JPS62200728A - アライメント方式 - Google Patents
アライメント方式Info
- Publication number
- JPS62200728A JPS62200728A JP61043563A JP4356386A JPS62200728A JP S62200728 A JPS62200728 A JP S62200728A JP 61043563 A JP61043563 A JP 61043563A JP 4356386 A JP4356386 A JP 4356386A JP S62200728 A JPS62200728 A JP S62200728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- wafer
- detector
- alignment
- circuit pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アライメント方式に係り、特に、レチクルま
たはマスクと、ウェハー上に形成されたパターンとの位
置ズレを防止することのできるアライメント方式に関す
る。
たはマスクと、ウェハー上に形成されたパターンとの位
置ズレを防止することのできるアライメント方式に関す
る。
従来、精密機械学会誌１９８５−１２ＶｏＱ５１Ｎα１
２［光露光用ステッパー」 （第２５頁〜第２６頁）に
示′される如く、レチクルの位置決めアライメント系と
、ウェハーのアライメント系は別々のハードで構成され
ている。このため、レチクルとウェハーの重ね合せ結果
は、径時的にズレを生じ、このため、その補正機構や、
補正作業を常時必要としていた。
２［光露光用ステッパー」 （第２５頁〜第２６頁）に
示′される如く、レチクルの位置決めアライメント系と
、ウェハーのアライメント系は別々のハードで構成され
ている。このため、レチクルとウェハーの重ね合せ結果
は、径時的にズレを生じ、このため、その補正機構や、
補正作業を常時必要としていた。
一般に、アライメントの基本は、ＩＣ回路パターン（レ
チクルやマスクであり以下、レチクルを例に説明する）
と、ウェハー上に前工程で形成した回路パターン位置を
検出し、両者の相対位置関係を一定に補正することであ
る。
チクルやマスクであり以下、レチクルを例に説明する）
と、ウェハー上に前工程で形成した回路パターン位置を
検出し、両者の相対位置関係を一定に補正することであ
る。
このアライメン１−において、レチクルの位置はレチク
ル上に描画されたレチクル位置合わせ用のマークをレチ
クル検出器で検出し、所定の位置にレチクルを、セット
する。一方つエバー上の回路パターンはウェハー上に回
路パターン形成と同時に形成したウェハー検出マークを
ウェハーパターン検出器で検出し、ウェハーの位置を認
識する。
ル上に描画されたレチクル位置合わせ用のマークをレチ
クル検出器で検出し、所定の位置にレチクルを、セット
する。一方つエバー上の回路パターンはウェハー上に回
路パターン形成と同時に形成したウェハー検出マークを
ウェハーパターン検出器で検出し、ウェハーの位置を認
識する。
すなわち、従来は、第３図に示す如くレチクル１を搭載
時回路パターン２と同時にレチクルアライメントマーク
３が描画されており、レチクルアライメントマーク３の
位置をレチクル検出器４で、所定の位置に位置決めする
。
時回路パターン２と同時にレチクルアライメントマーク
３が描画されており、レチクルアライメントマーク３の
位置をレチクル検出器４で、所定の位置に位置決めする
。
一方、ウェハー５の上に形成された回路パターン６と共
に形成された。ウェハー検出マーク７を。
に形成された。ウェハー検出マーク７を。
露光用光学系８を通して、ウェハー検出器９により検出
する。
する。
この時、レチクル検出器４とウェハー検出器９の位置関
係を合わせ、回路パターン２のパターンクと１回路パタ
ーン６のパターンの位置ズレを最小に調整し２の投影像
と、回路パターン６の重ね合わせ誤差を最小にしても、
レチクル検出器４と、ウェハー検出器９の位置関係は機
械的に定まっているのみでありこのため、経時的には、
位置誤差を生じ、この結果、回路パターン２の投影像と
。
係を合わせ、回路パターン２のパターンクと１回路パタ
ーン６のパターンの位置ズレを最小に調整し２の投影像
と、回路パターン６の重ね合わせ誤差を最小にしても、
レチクル検出器４と、ウェハー検出器９の位置関係は機
械的に定まっているのみでありこのため、経時的には、
位置誤差を生じ、この結果、回路パターン２の投影像と
。
回路パターン６の重ね合わせ誤差に一定の位置ズレを生
じて来る弊害がある。
じて来る弊害がある。
このような従来の７ライメント方式にあっては、レチク
ル位置合わせマークのレチクル検出器とウェハー検出マ
ークのパターン検出器が別個なため、その位置関係が機
械的な安定性で決まり、経時的に微小な位置関係のズレ
を生じる。これは長時間に一定のズレを生じ、レチクル
パターンを露光したパターンと、ウェハー上に形成され
ていたパターンとの重ね合わせオフセット誤差として現
われる。
ル位置合わせマークのレチクル検出器とウェハー検出マ
ークのパターン検出器が別個なため、その位置関係が機
械的な安定性で決まり、経時的に微小な位置関係のズレ
を生じる。これは長時間に一定のズレを生じ、レチクル
パターンを露光したパターンと、ウェハー上に形成され
ていたパターンとの重ね合わせオフセット誤差として現
われる。
本発明の目的は、レチクルパターンを露光したパターン
と、ウェハー上に形成されるパターンとの重ね合わせオ
フセット誤差を最小限に迎えることのできるアライメン
ト方式を提供することにある。
と、ウェハー上に形成されるパターンとの重ね合わせオ
フセット誤差を最小限に迎えることのできるアライメン
ト方式を提供することにある。
本発明においては、レチクルを搭載時、レチクル検出器
でレチクル位置を所定の位置にセットする際、レチクル
上に、もう１つのレチクル位置検出マークを持ったフラ
イメン１−用レチクルを別に用意する。そして、先ず、
このアライメント用レチクルを検出器でレチクル位置合
わせし、セットする。この時もう１つのレチクル位置検
出マークを設け、前述のウェハー検出器で位置検出する
ようにし、この検出値を記憶保持し１次に回路パターン
用の従来レチクルと入れ替え同一方式で位置決めする。
でレチクル位置を所定の位置にセットする際、レチクル
上に、もう１つのレチクル位置検出マークを持ったフラ
イメン１−用レチクルを別に用意する。そして、先ず、
このアライメント用レチクルを検出器でレチクル位置合
わせし、セットする。この時もう１つのレチクル位置検
出マークを設け、前述のウェハー検出器で位置検出する
ようにし、この検出値を記憶保持し１次に回路パターン
用の従来レチクルと入れ替え同一方式で位置決めする。
ウェハーと１回路レチクルのアライメント方式、上述の
記憶保持したレチクル位置情報と、ウェハー検出器で検
出するウェハー位置情報を用いて、アライメント誤差補
正するようにすることによりレチクル検出器の機械的位
置変動による、ウェハーとレチクルの重ね合わせオフセ
ット誤差を抑制する。
記憶保持したレチクル位置情報と、ウェハー検出器で検
出するウェハー位置情報を用いて、アライメント誤差補
正するようにすることによりレチクル検出器の機械的位
置変動による、ウェハーとレチクルの重ね合わせオフセ
ット誤差を抑制する。
このように、本発明は、アライメント用レチクルを用い
て、ウェハー検出器で先ず、レチクルの位置情報を検出
し、かつ該ウェハー検出器でウェハーの位置を検出する
。
て、ウェハー検出器で先ず、レチクルの位置情報を検出
し、かつ該ウェハー検出器でウェハーの位置を検出する
。
このため、同一の検出器で、レチクル位置とウェハーの
位置を検出するので、レチクルとウェハーの位置の相対
合わせ誤差の要因が減少し、この結果、重ね合わせ精度
が向上する。
位置を検出するので、レチクルとウェハーの位置の相対
合わせ誤差の要因が減少し、この結果、重ね合わせ精度
が向上する。
以下、発明の実施例について説明する。
第２図には１本発明の一実施例が示されている。
本実施例が第３図図示実施例と異なる点は、レチクルア
ライメントマーク３と、レチクル位置検出マーク１１の
設けられているプライメン１〜用レチクル１０を別途設
け、ウェハー検出器９によってレチクル位置検出マーク
１１を検出してレチクル位置を検出できるようにした点
である。
ライメントマーク３と、レチクル位置検出マーク１１の
設けられているプライメン１〜用レチクル１０を別途設
け、ウェハー検出器９によってレチクル位置検出マーク
１１を検出してレチクル位置を検出できるようにした点
である。
このように構成されるものであるから、レチクル１を搭
載時、回路パターン２と同時に描写されているレチクル
アライメントマーク３をレチクル検出器４によって検出
し、レチクル１を所定位置に位置決めする。一方、ウェ
ハー５の上に形成された回路パターン６と共に形成され
たウェハー検出マーク７を露光用光学系８を通してウェ
ハー検出器９によって検出する。
載時、回路パターン２と同時に描写されているレチクル
アライメントマーク３をレチクル検出器４によって検出
し、レチクル１を所定位置に位置決めする。一方、ウェ
ハー５の上に形成された回路パターン６と共に形成され
たウェハー検出マーク７を露光用光学系８を通してウェ
ハー検出器９によって検出する。
また、ＩＣ製造用のレチクル１に代えてアライメント用
レチクル１０をレチクルアライメントマーク３のレチク
ル検出器４による検出に基づいてセットする。次に、ア
ライメント用レチクル１０に設けられたレチクル位置検
出マーク１１をウェハー検出器９により第１図１２に示
すように検出する。これによって、レチクルアライメン
トマーク３とレチクル検出器４によって位置決めされる
レチクル１の位置がウェハー検出器９からみて、どの位
置にあるかを認識することができる。
レチクル１０をレチクルアライメントマーク３のレチク
ル検出器４による検出に基づいてセットする。次に、ア
ライメント用レチクル１０に設けられたレチクル位置検
出マーク１１をウェハー検出器９により第１図１２に示
すように検出する。これによって、レチクルアライメン
トマーク３とレチクル検出器４によって位置決めされる
レチクル１の位置がウェハー検出器９からみて、どの位
置にあるかを認識することができる。
次に、アライメント用レチクル１０をＩＣ１ｊ造用のレ
チクル１に搭載し替え、ウェハー検出器９から見たウェ
ハー検出マーク７の検出系路１３によりウェハー上回路
パターン６の位置を検出する。
チクル１に搭載し替え、ウェハー検出器９から見たウェ
ハー検出マーク７の検出系路１３によりウェハー上回路
パターン６の位置を検出する。
このように検出系路１３．１２によるウェハー検出マー
ク７とレチクル位置検出マーク１１の検出をウェハー検
出器９によって行うため、この検出マーク７．１１の検
出値に基づいてレチクル１とウェハー５の相対合せを行
うことによりレチクル検出器４とウェハー検出器９の経
時的位置ズレによる影響を除くことができる。
ク７とレチクル位置検出マーク１１の検出をウェハー検
出器９によって行うため、この検出マーク７．１１の検
出値に基づいてレチクル１とウェハー５の相対合せを行
うことによりレチクル検出器４とウェハー検出器９の経
時的位置ズレによる影響を除くことができる。
第２図に第１図図示実施例の動作フローチャートが示さ
れている。すなわち、ステップ１００において、アライ
メント用レチクル１０の位置決めをレチクルアライメン
トマーク３をレチクル検出器４による検出によって行う
。次に、ステップ１１０において、ウェハー検出器９に
よってレチクル検出マーク１１の検出を行い、ウェハー
検出器９とアライメント用レチクル１０の相対位置を検
出する。次に、ステップ１２０において、アライメント
用レチクル１０を取り出し、ステップ１３０において、
回路パターン用のレチクル１を搭載し、レチクルアライ
メントマーク３をレチクル検出器４によって検出し１回
路パターン用のレチクル１の位置決めをする。このステ
ップ１３０においてレチクル１の位置決めをすると、ス
テップ１４０において、ウェハー５のウェハー検出マー
ク７をウェハー検出器９によって検出し、ステップ１５
０において、ステップ１４０において検出したウェハー
検出マーク７による検出値と、ステップ１１０において
検出したレチクル検出マーク１１による検出値とによっ
て、アライメント補正を行う。次に、ステップ１６０に
おいて、！！光し、ステップ１７０において、次チップ
へのウェハー移動を行い、ステップ１８０において全チ
ップ露光終了したか否かを判定する。このステップ１８
０において全チップ露光終了でないと判定するとステッ
プ１４０に戻りフローをくり返す。
れている。すなわち、ステップ１００において、アライ
メント用レチクル１０の位置決めをレチクルアライメン
トマーク３をレチクル検出器４による検出によって行う
。次に、ステップ１１０において、ウェハー検出器９に
よってレチクル検出マーク１１の検出を行い、ウェハー
検出器９とアライメント用レチクル１０の相対位置を検
出する。次に、ステップ１２０において、アライメント
用レチクル１０を取り出し、ステップ１３０において、
回路パターン用のレチクル１を搭載し、レチクルアライ
メントマーク３をレチクル検出器４によって検出し１回
路パターン用のレチクル１の位置決めをする。このステ
ップ１３０においてレチクル１の位置決めをすると、ス
テップ１４０において、ウェハー５のウェハー検出マー
ク７をウェハー検出器９によって検出し、ステップ１５
０において、ステップ１４０において検出したウェハー
検出マーク７による検出値と、ステップ１１０において
検出したレチクル検出マーク１１による検出値とによっ
て、アライメント補正を行う。次に、ステップ１６０に
おいて、！！光し、ステップ１７０において、次チップ
へのウェハー移動を行い、ステップ１８０において全チ
ップ露光終了したか否かを判定する。このステップ１８
０において全チップ露光終了でないと判定するとステッ
プ１４０に戻りフローをくり返す。
以上説明したように、本発明によれば、レチクル搭載時
の位置決め基準となるレチクル検出器とウェハー検出マ
ークを検出するウェハー検出器の経時的位置ズレ影響を
消去することができるため、重ね合せ、オフセット誤差
を抑制することができる。
の位置決め基準となるレチクル検出器とウェハー検出マ
ークを検出するウェハー検出器の経時的位置ズレ影響を
消去することができるため、重ね合せ、オフセット誤差
を抑制することができる。
第１図は本発明の実施例を示す図、第２図は第１図図示
実施例の動作フローチャート、第３図は従来のアライメ
ント動作を示す図である。 １・・・回路パターンレチクル、２・・・回路パターン
３・・・レチクルアライメントマーク、４・・・レチク
ル検出器、５・・・ウェハー６・・・ウェハ上回路パタ
ーン、 ７・・・ウェハ検出マーク、８・・・露光用レンズ系、
９・・・ウェハー検出器。 １０・・・アライメント用レチクル、 １１・・・レチクル位置検出マーク、 １２・・・検出動作、１３・・・ウェハ検出動作、代理
人 弁理士 鵜 沼 辰 之 第１図 第 ２ 図
実施例の動作フローチャート、第３図は従来のアライメ
ント動作を示す図である。 １・・・回路パターンレチクル、２・・・回路パターン
３・・・レチクルアライメントマーク、４・・・レチク
ル検出器、５・・・ウェハー６・・・ウェハ上回路パタ
ーン、 ７・・・ウェハ検出マーク、８・・・露光用レンズ系、
９・・・ウェハー検出器。 １０・・・アライメント用レチクル、 １１・・・レチクル位置検出マーク、 １２・・・検出動作、１３・・・ウェハ検出動作、代理
人 弁理士 鵜 沼 辰 之 第１図 第 ２ 図
Claims (1)
- （１）回路パターンマスクまたはレチクルと、これを位
置検出し所定の位置に位置決めする手段と、該回路パタ
ーンをウェハーに投影露光する露光光学系と、ウェハー
上に回路パターンと同時に形成したウェハー位置検出マ
ークによりウェハー位置を検出するウェハー検出器と、
ウェハーと該回路パターンの位置を該検出器により補正
する手段からなるものにおいて、上記回路パターンマス
クまたはレチクル搭載時に該回路パターンマスクまたは
レチクルとは別に、前記回路パターンマスクまたはレチ
クルと同様の位置検出と位置決め動作ができ、かつ、上
記ウェハー検出器でその位置決め後の位置を検出できる
マークの設けられたアライメント用マスクまたはレチク
ルを設け、上記ウェハー検出器によって検出されたアラ
イメント用マスクまたはレチクルの位置によってＩＣ製
造用の回路パターンマスクまたはレチクルのセット位置
を補正するようにしたことを特徴とするアライメント方
式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61043563A JPS62200728A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | アライメント方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61043563A JPS62200728A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | アライメント方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62200728A true JPS62200728A (ja) | 1987-09-04 |
Family
ID=12667210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61043563A Pending JPS62200728A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | アライメント方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62200728A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02298016A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
| WO1999050712A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-10-07 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition, photomasque et son procede de fabrication, micro-composant et son procede de fabrication |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61043563A patent/JPS62200728A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02298016A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
| WO1999050712A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-10-07 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition, photomasque et son procede de fabrication, micro-composant et son procede de fabrication |
| US6337162B1 (en) | 1998-03-26 | 2002-01-08 | Nikon Corporation | Method of exposure, photomask, method of production of photomask, microdevice, and method of production of microdevice |
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