JPH0458166B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0458166B2 JPH0458166B2 JP58146908A JP14690883A JPH0458166B2 JP H0458166 B2 JPH0458166 B2 JP H0458166B2 JP 58146908 A JP58146908 A JP 58146908A JP 14690883 A JP14690883 A JP 14690883A JP H0458166 B2 JPH0458166 B2 JP H0458166B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- semiconductor substrate
- rotational
- reduction projection
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スルー・ザ・レンズ式位置合わせ機
構を具備する縮小投影式露光装置に係り、特にホ
トレジストを被覆した半導体基板と露光マスクと
を位置合わせする際、該スルー・ザ・レンズ式位
置合わせ機構とは独立して、これに隣接して設け
られたオフ・アクシス式位置合わせ機構を同時に
実行することにより、半導体基板のＸ，Ｙ、及び
回転方向のズレを同時に補正することを可能と
し、これにより、位置合わせに要する時間を大巾
に短縮し、装置そのものの能率、即ち、処理能力
の向上を画り得る縮小投影式露光装置に関する。
構を具備する縮小投影式露光装置に係り、特にホ
トレジストを被覆した半導体基板と露光マスクと
を位置合わせする際、該スルー・ザ・レンズ式位
置合わせ機構とは独立して、これに隣接して設け
られたオフ・アクシス式位置合わせ機構を同時に
実行することにより、半導体基板のＸ，Ｙ、及び
回転方向のズレを同時に補正することを可能と
し、これにより、位置合わせに要する時間を大巾
に短縮し、装置そのものの能率、即ち、処理能力
の向上を画り得る縮小投影式露光装置に関する。
最近の超高集積度半導体デバイスの製造工程の
如く高解像力、高精度位置合わせを要求される縮
小投影式露光装置において、処理能力の向上は非
常に重要な課題となつており、特に高精度位置合
わせに要する時間は、処理能力を左右する重要な
要素となつている。
如く高解像力、高精度位置合わせを要求される縮
小投影式露光装置において、処理能力の向上は非
常に重要な課題となつており、特に高精度位置合
わせに要する時間は、処理能力を左右する重要な
要素となつている。
従来の縮小投影式露光装置における位置合わせ
は、オフ・アクシス式位置合わせと呼ばれる。露
光マスクとホトレジストを被覆した半導体基板と
を別々の各々独立した装置上に設けられた基準に
対して位置合わせを行ないその各々の基準間の固
定された距離を移動させて、その結果として露光
マスクと該半導体基板との位置合わせを行なう方
式と、スルー・ザ・レンズ式位置合わせと呼ばれ
る、露光を施こす縮小投影レンズを通して直接、
露光マスクと該半導体基板とを位置合わせする方
式が実用化されている。しかし、前者は位置合わ
せに要する時間は短いものの基準間の固定された
距離（ベース・ライン）の経時的な変化、温度の
変化等により位置合わせの精度の維持という面で
多大な労力を要し、これによる能力の低下は防ぎ
得ない。これに対し、後者は露光マスクと該半導
体基板とを縮小投影レンズを介して直接位置合わ
せする為、精度の維持は容易ではあるが、位置合
わせを行なう為の該半導体基板からの情報が同時
には１点のみからしか得られない為、該半導体基
板のＸ，Ｙ方向のズレは補正できるものの回転方
向のズレは、半導体基板上の２点をステージを移
動させて交互に位置合わせを行ない、これを数回
繰返すことによつて行なわざるを得ない。
は、オフ・アクシス式位置合わせと呼ばれる。露
光マスクとホトレジストを被覆した半導体基板と
を別々の各々独立した装置上に設けられた基準に
対して位置合わせを行ないその各々の基準間の固
定された距離を移動させて、その結果として露光
マスクと該半導体基板との位置合わせを行なう方
式と、スルー・ザ・レンズ式位置合わせと呼ばれ
る、露光を施こす縮小投影レンズを通して直接、
露光マスクと該半導体基板とを位置合わせする方
式が実用化されている。しかし、前者は位置合わ
せに要する時間は短いものの基準間の固定された
距離（ベース・ライン）の経時的な変化、温度の
変化等により位置合わせの精度の維持という面で
多大な労力を要し、これによる能力の低下は防ぎ
得ない。これに対し、後者は露光マスクと該半導
体基板とを縮小投影レンズを介して直接位置合わ
せする為、精度の維持は容易ではあるが、位置合
わせを行なう為の該半導体基板からの情報が同時
には１点のみからしか得られない為、該半導体基
板のＸ，Ｙ方向のズレは補正できるものの回転方
向のズレは、半導体基板上の２点をステージを移
動させて交互に位置合わせを行ない、これを数回
繰返すことによつて行なわざるを得ない。
これを第１図を用いて説明する。図中１は、露
光マスク、２はホトレジストを被覆した半導体基
体、３は縮小投影レンズ、４は、Ｘ−Ｙステー
ジ、５はＯステージ、６は位置合わせマーク（Ａ
及びＢ）、７は、位置合わせ用光源、８は、ハー
フミラー、９は、位置ズレ観測機構、を各々示す
ものとする。
光マスク、２はホトレジストを被覆した半導体基
体、３は縮小投影レンズ、４は、Ｘ−Ｙステー
ジ、５はＯステージ、６は位置合わせマーク（Ａ
及びＢ）、７は、位置合わせ用光源、８は、ハー
フミラー、９は、位置ズレ観測機構、を各々示す
ものとする。
位置合わせは、まずＸ−Ｙステージ４を移動し
つつ半導体基板２、上の位置合わせマーク６Ａ、
を位置ズレ観測機構９によつて露光マスク１に対
して、縮小投影レンズ３を介してＸ−Ｙ方向の位
置合わせを行ない、次にＸ−ＹステージをＸ方向
に移動し、もう一つの位置合わせマーク６Ｂ、を
同様に観測しつつ、Ｏステージ５によつて半導体
基板２を回転させることによつてこの点における
Ｙ方向の位置合わせを行なう。この動作により当
然前記位置合わせマーク６Ａもズレを生ずる為こ
の一連の動作を数回繰返えし各々の方向のズレを
収束さる方法を取つている。従つてこれに要する
時間は多大なものであり、処理能力を決定する大
きな要素となつている。
つつ半導体基板２、上の位置合わせマーク６Ａ、
を位置ズレ観測機構９によつて露光マスク１に対
して、縮小投影レンズ３を介してＸ−Ｙ方向の位
置合わせを行ない、次にＸ−ＹステージをＸ方向
に移動し、もう一つの位置合わせマーク６Ｂ、を
同様に観測しつつ、Ｏステージ５によつて半導体
基板２を回転させることによつてこの点における
Ｙ方向の位置合わせを行なう。この動作により当
然前記位置合わせマーク６Ａもズレを生ずる為こ
の一連の動作を数回繰返えし各々の方向のズレを
収束さる方法を取つている。従つてこれに要する
時間は多大なものであり、処理能力を決定する大
きな要素となつている。
本発明は、上述の従来の方法の持つ問題点を除
去し、従来の各々の方法の利点のみを有効に利用
することにより装置の能力を飛躍的に向上させ得
得る、半導体基板回転方向位置合わせ機構をスル
ー・ザ・レンズ式位置合わせ機構と同時に機能さ
せ得るよう具備する縮小投影式露光装置を提供す
ることを目的とする。
去し、従来の各々の方法の利点のみを有効に利用
することにより装置の能力を飛躍的に向上させ得
得る、半導体基板回転方向位置合わせ機構をスル
ー・ザ・レンズ式位置合わせ機構と同時に機能さ
せ得るよう具備する縮小投影式露光装置を提供す
ることを目的とする。
本発明はホトレジストを被覆した半導体基板と
露光マスクとを施す為の縮少投影レンズを介した
第１の位置合わせ機構により直接位置合わせをし
て露光を行なう縮少投影式露光装置において、 前記第１の位置合わせ機構とは独立して前記縮
少投影レンズに対してオフ・アクシスに設けられ
た回転方向位置合わせ用顕微鏡、回転方向位置合
わせ基準マーク及び回転方向位置ズレ観測機構を
備えた半導体基板の回転方向を補正するための第
２の位置合わせ機構を具備し、 前記直接位置合わせ前に予め、前記第１の位置
合わせ機構により前記半導体基板上に形成された
第１の位置合わせマークと、前記露光マスクとの
位置合わせにより半導体基板のＸ，Ｙ方向の位置
合わせを行なうと同時に、これと独立に前記第２
の位置合わせ機構により、前記半導体基板上の第
２の位置合わせマークとの位置合わせを行なつて
半導体基板の回転方向の位置合わせを行なうこと
を特徴とする縮少投影式露光装置である。
露光マスクとを施す為の縮少投影レンズを介した
第１の位置合わせ機構により直接位置合わせをし
て露光を行なう縮少投影式露光装置において、 前記第１の位置合わせ機構とは独立して前記縮
少投影レンズに対してオフ・アクシスに設けられ
た回転方向位置合わせ用顕微鏡、回転方向位置合
わせ基準マーク及び回転方向位置ズレ観測機構を
備えた半導体基板の回転方向を補正するための第
２の位置合わせ機構を具備し、 前記直接位置合わせ前に予め、前記第１の位置
合わせ機構により前記半導体基板上に形成された
第１の位置合わせマークと、前記露光マスクとの
位置合わせにより半導体基板のＸ，Ｙ方向の位置
合わせを行なうと同時に、これと独立に前記第２
の位置合わせ機構により、前記半導体基板上の第
２の位置合わせマークとの位置合わせを行なつて
半導体基板の回転方向の位置合わせを行なうこと
を特徴とする縮少投影式露光装置である。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細
に説明する。第２図は、本発明の一実施例説明図
であり、図中第１図と同一部材は同一番号を付し
てあり、第１図と異なるものは、１０は、光軸補
正機構、１１は、平面鏡、１２は回転方向位置合
わせ用顕微鏡、１３は回転方向位置ズレ観測機構
１４は、回転方向位置合わせ基準マークを各々示
すものとする。
に説明する。第２図は、本発明の一実施例説明図
であり、図中第１図と同一部材は同一番号を付し
てあり、第１図と異なるものは、１０は、光軸補
正機構、１１は、平面鏡、１２は回転方向位置合
わせ用顕微鏡、１３は回転方向位置ズレ観測機構
１４は、回転方向位置合わせ基準マークを各々示
すものとする。
本装置における位置合わせは、まず、Ｘ，Ｙ方
向については、従来と同様Ｘ−Ｙステージ４を移
動させ位置ズレ観測機構９によつて、半導体基板
２上の位置合わせマーク６Ａと露光マスク１とを
位置合わせを行ない、回転方向については、半導
体基板２上のもう一つの位置合わせマーク６Ｂを
回転方向位置合わせ用顕微鏡１２を介し回転方向
位置合わせ基準マーク１４上に投影し、回転方向
位置ズレ観測機構１３によりそのズレ量を補正す
べくＯステージ５を回転させて行なう。
向については、従来と同様Ｘ−Ｙステージ４を移
動させ位置ズレ観測機構９によつて、半導体基板
２上の位置合わせマーク６Ａと露光マスク１とを
位置合わせを行ない、回転方向については、半導
体基板２上のもう一つの位置合わせマーク６Ｂを
回転方向位置合わせ用顕微鏡１２を介し回転方向
位置合わせ基準マーク１４上に投影し、回転方向
位置ズレ観測機構１３によりそのズレ量を補正す
べくＯステージ５を回転させて行なう。
以上の位置合わせ機構はＸ，Ｙ方向と回転方向
が各々独立しており同時に実行可能である。尚、
回転方向位置合わせ基準マーク１４の補正は、
Ｘ，Ｙ方向位置合わせ後にＸ−Ｙステージ４をＸ
方向に移動し位置合わせマーク６Ａを回転方向の
位置合わせ時と同様、回転方向位置合わせ用顕微
鏡１２を介して、回転方向位置合わせ基準マーク
１４上に投影し、回転方向位置ズレ観測機構１３
により、そのズレ量を補正すべく、光軸補正機構
１０を動作させて行なえばよく、これは要求され
る精度に応じて定期的に実施すればよい。
が各々独立しており同時に実行可能である。尚、
回転方向位置合わせ基準マーク１４の補正は、
Ｘ，Ｙ方向位置合わせ後にＸ−Ｙステージ４をＸ
方向に移動し位置合わせマーク６Ａを回転方向の
位置合わせ時と同様、回転方向位置合わせ用顕微
鏡１２を介して、回転方向位置合わせ基準マーク
１４上に投影し、回転方向位置ズレ観測機構１３
により、そのズレ量を補正すべく、光軸補正機構
１０を動作させて行なえばよく、これは要求され
る精度に応じて定期的に実施すればよい。
以上の様に本発明により提供される縮小投影式
露光装置は従来の２つの方式の利点を活かし合う
ことにより、高精度を維持し、しかも、位置合わ
せに要する時間を飛躍的に短縮化し、装置の能力
を飛躍的に向上し得ることは明らかである。
露光装置は従来の２つの方式の利点を活かし合う
ことにより、高精度を維持し、しかも、位置合わ
せに要する時間を飛躍的に短縮化し、装置の能力
を飛躍的に向上し得ることは明らかである。
第１図は、従来の縮小投影式露光装置における
位置合わせ方式の説明図である。第２図は、本発
明の実施例の説明図である。 尚、図中、１……露光マスク、２……ホトレジ
ストを被覆した半導体基板、３……縮小投影レン
ズ、４……Ｘ−Ｙステージ、５……Ｏステージ、
６……位置合わせマーク（Ａ及びＢ）、７……位
置合わせ用光源、８……ハーフ・ミラー、９……
位置ズレ観測機構、１０……光軸補正機構、１１
……平面鏡、１２……回転方向位置合わせ用顕微
鏡、１３……回転方向位置ズレ観測機構、１４…
…回転方向位置合わせ基準マーク、を各々示す。
位置合わせ方式の説明図である。第２図は、本発
明の実施例の説明図である。 尚、図中、１……露光マスク、２……ホトレジ
ストを被覆した半導体基板、３……縮小投影レン
ズ、４……Ｘ−Ｙステージ、５……Ｏステージ、
６……位置合わせマーク（Ａ及びＢ）、７……位
置合わせ用光源、８……ハーフ・ミラー、９……
位置ズレ観測機構、１０……光軸補正機構、１１
……平面鏡、１２……回転方向位置合わせ用顕微
鏡、１３……回転方向位置ズレ観測機構、１４…
…回転方向位置合わせ基準マーク、を各々示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ホトレジストを被覆した半導体基板と露光マ
スクとを露光を施す為の縮小投影レンズを介した
第１の位置合わせ機構により直接位置合わせをし
て露光を行なう縮少投影式露光装置において、前
記第１の位置合わせ機構とは独立して前記縮少投
影レンズに対してオフ・アクシスに設けられた回
転方向位置合わせ用顕微鏡、回転方向位置合わせ
基準マーク及び回転方向位置ズレ観測機構を備え
た半導体基板の回転方向を補正するための第２の
位置合わせ機構を具備し、 前記直接位置合わせ前に予め、前記第１の位置
合わせ機構により前記半導体基板上に形成された
第１の位置合わせマークと、前記露光マスクとの
位置合わせにより半導体基板のＸ，Ｙ方向の位置
合わせを行なうと同時に、これと独立に前記第２
の位置合わせ機構により、前記半導体基板上の第
２の位置合わせマークと前記回転方向位置合わせ
基準マークとの位置合わせを行なつて半導体基板
の回転方向の位置合わせを行なうことを特徴とす
る縮少投影式露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58146908A JPS6037732A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 縮小投影式露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58146908A JPS6037732A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 縮小投影式露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037732A JPS6037732A (ja) | 1985-02-27 |
| JPH0458166B2 true JPH0458166B2 (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=15418286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58146908A Granted JPS6037732A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 縮小投影式露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037732A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH066810Y2 (ja) * | 1989-11-29 | 1994-02-23 | 旭光学工業株式会社 | 椎体固定用プレート |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS541553A (en) * | 1977-06-07 | 1979-01-08 | Toshiba Corp | Group management control method of elevator |
-
1983
- 1983-08-11 JP JP58146908A patent/JPS6037732A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS541553A (en) * | 1977-06-07 | 1979-01-08 | Toshiba Corp | Group management control method of elevator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6037732A (ja) | 1985-02-27 |
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