JP2000019747A - 負帯電単層型電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高感度でしかも光応答性に優れ、更に繰り返
し時における帯電性や感度の安定性にも優れた負帯電単
層型電子写真感光体を提供するにある。 【解決手段】 少なくとも電荷発生顔料、正孔輸送剤及
び電子輸送剤を結着樹脂中に分散させた感光層を導電性
支持体上に設けてなる単層型電子写真感光体において、
下記式（Ｉ） Ｒ＝ｄ₅₀／ｄ ‥（Ｉ） 式中、ｄは感光層の厚み（μｍ）を表し、ｄ₅₀は電荷発
生顔料の主吸収波長の光線で測定して感光層全体の吸光
率の５０％の吸光率を示す感光層部位の表面からの深さ
（μｍ）を表す、で定義される有効吸収厚み比（Ｒ）が
０．２６乃至０．４２の範囲にあることを特徴とする負
帯電単層型電子写真感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高感度でしかも優
れた光応答性を有する負帯電単層型電子写真感光体に関
するもので、電子写真複写、プリンター、普通紙ファッ
クス等に使用するための負帯電単層型電子写真感光体に
関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真法においては、電子写真感光体
を帯電し、画像露光して静電潜像を形成し、この静電潜
像を現像バイアス電圧が印加された状態でトナー現像
し、形成されるトナー像を転写紙等に転写し、定着して
画像形成を行う。この電子写真法はデジタル式またはア
ナログ式の複写、プリンター或いは普通紙ＦＡＸ等に広
く使用されている。

【０００３】この電子写真法に用いる感光体として、従
来セレン感光体やアモルファスシリコン感光体が使用さ
れていたが、近年有機感光体（ＯＰＣ）も広く使用され
るに至っている。有機感光体には、電荷発生剤（ＣＧ
Ｍ）と電荷輸送剤（ＣＴＭ）を別々の層として積層した
機能分離型の積層感光体と、これらＣＧＭ及びＣＴＭを
単一の分散層として設けた単層感光体とが代表的なもの
としてある。これらの積層型感光体及び単層型感光体に
は、それぞれ正帯電型のものと負帯電型のものとが知ら
れている。

【０００４】単層型感光体においては、電荷発生剤とし
て、電子輸送剤と正孔輸送剤との組み合わせを用いるこ
とはかなり一般化されており、例えば、特開平７−１９
１４７４号公報には、導電性基体上に少なくとも電荷発
生物質、電子輸送物質及び正孔輸送物質とが同一層中に
含有されている単層型電子写真感光体において、該電子
輸送物質と該正孔輸送物質との比が３：２〜５０：１
（重量比）であることを特徴とする負帯電単層型電子写
真感光体が記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記提案による負帯電
単層型電子写真感光体では、電荷発生剤の光照射により
発生する電荷の内、電子の輸送が重要な役目を担ってお
り、従って電子輸送剤の正孔輸送剤に対する量比を大き
くすることによって、感度を増大させようとするもので
あるが、この提案においては、感光層の吸光度を増大さ
せて、電荷発生を感光層表面近傍で行わせ、発生する電
子を電子輸送剤によって導電性基体側に輸送することが
大前提になっていると解される。

【０００６】しかしながら、同じ電荷輸送剤とはいえ、
現状の電子輸送剤は正孔輸送剤に比して電荷の移動度が
かなり低く、上記の提案のように電子輸送剤の量比を増
やしただけでは、高感度の負帯電単層型電子写真感光体
を得ることは困難であり、またこのような感光体は光応
答性においても未だ十分満足しうるものではない。

【０００７】即ち、本発明の目的は、上記従来技術の欠
点を解消し、高感度でしかも光応答性に優れ、更に繰り
返し時における帯電性や感度の安定性にも優れた負帯電
単層型電子写真感光体を提供するにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、少なく
とも電荷発生顔料、正孔輸送剤及び電子輸送剤を結着樹
脂中に分散させた感光層を導電性支持体上に設けてなる
単層型電子写真感光体において、下記式（Ｉ） Ｒ＝ｄ₅₀／ｄ ‥（Ｉ） 式中、ｄは感光層の厚み（μｍ）を表し、ｄ₅₀は電荷発
生顔料の主吸収波長の光線で測定して感光層全体の吸光
率の５０％の吸光率を示す感光層部位の表面からの深さ
（μｍ）を表す、で定義される有効吸収厚み比（Ｒ）が
０．２６乃至０．４２の範囲にあることを特徴とする負
帯電単層型電子写真感光体が提供される。本発明の感光
体においては、前記感光層の膜厚（ｄ）が１０乃至３０
μｍであることが好ましく、また感光層中における電子
輸送剤と正孔輸送剤の重量比が２：３以上で且つ３：２
未満であることが好ましい。

【０００９】

【発明の実施形態】［作用］本発明者らは、上記従来技
術の考えとは全く逆に、感光層中の電荷発生を感光層全
体にわたって可及的に均一に行わせ、発生する電荷の
内、電子輸送剤による電子の導電性基体側への輸送と、
正孔輸送剤による正孔の感光層表面への輸送とを並行的
に行うことが感度の増大及び光応答性の向上に連なると
の考えに到達した。

【００１０】この考えの基に、電荷発生顔料、正孔輸送
剤及び電子輸送剤を含有する負帯電単層型電子写真感光
体の感光層についての光の吸収を、表面から一定の深さ
の部分で一定の割合で行われるようにするときには、顕
著な感度の増大及び光応答性の向上が得られることを見
出した。

【００１１】後述する実施例及び比較例の表１には、上
記負帯電単層型電子写真感光体について、前記式（Ｉ）
で定義される有効吸収厚み比（Ｒ）を種々変化させた場
合の感度と光応答性との測定結果が示されている。これ
らの例において電荷発生顔料として用いたＸ型無金属フ
タロシアニンは、主吸収波長が７８０ｎｍであるので、
透過率の測定にはこの波長の光線を使用し、感度の評価
には露光開始３３０ｍｓｅｃ後の感光層表面電位（Ｖ
Ｌ）及び光応答性の評価には半減露光量（Ｅ1/2）を用
いている。

【００１２】この結果によると、上記感光体における有
効吸収厚み比（Ｒ）は、感度や光応答性と密接な関係を
有しており、上記有効吸収厚み比（Ｒ）が０．２６乃至
０．４２の範囲にある感光体では、有効吸収厚み比
（Ｒ）が０．２６を下回る感光体や、有効吸収厚み比
（Ｒ）が０．４２を上回る感光体に比して、顕著な感度
の増大及び光応答性の向上がもたらされているという驚
くべき事実が明らかとなる。

【００１３】感光体における吸光率（Ａ）と、感光層表
面からの厚み（ｔ）との関係は、一般に下記式（II） Ａ＝１−ｅｘｐ（−ｋｔ） ‥（II） 式中、ｋは感光層によって定まる係数である、で表され
るように、表面からの厚みが増すにつれて、単調に増大
するが、その微分係数は厚みが大きくなるにつれて次第
に小さくなっている。

【００１４】添付図面の図１は、感光層全体の吸光率が
５０％、７０％、９０％及び９９％である厚さ２０μｍ
の感光体について、感光層表面からの厚み（深さ）ｔと
吸光率Ａとの関係がプロットされている。尚、吸光率Ａ
は、入射光の強度をＩ₀ 、透過光の強度をＩとしたと
き、式（III） Ａ＝１−Ｉ／Ｉ₀ ‥（III） で求めることができる。

【００１５】本発明における有効吸収厚み比（Ｒ）と
は、感光層全体の光吸収の５０％の吸収が生じる部位
が、感光層全体の厚みに対して、どのぐらいの厚さのと
ころに位置しているかを示すものであり、図１に示した
例では、吸光率９９％では０．１４８、吸光率９０％で
は０．２６０、吸光率７０％では０．３５８、吸光率５
０％では０．４１５の値をとる。即ち、この有効吸収厚
み比（Ｒ）は、感光層における光線吸収、従って電荷発
生が生じる部分の厚さ方向の分布を表している。

【００１６】有効吸収厚み比（Ｒ）が０．２６乃至０．
４２の範囲にある本発明の負帯電単層型電子写真感光体
では、光線の吸収、即ち電荷の発生が、感光層表面乃至
その近傍は勿論のこと、導電性支持体側でも有効に行わ
れ、電子輸送の平均距離を短くするのに役立っており、
これが感度の増大及び光応答性の向上につながっている
と考えられる。

【００１７】有効吸収厚み比（Ｒ）が０．２６を下回る
感光層では感度及び光応答性とも低下しているが、この
ような感光体では、電子輸送の平均距離が長くなってお
り、これによる電子輸送の失速が感度等の低下に結びつ
いているためと考えられる。一方、有効吸収厚み比
（Ｒ）が０．４２を上回る感光層でも感度及び光応答性
とも低下しているが、このような感光体では、感光層全
体での光吸収効率が低く、これがやはり感度等の低下に
結びついていると考えられる。

【００１８】本発明において、有効吸収厚み比（Ｒ）が
０．２６乃至０．４２の感光体を用いることは、感度の
増大及び光応答性の向上に加えて、感光体の繰り返し特
性を向上させるという付加的な利点をもたらす。即ち、
感光層が同じ厚みの感光体で比較した場合、有効吸収厚
み比（Ｒ）が０．２６未満の従来の感光体に比して電荷
発生顔料を低い濃度で含有している。一般に、感光層の
繰り返し時における帯電性の低下（帯電電位の低下）
や、感度の低下は、感光層中の顔料の劣化によることが
知られている。本発明の感光体では、感光層中の顔料濃
度を低くできるので、感光体の繰り返し特性をも向上さ
せることができる。

【００１９】本発明の感光体では、感光層の膜厚が１０
乃至３０μｍ、特に１５乃至２５μｍの範囲にあること
が好適である。感光層の厚みが上記範囲を下回ると、感
光体の帯電電位が低下する傾向があると共に、感度や光
応答性も上記厚みを有するものに比して低下する傾向が
ある。一方、感光層の厚みが上記範囲を上回ると、感度
や光応答性も上記厚みを有するものに比して低下する傾
向がある。

【００２０】また、本発明の感光体では、電子輸送剤と
正孔輸送剤との重量比が２：３以上で且つ３：２未満で
あること、特に４：５乃至７：５の範囲にあることが好
ましい。即ち、電子輸送剤と正孔輸送剤との間には一定
の量的バランスが必要であり、電子輸送剤の量が上記範
囲よりも多い場合或いは上記範囲よりも少ない場合の何
れの場合も、上記範囲にある場合に比して感度或いは光
応答性が低下する傾向がある。

【００２１】［電子写真感光体］本発明の電子写真感光
体の一例を示す図２において、この負帯電単層型電子写
真感光体１は、導電性支持体２と単層有機感光層３とか
ら構成される。この単層有機感光層３は、少なくとも電
荷発生顔料、正孔輸送剤及び電子輸送剤が結着樹脂中に
分散させたものから形成されており、感光層３は、電荷
発生顔料の主吸収波長の光線で測定した透過率が１０乃
至５０％になるように構成されている。露光に先立っ
て、感光層３の表面は負帯電されており、一方導電性支
持体２の感光層側表面は正に誘導帯電されている。この
感光層３を画像露光すると、電荷発生顔料４には正孔Ｈ
と電子ｅとの対が発生し、発生する電子ｅは電子輸送剤
により導電性支持体２の表面に輸送され、一方発生する
正孔Ｈは正孔輸送剤により感光層３の表面に輸送され
て、表面電荷の消失が行われ、静電潜像の形成が行われ
る。本発明では、既に説明した原理で、電子及び正孔の
輸送が有効に行われ、感度の増大及び光応答性の向上が
達成されるものである。以下感光層の組成について詳細
に説明する。

【００２２】［感光層組成］ （１）電荷発生顔料 電荷発生顔料としては、例えば、セレン、セレン−テル
ル、アモルファスシリコン、ピリリウム塩、アゾ系顔
料、ジスアゾ系顔料、アンサンスロン系顔料、フタロシ
アニン系顔料、インジコ系顔料、スレン系顔料、トルイ
ジン系顔料、ピラゾリン系顔料、ペリレン系顔料、キナ
クリドン系顔料等が例示され、所望の領域に吸収波長域
を有するよう、一種または二種以上混合して用いられ
る。

【００２３】本発明の目的に特に好適なものとして、次
のフタロシアニン顔料、ペリレン系顔料、ビスアゾ顔料
等が例示される。フタロシアニン系顔料としては、メタ
ルフリーフタロシアニン、アルミニウムフタロシアニ
ン、バナジウムフタロシアニン、カドミウムフタロシア
ニン、アンチモンフタロシアニン、クロムフタロシアニ
ン、銅４−フタロシアニン、ゲルマニウムフタロシアニ
ン、鉄フタロシアニン、クロロアルミニウムフタロシア
ニン、オキソチタニルフタロシアニン、クロロインジウ
ムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、マ
グネシウムフタロシアニン、ジアルキルフタロシアニ
ン、テトラメチルフタロシアニン、テトラフェニルフタ
ロシアニン等が挙げられる。また、結晶形も、α型、β
型、γ型、δ型、ε型、σ型、ｘ型、τ型等のものが何
れも使用可能である。Ｘ型無金属フタロシアニンが特に
好適なものである。

【００２４】ペリレン系顔料としては、特に一般式
（１）、

【化１】 式中、Ｒ₁ 及びＲ₂ の各々は、炭素数１８以下の置換ま
たは未置換のアルキル基、シクロアルキル基、アリール
基、アルカリール基、またはアラールキル基である。で
表されるもの。アルキル基としては、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基等が挙げられ、
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基等が挙げ
られ、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基等
が挙げられ、アルカリール基としては、トリル基、キシ
リル基、エチルフェニル基等が挙げられ、アラールキル
基としては、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられ
る。置換基としては、アルコキシ基、ハロゲン原子等が
ある。

【００２５】ビスアゾ顔料としては、特に下記式（２）

【化２】 式中、Ｙは複素環基を含んでいてもよい２価の芳香族性
の基であり、Ｃｐはカップラー残基である、で表わされ
るビスアゾ顔料が挙げられる。２価の芳香族性の基とし
ては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナン
トレン、クリセン、アントラキノン、ビフェノール、ビ
スフェノール類、或いは複素環或いは更にこれらの組み
合わせから誘導される２価の基が挙げられる。複素環基
としては、窒素、酸素、硫黄或いはこれらの組み合わせ
を環中に含有する単環或いは多環の飽和乃至不飽和の複
素環が挙げられ、、具体的には、ピロール、ピラゾー
ル、チオフェン、フラン、イミダゾリン、ピリミジン、
ピラゾリン、ピラン、ピリジン、ピリミジン、ベンゾフ
ラン、ベンゾイミダゾリン、ベンゾオキサゾール、イン
ドリン、キノリン、クロメン、カルバゾール、ジベンゾ
フラン、キサンテン、チオキサンテン等が挙げられる。
これら２価の基は、未置換でも或いは置換されていても
よく、置換基としては、アルキル基、アリール基或いは
複素環基が挙げられる。ここで、アルキル基としては、
メチル、エチル、プロピル、ブチル、アミル基等が挙げ
られ、アリール基としてはフェニル、ナフチル、ビフェ
ニル、アントリル、フェナントリル、フルオレニル基等
が挙げられ、複素環基としては、窒素、酸素、硫黄或い
はこれらの組み合わせを環中に含有する単環或いは多環
の飽和乃至不飽和の複素環基、例えばチエニル基、フリ
ル基、イミダゾリル基、ピロリル基、ピリミジニル基、
イミダゾール基、ピラジニル基、ピラゾリニル基、ピロ
リジニル基、ピラニル基、ピペリジル基、ピペラジニル
基、モルホリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピロリ
ジニル基、ピロリニル基、ベンゾフリル基、ベンゾイミ
ダゾリル基、ベンゾフラニル基、インドリル基、キノリ
ル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基等が挙げら
れる。一方、式（２）におけるカプラー残基としては、
この種のアゾ顔料に使用されるカプラー（アゾカップリ
ング成分）の残基であれば任意のもの、例えば置換或い
は未置換のフェノール類、ナフトール類、或いは水酸基
含有複素環環化合物等であってよく、ここで置換基とし
ては、低級アルキル基、低級アルコキシ基、アリール
基、アシルオキシ基、クロール等のハロゲン原子、ヒド
ロキシル基、ニトリル基、ニトロ基、アミノ基、アミド
基、アシルオキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。

【００２６】（２）電子輸送剤 電子輸送剤としては、電子輸送性を有する任意の材料が
単独或いは２種以上の組み合わせで使用される。電子輸
送剤としては、次のものが知られており、電子輸送性に
優れ、溶解性に優れたものを選択して用いることができ
る。パラジフェノキノン誘導体、ベンゾキノン誘導体、
ナフトキノン誘導体、ジナフトキノン誘導体、テトラシ
アノエチレン、テトラシアノキノジメタン、クロルアニ
ル、ブロモアニル、２，４，７−トリニトロ−９−フル
オレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオ
レノン、２，４，７−トリニトロ−９−ジシアノメチレ
ンフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサン
トン、２，４，８−トリニトロチオキサントンなどの電
子吸引性物質や、これら電子吸引性物質を高分子化した
もの。

【００２７】本発明の目的に特に好適な電子輸送剤とし
て、ジフェノキノン誘導体、特に下記式（３）

【化３】 式中、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅ 及びＲ₆ の各々は、アルキル
基、アルコキシ基または置換或いは未置換のアリール基
であって、これらは互いに同一であっても、或いは異な
っていてもよい、で表されるジフェノキノン誘導体を挙
げることができる。この誘導体中に存在するアルキル基
としては、炭素数１乃至８のアルキル基、例えばメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、
ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、アミ
ル基、２−エチルヘキシル基、シクロへキシル基等が挙
げられ、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。また、
アリール基としては、フェニル基やナフチル基が挙げら
れ、これらは未置換でも、或いはアルキル基、アルコキ
シ基、またはハロゲン原子等により置換されていてもよ
い。

【００２８】ジフェノキノン誘導体の具体例としては、
次のものが挙げられる。３，５−ジメチル−３’，５’
−ジｔ−ブチルジフェノキノン、３，５−ジメトキシ−
３’，５’−ジｔ−ブチルジフェノキノン、３，３’−
ジメチル−５，５’−ジｔ−ブチルジフェノキノン、
３，５’−ジメチル−３’，５−ジｔ−ブチルジフェノ
キノン、３，５，３’，５’−テトラメチルジフェノキ
ノン、２，６，２’，６’−テトラｔ−ブチルジフェノ
キノン、３，５，３’，５’−テトラフェニルジフェノ
キノン、３，５，３’，５’−テトラシクロヘキシルジ
フェノキノン

【００２９】本発明の目的に特に好適な他の電子輸送剤
として、ナフトキノン誘導体、特に下記式（４）

【化４】 式中、Ｒ₇ 及びＲ₈ の各々はアルキル基または置換また
は未置換のアリール基またはアラルキル基である、で表
されるナフトキノン誘導体を挙げることができる。アル
キル基またはアリール基としては、具体的には、式
（３）において既に例示したものが適当である。

【００３０】ナフトキノン誘導体の具体例としては、次
のものが挙げられる。２−フェニル−３−ｔブチルカル
ボニル−１，４−ナフトキノン２−フェニル−３−イソ
ブチルカルボニル−１，４−ナフトキノン２−ｐメチル
フェニル−３−ｔブチルカルボニル−１，４−ナフトキ
ノン

【００３１】本発明の目的に特に好適な更に他の電子輸
送剤として、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導
体、特に一般式（５）

【化５】 式中、ｍ及びｎはゼロを含む６以下の整数であって、互
いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ₉ は水素原子、ア
ルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子であり、Ｒ
₁₀及びＲ₁₁の各々は、置換または未置換のアルキル基、
アリール基、アルコキシ基またはアミノ基であって、互
いに同一でも異なっていてもよい、で表されるナフタレ
ンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を挙げることができ
る。

【００３２】この誘導体中に存在するＲ₉ は、水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、またはハロゲン原子で
あり、ここでアルキル基や、アルコキシ基は既に例示し
たものであってよい。また、ハロゲン原子としては、塩
素原子、臭素原子等が挙げられる。Ｒ₁₀及びＲ₁₁の各々
は、置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基また
はアリール基であって、アルキル基またはアルコキシ基
としては、既に例示したものがあり、アリール基として
は、フェニル基やナフチル基が挙げられる。これらは未
置換でも、或いはアルキル基、アルコキシ基、またはハ
ロゲン原子等により置換されていてもよく、これらの置
換基は、基Ｒ₁ に関して説明したものであってよい。

【００３３】ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導
体の具体的な例としては、次のものが例示される。Ｎ，
Ｎ’−ビス（２−エチル−６−メチルフェニル）ナフタ
レン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、
Ｎ，Ｎ’−ビス（２，４−ジメチル−６−エチルフェニ
ル）ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジ
イミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチル−６−エトキシフ
ェニル）ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン
酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチル−６−メトキ
シフェニル）ナフタレン−１，４，５，８−テトラカル
ボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチル−６−メ
トキシエチルフェニル）ナフタレン−１，４，５，８−
テトラカルボン酸ジイミド。Ｎ，Ｎ’−ビス（１，２−
ジメチルプロピル）ナフタレン−１，４，５，８−テト
ラカルボン酸ジイミド、Ｎ−２−エチル−６−メチルフ
ェニル−Ｎ’−１，２−ジメチルプロピル−ナフタレン
−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ−２
−エチル−６−メチルフェニル−Ｎ’−２−エトキシエ
チル−ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸
ジイミド、Ｎ−４−メチルフェニル−Ｎ’−２−エトキ
シエチル−ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボ
ン酸ジイミド、Ｎ−２−エチル−６−メチルフェニル−
Ｎ’−４−メチルフェニル−ナフタレン−１，４，５，
８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（１，
２−ジメチルプロピル）ナフタレン−１，４，５，８−
テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ−（２−エトキシエチ
ル）−Ｎ’−（２−メチル−６−エチルフェニル）ナフ
タレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、
Ｎ（１，２−ジメチルプロピル）−Ｎ’−（２−メチル
−６−エチルフェニル）ナフタレン−１，４，５，８−
テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ−（２−エトキシエチ
ル）−Ｎ’−（１，２−ジメチルプロピル）ナフタレン
−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド。

【００３４】上記ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド
誘導体は、対応するナフタレンテトラカルボン酸無水物
と、対応する１級アミン類とを溶媒中で還流下に反応さ
せることにより合成される。溶媒としては、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等の非プロトン性極
性有機溶媒を用いるのが好ましく、反応温度は溶媒の沸
点とするのが好ましい。また、反応は、ナフタレンテト
ラカルボン酸無水物に対して、化学量論的量以上の１級
アミンを使用して行うのが好ましい。

【００３５】（３）正孔輸送剤 正孔輸送性物質としては、例えば次のものが知られてお
り、これらの内から、溶解性や、正孔輸送性に優れてい
るものが使用される。ピレン、Ｎ−エチルカルバゾー
ル、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−メチル−Ｎ−
フエニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−カルバゾー
ル、Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジノ−３−メチリデン−
９−エチルカルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジ
ノ−３−メチリデン−１０−エチルフエノチアジン、
Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジノ−３−メチリデン−１０
−エチルフエノキサジン、ｐ−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラゾン、ｐ−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド−α−ナフチル−Ｎ−フエニ
ルヒドラゾン、ｐ−ピロリジノベンズアルデヒド−Ｎ，
Ｎ−ジフエニルヒドラゾン、１，３，３−トリメチルイ
ンドレニン−ω−アルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒド
ラゾン、ｐ−ジエチルベンズアルデヒド−３−メチルベ
ンズチアゾリノン−２−ヒドラゾンなどのヒドラゾン
塩、２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフエニル）−
１，３，４−オキサジゾール、１−フエニル−３−（ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミ
ノフエニル）ピラゾリン、１−［キノニル（２）］−３
−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチ
ルアミノフエニル）ピラゾリン、１−［ピリジル
（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、１−［６
−メトキシ−ピリジル（２）］−３−（ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニル）
ピラゾリン、１−［ピリジル（３）］−３−（ｐ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフエ
ニル）ピラゾリン、１−［レピジル（３）］−３−（ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミ
ノフエニル）ピラゾリン、１−［ピリジル（２）］−３
−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−５−
（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、１−［ピ
リジル（２）］−３−（α−メチル−ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−３−（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピ
ラゾリン、１−フエニル−３−（ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−４−メチル−５−（ｐ−ジエチルアミノフエ
ニル）ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン
類、２−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−３−ジエチ
ルアミノベンズオキサゾール、２−（ｐ−ジエチルアミ
ノフエニル）−４−（ｐ−ジメチルアミノフエニル）−
５−（２−クロロフエニル）オキサゾールなどのオキサ
ゾール系化合物、２−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−６−ジエチルアミノベンゾチアゾールなどのチアゾー
ル系化合物、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフ
エニル）フエニルメタンなどのトリアリ−ルメタン系化
合物、１，１−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−２
−メチルフエニル）ヘプタン、１，１，２，２−テトラ
キス（４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−２−メチルフエニ
ル）エタンなどのポリアリールアルカン類、Ｎ，Ｎ´−
ジフエニル−Ｎ，Ｎ´−ビス（メチルフエニル）ベンジ
ベン、Ｎ，Ｎ´−ジフエニル−Ｎ，Ｎ´−ビス（エチル
フエニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ´−ジフエニル−Ｎ，Ｎ
´−ビス（プロピルフエニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ´−
ジフエニル−Ｎ，Ｎ´−ビス（ブチルフエニル）ベンジ
ジン、Ｎ，Ｎ´−ビス（イソプロピルフエニル）ベンジ
ジン、Ｎ，Ｎ´−ジフエニル−Ｎ，Ｎ´−ビス（第２級
ブチルフエニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ´−ジフエニル−
Ｎ，Ｎ´−ビス（第３級ブチルフエニル）ベンジジン、
Ｎ，Ｎ´−ジフエニル−Ｎ，Ｎ´−ビス（２，４−ジメ
チルフエニル）ベンジベン、Ｎ，Ｎ´−ジフエニル−
Ｎ，Ｎ´−ビス（クロロフエニル）ベンジジンなどのベ
ンジジン系化合物、トリフエニルアミン、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアン
トラセン、ポリビニルアリクジン、ポリ−９−ビニルフ
エニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、
エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂。

【００３６】本発明の目的に特に好適な正孔輸送剤とし
て、次のものが挙げられる。下記式（６）

【化６】 式中、ａ、ｂ及びｃの各々はゼロを含む２以下の整数で
あって、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ₁₂、Ｒ
₁₃及びＲ₁₄の各々は水素原子、アルキル基またはアリー
ル基であって、互いに同一でも異なっていてもよい、で
表されるベンジジン誘導体。具体例として、次のものが
挙げられる。Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（４−エチルビフェニル−４’−イル）−３，３’−
ジメチルベンジジン、

【００３７】下記式（７）

【化７】 式中、ｄ及びｅの各々はゼロを含む２以下の整数であっ
て、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆及
びＲ₁₇の各々は水素原子、アルキル基またはアリール基
であって、互いに同一でも異なっていてもよい、で表さ
れるフェニレンジアミン誘導体。具体例として次のもの
が挙げられる。Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−Ｎ，Ｎ’−
ビス（４−イソプロピルフェニル）−メタフェニレンジ
アミン、

【００３８】下記式（８）

【化８】 式中、ｐ及びｑの各々はゼロを含む２以下の整数であっ
て、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ₁₈及びＲ₁₉
の各々は、アルキル基、アリール基またはアラールキル
基であって、互いに同一でも異なっていてもよい、で表
されるフェナントリレンジアミン誘導体。具体例として
次のものが挙げられる。Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−イソプロピルフェニル）フェナン
トリレン−９，１０−ジアミン、

【００３９】下記式（９）

【化９】 式中、ｒ及びｓの各々はゼロを含む２以下の整数であっ
て、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ₂₀及びＲ₂₁
の各々は、アルキル基、アリール基またはアラールキル
基であって、互いに同一でも異なっていてもよい、で表
されるナフチレンジアミン誘導体。具体例として次のも
のが挙げられる。Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−Ｎ，Ｎ’
−ジ−ｐ−トリル−ナフチレン−２，３−ジアミン、

【００４０】下記式（１０）

【化１０】 式中、ｔ、ｕ及びｗの各々はゼロを含む２以下の整数で
あって、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ₂₂、Ｒ
₂₃及びＲ₂₄の各々は、アルキル基、アリール基またはア
ラールキル基であって、互いに同一でも異なっていても
よい、で表されるスチルベン誘導体。１，４−ビス［ｐ
−（Ｎ−ｍ−トリル−Ｎ−２−エチル−６−メチルフェ
ニル）アミノスチリル］ベンゼン、

【００４１】（４）結着樹脂 電荷発生剤や電子輸送剤及び正孔輸送剤を分散させる樹
脂媒質としては、種々の樹脂が使用でき、例えば、スチ
レン系重合体、アクリル系重合体、スチレン−アクリル
系重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリプロピ
レン、アイオノマー等のオレフィン系重合体、ポリ塩化
ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステ
ル、アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、エポ
キシ樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリス
ルホン、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ケ
トン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹
脂、フェノール樹脂や、エポキシアクリレート等の光硬
化型樹脂等、各種の重合体が例示できる。これらの結着
樹脂は、一種または二種以上混合して用いることもでき
る。好適な樹脂は、スチレン系重合体、アクリル系重合
体、スチレン−アクリル系重合体、ポリエステル系樹
脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト等である。

【００４２】特に好適な樹脂は、ポリカーボネート、帝
人化成社製パンライト、三菱瓦斯化学社製ＰＣＺ等であ
り、下記一般式（１１）、

【化１１】 式中、Ｒ₂₅及びＲ₂₆は水素原子または低級アルキル基で
あって、Ｒ₂₅及びＲ₂₆は連結して、結合炭素原子と共
に、シクロヘキサン環のごときシクロ環を形成していて
もよい、で表されるビスフェノール類とホスゲンとから
誘導されるポリカーボネートである。

【００４３】（４）組成 本発明に用いる単層感光層は、前記式（１）で定義され
る有効吸収厚み比（Ｒ）が０．２６乃至０．４２の範囲
にあるものである。この有効吸収厚み比（Ｒ）の制御
は、第一に感光層中の電荷発生顔料の濃度の調節によ
り、第二に感光層の厚みの調節により、行われる。感光
層中の電荷発生顔料の濃度を高くすると、感光層の有効
吸収厚み比（Ｒ）は小さくなり、逆に感光層中の電荷発
生顔料の濃度を低くすると、感光層の有効吸収厚み比
（Ｒ）は大きくなる。一方、感光層の厚みを小さくする
と、感光層の有効吸収厚み比（Ｒ）は大きくなり、逆に
厚みを大きくすると、有効吸収厚み比（Ｒ）は小さくな
る。かくして、感光層中の電荷発生顔料の濃度が比較的
高い場合には、感光層の厚みを比較的小さくし、逆に感
光層中の電荷発生顔料の濃度が比較的低い場合には、感
光層の厚みを比較的大きくするような配慮も有効であ
る。

【００４４】感光層の厚みは、既に指摘したとおり、１
０乃至３０μｍの範囲にあり、この範囲で厚さの調節を
行うことができる。

【００４５】一方、感光層中の電荷発生顔料の濃度は、
一般的にいって、固形分基準で０．１乃至１．５重量
％、特に０．２５乃至１．０重量％の範囲にあることが
好ましい。

【００４６】また、感光層中における電子輸送剤と正孔
輸送剤の重量比は２：３以上で且つ３：２未満であるこ
と、特に４：５乃至７：５の範囲にあるのが望ましい
が、電子輸送剤と正孔輸送剤とは、合計で、固形分基準
で３０乃至７０重量％、特に４０乃至６０重量％の範囲
の濃度で存在するのが望ましい。

【００４７】［感光体の作成］本発明に用いる感光体形
成用組成物には、電子写真学的特性に悪影響を及ぼさな
い範囲で、それ自体公知の種々の配合剤、例えば、酸化
防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエンチャー、ＵＶ吸
収剤、軟化剤、表面改質剤、消泡剤、増量剤、増粘剤、
分散安定剤、ワックス、アクセプター、ドナー等を配合
させることができる。

【００４８】また、感光層の少なくとも上層に全固形分
当たり０．１乃至５０重量％の立体障害性フェノール系
酸化防止剤を配合すると、電子写真学的特性に悪影響を
与えることなく、感光層の耐久性を顕著に向上させるこ
とができる。感光層にさらに−０．８乃至−１．４Ｖの
酸化還元電位を有する電子受容性化合物を添加してもよ
い。

【００４９】感光層を設ける導電性基板としては、導電
性を有する種々の材料が使用でき、例えば、アルミニウ
ム、銅、錫、白金、金、銀、バナジウム、モリブデン、
クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、インジウム、
ステンレス鋼、真鍮等の金属単体や、上記金属が蒸着ま
たはラミネートされたプラスック材料、ヨウ化アルミニ
ウム、酸化錫、酸化インジウム等で被覆されたガラス等
が例示される。本発明の感光体では、通常のアルミニウ
ム素管、特に膜厚が１乃至５０μｍとなるようにアルマ
イト処理を施した素管を好適に用い得る。

【００５０】感光体を形成させるには、電荷発生顔料、
電子輸送剤、正孔輸送剤及び結着樹脂の組み合わせを、
従来公知の方法、例えば、ロールミル、ボールミル、ア
トライタ、ペイントシェイカーあるいは超音波分散器等
を用いて塗布用組成物を調製し、従来公知の塗布手段に
より塗布し、乾燥すればよい。

【００５１】塗布液を形成するのに使用する溶剤として
は、種々の有機溶剤が使用でき、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類、
ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系
炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジメチル
エーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸
エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド等、種々の溶剤が例示さ
れ、一種または二種以上混合して用いられる。塗布液の
固形分濃度は一般に５乃至５０％とするのがよい。

【００５２】本発明の電子写真感光体を用いる画像形成
法は、特に限定されず、一般に感光体を一様に負帯電し
た後、画像露光して静電潜像を形成させ、次いで非磁性
１成分系トナー、磁性１成分系トナー、磁性二成分系現
像剤、非磁性二成分系現像剤等を用いて現像を行い、次
いで転写紙に転写し、定着して画像形成を行う。

【００５３】

【実施例】本発明を次の例で説明する。

【００５４】感光層の形成に用いた各材料は次の通りで
ある。

【００５５】電荷発生顔料 ｘ−Ｈ２Ｐｃ：Ｘ型無金属フタロシアニン

【００５６】電子輸送剤 ＥＴＭ−１：下記式（１２）

【化１２】 のＮ−２−エチル−６−メチルフェニル−Ｎ’−１，２
−ジメチルプロピル−ナフタレン−１，４，５，８−テ
トラカルボン酸ジイミド、 ＥＴＭ−２：下記式（１３）

【化１３】 のＮ，Ｎ’−ビス［Ｎ−２−エチル−６−メチルフェニ
ル］ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジ
イミド ＥＴＭ−３：下記式（１４）

【化１４】 のＮ−２−エチル−６−メチルフェニル−Ｎ’−２−エ
トキシエチル−ナフタレン−１，４，５，８−テトラカ
ルボン酸ジイミド ＥＴＭ−４：下記式（１５）

【化１５】 のＮ，Ｎ’−ビス［１，２−ジメチルプロピル］ナフタ
レン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド ＥＴＭ−５：下記式（１６）

【化１６】 のＮ−２−エチル−６−メチルフェニル−Ｎ’−４−メ
チルフェニル−ナフタレン−１，４，５，８−テトラカ
ルボン酸ジイミド ＥＴＭ−６：下記式（１７）

【化１７】 のＮ−２−エトキシエチル−Ｎ’−４−メチルフェニル
−ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイ
ミド ＥＴＭ−７：下記式（１８）

【化１８】 の３，３’−ジメチル−５，５’−ジ−ｔ−ブチルジフ
ェノ−４，４’−キノン ＥＴＭ−８：下記式（１９）

【化１９】 の３，５−ジメチル−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルジフ
ェノ−４，４’−キノン

【００５７】正孔輸送剤 ＨＴＭ−１：下記式（２０）

【化２０】 のＮ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エ
チルビフェニル−４’−イル）−３，３’−ジメチルベ
ンジジン、 ＨＴＭ−２：下記式（２１）

【化２１】 のＮ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−Ｎ，Ｎ’−ビス（ｐ−イ
ソプロピルフェニル）−メタフェニレンジアミン、 ＨＴＭ−３：下記式（２２）

【化２２】 のＮ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−イ
ソプロピルフェニル）フェナントリレン−９，１０−ジ
アミン、 ＨＴＭ−４：下記式（２３）

【化２３】 のＮ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−Ｎ，Ｎ’−ｐ−トリル−
ナフチレン−２，３−ジアミン、 ＨＴＭ−５：下記式（２４）

【化２４】 の１，４−ビス［ｐ−（Ｎ−ｍ−トリル−Ｎ−２−エチ
ル−６−メチルフェニル）アミノスチリル］ベンゼン、

【００５８】［実施例１乃至１８及び比較例１乃至７］ ［試料作製］ ＜感光体＞表１に示した電荷発生剤、電子輸送剤及び正
孔輸送剤を表１に示した重量部、結着性樹脂としてポリ
カーボネートを１００重量部及び、溶媒として８００重
量部のテトラヒドロフランをボールミルで５０時間分散
して感光層用塗布液を調製し、この調製液をアルミニウ
ム素管上に塗布した後、１００℃で６０分間熱風乾燥す
ることにより、負帯電単層型感光体を得た。

【００５９】［評価］ ＜光感度＞ドラム感度試験機を用いて、各実施例及び、
比較例で得られた感光体に電圧を印加して−７００Ｖに
帯電させ、バンドパスフィルターにより７８０ｎｍに単
色化した光を所定の時間照射し、その時の電位減衰を観
測することにより電子写真特性を測定した。 光源 ：ハロゲンランプ 光強度 ：２５μＷ／ｃｍ²（７８０ｎｍ） 露光後電位計測 ：露光開始後３３０ｍｓｅｃ後 その結果を表１に示した。尚、表中ＶL は露光開始後３
３０ｍｓｅｃ後の感光体の表面電位を、Ｅ1/2 は半減露
光量（７００Ｖの帯電電位が３５０Ｖに半減するのに必
要な露光量）を表す。ＶL の絶対値が小さい程感光体の
感度は良いという評価になり、またＥ1/2 が小さいほど
光応答性が良いことを意味している。

【００６０】＜有効吸収厚み比（Ｒ）＞電子写真特性を
測定した各感光体の感光層をアルミニウム素管から剥離
し、これを石英板に貼り付けて、日立製作所 自記分光
光度計Ｕ−３２１０により７８０ｎｍの光の吸光率
（Ａ）を測定した。この吸光率（Ａ）から、有効吸収厚
み比（Ｒ）は、下記式（IV） Ｒ＝ｌｎ（１−Ａ／２）／ｌｎ（１−Ａ） ‥（IV） で算出される。その結果を表１に示した。

【００６１】

【表１】

【００６２】

【発明の効果】本発明によれば、少なくとも電荷発生顔
料、正孔輸送剤及び電子輸送剤を結着樹脂中に分散させ
た感光層を導電性支持体上に設けてなる単層型電子写真
感光体において、前記式（Ｉ）で定義される有効吸収厚
み比（Ｒ）をが０．２６乃至０．４２の範囲に調節する
ことにより、従来技術の欠点を解消し、高感度でしかも
光応答性に優れ、更に繰り返し時における帯電性や感度
の安定性にも優れた負帯電単層型電子写真感光体を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】感光層についての表面からの厚さ（深さ）と吸
光率との関係を示すグラフである。

【図２】本発明の感光体について動作をも同時に示す断
面図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも電荷発生顔料、正孔輸送剤及
   び電子輸送剤を結着樹脂中に分散させた感光層を導電性
   支持体上に設けてなる単層型電子写真感光体において、
   下記式（Ｉ） Ｒ＝ｄ₅₀／ｄ ‥（Ｉ） 式中、ｄは感光層の厚み（μｍ）を表し、 ｄ₅₀は電荷発生顔料の主吸収波長の光線で測定して感光
   層全体の吸光率の５０％の吸光率を示す感光層部位の表
   面からの深さ（μｍ）を表す、で定義される有効吸収厚
   み比（Ｒ）が０．２６乃至０．４２の範囲にあることを
   特徴とする負帯電単層型電子写真感光体。
2. 【請求項２】 前記感光層の膜厚（ｄ）が１０乃至３０
   μｍである請求項１に記載の負帯電単層型電子写真感光
   体。
3. 【請求項３】 前記電子輸送剤と正孔輸送剤の重量比が
   ２：３以上で且つ３：２未満であることを特徴とする請
   求項１または２に記載の負帯電単層型電子写真感光体。