JP2000026744A - 透明化合物およびその用途 - Google Patents
透明化合物およびその用途Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 既存の組立処理条件および光学電子装置の光
学条件の両方と相容性を有する成型化合物を提供する。 【解決手段】 ポリマ樹脂および等屈折性透明充填剤か
ら作られる成型化合物を用いて、光学電子部品１０，２
０，３０を形成する。成型化合物を用いて表示装置１０
上のレンズ１３を形成したり、導波管２０の外側ハウジ
ング２１を形成したり、発光装置３２から光検出装置３
３に対して光を反射するドーム３４を形成することがで
きる。
学条件の両方と相容性を有する成型化合物を提供する。 【解決手段】 ポリマ樹脂および等屈折性透明充填剤か
ら作られる成型化合物を用いて、光学電子部品１０，２
０，３０を形成する。成型化合物を用いて表示装置１０
上のレンズ１３を形成したり、導波管２０の外側ハウジ
ング２１を形成したり、発光装置３２から光検出装置３
３に対して光を反射するドーム３４を形成することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に電子部品に関
し、さらに詳しくは、光学データ信号を送受信するため
に用いられる光学部品に用いられる成型材料に関する。
し、さらに詳しくは、光学データ信号を送受信するため
に用いられる光学部品に用いられる成型材料に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】多く
の光電子用途には、信号発生器から信号検出器に光学信
号を伝える段階が含まれる。たとえば、光学アイソレー
タは、発光ダイオード（LED: light emitting diode）
を用いて、ある回路から別の回路内の光検出器にデータ
を送信する。LEDを利用することにより、２つの回路を
電気的に物理的に互いに分離することができ、しかも互
いに導通状態に置くことができる。他の例では、導波管
または光ファイバを通じて、あるいは反射ドーム／レン
ズから送ることにより、発光装置から光検出器に光学信
号を送る段階が含まれる。
の光電子用途には、信号発生器から信号検出器に光学信
号を伝える段階が含まれる。たとえば、光学アイソレー
タは、発光ダイオード（LED: light emitting diode）
を用いて、ある回路から別の回路内の光検出器にデータ
を送信する。LEDを利用することにより、２つの回路を
電気的に物理的に互いに分離することができ、しかも互
いに導通状態に置くことができる。他の例では、導波管
または光ファイバを通じて、あるいは反射ドーム／レン
ズから送ることにより、発光装置から光検出器に光学信
号を送る段階が含まれる。
【０００３】このような用途においてはすべて、光学装
置の組立は、光学装置を構築する個別の構成部品の各々
（たとえば、リードフレーム，リード線，半導体素子，
ボンディング・ワイヤおよびパッケージ）と相容性を有
するものでなければならない。言い換えると、光学部品
を組み立てるために用いられるプロセスは、個々の部品
に与えられる熱機械的応力の量と、光学部品が顧客によ
り用いられる間に部品内に起こる同様の応力の量とを最
小限に抑えるように調整しなければならない。
置の組立は、光学装置を構築する個別の構成部品の各々
（たとえば、リードフレーム，リード線，半導体素子，
ボンディング・ワイヤおよびパッケージ）と相容性を有
するものでなければならない。言い換えると、光学部品
を組み立てるために用いられるプロセスは、個々の部品
に与えられる熱機械的応力の量と、光学部品が顧客によ
り用いられる間に部品内に起こる同様の応力の量とを最
小限に抑えるように調整しなければならない。
【０００４】光学部品の組立に用いられる既存の成型化
合物のうち、大半のものが３つの制約のうち１つの制約
を受ける。第１に、装置が広範囲の温度変化を受ける
と、装置に損傷を起こすような熱膨張係数（CTE: coeff
icient of thermal expansion）を有することが多い。
第２に、多くの成型化合物は、従来の組立プロセス条件
下では化合物に柔軟性と弾性を持たせるようなガラス転
移温度（Tg）を有する。最後に、既存の成型化合物は、
多くの光学電子用途の用件とは相容れない屈折率を有す
る。
合物のうち、大半のものが３つの制約のうち１つの制約
を受ける。第１に、装置が広範囲の温度変化を受ける
と、装置に損傷を起こすような熱膨張係数（CTE: coeff
icient of thermal expansion）を有することが多い。
第２に、多くの成型化合物は、従来の組立プロセス条件
下では化合物に柔軟性と弾性を持たせるようなガラス転
移温度（Tg）を有する。最後に、既存の成型化合物は、
多くの光学電子用途の用件とは相容れない屈折率を有す
る。
【０００５】従って、既存の組立処理条件および光学電
子装置の光学条件の両方と相容性を有する成型化合物を
提供する必要がある。
子装置の光学条件の両方と相容性を有する成型化合物を
提供する必要がある。
【０００６】
【実施例】一般に、本発明は、電子光学部品の広範囲の
用途に理想的に適するポリマ複合成型化合物を提供す
る。本発明は、化合物を光学用途に適したものとする所
望のガラス転移温度，屈折率および熱膨張係数を有する
化合物を提供する。詳しくは、本化合物は３０PPM/℃
（parts per million/degree Celsius）未満の熱膨張係
数と、１３０℃超のガラス転移温度と、約１．５０ない
し１．５８の屈折率とを有する。
用途に理想的に適するポリマ複合成型化合物を提供す
る。本発明は、化合物を光学用途に適したものとする所
望のガラス転移温度，屈折率および熱膨張係数を有する
化合物を提供する。詳しくは、本化合物は３０PPM/℃
（parts per million/degree Celsius）未満の熱膨張係
数と、１３０℃超のガラス転移温度と、約１．５０ない
し１．５８の屈折率とを有する。
【０００７】本発明の成型化合物は、増量樹脂またはマ
トリクス位相と無機充填剤分散位相とから構成されるポ
リマ複合物である。後述する光学用途に関しては、ポリ
マ樹脂は好ましくは、イソシアヌル酸トリグリシジル
（TGIC:triglycidyl isocyanurate）として知られる化
学物質のエポキシ樹脂であり、約１．５２の屈折率を有
する。そして、充填剤がポリマ樹脂内に分散されて、化
合物は電子産業で用いられる多くの成型プロセスと相容
性を有する物理的特性を有するようになる。充填剤は、
化合物の非反応性成分で、化合物の光学的特性（すなわ
ち透明性と屈折率）および物理的特性（すなわち重合収
縮および熱膨張係数）の両方を改変する。しかし、所望
の物理的特性を化合物に提供し、特定の用途の光学要件
を満足する適切な充填剤を選択するためには大いに注意
しなければならない。
トリクス位相と無機充填剤分散位相とから構成されるポ
リマ複合物である。後述する光学用途に関しては、ポリ
マ樹脂は好ましくは、イソシアヌル酸トリグリシジル
（TGIC:triglycidyl isocyanurate）として知られる化
学物質のエポキシ樹脂であり、約１．５２の屈折率を有
する。そして、充填剤がポリマ樹脂内に分散されて、化
合物は電子産業で用いられる多くの成型プロセスと相容
性を有する物理的特性を有するようになる。充填剤は、
化合物の非反応性成分で、化合物の光学的特性（すなわ
ち透明性と屈折率）および物理的特性（すなわち重合収
縮および熱膨張係数）の両方を改変する。しかし、所望
の物理的特性を化合物に提供し、特定の用途の光学要件
を満足する適切な充填剤を選択するためには大いに注意
しなければならない。
【０００８】たとえば、約１．５２の屈折率を有するア
ルカリ亜鉛珪硼酸ガラスなどの鉱物または合成無機充填
剤がポリマ樹脂に添加される。好ましくは、充填剤の各
粒子は、約５ミクロン（μm）ないし５００μmの平均的
寸法を有し、等屈折性を有する（isorefringent）（す
なわち、通常の使用においては１つの値の屈折率しか持
たない）。本発明による充填剤は、化合物の熱膨張係数
を下げるために用いられる。また、アルカリ亜鉛珪硼酸
ガラスは、硬化TGICの屈折率とほぼ等しい屈折率を有す
るので、本発明には理想的に適する。その結果、本発明
の化合物は、約１．５２３の屈折率を有し、約７００ナ
ノメータ（nm）超の波長を有する可視ないし赤外光に対
して透明となる。
ルカリ亜鉛珪硼酸ガラスなどの鉱物または合成無機充填
剤がポリマ樹脂に添加される。好ましくは、充填剤の各
粒子は、約５ミクロン（μm）ないし５００μmの平均的
寸法を有し、等屈折性を有する（isorefringent）（す
なわち、通常の使用においては１つの値の屈折率しか持
たない）。本発明による充填剤は、化合物の熱膨張係数
を下げるために用いられる。また、アルカリ亜鉛珪硼酸
ガラスは、硬化TGICの屈折率とほぼ等しい屈折率を有す
るので、本発明には理想的に適する。その結果、本発明
の化合物は、約１．５２３の屈折率を有し、約７００ナ
ノメータ（nm）超の波長を有する可視ないし赤外光に対
して透明となる。
【０００９】充填剤を化合物に加える前に、充填剤に前
処理をして化合物の濡れ性または表面性質を最適化し、
さらに／あるいは合成中に充填剤の表面性が反応速度に
与える影響を最小限に抑えることにより、早期重合を防
ぐことが望ましい。たとえば、アルカリ亜鉛珪硼酸ガラ
ス粒子は、塩酸などの酸で洗浄して、粒子粉砕プロセス
（たとえば研磨）による残留汚染物や有機材料を除去す
る。その後で、アルカリ亜鉛珪硼酸ガラス粒子を、グリ
シドキシ・プロピルトリメトキシ・シランなどのシラン
・カップリング剤で塗膜および不動態化する。このよう
にして充填剤を処理することにより、充填剤の透明性が
最大になり、充填剤マトリクス結合が改善されるので、
化合物の光学透明性が最大になる。
処理をして化合物の濡れ性または表面性質を最適化し、
さらに／あるいは合成中に充填剤の表面性が反応速度に
与える影響を最小限に抑えることにより、早期重合を防
ぐことが望ましい。たとえば、アルカリ亜鉛珪硼酸ガラ
ス粒子は、塩酸などの酸で洗浄して、粒子粉砕プロセス
（たとえば研磨）による残留汚染物や有機材料を除去す
る。その後で、アルカリ亜鉛珪硼酸ガラス粒子を、グリ
シドキシ・プロピルトリメトキシ・シランなどのシラン
・カップリング剤で塗膜および不動態化する。このよう
にして充填剤を処理することにより、充填剤の透明性が
最大になり、充填剤マトリクス結合が改善されるので、
化合物の光学透明性が最大になる。
【００１０】また、化合物に硬化剤および促進剤を添加
して、化合物が半導体産業で利用されるトランスファー
成型，射出成型および圧縮成型プロセスに良好に適合す
るようにすることが望ましい。たとえば、へキサヒドロ
フタル酸無水物を硬化剤として添加し、ベンズルジメチ
ルアミンを促進剤として添加する。
して、化合物が半導体産業で利用されるトランスファー
成型，射出成型および圧縮成型プロセスに良好に適合す
るようにすることが望ましい。たとえば、へキサヒドロ
フタル酸無水物を硬化剤として添加し、ベンズルジメチ
ルアミンを促進剤として添加する。
【００１１】約１００重量部のイソシアヌル酸トリグリ
シジルと、重量で１００ないし１５０PPH（parts per h
undred）樹脂のへキサヒドロフタル酸無水物と、重量で
４００ないし６００PPH樹脂の亜鉛珪硼酸ガラスと、重
量で１ないし５PPH樹脂のベンズルジメチルアミンとに
よって構成される化合物を形成すると、約２５PPM／℃
未満のCTEと、１５０℃超のガラス転移温度と、約１．
５２３の屈折率とを有する化合物が得られることがわか
った。
シジルと、重量で１００ないし１５０PPH（parts per h
undred）樹脂のへキサヒドロフタル酸無水物と、重量で
４００ないし６００PPH樹脂の亜鉛珪硼酸ガラスと、重
量で１ないし５PPH樹脂のベンズルジメチルアミンとに
よって構成される化合物を形成すると、約２５PPM／℃
未満のCTEと、１５０℃超のガラス転移温度と、約１．
５２３の屈折率とを有する化合物が得られることがわか
った。
【００１２】従って、本発明は光学電子用途に良好に適
する化合物となる。熱膨張係数が比較的低いために、本
発明は、リードフレーム，ボンディング・ワイヤ，半導
体基板などの従来の電子部品と従来の成型部品とを構築
する他の部品と相容性を有する。CTEが低いということ
は、本発明の化合物を含む光学部品を広い温度範囲（す
なわち約−４０℃ないし１３０℃）で消費者が用いて
も、内部の膨張応力による不良を起こさずに済むことも
意味する。
する化合物となる。熱膨張係数が比較的低いために、本
発明は、リードフレーム，ボンディング・ワイヤ，半導
体基板などの従来の電子部品と従来の成型部品とを構築
する他の部品と相容性を有する。CTEが低いということ
は、本発明の化合物を含む光学部品を広い温度範囲（す
なわち約−４０℃ないし１３０℃）で消費者が用いて
も、内部の膨張応力による不良を起こさずに済むことも
意味する。
【００１３】本発明のガラス転移温度が高いということ
は、化合物が、電子産業でよく用いられる従来のオーバ
ーモールディング，トランスファー成型，射出成型また
は圧縮成型プロセスで用いるのに良好に適することを意
味する。言い換えると、本発明の化合物をペレット，粉
末または近液状態に形成して、半導体素子のカプセル化
に用いられる従来の半導体成型化合物または液体「グロ
ブトップ（globtops）」に置き換えて本発明の化合物を
用いることができる。
は、化合物が、電子産業でよく用いられる従来のオーバ
ーモールディング，トランスファー成型，射出成型また
は圧縮成型プロセスで用いるのに良好に適することを意
味する。言い換えると、本発明の化合物をペレット，粉
末または近液状態に形成して、半導体素子のカプセル化
に用いられる従来の半導体成型化合物または液体「グロ
ブトップ（globtops）」に置き換えて本発明の化合物を
用いることができる。
【００１４】最後に上記の化合物は、約１．５０ないし
１．５８の範囲の屈折率を有し、可視および赤外スペク
トルにおいて光に対し透明である。このために、本発明
の化合物は光学アイソレータ，導波管，光学コネクタま
たは光学表示装置での利用に良好に適する。材料の透明
性とは、材料を通過することのできる特定の波長の光量
を緩やかに定義する項目である。光電子用途において
は、所要の波長の光の少なくとも９５％あるいは９０な
いし１００％が材料を通過することができるようにする
ことが一般的に望ましい。光電子装置の消費電力を最小
限に抑え、その効率を最大限にするためにもこれが望ま
しい。ある用途において消費電力が大きな問題でない場
合には、５０ないし７５％，２５ないし５０％，１０な
いし２５％または１ないし１０５の光を材料が通過でき
るようにする程度の透明性をもつ材料であっても許容で
きる。
１．５８の範囲の屈折率を有し、可視および赤外スペク
トルにおいて光に対し透明である。このために、本発明
の化合物は光学アイソレータ，導波管，光学コネクタま
たは光学表示装置での利用に良好に適する。材料の透明
性とは、材料を通過することのできる特定の波長の光量
を緩やかに定義する項目である。光電子用途において
は、所要の波長の光の少なくとも９５％あるいは９０な
いし１００％が材料を通過することができるようにする
ことが一般的に望ましい。光電子装置の消費電力を最小
限に抑え、その効率を最大限にするためにもこれが望ま
しい。ある用途において消費電力が大きな問題でない場
合には、５０ないし７５％，２５ないし５０％，１０な
いし２５％または１ないし１０５の光を材料が通過でき
るようにする程度の透明性をもつ材料であっても許容で
きる。
【００１５】上記の例では、ポリマ・マトリクスとして
ほぼ等しい屈折率を有する等屈折性透明充填剤が選択さ
れた。これは、最終的な化合物が所望の屈折率を有する
ようにするためである。しかし、言うまでもなく、化合
物に用いられる充填剤の屈折率は、本発明の利点を得る
ためにはポリマ樹脂と全く同じである必要はない。等屈
折性充填剤がポリマ樹脂の屈折率の約１０％以内にある
屈折率を有するようなポリマ樹脂と等屈折性充填剤とを
選択することにより、所望の光学および物理特性を有す
る化合物を形成することができる。
ほぼ等しい屈折率を有する等屈折性透明充填剤が選択さ
れた。これは、最終的な化合物が所望の屈折率を有する
ようにするためである。しかし、言うまでもなく、化合
物に用いられる充填剤の屈折率は、本発明の利点を得る
ためにはポリマ樹脂と全く同じである必要はない。等屈
折性充填剤がポリマ樹脂の屈折率の約１０％以内にある
屈折率を有するようなポリマ樹脂と等屈折性充填剤とを
選択することにより、所望の光学および物理特性を有す
る化合物を形成することができる。
【００１６】ビスフェノールＡのジグリシジル・エーテ
ル（DGEBA: digylicydyl ether ofbisphenol A），ノボ
ラック変性DGEBA，一官能価または多官能価エポキシの
混合物，アクリル系誘導体，ポリエステル，ポリイミ
ド，シリコーン，シアン酸エステル，3,4,-エポキシ・
シクロヘキシルメチル-3,4エポキシ・シクロヘキサン・
カルボキシレートまたはスチレニック（styrenic）など
の他の系列のポリマ樹脂を組み合わせることによって、
本発明による他の化合物を形成することができる。ガラ
ス，グラス・ファイバ，ガラス微小球，ガラス粉，無機
合成物またはガラス・ビーズなど、樹脂位相と相容性を
持ち屈折率が適応することのできる適切な屈折率を持つ
等屈折性充填剤を添加する。
ル（DGEBA: digylicydyl ether ofbisphenol A），ノボ
ラック変性DGEBA，一官能価または多官能価エポキシの
混合物，アクリル系誘導体，ポリエステル，ポリイミ
ド，シリコーン，シアン酸エステル，3,4,-エポキシ・
シクロヘキシルメチル-3,4エポキシ・シクロヘキサン・
カルボキシレートまたはスチレニック（styrenic）など
の他の系列のポリマ樹脂を組み合わせることによって、
本発明による他の化合物を形成することができる。ガラ
ス，グラス・ファイバ，ガラス微小球，ガラス粉，無機
合成物またはガラス・ビーズなど、樹脂位相と相容性を
持ち屈折率が適応することのできる適切な屈折率を持つ
等屈折性充填剤を添加する。
【００１７】また、ポリアミン，ナド酸メチル無水物，
へキサヒドロフタル酸無水物，無水物，環状脂肪族一官
能価または多官能価アミンまたは無水物などの硬化剤を
化合物に添加することができる。最後に、尿素，ジシア
ンジアミド（DYCY: dycyandiamide）および三官能価ア
ミンなどの適切な促進剤をエポキシ樹脂に添加すること
ができる。
へキサヒドロフタル酸無水物，無水物，環状脂肪族一官
能価または多官能価アミンまたは無水物などの硬化剤を
化合物に添加することができる。最後に、尿素，ジシア
ンジアミド（DYCY: dycyandiamide）および三官能価ア
ミンなどの適切な促進剤をエポキシ樹脂に添加すること
ができる。
【００１８】これらの可能な組み合わせにより、特定の
光学用途に良好に適する化合物を提供することができ
る。一般に、これらの化学物質から形成される化合物
は、約１．４ないし１．７の範囲の屈折率を有し、紫外
光，可視光および赤外光に対して透明性を有することが
できる。約４００ないし９００nmの波長を有する光の少
なくとも５０％を通過させることのできる化合物、また
は約４００ないし９００nmの波長を有する光の少なくと
も９０％を通過させることのできる化合物を形成するこ
とができる。また、３５，３０さらに２５未満のCTE
と、１３０℃，１４０℃さらに１７０℃超のガラス転移
温度を有する化合物を提供するように、化合物の構成成
分を選択することができる。
光学用途に良好に適する化合物を提供することができ
る。一般に、これらの化学物質から形成される化合物
は、約１．４ないし１．７の範囲の屈折率を有し、紫外
光，可視光および赤外光に対して透明性を有することが
できる。約４００ないし９００nmの波長を有する光の少
なくとも５０％を通過させることのできる化合物、また
は約４００ないし９００nmの波長を有する光の少なくと
も９０％を通過させることのできる化合物を形成するこ
とができる。また、３５，３０さらに２５未満のCTE
と、１３０℃，１４０℃さらに１７０℃超のガラス転移
温度を有する化合物を提供するように、化合物の構成成
分を選択することができる。
【００１９】図１ないし図３を参照して、本発明の実施
例による成型化合物の用途を説明する。図１は、本発明
の化合物をカプセル化材料として用いて、光学表示装置
１０などの電子部品のためのレンズを形成する場合の断
面図を示す。たとえば、光学表示装置１０を、光学像を
作成するために用いられる発光ダイオードのアレイとす
ることができる。このような電子部品は、電荷結合素子
（CCD： charge coupled device）または画像金属酸化
物半導体（i-MOS: image metal-oxide semiconductor）
素子と呼ばれることが多い。
例による成型化合物の用途を説明する。図１は、本発明
の化合物をカプセル化材料として用いて、光学表示装置
１０などの電子部品のためのレンズを形成する場合の断
面図を示す。たとえば、光学表示装置１０を、光学像を
作成するために用いられる発光ダイオードのアレイとす
ることができる。このような電子部品は、電荷結合素子
（CCD： charge coupled device）または画像金属酸化
物半導体（i-MOS: image metal-oxide semiconductor）
素子と呼ばれることが多い。
【００２０】このような用途においては、化合物は発光
ダイオードまたは発光装置の上方に形成される。図１に
示されるように、発光装置は、ｐ型領域１２をn型基板
１１内に形成してPN接合を形成することによって作成す
ることができる。PN接合に電流を流すと、図１内に矢印
１４で示されるように光が放出される。基板１１全体に
化合物層をデポジションし、さらに当技術では周知の従
来のフォトリソグラフィック・マスキングおよびエッチ
ング法によるパターニングなどの様々な方法を用いてレ
ンズ１３を発光装置上方に形成することができる。その
後で、リフロー段階を実行して、材料の残りの部分を溶
融させ、図１に示されるレンズ１３の形状を形成する。
ダイオードまたは発光装置の上方に形成される。図１に
示されるように、発光装置は、ｐ型領域１２をn型基板
１１内に形成してPN接合を形成することによって作成す
ることができる。PN接合に電流を流すと、図１内に矢印
１４で示されるように光が放出される。基板１１全体に
化合物層をデポジションし、さらに当技術では周知の従
来のフォトリソグラフィック・マスキングおよびエッチ
ング法によるパターニングなどの様々な方法を用いてレ
ンズ１３を発光装置上方に形成することができる。その
後で、リフロー段階を実行して、材料の残りの部分を溶
融させ、図１に示されるレンズ１３の形状を形成する。
【００２１】図２に示されるように、本発明の化合物は
導波管２０を形成するためにも利用することができる。
本発明の化合物２０を用いて、導波管２０の外部ハウジ
ング２１を形成することができる。代替の透明材料が内
部コア２２となり、これが光信号の伝導または運搬に用
いられる。導波管２０により伝えられる光学信号を、図
２に矢印２３によって示す。好ましくは、外部ハウジン
グ２１の屈折率は、内部コア２２の屈折率よりも低く、
光学信号が内部コア２２内にとどまるようにする。たと
えば、外部ハウジング２１が約１．５０ないし１．５８
の屈折率を有するとすると、内部コア２２は１．５０未
満の屈折率を有するようにする。言うまでもなく、外部
ハウジングがより低い屈折率を有する材料から形成され
る場合は、本発明の化合物を用いて内部コア２２を形成
することもできる。
導波管２０を形成するためにも利用することができる。
本発明の化合物２０を用いて、導波管２０の外部ハウジ
ング２１を形成することができる。代替の透明材料が内
部コア２２となり、これが光信号の伝導または運搬に用
いられる。導波管２０により伝えられる光学信号を、図
２に矢印２３によって示す。好ましくは、外部ハウジン
グ２１の屈折率は、内部コア２２の屈折率よりも低く、
光学信号が内部コア２２内にとどまるようにする。たと
えば、外部ハウジング２１が約１．５０ないし１．５８
の屈折率を有するとすると、内部コア２２は１．５０未
満の屈折率を有するようにする。言うまでもなく、外部
ハウジングがより低い屈折率を有する材料から形成され
る場合は、本発明の化合物を用いて内部コア２２を形成
することもできる。
【００２２】図３を参照して、本発明の化合物の代替用
途を説明する。図３は、光学アイソレータまたはオプト
アイソレータ３０の例である。オプトアイソレータ３０
は、発光装置３２を用いて、光学信号（矢印３６）を光
検出器３３まで伝える。これにより、１つの回路（図示
せず）を別の回路（図示せず）から物理的または電気的
に分離しながら、２つの回路を光学信号（矢印３６）を
利用して互いに導通状態に置くことができる。
途を説明する。図３は、光学アイソレータまたはオプト
アイソレータ３０の例である。オプトアイソレータ３０
は、発光装置３２を用いて、光学信号（矢印３６）を光
検出器３３まで伝える。これにより、１つの回路（図示
せず）を別の回路（図示せず）から物理的または電気的
に分離しながら、２つの回路を光学信号（矢印３６）を
利用して互いに導通状態に置くことができる。
【００２３】このような用途においては、発光装置３２
（たとえば縦型空洞表面放出レーザ(VCSEL: vertical c
avity surface emitting laser)などのレーザまたは発
光ダイオード(LED)）と光検出器３３が支持基板３１に
搭載される。次に本発明の化合物が発光装置３２および
光検出器３３上に形成され、ドーム３４となる。任意
で、当技術では周知の従来のオーバーモールディング法
を用いて外側パッケージ３７が形成される。ドーム３４
は発光装置３２および光検出器３３をカプセル化し、発
光装置３２から光検出器３３に向けて光学信号（矢印３
６）を反射するために用いられる内面３５を有する。
（たとえば縦型空洞表面放出レーザ(VCSEL: vertical c
avity surface emitting laser)などのレーザまたは発
光ダイオード(LED)）と光検出器３３が支持基板３１に
搭載される。次に本発明の化合物が発光装置３２および
光検出器３３上に形成され、ドーム３４となる。任意
で、当技術では周知の従来のオーバーモールディング法
を用いて外側パッケージ３７が形成される。ドーム３４
は発光装置３２および光検出器３３をカプセル化し、発
光装置３２から光検出器３３に向けて光学信号（矢印３
６）を反射するために用いられる内面３５を有する。
【００２４】以上、本発明が種々の光学用途において利
用することのできる化合物を提供することが理解され
た。化合物は、所望の物理的特性を有するので、従来の
成型プロセスに容易に用いることができる。化合物は、
充分に低い熱膨張係数をも有して、動作中に装置内に起
こる応力を最小限に抑える。また、本発明は、屈折率が
要件に基づき特定の顧客または電子光学技術に合うよう
に調整される化合物を提供する。
用することのできる化合物を提供することが理解され
た。化合物は、所望の物理的特性を有するので、従来の
成型プロセスに容易に用いることができる。化合物は、
充分に低い熱膨張係数をも有して、動作中に装置内に起
こる応力を最小限に抑える。また、本発明は、屈折率が
要件に基づき特定の顧客または電子光学技術に合うよう
に調整される化合物を提供する。
【００２５】本発明の教義は、他の半導体装置内に組み
込んで、マイクロコントローラまたはマイクロプロセッ
サなどの多機能集積回路とすることができることは言う
までもない。
込んで、マイクロコントローラまたはマイクロプロセッ
サなどの多機能集積回路とすることができることは言う
までもない。
【図１】本発明の実施例による化合物を用いる光学表示
部品の一部分の断面図である。
部品の一部分の断面図である。
【図２】本発明の代替の実施例による化合物を用いる導
波管の断面図である。
波管の断面図である。
【図３】本発明のさらに別の代替実施例による化合物を
用いる光学アイソレータの断面図である。図面を簡略に
明瞭にするために、図面内の図示される要素は必ずしも
同尺に描かれないことを理解頂きたい。たとえば、ある
種の要素の寸法は、明確にするために他の要素に対して
誇張される。さらに適切と思われる場合には、対応する
あるいは同様の要素を標示するために図面間で参照番号
が繰り返し用いられる。
用いる光学アイソレータの断面図である。図面を簡略に
明瞭にするために、図面内の図示される要素は必ずしも
同尺に描かれないことを理解頂きたい。たとえば、ある
種の要素の寸法は、明確にするために他の要素に対して
誇張される。さらに適切と思われる場合には、対応する
あるいは同様の要素を標示するために図面間で参照番号
が繰り返し用いられる。
１０ 光学表示装置 １１ 基板 １２ ｐ型領域 １３ レンズ １４ 光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート・ケイ・デントン、ジュニア アメリカ合衆国バージニア州ウインチェス ター、サウス・ロードーン・ストリート 424
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子；および前記半導体素子の少
なくとも一部分の上に存在するカプセル化材料（１３）
で合って、イソシアヌル酸トリグリシジル，アルカリ亜
鉛珪硼酸ガラスおよびへキサヒドロフタル酸無水物によ
って構成されるカプセル化材料（１３）；によって構成
されることを特徴とする電子部品（１０）。 - 【請求項２】 前記カプセル化材料がベンズルジメチル
アミン，尿素，ジシアンジアミド および三官能価アミ
ンからなる群から選択される促進剤によって構成される
ことを特徴とする請求項１記載の電子部品（１０）。 - 【請求項３】 前記カプセル材料が約１．４ないし１．
７の屈折率を有することを特徴とする請求項１記載の電
子部品（１０）。 - 【請求項４】 カプセル化材料（１３）を有する電子部
品（１０）であって、前記カプセル化材料（１３）が：
イソシアヌル酸トリグリシジル，ビスフェノールＡのジ
グリシジル・エーテル，ノボラック変性DGEBA，一官能
価または多官能価エポキシの混合物，アクリル系誘導
体，ポリエステル，ポリイミド，シリコーン，シアン酸
エステル，脂環式エポキシ化合物，3,4,-エポキシ・シ
クロヘキシルメチル-3,4エポキシ・シクロヘキサン・カ
ルボキシレートおよびスチレニックからなる群から選択
されるポリマ樹脂；およびアルカリ亜鉛珪硼酸ガラス，
ガラス，グラス・ファイバ，ガラス微小球，ガラス粉，
無機合成物またはガラス・ビーズからなる群から選択さ
れる等屈折性充填剤；によって構成されることを特徴と
する電子部品（１０）。 - 【請求項５】 イソシアヌル酸トリグリシジル，ビスフ
ェノールＡのジグリシジル・エーテル，ノボラック変性
DGEBA，一官能価または多官能価エポキシの混合物，ア
クリル系誘導体，ポリエステル，ポリイミド，シリコー
ン，シアン酸エステル，脂環式エポキシ化合物，3,4,-
エポキシ・シクロヘキシルメチル-3,4エポキシ・シクロ
ヘキサン・カルボキシレートおよびスチレニックからな
る群から選択されるポリマ樹脂；およびアルカリ亜鉛珪
硼酸ガラス，ガラス，グラス・ファイバ，ガラス微小
球，ガラス粉，無機合成物またはガラス・ビーズからな
る群から選択される等屈折性充填剤；によって構成され
ることを特徴とする化合物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/072,053 US6246123B1 (en) | 1998-05-04 | 1998-05-04 | Transparent compound and applications for its use |
| US072053 | 1998-05-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000026744A true JP2000026744A (ja) | 2000-01-25 |
Family
ID=22105274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11125469A Pending JP2000026744A (ja) | 1998-05-04 | 1999-05-06 | 透明化合物およびその用途 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6246123B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000026744A (ja) |
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