JP2000012464A - 処理装置のコントローラ - Google Patents
処理装置のコントローラInfo
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- JP2000012464A JP2000012464A JP10175631A JP17563198A JP2000012464A JP 2000012464 A JP2000012464 A JP 2000012464A JP 10175631 A JP10175631 A JP 10175631A JP 17563198 A JP17563198 A JP 17563198A JP 2000012464 A JP2000012464 A JP 2000012464A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理プログラム容量を大幅に低減できる処理
装置のコントローラを提供する。 【解決手段】 成膜装置のコントローラの出力ポート
は、成膜室１〜３で使用される可能性のある全てのガス
Ａ〜Ｆの流量を制御する制御信号を出力することができ
るように、共通のポートを有する。コントローラのプロ
グラムは、設定値インターフェースから入力されたガス
流量の設定値に基づき、出力ポートから制御信号をガス
流量コントローラＭＦＣに出力し、各成膜室１〜３の成
膜処理とクリーニング処理とを制御する。１つの共通の
プログラムで全成膜室に対する成膜及びクリーニング処
理を実行でき、プログラム容量の低減とデバッグの簡素
化が図れる。
装置のコントローラを提供する。 【解決手段】 成膜装置のコントローラの出力ポート
は、成膜室１〜３で使用される可能性のある全てのガス
Ａ〜Ｆの流量を制御する制御信号を出力することができ
るように、共通のポートを有する。コントローラのプロ
グラムは、設定値インターフェースから入力されたガス
流量の設定値に基づき、出力ポートから制御信号をガス
流量コントローラＭＦＣに出力し、各成膜室１〜３の成
膜処理とクリーニング処理とを制御する。１つの共通の
プログラムで全成膜室に対する成膜及びクリーニング処
理を実行でき、プログラム容量の低減とデバッグの簡素
化が図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＣＤ製造や半導
体製造において成膜処理などを行う処理装置のコントロ
ーラに係り、特に、処理プログラムの容量を大幅に低減
できる処理装置のコントローラに関する。
体製造において成膜処理などを行う処理装置のコントロ
ーラに係り、特に、処理プログラムの容量を大幅に低減
できる処理装置のコントローラに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤ製造や半導体製造では、ＣＶＤ装
置、拡散装置、酸化装置などにおいて、同一チャンバ内
で複数の処理が行われている。例えば、ＬＣＤ製造用成
膜装置にあっては、同一チャンバで基板に薄膜を形成す
る成膜処理と、基板以外の成膜室壁面に付着した膜を除
去するクリーニング処理とを行っている。これら処理
は、成膜装置のコントローラにより、ガスの種類や流量
などの制御パラメータを制御しながら、所定のシーケン
スで行われる。
置、拡散装置、酸化装置などにおいて、同一チャンバ内
で複数の処理が行われている。例えば、ＬＣＤ製造用成
膜装置にあっては、同一チャンバで基板に薄膜を形成す
る成膜処理と、基板以外の成膜室壁面に付着した膜を除
去するクリーニング処理とを行っている。これら処理
は、成膜装置のコントローラにより、ガスの種類や流量
などの制御パラメータを制御しながら、所定のシーケン
スで行われる。
【０００３】ところで、成膜装置における成膜処理とク
リーニング処理とは、使用するガスの種類が異なるだけ
で、両処理の処理シーケンス自体は同じシーケンスであ
る。しかし、従来の成膜装置のコントローラによる処理
シーケンスは、図３に示すように、一つの成膜室で見る
と、成膜シーケンスとクリーニングシーケンスとは完全
に別々のシーケンス（処理プログラム）として作られて
いて、設定値インターフェース（インターフェースを図
中、Ｉ／Ｆと表記）からガスの流量、種類、圧力などの
制御パラメータが入力され、これら入力値にしたがって
各処理シーケンスごとに別々の処理プログラムで処理が
実行され、コントローラの出力ポートからガス流量をコ
ントロールするガス流量コントローラＭＦＣなどへ制御
信号が出力される。また、異なる成膜室間での成膜シー
ケンス及びクリーニングシーケンスを見ても、別々のシ
ーケンス（処理プログラム）として作られており、別々
の処理プログラムで処理が実行される。（なお、クリー
ニング処理は、ガスクリーニングであり、図中ＧＣと表
記した。）
リーニング処理とは、使用するガスの種類が異なるだけ
で、両処理の処理シーケンス自体は同じシーケンスであ
る。しかし、従来の成膜装置のコントローラによる処理
シーケンスは、図３に示すように、一つの成膜室で見る
と、成膜シーケンスとクリーニングシーケンスとは完全
に別々のシーケンス（処理プログラム）として作られて
いて、設定値インターフェース（インターフェースを図
中、Ｉ／Ｆと表記）からガスの流量、種類、圧力などの
制御パラメータが入力され、これら入力値にしたがって
各処理シーケンスごとに別々の処理プログラムで処理が
実行され、コントローラの出力ポートからガス流量をコ
ントロールするガス流量コントローラＭＦＣなどへ制御
信号が出力される。また、異なる成膜室間での成膜シー
ケンス及びクリーニングシーケンスを見ても、別々のシ
ーケンス（処理プログラム）として作られており、別々
の処理プログラムで処理が実行される。（なお、クリー
ニング処理は、ガスクリーニングであり、図中ＧＣと表
記した。）
【０００４】このように、各処理ごと、各成膜室ごとに
個別に処理プログラムを作成して処理を行っているの
は、成膜する膜種によって使用するガスの種類や数が違
うことに対応して、ガス流量などの制御信号を出力する
出力ポートの並び方や数を各成膜室ごとに異ならせてい
るからである。
個別に処理プログラムを作成して処理を行っているの
は、成膜する膜種によって使用するガスの種類や数が違
うことに対応して、ガス流量などの制御信号を出力する
出力ポートの並び方や数を各成膜室ごとに異ならせてい
るからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、各処
理ごと、各成膜室ごとに個別の処理プログラムを用いて
処理を行う構成では、プログラム容量の増大を招き、ま
た、デバッグを各処理、各成膜室のプログラムごとに行
わなければならず、デバッグ時間の増大を引き起こして
いる。さらには、プログラムにバグがあった場合、処理
数２×成膜室数だけのプログラム修正を行う必要があ
り、プログラム修正ミス、抜けなどが発生しやすい。
理ごと、各成膜室ごとに個別の処理プログラムを用いて
処理を行う構成では、プログラム容量の増大を招き、ま
た、デバッグを各処理、各成膜室のプログラムごとに行
わなければならず、デバッグ時間の増大を引き起こして
いる。さらには、プログラムにバグがあった場合、処理
数２×成膜室数だけのプログラム修正を行う必要があ
り、プログラム修正ミス、抜けなどが発生しやすい。
【０００６】本発明は、上記従来技術の問題点を解消す
べくなされたもので、コントローラの処理プログラムの
容量を大幅に低減でき、デバッグの簡素化も図れる処理
装置のコントローラを提供することを目的とする。
べくなされたもので、コントローラの処理プログラムの
容量を大幅に低減でき、デバッグの簡素化も図れる処理
装置のコントローラを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る処理装置のコントローラは、同一のチ
ャンバで複数の処理がなされる処理装置における前記各
処理のシーケンス及び制御パラメータを制御するコント
ローラであって、前記コントローラは、前記処理装置で
取り扱う可能性のある全ての制御パラメータの制御信号
を出力することができるポート数を有する出力ポート
と、前記全ての制御パラメータを取り扱うことができる
処理プログラムとを備え、前記全ての制御パラメータの
うち、前記複数の処理で選択された制御パラメータの設
定入力値に基づいて、前記処理プログラムにより前記出
力ポートから制御信号を出力するように構成されている
ものである。
に、本発明に係る処理装置のコントローラは、同一のチ
ャンバで複数の処理がなされる処理装置における前記各
処理のシーケンス及び制御パラメータを制御するコント
ローラであって、前記コントローラは、前記処理装置で
取り扱う可能性のある全ての制御パラメータの制御信号
を出力することができるポート数を有する出力ポート
と、前記全ての制御パラメータを取り扱うことができる
処理プログラムとを備え、前記全ての制御パラメータの
うち、前記複数の処理で選択された制御パラメータの設
定入力値に基づいて、前記処理プログラムにより前記出
力ポートから制御信号を出力するように構成されている
ものである。
【０００８】処理装置として、例えば、成膜装置では、
処理シーケンスは同じでも、処理ごと、チャンバごとに
使用するガスの種類、流量などの制御パラメータが異な
る。ところが、本発明のコントローラは、処理装置で取
り扱う可能性のある全ての制御パラメータの制御信号を
出力することができるポート数を有する共通の出力ポー
トと、これら全ての制御パラメータを取り扱うことがで
きる共通の処理プログラムとを備えている。このため、
各処理、各チャンバごとに、どのような制御パラメータ
が選択されても、共通の処理プログラムによって共通の
出力ポートから選択された制御パラメータの制御信号を
出力できる。このように、各処理、各チャンバごとの処
理で制御パラメータに違いがあっても、共通の処理プロ
グラムを用いて処理できるため、処理プログラムの容量
を低減できる。
処理シーケンスは同じでも、処理ごと、チャンバごとに
使用するガスの種類、流量などの制御パラメータが異な
る。ところが、本発明のコントローラは、処理装置で取
り扱う可能性のある全ての制御パラメータの制御信号を
出力することができるポート数を有する共通の出力ポー
トと、これら全ての制御パラメータを取り扱うことがで
きる共通の処理プログラムとを備えている。このため、
各処理、各チャンバごとに、どのような制御パラメータ
が選択されても、共通の処理プログラムによって共通の
出力ポートから選択された制御パラメータの制御信号を
出力できる。このように、各処理、各チャンバごとの処
理で制御パラメータに違いがあっても、共通の処理プロ
グラムを用いて処理できるため、処理プログラムの容量
を低減できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を用いて説明する。図１は、本発明に係る処理装置の
コントローラを成膜装置のコントローラに適用した一実
施形態であって、コントローラの出力ポートの配置など
を示す概略図であり、図２は、図１のコントローラと各
成膜室との接続関係を示す概略構成図である。
面を用いて説明する。図１は、本発明に係る処理装置の
コントローラを成膜装置のコントローラに適用した一実
施形態であって、コントローラの出力ポートの配置など
を示す概略図であり、図２は、図１のコントローラと各
成膜室との接続関係を示す概略構成図である。
【００１０】図１に示すように、成膜装置のコントロー
ラは、ガラス基板や半導体ウェーハに成膜を施す３つの
成膜室（チャンバ）１〜３に対して、成膜処理とクリー
ニング処理（ＧＣ）とをそれぞれコントロールするもの
である。全ての成膜室１〜３で使用される可能性のある
ガス種は、この実施形態ではガスＡ〜Ｆの６種類であ
り、コントローラの各成膜室１〜３に対する出力ポート
には、各成膜室１〜３で実際に使用するか否かに関係な
く、これら全てのガスＡ〜Ｆの流量を制御する制御信号
を出力することができるように共通の６つのポートが用
意されている。ガスＡ〜Ｆの出力ポートの並び（配列）
も、各成膜室１〜３の出力ポートで共通している。
ラは、ガラス基板や半導体ウェーハに成膜を施す３つの
成膜室（チャンバ）１〜３に対して、成膜処理とクリー
ニング処理（ＧＣ）とをそれぞれコントロールするもの
である。全ての成膜室１〜３で使用される可能性のある
ガス種は、この実施形態ではガスＡ〜Ｆの６種類であ
り、コントローラの各成膜室１〜３に対する出力ポート
には、各成膜室１〜３で実際に使用するか否かに関係な
く、これら全てのガスＡ〜Ｆの流量を制御する制御信号
を出力することができるように共通の６つのポートが用
意されている。ガスＡ〜Ｆの出力ポートの並び（配列）
も、各成膜室１〜３の出力ポートで共通している。
【００１１】また、各成膜室１〜３のプログラム（処理
プログラム）にガス流量の設定値を入力するための設定
値インターフェース（Ｉ／Ｆ）にも、使用する可能性の
ある全てのガスＡ〜Ｆに対する設定値を入力することが
できる領域が、各成膜室ごとに、且つガスＡ〜Ｆの並び
で用意されている。設定値インターフェースは、各成膜
室１〜３で使用するガス種のみ自由に設定・変更できる
ようになっており、設定内容が操作画面上に表示される
（なお、図１に示す設定値インターフェース及びその設
定値の例では、各成膜室で使用するガス種の設定値、ア
ドレスに対してそれらの周囲にハッチングを施し、使用
しないガス種と区別した）。各成膜室１〜３で使用しな
いガス種の設定値としては「０」が設定され（図１で
は、「００００」と表記）、設定値を変更することはで
きない。（なお、使用しないガスの設定値を「９９９
９」などと定めても勿論よい）
プログラム）にガス流量の設定値を入力するための設定
値インターフェース（Ｉ／Ｆ）にも、使用する可能性の
ある全てのガスＡ〜Ｆに対する設定値を入力することが
できる領域が、各成膜室ごとに、且つガスＡ〜Ｆの並び
で用意されている。設定値インターフェースは、各成膜
室１〜３で使用するガス種のみ自由に設定・変更できる
ようになっており、設定内容が操作画面上に表示される
（なお、図１に示す設定値インターフェース及びその設
定値の例では、各成膜室で使用するガス種の設定値、ア
ドレスに対してそれらの周囲にハッチングを施し、使用
しないガス種と区別した）。各成膜室１〜３で使用しな
いガス種の設定値としては「０」が設定され（図１で
は、「００００」と表記）、設定値を変更することはで
きない。（なお、使用しないガスの設定値を「９９９
９」などと定めても勿論よい）
【００１２】また、図２に示すように、成膜装置の各成
膜室１〜３には、全てのガスＡ〜Ｆを供給できるガスラ
インＬA〜ＬFが設けられており、ガスラインＬA〜ＬFに
はガス流量を制御するためのガスライン弁Ｖが設けられ
ている。また、成膜装置には、成膜処理等を制御する制
御装置４が設けられている。この制御装置４には、上述
したガス流量を制御する制御信号を出力する出力ポート
５を有するコントローラ６が設けられている。また、制
御装置４には、ガス流量等の設定値を入力するための上
述した設定値インターフェース７が接続されている。
（なお、制御装置４には、図示省略するが、成膜室の温
度、圧力などの処理条件を制御するコントローラや、基
板の搬入・搬出などを行う機構を制御するコントローラ
も設けられており、これらコントローラにも本発明を適
用してもよい。）
膜室１〜３には、全てのガスＡ〜Ｆを供給できるガスラ
インＬA〜ＬFが設けられており、ガスラインＬA〜ＬFに
はガス流量を制御するためのガスライン弁Ｖが設けられ
ている。また、成膜装置には、成膜処理等を制御する制
御装置４が設けられている。この制御装置４には、上述
したガス流量を制御する制御信号を出力する出力ポート
５を有するコントローラ６が設けられている。また、制
御装置４には、ガス流量等の設定値を入力するための上
述した設定値インターフェース７が接続されている。
（なお、制御装置４には、図示省略するが、成膜室の温
度、圧力などの処理条件を制御するコントローラや、基
板の搬入・搬出などを行う機構を制御するコントローラ
も設けられており、これらコントローラにも本発明を適
用してもよい。）
【００１３】また、各成膜室１〜３において使用するガ
スの出力ポート５のポートと、これに対応するガス種の
ガスライン弁Ｖとの間には、出力ポート５からの制御信
号によって、ガスライン弁Ｖの開度を調節してガス流量
を制御するガス流量コントローラＭＦＣが設けられてい
る。ガス流量コントローラＭＦＣは、使用しないガスの
出力ポート５のポートには接続しない。
スの出力ポート５のポートと、これに対応するガス種の
ガスライン弁Ｖとの間には、出力ポート５からの制御信
号によって、ガスライン弁Ｖの開度を調節してガス流量
を制御するガス流量コントローラＭＦＣが設けられてい
る。ガス流量コントローラＭＦＣは、使用しないガスの
出力ポート５のポートには接続しない。
【００１４】コントローラ５のプログラムには、設定値
インターフェース７からガス流量の設定値が読み込まれ
るが、プログラムでは、そのガス種の使用・不使用を判
別せずに、全てのガス種に対する設定値インターフェー
ス７の設定値（制御信号）を出力ポート５から出力す
る。ガス流量コントローラＭＦＣは、出力ポート５から
入力された値が「０」でなければ、その値に応じた開度
でガスライン弁Ｖを開き、一方、入力値が「０」であれ
ば、ガスライン弁Ｖを閉じるように制御する。
インターフェース７からガス流量の設定値が読み込まれ
るが、プログラムでは、そのガス種の使用・不使用を判
別せずに、全てのガス種に対する設定値インターフェー
ス７の設定値（制御信号）を出力ポート５から出力す
る。ガス流量コントローラＭＦＣは、出力ポート５から
入力された値が「０」でなければ、その値に応じた開度
でガスライン弁Ｖを開き、一方、入力値が「０」であれ
ば、ガスライン弁Ｖを閉じるように制御する。
【００１５】このようにすると、１つの成膜室における
成膜シーケンスとクリーニングシーケンスとを制御する
プログラムの論理を共通化でき、１つの共通のプログラ
ムで２つの処理を実行することができる。さらに、各成
膜室ごとの設定値インターフェースのアドレスと出力ポ
ートのアドレスとを、プログラム上でポインタを用いて
制御すれば、成膜、クリーニングの両処理を、全成膜室
で共通の１つのプログラムで実行することができる。
成膜シーケンスとクリーニングシーケンスとを制御する
プログラムの論理を共通化でき、１つの共通のプログラ
ムで２つの処理を実行することができる。さらに、各成
膜室ごとの設定値インターフェースのアドレスと出力ポ
ートのアドレスとを、プログラム上でポインタを用いて
制御すれば、成膜、クリーニングの両処理を、全成膜室
で共通の１つのプログラムで実行することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上要するに、本発明によれば、処理装
置で取り扱う可能性のある全ての制御パラメータの制御
信号を出力することができるポート数を有する出力ポー
トと、これら全ての制御パラメータを取り扱うことがで
きる処理プログラムとを備えているため、各処理や各チ
ャンバごとの処理シーケンスで制御パラメータに違いが
あっても、共通の処理プログラムを用いて実行すること
ができるため、処理プログラムの容量を低減できる。ま
た、デバッグは１つの共通の処理プログラムに対して行
えばよく、デバッグ時間が短縮されると共に、バグの修
正ミス、抜けが起こりにくい。
置で取り扱う可能性のある全ての制御パラメータの制御
信号を出力することができるポート数を有する出力ポー
トと、これら全ての制御パラメータを取り扱うことがで
きる処理プログラムとを備えているため、各処理や各チ
ャンバごとの処理シーケンスで制御パラメータに違いが
あっても、共通の処理プログラムを用いて実行すること
ができるため、処理プログラムの容量を低減できる。ま
た、デバッグは１つの共通の処理プログラムに対して行
えばよく、デバッグ時間が短縮されると共に、バグの修
正ミス、抜けが起こりにくい。
【図１】本発明に係る処理装置のコントローラを成膜装
置のコントローラに適用した一実施形態であって、コン
トローラの出力ポートの配置などを示す概略図である。
置のコントローラに適用した一実施形態であって、コン
トローラの出力ポートの配置などを示す概略図である。
【図２】図１のコントローラと各成膜室との接続関係を
示す概略構成図である。
示す概略構成図である。
【図３】従来の成膜装置のコントローラにおける出力ポ
ートの配置などを示す概略図である。
ートの配置などを示す概略図である。
１、２、３ 成膜室 ４ 制御装置 ５ 出力ポート ６ コントローラ ７ 設定値インターフェース
Claims (1)
- 【請求項１】同一のチャンバで複数の処理がなされる処
理装置における前記各処理のシーケンス及び制御パラメ
ータを制御するコントローラにおいて、 前記コントローラは、前記処理装置で取り扱う可能性の
ある全ての制御パラメータの制御信号を出力することが
できるポート数を有する出力ポートと、前記全ての制御
パラメータを取り扱うことができる処理プログラムとを
備え、 前記全ての制御パラメータのうち、前記複数の処理で選
択された制御パラメータの設定入力値に基づいて、前記
処理プログラムにより前記出力ポートから制御信号を出
力するように構成されていることを特徴とする処理装置
のコントローラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10175631A JP2000012464A (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | 処理装置のコントローラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10175631A JP2000012464A (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | 処理装置のコントローラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012464A true JP2000012464A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15999469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10175631A Pending JP2000012464A (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | 処理装置のコントローラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000012464A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015138073A1 (en) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | Mks Instruments, Inc. | System for and method of fast pulse gas delivery |
| US9348339B2 (en) | 2010-09-29 | 2016-05-24 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for multiple-channel pulse gas delivery system |
| US10031531B2 (en) | 2011-02-25 | 2018-07-24 | Mks Instruments, Inc. | System for and method of multiple channel fast pulse gas delivery |
| US10126760B2 (en) | 2011-02-25 | 2018-11-13 | Mks Instruments, Inc. | System for and method of fast pulse gas delivery |
-
1998
- 1998-06-23 JP JP10175631A patent/JP2000012464A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9348339B2 (en) | 2010-09-29 | 2016-05-24 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for multiple-channel pulse gas delivery system |
| US10031531B2 (en) | 2011-02-25 | 2018-07-24 | Mks Instruments, Inc. | System for and method of multiple channel fast pulse gas delivery |
| US10126760B2 (en) | 2011-02-25 | 2018-11-13 | Mks Instruments, Inc. | System for and method of fast pulse gas delivery |
| WO2015138073A1 (en) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | Mks Instruments, Inc. | System for and method of fast pulse gas delivery |
| CN106103796A (zh) * | 2014-03-13 | 2016-11-09 | Mks 仪器公司 | 用于快速脉冲气体输送的系统和方法 |
| CN106103796B (zh) * | 2014-03-13 | 2019-10-22 | Mks 仪器公司 | 用于快速脉冲气体输送的系统和方法 |
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