JP2000030584A - 基板型温度ヒュ−ズの製造方法 - Google Patents
基板型温度ヒュ−ズの製造方法Info
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- JP2000030584A JP2000030584A JP10216432A JP21643298A JP2000030584A JP 2000030584 A JP2000030584 A JP 2000030584A JP 10216432 A JP10216432 A JP 10216432A JP 21643298 A JP21643298 A JP 21643298A JP 2000030584 A JP2000030584 A JP 2000030584A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】膜電極表面の難溶接性の異質薄膜に起因する作
動誤差や低速度作動を排除できる優れた特性の基板型温
度ヒュ−ズや抵抗体付きの基板型温度ヒュ−ズを製造す
る。 【解決手段】絶縁基板１１上に導電ペ−ストを印刷・焼
付けることにより膜電極１２を形成し、膜電極１２の表
面を研削したうえで膜電極１２，１２間に低融点可溶合
金片１４を接続する。
動誤差や低速度作動を排除できる優れた特性の基板型温
度ヒュ−ズや抵抗体付きの基板型温度ヒュ−ズを製造す
る。 【解決手段】絶縁基板１１上に導電ペ−ストを印刷・焼
付けることにより膜電極１２を形成し、膜電極１２の表
面を研削したうえで膜電極１２，１２間に低融点可溶合
金片１４を接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板型温度ヒュ−ズ
（抵抗体付きの基板型温度ヒュ−ズを含む）の製造方法
に関するものである。
（抵抗体付きの基板型温度ヒュ−ズを含む）の製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】温度ヒュ−ズにおいては、ヒュ−ズエレ
メントに低融点可溶合金片を使用し、保護しようとする
機器の過電流に基づく発熱で低融点可溶合金片を溶断さ
せて機器への通電を遮断し、機器の異常発熱ひいては火
災の発生を未然に防止している。温度ヒュ−ズとして、
絶縁基板上に一対の膜電極を設け、これらの膜電極間に
低融点可溶合金片を溶接し、この低融点可溶合金片上に
フラックスを塗布し、膜電極やフラックス塗布低融点可
溶合金片を覆って絶縁層を設けた基板型温度ヒュ−ズが
公知であり、膜電極には導電ペ−スト、例えば銀ペ−ス
トをスクリ−ン印刷し、これを焼付けることにより形成
している。
メントに低融点可溶合金片を使用し、保護しようとする
機器の過電流に基づく発熱で低融点可溶合金片を溶断さ
せて機器への通電を遮断し、機器の異常発熱ひいては火
災の発生を未然に防止している。温度ヒュ−ズとして、
絶縁基板上に一対の膜電極を設け、これらの膜電極間に
低融点可溶合金片を溶接し、この低融点可溶合金片上に
フラックスを塗布し、膜電極やフラックス塗布低融点可
溶合金片を覆って絶縁層を設けた基板型温度ヒュ−ズが
公知であり、膜電極には導電ペ−スト、例えば銀ペ−ス
トをスクリ−ン印刷し、これを焼付けることにより形成
している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この基板型温度ヒュ−
ズにおいては、膜電極の焼付け時に雰囲気ガスとの反応
等で溶接性を低下させる異質薄膜（通常、グレ−ズと称
されている。厚みは数１０ｎｍ）が膜表面に形成される
ため膜電極と低融点可溶合金片との溶接が難しく、この
溶接困難性が原因して歩留りが悪い。
ズにおいては、膜電極の焼付け時に雰囲気ガスとの反応
等で溶接性を低下させる異質薄膜（通常、グレ−ズと称
されている。厚みは数１０ｎｍ）が膜表面に形成される
ため膜電極と低融点可溶合金片との溶接が難しく、この
溶接困難性が原因して歩留りが悪い。
【０００４】前記異質薄膜は印刷回路の厚膜導体の形成
においても発生し、実装はんだ付け温度を高くすること
により異質薄膜によるはんだの濡れ性低下に対処してい
る。しかしながら、基板型温度ヒュ−ズにおいて前記の
異質薄膜に対処するために溶接温度を高くすると、溶接
点近傍の低融点可溶合金片部分が細径化され、低融点可
溶合金片の抵抗値が増大し、低融点可溶合金片のジュ−
ル発熱による作動誤差が懸念される。すなわち、低融点
可溶合金片の自己発熱温度をｔ、低融点可溶合金片の融
点をＴとすると、機器の上昇温度（Ｔ−ｔ）で温度ヒュ
−ズが作動し、自己発熱温度が実質上０の正常な場合に
較べ、機器の低い上昇温度で温度ヒュ−ズが作動するに
至る。
においても発生し、実装はんだ付け温度を高くすること
により異質薄膜によるはんだの濡れ性低下に対処してい
る。しかしながら、基板型温度ヒュ−ズにおいて前記の
異質薄膜に対処するために溶接温度を高くすると、溶接
点近傍の低融点可溶合金片部分が細径化され、低融点可
溶合金片の抵抗値が増大し、低融点可溶合金片のジュ−
ル発熱による作動誤差が懸念される。すなわち、低融点
可溶合金片の自己発熱温度をｔ、低融点可溶合金片の融
点をＴとすると、機器の上昇温度（Ｔ−ｔ）で温度ヒュ
−ズが作動し、自己発熱温度が実質上０の正常な場合に
較べ、機器の低い上昇温度で温度ヒュ−ズが作動するに
至る。
【０００５】また、基板型温度ヒュ−ズの作動メカニズ
ムは、低融点可溶合金片が溶融され、既に溶融している
フラックスの化学的作用や物理的作用を受けつつその溶
融金属の膜電極との濡れで分断されることにあり、前記
膜電極表面の異質薄膜は溶融金属の濡れを悪化させるか
ら、温度ヒュ−ズの迅速作動性にも悪影響を及ぼす。
ムは、低融点可溶合金片が溶融され、既に溶融している
フラックスの化学的作用や物理的作用を受けつつその溶
融金属の膜電極との濡れで分断されることにあり、前記
膜電極表面の異質薄膜は溶融金属の濡れを悪化させるか
ら、温度ヒュ−ズの迅速作動性にも悪影響を及ぼす。
【０００６】本発明の目的は、前記異質薄膜に起因する
作動誤差や低速度作動を排除できる優れた特性の基板型
温度ヒュ−ズや抵抗体付きの基板型温度ヒュ−ズを製造
することにある。
作動誤差や低速度作動を排除できる優れた特性の基板型
温度ヒュ−ズや抵抗体付きの基板型温度ヒュ−ズを製造
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る基板型温度
ヒュ−ズの製造方法は、絶縁基板上に導電ペ−ストを印
刷・焼付けることにより膜電極を形成し、膜電極の表面
を研削したうえで膜電極間に低融点可溶合金片を接続す
ることを特徴とする構成である。本発明に係る抵抗体付
きの基板型温度ヒュ−ズの製造方法は、絶縁基板上に導
電ペ−ストを印刷・焼付けることにより低融点可溶合金
片接続用膜電極と抵抗体接続用膜電極とを形成し、低融
点可溶合金片接続用膜電極間に低融点可溶合金片を、抵
抗体接続用膜電極間に抵抗体をそれぞれ接続して抵抗体
付き温度ヒュ−ズを製造する方法において、低融点可溶
合金片接続用膜電極の表面を研削したうえでこれらの膜
電極間に低融点可溶合金片を接続することを特徴とする
構成である。
ヒュ−ズの製造方法は、絶縁基板上に導電ペ−ストを印
刷・焼付けることにより膜電極を形成し、膜電極の表面
を研削したうえで膜電極間に低融点可溶合金片を接続す
ることを特徴とする構成である。本発明に係る抵抗体付
きの基板型温度ヒュ−ズの製造方法は、絶縁基板上に導
電ペ−ストを印刷・焼付けることにより低融点可溶合金
片接続用膜電極と抵抗体接続用膜電極とを形成し、低融
点可溶合金片接続用膜電極間に低融点可溶合金片を、抵
抗体接続用膜電極間に抵抗体をそれぞれ接続して抵抗体
付き温度ヒュ−ズを製造する方法において、低融点可溶
合金片接続用膜電極の表面を研削したうえでこれらの膜
電極間に低融点可溶合金片を接続することを特徴とする
構成である。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１の（イ）は本発明に
より製造される基板型温度ヒュ−ズを示す図面、図１の
（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図である。本
発明により基板型温度ヒュ−ズを製造するには、絶縁基
板１１上に導電ペ−ストをスクリ−ン印刷し、これを焼
き付けて膜電極１２を形成する。絶縁基板１１には厚さ
１００μｍ〜１０００μｍの耐熱性絶縁基板、例えばア
ルミナセラミックス基板や窒化アルミニウム基板等のセ
ラミックス基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板、紙
フェノ−ル基板等を使用できる。導電ペ−ストには導電
性金属粉末とガラス粉末と金属酸化物粉末との混合物を
溶媒（例えばエチルセルロ−ス）でペ−スト状にしたも
のを使用でき、例えば導電性金属粉末としてＡｇ、Ａｇ
−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔを用いたＡｇ系ぺ−スト、Ａｕ系ぺ
−スト、Ｎｉ系ぺ−スト、Ｃｕ系ペ−スト等を用いるこ
とができる。焼付けは通常空気雰囲気中で行うが、窒素
等の不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。
実施の形態について説明する。図１の（イ）は本発明に
より製造される基板型温度ヒュ−ズを示す図面、図１の
（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図である。本
発明により基板型温度ヒュ−ズを製造するには、絶縁基
板１１上に導電ペ−ストをスクリ−ン印刷し、これを焼
き付けて膜電極１２を形成する。絶縁基板１１には厚さ
１００μｍ〜１０００μｍの耐熱性絶縁基板、例えばア
ルミナセラミックス基板や窒化アルミニウム基板等のセ
ラミックス基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板、紙
フェノ−ル基板等を使用できる。導電ペ−ストには導電
性金属粉末とガラス粉末と金属酸化物粉末との混合物を
溶媒（例えばエチルセルロ−ス）でペ−スト状にしたも
のを使用でき、例えば導電性金属粉末としてＡｇ、Ａｇ
−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔを用いたＡｇ系ぺ−スト、Ａｕ系ぺ
−スト、Ｎｉ系ぺ−スト、Ｃｕ系ペ−スト等を用いるこ
とができる。焼付けは通常空気雰囲気中で行うが、窒素
等の不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。
【０００９】前記膜電極１２の厚みは５μｍ〜１００μ
ｍとされ、その焼付けにおいては、雰囲気ガスと印刷導
電ペ−スト表面との反応やバインダ−の分解生成物の析
出等により膜電極表面に厚み数１０ｎｍの異質薄膜が形
成される。そこで上記のように絶縁基板１１上に膜電極
１２を形成したのちは、膜電極の表面を研削して前記の
異質薄膜を除去する。研削には、通常砥石車を用いる
が、化学的研削によることもできる。研削厚みは１μｍ
以下で充分である。
ｍとされ、その焼付けにおいては、雰囲気ガスと印刷導
電ペ−スト表面との反応やバインダ−の分解生成物の析
出等により膜電極表面に厚み数１０ｎｍの異質薄膜が形
成される。そこで上記のように絶縁基板１１上に膜電極
１２を形成したのちは、膜電極の表面を研削して前記の
異質薄膜を除去する。研削には、通常砥石車を用いる
が、化学的研削によることもできる。研削厚みは１μｍ
以下で充分である。
【００１０】上記絶縁基板１１の平面寸法は、通常縦横
とも２０ｍｍ以下であり、原板のダイシリングにより得
ることができる。以上の工程は、原板に膜電極を形成
し、膜電極表面を研削し、次いでこの膜電極形成原板を
ダイシリングすることにより行うことができる。
とも２０ｍｍ以下であり、原板のダイシリングにより得
ることができる。以上の工程は、原板に膜電極を形成
し、膜電極表面を研削し、次いでこの膜電極形成原板を
ダイシリングすることにより行うことができる。
【００１１】上記のように膜電極の表面を研削したのち
は、これらの膜電極間に低融点可溶合金片１３を溶接に
より接続し、更に低融点可溶合金片１３上にロジン系フ
ラックス１４を塗布し、更に、各膜電極１２にリ−ド線
１５をはんだ付けや溶接等により接続し、而るのち、膜
電極１２やフラックス塗布低融点可溶合金片１２を覆っ
て絶縁層１６を設け、これにて本発明による基板型温度
ヒュ−ズの製造を終了する。
は、これらの膜電極間に低融点可溶合金片１３を溶接に
より接続し、更に低融点可溶合金片１３上にロジン系フ
ラックス１４を塗布し、更に、各膜電極１２にリ−ド線
１５をはんだ付けや溶接等により接続し、而るのち、膜
電極１２やフラックス塗布低融点可溶合金片１２を覆っ
て絶縁層１６を設け、これにて本発明による基板型温度
ヒュ−ズの製造を終了する。
【００１２】前記低融点可溶合金片１３と膜電極１２と
の溶接には、溶接箇所とこの箇所から隔たった膜電極部
分とにピン電極を当接してパルス電流を流す抵抗溶接法
を使用することができる。また、熱圧着法や超音波加熱
法の使用も可能である。
の溶接には、溶接箇所とこの箇所から隔たった膜電極部
分とにピン電極を当接してパルス電流を流す抵抗溶接法
を使用することができる。また、熱圧着法や超音波加熱
法の使用も可能である。
【００１３】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズの製造方
法においては、膜電極表面に焼付け時に生成した難溶接
性の異質薄膜を研削除去して膜電極と低融点可溶合金片
との溶接を行っているから、その溶接を容易に行い得、
回路板の厚膜導体への回路素子のはんだ付けの場合のよ
うな高温度を必要とせず、低融点可溶合金片の断面積を
安定に維持でき、低融点可溶合金片の抵抗値増加を防止
できる。従って、本発明により製造した基板型温度ヒュ
−ズによれば、自己発熱を防止して機器の所定の温度上
昇で作動させ得る。また、表面を研削した膜電極におい
ては、金属粒子の金属素面の露出と酸化生成物の除去の
ために溶融金属との濡れ性が良く、基板型温度ヒュ−ズ
の作動時、溶融した低融点可溶合金が溶融フラックスと
の共存下で膜電極によく濡れて迅速に分断されるから、
溶断作動を充分迅速に行わせ得る。従って、本発明によ
れば、作動誤差をよく排除でき、しかも作動速度が迅速
な基板型温度ヒュ−ズを製造できる。
法においては、膜電極表面に焼付け時に生成した難溶接
性の異質薄膜を研削除去して膜電極と低融点可溶合金片
との溶接を行っているから、その溶接を容易に行い得、
回路板の厚膜導体への回路素子のはんだ付けの場合のよ
うな高温度を必要とせず、低融点可溶合金片の断面積を
安定に維持でき、低融点可溶合金片の抵抗値増加を防止
できる。従って、本発明により製造した基板型温度ヒュ
−ズによれば、自己発熱を防止して機器の所定の温度上
昇で作動させ得る。また、表面を研削した膜電極におい
ては、金属粒子の金属素面の露出と酸化生成物の除去の
ために溶融金属との濡れ性が良く、基板型温度ヒュ−ズ
の作動時、溶融した低融点可溶合金が溶融フラックスと
の共存下で膜電極によく濡れて迅速に分断されるから、
溶断作動を充分迅速に行わせ得る。従って、本発明によ
れば、作動誤差をよく排除でき、しかも作動速度が迅速
な基板型温度ヒュ−ズを製造できる。
【００１４】上記基板型温度ヒュ−ズの構造は、図２に
示すアクシャルタイプとすることもできる。図２におい
て、図１と同一の符号は同一の構成要素を示している。
示すアクシャルタイプとすることもできる。図２におい
て、図１と同一の符号は同一の構成要素を示している。
【００１５】図３の（イ）は本発明により製造される抵
抗体付き基板型温度ヒュ−ズの一例を示す図面、図３の
（ロ）は図３の（イ）におけるロ−ロ断面図である。図
３において、１１は絶縁基板、１２ａは低融点可溶合金
片接続用膜電極、１２ｂは抵抗体接続用膜電極、１５，
…は各膜電極に接続したリ−ド線、１３ａは低融点可溶
合金片接続用膜電極１２ａ，１２ａ間に溶接した低融点
可溶合金片、１４は低融点可溶合金片１３ａ上に塗布し
たフラックス、１３ｂは抵抗体接続用膜電極間に設けた
膜抵抗体、１６は前記基板型温度ヒュ−ズにおけると同
様な絶縁層である。本発明によりこの抵抗体付き基板型
温度ヒュ−ズを製造するには、絶縁基板１１上に導電ペ
−ストを印刷・焼付けることにより低融点可溶合金片接
続用膜電極１２ａと抵抗体接続用膜電極１２ｂとを形成
し、これらの膜電極の表面を研削する。更に、抵抗体接
続用膜電極１２ｂ，１２ｂ間に抵抗ぺ−スト（抵抗体粉
末、例えば酸化ルテニウム粉末とガラスバインダ−との
混合物を溶媒でペ−スト状にしたもの）を印刷し、焼付
けることにより膜抵抗体１３ｂを形成する（必要に応じ
膜抵抗体１３ｂ上にガラス保護膜を形成できる）。而る
のち、低融点可溶合金片接続用膜電極１２ａ，１２ａ間
に低融点可溶合金片１３ａを溶接により接続し、更に低
融点可溶合金片１３ａ上にフラックス１４を塗布し、更
に、各膜電極にリ−ド線１３，…をはんだ付けや溶接等
により接続し、而るのち、膜電極やフラックス塗布低融
点可溶合金片を覆って絶縁層１６を設け、これにて本発
明による抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズの製造を終了す
る。
抗体付き基板型温度ヒュ−ズの一例を示す図面、図３の
（ロ）は図３の（イ）におけるロ−ロ断面図である。図
３において、１１は絶縁基板、１２ａは低融点可溶合金
片接続用膜電極、１２ｂは抵抗体接続用膜電極、１５，
…は各膜電極に接続したリ−ド線、１３ａは低融点可溶
合金片接続用膜電極１２ａ，１２ａ間に溶接した低融点
可溶合金片、１４は低融点可溶合金片１３ａ上に塗布し
たフラックス、１３ｂは抵抗体接続用膜電極間に設けた
膜抵抗体、１６は前記基板型温度ヒュ−ズにおけると同
様な絶縁層である。本発明によりこの抵抗体付き基板型
温度ヒュ−ズを製造するには、絶縁基板１１上に導電ペ
−ストを印刷・焼付けることにより低融点可溶合金片接
続用膜電極１２ａと抵抗体接続用膜電極１２ｂとを形成
し、これらの膜電極の表面を研削する。更に、抵抗体接
続用膜電極１２ｂ，１２ｂ間に抵抗ぺ−スト（抵抗体粉
末、例えば酸化ルテニウム粉末とガラスバインダ−との
混合物を溶媒でペ−スト状にしたもの）を印刷し、焼付
けることにより膜抵抗体１３ｂを形成する（必要に応じ
膜抵抗体１３ｂ上にガラス保護膜を形成できる）。而る
のち、低融点可溶合金片接続用膜電極１２ａ，１２ａ間
に低融点可溶合金片１３ａを溶接により接続し、更に低
融点可溶合金片１３ａ上にフラックス１４を塗布し、更
に、各膜電極にリ−ド線１３，…をはんだ付けや溶接等
により接続し、而るのち、膜電極やフラックス塗布低融
点可溶合金片を覆って絶縁層１６を設け、これにて本発
明による抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズの製造を終了す
る。
【００１６】この抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズの製造
方法において、上記研削には個々の膜電極に対して行う
機械的方法（砥石等）、全膜電極に対し一挙に行う化学
的方法（化学液によるエッチング）を用いることができ
るが、全膜電極に対し一挙に行う機械的方法（砥石等、
通常膜抵抗形成後に行われ、膜抵抗も研削される）を用
いて行うことができる。
方法において、上記研削には個々の膜電極に対して行う
機械的方法（砥石等）、全膜電極に対し一挙に行う化学
的方法（化学液によるエッチング）を用いることができ
るが、全膜電極に対し一挙に行う機械的方法（砥石等、
通常膜抵抗形成後に行われ、膜抵抗も研削される）を用
いて行うことができる。
【００１７】図４は本発明により製造される抵抗体付き
基板型温度ヒュ−ズの別例を示し、膜電極１２０を低融
点可溶合金片接続用と抵抗体接続用に共通としてあり、
膜電極１２ａとこの共用膜電極１２０の表面の研削は必
須である。図４において、図３と同一の符号は同一の構
成要素を示している。
基板型温度ヒュ−ズの別例を示し、膜電極１２０を低融
点可溶合金片接続用と抵抗体接続用に共通としてあり、
膜電極１２ａとこの共用膜電極１２０の表面の研削は必
須である。図４において、図３と同一の符号は同一の構
成要素を示している。
【００１８】前記絶縁層１６には、常温硬化樹脂液例え
ば常温硬化エポキシ樹脂液への浸漬、滴下塗装等による
樹脂封止の外、図６の（ロ）に示すように絶縁カバ−１
６０（例えばナイロン、フェノ−ル等の樹脂カバ−、セ
ラミックス等の無機質カバ−）によるパッケ−ジングを
使用することもできる。また、図５に示すように、封止
樹脂層１６１上に機械的強度の優れた封止板１６２（例
えば、セラミックス板、ガラスエポキシ板、フェノ−ル
板、窒化アルミニウム板等の絶縁板、ポリエステルフィ
ルム等の樹脂フィルム）を積層して封止構造の薄厚化を
図ることも可能である。
ば常温硬化エポキシ樹脂液への浸漬、滴下塗装等による
樹脂封止の外、図６の（ロ）に示すように絶縁カバ−１
６０（例えばナイロン、フェノ−ル等の樹脂カバ−、セ
ラミックス等の無機質カバ−）によるパッケ−ジングを
使用することもできる。また、図５に示すように、封止
樹脂層１６１上に機械的強度の優れた封止板１６２（例
えば、セラミックス板、ガラスエポキシ板、フェノ−ル
板、窒化アルミニウム板等の絶縁板、ポリエステルフィ
ルム等の樹脂フィルム）を積層して封止構造の薄厚化を
図ることも可能である。
【００１９】上記のリ−ド線１３には、銅線、銅被覆鉄
線、ニッケル線、鉄線等の裸導線、またはこれらの絶縁
被覆線を使用でき、裸導線を扁平加工して使用すること
もできる。さらに、裸導線に錫等のメツキを施すことも
できる。
線、ニッケル線、鉄線等の裸導線、またはこれらの絶縁
被覆線を使用でき、裸導線を扁平加工して使用すること
もできる。さらに、裸導線に錫等のメツキを施すことも
できる。
【００２０】上記基板型温度ヒュ−ズにおいては、リ−
ド線を省略し、図６の（イ）及び図６の（ロ）〔図６の
（イ）におけるロ−ロ断面図〕に示すように膜電極１２
３を絶縁基板１１の裏側に周り込ませ、この裏側の膜電
極部分を回路基板の導体にはんだ付けする、いわゆるチ
ップタイプとすることもできる。図６において、１３は
低融点可溶合金片を、１４はフラックスを、１６０は絶
縁カバ−をそれぞれ示している。
ド線を省略し、図６の（イ）及び図６の（ロ）〔図６の
（イ）におけるロ−ロ断面図〕に示すように膜電極１２
３を絶縁基板１１の裏側に周り込ませ、この裏側の膜電
極部分を回路基板の導体にはんだ付けする、いわゆるチ
ップタイプとすることもできる。図６において、１３は
低融点可溶合金片を、１４はフラックスを、１６０は絶
縁カバ−をそれぞれ示している。
【００２１】上記何れの抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズ
においても、リ−ド線を省略し、全ての膜電極を絶縁基
板の裏側に周り込ませ、この裏側の膜電極部分を回路基
板の導体にはんだ付けする、チップタイプとすることも
できる。
においても、リ−ド線を省略し、全ての膜電極を絶縁基
板の裏側に周り込ませ、この裏側の膜電極部分を回路基
板の導体にはんだ付けする、チップタイプとすることも
できる。
【００２２】なお、基板型温度ヒュ−ズまたは抵抗体付
き基板型温度ヒュ−ズの製造において、膜電極をフォト
エッチング法により設ける場合（銅箔積層絶縁基板にフ
ォトレジスト膜を被覆し、マスクを介して露光し、膜電
極形状に対しネガ像のフォトレジスト膜部分を可溶化し
て除去し、その除去により露出した銅箔部分を化学腐食
液でエッチング除去し、次いで、残部の膜電極形状のフ
ォトレジスト膜部分を除去液で溶解除去し、その直下の
銅箔膜電極を露出させる）でも、膜電極表面が除去液で
変質し難溶接性になるので、本発明を適用できる。ま
た、基板型温度ヒュ−ズまたは抵抗体付き基板型温度ヒ
ュ−ズの製造において、膜電極を金属蒸着法（例えば、
アルミニウム蒸着）により設ける場合でも、蒸着膜電極
表面が酸化して難溶接性になるので、本発明を適用でき
る。
き基板型温度ヒュ−ズの製造において、膜電極をフォト
エッチング法により設ける場合（銅箔積層絶縁基板にフ
ォトレジスト膜を被覆し、マスクを介して露光し、膜電
極形状に対しネガ像のフォトレジスト膜部分を可溶化し
て除去し、その除去により露出した銅箔部分を化学腐食
液でエッチング除去し、次いで、残部の膜電極形状のフ
ォトレジスト膜部分を除去液で溶解除去し、その直下の
銅箔膜電極を露出させる）でも、膜電極表面が除去液で
変質し難溶接性になるので、本発明を適用できる。ま
た、基板型温度ヒュ−ズまたは抵抗体付き基板型温度ヒ
ュ−ズの製造において、膜電極を金属蒸着法（例えば、
アルミニウム蒸着）により設ける場合でも、蒸着膜電極
表面が酸化して難溶接性になるので、本発明を適用でき
る。
【００２３】
【発明の効果】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズや抵抗
体付き基板型温度ヒュ−ズの製造方法においては、導電
ペ−ストの印刷・焼付けにより形成した膜電極の表面を
切削して表皮膜を除去し、膜電極表面を良溶接性若しく
は易濡れ性にしたうえでその電極と低融点可溶合金片と
の溶接接続を行っているから、その溶接を円滑に行って
低融点可溶合金片の断面寸法（低抵抗値）をよく保持さ
せ得、また温度ヒュ−ズ作動時での溶融低融点可溶合金
の膜電極への良好な濡れ性により迅速遮断性を保証で
き、優れた特性の基板型温度ヒュ−ズや抵抗体付き基板
型温度ヒュ−ズを製造できる。
体付き基板型温度ヒュ−ズの製造方法においては、導電
ペ−ストの印刷・焼付けにより形成した膜電極の表面を
切削して表皮膜を除去し、膜電極表面を良溶接性若しく
は易濡れ性にしたうえでその電極と低融点可溶合金片と
の溶接接続を行っているから、その溶接を円滑に行って
低融点可溶合金片の断面寸法（低抵抗値）をよく保持さ
せ得、また温度ヒュ−ズ作動時での溶融低融点可溶合金
の膜電極への良好な濡れ性により迅速遮断性を保証で
き、優れた特性の基板型温度ヒュ−ズや抵抗体付き基板
型温度ヒュ−ズを製造できる。
【図１】本発明により製造される基板型温度ヒュ−ズの
一例を示す図面である。
一例を示す図面である。
【図２】本発明により製造される基板型温度ヒュ−ズの
上記とは別の例を示す図面である。
上記とは別の例を示す図面である。
【図３】本発明により製造される抵抗体付き基板型温度
ヒュ−ズの一例を示す図面である。
ヒュ−ズの一例を示す図面である。
【図４】本発明により製造される抵抗体付き基板型温度
ヒュ−ズの上記とは別の例を示す図面である。
ヒュ−ズの上記とは別の例を示す図面である。
【図５】本発明により製造される抵抗体付き基板型温度
ヒュ−ズの上記とは別の例を示す図面である。
ヒュ−ズの上記とは別の例を示す図面である。
【図６】本発明により製造される基板型温度ヒュ−ズの
上記とは別の例を示す図面である。
上記とは別の例を示す図面である。
１１ 絶縁基板 １２ 膜電極 １２ａ 膜電極 １２ｂ 膜電極 １２０ 膜電極 １３ 低融点可溶合金片 １３ａ 低融点可溶合金片 １３ｂ 抵抗体
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁基板上に導電ペ−ストを印刷・焼付け
ることにより膜電極を形成し、膜電極の表面を研削した
うえで膜電極間に低融点可溶合金片を接続することを特
徴とする基板型温度ヒュ−ズの製造方法。 - 【請求項２】絶縁基板上に導電ペ−ストを印刷・焼付け
ることにより低融点可溶合金片接続用膜電極と抵抗体接
続用膜電極とを形成し、低融点可溶合金片接続用膜電極
間に低融点可溶合金片を、抵抗体接続用膜電極間に抵抗
体をそれぞれ接続して抵抗体付き温度ヒュ−ズを製造す
る方法において、低融点可溶合金片接続用膜電極の表面
を研削したうえでこれらの膜電極間に低融点可溶合金片
を接続することを特徴とする基板型温度ヒュ−ズの製造
方法。 - 【請求項３】低融点可溶合金片接続用膜電極の表面研削
と同時に抵抗体接続用膜電極の表面も研削する請求項２
記載の基板型温度ヒュ−ズの製造方法。 - 【請求項４】膜電極を導電ペ−ストを印刷・焼付けに代
え、金属蒸着またはフォトエッチングにより形成する請
求項１〜３何れか記載の基板型温度ヒュ−ズの製造方
法。
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|---|---|---|---|
| JP21643298A JP4190618B2 (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 基板型温度ヒュ−ズの製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21643298A JP4190618B2 (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 基板型温度ヒュ−ズの製造方法 |
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|---|---|
| JP2000030584A true JP2000030584A (ja) | 2000-01-28 |
| JP4190618B2 JP4190618B2 (ja) | 2008-12-03 |
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|---|---|---|---|
| JP21643298A Expired - Fee Related JP4190618B2 (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 基板型温度ヒュ−ズの製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4190618B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011081924A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Uchihashi Estec Co Ltd | 合金型温度ヒューズ及び温度ヒューズ用リード導体付き低融点合金片の製作方法 |
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|---|---|---|---|---|
| CN112970159B (zh) | 2018-11-14 | 2023-10-20 | 三菱电机株式会社 | 电压跳闸装置及断路器 |
-
1998
- 1998-07-15 JP JP21643298A patent/JP4190618B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2011081924A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Uchihashi Estec Co Ltd | 合金型温度ヒューズ及び温度ヒューズ用リード導体付き低融点合金片の製作方法 |
| CN102034645A (zh) * | 2009-10-02 | 2011-04-27 | 内桥艾斯泰克股份有限公司 | 合金型温度熔断器及低熔点合金片的制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4190618B2 (ja) | 2008-12-03 |
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