなくなり、アライメントの精度が
向上する。
ズレや干渉縞の影響がなくなり、アライメントの精度が
向上する。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態を示す図
である。
である。
【００１０】（ａ）はアライメント状態、（ｂ）は露光
状態における半導体ウェハー１１とフォトマスクの位置
関係を示し、アライメント状態においては、半導体ウェ
ハー１１とフオトマスク１３が約６０μｍの間隙をもっ
て位置し、露光状態においては、半導体ウェハー１１の
上下方向の移動が伴い両者を接触させる。本発明では
（ａ）の状態を登録画像１とし、（ｂ）の状態を登録画
像２として、図示せぬ画像処理装置がもつ画像記憶装置
に格納しておく。
状態における半導体ウェハー１１とフォトマスクの位置
関係を示し、アライメント状態においては、半導体ウェ
ハー１１とフオトマスク１３が約６０μｍの間隙をもっ
て位置し、露光状態においては、半導体ウェハー１１の
上下方向の移動が伴い両者を接触させる。本発明では
（ａ）の状態を登録画像１とし、（ｂ）の状態を登録画
像２として、図示せぬ画像処理装置がもつ画像記憶装置
に格納しておく。
【００１１】尚、図中、１２は半導体ウェハー１１が載
置され、Ｘ，Ｙ補正が行われるステージである。
置され、Ｘ，Ｙ補正が行われるステージである。
【００１２】上述した構成にて、露光状態で画像認識を
行い、先のアライメント状態における画像と比較してズ
レが検出された場合、再度アライメント状態に戻し、半
導体ウェハー１１をズレの量だけ補正して露光処理を行
う。
行い、先のアライメント状態における画像と比較してズ
レが検出された場合、再度アライメント状態に戻し、半
導体ウェハー１１をズレの量だけ補正して露光処理を行
う。
【００１３】このように、露光処理においては半導体ウ
ェハー１１の機械的な移動が伴うため、半導体ウェハー
１１とフォトマスク１３の位置関係にズレが生じること
は必須であり、このズレにより生じる干渉縞の発生を防
ぐために、アライメント時様態における登録画像と露光
状態における登録画像を比較認識し、再度アライメント
状態に戻してズレ量の補正を行うものである。
ェハー１１の機械的な移動が伴うため、半導体ウェハー
１１とフォトマスク１３の位置関係にズレが生じること
は必須であり、このズレにより生じる干渉縞の発生を防
ぐために、アライメント時様態における登録画像と露光
状態における登録画像を比較認識し、再度アライメント
状態に戻してズレ量の補正を行うものである。
【００１４】このことにより、コンタクト露光における
ズレや干渉縞の影響がなくなり、アライメント精度が向
上する。
ズレや干渉縞の影響がなくなり、アライメント精度が向
上する。
【００１５】
【発明の効果】以上説明のように本発明は、半導体ウェ
ハーとフォトマスクを位置合わせした後、半導体ウェハ
ーを動かすことによって密着させて露光する露光装置に
おいて、上記位置合わせ時における半導体ウェハーとフ
ォトマスクとの位置関係と、露光時における同位置関係
をあらかじめ画像登録しておき、露光時、上記各画像を
認識することによって位置ズレが検出されたときに、半
導体ウェハーを位置合わせ時における状態に復元させる
ことによって位置補正を行うものであり、このことによ
り、コンタクト露光におけるズレや干渉縞の影響がなく
なり、アライメント精度が向上する。具体的に、オート
アライメント通過率（マニュアル操作の介在なしに全自
動で位置合わせ、露光を行なえる確率）は、２０％であ
ったものが９０％に向上する。
ハーとフォトマスクを位置合わせした後、半導体ウェハ
ーを動かすことによって密着させて露光する露光装置に
おいて、上記位置合わせ時における半導体ウェハーとフ
ォトマスクとの位置関係と、露光時における同位置関係
をあらかじめ画像登録しておき、露光時、上記各画像を
認識することによって位置ズレが検出されたときに、半
導体ウェハーを位置合わせ時における状態に復元させる
ことによって位置補正を行うものであり、このことによ
り、コンタクト露光におけるズレや干渉縞の影響がなく
なり、アライメント精度が向上する。具体的に、オート
アライメント通過率（マニュアル操作の介在なしに全自
動で位置合わせ、露光を行なえる確率）は、２０％であ
ったものが９０％に向上する。
【図１】本発明の実施形態を示す図、
【図２】従来例を示す図、
１１半導体ウェハー、１２ステージ、１３フォトマス
ク、
ク、
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハーとフォトマスクを位置合
わせした後、半導体ウェハーを動かすことによって密着
させて露光する露光装置において、上記位置合わせ時に
おける半導体ウェハーとフォトマスクとの位置関係と、
露光時における同位置関係をあらかじめ画像登録してお
き、露光時、上記各画像を認識することによって位置ズ
レが検出されたときに、半導体ウェハーを位置合わせ時
における状態に復元させることによって位置補正を行う
ことを特徴とする半導体ウェハーの自動位置合わせ方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10193912A JP2000031009A (ja) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | 露光装置における半導体ウェハーの自動位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10193912A JP2000031009A (ja) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | 露光装置における半導体ウェハーの自動位置合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031009A true JP2000031009A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16315818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10193912A Abandoned JP2000031009A (ja) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | 露光装置における半導体ウェハーの自動位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031009A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002251016A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Adtec Engineeng Co Ltd | 露光装置 |
-
1998
- 1998-07-09 JP JP10193912A patent/JP2000031009A/ja not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002251016A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Adtec Engineeng Co Ltd | 露光装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040531 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040713 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20040818 |