JP2000013113A - 伝送線路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号線間の漏話を低減し、配線密度を向上さ
せる。 【解決手段】 ベース誘電体層１の第１の面に信号線１
０，１１を形成し、ベース誘電体層１の第１の面と対向
する第２の面に接地導体層２を形成したマイクロストリ
ップ伝送線路に対して、信号線１０と１１の中間に上部
誘電体層３を形成し、さらに上部誘電体層３の上にシー
ルド接地線２０を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、平面型の伝送線路
に係り、特に高周波回路用の印刷配線基板に適用して好
適なシールド線付きの伝送線路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、印刷配線基板（Printed Wiri
ng Board;PWB）に印刷形成された高周波回路用信号伝送
線路には、各種のものが知られている。以下、従来の高
周波回路用信号伝送線路のいくつかの代表的な例につい
て説明する。図７は、従来の基本的な伝送線路の層構成
を示す断面図である。この伝送線路は、印刷配線基板を
構成するベース誘電体層１の片面上に、信号伝送のため
の信号線１０，１１を隔離して設けた構造を有してい
る。なお、信号線の数は任意であり、信号線１０，１１
は、複数の信号線を代表的に表したものである。

【０００３】図８は、従来のコプレーナ（共平面）伝送
線路の層構成を示す断面図である。コプレーナ伝送線路
は、印刷配線基板を構成するベース誘電体層１の片面上
に、信号伝送のための信号線１０，１１を隔離して設け
ると共に、信号線１０，１１の中間に接地線２１を設け
た構造を有している。なお、この場合も、信号線の数は
任意であるが、各信号線の両隣あるいはその片側に接地
線が配置されていることが必要である。

【０００４】図９は、従来のマイクロストリップ伝送線
路の層構成を示す断面図である。マイクロストリップ伝
送線路は、印刷配線基板を構成するベース誘電体層１の
片面上に信号伝送のための信号線１０，１１を隔離して
設けると共に、ベース誘電体層１の他面に接地導体層２
を設けた構造を有している。

【０００５】図１０は、従来の接地線付きマイクロスト
リップ伝送線路の層構成を示す断面図である。接地線付
きマイクロストリップ伝送線路は、印刷配線基板を構成
するベース誘電体層１の片面上に信号伝送のための信号
線１０，１１を隔離して設けると共に、ベース誘電体層
１の他面に接地導体層２を設け、さらに信号線１０，１
１の中間に接地線２１を設けた構造を有している。

【０００６】図１１は、従来のストリップライン（トリ
プレートライン）伝送線路の層構成を示す断面図であ
る。ストリップライン伝送線路は、印刷配線基板を構成
するベース誘電体層１の片面上に信号伝送のための信号
線１０，１１を隔離して設けると共に、ベース誘電体層
１の他面に接地導体層２を設け、さらにベース誘電体層
１の信号線１０，１１を設けた面上に上部誘電体層４を
積層して、上部誘電体層４の上面に上部接地導体層５を
設けた構造を有している。

【０００７】また、特開平８−２５０８９１号公報に
は、誘電体と導体層とを積層して形成したシートを印刷
配線基板の信号線の上に被せ、このシートの導体層を接
地することによって、ストリップライン構造を実現する
伝送線路の構成が開示されている。

【０００８】さらに、実開平５−６９１０号公報には、
ストリップライン伝送線路における信号線の中間に上下
方向に形成されたスリットを設け、このスリットの表面
にメタライズ面を形成して、このメタライズ面を上下の
接地導体層と接続することによって、信号線間をシール
ドする構成が開示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示す従来の基本的な伝送線路や、図９に示すマイクロス
トリップ伝送線路では、信号線間の漏話（クロストーク
ノイズ）が大きいという問題点があった。これは、ベー
ス誘電体層及び信号線の上部の解放空間（空気）を介し
て隣接の信号線に回り込む電磁結合が大きいためであ
る。このため、漏話を抑えるためには信号線の間隔を大
きくしなくてはならず、配線密度の向上、回路基板の小
型化の妨げとなっていた。また、図８、図１０に示す信
号線の間に接地線を持つ伝送線路では、図７や図９の伝
送線路より漏話は少ないが、信号線間に接地線を入れる
ために高密度配線がしにくく、また解放空間から回り込
む電磁結合の漏話を無視できないという問題点があっ
た。

【００１０】そして、図１１に示すストリップライン伝
送線路では、信号線間及び信号線−接地層間の静電容量
が大きいという問題点があった。これは、信号線の上部
にも、上部誘電体層４を挟んで上部接地導体層５を有す
るため、静電容量が増加することに基づいている。線路
の静電容量が増加すると、信号ドライバの負担が大きく
なり、信号ドライバの消費電力が増大する。また、伝送
線路の特性インピーダンスが小さくなるので、コネクタ
等、線路に接続される他の部分の特性インピーダンスと
の不整合を生じ、高速信号の場合、信号反射、波形歪み
の発生等の問題を生じやすい。また、高速信号の伝送路
では、特性インピーダンスと整合した終端抵抗を伝送線
路終端に接続することがあるが、このような場合、特性
インピーダンスが小さいと、信号振幅が小さくなるた
め、ノイズに弱くなるという不都合もあった。この際、
静電容量の増加や、特性インピーダンスの低下を防止す
るためには、ベース誘電体層１と上部誘電体層４とを厚
くする必要がある。しかしながら、誘電体層を厚くする
と、信号線間の電磁結合が大きくなり、漏話が大きくな
る。そこで、漏話の増大を防止するためには、信号線間
の距離を大きくしなければならず、このため、この種の
印刷配線基板を高密度化、小型化することが困難であっ
た。本発明は、上記課題を解決するためになされたもの
で、高周波回路用印刷配線基板に適用して好適な伝送線
路であって、信号線間の漏話が少なく回路の誤動作を防
止できると共に、配線密度を向上し、回路の小型化、高
密度化を実現することが可能な伝送線路を提供すること
を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、請求項１に記
載のように、ベース誘電体層と、ベース誘電体層の第１
の面に形成された複数の信号線と、ベース誘電体層の第
１の面と対向する第２の面に形成された接地導体層とを
有するマイクロストリップ型の伝送線路において、上記
ベース誘電体層の第１の面上の信号線間に形成された上
部誘電体層と、この上部誘電体層上に形成されたシール
ド接地線とを有するものである。また、請求項２に記載
のように、ベース誘電体層と、ベース誘電体層の第１の
面に形成された複数の信号線と、ベース誘電体層の第１
の面と対向する第２の面に形成された接地導体層と、ベ
ース誘電体層の第１の面上の信号線間に形成された接地
線とを有するマイクロストリップ型の伝送線路におい
て、ベース誘電体層の第１の面上の信号線間に、上記接
地線を覆うように形成された上部誘電体層と、この上部
誘電体層上に形成されたシールド接地線とを有するもの
である。

【００１２】また、請求項３に記載のように、ベース誘
電体層と、ベース誘電体層の第１の面に形成された信号
線と接地線とを有するコプレーナ型の伝送線路におい
て、上記ベース誘電体層の第１の面上の信号線間に、上
記接地線を覆うように形成された上部誘電体層と、この
上部誘電体層上に形成されたシールド接地線とを有する
ものである。また、請求項４に記載のように、上記ベー
ス誘電体層の第１の面と対向する第２の面に、上記接地
線と対向するように形成された下部シールド接地線を有
するものである。

【００１３】また、請求項５に記載のように、ベース誘
電体層と、ベース誘電体層の第１の面に形成された複数
の信号線とを有する伝送線路において、上記ベース誘電
体層の第１の面上の信号線間に形成された上部誘電体層
と、この上部誘電体層上に形成されたシールド接地線と
を有するものである。また、請求項６に記載のように、
上記ベース誘電体層の第１の面と対向する第２の面に、
上記シールド接地線と対向するように形成された下部シ
ールド接地線を有するものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】［実施の形態の１］以下、図面を
参照して、本発明の実施の形態について説明する。図１
は本発明の第１の実施の形態となる伝送線路の層構成を
示す断面図である。本実施の形態の伝送線路は、マイク
ロストリップ型の伝送線路であり、誘電体からなるベー
ス誘電体層１と、金属からなる接地導体層２と、誘電体
からなる上部誘電体層３と、金属からなる信号線１０，
１１と、金属からなるシールド接地線２０とから概略構
成されている。

【００１５】この伝送線路は、ベース誘電体層１の第１
の面に信号線１０，１１を形成し、ベース誘電体層１の
第１の面と対向する第２の面に接地導体層２を形成した
図９のマイクロストリップ伝送線路に対して、信号線１
０と１１の中間に上部誘電体層３を形成し、さらに上部
誘電体層３の上にシールド接地線２０を形成したもので
ある。なお、上部誘電体層３は信号線１０，１１の上を
覆わない。また、上部誘電体層３は、ベース誘電体層１
と同じ材料でもよく、異なる材料でもよい。

【００１６】次に、図１を参照して、本実施の形態の伝
送線路の効果を説明する。上部誘電体層３の上に設けら
れたシールド接地線２０は、上部誘電体層３及びベース
誘電体層１を介する隣接信号線間の電磁結合を抑制する
と共に、解放空間を回り込む信号線間の電磁結合も減少
させる。よって、信号線間をシールドする効果が得られ
るので、図９に示すマイクロストリップ伝送線路より
も、信号線間の漏話（クロストークノイズ）を低減する
ことができる。

【００１７】また、接地線を信号線と同一面に置く図１
０の伝送線路よりも信号線１０，１１とシールド接地線
２０の距離が開くので、接地線を設けることによる静電
容量の増加を抑えることができる。さらに、上部誘電体
層３が信号線１０，１１を覆わないので、上部誘電体層
が信号線の全面を覆う場合に比べて、信号線１０，１１
の静電容量の増加を抑えることができる。

【００１８】したがって、静電容量の増加や特性インピ
ーダンスの低下を防止するために、信号線間隔を大きく
したりベース誘電体層１を厚くしたりする必要があって
も、その増加量は、図１０の伝送線路や上部誘電体が信
号線を全面被覆する伝送線路より少なくて済むので、配
線の高密度化が容易となる。

【００１９】このように、本実施の形態の構造によれ
ば、信号線間の漏話が小さいので、伝送信号のエラーの
発生を防止できると共に、配線の高密度化が容易である
ので、小型で配線密度の高い印刷配線基板を実現でき
る。

【００２０】［実施の形態の２］図２は、本発明の第２
の実施の形態となる伝送線路の層構成を示す断面図であ
る。本実施の形態の伝送線路は、マイクロストリップ型
の伝送線路であり、ベース誘電体層１と、接地導体層２
と、上部誘電体層３と、信号線１０，１１と、シールド
接地線２０と、金属からなる接地線２１とから概略構成
されている。

【００２１】この伝送線路は、ベース誘電体層１の第１
の面に信号線１０，１１を形成すると共に、信号線１
０，１１の中間に信号線１０，１１から隔離した接地線
２１を形成し、ベース誘電体層１の第１の面と対向する
第２の面に接地導体層２を形成した図１０の接地線付き
マイクロストリップ伝送線路に対して、信号線１０と１
１の中間に接地線２１を覆うように上部誘電体層３を形
成し、さらに上部誘電体層３の上にシールド接地線２０
を形成したものである。なお、上部誘電体層３は信号線
１０，１１の上を覆わない。また、上部誘電体層３は、
ベース誘電体層１と同じ材料でもよく、異なる材料でも
よい。

【００２２】次に、図２を参照して、本実施の形態の伝
送線路の効果を説明する。実施の形態の１と同様に、上
部誘電体層３の上に設けられたシールド接地線２０によ
り、上部誘電体層３を介する隣接信号線間の電磁結合を
抑制すると共に、解放空間を回り込む信号線間の電磁結
合も減少させることができる。よって、信号線間をシー
ルドする効果が得られるので、図１０に示す接地線付き
のマイクロストリップ伝送線路よりも、信号線間の漏話
を低減することができる。

【００２３】また、上部誘電体層３が信号線１０，１１
を覆わないので、上部誘電体層が信号線の全面を覆う場
合に比べて、信号線１０，１１の静電容量の増加を抑え
ることができる。したがって、静電容量の増加や特性イ
ンピーダンスの低下を防止するために、信号線間隔を大
きくしたりベース誘電体層１を厚くしたりする必要があ
っても、その増加量は、上部誘電体が信号線を全面被覆
する伝送線路より少なくて済むので、配線の高密度化が
容易となる。

【００２４】このように、本実施の形態の構造によれ
ば、信号線間の漏話が小さいので、伝送信号のエラーの
発生を防止できると共に、配線密度の向上を図ることが
でき、小型で配線密度の高い印刷配線基板を実現でき
る。

【００２５】［実施の形態の３］図３は、本発明の第３
の実施の形態となる伝送線路の層構成を示す断面図であ
る。本実施の形態の伝送線路は、コプレーナ（共平面）
型の伝送線路であり、ベース誘電体層１と、上部誘電体
層３と、信号線１０，１１と、シールド接地線２０と、
接地線２１とから概略構成されている。

【００２６】この伝送線路は、ベース誘電体層１の第１
の面に信号線１０，１１を形成すると共に、信号線１
０，１１の中間に信号線１０，１１から隔離した接地線
２１を形成した図８のコプレーナ伝送線路に対して、信
号線１０と１１の中間に接地線２１を覆うように上部誘
電体層３を形成し、さらに上部誘電体層３の上にシール
ド接地線２０を形成したものである。なお、上部誘電体
層３は信号線１０，１１の上を覆わない。また、上部誘
電体層３は、ベース誘電体層１と同じ材料でもよく、異
なる材料でもよい。

【００２７】次に、図３を参照して、本実施の形態の伝
送線路の効果を説明する。上部誘電体層３の上に設けら
れたシールド接地線２０は、上部誘電体層３を介する隣
接信号線間の電磁結合を抑制すると共に、解放空間を回
り込む信号線間の電磁結合も減少させる。よって、信号
線間をシールドする効果が増強されるので、図８に示す
コプレーナ伝送線路よりも、信号線間の漏話を低減する
ことができる。

【００２８】また、上部誘電体層３が信号線１０，１１
を覆わないので、上部誘電体層が信号線の全面を覆う場
合に比べて、信号線１０，１１の静電容量の増加を抑え
ることができる。したがって、静電容量の増加や特性イ
ンピーダンスの低下を防止するために、信号線間隔を大
きくしたりベース誘電体層１を厚くしたりする必要があ
っても、その増加量は、上部誘電体が信号線を全面被覆
する伝送線路より少なくて済むので、配線の高密度化が
容易となる。

【００２９】このように、本実施の形態の構造によれ
ば、信号線間の漏話が小さいので、伝送信号のエラーの
発生を防止できると共に、配線密度の向上を図ることが
でき、小型で配線密度の高い印刷配線基板を実現でき
る。

【００３０】［実施の形態の４］図４は、本発明の第４
の実施の形態となる伝送線路の層構成を示す断面図であ
る。本実施の形態の伝送線路は、コプレーナ型の伝送線
路であり、ベース誘電体層１と、上部誘電体層３と、信
号線１０，１１と、シールド接地線２０と、接地線２１
と、金属からなる下部シールド接地線２２とから概略構
成されている。

【００３１】この伝送線路は、図３のコプレーナ伝送線
路に対して、ベース誘電体層１の第１の面と対向する第
２の面に、接地線２１と対向するように下部シールド接
地線２２を形成したものである。

【００３２】次に、図４を参照して、本実施の形態の伝
送線路の効果を説明する。本実施の形態では、実施の形
態の３で述べた効果に加え、下部シールド接地線２２に
より、ベース誘電体層１を介する隣接信号線間の電磁結
合を抑制すると共に、下部解放空間を回り込む信号線間
の電磁結合も小さくすることができる。よって、信号線
間をシールドする効果が増強されるので、図３に示すコ
プレーナ伝送線路よりも、信号線間の漏話を更に低減す
ることができる。

【００３３】このように、本実施の形態の構造によれ
ば、信号線間の漏話が小さいので、伝送信号のエラーの
発生を防止できると共に、配線密度の向上を図ることが
でき、小型で配線密度の高い印刷配線基板を実現でき
る。

【００３４】［実施の形態の５］図５は、本発明の第５
の実施の形態となる伝送線路の層構成を示す断面図であ
る。本実施の形態の伝送線路は、ベース誘電体層１と、
上部誘電体層３と、信号線１０，１１と、シールド接地
線２０とから概略構成されている。

【００３５】この伝送線路は、ベース誘電体層１の第１
の面に信号線１０，１１を形成した図７の伝送線路に対
して、信号線１０と１１の中間に上部誘電体層３を形成
し、さらに上部誘電体層３の上にシールド接地線２０を
形成したものである。なお、上部誘電体層３は信号線１
０，１１の上を覆わない。また、上部誘電体層３は、ベ
ース誘電体層１と同じ材料でもよく、異なる材料でもよ
い。

【００３６】次に、図５を参照して、本実施の形態の伝
送線路の効果を説明する。上部誘電体層３の上に設けら
れたシールド接地線２０は、上部誘電体層３を介する隣
接信号線間の電磁結合を抑制すると共に、解放空間を回
り込む信号線間の電磁結合も減少させる。よって、信号
線間をシールドする効果が得られるので、図７に示す伝
送線路よりも、信号線間の漏話を低減することができ
る。

【００３７】また、上部誘電体層３を設けることによ
り、接地線を信号線と同一面に置く図８のコプレーナ伝
送線路よりも信号線１０，１１とシールド接地線２０の
距離が開くので、接地線を設けることによる静電容量の
増加を抑えることができる。さらに、上部誘電体層３が
信号線１０，１１を覆わないので、上部誘電体層が信号
線の全面を覆う場合に比べて、信号線１０，１１の静電
容量の増加を抑えることができる。

【００３８】したがって、静電容量の増加や特性インピ
ーダンスの低下を防止するために、信号線間隔を大きく
したりベース誘電体層１を厚くしたりする必要があって
も、その増加量は、図８の伝送線路や上部誘電体が信号
線を全面被覆する伝送線路より少なくて済むので、配線
の高密度化が容易となる。

【００３９】このように、本実施の形態の構造によれ
ば、信号線間の漏話が小さいので、伝送信号のエラーの
発生を防止できると共に、配線の高密度化が容易である
ので、小型で配線密度の高い印刷配線基板を実現でき
る。

【００４０】［実施の形態の６］図６は、本発明の第６
の実施の形態となる伝送線路の層構成を示す断面図であ
る。本実施の形態の伝送線路は、ベース誘電体層１と、
上部誘電体層３と、信号線１０，１１と、シールド接地
線２０と、下部シールド接地線２２とから概略構成され
ている。この伝送線路は、図５の伝送線路に対して、ベ
ース誘電体層１の第１の面と対向する第２の面に、シー
ルド接地線２０と対向するように下部シールド接地線２
２を形成したものである。

【００４１】次に、図６を参照して、本実施の形態の伝
送線路の効果を説明する。本実施の形態では、実施の形
態の５で述べた効果に加え、下部シールド接地線２２に
より、ベース誘電体層１を介する隣接信号線間の電磁結
合を抑制すると共に、下部解放空間を回り込む信号線間
の電磁結合も小さくすることができる。よって、信号線
間をシールドする効果が増強されるので、図５に示す伝
送線路よりも、信号線間の漏話を更に低減することがで
きる。

【００４２】このように、本実施の形態の構造によれ
ば、信号線間の漏話が小さいので、伝送信号のエラーの
発生を防止できると共に、配線密度の向上を図ることが
でき、小型で配線密度の高い印刷配線基板を実現でき
る。

【００４３】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、具体的な構成はこの実施の形態に限るも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更等があっても本発明に含まれる。例えば、各誘電体層
を構成する誘電体の大きさ、厚さ及び材質、誘電率は任
意であり、また、信号線、接地線、シールド接地線及び
下部シールド接地線の幅、長さ、厚さ及び信号線の間隔
と、これらを形成する金属の材質も任意である。さらに
接地導体層の大きさや厚さと、これを形成する金属の材
質も任意である。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、請求項１又は２に記載
のように、マイクロストリップ伝送線路又は接地線付き
のマイクロストリップ伝送線路に対して、ベース誘電体
層の第１の面上の信号線間に上部誘電体層を設けると共
に上部誘電体層上にシールド接地線を設けることによ
り、信号線間の電磁結合を抑制すると共に信号線間の静
電結合を低減するので、従来のマイクロストリップ伝送
線路よりも信号線間の漏話を低減することができ、信号
線で伝送される信号のエラー発生を防止することができ
る。また、従来のストリップライン伝送線路や上部誘電
体が信号線の全面を覆う構造などと比べて静電容量の増
加が少ないので、特性インピーダンスの低下が少なく、
特性インピーダンスの低下を防止するために、誘電体の
厚さを増加したり信号線間隔を広げたりする等の変更が
少なくてすみ、高密度配線を実現することができる。

【００４５】また、請求項３に記載のように、コプレー
ナ伝送線路に対して、ベース誘電体層の第１の面上の信
号線間に接地線を覆うように上部誘電体層を設けると共
に上部誘電体層上にシールド接地線を設けることによ
り、信号線間の電磁結合を抑制すると共に信号線間の静
電結合を低減するので、従来のコプレーナ伝送線路より
も信号線間の漏話を低減することができ、信号線で伝送
される信号のエラー発生を防止することができる。ま
た、上部誘電体が信号線の全面を覆う構造などと比べて
静電容量の増加が少ないので、特性インピーダンスの低
下が少なく、特性インピーダンスの低下を防止するため
に、誘電体の厚さを増加したり信号線間隔を広げたりす
る等の変更が少なくてすみ、高密度配線を実現すること
ができる。

【００４６】また、請求項４に記載のように、ベース誘
電体層の第１の面と対向する第２の面に、接地線と対向
するように下部シールド接地線を設けることにより、信
号線間の漏話を更に低減することができる。

【００４７】また、請求項５に記載のように、ベース誘
電体層の第１の面に複数の信号線を有する伝送線路に対
して、ベース誘電体層の第１の面上の信号線間に上部誘
電体層を設けると共に上部誘電体層上にシールド接地線
を設けることにより、信号線間の電磁結合を抑制すると
共に信号線間の静電結合を低減するので、従来の伝送線
路よりも信号線間の漏話を低減することができ、信号線
で伝送される信号のエラー発生を防止することができ
る。また、上部誘電体が信号線の全面を覆う構造などと
比べて静電容量の増加が少ないので、特性インピーダン
スの低下が少なく、特性インピーダンスの低下を防止す
るために、誘電体の厚さを増加したり信号線間隔を広げ
たりする等の変更が少なくてすみ、高密度配線を実現す
ることができる。

【００４８】また、請求項６に記載のように、ベース誘
電体層の第１の面と対向する第２の面に、シールド接地
線と対向するように下部シールド接地線を設けることに
より、信号線間の漏話を更に低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施の形態となる伝送線路の
層構成を示す断面図である。

【図２】 本発明の第２の実施の形態となる伝送線路の
層構成を示す断面図である。

【図３】 本発明の第３の実施の形態となる伝送線路の
層構成を示す断面図である。

【図４】 本発明の第４の実施の形態となる伝送線路の
層構成を示す断面図である。

【図５】 本発明の第５の実施の形態となる伝送線路の
層構成を示す断面図である。

【図６】 本発明の第６の実施の形態となる伝送線路の
層構成を示す断面図である。

【図７】 従来の基本的な伝送線路の層構成を示す断面
図である。

【図８】 従来のコプレーナ伝送線路の層構成を示す断
面図である。

【図９】 従来のマイクロストリップ伝送線路の層構成
を示す断面図である。

【図１０】 従来の接地線付きマイクロストリップ伝送
線路の層構成を示す断面図である。

【図１１】 従来のストリップライン伝送線路の層構成
を示す断面図である。

【符号の説明】

１…ベース誘電体層、２…接地導体層、３…上部誘電体
層、１０、１１…信号線、２１…シールド接地線、２１
…接地線、２２…下部シールド接地線。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ベース誘電体層と、ベース誘電体層の第
   １の面に形成された複数の信号線と、ベース誘電体層の
   第１の面と対向する第２の面に形成された接地導体層と
   を有するマイクロストリップ型の伝送線路において、 前記ベース誘電体層の第１の面上の信号線間に形成され
   た上部誘電体層と、 この上部誘電体層上に形成されたシールド接地線とを有
   することを特徴とする伝送線路。
2. 【請求項２】 ベース誘電体層と、ベース誘電体層の第
   １の面に形成された複数の信号線と、ベース誘電体層の
   第１の面と対向する第２の面に形成された接地導体層
   と、ベース誘電体層の第１の面上の信号線間に形成され
   た接地線とを有するマイクロストリップ型の伝送線路に
   おいて、 前記ベース誘電体層の第１の面上の信号線間に、前記接
   地線を覆うように形成された上部誘電体層と、 この上部誘電体層上に形成されたシールド接地線とを有
   することを特徴とする伝送線路。
3. 【請求項３】 ベース誘電体層と、ベース誘電体層の第
   １の面に形成された信号線と接地線とを有するコプレー
   ナ型の伝送線路において、 前記ベース誘電体層の第１の面上の信号線間に、前記接
   地線を覆うように形成された上部誘電体層と、 この上部誘電体層上に形成されたシールド接地線とを有
   することを特徴とする伝送線路。
4. 【請求項４】 請求項３記載の伝送線路において、 前記ベース誘電体層の第１の面と対向する第２の面に、
   前記接地線と対向するように形成された下部シールド接
   地線を有することを特徴とする伝送線路。
5. 【請求項５】 ベース誘電体層と、ベース誘電体層の第
   １の面に形成された複数の信号線とを有する伝送線路に
   おいて、 前記ベース誘電体層の第１の面上の信号線間に形成され
   た上部誘電体層と、 この上部誘電体層上に形成されたシールド接地線とを有
   することを特徴とする伝送線路。
6. 【請求項６】 請求項５記載の伝送線路において、 前記ベース誘電体層の第１の面と対向する第２の面に、
   前記シールド接地線と対向するように形成された下部シ
   ールド接地線を有することを特徴とする伝送線路。