JP2000021250A - セミリジッド型同軸ケーブル及びその製造方法 - Google Patents
セミリジッド型同軸ケーブル及びその製造方法Info
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- JP2000021250A JP2000021250A JP10187442A JP18744298A JP2000021250A JP 2000021250 A JP2000021250 A JP 2000021250A JP 10187442 A JP10187442 A JP 10187442A JP 18744298 A JP18744298 A JP 18744298A JP 2000021250 A JP2000021250 A JP 2000021250A
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 多孔質絶縁層表面の剛性が高められ、また多
孔質絶縁層の表面に健全な金属めっき外部導体層が形成
され、更に端末加工性に優れたセミリジッド型同軸ケー
ブル及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 中心導体２の外周に表面の結晶化率が７
５〜９２％に調整され，また絶縁層全体の気孔率が５〜
３０％に調整された多孔質ＰＴＦＥ絶縁層３を形成して
絶縁体コアｃとし、この絶縁体コアｃの外周に外部金属
導体層４として、無電解めっきアンカー金属層４ａと電
気めっき金属層４ｂを順次施してセミリジッド型同軸ケ
ーブル１とする。
孔質絶縁層の表面に健全な金属めっき外部導体層が形成
され、更に端末加工性に優れたセミリジッド型同軸ケー
ブル及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 中心導体２の外周に表面の結晶化率が７
５〜９２％に調整され，また絶縁層全体の気孔率が５〜
３０％に調整された多孔質ＰＴＦＥ絶縁層３を形成して
絶縁体コアｃとし、この絶縁体コアｃの外周に外部金属
導体層４として、無電解めっきアンカー金属層４ａと電
気めっき金属層４ｂを順次施してセミリジッド型同軸ケ
ーブル１とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、携帯用電話機等の小型
電子機器の高周波伝送線路に用いられるセミリジッド型
同軸ケーブルおよびその製造方法に関するものである。
電子機器の高周波伝送線路に用いられるセミリジッド型
同軸ケーブルおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話機等の小型電子機器の高周波伝
送線路として使用されるセミリジッド型同軸ケーブル
は、細径で可撓性に富み高周波電気特性に優れるととも
に端末加工の容易さや半田耐熱性が要求される。かかる
要求に応えるセミリジッド型同軸ケーブルとして、本願
発明者等は特開平６−１８７８４７号公報において、中
心導体の外周に４弗化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）或いは
４弗化エチレン−６弗化プロピレン共重合体樹脂（ＦＥ
Ｐ）等の低誘電率絶縁層を被覆し、この低誘電率絶縁層
外周に無電解めっきによるアンカー金属層と電気めっき
による良導電性金属層とを施し外部導体層としたセミリ
ジッド型同軸ケーブルを提案し、実用に供している。上
記のセミリジッド型同軸ケーブルは、従来の外部導体層
に銅パイプを用いたセミリジッド型同軸ケーブルに比べ
て、低誘電率絶縁層と外部導体層間の密着性に優れてい
て可撓性に富み、細径化が可能であるという利点があっ
た。
送線路として使用されるセミリジッド型同軸ケーブル
は、細径で可撓性に富み高周波電気特性に優れるととも
に端末加工の容易さや半田耐熱性が要求される。かかる
要求に応えるセミリジッド型同軸ケーブルとして、本願
発明者等は特開平６−１８７８４７号公報において、中
心導体の外周に４弗化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）或いは
４弗化エチレン−６弗化プロピレン共重合体樹脂（ＦＥ
Ｐ）等の低誘電率絶縁層を被覆し、この低誘電率絶縁層
外周に無電解めっきによるアンカー金属層と電気めっき
による良導電性金属層とを施し外部導体層としたセミリ
ジッド型同軸ケーブルを提案し、実用に供している。上
記のセミリジッド型同軸ケーブルは、従来の外部導体層
に銅パイプを用いたセミリジッド型同軸ケーブルに比べ
て、低誘電率絶縁層と外部導体層間の密着性に優れてい
て可撓性に富み、細径化が可能であるという利点があっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】セミリジッド型同軸ケ
ーブルの細径化に伴い、セミリジッド型同軸ケーブルも
他の電子部品と同様に回路基板とはんだ接続する際にリ
フロー炉を用いた自動はんだ接続方式が適用されるよう
になり、セミリジッド型同軸ケーブルの耐熱性能の更な
る改良が求められている。かかる要求に対応するため
に、絶縁層には充実型ふっ素系樹脂絶縁層に代わって耐
熱性能の良い多孔質ふっ素系樹脂絶縁層が多用されるよ
うになった。
ーブルの細径化に伴い、セミリジッド型同軸ケーブルも
他の電子部品と同様に回路基板とはんだ接続する際にリ
フロー炉を用いた自動はんだ接続方式が適用されるよう
になり、セミリジッド型同軸ケーブルの耐熱性能の更な
る改良が求められている。かかる要求に対応するため
に、絶縁層には充実型ふっ素系樹脂絶縁層に代わって耐
熱性能の良い多孔質ふっ素系樹脂絶縁層が多用されるよ
うになった。
【０００４】上叙の金属めっきにより外部導体層を形成
するセミリジッド型同軸ケーブルの場合、絶縁層が充実
絶縁体で形成されているものについては金属めっきを施
すときに格別の不都合を生じることはなかった。しか
し、絶縁層が多孔質絶縁体で形成されるようになると、
めっき前処理工程において多孔質絶縁層表面の活性化処
理を行ったときに活性化液が絶縁層表面から細かな気孔
を通って多孔質絶縁層内部に浸透し、多孔質絶縁層内部
まで活性化処理され、金属めっきを施したときに金属め
っき層が多孔質絶縁層内に楔のように食い込んで形成さ
れ、多孔質絶縁層と金属めっき外部導体層との密着度を
強めるという不具合を生じていた。このため、同軸ケー
ブルの端末加工の際、金属めっき外部導体層と多孔質絶
縁層の剥離が困難になるという問題があった。また、健
全な金属めっき外部導体層を形成し難いという問題があ
った。
するセミリジッド型同軸ケーブルの場合、絶縁層が充実
絶縁体で形成されているものについては金属めっきを施
すときに格別の不都合を生じることはなかった。しか
し、絶縁層が多孔質絶縁体で形成されるようになると、
めっき前処理工程において多孔質絶縁層表面の活性化処
理を行ったときに活性化液が絶縁層表面から細かな気孔
を通って多孔質絶縁層内部に浸透し、多孔質絶縁層内部
まで活性化処理され、金属めっきを施したときに金属め
っき層が多孔質絶縁層内に楔のように食い込んで形成さ
れ、多孔質絶縁層と金属めっき外部導体層との密着度を
強めるという不具合を生じていた。このため、同軸ケー
ブルの端末加工の際、金属めっき外部導体層と多孔質絶
縁層の剥離が困難になるという問題があった。また、健
全な金属めっき外部導体層を形成し難いという問題があ
った。
【０００５】更に加えて、多孔質絶縁層全般の問題とし
て、多孔質絶縁体は充実絶縁体に比較し剛性の低下が避
けられない。このため、セミリジッド型同軸ケーブルの
端末加工の際に多孔質絶縁層を中心導体から輪切り剥離
しようとすると、多孔質絶縁層が剥離工具によって潰さ
れ、しかも引き伸ばされてしまって、多孔質絶縁層の輪
切り剥離加工を確実に行うことが難しいという問題があ
った。
て、多孔質絶縁体は充実絶縁体に比較し剛性の低下が避
けられない。このため、セミリジッド型同軸ケーブルの
端末加工の際に多孔質絶縁層を中心導体から輪切り剥離
しようとすると、多孔質絶縁層が剥離工具によって潰さ
れ、しかも引き伸ばされてしまって、多孔質絶縁層の輪
切り剥離加工を確実に行うことが難しいという問題があ
った。
【０００６】本発明は、上記従来技術が有する各種問題
点を解決するためになされたもので、多孔質絶縁層の表
面に健全な金属めっき外部導体層が形成され、また多孔
質絶縁層表面の剛性が高められ、端末加工性に優れたセ
ミリジッド型同軸ケーブル及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
点を解決するためになされたもので、多孔質絶縁層の表
面に健全な金属めっき外部導体層が形成され、また多孔
質絶縁層表面の剛性が高められ、端末加工性に優れたセ
ミリジッド型同軸ケーブル及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の観点として本発明は、中心導体の外周に、表
面の結晶化率を７５〜９２％，また絶縁層全体の気孔率
を５〜３０％に熱処理調整した多孔質四弗化エチレン樹
脂絶縁層（以下多孔質ＰＴＦＥ絶縁層と略記する）を設
け、この多孔質ＰＴＦＥ絶縁層上に無電解めっきアンカ
ー金属層と電気めっき金属層を順次施した外部金属導体
層を設けたセミリジッド型同軸ケーブルにある。
に、第１の観点として本発明は、中心導体の外周に、表
面の結晶化率を７５〜９２％，また絶縁層全体の気孔率
を５〜３０％に熱処理調整した多孔質四弗化エチレン樹
脂絶縁層（以下多孔質ＰＴＦＥ絶縁層と略記する）を設
け、この多孔質ＰＴＦＥ絶縁層上に無電解めっきアンカ
ー金属層と電気めっき金属層を順次施した外部金属導体
層を設けたセミリジッド型同軸ケーブルにある。
【０００８】上記第１の観点のセミリジッド型同軸ケー
ブルでは、前記結晶化率及び絶縁層全体の気孔率が前記
数値範囲内に限定されているので、活性化処理時にも活
性化液が多孔質ＰＴＦＥ絶縁層の気孔を通って該多孔質
絶縁層内に浸透することが無くなり、多孔質絶縁層表面
のみをエッチング処理することができる。従って、外部
金属導体層を施したときにも該金属導体層が前記多孔質
絶縁層内部に楔状に入り込んで形成されることがなく、
多孔質絶縁層表面にのみ健全な外部金属導体層が形成さ
れる。その結果、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層と外部金属導体
層との密着強度が強くなり過ぎることがなくなり、端末
加工の際に多孔質絶縁層から外部金属導体層を剥離する
作業が容易となる。また、優れた高周波電気特性と耐熱
性能を大きく損なうことなしに剛性の向上が図れ、端末
加工性を改善することができる。
ブルでは、前記結晶化率及び絶縁層全体の気孔率が前記
数値範囲内に限定されているので、活性化処理時にも活
性化液が多孔質ＰＴＦＥ絶縁層の気孔を通って該多孔質
絶縁層内に浸透することが無くなり、多孔質絶縁層表面
のみをエッチング処理することができる。従って、外部
金属導体層を施したときにも該金属導体層が前記多孔質
絶縁層内部に楔状に入り込んで形成されることがなく、
多孔質絶縁層表面にのみ健全な外部金属導体層が形成さ
れる。その結果、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層と外部金属導体
層との密着強度が強くなり過ぎることがなくなり、端末
加工の際に多孔質絶縁層から外部金属導体層を剥離する
作業が容易となる。また、優れた高周波電気特性と耐熱
性能を大きく損なうことなしに剛性の向上が図れ、端末
加工性を改善することができる。
【０００９】第２の観点として本発明は、前記熱処理調
整した多孔質ＰＴＦＥ絶縁層は、結晶化率９５％以上で
気孔率３０〜５０％のペースト押出し成形した未焼結の
多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁体（以下未焼結ＰＴＦＥ
絶縁体と略記する）が瞬間的な熱処理を施され、表面の
結晶化率が７５〜９２％に調整され、また絶縁層全体の
気孔率が５〜３０％に調整され、更に熱処理後の外径が
５〜３０％収縮されているセミリジッド型同軸ケーブル
にある。
整した多孔質ＰＴＦＥ絶縁層は、結晶化率９５％以上で
気孔率３０〜５０％のペースト押出し成形した未焼結の
多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁体（以下未焼結ＰＴＦＥ
絶縁体と略記する）が瞬間的な熱処理を施され、表面の
結晶化率が７５〜９２％に調整され、また絶縁層全体の
気孔率が５〜３０％に調整され、更に熱処理後の外径が
５〜３０％収縮されているセミリジッド型同軸ケーブル
にある。
【００１０】上記第２の観点のセミリジッド型同軸ケー
ブルでは、前記第１の観点の作用に加え、未焼結ＰＴＦ
Ｅ絶縁体は瞬間的な熱処理を施されて、熱処理後の外径
が５〜３０％収縮されているため、充実体と同程度の剛
性を持つようになり、端末加工の際に多孔質絶縁層が剥
離工具で潰されたり伸ばされることがなくなり、多孔質
絶縁層を中心導体から確実，容易に輪切り剥離すること
が可能となる。
ブルでは、前記第１の観点の作用に加え、未焼結ＰＴＦ
Ｅ絶縁体は瞬間的な熱処理を施されて、熱処理後の外径
が５〜３０％収縮されているため、充実体と同程度の剛
性を持つようになり、端末加工の際に多孔質絶縁層が剥
離工具で潰されたり伸ばされることがなくなり、多孔質
絶縁層を中心導体から確実，容易に輪切り剥離すること
が可能となる。
【００１１】第３の観点として本発明は、前記熱処理調
整した多孔質ＰＴＦＥ絶縁層の外径が１．０ｍｍ以下の
細径であるセミリジッド型同軸ケーブルにある。
整した多孔質ＰＴＦＥ絶縁層の外径が１．０ｍｍ以下の
細径であるセミリジッド型同軸ケーブルにある。
【００１２】上記第３の観点のセミリジッド型同軸ケー
ブルでは、前記多孔質ＰＴＦＥ絶縁層の外径が１．０ｍ
ｍ以下の細径であるので、小型電子機器内の高周波伝送
線路として好ましく適用できる。
ブルでは、前記多孔質ＰＴＦＥ絶縁層の外径が１．０ｍ
ｍ以下の細径であるので、小型電子機器内の高周波伝送
線路として好ましく適用できる。
【００１３】第４の観点として本発明は、中心導体の外
周に結晶化率９５％以上で気孔率３０〜５０％の未焼結
の多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁層（以下未焼結ＰＴＦ
Ｅ絶縁層と略記する）を施す絶縁体被覆工程と該未焼結
ＰＴＦＥ絶縁層の表面を焼結することなく瞬間的な加熱
処理を施し，表面の結晶化率を７５〜９２％に調整し、
また絶縁層全体の気孔率を５〜３０％に調整し、更に熱
処理後の外径を５〜３０％収縮させる熱処理工程からな
る絶縁体コア形成工程と、前記絶縁体コアの表面を短時
間に活性化処理する迅速エッチング処理工程と、前記迅
速にエッチング処理された絶縁体コアの外周に無電解め
っき法によりアンカー金属層を形成する無電解めっき工
程と該アンカー金属層の外周に電気めっき法により金属
層を形成する電気めっき工程からなる外部導体形成工程
とを有するセミリジッド型同軸ケーブルの製造方法にあ
る。
周に結晶化率９５％以上で気孔率３０〜５０％の未焼結
の多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁層（以下未焼結ＰＴＦ
Ｅ絶縁層と略記する）を施す絶縁体被覆工程と該未焼結
ＰＴＦＥ絶縁層の表面を焼結することなく瞬間的な加熱
処理を施し，表面の結晶化率を７５〜９２％に調整し、
また絶縁層全体の気孔率を５〜３０％に調整し、更に熱
処理後の外径を５〜３０％収縮させる熱処理工程からな
る絶縁体コア形成工程と、前記絶縁体コアの表面を短時
間に活性化処理する迅速エッチング処理工程と、前記迅
速にエッチング処理された絶縁体コアの外周に無電解め
っき法によりアンカー金属層を形成する無電解めっき工
程と該アンカー金属層の外周に電気めっき法により金属
層を形成する電気めっき工程からなる外部導体形成工程
とを有するセミリジッド型同軸ケーブルの製造方法にあ
る。
【００１４】上記第４の観点のセミリジッド型同軸ケー
ブルの製造方法によれば、前記第１〜第３の観点のセミ
リジッド型同軸ケーブルが好ましく製造できる。更に詳
しく説明すると、熱処理工程において、未焼結ＰＴＦＥ
絶縁層を瞬間的に加熱処理しているため、表面等を完全
焼結させることなく、絶縁体コア自体を収縮させ形成で
きる。なお、前記絶縁体コアを過度の活性化処理から保
護しつつ適正な表面活性化を施して健全な外部金属導体
層を形成する必要がある。そこで、本発明のエッチング
処理工程では、活性化処理を通常の処理時間の約１／１
０以下の極く短時間の処理時間で行う迅速エッチング処
理法を採用し、表面活性化液による絶縁体コアの浸食を
防止し、健全な外部金属導体層を形成するに必要な限度
の活性化処理を施している。これにより、絶縁体コアが
過度に浸食されることにより生ずる表面活性化液の多孔
質絶縁層内への浸透の恐れがなくなった。その結果、後
工程の外部導体形成工程において、外部金属導体が多孔
質絶縁層内に楔状に形成される不都合が解消され、多孔
質絶縁層と外部金属導体層との密着度が強くなり過ぎる
という不具合の発生が防止された。なお、活性化処理時
間は多孔質絶縁層表面の焼結程度を勘案し、実験的に決
定している。
ブルの製造方法によれば、前記第１〜第３の観点のセミ
リジッド型同軸ケーブルが好ましく製造できる。更に詳
しく説明すると、熱処理工程において、未焼結ＰＴＦＥ
絶縁層を瞬間的に加熱処理しているため、表面等を完全
焼結させることなく、絶縁体コア自体を収縮させ形成で
きる。なお、前記絶縁体コアを過度の活性化処理から保
護しつつ適正な表面活性化を施して健全な外部金属導体
層を形成する必要がある。そこで、本発明のエッチング
処理工程では、活性化処理を通常の処理時間の約１／１
０以下の極く短時間の処理時間で行う迅速エッチング処
理法を採用し、表面活性化液による絶縁体コアの浸食を
防止し、健全な外部金属導体層を形成するに必要な限度
の活性化処理を施している。これにより、絶縁体コアが
過度に浸食されることにより生ずる表面活性化液の多孔
質絶縁層内への浸透の恐れがなくなった。その結果、後
工程の外部導体形成工程において、外部金属導体が多孔
質絶縁層内に楔状に形成される不都合が解消され、多孔
質絶縁層と外部金属導体層との密着度が強くなり過ぎる
という不具合の発生が防止された。なお、活性化処理時
間は多孔質絶縁層表面の焼結程度を勘案し、実験的に決
定している。
【００１５】第５の観点として本発明は、前記熱処理工
程が、サンドバス，溶融塩或は不活性溶液を用い、該サ
ンドバス等中を熱処理温度３３０℃〜３８０℃，熱処理
時間５秒以下１秒以上の高速で通過させる方法であるセ
ミリジッド型同軸ケーブルの製造方法にある。なお、前
記不活性溶液としては、弗素系溶剤・フロリナート等が
挙げられる。
程が、サンドバス，溶融塩或は不活性溶液を用い、該サ
ンドバス等中を熱処理温度３３０℃〜３８０℃，熱処理
時間５秒以下１秒以上の高速で通過させる方法であるセ
ミリジッド型同軸ケーブルの製造方法にある。なお、前
記不活性溶液としては、弗素系溶剤・フロリナート等が
挙げられる。
【００１６】上記第５の観点のセミリジッド型同軸ケー
ブルの製造方法は、前記第４の観点の製造方法に好まし
く適用できる。なお、熱処理時間５秒以下１秒以上と限
定した理由は、この条件範囲外では前記表面の結晶化
率、絶縁層全体の気孔率および熱処理後の外径を前記特
定値とすることが出来ないためである。
ブルの製造方法は、前記第４の観点の製造方法に好まし
く適用できる。なお、熱処理時間５秒以下１秒以上と限
定した理由は、この条件範囲外では前記表面の結晶化
率、絶縁層全体の気孔率および熱処理後の外径を前記特
定値とすることが出来ないためである。
【００１７】第６の観点として本発明は、前記迅速エッ
チング処理工程における活性化処理時間を０．１０秒以
上０．３０秒以内に設定するセミリジッド型同軸ケーブ
ルの製造方法にある。
チング処理工程における活性化処理時間を０．１０秒以
上０．３０秒以内に設定するセミリジッド型同軸ケーブ
ルの製造方法にある。
【００１８】上記第６の観点のセミリジッド型同軸ケー
ブルの製造方法は、前記第４又は第５の観点の製造方法
に好ましく適用できる。なお、活性化処理時間が０．１
０秒より短いと、エッチング処理の効果が薄く、外部金
属導体層の形成が困難となるので好ましくない。また活
性化処理時間が０．３０秒より長いと、絶縁体コア内部
までエッチング処理により浸食され、コア内部まで外部
金属導体処理されることにより端末加工性を悪くしてし
まうので好ましくない。
ブルの製造方法は、前記第４又は第５の観点の製造方法
に好ましく適用できる。なお、活性化処理時間が０．１
０秒より短いと、エッチング処理の効果が薄く、外部金
属導体層の形成が困難となるので好ましくない。また活
性化処理時間が０．３０秒より長いと、絶縁体コア内部
までエッチング処理により浸食され、コア内部まで外部
金属導体処理されることにより端末加工性を悪くしてし
まうので好ましくない。
【００１９】第７の観点として本発明は、前記迅速エッ
チング処理工程と前記外部導体層形成工程を分離した独
立工程で行うセミリジッド型同軸ケーブルの製造方法に
ある。
チング処理工程と前記外部導体層形成工程を分離した独
立工程で行うセミリジッド型同軸ケーブルの製造方法に
ある。
【００２０】上記第７の観点のセミリジッド型同軸ケー
ブルの製造方法は、前記第４、５又は第６の観点の製造
方法に好ましく適用できる。なお、前記迅速エッチング
処理工程と前記外部導体層形成工程を分離した独立工程
で行う理由は、迅速エッチング処理工程における活性化
処理時間と外部導体形成工程におけるめっき処理時間と
では処理時間が大きく異なり、生産効率或は装置効率を
考慮すれば分割工程とすることがより効果的であること
による。
ブルの製造方法は、前記第４、５又は第６の観点の製造
方法に好ましく適用できる。なお、前記迅速エッチング
処理工程と前記外部導体層形成工程を分離した独立工程
で行う理由は、迅速エッチング処理工程における活性化
処理時間と外部導体形成工程におけるめっき処理時間と
では処理時間が大きく異なり、生産効率或は装置効率を
考慮すれば分割工程とすることがより効果的であること
による。
【００２１】第８の観点として本発明は、前記迅速エッ
チング処理工程後、絶縁体コアの内部まで乾燥させる乾
燥工程を設けるセミリジッド型同軸ケーブルの製造方法
にある。
チング処理工程後、絶縁体コアの内部まで乾燥させる乾
燥工程を設けるセミリジッド型同軸ケーブルの製造方法
にある。
【００２２】上記第８の観点のセミリジッド型同軸ケー
ブルの製造方法は、前記第４、５、６又は第７の観点の
製造方法に好ましく適用できる。なお、前記迅速エッチ
ング処理工程後には通常アルコール洗浄，水洗工程が設
けられるが、線速が速いため、アルコール洗浄，水洗後
の乾燥が充分されない可能性があり、その場合は次の外
部導体形成工程で問題となるためである。
ブルの製造方法は、前記第４、５、６又は第７の観点の
製造方法に好ましく適用できる。なお、前記迅速エッチ
ング処理工程後には通常アルコール洗浄，水洗工程が設
けられるが、線速が速いため、アルコール洗浄，水洗後
の乾燥が充分されない可能性があり、その場合は次の外
部導体形成工程で問題となるためである。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図に示す実施の形態に基づ
き本発明を更に詳細に説明する。なお、これにより本発
明が限定されるものではない。 −第１の実施の形態− 図１は、本発明のセミリジッド型同軸ケーブルの１実施
形態を示す横断面図である。セミリジッド型同軸ケーブ
ル１は、中心導体２の外周に表面の結晶化率が７５〜９
２％に調整され，また絶縁層全体の気孔率が５〜３０％
に調整された多孔質ＰＴＦＥ絶縁層３が形成されて多孔
質ＰＴＦＥ絶縁体コア（以下、絶縁体コアと略記する）
ｃとなり、この絶縁体コアｃの外周に無電解めっきアン
カー金属層４ａと電気めっき金属層４ｂが順次施された
外部金属導体層４が形成されている。例えば、前記多孔
質ＰＴＦＥ絶縁層３は、結晶化率９５％以上で気孔率３
０〜５０％のペースト押出し成形した未焼結の多孔質Ｐ
ＴＦＥ絶縁体が瞬間的な熱処理を施されて形成される。
なおこの際、前記未焼結ＰＴＦＥ絶縁体を設けたコア
（以下、未焼結絶縁体コアと略記する、また図示しない
が、ｃ’とする）の外径が熱処理されることにより、絶
縁体コアｃの外径は５〜３０％収縮されている。
き本発明を更に詳細に説明する。なお、これにより本発
明が限定されるものではない。 −第１の実施の形態− 図１は、本発明のセミリジッド型同軸ケーブルの１実施
形態を示す横断面図である。セミリジッド型同軸ケーブ
ル１は、中心導体２の外周に表面の結晶化率が７５〜９
２％に調整され，また絶縁層全体の気孔率が５〜３０％
に調整された多孔質ＰＴＦＥ絶縁層３が形成されて多孔
質ＰＴＦＥ絶縁体コア（以下、絶縁体コアと略記する）
ｃとなり、この絶縁体コアｃの外周に無電解めっきアン
カー金属層４ａと電気めっき金属層４ｂが順次施された
外部金属導体層４が形成されている。例えば、前記多孔
質ＰＴＦＥ絶縁層３は、結晶化率９５％以上で気孔率３
０〜５０％のペースト押出し成形した未焼結の多孔質Ｐ
ＴＦＥ絶縁体が瞬間的な熱処理を施されて形成される。
なおこの際、前記未焼結ＰＴＦＥ絶縁体を設けたコア
（以下、未焼結絶縁体コアと略記する、また図示しない
が、ｃ’とする）の外径が熱処理されることにより、絶
縁体コアｃの外径は５〜３０％収縮されている。
【００２４】−第２の実施の形態− 図２は、本発明のセミリジッド型同軸ケーブルの製造方
法の１実施形態を示す工程フロー図で、この工程フロー
図と図１に沿いセミリジッド型同軸ケーブル１の製造方
法を詳述する。絶縁体コア形成工程は絶縁体被覆工程と
熱処理工程とでなる。先ず絶縁体被覆工程では、中心導
体２の外周にペースト押出し成形により、例えば結晶化
率９７％，気孔率４０％の未焼結ＰＴＦＥ絶縁体が被覆
されたコアｃ’が形成される。続いて、熱処理工程で
は、前記未焼結絶縁体コアｃ’を雰囲気温度３３０〜３
８０°Ｃのサンドバス槽に約３秒間通して絶縁体コア
ｃ’の表面を完全焼結させることなく、未焼結絶縁層全
体の外径を５〜３０％収縮させて、気孔率５〜３０％の
多孔質ＰＴＦＥ絶縁層３の被覆された絶縁体コアｃが形
成される。
法の１実施形態を示す工程フロー図で、この工程フロー
図と図１に沿いセミリジッド型同軸ケーブル１の製造方
法を詳述する。絶縁体コア形成工程は絶縁体被覆工程と
熱処理工程とでなる。先ず絶縁体被覆工程では、中心導
体２の外周にペースト押出し成形により、例えば結晶化
率９７％，気孔率４０％の未焼結ＰＴＦＥ絶縁体が被覆
されたコアｃ’が形成される。続いて、熱処理工程で
は、前記未焼結絶縁体コアｃ’を雰囲気温度３３０〜３
８０°Ｃのサンドバス槽に約３秒間通して絶縁体コア
ｃ’の表面を完全焼結させることなく、未焼結絶縁層全
体の外径を５〜３０％収縮させて、気孔率５〜３０％の
多孔質ＰＴＦＥ絶縁層３の被覆された絶縁体コアｃが形
成される。
【００２５】次の迅速エッチング処理工程では、前記絶
縁体コアｃは液温１０°Ｃの金属ナトリウム−ナフタレ
ン錯体溶液槽中に導入され、０．１０秒〜０．３０秒間
浸漬処理されて通過し、絶縁体コアの表面が活性化され
る。この後、アルコール洗浄と水洗により絶縁体コア表
面に付着する金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液が除
去され、乾燥される。更に前記アルコール洗浄，水洗
後、例えば６０℃のオーブン中で３〜２４時間乾燥させ
るという乾燥工程を設けるとより好ましい（図示せ
ず）。
縁体コアｃは液温１０°Ｃの金属ナトリウム−ナフタレ
ン錯体溶液槽中に導入され、０．１０秒〜０．３０秒間
浸漬処理されて通過し、絶縁体コアの表面が活性化され
る。この後、アルコール洗浄と水洗により絶縁体コア表
面に付着する金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液が除
去され、乾燥される。更に前記アルコール洗浄，水洗
後、例えば６０℃のオーブン中で３〜２４時間乾燥させ
るという乾燥工程を設けるとより好ましい（図示せ
ず）。
【００２６】次に、表面が活性化された絶縁体コアｃは
無電解めっき工程と電気めっき工程からなる外部導体形
成工程に導入される。先ず無電解めっき工程では、絶縁
体コアｃの脱脂洗浄と水洗の後、前処理として、絶縁体
コアは、表面に二塩化第一錫（ＳｎＣｌ2 ）を吸着させ
るシンセタイジング処理が施され、更にその表面にパラ
ジウム（Ｐｄ）を還元析出させる二塩化パラジウム（Ｐ
ｄＣｌ2 ）溶液中でのアクチベイテング処理が施され、
この後、８０°Ｃの無電解ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）
めっき液を用いた無電解めっき処理が施され、絶縁体コ
ア表面にＮｉ−Ｐのアンカー金属層４ａが析出形成され
る。続いて、電気めっき工程では、アンカー金属層４ａ
が形成された絶縁体コアは、水洗後、２５°Ｃの硫酸銅
めっき液中で電流密度１Ａ／ｄｍ2 、めっき時間２０分
の条件で銅めっきが施され、更に２５°Ｃの光沢硫酸銅
めっき液中で電流密度５Ａ／ｄｍ2 、めっき時間４０分
の条件で光沢銅めっきが施され電気めっき金属層４ｂが
形成され、水洗，乾燥して外部金属導体層４が得られ
る。かくして、セミリジッド型同軸ケーブル１が製造さ
れる。
無電解めっき工程と電気めっき工程からなる外部導体形
成工程に導入される。先ず無電解めっき工程では、絶縁
体コアｃの脱脂洗浄と水洗の後、前処理として、絶縁体
コアは、表面に二塩化第一錫（ＳｎＣｌ2 ）を吸着させ
るシンセタイジング処理が施され、更にその表面にパラ
ジウム（Ｐｄ）を還元析出させる二塩化パラジウム（Ｐ
ｄＣｌ2 ）溶液中でのアクチベイテング処理が施され、
この後、８０°Ｃの無電解ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）
めっき液を用いた無電解めっき処理が施され、絶縁体コ
ア表面にＮｉ−Ｐのアンカー金属層４ａが析出形成され
る。続いて、電気めっき工程では、アンカー金属層４ａ
が形成された絶縁体コアは、水洗後、２５°Ｃの硫酸銅
めっき液中で電流密度１Ａ／ｄｍ2 、めっき時間２０分
の条件で銅めっきが施され、更に２５°Ｃの光沢硫酸銅
めっき液中で電流密度５Ａ／ｄｍ2 、めっき時間４０分
の条件で光沢銅めっきが施され電気めっき金属層４ｂが
形成され、水洗，乾燥して外部金属導体層４が得られ
る。かくして、セミリジッド型同軸ケーブル１が製造さ
れる。
【００２７】次に、本発明の要点をなす熱処理工程の熱
処理温度と、迅速エッチング処理工程の活性化処理時間
を変えて製造した実施の形態を記す。なお、各実施の形
態とも上記に説明した図２のフロー工程図に従い製造し
た図１の構成を有するセミリジッド型同軸ケーブルであ
る。
処理温度と、迅速エッチング処理工程の活性化処理時間
を変えて製造した実施の形態を記す。なお、各実施の形
態とも上記に説明した図２のフロー工程図に従い製造し
た図１の構成を有するセミリジッド型同軸ケーブルであ
る。
【００２８】−第３の実施の形態− 外径０．１６２ｍｍの銀めっき銅覆鋼線の中心導体２の
外周に、未焼結の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押出し
被覆し、被覆厚さ０．２１９ｍｍ，結晶化率９７％，気
孔率４０％の未焼結ＰＴＦＥ絶縁層を形成し、これを３
３０°Ｃのサンドバス槽で３秒間加熱処理し、被覆厚さ
０．１７ｍｍ，結晶化率８５％，気孔率２５％の多孔質
ＰＴＦＥ絶縁層３を設け、外径０．５０ｍｍの絶縁体コ
アｃを得た。
外周に、未焼結の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押出し
被覆し、被覆厚さ０．２１９ｍｍ，結晶化率９７％，気
孔率４０％の未焼結ＰＴＦＥ絶縁層を形成し、これを３
３０°Ｃのサンドバス槽で３秒間加熱処理し、被覆厚さ
０．１７ｍｍ，結晶化率８５％，気孔率２５％の多孔質
ＰＴＦＥ絶縁層３を設け、外径０．５０ｍｍの絶縁体コ
アｃを得た。
【００２９】次に、前記絶縁体コアｃを液温１０°Ｃの
金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液中で０．２０秒間
活性化処理した。次に、この活性化処理後の絶縁体コア
ｃの外周に無電解めっきにより０．５μｍ厚さのＮｉ−
Ｐアンカー金属層４ａを施し、更にアンカー金属層４ａ
上に電気めっきにより５０μｍ厚さの銅めっきの金属層
４ｂを施し、合計厚さ５０．５μｍの外部導体層４を設
けた。得られたセミリジッド型同軸ケーブル１の外径は
０．６０３ｍｍであつた。
金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液中で０．２０秒間
活性化処理した。次に、この活性化処理後の絶縁体コア
ｃの外周に無電解めっきにより０．５μｍ厚さのＮｉ−
Ｐアンカー金属層４ａを施し、更にアンカー金属層４ａ
上に電気めっきにより５０μｍ厚さの銅めっきの金属層
４ｂを施し、合計厚さ５０．５μｍの外部導体層４を設
けた。得られたセミリジッド型同軸ケーブル１の外径は
０．６０３ｍｍであつた。
【００３０】−第４の実施の形態− 絶縁体コアｃを形成する際、サンドバス槽での加熱処理
温度を３５０℃とした以外は、前記第３の実施の形態と
全く同一条件でセミリジッド型同軸ケーブル１を製造し
た。
温度を３５０℃とした以外は、前記第３の実施の形態と
全く同一条件でセミリジッド型同軸ケーブル１を製造し
た。
【００３１】−第５の実施の形態− 絶縁体コアｃを形成する際、サンドバス槽での加熱処理
温度を３８０℃とした以外は、前記第３の実施の形態と
全く同一条件でセミリジッド型同軸ケーブル１を製造し
た。
温度を３８０℃とした以外は、前記第３の実施の形態と
全く同一条件でセミリジッド型同軸ケーブル１を製造し
た。
【００３２】−第６の実施の形態− 絶縁体コアｃを液温１０°Ｃの金属ナトリウム−ナフタ
レン錯体溶液中で活性化処理する時間を０．３０秒間と
した以外は、前記第３の実施の形態と全く同一条件でセ
ミリジッド型同軸ケーブル１を製造した。
レン錯体溶液中で活性化処理する時間を０．３０秒間と
した以外は、前記第３の実施の形態と全く同一条件でセ
ミリジッド型同軸ケーブル１を製造した。
【００３３】−第７の実施の形態− 絶縁体コアｃを液温１０°Ｃの金属ナトリウム−ナフタ
レン錯体溶液中で活性化処理する時間を０．１５秒間と
した以外は、前記第４の実施の形態と全く同一条件でセ
ミリジッド型同軸ケーブル１を製造した。
レン錯体溶液中で活性化処理する時間を０．１５秒間と
した以外は、前記第４の実施の形態と全く同一条件でセ
ミリジッド型同軸ケーブル１を製造した。
【００３４】−第８の実施の形態− 絶縁体コアｃを液温１０°Ｃの金属ナトリウム−ナフタ
レン錯体溶液中で活性化処理する時間を０．１０秒間と
した以外は、前記第５の実施の形態と全く同一条件でセ
ミリジッド型同軸ケーブル１を製造した。
レン錯体溶液中で活性化処理する時間を０．１０秒間と
した以外は、前記第５の実施の形態と全く同一条件でセ
ミリジッド型同軸ケーブル１を製造した。
【００３５】−第１の比較の形態（参考例）− 絶縁体コアｃを形成する際、サンドバス槽での加熱処理
温度を３２０℃とした以外は、前記第３の実施の形態と
全く同一条件でセミリジッド型同軸ケーブル１を製造し
た。
温度を３２０℃とした以外は、前記第３の実施の形態と
全く同一条件でセミリジッド型同軸ケーブル１を製造し
た。
【００３６】−第２の比較の形態（参考例）− 絶縁体コアｃを形成する際、サンドバス槽での加熱処理
温度を３９０℃とした以外は、前記第３の実施の形態と
全く同一条件でセミリジッド型同軸ケーブル１を製造し
た。
温度を３９０℃とした以外は、前記第３の実施の形態と
全く同一条件でセミリジッド型同軸ケーブル１を製造し
た。
【００３７】−第３の比較の形態（参考例）− 絶縁体コアｃを液温１０°Ｃの金属ナトリウム−ナフタ
レン錯体溶液中で活性化処理する時間を０．３５秒間と
した以外は、前記第１の比較の形態と全く同一条件でセ
ミリジッド型同軸ケーブル１を製造した。
レン錯体溶液中で活性化処理する時間を０．３５秒間と
した以外は、前記第１の比較の形態と全く同一条件でセ
ミリジッド型同軸ケーブル１を製造した。
【００３８】−第４の比較の形態（参考例）− 絶縁体コアｃを液温１０°Ｃの金属ナトリウム−ナフタ
レン錯体溶液中で活性化処理する時間を０．０５秒間と
した以外は、前記第２の比較の形態と全く同一条件でセ
ミリジッド型同軸ケーブル１を製造した。
レン錯体溶液中で活性化処理する時間を０．０５秒間と
した以外は、前記第２の比較の形態と全く同一条件でセ
ミリジッド型同軸ケーブル１を製造した。
【００３９】上記熱処理温度を変えて作製した前記実施
の形態３〜５および前記比較の形態１，２の中間試料に
ついて、絶縁体コア上への金属めっき性を試験した。ま
た得られたセミリジッド型同軸ケーブルについて、形成
した外部金属導体層（金属めっき層）と絶縁体コアとの
端末剥離性および半田耐熱性を評価した結果を下記表１
に示す。なお、熱処理後の絶縁体コアの外径の収縮率
（断面積比）は全て３０％であった。
の形態３〜５および前記比較の形態１，２の中間試料に
ついて、絶縁体コア上への金属めっき性を試験した。ま
た得られたセミリジッド型同軸ケーブルについて、形成
した外部金属導体層（金属めっき層）と絶縁体コアとの
端末剥離性および半田耐熱性を評価した結果を下記表１
に示す。なお、熱処理後の絶縁体コアの外径の収縮率
（断面積比）は全て３０％であった。
【００４０】
【表１】
【００４１】上記表１の評価結果から明らかなように、
未焼結ＰＴＦＥ絶縁層の熱処理温度を調整することによ
り、健全な外部金属導体層を施すことが可能となり、ま
た形成された外部金属導体層と絶縁体コアとの剥離性も
極めて良好となり、また、セミリジッド型同軸ケーブル
としての半田耐熱性も良好となることが分かる。
未焼結ＰＴＦＥ絶縁層の熱処理温度を調整することによ
り、健全な外部金属導体層を施すことが可能となり、ま
た形成された外部金属導体層と絶縁体コアとの剥離性も
極めて良好となり、また、セミリジッド型同軸ケーブル
としての半田耐熱性も良好となることが分かる。
【００４２】また、上記の熱処理温度および活性化処理
時間を変えて作製した前記実施の形態６〜８および前記
比較の形態３，４の中間試料について、絶縁体コア上へ
の金属めっき性を試験した。また得られたセミリジッド
型同軸ケーブルについて、形成した外部金属導体層と絶
縁体コアとの端末剥離性および半田耐熱性を評価した結
果を下記表２に示す。なお、熱処理後の絶縁体コアの外
径の収縮率（断面積比）は全て３０％であった。
時間を変えて作製した前記実施の形態６〜８および前記
比較の形態３，４の中間試料について、絶縁体コア上へ
の金属めっき性を試験した。また得られたセミリジッド
型同軸ケーブルについて、形成した外部金属導体層と絶
縁体コアとの端末剥離性および半田耐熱性を評価した結
果を下記表２に示す。なお、熱処理後の絶縁体コアの外
径の収縮率（断面積比）は全て３０％であった。
【００４３】
【表２】
【００４４】上記表２の評価結果から明らかなように、
多孔質ＰＴＦＥ絶縁層を活性化処理する時間を調整する
ことによって、健全な外部金属導体層を施すことが可能
となり、また形成された外部金属導体層と絶縁体コアと
の剥離性も極めて良好となり、またセミリジッド型同軸
ケーブルとしての半田耐熱性も良好となることが分か
る。
多孔質ＰＴＦＥ絶縁層を活性化処理する時間を調整する
ことによって、健全な外部金属導体層を施すことが可能
となり、また形成された外部金属導体層と絶縁体コアと
の剥離性も極めて良好となり、またセミリジッド型同軸
ケーブルとしての半田耐熱性も良好となることが分か
る。
【００４５】
【発明の効果】本発明のセミリジッド型同軸ケーブルお
よびその製造方法によれば、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層に外
部金属導体層を形成するに際し、所定の未焼結ＰＴＦＥ
絶縁層を瞬間的に加熱処理することにより、表面を完全
焼結させることなく、絶縁層全体の外径を収縮させて、
必要最低限の気孔率を維持し、剛性を向上させた絶縁体
コアを形成させ、この絶縁体コアを短時間の活性化処理
を施すことにより、該コア表面に健全な外部金属導体層
を形成することができる。このように形成された外部金
属導体層は多孔質ＰＴＦＥ絶縁層内に楔状に形成される
ことがないので、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層との密着性が過
度になることなく適正に保持される。従って、端末処理
を施す際、外部金属導体層を多孔質ＰＴＦＥ絶縁層から
確実、容易に剥離することができる。また、多孔質ＰＴ
ＦＥ絶縁層は完全焼結されないので、絶縁層の高周波電
気特性に大きな低下をもたらすことなく多孔質絶縁層表
面の剛性を高めることができる。従って、端末加工処理
を施すときに、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層が潰れたり引き伸
ばされたりすることがなくなり、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層
を中心導体から輪切り剥離することが容易に行える。か
かる本発明のセミリジッド型同軸ケーブルおよびその製
造方法は、高周波電気特性、耐熱性、端末加工性に優れ
るセミリジッド型同軸ケーブルを提供するうえで有用で
ある。
よびその製造方法によれば、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層に外
部金属導体層を形成するに際し、所定の未焼結ＰＴＦＥ
絶縁層を瞬間的に加熱処理することにより、表面を完全
焼結させることなく、絶縁層全体の外径を収縮させて、
必要最低限の気孔率を維持し、剛性を向上させた絶縁体
コアを形成させ、この絶縁体コアを短時間の活性化処理
を施すことにより、該コア表面に健全な外部金属導体層
を形成することができる。このように形成された外部金
属導体層は多孔質ＰＴＦＥ絶縁層内に楔状に形成される
ことがないので、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層との密着性が過
度になることなく適正に保持される。従って、端末処理
を施す際、外部金属導体層を多孔質ＰＴＦＥ絶縁層から
確実、容易に剥離することができる。また、多孔質ＰＴ
ＦＥ絶縁層は完全焼結されないので、絶縁層の高周波電
気特性に大きな低下をもたらすことなく多孔質絶縁層表
面の剛性を高めることができる。従って、端末加工処理
を施すときに、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層が潰れたり引き伸
ばされたりすることがなくなり、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層
を中心導体から輪切り剥離することが容易に行える。か
かる本発明のセミリジッド型同軸ケーブルおよびその製
造方法は、高周波電気特性、耐熱性、端末加工性に優れ
るセミリジッド型同軸ケーブルを提供するうえで有用で
ある。
【図１】本発明のセミリジッド型同軸ケーブルの１実施
形態を示す横断面図である。
形態を示す横断面図である。
【図２】本発明のセミリジッド型同軸ケーブルの製造方
法の１実施形態を示す工程フロー図である。
法の１実施形態を示す工程フロー図である。
１ セミリジッド型同軸ケーブル ２ 中心導体 ３ 多孔質ＰＴＦＥ絶縁層 ４ 外部金属導体層（めっき金属層） ４ａ 無電解めっきアンカー金属層 ４ｂ 電気めっき金属層 ｃ 絶縁体コア
Claims (8)
- 【請求項１】 中心導体の外周に、表面の結晶化率を７
５〜９２％，また絶縁層全体の気孔率を５〜３０％に熱
処理調整した多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁層を設け、
この多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁層上に無電解めっき
アンカー金属層と電気めっき金属層を順次施した外部金
属導体層を設けたことを特徴とするセミリジッド型同軸
ケーブル。 - 【請求項２】 前記熱処理調整した多孔質四弗化エチレ
ン樹脂絶縁層層は、結晶化率９５％以上で気孔率３０〜
５０％のペースト押出し成形した未焼結の多孔質四弗化
エチレン樹脂絶縁体が瞬間的な熱処理を施され、表面の
結晶化率が７５〜９２％に調整され、また絶縁層全体の
気孔率が５〜３０％に調整され、更に熱処理後の外径が
５〜３０％収縮されていることを特徴とする請求項１記
載のセミリジッド型同軸ケーブル。 - 【請求項３】 前記熱処理調整した多孔質四弗化エチレ
ン樹脂絶縁層の外径が１．０ｍｍ以下の細径であること
を特徴とする請求項１又は２記載のセミリジッド型同軸
ケーブル。 - 【請求項４】 中心導体の外周に結晶化率９５％以上で
気孔率３０〜５０％の未焼結の多孔質四弗化エチレン樹
脂絶縁層を施す絶縁体被覆工程と該未焼結の多孔質四弗
化エチレン樹脂絶縁層の表面を焼結することなく瞬間的
な加熱処理を施し，表面の結晶化率を７５〜９２％に調
整し、また絶縁層全体の気孔率を５〜３０％に調整し、
更に熱処理後の外径を５〜３０％収縮させる熱処理工程
からなる絶縁体コア形成工程と、前記絶縁体コアの表面
を短時間に活性化処理する迅速エッチング処理工程と、
前記迅速にエッチング処理された絶縁体コアの外周に無
電解めっき法によりアンカー金属層を形成する無電解め
っき工程と該アンカー金属層の外周に電気めっき法によ
り金属層を形成する電気めっき工程からなる外部導体形
成工程とを有することを特徴とするセミリジッド型同軸
ケーブルの製造方法。 - 【請求項５】 前記熱処理工程が、サンドバス，溶融塩
或は不活性溶液を用い、該サンドバス等中を熱処理温度
３３０℃〜３８０℃，熱処理時間５秒以下１秒以上の高
速で通過させる方法であることを特徴とする請求項４記
載のセミリジッド型同軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項６】 前記、迅速エッチング処理工程におけ
る活性化処理時間を０．１０秒以上０．３０秒以内に設
定することを特徴とする請求項４又は５記載のセミリジ
ッド型同軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項７】 前記迅速エッチング処理工程と前記外部
導体層形成工程を分離した独立工程で行うことを特徴と
する請求項４、５又は６記載のセミリジッド型同軸ケー
ブルの製造方法。 - 【請求項８】 前記迅速エッチング処理工程後、絶縁体
コアの内部まで乾燥させる乾燥工程を設けることを特徴
とする請求項４、５、６又は７記載のセミリジッド型同
軸ケーブルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18744298A JP3635560B2 (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | セミリジッド型同軸ケーブル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18744298A JP3635560B2 (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | セミリジッド型同軸ケーブル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021250A true JP2000021250A (ja) | 2000-01-21 |
| JP3635560B2 JP3635560B2 (ja) | 2005-04-06 |
Family
ID=16206147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18744298A Expired - Fee Related JP3635560B2 (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | セミリジッド型同軸ケーブル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3635560B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2001357729A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Daikin Ind Ltd | 高周波信号伝送用製品の絶縁用ポリテトラフルオロエチレン混合粉末およびそれを用いた高周波信号伝送用製品 |
| US6696647B2 (en) | 2002-03-05 | 2004-02-24 | Hitachi Cable, Ltd. | Coaxial cable and coaxial multicore cable |
| JP2005268005A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Totoku Electric Co Ltd | 高性能セミリジッド同軸ケーブルおよび該同軸ケーブルアセンブリ |
| KR100768799B1 (ko) | 2006-07-04 | 2007-10-23 | (주)예은테크 | 동축 케이블 제조 장치 및 방법 |
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-
1998
- 1998-07-02 JP JP18744298A patent/JP3635560B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2001357729A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Daikin Ind Ltd | 高周波信号伝送用製品の絶縁用ポリテトラフルオロエチレン混合粉末およびそれを用いた高周波信号伝送用製品 |
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