JP2000013326A - 光ｒｆ伝送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 周囲の環境温度の変動に伴う光変調度の劣化
を低コストで防止することはできない。 【解決手段】 ＲＦ信号を減衰調整する可変アッテネー
タ１１と、減衰調整されたＲＦ信号を光信号に変換出力
する電気−光変換部１４と、この光信号からモニタ電流
値を検出するモニタ電流検出部１５と、このモニタ電流
値に基づいて電気−光変換部１４の光信号の出力レベル
が一定レベルとなるようにバイアス電流ΔＩｂを生成
し、このバイアス電流ΔＩｂを電気−光変換部１４に出
力する光変換制御部１６と、このバイアス電流ΔＩｂに
基づいて光信号に含まれるＲＦ信号の出力レベルが一定
レベルとなるように制御電圧を生成し、この制御電圧を
可変アッテネータ１１に出力する減衰量制御部１７とを
有するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気信号等の高周
波信号（ＲＦ信号）を光信号に変換して、この光信号を
光ケーブルに伝送する光ＲＦ伝送装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、このような光ケーブルを用いた無
線システムが広く普及しているが、この要因としては従
来の電気ケーブルを用いた無線システムに比べて、一般
的に、その伝送損失量は１／１０００程度に抑えること
ができ、その情報伝送量の量的な効率性及び対ノイズ特
性に非常に優れていることが上げられる。

【０００３】では、このような光ケーブルを用いた無線
システムに相当する無線マルチポイント光リンク装置に
ついて説明する。図３は一般的な光ケーブルを用いた無
線システムに相当する無線マルチポイント光リンク装置
内部の概略構成を示すブロック図である。

【０００４】図３に示す無線マルチポイント光リンク装
置１００は、図示せぬ無線通信網と通信接続する基地局
変復調装置１１１と、この基地局変復調装置１１１と接
続する親局装置１１２と、例えばビルの各フロア毎に配
置され、各無線端末１１５と無線接続する子局１１３ａ
〜１１３ｎと、前記親局装置１１２と子局１１３ａ〜１
１３ｎとの間を有線接続する光ケーブル等の光ファイバ
１１４とで構成する。

【０００５】尚、このように親局装置１２及び子局１３
ａ〜１３ｎ間の最長伝送距離は、ビル内等では一般的に
約２ｋｍ程度である。

【０００６】また、このような無線マルチポイント光リ
ンク装置１００の親局装置１１２及び子局１１３ａ〜１
１３ｎにおいては高周波信号を光信号に変換し、この光
信号を光ファイバ１１４に伝送するための光ＲＦ伝送装
置が採用されている。

【０００７】このような光ＲＦ伝送装置においては、高
周波信号の伝送に光信号を用いた場合、この一定の高周
波信号（ＲＦ ｉｎ）と、この高周波信号を光信号に変
換する電気−光変換部の光信号の出力レベルが一定にな
るように電気−光変換部を制御するバイアス電流ΔＩｂ
とに基づいて、光変調度ＲＦ ｉｎ／ΔＩｂという概念
が得られる。このような光ＲＦ伝送装置においては、一
般的に光変調度が温度等の影響を受けやすいことが知ら
れている。図４は一般的な環境温度の変動に伴う電気−
光変換部１４のバイアス電流ΔＩｂ及び光信号の出力レ
ベルの特性を示す説明図である。

【０００８】一般的に電気−光変換部のバイアス電流Δ
Ｉｂ及び光信号の出力レベルの特性においては、図４に
示すように環境温度が変動すると、この環境温度の変動
に応じて傾きが変わるので、前述したように光信号の出
力レベルを一定に保とうとする場合には、この温度変化
に応じてバイアス電流ΔＩｂも変動しなければならな
い。

【０００９】つまり、その光変調度はバイアス電流ΔＩ
ｂの変動に応じて変動する。例えばバイアス電流ΔＩｂ
が大きくなると光変調度は小さくなって、光信号に含ま
れる高周波信号の出力レベルは小さくなってしまう。つ
まり、環境温度の変動によってバイアス電流ΔＩｂを変
動して光信号の出力レベルを一定に保つことができる反
面、このバイアス電流ΔＩｂの変動によって光信号に含
まれる高周波信号の出力レベルを一定に保つことができ
ない。

【００１０】そこで、このような事態に対処すべく、光
信号の出力レベル及び光信号に含まれる高周波信号の出
力レベルが一定となるように、様々な光ＲＦ伝送装置が
知られている。

【００１１】では、このような従来の光ＲＦ伝送装置に
ついて説明する。図５は従来例１の光ＲＦ伝送装置内部
の概略構成を示すブロック図、図６は従来例２の光ＲＦ
伝送装置内部の概略構成を示すブロック図である。

【００１２】図５に示す光ＲＦ伝送装置５０は、パイロ
ット信号を発生するパイロット信号発生部５１と、入力
された高周波信号（ＲＦ）信号にパイロット信号を重畳
する合波部５２と、パイロット信号が重畳された高周波
信号の減衰量を調整する可変アッテネータ５３と、この
可変アッテネータ５３にて減衰調整された高周波信号を
増幅するＲＦアンプ５４と、このＲＦアンプ５４にて増
幅された高周波信号を光信号に変換し、この光信号を光
ファイバ５５に伝送する電気−光変換部５６と、この電
気−光変換部５６の光信号を受光して、この光信号から
モニタ電流値を検出するモニタ電流検出部５７と、この
モニタ電流値からＤＣ成分を抽出し、このＤＣ成分に基
づいて、電気−光変換部５６にて変換された光信号の出
力レベルが一定となるようにバイアス電流ΔＩｂを生成
し、このバイアス電流ΔＩｂを電気−光変換部５６に供
給する光変換制御部５８と、前記モニタ電流値からＡＣ
成分のパイロット信号を抽出し、このパイロット信号の
レベルを検出するパイロット信号検出部５９と、このパ
イロット信号のレベルに基づいて、光信号に含まれる高
周波信号の出力レベルが一定となるように高周波信号の
減衰量を調整する制御電圧を生成し、この制御電圧を可
変アッテネータ５３に供給する減衰量制御部６０とを有
している。

【００１３】図５に示す光ＲＦ伝送装置５０によれば、
前記光信号のモニタ電流に含まれるＤＣ成分に基づいて
光信号の出力レベルを一定にするレベル調整動作を実行
すると共に、前記モニタ電流に含まれるＡＣ成分（パイ
ロット信号成分）に基づいて光信号に含まれる高周波信
号の出力レベルを一定にするレベル調整動作を実行する
ことができる。

【００１４】図６に示す光ＲＦ伝送装置７０は、入力さ
れた高周波信号の減衰量を調整する可変アッテネータ７
１と、この減衰調整された高周波信号を増幅するＲＦア
ンプ７２と、このＲＦアンプ７２にて増幅された高周波
信号を光信号に変換し、この光信号を光ファイバ７３に
伝送する電気−光変換部７４と、この電気−光変換部７
４の温度情報に基づいて、この電気−光変換部７４の温
度を一定に保たせるように温度制御を施すペルチェ素子
７５と、前記電気−光変換部７４の光信号を受光して、
この光信号からモニタ電流値を検出するモニタ電流検出
部７６と、このモニタ電流検出部７６にて検出されたモ
ニタ電流値に基づいて光信号の出力レベルが一定となる
ようにバイアス電流ΔＩｂを生成し、このバイアス電流
ΔＩｂを電気−光変換部７４に供給する光変換制御部７
７とを有している。

【００１５】前記ペルチェ素子７５は、電力供給に応じ
て、前記電気−光変換部７４の温度情報に基づいて前記
電気−光変換部７４の温度を調整することができるもの
である。

【００１６】従って、図６に示す光ＲＦ伝送装置７０に
よれば、ペルチェ素子７５の温度調整に応じて電気−光
変換部７４の温度変化を補償することで、周囲の環境温
度が変化したとしても、この電気−光変換部７４の温度
を一定に保つＡＴＣ（自動温度補償制御：Auto Tempera
ture Control）機能を有するようにしたので、光信号の
出力変動を積極的に抑制する試みがなされている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示す従来の光ＲＦ伝送装置５０によれば、パイロット信
号発生部５１、合波部５２やパイロット信号検出部５９
等で非常に部品点数が多く、さらには回路構成が複雑に
なるといった問題点があった。

【００１８】また、図５に示す従来の光ＲＦ伝送装置５
０によれば、光信号に含まれる高周波信号の出力レベル
を確実に検出するためのパイロット信号を生成するパイ
ロット信号発生部５１を設ける必要があるが、このパイ
ロット信号発生部５１には高精度のパイロット信号を発
生させなければならないといった問題点があった。

【００１９】また、図６に示す従来の光ＲＦ伝送装置７
０によれば、電気−光変換部７４の温度を一定に保つよ
うに温度調整するペルチェ素子７５を設けるようにした
が、このペルチェ素子７５による温度調整には多大な電
力がかかり、さらには、このペルチェ素子７５に対応し
た電気−光変換部７４は高価なものとなり、その製品コ
スト及び消費電力の増大につながるといった問題点があ
った。

【００２０】また、図６に示す従来の光ＲＦ伝送装置７
０によれば、可変アッテネータ７１、およびＲＦアンプ
７２による高周波信号の出力レベルの変動を一定に保つ
機能は有しておらず、可変アッテネータ７１、およびＲ
Ｆアンプ７２の温度特性による高周波信号の出力レベル
変動は一定に保つことができないといった問題があっ
た。

【００２１】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、周辺の環境温度が変
動したとしても、簡単な回路構成で、光信号及び高周波
信号の出力レベルを一定に保つことができると共に、そ
の製品コスト及び消費電力の大幅低減を図ることができ
る光ＲＦ伝送装置を提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の光ＲＦ伝送装置は、高周波信号を減衰調整す
る減衰手段と、この減衰手段にて減衰調整された高周波
信号を光信号に変換して、この光信号を出力する光変換
手段と、この光変換手段からの光信号からモニタ信号を
検出するモニタ信号検出手段と、このモニタ信号検出手
段にて検出されたモニタ信号に基づいて、光変換手段の
光信号の出力レベルが第１所定レベルとなるように、光
変換手段を制御する光出力レベル制御信号を生成し、こ
の光出力レベル制御信号を光変換手段に出力する光出力
レベル制御手段と、この光出力レベル制御手段からの光
出力レベル制御信号に基づいて、光変換手段の光信号に
含まれる高周波信号の出力レベルが第２所定レベルとな
るように、前記減衰手段による高周波信号の減衰量を調
整する高周波出力レベル制御信号を生成し、この高周波
出力レベル制御信号を減衰手段に出力する高周波出力レ
ベル制御手段とを有するものである。

【００２３】従って、本発明における光ＲＦ伝送装置に
よれば、周辺の環境温度が変動したとしても、簡単な回
路構成で、光信号及び高周波信号の出力レベルを一定に
保つことができると共に、その製品コスト及び消費電力
の大幅低減を図ることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明における請求項１記載の光
ＲＦ伝送装置は、高周波信号を減衰調整する減衰手段
と、この減衰手段にて減衰調整された高周波信号を光信
号に変換して、この光信号を出力する光変換手段と、こ
の光変換手段からの光信号からモニタ信号を検出するモ
ニタ信号検出手段と、このモニタ信号検出手段にて検出
されたモニタ信号に基づいて、光変換手段の光信号の出
力レベルが第１所定レベルとなるように、光変換手段を
制御する光出力レベル制御信号を生成し、この光出力レ
ベル制御信号を光変換手段に出力する光出力レベル制御
手段と、この光出力レベル制御手段からの光出力レベル
制御信号に基づいて、光変換手段の光信号に含まれる高
周波信号の出力レベルが第２所定レベルとなるように、
前記減衰手段による高周波信号の減衰量を調整する高周
波出力レベル制御信号を生成し、この高周波出力レベル
制御信号を減衰手段に出力する高周波出力レベル制御手
段とを有することを特徴とする。

【００２５】前記減衰手段は、例えば通信データに関わ
る高周波信号（ＲＦ信号）を、高周波出力レベル制御信
号（制御電圧）に応じて減衰調整する可変アッテネータ
に相当するものである。

【００２６】前記光変換手段は、例えば高周波信号を光
出力レベル制御信号（バイアス電流）に応じて光信号に
変換する電気−光変換部に相当するものである。

【００２７】前記モニタ信号検出手段は、例えば光変換
手段からの光信号を受光して、この光信号からモニタ電
流値等のモニタ信号を検出するモニタ電流検出部に相当
するものである。

【００２８】前記光出力レベル制御手段は、前記モニタ
信号に基づいて光信号の出力レベルが第１所定レベルと
なるように光変換手段を制御するバイアス電流等の光出
力レベル制御信号を生成する光変換制御部に相当するも
のである。

【００２９】前記高周波出力レベル制御手段は、前記光
出力レベル制御信号に基づいて、光信号に含まれる高周
波信号の出力レベルが第２所定レベルとなるように減衰
手段による高周波信号の減衰量を制御する減衰量制御部
に相当するものである。

【００３０】前記光信号の出力レベルに相当する第１所
定レベルと前記光信号に含まれる高周波信号の出力レベ
ルに相当する第２所定レベルとは、周囲の環境温度が変
動したとしても、所定の良好な光変調度（高周波信号出
力レベルＲＦ ｉｎ／バイアス電流ΔＩｂ）が得られる
ようにするように設定されたレベルに相当するものであ
る。

【００３１】従って、本発明における請求項１記載の光
ＲＦ伝送装置によれば、周囲の環境温度に変動が生じた
としても、光信号の出力レベルが第１所定レベルとなる
ように光変換手段を制御する光出力レベル制御信号を出
力し、この光出力レベル制御信号の変動によって光変調
度が劣化しないように光信号に含まれる高周波信号の出
力レベルが第２所定レベルとなるように減衰手段を制御
する高周波出力レベル制御信号を出力するようにしたの
で、周辺の環境温度が変動したとしても、簡単な回路構
成で、光信号及び高周波信号の出力レベルを一定に保つ
ことができると共に、その製品コスト及び消費電力の大
幅低減を図ることができ、ひいては信号効率の向上を図
ることができる。

【００３２】また、本発明における請求項２記載の光Ｒ
Ｆ伝送装置は、上記請求項１記載の構成に加えて、前記
モニタ信号検出手段は、前記光変換手段の光信号からモ
ニタ電流値をモニタ信号として検出し、前記光出力レベ
ル制御手段は、前記モニタ電流値に基づいて光変換手段
の光信号の出力レベルが第１所定レベルとなるようにバ
イアス電流を光出力レベル制御信号として生成すること
を特徴とする。

【００３３】従って、本発明における請求項２記載の光
ＲＦ伝送装置によれば、上記請求項１記載の効果に加え
て、光変換手段の光信号からモニタ電流値をモニタ信号
として検出し、このモニタ電流値に基づいて光変換手段
の光信号の出力レベルが第１所定レベルとなるようにバ
イアス電流を光出力レベル制御信号として生成するよう
にしたので、光信号の出力レベルを確実に、一定に保つ
ことができる。

【００３４】また、本発明における請求項３記載の光Ｒ
Ｆ伝送装置は、上記請求項２記載の構成に加えて、前記
高周波出力レベル制御手段は、前記光出力レベル制御手
段からのバイアス電流に基づいて、光変換手段の光信号
に含まれる高周波信号の出力レベルが第２所定レベルと
なるように制御電圧を高周波出力レベル制御信号として
生成することを特徴とする。

【００３５】従って、本発明における請求項３記載の光
ＲＦ伝送装置によれば、上記請求項２記載の効果に加え
て、光出力レベル制御手段からのバイアス電流に基づい
て、光変換手段の光信号に含まれる高周波信号の出力レ
ベルが第２所定レベルとなるように制御電圧を高周波出
力レベル制御信号として生成するようにしたので、光信
号の出力レベルを一定に保つためのバイアス電流変動に
伴って光変調度が劣化しないように光信号に含まれる高
周波信号の出力レベルを確実に、一定に保つことができ
る。

【００３６】また、本発明における請求項４記載の光Ｒ
Ｆ伝送装置は、上記請求項３記載の構成に加えて、前記
高周波出力レベル制御手段は、光変換手段のしきい値電
流を考慮して光変換手段の光信号に含まれる高周波信号
の出力レベルが第２所定レベルとなるように制御電圧を
高周波出力レベル制御信号として生成することを特徴と
する。

【００３７】前記光変換手段のしきい値電流とは、前記
光変換手段が動作を開始する電流のことで、光信号に含
まれる高周波信号のレベルとは関係が無く、しきい値電
流が変動する場合においても、前記バイアス電流の変動
がなければ、光信号に含まれる高周波信号のレベルは一
定である。

【００３８】従って、本発明における請求項４記載の光
ＲＦ伝送装置によれば、上記請求項３記載の効果に加え
て、前記高周波出力レベル制御手段は、前記光出力レベ
ル制御手段からのバイアス電流に関し、光変換手段のし
きい値電流を考慮して制御電圧を生成する構成としたの
で、しきい値電流の変動とは無関係に、バイアス電流の
変動により、光信号に含まれる高周波出力レベルを高精
度で一定に保つことができる。

【００３９】また、本発明における請求項５記載の光Ｒ
Ｆ伝送装置は、上記請求項１記載の構成に加えて、前記
減衰手段による高周波信号の減衰量を調整する高周波出
力レベル制御信号を生成し、この高周波出力レベル制御
信号を減衰手段に出力する高周波出力レベル制御手段に
関し、この制御手段に非線形性を持たせる少なくとも１
ヶの非線形素子を有することを特徴とする。

【００４０】従って、本発明における請求項５記載の光
ＲＦ伝送装置によれば、上記請求項１記載の効果に加え
て、高周波出力レベル制御信号を減衰手段に出力する高
周波出力レベル制御手段に関し、この制御手段に非線形
性を持たせることにしたので、前記高周波信号を減衰調
整する減衰手段が非線形性を有する場合においても、光
信号に含まれる高周波出力レベルを一定に保つことがで
きる。

【００４１】以下、図面に基づいて本発明の実施の形態
に示す光ＲＦ伝送装置について説明する。

【００４２】（実施の形態）図１は本実施の形態に示す
光ＲＦ伝送装置内部の概略構成を示すブロック図であ
る。

【００４３】図１に示す光ＲＦ伝送装置１０は、高周波
信号（ＲＦ ＩＮ）を減衰させる可変アッテネータ１１
と、この可変アッテネータ１１から出力される減衰後の
高周波信号（ＲＦ信号）を増幅するＲＦアンプ１２と、
このＲＦアンプ１２にて増幅された高周波信号を、後述
するバイアス電流ΔＩｂに基づいて光信号に変換し、こ
の光信号を光ファイバ１３に伝送する電気−光変換部１
４と、この光ファイバ１３に伝送された光信号のモニタ
電流値を検出するモニタ電流検出部１５と、このモニタ
電流検出部１５にて検出されたモニタ電流値に基づいて
バイアス電流ΔＩｂを生成して電気−光変換部１４を制
御する光変換制御部１６と、この光変換制御部１６から
のバイアス電流ΔＩｂに基づいて制御電圧を生成して可
変アッテネータ１１を制御する減衰量制御部１７とを有
している。

【００４４】前記光変換制御部１６は、周囲温度及び自
己発熱温度等の環境温度に変動が生じたとしても、図に
示すように、電気−光変換部１４の光信号の出力レベル
が一定レベルとなるように、前記モニタ電流検出部１５
にて検出されたモニタ電流値に基づいてバイアス電流Δ
Ｉｂを生成するものである。

【００４５】前記減衰量制御部１７は、前記環境温度の
変動に応じたバイアス電流ΔＩｂの変動に伴う光変調度
（ＲＦ ｉｎ／ΔＩｂ）の変動を防止するために、図２
に示すように、光信号に含まれる高周波信号の出力レベ
ルが一定レベルとなるように、前記バイアス電流ΔＩｂ
に応じて制御電圧を生成するものである。

【００４６】尚、本実施の形態に示す光ＲＦ伝送装置１
０は、可変アッテネータ１１、ＲＦアンプ１２、電気−
光変換部１４、モニタ電流検出部１５、光変換制御部１
６及び減衰量制御部１７で閉ループ回路を構成し、この
閉ループ回路で、電気−光変換部１４は、周囲温度及び
自己発熱温度等の環境温度における影響を排除して、良
好な光変調度を保ちながら、高周波信号を光信号に変換
することができる。

【００４７】では、本実施の形態に示す光ＲＦ伝送装置
１０の動作について説明する。図２は可変アッテネータ
１１の「制御電圧−減衰量特性」を示し、縦軸が減衰量
（ｄＢ）であり、横軸が制御電圧（Ｖ）を表し、両者の
関係には非線形性がある。

【００４８】前記減衰量とは、可変アッテネータ１１の
入出力間の減衰特性であり、この特性は、減衰量制御部
１７から入力される制御電圧（Ｖ）により定まる。図２
中の" ０℃、２５℃、５０℃" は、環境温度の変化に対
応した可変アッテネータ１１の制御電圧例を示してい
る。

【００４９】まず、可変アッテネータ１１は、前記減衰
量制御部１７からの制御電圧に基づいて、高周波信号の
減衰量を調整し、この減衰調整された高周波信号をＲＦ
アンプ１２に供給する。このＲＦアンプ１２は、この高
周波信号を増幅し、この増幅された高周波信号を電気−
光変換部１４に供給する。この電気−光変換部１４は、
前記光変換制御部１６からのバイアス電流ΔＩｂに基づ
いて高周波信号を光信号に変換し、この光信号を光ファ
イバ１３に伝送する。

【００５０】前記モニタ電流検出部１５は、前記光ファ
イバ１３で受光する光信号からモニタ電流値を検出し、
このモニタ電流値を光変換制御部１６に供給する。この
光変換制御部１６は、このモニタ電流値に基づいて、環
境温度が変動したとしても光信号の出力レベルが一定レ
ベルとなるようにバイアス電流ΔＩｂを生成し、このバ
イアス電流ΔＩｂを電気−光変換部１４に供給する。

【００５１】また、この光変換制御部１６は、周囲の環
境温度の変動に応じたバイアス電流ΔＩｂの変動に伴う
光変調度（ＲＦ ｉｎ／ΔＩｂ）の変動を防止するため
に、光信号に含まれる高周波信号の出力レベルが一定レ
ベルとなるように、前記光変換制御部１６からのバイア
ス電流ΔＩｂに応じて制御電圧を生成し、この制御電圧
を可変アッテネータ１１に供給する。

【００５２】従って、本実施の形態によれば、周囲の環
境温度に変動が生じたとしても、光信号の出力レベルが
一定レベルとなるように電気−光変換部１４を制御する
バイアス電流ΔＩｂを光変換制御部１６で生成し、この
バイアス電流ΔＩｂの変動によって光変調度が劣化しな
いように光信号に含まれる高周波信号の出力レベルが一
定レベルとなるように可変アッテネータ１１を制御する
制御電圧を減衰量制御部１７で生成するようにしたの
で、周辺の環境温度が変動したとしても、簡単な回路構
成で、光信号及び高周波信号の出力レベルを一定に保つ
ことができると共に、その製品コスト及び消費電力の大
幅低減を図ることができ、ひいては信号効率の向上を図
ることができる。

【００５３】また、本実施の形態に示す光ＲＦ伝送装置
１０においては、光信号の出力レベルを一定レベルに保
つレベル調整動作と、光信号に含まれる高周波信号の出
力レベルを一定に保つレベル調整動作とをそれぞれ独立
して行うようにしたので、夫々の調整が相互に干渉する
ことがなく、高精度且つ高効率の調整が容易となる。

【００５４】また、本実施の形態に示す光ＲＦ伝送装置
１０においては、減衰量制御部１７に関して、しきい値
電流の変動を考慮した制御電圧を生成する構成とするこ
とで、しきい値電流の変動とは無関係に光信号に含まれ
る高周波信号の出力レベルを高精度で一定に保つことが
できる。

【００５５】また、本実施の形態に示す光ＲＦ伝送装置
１０においては、ＲＦアンプ１２によって高周波信号を
増幅する構成としているので、光ＲＦ伝送装置１０へ入
力される高周波信号（ＲＦ ＩＮ）のレベルが小さい場
合においても、最適な条件で本発明の光ＲＦ伝送装置を
動作させることができる。

【００５６】また、本実施の形態に示す光ＲＦ伝送装置
１０においては、減衰量制御部１７に非線形素子を使用
することで、光変換制御部１６からの高周波レベル制御
信号と減衰量制御部１７からの制御電圧の間に非線形特
性を持たせることで、減衰手段１１が制御電圧と減衰量
との間に非線形特性を有する場合においても、光信号に
含まれる高周波信号の出力レベルを一定に保つことがで
きる。

【００５７】また、回路構成が簡単であり、オペアンプ
１個と抵抗器・コンデンサ数個で足りる。電気−光変換
部１４は、ＡＴＣ機能を必要としないので価格を下げら
れ、コストパーフォーマンスの余裕度が高い。

【００５８】

【発明の効果】上記のように構成された本発明の光ＲＦ
伝送装置によれば、周辺の環境温度が変動したとして
も、簡単な回路構成で、光信号及び高周波信号の出力レ
ベルを一定に保つことができると共に、その製品コスト
及び消費電力の大幅低減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に示す光ＲＦ伝送装置内部
の概略構成を示すブロック図

【図２】本実施の形態に示す光ＲＦ伝送装置内部の可変
アッテネータにおける制御電圧及び減衰量の特性を示す
説明図

【図３】一般的な光ケーブルを用いた無線システムに相
当する無線マルチポイント光リンク装置内部の概略構成
を示すシステムブロック図

【図４】一般的な環境温度の変動に伴う電気−光変換部
のバイアス電流ΔＩｂ及び光信号の出力レベルの特性を
示す説明図

【図５】従来例１の光ＲＦ伝送装置内部の概略構成を示
すブロック図

【図６】従来例２の光ＲＦ伝送装置内部の概略構成を示
すブロック図

【符号の説明】

１０ 光ＲＦ伝送装置 １１ 可変アッテネータ（減衰手段） １４ 電気−光変換部（光変換手段） １５ モニタ電流検出部（モニタ信号検出手段） １６ 光変換制御部（光出力レベル制御手段） １７ 減衰量制御部（高周波出力レベル制御手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田辺 学 神奈川県横浜市港北区綱島東四丁目３番１ 号 松下通信工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5K002 AA01 CA08 CA09 CA11 EA05 FA01 5K067 AA42 AA43 EE02 EE06 EE10 EE32 EE37 KK01

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波信号を減衰調整する減衰手段と、 この減衰手段にて減衰調整された高周波信号を光信号に
   変換して、この光信号を出力する光変換手段と、 この光変換手段からの光信号からモニタ信号を検出する
   モニタ信号検出手段と、 このモニタ信号検出手段にて検出されたモニタ信号に基
   づいて、光変換手段の光信号の出力レベルが第１所定レ
   ベルとなるように、光変換手段を制御する光出力レベル
   制御信号を生成し、この光出力レベル制御信号を光変換
   手段に出力する光出力レベル制御手段と、 この光出力レベル制御手段からの光出力レベル制御信号
   に基づいて、光変換手段の光信号に含まれる高周波信号
   の出力レベルが第２所定レベルとなるように、前記減衰
   手段による高周波信号の減衰量を調整する高周波出力レ
   ベル制御信号を生成し、この高周波出力レベル制御信号
   を減衰手段に出力する高周波出力レベル制御手段とを有
   することを特徴とする光ＲＦ伝送装置。
2. 【請求項２】 前記モニタ信号検出手段は、前記光変換
   手段の光信号からモニタ電流値をモニタ信号として検出
   し、前記光出力レベル制御手段は、前記モニタ電流値に
   基づいて光変換手段の光信号の出力レベルが第１所定レ
   ベルとなるようにバイアス電流を光出力レベル制御信号
   として生成することを特徴とする請求項１記載の光ＲＦ
   伝送装置。
3. 【請求項３】 前記高周波出力レベル制御手段は、前記
   光出力レベル制御手段からのバイアス電流に基づいて、
   光変換手段の光信号に含まれる高周波信号の出力レベル
   が第２所定レベルとなるように制御電圧を高周波出力レ
   ベル制御信号として生成することを特徴とする請求項２
   記載の光ＲＦ伝送装置。
4. 【請求項４】 前記高周波出力レベル制御手段は、前記
   光出力レベル制御手段からのバイアス電流に関し、光変
   換手段のしきい値電流を考慮して構成されることを特徴
   とする請求項３記載の光ＲＦ伝送装置。
5. 【請求項５】 前記光ＲＦ伝送装置は、前記減衰手段に
   よる高周波信号の減衰量を調整する高周波出力レベル制
   御信号を生成し、この高周波出力レベル制御信号を減衰
   手段に出力する高周波出力レベル制御手段に関し、制御
   手段に非線形性を持たせる少なくとも１ヶの非線形素子
   を有することを特徴とする請求項１記載の光ＲＦ伝送装
   置。